JPS61292807A - 絶縁処理された電気機器の製造法 - Google Patents
絶縁処理された電気機器の製造法Info
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- JPS61292807A JPS61292807A JP13376685A JP13376685A JPS61292807A JP S61292807 A JPS61292807 A JP S61292807A JP 13376685 A JP13376685 A JP 13376685A JP 13376685 A JP13376685 A JP 13376685A JP S61292807 A JPS61292807 A JP S61292807A
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- thpa
- cis
- acid
- resin composition
- heating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、エポキシ樹脂組成物を用いて絶縁処理された
電気機器の製造法に関し、更に詳しくは。
電気機器の製造法に関し、更に詳しくは。
電気機器の巻線(コイルと略す)への含浸性を向上し、
且つ、ワニス硬化物の保持率を改善した絶縁処理された
電気機器の製造法を提供するものである。
且つ、ワニス硬化物の保持率を改善した絶縁処理された
電気機器の製造法を提供するものである。
(従来の技術)
従来、電動工具用モードル、車両用モードル。
発電機などの稼動中に大きな振動が加わる回転機。
また9点火用トランス、電子レンジ用トランスなどの高
電圧が発生する機器、電磁コイル等の電気機器の絶縁用
ワニスには、高温時の機械特性、電気絶縁性、高電圧特
性(耐アーク性、耐ト°ラッキング性)に優れた酸無水
物硬化型のエポキシワニスが多用されている。
電圧が発生する機器、電磁コイル等の電気機器の絶縁用
ワニスには、高温時の機械特性、電気絶縁性、高電圧特
性(耐アーク性、耐ト°ラッキング性)に優れた酸無水
物硬化型のエポキシワニスが多用されている。
近年、これらの電気機器に従来以上に性能向上。
信頼性向上などが要求されるようになシ、これにともな
って、コイルの線間にワニスが十分含浸し。
って、コイルの線間にワニスが十分含浸し。
硬化物を保持することが強く望まれるようになった。
(発明が解決しようとする問題点)′
これらの電気機器で、高電圧機器のように、a径の細い
エナメル線を用い、且つ巻回数が多いコイル、また、ス
ロット部の占積率の高いモードル用コイ化などにワニス
を処理した場合、従来のエポキシワニスではこれらのコ
イル内部の線間に十分含浸されない場合がちシ2時には
起動時にコロナの発生や、また、吸湿した場合などにレ
アーショートを起こし易い欠点があった。
エナメル線を用い、且つ巻回数が多いコイル、また、ス
ロット部の占積率の高いモードル用コイ化などにワニス
を処理した場合、従来のエポキシワニスではこれらのコ
イル内部の線間に十分含浸されない場合がちシ2時には
起動時にコロナの発生や、また、吸湿した場合などにレ
アーショートを起こし易い欠点があった。
本発明は、前記した従来技術の欠点であるコイル内部の
線間への含浸性を改善した電気機器の製造法を提供する
ことにある。
線間への含浸性を改善した電気機器の製造法を提供する
ことにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は。
(A) エポキシ樹脂
(B) 4−メチル−Δ4−テトラヒドローシス、シ
ス−無水フタル酸(以下、4Me−Δ’−THPAとす
る)及び/又は シス−3−メチル−Δ4−テトラヒドローシス、シス−
無水フタル酸(以下、シス−3Me−Δ’−THPAと
する) を酸触媒の存在下に加熱したのち、塩基性触媒の存在下
に加熱して得られる酸無水物混合物ならびに (C1硬化促進剤 を含有する樹脂組成物を用いて絶縁処理する絶縁処理さ
れた電気機器の製造法に関する。
ス−無水フタル酸(以下、4Me−Δ’−THPAとす
る)及び/又は シス−3−メチル−Δ4−テトラヒドローシス、シス−
無水フタル酸(以下、シス−3Me−Δ’−THPAと
する) を酸触媒の存在下に加熱したのち、塩基性触媒の存在下
に加熱して得られる酸無水物混合物ならびに (C1硬化促進剤 を含有する樹脂組成物を用いて絶縁処理する絶縁処理さ
れた電気機器の製造法に関する。
本発明における酸無水物異性体混合物は9次のようにし
て得ることができる。
