JPS6147297A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS6147297A JPS6147297A JP59169374A JP16937484A JPS6147297A JP S6147297 A JPS6147297 A JP S6147297A JP 59169374 A JP59169374 A JP 59169374A JP 16937484 A JP16937484 A JP 16937484A JP S6147297 A JPS6147297 A JP S6147297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- recording
- layer
- copper
- precipitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、レーザー元等の高密度エネルギービームン用
いて情報の記録、再生を行なう光学的情報記録媒体に関
し、更に詳しくは、記録層が、王として銅から成る微粒
子が親水性コロイド中に含有されて成る光学的情報記録
媒体に関するものである。
いて情報の記録、再生を行なう光学的情報記録媒体に関
し、更に詳しくは、記録層が、王として銅から成る微粒
子が親水性コロイド中に含有されて成る光学的情報記録
媒体に関するものである。
〔従来技術J
レーデ−元等の高密度エネルギービームを利用して情報
の記録、再生が行なわれる記録媒体ににいて、記録直後
に故処理金施丁ことTx <−’tの情報t−直接再生
することができろ[DRAW (DirectRead
After Write ) J特性’ktjる記録
媒体、葦だは記録した情報全任意に消去可能な記録媒体
等全文書ファイル、画像ファイル等映像情報のメモリ媒
体として用いることが最近注目?集めている。
の記録、再生が行なわれる記録媒体ににいて、記録直後
に故処理金施丁ことTx <−’tの情報t−直接再生
することができろ[DRAW (DirectRead
After Write ) J特性’ktjる記録
媒体、葦だは記録した情報全任意に消去可能な記録媒体
等全文書ファイル、画像ファイル等映像情報のメモリ媒
体として用いることが最近注目?集めている。
このような光学的情報記録媒体ににける記舜層としては
、従来から種々の組成のものか卸られているが、その−
例として、テルル、ビスマス、セノン等の半金属、また
にこれらの酸化物(山下ら、第28回応用wJ理関係連
合講演会講演予稿%第141頁(1981))、セレン
ーテルルーヒ素(M、 Terace et al 、
、P、AppiPhys、、 5 Q 、第6881頁
(1979))、テルルーヒ素等のカルコゲン系化合v
!Jより成る薄膜記録層がある。しかしながらこの工う
な薄膜記録層は、記録層に官有δれた化合物の酸化によ
る劣化が原因となつ℃記録情報の再生時に3ける誤1ジ
率が増大し、更に用いる化合物の中には有梼なものも多
(、安全性に対する信頼度が低いという欠点?有してい
る。
、従来から種々の組成のものか卸られているが、その−
例として、テルル、ビスマス、セノン等の半金属、また
にこれらの酸化物(山下ら、第28回応用wJ理関係連
合講演会講演予稿%第141頁(1981))、セレン
ーテルルーヒ素(M、 Terace et al 、
、P、AppiPhys、、 5 Q 、第6881頁
(1979))、テルルーヒ素等のカルコゲン系化合v
!Jより成る薄膜記録層がある。しかしながらこの工う
な薄膜記録層は、記録層に官有δれた化合物の酸化によ
る劣化が原因となつ℃記録情報の再生時に3ける誤1ジ
率が増大し、更に用いる化合物の中には有梼なものも多
(、安全性に対する信頼度が低いという欠点?有してい
る。
Cれらの欠点?解消したものとしては、特開昭57−1
2425号、同57−24290号及び同57−399
89号の各公報に開示されているように、バインダー中
に平均粒径5Qnm以下の金属微粉末を分散し1成る記
碌層金有する光学的情報記録媒体がめろ。12かしなが
ら、この記録媒体は黒体微粉宋?分散して成る記録層?
万してどり、レーザー元照射に工ろ記録層の反射性増大
によつ″′C記録?行なう方式に用いられろものでろる
ため、記録層の反射性低下によって記録7行なう方式に
用いられる記録媒体に比して、トラツ千ング信号が得ら
れにくいという欠点含有している。
2425号、同57−24290号及び同57−399
89号の各公報に開示されているように、バインダー中
に平均粒径5Qnm以下の金属微粉末を分散し1成る記
碌層金有する光学的情報記録媒体がめろ。12かしなが
ら、この記録媒体は黒体微粉宋?分散して成る記録層?
万してどり、レーザー元照射に工ろ記録層の反射性増大
によつ″′C記録?行なう方式に用いられろものでろる
ため、記録層の反射性低下によって記録7行なう方式に
用いられる記録媒体に比して、トラツ千ング信号が得ら
れにくいという欠点含有している。
記録層の反射性低下によって記録2行なう方式に用いら
れる記録媒体の具体的−例とし′Cは、特開昭56−1
0491号公報に開示されたもの?挙げろことができる
。この記録媒体は1京合体から成るバインダー中に金属
または七の酸化物の微粒子上分散させた記録層r肩する
ものであり、金属またな七の酸化物の微粒子は20〜1
50Aの粒径【有1−ろものでめろ。しかしながら、こ
の記録媒体は、有毒な石@溶媒を用い、金属力ルゲニル
?出発原料とし℃微粒十勿形成して製造されるので、製
造時のrT−業束境に問題r生じるばかりでなく、微粒
子が不安定であって速やかに酸化きれ、記録層が厚さ方
向について不均質となる欠点がみられ、また金属1 f
、−けその酸化物の9粒子の分¥i媒とし”C+’)
バイア / −カ、親油性重合体であるので、いわゆる
水系塗布ができず製造時の作業環境が衛生の面からt好
1しくない。更にこの記録Nは七り反射率が30%以下
と低いため、反射光読みmし型九学的情報記録媒体とし
ては好1しくない。
れる記録媒体の具体的−例とし′Cは、特開昭56−1
0491号公報に開示されたもの?挙げろことができる
。この記録媒体は1京合体から成るバインダー中に金属
または七の酸化物の微粒子上分散させた記録層r肩する
ものであり、金属またな七の酸化物の微粒子は20〜1
50Aの粒径【有1−ろものでめろ。しかしながら、こ
の記録媒体は、有毒な石@溶媒を用い、金属力ルゲニル
?出発原料とし℃微粒十勿形成して製造されるので、製
造時のrT−業束境に問題r生じるばかりでなく、微粒
子が不安定であって速やかに酸化きれ、記録層が厚さ方
向について不均質となる欠点がみられ、また金属1 f
、−けその酸化物の9粒子の分¥i媒とし”C+’)
バイア / −カ、親油性重合体であるので、いわゆる
水系塗布ができず製造時の作業環境が衛生の面からt好
1しくない。更にこの記録Nは七り反射率が30%以下
と低いため、反射光読みmし型九学的情報記録媒体とし
ては好1しくない。
記録層の反射性低下によって記録勿行なう方式に用いら
れる記録媒体σノ他の具体例とし′Cは、特開昭55−
108995号、同56−33995号、同56−49
296号及び同56−49297号の各公報に開示でれ
たものt挙げることができる。この記録媒体は、支持体
上に設けられたハaグン化鍜乳剤層の表面近傍に写真的
な化字境像及び物理埃像にLり反射性銀粒子?析Ilf
:lさぜた記録層tMするものでるり、銀に比して廃絶
R注に優れたゼラチン勿言有する点で。高感度な光学的
情報記録媒体であるということができる。しかしながら
、この記録媒体に?いては、その記録層は3〜6μmの
厚さ含有しているため、感度に限界がみられるばかりで
な(、厚さ方向にぢいて銀濃度に勾配が生じ、その表面
近傍のみが高反射性となるので、支持体を通し工記録、
再生7行なう方式にμ適用することが困t1tで4)ろ
。
れる記録媒体σノ他の具体例とし′Cは、特開昭55−
108995号、同56−33995号、同56−49
296号及び同56−49297号の各公報に開示でれ
たものt挙げることができる。この記録媒体は、支持体
上に設けられたハaグン化鍜乳剤層の表面近傍に写真的
な化字境像及び物理埃像にLり反射性銀粒子?析Ilf
:lさぜた記録層tMするものでるり、銀に比して廃絶
R注に優れたゼラチン勿言有する点で。高感度な光学的
情報記録媒体であるということができる。しかしながら
、この記録媒体に?いては、その記録層は3〜6μmの
厚さ含有しているため、感度に限界がみられるばかりで
な(、厚さ方向にぢいて銀濃度に勾配が生じ、その表面
近傍のみが高反射性となるので、支持体を通し工記録、
再生7行なう方式にμ適用することが困t1tで4)ろ
。
一万、上述の従来技術?開示した各公報に2いては、王
として支持体上の記録層異面が反射性となる記録媒体に
ついてのみ記載されて忘p、このような記録媒体は、塵
埃から記録層表面のピント〒保獲するために、酸化シリ
コン或いはポリメチにメlりUV−ト等の保護層が設け
られろかまたは記録媒体全体がカプセル化されているこ
とが必要であジ、従って護膜WI?r顔設する工程また
はカプセル化する工程などの工程が必要となる。
として支持体上の記録層異面が反射性となる記録媒体に
ついてのみ記載されて忘p、このような記録媒体は、塵
埃から記録層表面のピント〒保獲するために、酸化シリ
コン或いはポリメチにメlりUV−ト等の保護層が設け
られろかまたは記録媒体全体がカプセル化されているこ
とが必要であジ、従って護膜WI?r顔設する工程また
はカプセル化する工程などの工程が必要となる。
C(7)エラな煩雑さ?避けるためにポリメチルメタク
リノート或いはガラス等の、透明支持体変通して記録す
る方法が通常用いられ、Cの場合記録媒体の両側に透明
支持体を重ね′″C設けること等が知られている。
リノート或いはガラス等の、透明支持体変通して記録す
る方法が通常用いられ、Cの場合記録媒体の両側に透明
支持体を重ね′″C設けること等が知られている。
本発明者等は、斯かる透明支持体を通して光学的な記録
、再生7行なうのに適切な記録媒体?!−特願昭57−
43305号明細書によって提案した。こり記録媒体は
、透明支持体と記録層との界面近傍の反射性上増大させ
、実用可能な反射性?肖眼界面近傍に生じさせるように
透明支持体上に薄膜の物理現像核層を設けたものである
。この記録媒体は、透明支持体変通して反射光にエフ情
報?!−玩み取り、元方なシグナルコントラストを得る
ために必要な反射注全Mしている。
、再生7行なうのに適切な記録媒体?!−特願昭57−
43305号明細書によって提案した。こり記録媒体は
、透明支持体と記録層との界面近傍の反射性上増大させ
、実用可能な反射性?肖眼界面近傍に生じさせるように
透明支持体上に薄膜の物理現像核層を設けたものである
。この記録媒体は、透明支持体変通して反射光にエフ情
報?!−玩み取り、元方なシグナルコントラストを得る
ために必要な反射注全Mしている。
本発明者等は上述の先提案技術に係る記録媒体について
研究?続けた結果、王として銅より成る微粒子が栽水注
コロイド中に含有されて成る記録層7Mする光学的情報
記録媒体が、銀、金、・ぐラジワム、コバルト、ニッケ
ル等?用いたものに比して極めて安価でるり、水銀、f
jek用いたものに比して毒性が十分に少な(作業環境
の密生σ〕点から好ツしいものであり、しかも高感度で
安定性に優れていること?見出した。
