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JPS61278146A - 光処理方法 - Google Patents

光処理方法

Info

Publication number
JPS61278146A
JPS61278146A JP60120263A JP12026385A JPS61278146A JP S61278146 A JPS61278146 A JP S61278146A JP 60120263 A JP60120263 A JP 60120263A JP 12026385 A JP12026385 A JP 12026385A JP S61278146 A JPS61278146 A JP S61278146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
film
processed
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60120263A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Sekine
誠 関根
Haruo Okano
晴雄 岡野
Yasuhiro Horiike
靖浩 堀池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60120263A priority Critical patent/JPS61278146A/ja
Priority to EP86304182A priority patent/EP0204538A3/en
Publication of JPS61278146A publication Critical patent/JPS61278146A/ja
Priority to US07/180,687 priority patent/US4844774A/en
Priority to US07/622,275 priority patent/US5112645A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、光化学反応を利用してエツチング或いは膜形
成等を行う光処理方法に関する。
（発明の技術的背景とその問題点） 近年、集積回路は微細化の一途を辿り、最近では最少パ
ターン寸法が１〜２［μ広］の超ＬＳＩも試作開発され
るに至っている。このような微細加工には、プラズマエ
ツチング技術が不可欠である。プラズマエツチング技術
の一つとして、平行平板型電極を有する容器内ＣＦ４等
の反応性ガスを導入すると共に、１３．５６　　［ＭＨ
２］の高周波電力が印加される電ＩＩＩ（ＩＩ！橿）上
に試料を置き、各電極間にグロー放電を生起してプラズ
マを生成し、陰極上に生じる陰極降下電圧によりプラズ
マ中の正イオンを加速し、このイオンにより試料を衝撃
してエツチングする方法がある。この方法は、反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ）法と称されるもので、現在微
細加工技術の主流となっている。
しかし、この種の方法ではエツチングすべき試料がプラ
ズマ中に置かれているため、イオンや電子等の荷電粒子
の帯電による酸化膜の破壊、ソフトＸ線による閾値電圧
のシフト、酸化膜中へのトラップの誘起の他、チャンバ
内壁からの金属汚染等の種々のラジエーションダメージ
を生じていた。
これらのラジエーションダメージには、デバイスの超Ｌ
ＳＩ化にとって致命傷となる要因が多く含まれており、
このため照射損傷のない無ダメージのエツチング技術が
切望されている。
無ダメージのドライエツチング技術としては、最近グロ
ー放電中のガス温度だけの運動エネルギーしか持たない
原子状のＦビームによる３ｉやポリＳ１の異方性エツチ
ング　（例えば、Ｈ，Ａｋｉｙａ、　ｐｒＯｃ、　３ｒ
ｄ　、　Ｓｙｕ、　ｏｎ　Ｄ　ｒｙ　ｐｒｏｃｅｓｓｅ
ｓ、　Ｐ１１９　　（１９８１）　）やレーザや紫外光
を用いたエツチング（例えば、Ｔ　、　Ｊ　、　ｃｈｕ
ａｎｇ　；　Ｊ　、　ｃｈｅｗ、　ｐｈｙｓ。
７４、１４５３（１９８１）　：　Ｈ，０ｋａｎｏ、　
Ｔ、　Ｙａｍａｌａｋｉ　。