て得ることができる。
4Me−Δ’−THPA、シス−3Me−Δ’−THP
A又はこれらの混合物が先ず、酸触媒の存在下に加熱さ
れ、ついで塩基性触媒の存在下に加熱される。
A又はこれらの混合物が先ず、酸触媒の存在下に加熱さ
れ、ついで塩基性触媒の存在下に加熱される。
この順序を逆にしたのでは9本発明の目的を達成するよ
うな酸無水物混合物を得ることができない。
うな酸無水物混合物を得ることができない。
4Me−Δ’−THPAを原料とした場合は、酸触媒の
存在下に加熱することによシ、4−メチルーΔ3−テト
ラヒドロ−シス、シス−無水フタル酸(以下、4Me−
Δ3−THPA と略す)が生成し。
存在下に加熱することによシ、4−メチルーΔ3−テト
ラヒドロ−シス、シス−無水フタル酸(以下、4Me−
Δ3−THPA と略す)が生成し。
さらに1条件によっては、4−メチル−Δ2−テトラヒ
ドローシス、シス−無水フタル酸及ヒ/又ハ4−メチル
−Δ1−テトラヒドローシス、シス−無水フタル酸が生
成する。ついで、塩基性触媒の存在下に、加熱するとガ
スクロマトグラフィーによる分析によシ、上記した化合
物以外の生成が認められる。この化合物は、4M6−Δ
’−THPA 及び/又は4Me−Δ3−THPAの異
性体、特に、塩基性触媒の活性から立体異性体であると
考えられる。
ドローシス、シス−無水フタル酸及ヒ/又ハ4−メチル
−Δ1−テトラヒドローシス、シス−無水フタル酸が生
成する。ついで、塩基性触媒の存在下に、加熱するとガ
スクロマトグラフィーによる分析によシ、上記した化合
物以外の生成が認められる。この化合物は、4M6−Δ
’−THPA 及び/又は4Me−Δ3−THPAの異
性体、特に、塩基性触媒の活性から立体異性体であると
考えられる。
シス−3Me−Δ’−THPAを原料とした場合。
酸触媒の存在下に加熱することKよシ、トランスー3−
メチルーΔ4−テトラヒドロ−シス、シス−無水フタル
酸(以下、トランス−3Me−Δ4−THPA と略す
)が生成する。このとき2反応生成物は、シス−3Me
−Δ’−THPA及びトランス−3Me−Δ’−THP
A以外に、これらの異性体を含有している可能性がある
。この反応生成物は。
メチルーΔ4−テトラヒドロ−シス、シス−無水フタル
酸(以下、トランス−3Me−Δ4−THPA と略す
)が生成する。このとき2反応生成物は、シス−3Me
−Δ’−THPA及びトランス−3Me−Δ’−THP
A以外に、これらの異性体を含有している可能性がある
。この反応生成物は。
ついで、塩基性触媒の存在下に加熱するとトランス−3
Me−Δ−THPAの量が増し、ガスクロマトグラフィ
ーによる分析によるとシス−3Me−Δ’−THPA及
びトランス−3Me−Δ’−THPA以外の化合物の生
成が認められる。一方、シス−3Me−Δ’−THPA
を塩基性触媒の存在下に加熱することにより、トランス
−3Me−Δ’−THPAが生成し、これとシス−3M
e−Δ’−THPAの混合物が得られることが知られて
おシ、従って9本発明において、シス−3Me−Δ’−
THPA及びトランス−3Me−Δ’−THPA以外の
上記した化合物が生成することは、シス−3Me−Δ’
−THPAを酸触媒の存在下に加熱した時点で、シス−
3Me−Δ’−THPA、 トランス−3Me−TH
PA及び塩基性触媒の存在下での加熱後に存在が認めら
れる化合物と異なり、該化合物の生成の因子となる化合
物が生成していることが考えられる。しかし、この存在
は、ガスクロマトグラフィーによる分析では確認できな
かった。少なくとも、シス−3Me−Δ’−THPAに
ついて、酸触媒の存在下に加熱する工程は1重要な工程
である。これは下記の実施例と比較例を比較するとわか
るように、シス−3Me−Δ−THPAを用いた本発明
の酸無水物混合物とシス−3Me−Δ’−THPAを塩
基性触媒の存在下に加熱して得られる酸無水物混合物と
の間に作用効果上、顕著な差異があるからである。
Me−Δ−THPAの量が増し、ガスクロマトグラフィ
ーによる分析によるとシス−3Me−Δ’−THPA及
びトランス−3Me−Δ’−THPA以外の化合物の生
成が認められる。一方、シス−3Me−Δ’−THPA
を塩基性触媒の存在下に加熱することにより、トランス
−3Me−Δ’−THPAが生成し、これとシス−3M
e−Δ’−THPAの混合物が得られることが知られて
おシ、従って9本発明において、シス−3Me−Δ’−
THPA及びトランス−3Me−Δ’−THPA以外の
上記した化合物が生成することは、シス−3Me−Δ’
−THPAを酸触媒の存在下に加熱した時点で、シス−
3Me−Δ’−THPA、 トランス−3Me−TH