研究?続けた結果、王として銅より成る微粒子が栽水注
コロイド中に含有されて成る記録層7Mする光学的情報
記録媒体が、銀、金、・ぐラジワム、コバルト、ニッケ
ル等?用いたものに比して極めて安価でるり、水銀、f
jek用いたものに比して毒性が十分に少な(作業環境
の密生σ〕点から好ツしいものであり、しかも高感度で
安定性に優れていること?見出した。
一万記碌媒体は、用途に応じて種々の形状、大きさのも
のとされるが、従来にSいては、通常予め必9な形状、
大きさに成形された支持体r用い、この支持体上に記@
層78(すて記録媒体金得るようにしているため、記録
媒体?連続的に大量生産することが内錐でめる。また記
録層の形成金塗布法忙工って行なう場合には、上記の如
き成形された支持体の周辺部VC塗布液が盛り上がる現
象が生じて膜厚の均一な塗布膜?形成することができず
、このため高密度の記録、再生7行なう場合には記録層
の周辺部の感度ムラが大きく、N局高性能の記録、再生
7行なうことができない。
のとされるが、従来にSいては、通常予め必9な形状、
大きさに成形された支持体r用い、この支持体上に記@
層78(すて記録媒体金得るようにしているため、記録
媒体?連続的に大量生産することが内錐でめる。また記
録層の形成金塗布法忙工って行なう場合には、上記の如
き成形された支持体の周辺部VC塗布液が盛り上がる現
象が生じて膜厚の均一な塗布膜?形成することができず
、このため高密度の記録、再生7行なう場合には記録層
の周辺部の感度ムラが大きく、N局高性能の記録、再生
7行なうことができない。
本発明の目的は、支持体7通しての記録及び再生ビーム
に対する吸収率及び反射率の大きい記録1脅rMし2、
感度の高い記録、再生7行なうことかでさ、しかも連続
的な大量生産が可能な光字的情報記録媒体を提供するこ
とにある。
に対する吸収率及び反射率の大きい記録1脅rMし2、
感度の高い記録、再生7行なうことかでさ、しかも連続
的な大量生産が可能な光字的情報記録媒体を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、いわゆる水系塗布にょって記録層
?得ろことができ、しかも安価で、その上毒性が少なく
℃製造時に妄いて1/l:業壌境上の安全性が高く壌境
汚染勿招米することがない光学的情報記録媒体を提供す
ることにある。
?得ろことができ、しかも安価で、その上毒性が少なく
℃製造時に妄いて1/l:業壌境上の安全性が高く壌境
汚染勿招米することがない光学的情報記録媒体を提供す
ることにある。
以上の目的は、支持体上に反射性記録層ヶ設けてなる光
学的情報記録媒体において、前記支持体が可撓性でるり
、前記反射性記録層が、王として銅から成る反射性の微
粒子が親水性コロイド中に含有され”Cなるものである
こと?特徴とする元竿的情報記録媒体に工って達成され
る。
学的情報記録媒体において、前記支持体が可撓性でるり
、前記反射性記録層が、王として銅から成る反射性の微
粒子が親水性コロイド中に含有され”Cなるものである
こと?特徴とする元竿的情報記録媒体に工って達成され
る。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明においては、可撓性支持体上に、王として銅から
成る反射性の微粒子が親水性フロイト“中に含Mされて
成る反射性記録層に設け℃元手的情報記録媒体r構成す
る。
成る反射性の微粒子が親水性フロイト“中に含Mされて
成る反射性記録層に設け℃元手的情報記録媒体r構成す
る。
本発明の好ましい実施心様におい又は、記録層の厚さが
例えば0.01〜0.5μm″′cろり、銅微粒子の平
均粒径が例えば0.005〜0.2μmでろ9.また支
持体が透明でろってこの支持体7通し″C記録、再生さ
れる方式に用いられるものであることでめろ。また銅微
粒子の粒子数密度がI X 1015〜1xlo18個
、に肩 であることが好lしい。こσ、)ように粒子数
密度ケ制御することに裏って、記録層にどける記録ビー
ムの吸収率がJ−り向上し、かつ支持体側の記録層界面
近傍での反射性向上及び反射ムラの減少がみられ、感度
及び5NIjiより高(でき、更に均−注及び安定性に
優れた記録媒体となる。
例えば0.01〜0.5μm″′cろり、銅微粒子の平
均粒径が例えば0.005〜0.2μmでろ9.また支
持体が透明でろってこの支持体7通し″C記録、再生さ
れる方式に用いられるものであることでめろ。また銅微
粒子の粒子数密度がI X 1015〜1xlo18個
、に肩 であることが好lしい。こσ、)ように粒子数
密度ケ制御することに裏って、記録層にどける記録ビー
ムの吸収率がJ−り向上し、かつ支持体側の記録層界面
近傍での反射性向上及び反射ムラの減少がみられ、感度
及び5NIjiより高(でき、更に均−注及び安定性に
優れた記録媒体となる。
本発明に8いては、記録層?、支持体上に顔役された析
出核贋金析出処理することによって得らT’LりEi射
注のものとする場合には、親水性コロイド?含む析出核
層中に含有される銅像粒子数?一定に保ちつつ、析出処
理に裏ってその平均粒径を増大ぜしめることかでさ、そ
のため均−分散性の良好な記録層ケ容易に製1/F−す
ることができろ。本発明に2いて(析出処理にエフ記録
層、を・形成する2場′合には、析出核層中の析出核密
度、析出核層の厚δ及び析出処理条件ケ制俳するCとに
裏って、好適な粒子数密度ケ有する銅微粒子r分散して
成る記録層?得ることができる。尚、銅微粒子の粒子数
密度は、得られた記録媒体の記録層の厚さ、記録層中に
含有される銅の量及び銅微粒子の平均粒径金。
出核贋金析出処理することによって得らT’LりEi射
注のものとする場合には、親水性コロイド?含む析出核
層中に含有される銅像粒子数?一定に保ちつつ、析出処
理に裏ってその平均粒径を増大ぜしめることかでさ、そ
のため均−分散性の良好な記録層ケ容易に製1/F−す
ることができろ。本発明に2いて(析出処理にエフ記録
層、を・形成する2場′合には、析出核層中の析出核密
度、析出核層の厚δ及び析出処理条件ケ制俳するCとに
裏って、好適な粒子数密度ケ有する銅微粒子r分散して
成る記録層?得ることができる。尚、銅微粒子の粒子数
密度は、得られた記録媒体の記録層の厚さ、記録層中に
含有される銅の量及び銅微粒子の平均粒径金。
例えば電子顕微鏡によって測定することVCLり容易に
計算するCとができる。
計算するCとができる。
以下、肉面ヤ参照しながら本発明2更に具体的に説明す
るが、不発BAはこれに限定されるものではない。
るが、不発BAはこれに限定されるものではない。
第1図は、光学的情報記録媒体前駆体(析出処理する前
の媒体?光学的情報記録媒体前駆体と祢丁。)の構成の
一例金示す断面図である。図において、lは支持体、2
は析出核7注んだ析出核層で、親水性コロイド分散媒中
に析出核r分散ぜしめた層であり、3は上記析W核層2
上に、贋層して設けられた銅化合物含Ml−である。
の媒体?光学的情報記録媒体前駆体と祢丁。)の構成の
一例金示す断面図である。図において、lは支持体、2
は析出核7注んだ析出核層で、親水性コロイド分散媒中
に析出核r分散ぜしめた層であり、3は上記析W核層2
上に、贋層して設けられた銅化合物含Ml−である。
以上にSいて、支持体の材質としては、口」涜江のもの
であれば透F!A筐たけ不透明に拘らず任意のもの勿用
いることができ、その具体例としては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエテレンブルフエイト、セルロース
ジアセテート、セルローストリアセテート、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビ二ルウポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂など
を挙げることができる。
であれば透F!A筐たけ不透明に拘らず任意のもの勿用
いることができ、その具体例としては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエテレンブルフエイト、セルロース
ジアセテート、セルローストリアセテート、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビ二ルウポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂など
を挙げることができる。
この支持体の厚さは例えば1μm〜2朋であることが好
デしく、連続塗布処理を良好に行なうためにはさらに1
μnZ−300μmであることが好ましい。
デしく、連続塗布処理を良好に行なうためにはさらに1
μnZ−300μmであることが好ましい。
また支持体は下引処理されていることが必ずしも必要で
はないが、下引処理されているものが好ましい。この場
合の下引処理剤としては1例えばシランカップリング剤
、ケイ酸塩及びチタンカップリング剤等を用いることが
でき、特に未口特許第3,661,584号明細書に記
載されているシランカップリング剤が好ましい。
はないが、下引処理されているものが好ましい。この場
合の下引処理剤としては1例えばシランカップリング剤
、ケイ酸塩及びチタンカップリング剤等を用いることが
でき、特に未口特許第3,661,584号明細書に記
載されているシランカップリング剤が好ましい。
また、コロナ放電処理、プラズマ放電処理、イオンボン
パードメノトなどの表面処理が嵌着11改良のために支
持体になされていてもよい。
パードメノトなどの表面処理が嵌着11改良のために支
持体になされていてもよい。
また必要に応じて支持体上に接N注樹脂よシなる下地層
を設けて記録層の支持体への接着性を向上せしめるよう
にしてもよい。
を設けて記録層の支持体への接着性を向上せしめるよう
にしてもよい。
また記録及び1生位置の正確な設定のための茶に用いる
ことができる。
ことができる。
可撓性支持体が透明である場合には、記録及び再生にお
いて記録ビーム及び再生ビームの照射を記録媒体の一面
または他面の何れの方向からでも可能に当該記録媒体を
形成することができるが、支持体が不透明である場合に
は、記録層の支持体が積層されている側とは反対の面に
透明な保繰層を設け、この護膜層側から記録ビーム及び
再生ビームを照射するように記録媒体を形成すればよい
。
いて記録ビーム及び再生ビームの照射を記録媒体の一面
または他面の何れの方向からでも可能に当該記録媒体を
形成することができるが、支持体が不透明である場合に
は、記録層の支持体が積層されている側とは反対の面に
透明な保繰層を設け、この護膜層側から記録ビーム及び
再生ビームを照射するように記録媒体を形成すればよい
。
このように可撓性の支持体を用いることにより。
記録媒体の形成においては1例えば帯状の大面積の支持
体をロール状に巻回せしめてセ出し可能なロール状支持
体とし、その一端側を巻取軸に巻取シながら地理領域を
連通せしめ、七の経路途中の適宜の個げrにおいて、記
録層形成のために必要な遣布処理、或いは塗布処理以外
の他の処理例えは目的とする形状に切断する処理などを
連続的に行なうことができ、従って記録媒体の連続大量
生理が可能となる。
体をロール状に巻回せしめてセ出し可能なロール状支持
体とし、その一端側を巻取軸に巻取シながら地理領域を
連通せしめ、七の経路途中の適宜の個げrにおいて、記
録層形成のために必要な遣布処理、或いは塗布処理以外
の他の処理例えは目的とする形状に切断する処理などを
