JPS6132038A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
- Publication number
- JPS6132038A JPS6132038A JP15296084A JP15296084A JPS6132038A JP S6132038 A JPS6132038 A JP S6132038A JP 15296084 A JP15296084 A JP 15296084A JP 15296084 A JP15296084 A JP 15296084A JP S6132038 A JPS6132038 A JP S6132038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical
- optical waveguide
- integrated circuit
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光通信、情報処理の分野に係り、特に化合物
半導体を用いることにより、半導体レーザ、変調器など
の多機能を備えた光デバイスの一体化に好適な構造をも
つ光集積回路に関するものである。
半導体を用いることにより、半導体レーザ、変調器など
の多機能を備えた光デバイスの一体化に好適な構造をも
つ光集積回路に関するものである。
光集積回路は種々の機能をもつ光デバイスを一体に集積
させるもので、小型、高性能、低コストなどいくつかの
利直が期待される。現在、例えばＩＥＥＥ Ｊ、Ｑｕａ
ｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、ｖｏｌ、ＱＥ−１９，１
３３９（１９８３）においてＲ，Ｃ，Ａｌｆｅｒｎｅｇ
ｓ、Ｃ，Ｈ，Ｊｏｙｎｅｒ、Ｌ、Ｌ、Ｂｕｌｌ及びＳ、
に、Ｋｏｒｏｔｋｙが”Ｈｉｇｈ −５ｐｅｅｄ 、
Ｔｒａｖｅｌｉｎｇ −ＷａｎｅＤｉｒｅｃｔｉｏｎａ
ｌ Ｃｏｕｐｌｅｒ ５ｗ１ｔｃｈ／Ｍｏｄｕｌａ
ｔｏｒ ｆｏｒλ ＝１．３２μｍ ”と題して論じ
ているように、大きな電気光学効果を有するＬｉＮｂ０
３ などの誘電体材料を用いた光集積回路の研究開発
が活発に行なわれている。このような誘電体材料を用い
た光集積回路では、単能形のデバイスとし、ての応用や
、光コンポーネントの性能を向上させるための手段とし
て用いられている場合が多い。しかし、各種光デバイス
あるいは電子デバイスを一体化させ、より多くの機能を
備えた能動先光集積回路を実現させるという観点から、
半導体材料を用いた光集積回路の研究開発がより重要に
なってきた。
させるもので、小型、高性能、低コストなどいくつかの
利直が期待される。現在、例えばＩＥＥＥ Ｊ、Ｑｕａ
ｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、ｖｏｌ、ＱＥ−１９，１
３３９（１９８３）においてＲ，Ｃ，Ａｌｆｅｒｎｅｇ
ｓ、Ｃ，Ｈ，Ｊｏｙｎｅｒ、Ｌ、Ｌ、Ｂｕｌｌ及びＳ、
に、Ｋｏｒｏｔｋｙが”Ｈｉｇｈ −５ｐｅｅｄ 、
Ｔｒａｖｅｌｉｎｇ −ＷａｎｅＤｉｒｅｃｔｉｏｎａ
ｌ Ｃｏｕｐｌｅｒ ５ｗ１ｔｃｈ／Ｍｏｄｕｌａ
ｔｏｒ ｆｏｒλ ＝１．３２μｍ ”と題して論じ
ているように、大きな電気光学効果を有するＬｉＮｂ０
３ などの誘電体材料を用いた光集積回路の研究開発
が活発に行なわれている。このような誘電体材料を用い
た光集積回路では、単能形のデバイスとし、ての応用や
、光コンポーネントの性能を向上させるための手段とし
て用いられている場合が多い。しかし、各種光デバイス
あるいは電子デバイスを一体化させ、より多くの機能を
備えた能動先光集積回路を実現させるという観点から、
半導体材料を用いた光集積回路の研究開発がより重要に
なってきた。
以下、半導体材料を用いた光集積回路の一例として、信
学技報０ＱＥ−２８（１９７ｇ）において、河口が論じ
ている”ＧａＡｓ方向性結合器形光スイッチ″について
第１図を用いて説明する。導波路構造はｎ ” ＧａＡ
ｓ基板（１−１）上にエピタキシャル成長により得たｎ
−ＧａＡｓ層（１−２）を光導波層としたキャリア濃
度の差による屈折率差を用いる。この二次元導波路をリ
ブ構造の三次元光導波路（１−３）にし、これを二本並
置することにより、方向性結合器を形成する。素子長を
完全結合長に一致させ、リブガイド上に形成されたショ
ットキー電極（１−４）の一方と裏面電極（１−５）と
の間に逆方向電圧を印加する。このとき電気光学効果に
より、電圧が品加された光導波路は屈折率が変り、この