PA及び塩基性触媒の存在下での加熱後に存在が認めら
れる化合物と異なり、該化合物の生成の因子となる化合
物が生成していることが考えられる。しかし、この存在
は、ガスクロマトグラフィーによる分析では確認できな
かった。少なくとも、シス−3Me−Δ’−THPAに
ついて、酸触媒の存在下に加熱する工程は1重要な工程
である。これは下記の実施例と比較例を比較するとわか
るように、シス−3Me−Δ−THPAを用いた本発明
の酸無水物混合物とシス−3Me−Δ’−THPAを塩
基性触媒の存在下に加熱して得られる酸無水物混合物と
の間に作用効果上、顕著な差異があるからである。
酸触媒又は塩基性触媒の存在下での加熱は、いずれの場
合も、好ましくは100〜250℃、特に好オしくけ1
50〜2σ0℃で行なわれる。この温度が低すぎると加
熱処理が不十分で、充分な異性化が行なわれず、高すぎ
ると高分子量の副生物が生成しやすくなる。
合も、好ましくは100〜250℃、特に好オしくけ1
50〜2σ0℃で行なわれる。この温度が低すぎると加
熱処理が不十分で、充分な異性化が行なわれず、高すぎ
ると高分子量の副生物が生成しやすくなる。
また、酸触媒及び塩基性触媒は、それぞれ、4Me−Δ
’−THPA、シス−3Me−Δ’−THPA又はこれ
らの混合物に対して好ましくは0.05〜5重量%使用
されるのが好ましい。この量が少なすぎると加熱処理時
間が長くなυ、多すぎると高分子量の副生物が生成しや
すくなる。
’−THPA、シス−3Me−Δ’−THPA又はこれ
らの混合物に対して好ましくは0.05〜5重量%使用
されるのが好ましい。この量が少なすぎると加熱処理時
間が長くなυ、多すぎると高分子量の副生物が生成しや
すくなる。
また、酸触媒又は塩基性触媒の存在下での加熱は、いず
れの場合も2通常0.5〜20時間、好ましくは3〜1
0時間行なえばよい。
れの場合も2通常0.5〜20時間、好ましくは3〜1
0時間行なえばよい。
酸触媒の存在下での加熱終了後は、ひきつづいて又は蒸
留等によυ酸無水物を採取することによって酸触媒及び
場合により高分子量の副生物を分離した後に、塩基性触
媒の存在下での加熱に供される。
留等によυ酸無水物を採取することによって酸触媒及び
場合により高分子量の副生物を分離した後に、塩基性触
媒の存在下での加熱に供される。
塩基性触媒の存在下での加熱後は2反応生成物を精製す
ることなく又は蒸留等により触媒等を除去して精製後、
酸無水物混合物として使用に供される。
ることなく又は蒸留等により触媒等を除去して精製後、
酸無水物混合物として使用に供される。
塩基性触媒の使用量には、酸触媒の存在下での加熱後核
酸触媒を除去することなく塩基性触媒の存在下に加熱す
る場合は、酸触媒の中和分は含まれない。
酸触媒を除去することなく塩基性触媒の存在下に加熱す
る場合は、酸触媒の中和分は含まれない。
酸触媒としては、硫酸、リン酸、ポリリン酸。
BFs・エーテラート、BFs・フェノラート、AlC
l5゜TiC4% 、 ZnC1!4.カチオン交換樹
脂等を使用することができる。
l5゜TiC4% 、 ZnC1!4.カチオン交換樹
脂等を使用することができる。
塩基性触媒としては、ナトリウム、カリウム。
リチウム等のアルカリ金属の水酸化物、酸化物。
アルコラード、フェノラート等、N、N−ジブチルアニ
リン、N、N−ジエチルアニリン、ジメチルアミノエタ
ノール等の三級アミン、トリエチルベンジルアンモニウ
ムクロライド等の四級アンモニウム塩等がある。
リン、N、N−ジエチルアニリン、ジメチルアミノエタ
ノール等の三級アミン、トリエチルベンジルアンモニウ
ムクロライド等の四級アンモニウム塩等がある。
本発明における酸無水物混合物は、その製造時に、原料
となる4−Me−Δ’−THPA及び/又はシス−3M
e−Δ’−THPAにさらに、脂環式ジカルボン酸無水
物、芳香族ジカルボン酸無水物等を最初から又は途中か
ら存在させて得たものでもよく、又は、これらを反応終
了後添加して得たものでもよい。このようなジカルボン
酸無水物としては、4−M6−Δ’−T)(PA、シス
−3Me−Δ4−THPA以外に、テトラヒドロ無水フ
タル酸、3゜6−ニンドメチレンテトラヒドロ無水フタ
ル酸。
となる4−Me−Δ’−THPA及び/又はシス−3M
e−Δ’−THPAにさらに、脂環式ジカルボン酸無水
物、芳香族ジカルボン酸無水物等を最初から又は途中か
ら存在させて得たものでもよく、又は、これらを反応終
了後添加して得たものでもよい。このようなジカルボン
酸無水物としては、4−M6−Δ’−T)(PA、シス
−3Me−Δ4−THPA以外に、テトラヒドロ無水フ