連続的に行なうことができ、従って記録媒体の連続大量
生理が可能となる。
具体的−例においては、第5図に示すように。
巻出し用軸芯81にロール状に巻回し℃設けた長尺帯状
の可撓性支持体8の一端を搬送ロール82゜83 ’f
−介して巻取シ用軸芯84に巻取シなから、可撓性支持
体80通過領域に搬送方向Pに向かって順次設けた1例
えば下地層形成機傳91.析出核層形成機傳92.析出
処理機構93.切出し機構94においてそれぞれ必要な
処理を連続的に施して記録媒体を形成する。例えは下地
層形成機構91においては、必要に応じて可撓性支持体
8の上面に接着性樹脂組成物をロール塗布によυ塗布し
1次いでこの組成物を乾燥或いは硬化せしめて接着性の
下地層を連続的に形成する。析出核層形成機構9zにお
いてに、−′f:の詳細は後述するか。
の可撓性支持体8の一端を搬送ロール82゜83 ’f
−介して巻取シ用軸芯84に巻取シなから、可撓性支持
体80通過領域に搬送方向Pに向かって順次設けた1例
えば下地層形成機傳91.析出核層形成機傳92.析出
処理機構93.切出し機構94においてそれぞれ必要な
処理を連続的に施して記録媒体を形成する。例えは下地
層形成機構91においては、必要に応じて可撓性支持体
8の上面に接着性樹脂組成物をロール塗布によυ塗布し
1次いでこの組成物を乾燥或いは硬化せしめて接着性の
下地層を連続的に形成する。析出核層形成機構9zにお
いてに、−′f:の詳細は後述するか。
例えは析出核を分散せしめてなる親水性コロイド溶′e
Lをロール塗布によシ町セd性支り体8の上面或いは下
地層の上面に画布し1次いで乾燥せしめて析出核M4を
迎恍EBに形成する。析出処理機構98においては、七
の詳細は後述するか、銅化合物の微粒子が分散ちれてな
る乳剤をロール塗布により析出核層上に塗布し、乾燥し
て銅化合物含有層を形成し9次いで析出処理液中を通過
せしめて銅の析出処理を行ない、その後胴化合物含有層
を剥離除去して長尺帯状の記録媒体を連続的に形成する
。
Lをロール塗布によシ町セd性支り体8の上面或いは下
地層の上面に画布し1次いで乾燥せしめて析出核M4を
迎恍EBに形成する。析出処理機構98においては、七
の詳細は後述するか、銅化合物の微粒子が分散ちれてな
る乳剤をロール塗布により析出核層上に塗布し、乾燥し
て銅化合物含有層を形成し9次いで析出処理液中を通過
せしめて銅の析出処理を行ない、その後胴化合物含有層
を剥離除去して長尺帯状の記録媒体を連続的に形成する
。
切出し機構94においては、長尺帯状の記録媒体を目的
とする形状に切出し、もって所期の形状に成形された記
録媒体を連続的に製造する。切出し後の残部は巻取シ用
軸芯84に巻取る。
とする形状に切出し、もって所期の形状に成形された記
録媒体を連続的に製造する。切出し後の残部は巻取シ用
軸芯84に巻取る。
このようにして記録媒体を製造することにより。
塗布処理においては、長尺帯状の可撓性支持体8の両側
縁部において塗布舷が盛シ上がる現象が生じても、最終
的には長尺帯状の記録媒体において、その両側縁部を切
除することにより目的とする形状の記録媒体を得ること
かできるため、記録層の厚さが均一でムラのない記録媒
体を高い効率で得ることかでき、従って情報の記録、再
生を高いf’1度で行なうことが可能となる。
縁部において塗布舷が盛シ上がる現象が生じても、最終
的には長尺帯状の記録媒体において、その両側縁部を切
除することにより目的とする形状の記録媒体を得ること
かできるため、記録層の厚さが均一でムラのない記録媒
体を高い効率で得ることかでき、従って情報の記録、再
生を高いf’1度で行なうことが可能となる。
以上において、長尺帯状の記録媒体をそのまま巻取り用
軸芯に巻1枢りてロー・形状とし、その後こりロール状
の記1#媒体を巻出して目的とする形状に切出すように
してもよい。
軸芯に巻1枢りてロー・形状とし、その後こりロール状
の記1#媒体を巻出して目的とする形状に切出すように
してもよい。
前記析出核層の形成に使用される析出核物質としては、
公知の析出核物質の何れのものをも用いることができる
。
公知の析出核物質の何れのものをも用いることができる
。
例えは、七の一昨として重金桟のサルファイド類(4/
すえは、亜鉛、クロム、カリウム、鉄、カドミウム、コ
バルト、ニッケル、鉛、アン・チモニイ。
すえは、亜鉛、クロム、カリウム、鉄、カドミウム、コ
バルト、ニッケル、鉛、アン・チモニイ。
ビスマス、銀、セリウム、ヒ素、銅、パラジウム及びロ
ジウムのサルファイド)が好ましく、この他重金属のセ
レナイド(例えば、鉛、亜鉛、アンチモニイ、パラジウ
ム及びニッケルのセレナイド)が挙げられる。
ジウムのサルファイド)が好ましく、この他重金属のセ
レナイド(例えば、鉛、亜鉛、アンチモニイ、パラジウ
ム及びニッケルのセレナイド)が挙げられる。
別の一計の有用な・σ[当該物質としては、銀、金。
白金、パラジウム、氷原の如き貴金属が挙げられ。
これらは親水性コロイド中にコロイド粒子とし℃存在せ
しめられることが好ましい。また、このような金属の塩
、好ましくは硝酸銀、塩化金及び令1r以金の如き簡単
な無鉄のしかも容易に還元し得る塩も析出核物質とし”
C有用である。
しめられることが好ましい。また、このような金属の塩
、好ましくは硝酸銀、塩化金及び令1r以金の如き簡単
な無鉄のしかも容易に還元し得る塩も析出核物質とし”
C有用である。
他の一計の有用な析出核物質としてはチオ化合物1例え
ば銀チオオ牛ザート及びその鉛及びニッケル錯塩、チオ
アセトアミド等を挙げることができる。
ば銀チオオ牛ザート及びその鉛及びニッケル錯塩、チオ
アセトアミド等を挙げることができる。
本発明において、析出核は、前記した各種の重金属、貴
金属及びこれらのサルファイド類、セレナイド類等を蒸
着法、スパッタリング法、化学的気相成長法等の適宜の
方法によって支持体上に設けることもできる。このよう
な蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法等の方
法は当該析出核を含んだ層を非常に薄くでき、したがっ
て記録用ビームのエネルギーを有効に利用する上で利点
があシ、この場合の膜厚は5〜100OAであり。
金属及びこれらのサルファイド類、セレナイド類等を蒸
着法、スパッタリング法、化学的気相成長法等の適宜の
方法によって支持体上に設けることもできる。このよう
な蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法等の方
法は当該析出核を含んだ層を非常に薄くでき、したがっ
て記録用ビームのエネルギーを有効に利用する上で利点
があシ、この場合の膜厚は5〜100OAであり。
好ましくはzO〜500Aである。好ましい析出核物質
は1重金属サルファイド、例えは亜鉛、カドミウム、銀
、鉛、ノセラジウム等のサルファイド及び銀、金、パラ
ジウム、銅等の金属である。
は1重金属サルファイド、例えは亜鉛、カドミウム、銀
、鉛、ノセラジウム等のサルファイド及び銀、金、パラ
ジウム、銅等の金属である。
前記析出核を形成する微粒子の粒径は効果的な析出処理
を行なうためには充分に小さいことが必要であり1例え
は5〜ZOOOAであり、好ましくは10〜500人で
ある。
を行なうためには充分に小さいことが必要であり1例え
は5〜ZOOOAであり、好ましくは10〜500人で
ある。
上記の如き析出核層を支持体上に設げる方法は任意であ
る。例えば〔1〕上記析出核物質を親水性コaイF分散
媒中に分散しt液を支持体上に塗布することによって析
出核層を得てもよいし、〔2〕支持体上に上記析出核物
質の薄膜を蒸着法又はスパッタリング法によって形成し
友後に、親水性コロイド分散媒をオーツ之コートするこ
とに二って析出核層を得てもよいし、(3)!7tこれ
とは逆に、親水性コロイド分散媒を支持体上に塗布して
から析出核物質の薄膜を蒸着法又はスパッタリング法に
よって形成して析出核層を得てもよい。これらのうち好
ましいのは上記C1)又は〔2〕の方法でおる。なお前
記蒸着法、スパッタリング法に代えて化学的気相成長法
や液相形成法等を用いてもよい。
る。例えば〔1〕上記析出核物質を親水性コaイF分散
媒中に分散しt液を支持体上に塗布することによって析
出核層を得てもよいし、〔2〕支持体上に上記析出核物
質の薄膜を蒸着法又はスパッタリング法によって形成し
友後に、親水性コロイド分散媒をオーツ之コートするこ
とに二って析出核層を得てもよいし、(3)!7tこれ
とは逆に、親水性コロイド分散媒を支持体上に塗布して
から析出核物質の薄膜を蒸着法又はスパッタリング法に
よって形成して析出核層を得てもよい。これらのうち好
ましいのは上記C1)又は〔2〕の方法でおる。なお前
記蒸着法、スパッタリング法に代えて化学的気相成長法
や液相形成法等を用いてもよい。
また、このとき用いる塗布法としては、ブレード塗布、
エアーナイフ塗布、パー塗布、ロール塗布、カーテン塗
布などの塗布方式を採用できる。このようにして得られ
る析出核層の膜厚は例えば0.001〜0.5μm8度
であり、好ましくは0.001〜0.05μmである。
エアーナイフ塗布、パー塗布、ロール塗布、カーテン塗
布などの塗布方式を採用できる。このようにして得られ
る析出核層の膜厚は例えば0.001〜0.5μm8度
であり、好ましくは0.001〜0.05μmである。
析出核層において、親水性コロイドと析出核との重量比
は、約10:1〜1:100であり。
は、約10:1〜1:100であり。
このときの析出核の密度は約10〜10 個4−である
。
。
前記析出核層を形成するコロイド分散媒としては、析出
核がコロイド粒子として安定九均−に存在し得るような
公知の親水性コロイド分散媒を使用することができ、−
f:の具体例としては1例えばゼラチン、アルカリ処理
ゼラチン、酸処理ゼラチン及びゼラチン絆導体、コロイ
r状アルブミン。
核がコロイド粒子として安定九均−に存在し得るような
公知の親水性コロイド分散媒を使用することができ、−
f:の具体例としては1例えばゼラチン、アルカリ処理
ゼラチン、酸処理ゼラチン及びゼラチン絆導体、コロイ
r状アルブミン。
カゼイン、セルロース誘導体(カルゼ千ジメチルセルロ
ース、ヒドロ千ジエチルセルロースW ) s糖誘導体
(アルギン酸ナトリウム、澱粉誘導体等〕。
ース、ヒドロ千ジエチルセルロースW ) s糖誘導体
(アルギン酸ナトリウム、澱粉誘導体等〕。
合成親水性高分子(ポリ−N−ビニルピロリドン。
ポリアクリル酸共重合体)等を挙げることができる。こ
れらは必要に応じて2m以上を組合せて用いることもで
きる。これらのコロイド分散媒の中好ましいものは熱伝
導性の低い親水性コロイドであシ、モノマーユニットと
して少なくともアクリル酸の塩またはメタクリル酸の塩
を含有する共重合体組成のアクリル酸樹脂、水浴性のセ
ルロース訪導体及びゼラチンが望ましい。これに対し、
疎水性の高分子物質は保護コロイド性が弱くしかも銅イ
オンの拡散を伴う析出処理の進行を防げるので好ましく
ない。
れらは必要に応じて2m以上を組合せて用いることもで
きる。これらのコロイド分散媒の中好ましいものは熱伝
導性の低い親水性コロイドであシ、モノマーユニットと
して少なくともアクリル酸の塩またはメタクリル酸の塩
を含有する共重合体組成のアクリル酸樹脂、水浴性のセ
ルロース訪導体及びゼラチンが望ましい。これに対し、
疎水性の高分子物質は保護コロイド性が弱くしかも銅イ
オンの拡散を伴う析出処理の進行を防げるので好ましく
ない。