ため結合状態が変化するので、光のスイッチングを行な
うことができる。このような導波路構造をもつ方向性結
合器型光スイッチは変調器などとしても用いられ応用範
囲の広いものである６しかし、これらの光デバイスは、
一平面上に形成されるため、より高い集積化、あるいは
半導体レーザとの一体化を考慮したとき、必ずしも有利
な構造とはなっていない。
学技報０ＱＥ−２８（１９７ｇ）において、河口が論じ
ている”ＧａＡｓ方向性結合器形光スイッチ″について
第１図を用いて説明する。導波路構造はｎ ” ＧａＡ
ｓ基板（１−１）上にエピタキシャル成長により得たｎ
−ＧａＡｓ層（１−２）を光導波層としたキャリア濃
度の差による屈折率差を用いる。この二次元導波路をリ
ブ構造の三次元光導波路（１−３）にし、これを二本並
置することにより、方向性結合器を形成する。素子長を
完全結合長に一致させ、リブガイド上に形成されたショ
ットキー電極（１−４）の一方と裏面電極（１−５）と
の間に逆方向電圧を印加する。このとき電気光学効果に
より、電圧が品加された光導波路は屈折率が変り、この
ため結合状態が変化するので、光のスイッチングを行な
うことができる。このような導波路構造をもつ方向性結
合器型光スイッチは変調器などとしても用いられ応用範
囲の広いものである６しかし、これらの光デバイスは、
一平面上に形成されるため、より高い集積化、あるいは
半導体レーザとの一体化を考慮したとき、必ずしも有利
な構造とはなっていない。
半導体レーザと光導波層との結合法については、文献Ｙ
、Ｓｕｅｍａｔｓｕ、Ｍ、Ｙａｍａｄａ ａｎｄ Ｋ、
Ｈａｙａｓｈｉ ： Ａｍｕｌｌｉ−ｈｅｔｅｒｏ−Ａ
Ｑ（：ａＡ、ｓ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄｔｗｉｎ −ｇｕｉｄｅ 、 Ｐｒｏｃ、 Ｉ
ＥＥＥ （Ｌｅｔｔ、 ） 、 ６３． ｐ、 ２０８
（１９７５） 。
、Ｓｕｅｍａｔｓｕ、Ｍ、Ｙａｍａｄａ ａｎｄ Ｋ、
Ｈａｙａｓｈｉ ： Ａｍｕｌｌｉ−ｈｅｔｅｒｏ−Ａ
Ｑ（：ａＡ、ｓ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄｔｗｉｎ −ｇｕｉｄｅ 、 Ｐｒｏｃ、 Ｉ
ＥＥＥ （Ｌｅｔｔ、 ） 、 ６３． ｐ、 ２０８
（１９７５） 。
などで見られるように、集積二重導波路（ＩＴＧ）レー
ザが検討されている。これは、集屑された２本の光導波
路間の結合を利用し、活性層とは別に出力用先導波路を
設けたものである。このように、一平面上ではなく、厚
さ方向に集屑した２本の光導波路においても方向性結合
器を形成することが可能である。なお、半導体レーザと
は別に、積層された２本の光導波路を利用した光調器を
に、Ｔａｄａとに、Ｈｉｒｏｓｅが、Ａｐｐｌ、 ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ、 ｐ５６１（１９７４）
におし１て、”Ａ ｎｅｗ ｌｉｇｈｔ ｍｏｄｕｌａ
ｔｏｒ ｕｓｉｎｇｐｅｒｔｕｒｂａｔｉｏｎ ｏｆ
ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｓｍ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔ
、Ｗ。
ザが検討されている。これは、集屑された２本の光導波
路間の結合を利用し、活性層とは別に出力用先導波路を
設けたものである。このように、一平面上ではなく、厚
さ方向に集屑した２本の光導波路においても方向性結合
器を形成することが可能である。なお、半導体レーザと
は別に、積層された２本の光導波路を利用した光調器を
に、Ｔａｄａとに、Ｈｉｒｏｓｅが、Ａｐｐｌ、 ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ、 ｐ５６１（１９７４）
におし１て、”Ａ ｎｅｗ ｌｉｇｈｔ ｍｏｄｕｌａ
ｔｏｒ ｕｓｉｎｇｐｅｒｔｕｒｂａｔｉｏｎ ｏｆ
ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｓｍ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔ
、Ｗ。
ｃｏｕｐｌｅｄ ｇｕｉｄｅｓ”と題して検討している
。これは３次元的な光の閉じ込めを行なわないプレーナ
ガイド構造となっている。そのため集積化の高い構造と
は言えず、またレーザとの一体化を特に考慮していない
。
。これは３次元的な光の閉じ込めを行なわないプレーナ