タル酸、3゜6−ニンドメチレンテトラヒドロ無水フタ
ル酸。
ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フ
タル酸、無水フタル酸等がある。
タル酸、無水フタル酸等がある。
本発明に用いられるエポキシ樹脂は分子内に2個以上の
エポキシ基を含有するものであり2例えばビスフェノー
ルAとエピクロールヒドリンとから得られるビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールFとエピクロー
ルヒドリンとかう得られるビスフェノールF型エポキシ
樹脂、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロ
フタル酸、セパチン酸、ト°デカン酸等のポリカルボン
酸のグリシジルニスデル、1.4−ブタンジオール。
エポキシ基を含有するものであり2例えばビスフェノー
ルAとエピクロールヒドリンとから得られるビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールFとエピクロー
ルヒドリンとかう得られるビスフェノールF型エポキシ
樹脂、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロ
フタル酸、セパチン酸、ト°デカン酸等のポリカルボン
酸のグリシジルニスデル、1.4−ブタンジオール。
1.6−ヘキサンジオール、ポリエチレングリコール、
ボリグロビレングリコール、トリメチロールプロパン等
の多価アルコールのグリシジルエーテル、3.4−エポ
キシシクロヘキシルメチル(&4−エポキシシクロヘキ
サン)カルボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂、液状
ポリブタジェンのエポキシ化物等が挙げられる。
ボリグロビレングリコール、トリメチロールプロパン等
の多価アルコールのグリシジルエーテル、3.4−エポ
キシシクロヘキシルメチル(&4−エポキシシクロヘキ
サン)カルボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂、液状
ポリブタジェンのエポキシ化物等が挙げられる。
なお、酸無水物混合物の使用量は上記エポキシ樹脂に含
まれるエポキシ基1当量当たり、0.6〜1.3当量の
範囲が好ましい。その他の酸無水物を用いる場合にはこ
の量も含めてこの範囲とされる。
まれるエポキシ基1当量当たり、0.6〜1.3当量の
範囲が好ましい。その他の酸無水物を用いる場合にはこ
の量も含めてこの範囲とされる。
本発明に用いられる硬化促進剤としては2例えば2−エ
テル4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル4−メ
チルイミダゾール、1−ベンジル2−エチルイミダゾー
ル等のイミダゾールおよびその誘導体、トリスジメチル
アミノメチルフェノール等の第3級アミン類等が挙げら
れる。硬°化促進剤量の使用量には特に制限はないが、
酸無水物混合物100重量部当たり0.1〜660重量
部の範囲が好ましい。
テル4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル4−メ
チルイミダゾール、1−ベンジル2−エチルイミダゾー
ル等のイミダゾールおよびその誘導体、トリスジメチル
アミノメチルフェノール等の第3級アミン類等が挙げら
れる。硬°化促進剤量の使用量には特に制限はないが、
酸無水物混合物100重量部当たり0.1〜660重量
部の範囲が好ましい。
次いで上記の樹脂組成物を用いた絶縁処理された電気機
器の製造法の一例について説明する。
器の製造法の一例について説明する。
電子レンジ用トランス、点火用トランス、電磁コイル等
においては9例えばこれらを100〜150℃で0.5
〜2時間予熱したあと、上記の樹脂組成物に浸漬後5〜
30mmHHの減圧下にして0.5〜5分間保って上記
の樹脂組成物をコイルに含浸させる。その後、常圧に戻
して9例えば90〜110℃で1時間、ついで120〜
160℃で1時間含浸された樹脂組成物を加熱硬化させ
て、絶縁処理された電子レンジ用トランス等とされる。
においては9例えばこれらを100〜150℃で0.5
〜2時間予熱したあと、上記の樹脂組成物に浸漬後5〜
30mmHHの減圧下にして0.5〜5分間保って上記
の樹脂組成物をコイルに含浸させる。その後、常圧に戻
して9例えば90〜110℃で1時間、ついで120〜
160℃で1時間含浸された樹脂組成物を加熱硬化させ
て、絶縁処理された電子レンジ用トランス等とされる。