前記銅化合物含有層。即ち上記析出核層の析出核に析出
処理によって銅原子を供給する層の形成ニ用イル銅化合
物としては、 CuC1、CuBr 、 CuI等のハ
ロゲン化第−銅またはこれらの混晶体。
処理によって銅原子を供給する層の形成ニ用イル銅化合
物としては、 CuC1、CuBr 、 CuI等のハ
ロゲン化第−銅またはこれらの混晶体。
CuSCNまたはCuC1、CuBr 、 CuI2
等(7)ハCI+ゲン化第二銅またはこれらの混晶体、
CuSO4゜Cu(NO3)2等を用いることができ
る。特に銅原子の析出核への供給を効率良く行なうため
には前記銅化合物含有層が歿溶性の塩の分散層であるこ
とが好ましく、この場合には特にハロゲン化第−銅が好
適に用いられる。
等(7)ハCI+ゲン化第二銅またはこれらの混晶体、
CuSO4゜Cu(NO3)2等を用いることができ
る。特に銅原子の析出核への供給を効率良く行なうため
には前記銅化合物含有層が歿溶性の塩の分散層であるこ
とが好ましく、この場合には特にハロゲン化第−銅が好
適に用いられる。
前記銅化合物は、析出核層中に含まれていてもよく、析
出核層上に別の含有層とじ℃設けられていてもよい。
出核層上に別の含有層とじ℃設けられていてもよい。
好ましく用いられるノ10ゲン化第−銅乳剤は特願昭5
6−24669号明細書及び七の引用分献に記載されて
いる方法により調製することができる。
6−24669号明細書及び七の引用分献に記載されて
いる方法により調製することができる。
即ち、R水性高分子化合@を宮ゼする酸性水す液中にお
いて、二価の銅イAンを還元剤によって還元することに
よυハロゲン化第−銅乳剤を得る。
いて、二価の銅イAンを還元剤によって還元することに
よυハロゲン化第−銅乳剤を得る。
銅化合物含有層を塗布によυ形成する場合の、塗布液に
は、0.1〜20亜量チの割合で親水注護膜コロイド゛
を含有せしめるのが好ましい。このような親水性保護コ
ロイドとじ又は1例えはゼラチン。
は、0.1〜20亜量チの割合で親水注護膜コロイド゛
を含有せしめるのが好ましい。このような親水性保護コ
ロイドとじ又は1例えはゼラチン。
ゼラチン篩尋体、アラビアザム、アルブミン、外大、七
の他の天然高分子化合物、ポリビニルアルコール、〆、
+)、 ヒニルピロリ、トン、セルロースエーテル、酢
酸セルロースの部分的加水分屑物、七の他の合成高分子
化合物t iけることができる。またこの親水性保護コ
ロイドは、ぞ1出核虐0)膨潤及び溶出を防止する観点
から保水性り高い方が好ましい。塗布方法としては、ロ
ール塗布が好ましい。
の他の天然高分子化合物、ポリビニルアルコール、〆、
+)、 ヒニルピロリ、トン、セルロースエーテル、酢
酸セルロースの部分的加水分屑物、七の他の合成高分子
化合物t iけることができる。またこの親水性保護コ
ロイドは、ぞ1出核虐0)膨潤及び溶出を防止する観点
から保水性り高い方が好ましい。塗布方法としては、ロ
ール塗布が好ましい。
参←曹叶 、 、 、 。
第2図は、前記光学的情報記録妹44− r+す納坏を
析出処理した後の光学的情報記録妹悼の?j4成の−ν
:」を示す断面図である。1氏おい℃、・1は析出処理
によ)銅が供給されて反射性を呈し、当初の析出核を含
んだ層が変化したところの記録層でありゆこの記録層4
の支持体側界面近傍においても析出が進行しこの記録層
4全体に銅微粒子が存在している。5は析出処理の結果
として銅の量が減少した銅化合物分散層である。
析出処理した後の光学的情報記録妹悼の?j4成の−ν
:」を示す断面図である。1氏おい℃、・1は析出処理
によ)銅が供給されて反射性を呈し、当初の析出核を含
んだ層が変化したところの記録層でありゆこの記録層4
の支持体側界面近傍においても析出が進行しこの記録層
4全体に銅微粒子が存在している。5は析出処理の結果
として銅の量が減少した銅化合物分散層である。
前記記録層4の形成のための析出処理は1次のようなメ
カニズムに従って行なわれる。
カニズムに従って行なわれる。
(1)銅化合物含有層に含まれる銅化合物による第一銅
イオン又はその錯イオンの生成及びそれらイオン種の析
出核への拡散過程 (2)析出核上における第一銅イオン種よυ生成した金
属銅の成長過程 第1の過程(1)は、銅化合物含有層の銅化合物が第一
銅化合物である場合には、それが析出処理液に溶解し拡
散する過程であり、−刀剣化合物が第二銅化合物である
場合にはそれが析出処理液に溶解した上、析出処理液中
艮含有される適当な還元剤によって第二銅イオンが第一
銅イオンとなシ。
イオン又はその錯イオンの生成及びそれらイオン種の析
出核への拡散過程 (2)析出核上における第一銅イオン種よυ生成した金
属銅の成長過程 第1の過程(1)は、銅化合物含有層の銅化合物が第一
銅化合物である場合には、それが析出処理液に溶解し拡
散する過程であり、−刀剣化合物が第二銅化合物である
場合にはそれが析出処理液に溶解した上、析出処理液中
艮含有される適当な還元剤によって第二銅イオンが第一
銅イオンとなシ。
これが拡散する過程である。
また第2の過程(2)は、下記式による第一銅イオンの
不均化反応の生ずる過程である。
不均化反応の生ずる過程である。
2 Cu 4− Cu + Cu”
斯かる不均化反応を利用することにより、銅イオンを還
元することにより金属鋼を生成せしめる方法に比して極
めて有利に析出処理を達成することができる。即ち、銅
イオンの還元反応における標準水素電極を基準とする標
準単極電位Eは次の通りである。
元することにより金属鋼を生成せしめる方法に比して極
めて有利に析出処理を達成することができる。即ち、銅
イオンの還元反応における標準水素電極を基準とする標
準単極電位Eは次の通りである。
Cu + e−#Cu E=0.520 (V
)Cu + 2e−# Cu E = 0.33
7 (V)このように銅の標準単極電位Eの値は決し
て大きなものではなく、従って銅イオンを還元反応によ
って還元するためには還元力の相当に大きい還元剤を用
いることが必要となるが、斯かる還元剤を用いることは
実用上困難な問題を伴う。
)Cu + 2e−# Cu E = 0.33
7 (V)このように銅の標準単極電位Eの値は決し
て大きなものではなく、従って銅イオンを還元反応によ
って還元するためには還元力の相当に大きい還元剤を用
いることが必要となるが、斯かる還元剤を用いることは
実用上困難な問題を伴う。
上述の不均化反応を促進するためには、第一銅イオンC
u の濃度が高いこと、第二銅イオンCu2+が系外に
除去されればよいが、・・ロゲン化第−銅化合物は例え
ば・・ロゲン化銀に比して水に対する溶解度が高く、従
って適用された析出処理液における第一銅イオンを高濃
度に維持することが容易である。また第二銅イオンの除
去は、これと錯体を形成する千レート剤を用いて行なう
ことができる。
u の濃度が高いこと、第二銅イオンCu2+が系外に
除去されればよいが、・・ロゲン化第−銅化合物は例え
ば・・ロゲン化銀に比して水に対する溶解度が高く、従
って適用された析出処理液における第一銅イオンを高濃
度に維持することが容易である。また第二銅イオンの除
去は、これと錯体を形成する千レート剤を用いて行なう
ことができる。
以上のように、記録層の形成のだめの析出処理は、第一
銅イオンの不均化反応によるものであり。
銅イオンの不均化反応によるものであり。
従来の銀を利用するもののように還元反応によるもので
はない。即ち、ハロゲン化銀乳剤による析出処理は、A
g 錯合体の析出核への拡散とそこでの還元反応によ
って行なわれる(例えば。
はない。即ち、ハロゲン化銀乳剤による析出処理は、A
g 錯合体の析出核への拡散とそこでの還元反応によ
って行なわれる(例えば。
T、H,James、 The Theory of
the Photograpltic、Process
”第16章(1966)及び特開昭56−49296号
公報参照)。これは銀イオンの標準単極電位が約o、s
o o (v)と高くて容易に還元されるからである
。
the Photograpltic、Process
”第16章(1966)及び特開昭56−49296号
公報参照)。これは銀イオンの標準単極電位が約o、s
o o (v)と高くて容易に還元されるからである
。
以上のことから、前記記録層の形成のための析出処理に
は、既述の第1の過程及び第2の過程の進行を促進する
化合物を宮1する析出処理液を用いることが必要であり
、具体的rcは、第一銅イオンに対しては適当な大きさ
の配位能を有し、第二銅イオンに対しては一層大きな配
位能を有する化合物または化合物系を含有する析出処理
液が好ましく用いられる。更に、銅イオンの源が第二銅
化合物であるときには、第一銅イオンに還元するために
必要な、従って適当な大きさの還元法を有する化合物を
含有する析出処理液が用いられる。
は、既述の第1の過程及び第2の過程の進行を促進する
化合物を宮1する析出処理液を用いることが必要であり
、具体的rcは、第一銅イオンに対しては適当な大きさ
の配位能を有し、第二銅イオンに対しては一層大きな配
位能を有する化合物または化合物系を含有する析出処理
液が好ましく用いられる。更に、銅イオンの源が第二銅
化合物であるときには、第一銅イオンに還元するために
必要な、従って適当な大きさの還元法を有する化合物を
含有する析出処理液が用いられる。
析出処理のために好適に用いることができる析出処理液
としては、下記に示す第1群、第2群及び第3群から選
はれた少なくとも1種類を処理剤として含有するアルカ
リ性水溶液を添げることができる。
としては、下記に示す第1群、第2群及び第3群から選
はれた少なくとも1種類を処理剤として含有するアルカ
リ性水溶液を添げることができる。
第1群:4−アミノフェノール類及び8−ピラゾリ
ン 類 第2群ニアミノ酸誘導体、脂肪族カルゼン倣、オ千ジカ
ルボン酸、ケトカルメン叡、芳香族カルIン酸、アミン
類、千ノリン誘導体、アミンカルメ/酸及びピリジン誘
導体 第3群:下記一般式で示されるアスコルビン酸訪導体及
びそのチルカリ金gI塩 一般式 〔式中、B−は水素原子または水酸基を表わし、nは1
〜4の正の整数を表わす。但し 71 x lのときは
几は水酸基のみを表わす。〕 また必要に応じて前記3棟の群から選はれた少なくとも
2種類以上のものを組み合せて用いてもよい。
ン 類 第2群ニアミノ酸誘導体、脂肪族カルゼン倣、オ千ジカ
ルボン酸、ケトカルメン叡、芳香族カルIン酸、アミン
類、千ノリン誘導体、アミンカルメ/酸及びピリジン誘
導体 第3群:下記一般式で示されるアスコルビン酸訪導体及
びそのチルカリ金gI塩 一般式 〔式中、B−は水素原子または水酸基を表わし、nは1
〜4の正の整数を表わす。但し 71 x lのときは
几は水酸基のみを表わす。〕 また必要に応じて前記3棟の群から選はれた少なくとも
2種類以上のものを組み合せて用いてもよい。
前記第1群に含まれる4−アミノフェノール類の中で好
ましく用いられる具体的な化合物としては、4−N−メ
チルアミノフェノール・ヘミスルフェート(m称メトー
ル)、4−N−ベンジルアミノフェノール塩ぼ塩、4−
N、N−ジェテルアミノフ土ノール塩酸塩、4−アミノ
フェノール硫酸塩、l−オ干ジメチルー4−アミノンエ
ノール塩酸塩、2,4−ジアミノフェノール、4−N−
カルボ千ジメチルアミノフェノール・p−オ千ンフェニ
ルグリシン等を挙げることができ、3−ピラゾリン類の
中で好ましく用いられる具体的な化合物としては、■−
7エニルー8−ピラゾリドン4.4−ジメチル−1〜7