ガイド構造となっている。そのため集積化の高い構造と
は言えず、またレーザとの一体化を特に考慮していない
。
以上述べたように、半導体材料を用いた光デバイスは種
々検討されているが、半導体の特長を生かし、高密度な
光集積回路を実現するためには、個々の光デバイス間の
結合が重要な問題である。
々検討されているが、半導体の特長を生かし、高密度な
光集積回路を実現するためには、個々の光デバイス間の
結合が重要な問題である。
そのためには、光スィッチ、変調器、半導体レーザなど
が相互に構造上の接近を図らなければならない。
が相互に構造上の接近を図らなければならない。
本発明は、複数の光導波路を立体的に積層させることに
より、従来の一平面上に形成された導波路形光デバイス
よりもさらに集積化を高め、同時に半導体レーザ等の他
の光デバイスとの結合に対して有効な構造をもつ光集積
回路を提供することにある。
より、従来の一平面上に形成された導波路形光デバイス
よりもさらに集積化を高め、同時に半導体レーザ等の他
の光デバイスとの結合に対して有効な構造をもつ光集積
回路を提供することにある。
以下、本発明の概略を第２図を用いて説明する。
第２図では、キャリア濃度が大きいｎ＋一基板（２−１
）上に、低キヤリア濃度で低損失なｎ−一光導波層（２
−３）が、それによりもバンドギャップエネルギーの大
きく、屈折率が小さいｐ−クラッド層（２−２）とｎ−
クラッド（２−４）とＫはさまれて形成されている。さ
らにその上にこの１１−一光導波層（２−３）と同程度
の屈折率を有するｐ−光導波層（２−５）とそれよりも
屈折−の小さいｐ−クラッド層（２−６）が積層されて
いる。この２つの光導波層（２−３）、（２−５）は、
それらの間のｎ−クラッド層の膜厚が数μｍと薄いため
、−組の方向性結合器をなしている。
）上に、低キヤリア濃度で低損失なｎ−一光導波層（２
−３）が、それによりもバンドギャップエネルギーの大
きく、屈折率が小さいｐ−クラッド層（２−２）とｎ−
クラッド（２−４）とＫはさまれて形成されている。さ
らにその上にこの１１−一光導波層（２−３）と同程度
の屈折率を有するｐ−光導波層（２−５）とそれよりも
屈折−の小さいｐ−クラッド層（２−６）が積層されて
いる。この２つの光導波層（２−３）、（２−５）は、
それらの間のｎ−クラッド層の膜厚が数μｍと薄いため
、−組の方向性結合器をなしている。
いま、このような積層構造をもつ化合物半導体の上面と
下面とにオーミック接触の金属電極（２−８）、（２−
９）を設け、上面を（−）、下面を（＋）となる極性で
厚さ方向に電圧を印加する。
下面とにオーミック接触の金属電極（２−８）、（２−
９）を設け、上面を（−）、下面を（＋）となる極性で
厚さ方向に電圧を印加する。
但し、上面の金属電極とクラッド層（２−６）との間に
は、オーミック抵抗を小さくするためのｐ′″−キャッ
プ層（２−７）が介入されているとき、上部光導波層（
２−５）は逆バイアスが印加され、空乏層が広がるため
、電気光季効果により、屈折率を高くすることができる
。一方、下部光導波層（２−３）では上のｎ−クラッド
層（２−４）から注入された電子が下のＰ−クラッド層
（２−２）のエネルギーの壁のために閉じ込められてキ
ャリア濃度が高くなる。このため、プラズマ効果により
、屈折率は低くなる。この結果、２つの光導波層を伝搬
する光の伝搬定数を変化させることにより、結合度を変
化させて、光スィッチ、変調器などを構成することがで
きる。下の光導波層（２−３）をはさむサンドイッチ構
造はｎ−ｎ−Ｐダブルヘテロ構造の半導体レーザと同一
の構造となっており、このような構造の光導波層は、半
導体レーザと一体化する上で有利である。第２図ではｎ
−ｎ−ｐダブルヘテロ構造半導体レーザとの結合を考慮
して説明したが、ｎ−ｐ−ｐ構造の場合も同様である。
は、オーミック抵抗を小さくするためのｐ′″−キャッ
プ層（２−７）が介入されているとき、上部光導波層（
２−５）は逆バイアスが印加され、空乏層が広がるため
、電気光季効果により、屈折率を高くすることができる
。一方、下部光導波層（２−３）では上のｎ−クラッド
層（２−４）から注入された電子が下のＰ−クラッド層
（２−２）のエネルギーの壁のために閉じ込められてキ
ャリア濃度が高くなる。このため、プラズマ効果により
、屈折率は低くなる。この結果、２つの光導波層を伝搬
する光の伝搬定数を変化させることにより、結合度を変
化させて、光スィッチ、変調器などを構成することがで
きる。下の光導波層（２−３）をはさむサンドイッチ構