モードルのステータ、アーマチュアにおいては。
例えばこれらを100〜150℃で0.5〜2時間予熱
したあと、上記の樹脂組成物に浸漬するか。
したあと、上記の樹脂組成物に浸漬するか。
これを滴下し、常圧下または必要に応じて減圧下で0.
5〜3分間コイルに含浸させる。その後、常圧下で12
0〜150℃で2〜3時間含浸された樹脂組成物を加熱
硬化させて、絶縁処理されたモードルとされる。
5〜3分間コイルに含浸させる。その後、常圧下で12
0〜150℃で2〜3時間含浸された樹脂組成物を加熱
硬化させて、絶縁処理されたモードルとされる。
(発明の効果)
本発明の製造法により、コイル内部の線間ぺの含浸性及
びワニス硬化物の保持が改善され、信頼性に優れた絶縁
処理された電気機器が得られる。
びワニス硬化物の保持が改善され、信頼性に優れた絶縁
処理された電気機器が得られる。
(実施例)
次に9本発明の実施例を示す。以下2部及びチは、それ
ぞれ1%にことわらないかぎシ重量部及び重量%を意味
する。
ぞれ1%にことわらないかぎシ重量部及び重量%を意味
する。
実験例
(1)酸無水物混合物の製造
4Me−Δ’−THPA(融点63〜65℃)1000
部にポリリン酸3部を加え、170℃で5時間加熱し9
反応生成液(A)を少量採取し、下記ガスクロマトグラ
フィーによる分析に供した。
部にポリリン酸3部を加え、170℃で5時間加熱し9
反応生成液(A)を少量採取し、下記ガスクロマトグラ
フィーによる分析に供した。
さらに、該反応生成液囚にジメチルエタノールアミン3
部を加え、170℃で5時間加熱した。
部を加え、170℃で5時間加熱した。
得られた反応生成液を3mmHg、 131〜135℃
で減圧蒸留して淡黄色透明液体(酸無水物混合物)88
7部を得た。
で減圧蒸留して淡黄色透明液体(酸無水物混合物)88
7部を得た。
この淡黄色透明液体を少量採取し、下記ガスクロマトグ
ラフィーによる分析に供した。
ラフィーによる分析に供した。
(2) ガスクロマトグラフィーによる分析反応生成
液(A)の少量を3 mmHg、 131〜135℃で
減圧蒸留した後、ジアゾメタンにより酸無水物をジメチ
ルエステル化し、ガスクロマトグラフィーで分析した。
液(A)の少量を3 mmHg、 131〜135℃で
減圧蒸留した後、ジアゾメタンにより酸無水物をジメチ
ルエステル化し、ガスクロマトグラフィーで分析した。
その結果、4M6−Δ−THPAに基づくピーク及び4
Me−Δ’−THPAに基づくピークが、それぞれ2面
積比で28.31及び71.7%の割合で現われた。4
Me−Δ’−THPAは、その純品を同様にして分析し
たときのリテンションタイムの一致及び上記ジメチルエ
ステル化したものの核磁気共鳴(NMR)スペクトルに
おける4Me−Δ’−THPAに特有な5.62 pp
mのシグナルから同定した。また、4Me−Δ3−TH
PAは、前記(1)における酸触媒の存在下での加熱に
よシ、該化合物が生成することが知られていること及び
上記NMRスペクトルにおいて4Me−Δ”−THPA
に特有の5.44ppmのシグナルが存在することから
同定した。
Me−Δ’−THPAに基づくピークが、それぞれ2面
積比で28.31及び71.7%の割合で現われた。4
Me−Δ’−THPAは、その純品を同様にして分析し
たときのリテンションタイムの一致及び上記ジメチルエ
ステル化したものの核磁気共鳴(NMR)スペクトルに
おける4Me−Δ’−THPAに特有な5.62 pp
mのシグナルから同定した。また、4Me−Δ3−TH
PAは、前記(1)における酸触媒の存在下での加熱に
よシ、該化合物が生成することが知られていること及び
上記NMRスペクトルにおいて4Me−Δ”−THPA
に特有の5.44ppmのシグナルが存在することから
同定した。
前記(1)で得られた淡黄色透明液体(酸無水物混合物
)の少量をジアゾメタンで処理することKよりジメチル
エステル化し、ガスクロマトグラフィーで分析した。
)の少量をジアゾメタンで処理することKよりジメチル
エステル化し、ガスクロマトグラフィーで分析した。
その結果9反応生成液(A)について現われた4Me−
Δ’−THPAに基づくピーク及び4Me−Δ3−’r
HPAに基づくピーク以外に、二つのピークが現われた
。
Δ’−THPAに基づくピーク及び4Me−Δ3−’r
HPAに基づくピーク以外に、二つのピークが現われた
。
この二つのピークを各々、4Me−THPA■及び4M
e−THPA■に基づくものとする。ピークの出現する
順序は、4M6−Δ’−T’HPA、4Me−Δ3−T
HPA、4Me−THPA■及び4Me−THPA■の