エニルー3−ピラゾリドン、4−メチル−フェニル−8
−ピラゾリドン等を挙げることができる。
ましく用いられる具体的な化合物としては、4−N−メ
チルアミノフェノール・ヘミスルフェート(m称メトー
ル)、4−N−ベンジルアミノフェノール塩ぼ塩、4−
N、N−ジェテルアミノフ土ノール塩酸塩、4−アミノ
フェノール硫酸塩、l−オ干ジメチルー4−アミノンエ
ノール塩酸塩、2,4−ジアミノフェノール、4−N−
カルボ千ジメチルアミノフェノール・p−オ千ンフェニ
ルグリシン等を挙げることができ、3−ピラゾリン類の
中で好ましく用いられる具体的な化合物としては、■−
7エニルー8−ピラゾリドン4.4−ジメチル−1〜7
エニルー3−ピラゾリドン、4−メチル−フェニル−8
−ピラゾリドン等を挙げることができる。
前記第2群に含まれる化合物の好ましく用いられる具体
例を以下国示す。
例を以下国示す。
マロン酸、クエン酸、オ千すル酢酸、サリナルrR,5
−スルホサリチル酸、α−カルボ千シー〇−アニスW
、 N 、N’−シ(2−ヒドロ千ンエチル)エチレ/
ジアミ7sジ(2−7ミノエチル)エーテル、2−アミ
ノメチルビリジン、2,2−7ミノエチルビリジン、ピ
リジン−2−カルボンrtj/、5ピリジン72,6−
カルボン酸うニコチン叡ヒドラジド、イソニコチン酸ヒ
ドラジド、ピリド干サミン、ピペリジン−Z、6−ジカ
ルボン酸、ヒスタミン、3−メチルヒスタミン、イミノ
ジ[2゜イミノジプロピオンIR,N−メチルイミノジ
酢酸。
−スルホサリチル酸、α−カルボ千シー〇−アニスW
、 N 、N’−シ(2−ヒドロ千ンエチル)エチレ/
ジアミ7sジ(2−7ミノエチル)エーテル、2−アミ
ノメチルビリジン、2,2−7ミノエチルビリジン、ピ
リジン−2−カルボンrtj/、5ピリジン72,6−
カルボン酸うニコチン叡ヒドラジド、イソニコチン酸ヒ
ドラジド、ピリド干サミン、ピペリジン−Z、6−ジカ
ルボン酸、ヒスタミン、3−メチルヒスタミン、イミノ
ジ[2゜イミノジプロピオンIR,N−メチルイミノジ
酢酸。
N−(3,3−ジメチルゾナル)イミノジ昨峡、フエニ
ルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒド
ロキシエチルイミノジプロピオン酸、ヒドロキシエチル
イミノジ酢酸、2−ヒドロキシシクロヘキシルイミノジ
酢酸、メトキシエチルイミノジ酢酸、N−(カルノ々モ
イルメチル)イミノジ酢酸、2−エトキシ力ルダニル・
アミノエチルイミノ・ジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、カル
ゼキシエチルイミノジ酢酸、カルゼキ7メチルイミノジ
ゾロビオン酸、N−n−ジチルエチレンジアミン)IJ
酢i、N−7クロヘキシルエチレンジアミントリ酢酸、
β−アラニン、フェニルアラニン、チロ7ン、ホスホセ
リン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、オ
ルニチン、リジン、アルギニン、プロリン、とPロキゾ
プロリン、ヒスチジン、トリプトファン、1−アミノ7
クロベンタ/カルボンCl l−アミノシクロヘキサン
カルゼン9、l−アミノシクロへブタンカルはン酸、β
−アラニルヒスチジン、リジンパソプレクン、グルタミ
ン酸ナトリウム、アデノシン−5−シリン酸、アデノシ
ン−5−トリリン酸、オキクン−5−スルホン酸、キノ
リン−2−カルボン酸、キノリン−8−カルボン酸、4
−ヒトaキ7−1.5−ナフチリジン、8−ヒドロキシ
−1,6−ナフチリジン、8−ヒドロキシ−1,7−カ
ッチリジン。
ルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒド
ロキシエチルイミノジプロピオン酸、ヒドロキシエチル
イミノジ酢酸、2−ヒドロキシシクロヘキシルイミノジ
酢酸、メトキシエチルイミノジ酢酸、N−(カルノ々モ
イルメチル)イミノジ酢酸、2−エトキシ力ルダニル・
アミノエチルイミノ・ジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、カル
ゼキシエチルイミノジ酢酸、カルゼキ7メチルイミノジ
ゾロビオン酸、N−n−ジチルエチレンジアミン)IJ
酢i、N−7クロヘキシルエチレンジアミントリ酢酸、
β−アラニン、フェニルアラニン、チロ7ン、ホスホセ
リン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、オ
ルニチン、リジン、アルギニン、プロリン、とPロキゾ
プロリン、ヒスチジン、トリプトファン、1−アミノ7
クロベンタ/カルボンCl l−アミノシクロヘキサン
カルゼン9、l−アミノシクロへブタンカルはン酸、β
−アラニルヒスチジン、リジンパソプレクン、グルタミ
ン酸ナトリウム、アデノシン−5−シリン酸、アデノシ
ン−5−トリリン酸、オキクン−5−スルホン酸、キノ
リン−2−カルボン酸、キノリン−8−カルボン酸、4
−ヒトaキ7−1.5−ナフチリジン、8−ヒドロキシ
−1,6−ナフチリジン、8−ヒドロキシ−1,7−カ
ッチリジン。
前記第3群に含まれる前記一般式で示されろアスコルビ
ン酸誘導体またはそのアルカリ金属塩の具体的化合物例
としては、L−アスコルビン酸、アラボアスコルビン酸
、l−エリスロアスコルビyll、α−グルコアスコル
ビン酸等及びこれらのアルカリ金属塩を挙げることがで
きるが、これらのなかで、L−アスコルビン酸またはそ
のアルカリ金属塩が特に好ましい。
ン酸誘導体またはそのアルカリ金属塩の具体的化合物例
としては、L−アスコルビン酸、アラボアスコルビン酸
、l−エリスロアスコルビyll、α−グルコアスコル
ビン酸等及びこれらのアルカリ金属塩を挙げることがで
きるが、これらのなかで、L−アスコルビン酸またはそ
のアルカリ金属塩が特に好ましい。
析出処理液に用いられる好ましい溶媒としては、純水、
アルコール類(例えば、メチルアルコール、エチルアル
コール等)、グリコールg(例、tば、エチレングリコ
ール、ジエチレンクリコール等)等の極性溶媒を挙げる
ことができ、これらの溶媒は単独または2種以上を適宜
組合せて用いられる。
アルコール類(例えば、メチルアルコール、エチルアル
コール等)、グリコールg(例、tば、エチレングリコ
ール、ジエチレンクリコール等)等の極性溶媒を挙げる
ことができ、これらの溶媒は単独または2種以上を適宜
組合せて用いられる。
更に上記析出処理液には、処理剤の他に、析出特性(析
出速度、析出処理液の保存性向上など)または適当な反
射率、吸光度、分光特性等の光学的特性?!−得るtめ
に、種々の添加剤を加えることができろ。この添加剤の
主なものとしては例えば、アルカリ剤(例えば、アルカ
リ金属或いはアンモニアの水酸化物、炭酸塩、リン酸塩
)、PH調整或いは緩衝剤(例えば、酢酸、ホウ酸のよ
うな弱酸、弱塩基またはそれらの塩)、保恒剤(例えば
、亜硫酸塩、酸性亜硫酸塩、ヒトミキシルアミン塩酸塩
、ホルムアルデヒド亜硫酸水素塩付加物、アルカノール
アミン亜硫酸水素塩付加物等)を挙げることができる。
出速度、析出処理液の保存性向上など)または適当な反
射率、吸光度、分光特性等の光学的特性?!−得るtめ
に、種々の添加剤を加えることができろ。この添加剤の
主なものとしては例えば、アルカリ剤(例えば、アルカ
リ金属或いはアンモニアの水酸化物、炭酸塩、リン酸塩
)、PH調整或いは緩衝剤(例えば、酢酸、ホウ酸のよ
うな弱酸、弱塩基またはそれらの塩)、保恒剤(例えば
、亜硫酸塩、酸性亜硫酸塩、ヒトミキシルアミン塩酸塩
、ホルムアルデヒド亜硫酸水素塩付加物、アルカノール
アミン亜硫酸水素塩付加物等)を挙げることができる。
上記析出処理液における処理剤の濃度は処理剤の種類に
より異なり一部に規定はできないが、通常は0.01〜
2.0モル/l程度とされ、析出処理温度は通常Lυ〜
40℃程度とされる。
より異なり一部に規定はできないが、通常は0.01〜
2.0モル/l程度とされ、析出処理温度は通常Lυ〜
40℃程度とされる。
また既述の如き析出処理液を用いず、前記銅化合物含有
層中に処理剤の一部若しくは全部の成分を含有せしめて
おき、銅化合物を溶解するアルカリ溶液を上記析出処理
液と同様に作用させることにより、所期の析出処理を行
なうことも可能である。
層中に処理剤の一部若しくは全部の成分を含有せしめて
おき、銅化合物を溶解するアルカリ溶液を上記析出処理
液と同様に作用させることにより、所期の析出処理を行
なうことも可能である。
更に、光学的情報記録媒体前駆体において銅化合物含有
層を投げず、銅イオンを含有する析出処理用溶液を用い
て溶液中から直接析出核に銅原子を供給してもよい。
層を投げず、銅イオンを含有する析出処理用溶液を用い
て溶液中から直接析出核に銅原子を供給してもよい。
本発明光学的情報記録媒体においては、例えば第2図の
銅化合物含有A!g5を析出処理後剥離して、第3図に
示す工すに銅化合物含有層が除去され友構成としてもよ
い。この析出処理後における銅化合物含有層5を除去す
る操作は、例えば剥mまたは溶解等の方法によって行な
うことができる。この剥離操作は、析出処理後の水洗工
程に際して、銅化合物含有層5の親水性コロイド分散媒
が溶解するか、ゾル化する温度にまで水洗時の温度を上
昇せしめる(以下単に「温水洗浄」という。)ことによ
り行なわれる。この温水洗浄において、記録層4を硬膜
剤を用いて硬化させておくことが好ましく、こうするこ
とによって銅化合物含有層5の剥離を効果的に行なうこ
とができる。ま几他の方法としては、銅化合物含有層5
を濃厚な強電界質水溶液に浸漬して膜収縮を起こさせた
後に温水で洗浄することによっても好適に剥離させるこ
とができる。この場合に用いられる強電界質としては、
例えば硫酸ナトリウムの如き強酸と強塩基とによる塩が
好ましい。−1:た上記強電界質を析出処理液中に含有
させて使用する場合にも同様の効果を得ることができる
。上述の温水洗浄における液温は、例えば銅化合物含有
層の分散媒が親水性コロイドでありこの親水性コロイド
分散媒がゼラチンである場合には、20〜50℃であり
、好ましくは40±5℃程度である。
銅化合物含有A!g5を析出処理後剥離して、第3図に
示す工すに銅化合物含有層が除去され友構成としてもよ
い。この析出処理後における銅化合物含有層5を除去す
る操作は、例えば剥mまたは溶解等の方法によって行な
うことができる。この剥離操作は、析出処理後の水洗工
程に際して、銅化合物含有層5の親水性コロイド分散媒
が溶解するか、ゾル化する温度にまで水洗時の温度を上
昇せしめる(以下単に「温水洗浄」という。)ことによ
り行なわれる。この温水洗浄において、記録層4を硬膜
剤を用いて硬化させておくことが好ましく、こうするこ
とによって銅化合物含有層5の剥離を効果的に行なうこ
とができる。ま几他の方法としては、銅化合物含有層5
を濃厚な強電界質水溶液に浸漬して膜収縮を起こさせた
後に温水で洗浄することによっても好適に剥離させるこ
とができる。この場合に用いられる強電界質としては、
例えば硫酸ナトリウムの如き強酸と強塩基とによる塩が
好ましい。−1:た上記強電界質を析出処理液中に含有
させて使用する場合にも同様の効果を得ることができる
。上述の温水洗浄における液温は、例えば銅化合物含有
層の分散媒が親水性コロイドでありこの親水性コロイド
分散媒がゼラチンである場合には、20〜50℃であり
、好ましくは40±5℃程度である。
本発明光学的情報記録媒体における記録層の厚さは0.