Ｍ、　５ｅｋｉｎｅ　ａｎｄ　Ｙ、　Ｈｏｒｔｉｋｅ、
　ｐｒｏｃ、　ｏｆ　４　ｔｈ３ｙｍｐ、ｏｎ　Ｑ　ｒ
ｙ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、　Ｐ　６　（１９８２）　）
等が報告され、無損傷、異方性エツチングの可能性が示
されている。
また、本発明者等の研究によれば、Ｈａ−Ｘｅランプに
より発した紫外線照射によるＣＱ２雰囲気中でのポリ３
ｉエツチングにおいて、従来報告されているイオンアシ
ストエツチング（例えば、Ｊ、　Ｗ、　Ｃｏｂｕｒｎ　
ａｎｄ　Ｈ，Ｆ、　Ｗｉｎｔｅｒｓ、　Ｊ、　Ａｐｐｌ
　、　ｐｈｙｓ、　ｓｏ、　３）８９　（１９７９）　
）と同様の効果が見出だされたく例えば、Ｈ，０ｋａｎ
ｏ、　Ｔ、　Ｙａｍａｚａｋｉ　、　Ｍ、　５ｅｋｉｎ
ｅ　ａｎｄ　Ｙ、　Ｈｏｒｉｉｋｅ、　ｐｒｏｃ、ｏｆ
４　ｔｈ　５ｙｍｐ、　ｏｎ　Ｄ　ｒｙｐｒｏ（！ａｓ
ｓｅｓ、　Ｐ　６　（１９８２）　）。即ち、光照射面
のエツチング反応が非照射面に比べて著しく促進される
と云う効果である。この効果はアンドープポリＳ１．単
結晶Ｓ１．ボロンを添加したＰタイプポリ３ｉにおいて
顕著であるが、例えばリンを高濃度に添加したｎ“ポリ
Ｓｉ。
Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ或いはそのシリサイド化合物においても
同様に認められた。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、気相中で光解離した反応性ガスラジカ
ルのマスク下への侵入及び被エツチング面からの僅かな
散乱光により、第８図（ａ）に示す如くエツチングマス
ク８１下にアンダーカット８２を生じることである。特
に、上記エツチングマスク８１としてフォトレジストを
用いた場合、該レジストが前記光に対して透明でありレ
ジスト下にも光が照射されることになり、上記アンダー
カット８２が生じ易くなるのである。そして、このアン
ダーカット８２は、素子の微細化を防げる大きな要因と
なり、超ＬＳＩでは致命的な欠点となる。なお、図中８
３はポリ３ｉ等の被エツチング試料、８４は５ｉＯｚ！
！、８５は８１Ｍ板を示している。
一方、第８図（１））は最近ＲＩＥにおける研究におい
て次第に明らかにされてきた異方性エツチングの機構を
説明するためのものである。最近の研究によれば、エツ
チング壁８６において、例えばエッチャントであるＣＩ
ラジカルと添加ガスである０２　ＦＢから生じたＣＦ４
ラジカルとの再結合反応（例えば、Ｃ，Ｊ、　Ｍｏｏａ
ｂ　　ａｎｄ　Ｈ，Ｊ。
Ｌｅｖｉｎｓｔｅｉｎ　　：　　Ｊ　、Ｖａｃ、３ｃｉ
、　　Ｔｅｃｈｎｏｌ、１７゜７２）　　（１９８０）
　）によりエツチング壁８６での横方向エツチングを防
ぐか、或いは該壁８６にエツチングマスクであるレジス
ト等の分解物や放電生成物である種々の不飽和モノマー
が付着してエッチャントの攻撃を防ぐ（例えば、Ｒ，Ｈ
，３ｒｕｃｅａｎｄ　Ｇ、　Ｐ、　Ｍａｌａｆｓｋｙ　
：　Ｅ、　Ｃ，Ｓ、　ｍｅｅｔｉｎｇ　。
Ａｂｓ、　Ｎｏ２８８　、　Ｄｅｎｖｅｒ　、　１９８
１　　或イハ山崎隆、岡野晴雄、堀池Ｎ４浩、第３０回
応用物理学界予稿集、春委、１９８３）等の機構が妥当
性を持つものと考えられている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、被処理基体に照射損傷等を与えること
なく異方性エツチング、ＷＩ躾堆積等を行うことができ
、半導体デバイスの微細化及び高集積化に寄与し得る光
処理方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、所定のエツチングガス或いは堆積ガス
中の被処理基体に、複数の光を略垂直に且つ交互に照射
することにあり、これにより光化学反応をより細かく制
御することを可能とし、プロセスの均一性、制御性を大
幅に向上することにある。
即ち本発明は、被処理基体を収容した真空容器内に所定
のガス及び所定波長の光を導入し、光化学反応により上
記被処理基体を処理する光処理方法において、前記光と
して異なる波長を持つ第１及び第２の光を用い、これら
の光を前記被処理基体の表面に対し略垂直に照射し、且
つ上記光のうち少なくとも第１の光を間欠的に照射する