順序であシ、各ピークの面積比率は、順に14.1チ、
1&5チ、30.4チ及び37.0チであった。
e−THPA■に基づくものとする。ピークの出現する
順序は、4M6−Δ’−T’HPA、4Me−Δ3−T
HPA、4Me−THPA■及び4Me−THPA■の
順序であシ、各ピークの面積比率は、順に14.1チ、
1&5チ、30.4チ及び37.0チであった。
なお、上記4Me THPA■及び4Me−THPA
■は、ともに、4Me−Δ’−THPAを出発原料とし
、構造異性化触媒として知られる酸触媒及び立体異性化
触媒として知られる塩基性触媒の存在下に加熱すること
によシ生成されるので、4−メチルテトラヒドロ無水フ
タル酸であって+ 4 Me −Δ’−THPA及び
4Me−Δ3− T HP Aに対して異性体であると
考えられる。
■は、ともに、4Me−Δ’−THPAを出発原料とし
、構造異性化触媒として知られる酸触媒及び立体異性化
触媒として知られる塩基性触媒の存在下に加熱すること
によシ生成されるので、4−メチルテトラヒドロ無水フ
タル酸であって+ 4 Me −Δ’−THPA及び
4Me−Δ3− T HP Aに対して異性体であると
考えられる。
実施例1,2
実験例において4Me−Δ’−THPA 1000部
の代わシに4Me−Δ’−THPA 700部とシス−
3Me−Δ’−THPA 300部の混合物を使用した
以外は、実験例と同様にして淡黄色透明な酸無水物混合
物(I) 885部を得意。
の代わシに4Me−Δ’−THPA 700部とシス−
3Me−Δ’−THPA 300部の混合物を使用した
以外は、実験例と同様にして淡黄色透明な酸無水物混合
物(I) 885部を得意。
25℃における粘度は2&2センチポアズであり、−1
5℃で15日間放置しても析出しなかった。またガスク
ロ分析の結果、異性化が起っていることを確認した。
5℃で15日間放置しても析出しなかった。またガスク
ロ分析の結果、異性化が起っていることを確認した。
実施例3
ナフサの分解によって得られ九〇s留分からシクロペン
タジェンを除く処理をした留分と無水マレイン酸を加熱
反応させてp4Me−Δ’−THPA 70チ及びシス
−3Me−Δ’−THPA 27%及び3.6−ニン
ドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸3チからなる原料
酸無水物混合物1000部にポリリン酸3部を加え、1
80℃で5時間加熱した。つムで、得られた反応生成液
にジメチーータノーーアミンを添加し、さらに180℃
で5時間加熱した。
タジェンを除く処理をした留分と無水マレイン酸を加熱
反応させてp4Me−Δ’−THPA 70チ及びシス
−3Me−Δ’−THPA 27%及び3.6−ニン
ドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸3チからなる原料
酸無水物混合物1000部にポリリン酸3部を加え、1
80℃で5時間加熱した。つムで、得られた反応生成液
にジメチーータノーーアミンを添加し、さらに180℃
で5時間加熱した。
ついで、減圧蒸留して淡黄色透明な酸無水物混合物([
1855部を得た。
1855部を得た。
25℃における精成は32.5センチポアズであυ、−
15℃で15日間放置後も結晶は析出しなかった。
15℃で15日間放置後も結晶は析出しなかった。
実施例4
4Me−Δ’−THPAを300部及びシス−3Me−
Δ’−T HPAを700部とした以外、実験例と同様
にして淡黄色透明の酸無水物(III)を得た。
Δ’−T HPAを700部とした以外、実験例と同様
にして淡黄色透明の酸無水物(III)を得た。
25℃における粘度は26.Oセンチポアズであj5.
−15℃で15日間放置後も結晶は析出しなかった。
−15℃で15日間放置後も結晶は析出しなかった。
以上で得た3種の酸無水物混合物を用いて表1に示す配
合の樹脂組成物を作成し、ワニスの粘度。
合の樹脂組成物を作成し、ワニスの粘度。
硬化物の機械強度、モデルコイルでの含浸率、浸水後の
絶縁抵抗を評価した。
絶縁抵抗を評価した。
比較例1〜2
実施例3で用いた原料酸無水物混合物1000部にポリ
リン酸3部加えて180℃で5時間加熱した。ついで減
圧蒸留によって972部の淡黄色透明液体を得た。
リン酸3部加えて180℃で5時間加熱した。ついで減
圧蒸留によって972部の淡黄色透明液体を得た。
25℃における粘度は56.0センチポアズであり、−
15℃で15日間放置後も結晶は析出しなかった。
15℃で15日間放置後も結晶は析出しなかった。
この異性化Me−THPAを用いて2表IK示す配合の