造はｎ−ｎ−Ｐダブルヘテロ構造の半導体レーザと同一
の構造となっており、このような構造の光導波層は、半
導体レーザと一体化する上で有利である。第２図ではｎ
−ｎ−ｐダブルヘテロ構造半導体レーザとの結合を考慮
して説明したが、ｎ−ｐ−ｐ構造の場合も同様である。
この場合、方向性結合器をなす２つの光導波層（２−３
）、（２−５）はＰ−先導波層となる。
）、（２−５）はＰ−先導波層となる。
以上は、簡単のため、光の進行方向に対して横方向の光
の閉じ込めを行なわない２次元のプレート形構造につい
て説明したが、部分的に光導波層の厚さをかえたリブ形
光導波路を形成されば、３次元的な光の閉じ込めを行な
うことができる。方向性結合器の結合部分では、２つの
光導波路間隔は数μｍと極めて接近しており、導波光を
分離することは難しい。しかし、光導波路間のクラッド
層（２−４）の厚さをなめらかに変化させたり、あるい
は曲がりをもつリブ形光導波路を形成すれば、光導波路
中を伝搬する光パワーを立体的に分離することができる
。第３図はその一例を示したものである。
の閉じ込めを行なわない２次元のプレート形構造につい
て説明したが、部分的に光導波層の厚さをかえたリブ形
光導波路を形成されば、３次元的な光の閉じ込めを行な
うことができる。方向性結合器の結合部分では、２つの
光導波路間隔は数μｍと極めて接近しており、導波光を
分離することは難しい。しかし、光導波路間のクラッド
層（２−４）の厚さをなめらかに変化させたり、あるい
は曲がりをもつリブ形光導波路を形成すれば、光導波路
中を伝搬する光パワーを立体的に分離することができる
。第３図はその一例を示したものである。
以下、本発明の詳細な説明する。構造は第２図に示した
ものと同様である。キャリア濃度が１０ ”ａｍ−”、
屈折率が３．４３のＳｉドープｎ′″ＧａＡｇ基板上に
、ｐＧａＡ Ｑ Ａｓ層ｔｎ−ＧａＡｇ層、 ｎＧａＡ
Ｑ Ａｓ層。
ものと同様である。キャリア濃度が１０ ”ａｍ−”、
屈折率が３．４３のＳｉドープｎ′″ＧａＡｇ基板上に
、ｐＧａＡ Ｑ Ａｓ層ｔｎ−ＧａＡｇ層、 ｎＧａＡ
Ｑ Ａｓ層。
ｎ −ＧａＡｓ層、 ｐＧａＡ Ｑ Ａｓ層、ｐ４Ｇａ
ＡＱＡｓ層を順次エピタキシャル成長させる。先導波層
となるｎ−−ＧａＡｓ層とこの光導波層にはさまれたク
ラッド層（ｎ−ＧａＡ Ｑ Ａｓ層）はＭＯＣｖＤ法に
よって、その他のｐ一層はＺｎドープのＬＰＥ法によっ
て形成した。光導波層（ｎ−−ＧａＡｓ層）のキャリア
濃度は１０”〜ｌ Ｑ ｌ５ｃＩｌｌ−４，屈折率は３
．４４である。ｐ −ＧａＡ ＩＡ Ａｓ層と、ｎ −
ＧａＡ Ｑ Ａｓ層のクラッド層は、ともにキャリア濃
度が１０″″ｃｍ−２．屈折率は基板と同程度かあるい
は若干小さく、光は良好にｎ−−ＧａＡｓ層に閉じ込め
られた。上面にはキャリア濃度、屈折率はそれぞれｎ４
′ＧａＡｓ基板のそれらと同程度のｐ ” −ＧａＡｓ
層のキャップ層を介してＡ ｕ ／ Ｇ ｅ ／Ｎｉの
オーミック電極が形成され、下面にも同じＡ ｕ ／
Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉのオーミック電極が形成されている
。厚さ方向に電圧を印加しないとき、上の光導波層から
入射された光は、そのほとんどが下の光導波路から出射
し、結合部の長さはほぼ完全結合長となっている。電圧
を印加すると、出射光のパワは下の光導波路から上の光
導波路に移行し、１０ｖの印加電圧で１０ｄＢの消光比
が得られた。
ＡＱＡｓ層を順次エピタキシャル成長させる。先導波層
となるｎ−−ＧａＡｓ層とこの光導波層にはさまれたク
ラッド層（ｎ−ＧａＡ Ｑ Ａｓ層）はＭＯＣｖＤ法に
よって、その他のｐ一層はＺｎドープのＬＰＥ法によっ
て形成した。光導波層（ｎ−−ＧａＡｓ層）のキャリア
濃度は１０”〜ｌ Ｑ ｌ５ｃＩｌｌ−４，屈折率は３
．４４である。ｐ −ＧａＡ ＩＡ Ａｓ層と、ｎ −
ＧａＡ Ｑ Ａｓ層のクラッド層は、ともにキャリア濃
度が１０″″ｃｍ−２．屈折率は基板と同程度かあるい
は若干小さく、光は良好にｎ−−ＧａＡｓ層に閉じ込め
られた。上面にはキャリア濃度、屈折率はそれぞれｎ４
′ＧａＡｓ基板のそれらと同程度のｐ ” −ＧａＡｓ
層のキャップ層を介してＡ ｕ ／ Ｇ ｅ ／Ｎｉの
オーミック電極が形成され、下面にも同じＡ ｕ ／
Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉのオーミック電極が形成されている
。厚さ方向に電圧を印加しないとき、上の光導波層から
入射された光は、そのほとんどが下の光導波路から出射