ようにした方法である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、光化学反応を利用した半導体装置表面
の処理が照射損傷なく精密に行うことができる。また、
選択的に光照射しパターン転写を行う場合や基板の段差
のある場合においても大幅に均一性を向上でき、制御性
のよいエツチング。
堆積を可能とし、半導体素子の微細化及び高集積化に寄
与し得る等の効果を奏する。
（発明の実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の第１の実施例方法に使用した光処理装
置を示す概略構成図である。図中１１は光処理室を形成
する真空容器（反応容器）であり、この容器１１内には
被処理基体１２を載置するサセプタ１３が配置されてい
る。サセプタ１３には上記被処理基体１２を加熱するヒ
ータ（図示せず）等が取着され、さらにサセプタ１３は
Ｘ−Ｙ方向に走査可能な構造となっている。また、容器
１１にはガス導入口１４が設けられている。このガス導
入口１４からはＣ１１２等の反応性ガスが流量制御器を
介して導入され、さらにＳｉ（ＣＨ３）４等の堆積用ガ
スが流量制御器を介して導入されるものとなっている。
また、容器１１には該容器１１内を真空排気するための
ガス排気口１５が設けられている。
一方、真空容器１１の上方には、前記反応性ガスを解離
するための第１の光１１６が配置されている。この光源
１６は、例えば波長３５０　［ｎｍ］に発光中心を持つ
ＸｅＦレーザである。光源１６からの第１の光は容器１
１の上壁に設けられた紫外光通過窓１７及び反射ミラー
１８を介して容器１１内に導入され、前記サセプタ１３
上の被処理基体１２の上面に垂直に照射されるものとな
っている。また、容器１１の上方には、第１の光源１６
と対向して第２の光源１９が配置されている。
この光源１９は、例えばＦ２エキシマレーザである。ミ
ラー１８は図示していない機構により回転することがで
き、第１の光と第２の光を交互に反射することで被処理
基体１２上に交互に照射されるものとなっている。なお
、光源１６．１９に例えばパルスレーザを用いた場合は
、レーザの発振とミラーの回転を同期させることは言う
までもない。
次に、上記装置を用いたエツチング方法について説明す
る。被エツチング試料としては、ｎ＋ポリ３ｉを用いた
。即ち、まず第２図（ａ）に示す如＜Ｓｉ基板２０上に
５ｉＯｚ膜２）を堆積し、この上に被エツチング試料で
あるｎ“ポリ５ｉｌ１２２を堆積し、さらにポリＳ１膜
２２上にホトレジストからなるエツチングマスク２３を
形成した。
次いで、上記構造の被処理基体１２を前記第１図に示す
エツチング装置のサセプタ１３上に載置し、次のように
してエツチングを行った。容器１１内に導入する反応性
ガスとしてはＣ２２，堆積用ガスとしてはＳｉ（ＣＨ３
）４を用いた。また、第１の光源１６からの光は波長Ｘ
ｅＦレーザ光（３５０ｎｍ）とし、第２の光１１１９か
らの光はＦ２エキシマレーザ光（１５７ｎｍ）とした。
容器１１内に導入された反応性ガスであるＣ（１２は第
１の光２５により解離され、ＣＱラジカルを生成する。
この０℃ラジカルは被エツチング試料としてのｎ＋ポリ
３ｉ膜２２をエツチングする。
一方、堆積用ガスとしての５ｉ（ＣＨｌ＞４ガスは第２
の光２６により解離し、第２図（ｂ）に示す如く不揮発
生の堆積１１２４をｎ＋ポリ３ｉ膜２２及びマスク２３
の表面に形成することになる。
ｎ＋ポリＳ（膜２２上に堆積した膜２４は、Ｃ２ラジカ
ルからｎ＋ポリＳｉｌ！２２を保護し、この部分でのエ
ツチングは進行しなくなる。これに対して、次に第１の
光２５が照射された時は、第２図（Ｃ）に示す如く光照
射面２７においては堆積［１２４及びｎ＋ポリ５ｉｌｌ
！２２のエツチングが促進される。一方、パターン側ｗ
２８では堆積膜２４が保護膜となりアンダーカットを防
止する。
このサイクルを繰返すことにより垂直なエツチング形状
が得られる。
なお、ここで用いたＣβ２とＳｉ　（ＣＨ３）４は第１
及び第２の光源１６．１９からの光２５゜２６を同時に
照射し解離すると、気相中で化学反応を起こしＳｉ　　
（ＣＨｘＣｆｆｉ３ｘ）＋　　（Ｘ−０〜２）が生成さ
れウェハ全面に堆積膜が形成される。
この堆積膜は前述の保護膜と同様にパターン側壁でのア