樹脂組成物を作成し、実施例と同様に評価した。
樹脂組成物を作成し、実施例と同様に評価した。
表1から明らかなように9本発明における樹脂組成物を
用いて絶縁処理することによって、コイル内部への含浸
性及びワニス硬化物の保持率が向上され、信頼性に優れ
た電気機器の製造が可能となる。
用いて絶縁処理することによって、コイル内部への含浸
性及びワニス硬化物の保持率が向上され、信頼性に優れ
た電気機器の製造が可能となる。
以下余白
(試験方法)
1.粘度
均一に混合した樹脂組成物300gを300m1!ビー
カーに入れ、25℃での粘度をBL型回転粘度計(東京
計器製)で測定した。
カーに入れ、25℃での粘度をBL型回転粘度計(東京
計器製)で測定した。
2 機械強度(引張シ強さ、伸び率)
JIS K 6301 1号ダンベルの金型に樹脂
組成物を注入し、120℃で1時間更に、150℃で2
時間加熱して、試験片を作成する。この試験片を用いて
、23℃における引張シ強さ、伸び率を、高車製作所製
オートグラフl5−10Tで測定した。
組成物を注入し、120℃で1時間更に、150℃で2
時間加熱して、試験片を作成する。この試験片を用いて
、23℃における引張シ強さ、伸び率を、高車製作所製
オートグラフl5−10Tで測定した。
λ モデルコイルの含浸率
第1図に断面図を示すモデルコイルを用いて行なった。
高さ20−のポリブチレンテレフタレート製ボビンに直
径0.29mmの1種仕上げのポリエステルエナメル銅
線(IPEWと略す)2を2本パラ巻キで、1300タ
一ン巻いたモデルコイルを作成する。このモデルコイル
を100℃で1時間予熱したあと、室温に10分間放置
する。その後、モデルコイルを樹脂組成物に浸漬し、3
0mmHgの減圧下で2分間保って、樹脂組成物を含浸
させた後に常圧にもどし、モデルコイルを120℃で2
時間加熱して樹脂組成物を硬化させた。このモデルコイ
ルの中央部を切断し、樹脂組成物の含浸性を顕微鏡で観
察し、含浸率を下記の式から■=コイル内のボイドの数 4、浸水後の絶縁抵抗 モデルコイルの含浸率の評価に用いたものと同じモデル
コイルを作成し、同じ条件で、樹脂組成物を含浸及び加
熱硬化させた。このモデルコイルを80℃の水に7日間
浸漬したあと、水の中から取出し、室温に10分間放置
した。室温に10分間放置したモデルコイルの巻線間の
絶縁抵抗を安 ゛藤電機製、TR−8601型超
絶縁抵抗計を用いて測定した。
径0.29mmの1種仕上げのポリエステルエナメル銅
線(IPEWと略す)2を2本パラ巻キで、1300タ
一ン巻いたモデルコイルを作成する。このモデルコイル
を100℃で1時間予熱したあと、室温に10分間放置
する。その後、モデルコイルを樹脂組成物に浸漬し、3
0mmHgの減圧下で2分間保って、樹脂組成物を含浸
させた後に常圧にもどし、モデルコイルを120℃で2
時間加熱して樹脂組成物を硬化させた。このモデルコイ
ルの中央部を切断し、樹脂組成物の含浸性を顕微鏡で観
察し、含浸率を下記の式から■=コイル内のボイドの数 4、浸水後の絶縁抵抗 モデルコイルの含浸率の評価に用いたものと同じモデル
コイルを作成し、同じ条件で、樹脂組成物を含浸及び加
熱硬化させた。このモデルコイルを80℃の水に7日間
浸漬したあと、水の中から取出し、室温に10分間放置
した。室温に10分間放置したモデルコイルの巻線間の
絶縁抵抗を安 ゛藤電機製、TR−8601型超
絶縁抵抗計を用いて測定した。
第1図は実施例、比較例で行なったモデルコイルの含浸
率及び浸水後の絶縁抵抗の試験に用いたモデルコイルの
断面の略図である。 符号の説明
率及び浸水後の絶縁抵抗の試験に用いたモデルコイルの
断面の略図である。 符号の説明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)エポキシ樹脂 (B)4−メチル−Δ4−テトラヒドローシス、シス−
無水フタル酸 及び/又は シス−3−メチルーΔ4−テトラヒドローシス、シス−
無水フタル酸 を酸触媒の存在下に加熱したのち、塩基性触媒の存在下
に加熱して得られる酸無水物混合物 ならびに (C)硬化促進剤 を含有する樹脂組成物を用いて絶縁処理することを特徴