O2N2.5μm′″Cあることが好ましく、さらに好
ましくは0.03〜0.2μmである。厚さが(1,0
1μm未満である場合には塗布むらが顕存化、し均−且
つ安定な記録1層とすることが困難となり、また厚さが
0.5μInを越える場合には記録媒体の反射性が低く
なって光学的読み取りが困難となり、シグナルコントラ
ストが低下する場合がある。
O2N2.5μm′″Cあることが好ましく、さらに好
ましくは0.03〜0.2μmである。厚さが(1,0
1μm未満である場合には塗布むらが顕存化、し均−且
つ安定な記録1層とすることが困難となり、また厚さが
0.5μInを越える場合には記録媒体の反射性が低く
なって光学的読み取りが困難となり、シグナルコントラ
ストが低下する場合がある。
また記録層中に分散され几銅微粒子の平均粒径は、0.
005〜0.2μmであることが好ましく、さらに好ま
しくは0.O2N2.1μmで必る。平均粒径が0.0
05/Am未満である場合には記録エネルギービーム吸
収率及び再生エネルギービーム反射率が低下し、記録再
生は殆ど不可能になることかわる。一方平均粒径が0.
2pmを越える場合には銅微粒子の凝集に起因し危吸収
率の低下及び反射率のムラが発生し、記録再生特性は悪
化することがある。
005〜0.2μmであることが好ましく、さらに好ま
しくは0.O2N2.1μmで必る。平均粒径が0.0
05/Am未満である場合には記録エネルギービーム吸
収率及び再生エネルギービーム反射率が低下し、記録再
生は殆ど不可能になることかわる。一方平均粒径が0.
2pmを越える場合には銅微粒子の凝集に起因し危吸収
率の低下及び反射率のムラが発生し、記録再生特性は悪
化することがある。
湖、ここでいう平均粒径とは銅微粒子の最長幅と最短幅
の平均値をいう。ま几このような平均粒径なもつ銅微粒
子の粒径分布としては、粒径が揃っているほど好ましく
、通常銅微粒子の総数の60チ程度が平均粒径の±50
%以内にあればよい。
の平均値をいう。ま几このような平均粒径なもつ銅微粒
子の粒径分布としては、粒径が揃っているほど好ましく
、通常銅微粒子の総数の60チ程度が平均粒径の±50
%以内にあればよい。
本発明光学的情報記録媒体は、反射光により情報の読み
取りを行なう)ため例えば、支持体を通して10〜80
チ、好ましくは20〜70チの反射率(何れも再生光に
対しての反射率)を有することが必要でおる。反射率が
10%未満でらる場合にはSN比が低下し、情報の読み
取りが困磯となる。
取りを行なう)ため例えば、支持体を通して10〜80
チ、好ましくは20〜70チの反射率(何れも再生光に
対しての反射率)を有することが必要でおる。反射率が
10%未満でらる場合にはSN比が低下し、情報の読み
取りが困磯となる。
本発明光学的情報記録媒体は、反射率の上昇或いは膜厚
の減少を目的として、必要により酸素存在下若しくは非
存在下で加熱処理を行なってもよい。この場合の好まし
い加熱温度範囲は250〜400℃程度である。
の減少を目的として、必要により酸素存在下若しくは非
存在下で加熱処理を行なってもよい。この場合の好まし
い加熱温度範囲は250〜400℃程度である。
第4図はピット情報が記録されt本発明光学的情報記録
媒体の一例を示す断面図であり、この例においては、支
持体lの方向から高密度エネルギービームを照射して記
触層4の照射部分を溶解若しくは吹き飛ばして(blo
w off )ピット7を形成し九構成を有する。6は
高密度エネルギービームの照射を示す矢印である。
媒体の一例を示す断面図であり、この例においては、支
持体lの方向から高密度エネルギービームを照射して記
触層4の照射部分を溶解若しくは吹き飛ばして(blo
w off )ピット7を形成し九構成を有する。6は
高密度エネルギービームの照射を示す矢印である。
この記録媒体においては、上記ピット7の低下した反射
性を利用して、書き込み用高密度エネルイービームより
も弱い高密度エネルギービームにより情報の読み出し、
再生を行なうことができる。
性を利用して、書き込み用高密度エネルイービームより
も弱い高密度エネルギービームにより情報の読み出し、
再生を行なうことができる。
本発明の記録媒体においてピット情報を記録する禽めに
用いることができる高密度エネルギービームとしては、
例えばキセノンランプ、水銀ランプ、アーク灯、レーザ
ー光等を用いることができ、この)ちレーザー光が高密
度記録ができる点て好ましい。レーザー光としては、連
続波発振のものでもパルス発振のものでも用いることが
できる。
用いることができる高密度エネルギービームとしては、
例えばキセノンランプ、水銀ランプ、アーク灯、レーザ
ー光等を用いることができ、この)ちレーザー光が高密
度記録ができる点て好ましい。レーザー光としては、連
続波発振のものでもパルス発振のものでも用いることが
できる。
使用できるレーザーは、具体的にはルビーレーザー(波
長6943A) 、アルザンイオンレーザー(波長48
80A、5145A)、ガラスレーザー(波長1.06
μm)、ヘリウム−ネオンレーザ−(波長6328A)
、クリプトンイオンレーザ−(波長6471A)、ヘ
リワムー力ドミクムレーザー(波長4416人、325
0A)、色素レーザー、半導体レーザー等を挙げること
ができる。
長6943A) 、アルザンイオンレーザー(波長48
80A、5145A)、ガラスレーザー(波長1.06
μm)、ヘリウム−ネオンレーザ−(波長6328A)
、クリプトンイオンレーザ−(波長6471A)、ヘ
リワムー力ドミクムレーザー(波長4416人、325
0A)、色素レーザー、半導体レーザー等を挙げること
ができる。
本発明の記録媒体に記録するために用いる高密度エネル
ギービーム及び再生するために用いる高密度エネルギー
ビームは、同一種類であっても異なる種類であってもよ
く、支持体を通口て照射するようにしてもよいし、或い
は支持体とは反対側の記録層表面側から照射するように
してもよい。
ギービーム及び再生するために用いる高密度エネルギー
ビームは、同一種類であっても異なる種類であってもよ
く、支持体を通口て照射するようにしてもよいし、或い
は支持体とは反対側の記録層表面側から照射するように
してもよい。
第6図は本発明の記録媒体を用いて光ディスクを構成す
る場合の一例を示し、10は中央に位置決め用軸を挿入
するための貫通孔11を設けてなる回転型円板状の光デ
イスク用基盤、12は記録繰体であり、この記録媒体1
2は基盤ioの一面側にいわGメドーナツ状に配設され
ている。この記録媒体12において、13は透明な可撓
性支持体、14は記録層であり、この記録層14は基盤
1゜の−面に直接接触せず空間15を介して一定の距離
だけ離間して配設され、この空間15内には不活性ガス
などが充填されている。このような光ディスクにおいて
は、中央の貫通孔11を回転機構のターンテーブル上の
位置決め用軸に挿入することにより基盤10を所定の姿
勢に配置し、基盤1Gを貫通孔11を中心に回転せしめ
九状態で、支持体13の上方から記録層14に記録ビー
ムまたは再生ビームが照射されて情報の記録または再生
が行なわれる。このように記録層14と基盤10との間
に空間15を設けておくことによって記録時において記
録層14の記録ビーム照射部分が極めて容易に吹き飛ば
されるようになるのでビットの形成が容易となる。
る場合の一例を示し、10は中央に位置決め用軸を挿入
するための貫通孔11を設けてなる回転型円板状の光デ
イスク用基盤、12は記録繰体であり、この記録媒体1
2は基盤ioの一面側にいわGメドーナツ状に配設され
ている。この記録媒体12において、13は透明な可撓
性支持体、14は記録層であり、この記録層14は基盤
1゜の−面に直接接触せず空間15を介して一定の距離
だけ離間して配設され、この空間15内には不活性ガス
などが充填されている。このような光ディスクにおいて
は、中央の貫通孔11を回転機構のターンテーブル上の
位置決め用軸に挿入することにより基盤10を所定の姿
勢に配置し、基盤1Gを貫通孔11を中心に回転せしめ
九状態で、支持体13の上方から記録層14に記録ビー
ムまたは再生ビームが照射されて情報の記録または再生
が行なわれる。このように記録層14と基盤10との間
に空間15を設けておくことによって記録時において記
録層14の記録ビーム照射部分が極めて容易に吹き飛ば
されるようになるのでビットの形成が容易となる。
第7図は本発明記録媒体を用いて例えば携帯用の光カー
ドを構成する場合の一例を示し、16はプラスチックよ
りなるカード状の基体、17&家基体16の一面側に配
設し几記録媒体、xBk1m己録媒体17の上方及び基
体16の上面全体を覆うように設ケ九透明保護層である
。この記録媒体17において、19は可撓性支持体、2
0に一!、記録層でおり、記録層20の上面と透明保護
層18との間にはビットの形成を容易にする九めの空間
217%形成され、空間21の内部には不活性ガスなど
勉;充填されている。このような光カードにお(\てを
1、透明保護層18の上刃から記録層17に記録ビーム
または再生ビームが照射されて情報のR己録再生が行な
われる。情報とじてを家例えを1数字、名前などカーP
の使用目的に関し文情報が記録され、l」〜凰で携帯用
として便利でらるtめ、キャッシュカーr、りVジット
カード、或(S髪′t、V類の整理カー1−’7.Cど
に利用可能でおる。
ドを構成する場合の一例を示し、16はプラスチックよ
りなるカード状の基体、17&家基体16の一面側に配
設し几記録媒体、xBk1m己録媒体17の上方及び基
体16の上面全体を覆うように設ケ九透明保護層である
。この記録媒体17において、19は可撓性支持体、2
0に一!、記録層でおり、記録層20の上面と透明保護
層18との間にはビットの形成を容易にする九めの空間
217%形成され、空間21の内部には不活性ガスなど
勉;充填されている。このような光カードにお(\てを
1、透明保護層18の上刃から記録層17に記録ビーム
または再生ビームが照射されて情報のR己録再生が行な
われる。情報とじてを家例えを1数字、名前などカーP
の使用目的に関し文情報が記録され、l」〜凰で携帯用
として便利でらるtめ、キャッシュカーr、りVジット
カード、或(S髪′t、V類の整理カー1−’7.Cど
に利用可能でおる。
第8図は本発明記録媒体を用(・て例え(イ貼付可能な
光ノートを構成する場合の一例を示し、22は可撓性シ
ート体、231可撓性シ一ト体z2の一面に空間24を
介して積層して設けたE録媒体でめり、25は空間24
を形成するtめのスペーサである。26は可撓性シート
体22の他面に積層して設けた貼付用の接着剤層である
。記録媒体23に16いて、27は透明の可撓性支持体
、28は記録層でらり、この記録ノー28の周縁部がス
ペーサ25に密層している。空間24はビットの形1戊
ゼ容易にするためのものであり、その内部には不活性ガ
スなどが充填されている。このような光シートにおいて
は、透明の可撓性支持体27の上方から記録層28に記
録ビームまtは再生ビームが照射されてWi1報の記録
再生が行なわれるが、記録媒体27が町俸性でろるうえ
、シート体22が可(支)性でめるため、この光シート
全体が可撓性のものとなり、しかも−面側には接着剤層
26を設しナているtめ、平面ま友は曲面の如何を問わ
すららゆる形態のものに貼付可能であり、例えば物品の
包装袋或いは缶やびんの外面に貼付することによりそれ
ら“物品に関する1″a報の記録及び再生が可能となる
。例えばスーパーマーケットなどにおいて゛、価格、商
品の稙頑などの情報を記録し次光シートを商品或いはそ