し、結合部の長さはほぼ完全結合長となっている。電圧
を印加すると、出射光のパワは下の光導波路から上の光
導波路に移行し、１０ｖの印加電圧で１０ｄＢの消光比
が得られた。
以上は光の進行方向に対して横方向の光の閉じ込めかな
い２次元の゛プレーナ形構造の実施例であるが、反応性
イオンビームエツチングを用い、光導波層内にリブ形構
造をもたせ、横方向にも光の閉じ込めを行なうことがで
きる。この反応性イオンビームエツチングはリブ形光導
波路の側面を極めて滑らかにすることができるので、微
細加工後、エピタキシャル成長゛が可能である。
い２次元の゛プレーナ形構造の実施例であるが、反応性
イオンビームエツチングを用い、光導波層内にリブ形構
造をもたせ、横方向にも光の閉じ込めを行なうことがで
きる。この反応性イオンビームエツチングはリブ形光導
波路の側面を極めて滑らかにすることができるので、微
細加工後、エピタキシャル成長゛が可能である。
本発明による光集積回路は、積層型方向性結合器をなし
、その一方の光導波路は、半導体レーザの活性層と同一
の構造となっている。そのため、半導体レーザと一体化
する上で極めて有利である。
、その一方の光導波路は、半導体レーザの活性層と同一
の構造となっている。そのため、半導体レーザと一体化
する上で極めて有利である。
さら番こ、このような多層構造をもつ光集積回路は、一
平面内の光の結合ばかりでなく、厚さ方向での光の結合
も行なうことができるので、より立体的な光集積結合を
構成することができる。従って、集積化が高く、小型で
、多くの機能を備えた光素子が形成できる可能性をもち
経済的にも有利である。
平面内の光の結合ばかりでなく、厚さ方向での光の結合
も行なうことができるので、より立体的な光集積結合を
構成することができる。従って、集積化が高く、小型で
、多くの機能を備えた光素子が形成できる可能性をもち
経済的にも有利である。
第１図はＧａＡｓ方向性結合器形光スイッチの一例を示
す図、第２図は本発明による光集積回路の構造を示した
図、第３図は第２図で示した光導波層内にリブ形光導波
路を形成し、光導波層を伝搬する光パワを立体的に分離
するような機能をもたせた光集積回路の一例を示した図
である。 １−１− ｎ ”−Ｇａｚａ基板、１−２− ｎ −−
ＧａＡｓ層、１−３・・・リブ形光−波路、１−４・・
・ショットキー電極、１−５・・・裏面電極、２−１・
・・ｎ１一基板。 ２−２．２−６・・・ｐ−クラッド層、２−３．’２−
５・・・ｎ−一光導波層、２−４・・・ｎ−クラッド層
、２−７・・・Ｐｌ−キャップ層、２−８．２−９・・
・オ第１ 口 ２−γ 児３図
す図、第２図は本発明による光集積回路の構造を示した
図、第３図は第２図で示した光導波層内にリブ形光導波
路を形成し、光導波層を伝搬する光パワを立体的に分離
するような機能をもたせた光集積回路の一例を示した図
である。 １−１− ｎ ”−Ｇａｚａ基板、１−２− ｎ −−
ＧａＡｓ層、１−３・・・リブ形光−波路、１−４・・
・ショットキー電極、１−５・・・裏面電極、２−１・
・・ｎ１一基板。 ２−２．２−６・・・ｐ−クラッド層、２−３．’２−
５・・・ｎ−一光導波層、２−４・・・ｎ−クラッド層
、２−７・・・Ｐｌ−キャップ層、２−８．２−９・・
・オ第１ 口 ２−γ 児３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高いキャリア濃度をもつIII−Ｖ族化合物半導体基
板上に、低キャリア濃度で低損失な光導波層を該光導波
層よりバンドギャップエネルギーが大きく、しかも屈折
率が小さいクラッド層ではさんだ、ｎ−ｐ−ｐあるいは
ｎ−ｎ−ｐダブルヘテロ構造をなすエピタキシャル層を
形成し、さらにその上に、上記光導波層と同程度の屈折
率およびキャリア濃度をもつ他の光導波層と、この光導
波層より屈折率の小さいｐｎ接合を形成するクラッド層
を順次積層させ、厚さ方向に電界を印加させることによ
って、上記２つの光導波層間で、光パワの移行を行なう
ことを特徴とした光集積回路。 ２、上記２つの光導波層において、部分的に光導波層の
厚さをかえたリブ形光導波路を形成し、３次元的に光の
閉じ込めを行なうことを特徴とした特許請求の範囲第１