とする絶縁処理された電気機器の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13376685A JPS61292807A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 絶縁処理された電気機器の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13376685A JPS61292807A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 絶縁処理された電気機器の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61292807A true JPS61292807A (ja) | 1986-12-23 |
JPH0514727B2 JPH0514727B2 (ja) | 1993-02-25 |
Family
ID=15112458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13376685A Granted JPS61292807A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 絶縁処理された電気機器の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61292807A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002155070A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 低粘度の液状酸無水物の製造方法およびエポキシ樹脂組成物 |
EP2036936A4 (en) * | 2006-04-12 | 2011-01-26 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | OXYGEN-ABSORBING RESIN, OXYGEN-ABSORBING RESIN COMPOSITIONS AND OXYGEN ABSORBING CONTAINERS |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5326924A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-13 | Hitachi Ltd | Manu facturing method of fly-back transformer |
JPS5589277A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-05 | Nippon Zeon Co Ltd | Preparation of liquid dibasic acid anhydride |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP13376685A patent/JPS61292807A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5326924A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-13 | Hitachi Ltd | Manu facturing method of fly-back transformer |
JPS5589277A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-05 | Nippon Zeon Co Ltd | Preparation of liquid dibasic acid anhydride |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002155070A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 低粘度の液状酸無水物の製造方法およびエポキシ樹脂組成物 |
EP2036936A4 (en) * | 2006-04-12 | 2011-01-26 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | OXYGEN-ABSORBING RESIN, OXYGEN-ABSORBING RESIN COMPOSITIONS AND OXYGEN ABSORBING CONTAINERS |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0514727B2 (ja) | 1993-02-25 |
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