の包装容器などに貼付しておくことにより、商品の売場
においては、その元シートに再生ビームを照射すること
によって必要な情報を迅速にしかも正確に得ることがで
き、販売処理の効率化を図ることが可能となる。
光ノートを構成する場合の一例を示し、22は可撓性シ
ート体、231可撓性シ一ト体z2の一面に空間24を
介して積層して設けたE録媒体でめり、25は空間24
を形成するtめのスペーサである。26は可撓性シート
体22の他面に積層して設けた貼付用の接着剤層である
。記録媒体23に16いて、27は透明の可撓性支持体
、28は記録層でらり、この記録ノー28の周縁部がス
ペーサ25に密層している。空間24はビットの形1戊
ゼ容易にするためのものであり、その内部には不活性ガ
スなどが充填されている。このような光シートにおいて
は、透明の可撓性支持体27の上方から記録層28に記
録ビームまtは再生ビームが照射されてWi1報の記録
再生が行なわれるが、記録媒体27が町俸性でろるうえ
、シート体22が可(支)性でめるため、この光シート
全体が可撓性のものとなり、しかも−面側には接着剤層
26を設しナているtめ、平面ま友は曲面の如何を問わ
すららゆる形態のものに貼付可能であり、例えば物品の
包装袋或いは缶やびんの外面に貼付することによりそれ
ら“物品に関する1″a報の記録及び再生が可能となる
。例えばスーパーマーケットなどにおいて゛、価格、商
品の稙頑などの情報を記録し次光シートを商品或いはそ
の包装容器などに貼付しておくことにより、商品の売場
においては、その元シートに再生ビームを照射すること
によって必要な情報を迅速にしかも正確に得ることがで
き、販売処理の効率化を図ることが可能となる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、記録層が
親水性コロイド分数媒中に主として鋼から成る微粒子が
分散されている反射性のものであるので、記録層の高密
度エネルイービームに対する吸収率が増大するので高性
能の記録を行なうことができ、しかも反射率が増大する
ので高性能の読み出しを行なうことができ、このことに
よって感度及びSN比の著しい向上を図ることができる
。
親水性コロイド分数媒中に主として鋼から成る微粒子が
分散されている反射性のものであるので、記録層の高密
度エネルイービームに対する吸収率が増大するので高性
能の記録を行なうことができ、しかも反射率が増大する
ので高性能の読み出しを行なうことができ、このことに
よって感度及びSN比の著しい向上を図ることができる
。
また記録層における分散媒が親水性コロイドである定め
、水系塗布によって記録層を得ることができ、この結果
製造時において従来のように有機溶媒を用いることがな
いことから作業環境の高い安全性を得ることができる。
、水系塗布によって記録層を得ることができ、この結果
製造時において従来のように有機溶媒を用いることがな
いことから作業環境の高い安全性を得ることができる。
そして微粒子が主として銅から成るものでらるtめ、製
造コストの低減化を図ることができ、しかも鋼は毒性、
が少なく取扱い上の安全性が高い。
造コストの低減化を図ることができ、しかも鋼は毒性、
が少なく取扱い上の安全性が高い。
そして支持体が可捕性のものでろるため、記録媒体の製
造工程においては、帯状で長尺な大面積の支持体をロー
ル状に巻回せしめることが可能となり、このためロール
状の支持体からその一端を引出して帯状の支持体を処理
領域に搬送せしめた後巻取軸に巻取る連続搬送を行なう
ことができ、従って処理領域においては、記録媒体の形
成のために必要な処理例えば塗布処理或いは目的とする
形状に切出す処理などの処理を連続的に行なうことがで
き、この結果記録媒体の連続大量生産が可能となって生
産効率の上昇及び製造コストの低減化を達成することが
できる。ま几塗布処理においてはロール塗布により迅速
な塗布を行なうことができると共に、帯状の支持体の両
側縁部において塗布液が盛り上がる現象が生じたとして
も、帯状の記録媒体を目的とする形状に切出す処理にお
いて、帯状の記録媒体の両側縁部を切除することによっ
てムラのない均一な膜厚の記録層を有する記録媒体を効
率的に得ることができ、この結果記録層の全面に亘って
高性能の記録、再生を行なうことができる。そして切出
し処理においては、大面積のものから小面積のものまで
所望の形状に切出すことができる几め、光ディスクのよ
うな大量のものから光カード、光テープ或いは光シール
のような小型のものに亘る広範囲のものに本発明記録媒
体を利用することができる。
造工程においては、帯状で長尺な大面積の支持体をロー
ル状に巻回せしめることが可能となり、このためロール
状の支持体からその一端を引出して帯状の支持体を処理
領域に搬送せしめた後巻取軸に巻取る連続搬送を行なう
ことができ、従って処理領域においては、記録媒体の形
成のために必要な処理例えば塗布処理或いは目的とする
形状に切出す処理などの処理を連続的に行なうことがで
き、この結果記録媒体の連続大量生産が可能となって生
産効率の上昇及び製造コストの低減化を達成することが
できる。ま几塗布処理においてはロール塗布により迅速
な塗布を行なうことができると共に、帯状の支持体の両
側縁部において塗布液が盛り上がる現象が生じたとして
も、帯状の記録媒体を目的とする形状に切出す処理にお
いて、帯状の記録媒体の両側縁部を切除することによっ
てムラのない均一な膜厚の記録層を有する記録媒体を効
率的に得ることができ、この結果記録層の全面に亘って
高性能の記録、再生を行なうことができる。そして切出
し処理においては、大面積のものから小面積のものまで
所望の形状に切出すことができる几め、光ディスクのよ
うな大量のものから光カード、光テープ或いは光シール
のような小型のものに亘る広範囲のものに本発明記録媒
体を利用することができる。
そして支持体が可撓性である几め、本発明記録媒体は、
平面的なものは勿論のこと曲面的なものにもし取・、附
′・押能で、あ、つ・て、この几め例えば曲面に貼付=
−(能な光クールなどにおける記録媒体に適用すること
ができ、結局記録媒体の用途を飛躍的に増大せしめるこ
とができる。
平面的なものは勿論のこと曲面的なものにもし取・、附
′・押能で、あ、つ・て、この几め例えば曲面に貼付=
−(能な光クールなどにおける記録媒体に適用すること
ができ、結局記録媒体の用途を飛躍的に増大せしめるこ
とができる。
このように可撓性の支持体を用いることと、記録層にお
いて微粒子が主として銅からなるものであることとの相
乗作用により、記録媒体の製造コストの著しい低減化を
図ることができ、計り知れない大きな利益が得られる。
いて微粒子が主として銅からなるものであることとの相
乗作用により、記録媒体の製造コストの著しい低減化を
図ることができ、計り知れない大きな利益が得られる。
ま九この種の光学的情報記録媒体の記録層の分光特性は
、分散され友微粒子状の金属がバルク状態で有する複素
屈折率及び充填率、並びに分散媒質の凪折率に依存する
ものであり(J、C,Mnxwe 11Garne t
、Phi los 、Trans 、R,Soc 、
Lond −203第385頁(1904))、そのう
ち支配的因子は分散された微粒子状の金属が・々ルク状
態で有する複素屈折率である。本発明記録媒体は前述の
微粒子状金属が鋼のものであるが、銅の複素屈折重金を
表わす式9式%) における実数部分n及び消衰係数にの値は、第1表に示
すように波長によって大きく異なり、しかも共に示した
銀についてのそれらとも全く異なる。
、分散され友微粒子状の金属がバルク状態で有する複素
屈折率及び充填率、並びに分散媒質の凪折率に依存する
ものであり(J、C,Mnxwe 11Garne t
、Phi los 、Trans 、R,Soc 、
Lond −203第385頁(1904))、そのう
ち支配的因子は分散された微粒子状の金属が・々ルク状
態で有する複素屈折率である。本発明記録媒体は前述の
微粒子状金属が鋼のものであるが、銅の複素屈折重金を
表わす式9式%) における実数部分n及び消衰係数にの値は、第1表に示
すように波長によって大きく異なり、しかも共に示した
銀についてのそれらとも全く異なる。
そしてこのことより、本発明記録媒体が従来のバルク金
属が銀でおるものでは適用することができなかった波長
の光に対して適用し得るものでめることが理解される。
属が銀でおるものでは適用することができなかった波長
の光に対して適用し得るものでめることが理解される。
第 1 表
具体的には、銀による記録層を有する記録媒体の分光感
度が、第9図に曲線Aで示すように約500〜600
ntn付近で最大感度を示すのに対し、銅による記録層
を有する記録媒体は、曲線Bで示すように、約700〜
800 nm付近に最大感度を有するものとなり、従っ
て記録及び読み出しのための高密度エネルギービームと
して、通常赤外領域に発振波長を有する半導体レーザー
を利用することができ、これにより、ガスレーザーを用
いる場合に比して小型でしかも安価な光学的情報記録再
主装置の実現が可能となる。
度が、第9図に曲線Aで示すように約500〜600
ntn付近で最大感度を示すのに対し、銅による記録層
を有する記録媒体は、曲線Bで示すように、約700〜
800 nm付近に最大感度を有するものとなり、従っ
て記録及び読み出しのための高密度エネルギービームと
して、通常赤外領域に発振波長を有する半導体レーザー
を利用することができ、これにより、ガスレーザーを用
いる場合に比して小型でしかも安価な光学的情報記録再
主装置の実現が可能となる。
銅原子源として用いる銅化合物としてはハロゲン化銅が
好ましいが、このハロゲン化鋼は感光性を示さないため
明室で取扱うことができ、製造上のメリットが大きい。
好ましいが、このハロゲン化鋼は感光性を示さないため
明室で取扱うことができ、製造上のメリットが大きい。
これら本発明を特徴づける効果は、銅以外の他の金属微
粒子分散系薄膜を製造する技術1例えは金属塊の粉砕、
高温焼結、または蒸着法によっては得られないものであ
る。
粒子分散系薄膜を製造する技術1例えは金属塊の粉砕、
高温焼結、または蒸着法によっては得られないものであ
る。
以下本発明の実施例について説明するが、これによシ本
発明が限定されるものではない。
発明が限定されるものではない。
実施例1
厚さ100μm1幅60crnのポリメチルメタクリレ
ートよシなる長尺帯状の可撓性支持体をロール状に巻回
せしめてこれを第5図に示したように巻取シ用軸芯に巻
取フながら処理領域に連続的に搬送せしめた状態で、順
次、下地層形成処理、析出核層形成処理、析出処理、切
出し処理を行ない本発明の記録媒体を得た。各処理の具
体的内容は以下の通りである。
ートよシなる長尺帯状の可撓性支持体をロール状に巻回
せしめてこれを第5図に示したように巻取シ用軸芯に巻
取フながら処理領域に連続的に搬送せしめた状態で、順
次、下地層形成処理、析出核層形成処理、析出処理、切
出し処理を行ない本発明の記録媒体を得た。各処理の具
体的内容は以下の通りである。
く下地層形成処理〉
紫外線硬化性樹脂のMiL量体組成物を帯状の支持体上
面にロール塗布により連続的に塗布し1次いで水銀灯を
用いて塗布層に紫外線を照射して硬化せしめ、Hさ1μ
mの接焉性下地層を形成した。
面にロール塗布により連続的に塗布し1次いで水銀灯を
用いて塗布層に紫外線を照射して硬化せしめ、Hさ1μ
mの接焉性下地層を形成した。
く析出核層形成処理〉
以上の物質を温度80Cで攪拌しなからj瞳次混合し、
15分間攪拌を続け、硫化パラジウム(nンの濃度が0
.051!量チ、親水性コロイドの濃度か0.05:!