項記載の光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15296084A JPS6132038A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15296084A JPS6132038A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 光集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132038A true JPS6132038A (ja) | 1986-02-14 |
Family
ID=15551919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15296084A Pending JPS6132038A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006335455A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nippon Film Kk | ロール状連続袋体 |
| JP2010113084A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号処理装置 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15296084A patent/JPS6132038A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006335455A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nippon Film Kk | ロール状連続袋体 |
| JP2010113084A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4813757A (en) | Optical switch including bypass waveguide | |
| US5146513A (en) | Semiconductor optical device and array of the same | |
| JPH06509428A (ja) | 独立局限電界吸収変調器 | |
| US4784451A (en) | Waveguide optical switches | |
| JPH02226232A (ja) | 方向性結合器型光スイッチ | |
| JPH01116530A (ja) | 光スイッチング素子及び該素子から成る光スイッチングマトリクス | |
| JPS6132038A (ja) | 光集積回路 | |
| JP2503558B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JP2662059B2 (ja) | 光電スイッチ素子を有する集積半導体装置 | |
| US5394491A (en) | Semiconductor optical switch and array of the same | |
| US5247592A (en) | Semiconductor optical device and array of the same | |
| US4707060A (en) | Broadband infrared electro-optic modulator having a buried microstrip network | |
| JP3001365B2 (ja) | 光半導体素子及び光通信装置 | |
| JP3147386B2 (ja) | 偏光無依存型半導体光スイッチ | |
| JPH09288288A (ja) | 光機能素子 | |
| JP2907890B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP2901321B2 (ja) | 光デマルチプレクサ | |
| KR0185371B1 (ko) | 광전 스위칭 소자를 내장한 집적 반도체 소자 | |
| JP2781655B2 (ja) | 方向性結合器型半導体光スイッチ | |
| JPH025028A (ja) | 非線形光方向性結合器 | |
| JPH0212131A (ja) | 方向性結合器型光スイッチ | |
| JPH07325328A (ja) | 半導体光変調器 | |
| JPS61148427A (ja) | 導波形光変調器 | |
| JPS6381305A (ja) | 光集積回路 | |
| JPH025029A (ja) | 非線形光方向性結合器 |