t%、硫化パラジウム(II)微粒子の平均粒径がBO
Aの硫化パラジウム(I[)コロイド溶液を得た。
15分間攪拌を続け、硫化パラジウム(nンの濃度が0
.051!量チ、親水性コロイドの濃度か0.05:!
t%、硫化パラジウム(II)微粒子の平均粒径がBO
Aの硫化パラジウム(I[)コロイド溶液を得た。
この硫化パラジウム(n)コロイド溶液に界面活性剤及
び硬膜剤を加えてなる塗布液を、支持体の下地層の上面
にロール&布により連続的に塗布し。
び硬膜剤を加えてなる塗布液を、支持体の下地層の上面
にロール&布により連続的に塗布し。
次いで乾燥せしめて膜厚が0.01μmで略無色透明の
析出核層を形成した。
析出核層を形成した。
く析出処理〉
次の組成の溶液人及び溶液Bを調製した。
溶液At一温度40Cに保ち、攪拌下、温度を40Cと
した?]Y[Bを瞬時に添加し、得られた混合溶液の温
度を40Cに保って8分間攪拌を続け。
した?]Y[Bを瞬時に添加し、得られた混合溶液の温
度を40Cに保って8分間攪拌を続け。
その後脱塩処理及び水洗処理を行ない、オセインゼラチ
ン247を添加し、超音波分散処理t−10分間行ない
、以って大共化第−銅乳剤(総#、、5QQm)を得た
。この乳剤は、pHが3.5.含有される銅とゼラチン
の重量比が約0.5.透過型電子顕微鏡写真により測定
されfi /%αゲン化第−銅粒子の平均粒径が0.0
5μmのものであうt。
ン247を添加し、超音波分散処理t−10分間行ない
、以って大共化第−銅乳剤(総#、、5QQm)を得た
。この乳剤は、pHが3.5.含有される銅とゼラチン
の重量比が約0.5.透過型電子顕微鏡写真により測定
されfi /%αゲン化第−銅粒子の平均粒径が0.0
5μmのものであうt。
この沃臭化第−銅乳剤を上記析出核層上にロール塗布に
より連続的に塗布し、次いで乾燥せしめて膜厚が1.2
μmの銅化合物含有層を形成し、以って光学的情報記録
媒体前駆体を作つt0次いで、グリシン0.2 M水溶
液よりなり緩衝液によりpHを9に調整し几温度25℃
の析出処理液中に前記前駆体を3分間に亘り浸漬せしめ
ながら通過せしめて析出処理を行ない、その後温度37
℃の温水で水洗して銅化合物含有層(乳剤層)を剥離除
去し℃記録媒体を形成し几。
より連続的に塗布し、次いで乾燥せしめて膜厚が1.2
μmの銅化合物含有層を形成し、以って光学的情報記録
媒体前駆体を作つt0次いで、グリシン0.2 M水溶
液よりなり緩衝液によりpHを9に調整し几温度25℃
の析出処理液中に前記前駆体を3分間に亘り浸漬せしめ
ながら通過せしめて析出処理を行ない、その後温度37
℃の温水で水洗して銅化合物含有層(乳剤層)を剥離除
去し℃記録媒体を形成し几。
く切出し処理ン
帯状の記録媒体を円形ドーナツ状に切出し、もって光デ
イスク用記録媒体を得比。切出し後の残部は巻取り用軸
芯に巻取った。
イスク用記録媒体を得比。切出し後の残部は巻取り用軸
芯に巻取った。
以上のようにして連続的に処理されて得られ次光ディス
ク用記録媒体を、その支持体側から観察すると、金属光
沢を有する銅鏡の形成が認められ、波長830 nmの
光における反射率は40チであつ九。また記録層の厚さ
はO,OSμm、記録層中の銅微粒子の平均粒径は0.
04μm、粒子数密度は2XlO個4−でろった。
ク用記録媒体を、その支持体側から観察すると、金属光
沢を有する銅鏡の形成が認められ、波長830 nmの
光における反射率は40チであつ九。また記録層の厚さ
はO,OSμm、記録層中の銅微粒子の平均粒径は0.
04μm、粒子数密度は2XlO個4−でろった。
前記光デイスク用記録媒体を用いて、第6図に示した構
成と同様の光ディスクを製造した。この光ディスクをタ
ーンテーブル上にセットして回転させ、ビーム径が1.
4μmとなるよう集光させた波長830 nmの半導体
レーザー光を10m/seaの走査速度で走査し、1M
Hzのパルス信号(パルス幅500nsec)を与える
ことにより記録層にピットを形成させて書き込み記録を
行なつ九。
成と同様の光ディスクを製造した。この光ディスクをタ
ーンテーブル上にセットして回転させ、ビーム径が1.
4μmとなるよう集光させた波長830 nmの半導体
レーザー光を10m/seaの走査速度で走査し、1M
Hzのパルス信号(パルス幅500nsec)を与える
ことにより記録層にピットを形成させて書き込み記録を
行なつ九。
この光ディスクの記録層上におけるレーザー光の強度は
、記録時で10mW、再生時で2mWであり、再生SN
比の測定を30 KHzの7971幅で行なったところ
、8N比は45dB″′cらった。
、記録時で10mW、再生時で2mWであり、再生SN
比の測定を30 KHzの7971幅で行なったところ
、8N比は45dB″′cらった。
第1図は析出処理前の光学的情報記録媒体前駆体の断面
図、第2図は析出処理後の本発明に係る光学的情報記録
媒体の断面図、第3図は析出処理の後、銅化合物含有層
が除去され九後の本発明に係る光学的t1報記録媒体の
断面図、第4因は高密度エネルギービーム照射後の本発
明に係る光学的情報記録媒体の断面図、第5図は本発明
記録媒体の製造工程の一例の概略を示す説明図、第6因
は本発明の記録媒体を用いて構成し次光ディスクの一例
を示す説明用断面図、第7図は本発明の記録媒体を用い
て構成した光カードの一例を示す説明用断面図、第8図
は本発明の記録媒体を用いて構成し几光シートの一例を
示す説明用11Ti1図、第9図は記録層の金属が銀で
ある場合と銅である場合の分光感度を示す曲線図である
。 l・・・支持体 2・・・析出核層3・・・銅
化合物含有層 4・・・記録層(析出処理後の析出核層)5・・・析出
処理後の銅化合物含有層 6・・・高密度エネルイービーム 7・・・ピット 8・・・可撓性支持体81・
・・巻出し用軸芯 84・・・巻取り用軸芯82.83
・・・搬送ロール 91・・・下地層形成機構92・・
・析出核層形成機構 93・・・析出処理機構 94・・・切出し機構lO・
・・光デイスク用基盤 11 ・・・貫通孔12・・
・記録媒体 13−・・可撓性支持体重4・・・記
録層 工5・・・空間16・・・基体
17・・・記録媒体18・・・透明保護層 19・・
・可撓性支持体20・・・記録層 21・・・空
間22 ・・・可撓性シート体 23 ・・・記録媒体
24・・・空間 25・・・スペーサ26・・
・接着剤層 27・・・可撓性支持体28・・・記
録層 !、+□、 代理人 弁理士 大 井 正 彦 1 ・第1図 第2図 第3図 第4囮
図、第2図は析出処理後の本発明に係る光学的情報記録
媒体の断面図、第3図は析出処理の後、銅化合物含有層
が除去され九後の本発明に係る光学的t1報記録媒体の
断面図、第4因は高密度エネルギービーム照射後の本発
明に係る光学的情報記録媒体の断面図、第5図は本発明
記録媒体の製造工程の一例の概略を示す説明図、第6因
は本発明の記録媒体を用いて構成し次光ディスクの一例
を示す説明用断面図、第7図は本発明の記録媒体を用い
て構成した光カードの一例を示す説明用断面図、第8図
は本発明の記録媒体を用いて構成し几光シートの一例を
示す説明用11Ti1図、第9図は記録層の金属が銀で
ある場合と銅である場合の分光感度を示す曲線図である
。 l・・・支持体 2・・・析出核層3・・・銅
化合物含有層 4・・・記録層(析出処理後の析出核層)5・・・析出
処理後の銅化合物含有層 6・・・高密度エネルイービーム 7・・・ピット 8・・・可撓性支持体81・
・・巻出し用軸芯 84・・・巻取り用軸芯82.83
・・・搬送ロール 91・・・下地層形成機構92・・
・析出核層形成機構 93・・・析出処理機構 94・・・切出し機構lO・
・・光デイスク用基盤 11 ・・・貫通孔12・・
・記録媒体 13−・・可撓性支持体重4・・・記
録層 工5・・・空間16・・・基体
17・・・記録媒体18・・・透明保護層 19・・
・可撓性支持体20・・・記録層 21・・・空
間22 ・・・可撓性シート体 23 ・・・記録媒体
24・・・空間 25・・・スペーサ26・・
・接着剤層 27・・・可撓性支持体28・・・記
録層 !、+□、 代理人 弁理士 大 井 正 彦 1 ・第1図 第2図 第3図 第4囮
Claims (1)
- 1)支持体上に反射性記録層を設けてなる光学的情報記
録媒体において、前記支持体が可撓性であり、前記反射
性記録層が、主として銅から成る反射性の微粒子が親水
性コロイド中に含有されてなるものであることを特徴と
する光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59169374A JPS6147297A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59169374A JPS6147297A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6147297A true JPS6147297A (ja) | 1986-03-07 |
Family
ID=15885404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59169374A Pending JPS6147297A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6147297A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250336A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Hino Motors Ltd | エンジンの空気吹込み装置 |
JPH0264224A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Hino Motors Ltd | ターボ過給エンジン |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP59169374A patent/JPS6147297A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250336A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Hino Motors Ltd | エンジンの空気吹込み装置 |
JPH0264224A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Hino Motors Ltd | ターボ過給エンジン |
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