ンダカットを防ぐが、光照射面においては光化学反応に
よりエツチングされるものではなく、光の熱的効果によ
り気化され除去されることとなる。従って、その制御性
は低い。つまり、光照射により垂直方向にエツチングが
進行するが、パターン側壁まで熱伝導により昇温し、特
に側壁の下方では保護膜の形成が不充分となる。また、
この作用はパターン幅が狭くなるほど顕著になり、将来
のサブミクロン幅の微細加工には適用できない。
従って、エツチング、堆積それぞれの励起種が反応する
場合には、それぞれの活性種の寿命より長い間隔で交互
に光照射し、反応をウェハ表面に限定すればよい。
上記の実施例ではそれぞれの活性種の寿命は極めて短く
、堆積膜の形成とエツチングを交互に速い周期で繰返す
ため、１回のサイクルでエツチングされる深さは数〜数
１０［大コのオーダーである。従って、アンダーカット
は最大で数１０［入］生じることとなるが、これはｏ、
ｏｉ　ｃμｍ］程度であり全く問題ない。そのため、非
常に制御性良くエツチングが行えることとなる。また、
１回でエツチングされる量は少ないが、速い繰返しで行
うため高いエツチング速度が可能になる。
第３図は第２の実施例方法に使用した光処理装置を示す
概略構成図である。真空容器１１内には、被処理基板１
２がサセプタ１３に載置されている。
真空容器１１内に導入するガスとしては、例えば堆積ガ
スとしての０２　Ｆ４を用いる。ガス圧力としては、数
１０　［ｔｏｒｒ］程度がよい。真空容器１１の上方に
は、第１の光源１６であるＸｅ０ｇエキシマレーザ（３
０８ｎｍ）が配置され、この光はハーフミラ−３８によ
り被処理基体１２上に一様に照射される。一方、第２の
光源１９はＡｒＦエキシマレーザであり、その光はＩＣ
パターン３）が形成されているマスク３０を通し、その
パターンを被処理基体１２上へ投影できる光学レンズ系
３２を介して被処理基体上に選択的に照射される。
第４図は第３図中で示した被処理基体表面付近の断面図
である。０２　Ｆ４雰囲気で波長３００［ｎｍ］程度の
紫外光が照射されると、気相中では０２　Ｆ４は分解さ
れるが表面４２で重合を起こし、第４図（ａ）に示す如
く弗素樹脂ＷＡ４３が形成される。一方、このｗＡ４３
はさらに短波長の強い光４４を照射することにより、連
発によって分解することが可能である。そのため、第３
図に示した構成で第４図（ｂ）に示すように全面にＸｅ
Ｃλレーザ光４５２選択的にＡｒＦレーザ光４光合４射
することにより、被処理基体１２上に弗素樹脂系の１１
４２を選択的に形成することができる。また、堆積ガス
としてＭＭＡを用いても、略同様の構成でＰＭＭＡを選
択的に堆積できることも確認された。
また、被処理基体は堆積膜の種類により昇温或いは冷却
することで、反応速度の向上と、躾を除去する部分で残
漬等の起こらないプロセスが可能となる。さらに、選択
的な光照射でパターンを形成する場合は、サセプタ１３
をステップアンドリピート方式に移動させて大面積ウェ
ハ全体を処理してもよい。また、光の照射方法は１つの
光をウェハへ集光照射し、或いはさらにこれを走査し、
一方他の光を全面に一括照射して前記集光した光での反
応を促進するなどの方法もとれる。
第５図は第３の実施例方法を説明するための図である。
これは、例えば光の照射された部分のみエツチングの進
むノンドープポリ３ｉをエツチングする場合の例である
。また、第６図はノンドープポリＳ１をＣ（１２中で水
銀ランプ光を照射してエツチングした場合のパターンの
溝幅に対するエツチング速度を（１０μｍ以上の溝幅で
のエツチング速度を１とした）を求めた結果である。
第６図から、溝幅が０．５［μＴｒＬ］程度になってく
るとエツチング速度は徐々に低下してくることが判る。
これは、細い溝になるほど光が進入し難くなることに起
因すると考えられる。そのため、例えば最少溝幅０．３
〔μ乳〕のパターンの部分を全てエツチングする場合に
は、広い幅の部分では１００［％］のオーバーエツチレ
ーザとなってしまう。しかし、本発明を用いることによ
り均一性よくエツチングすることが可能となる。つまり
、第５図（ａ）に示す如く全体に一様に光照射５６を行
うと溝幅が０．５Ｅμｍ］以下の狭い部分５７では他に
比ベエッチング速度が遅くなる。そこで、次の瞬間には
第５図（ｂ）に示す如く５７の部分にのみ選択的に光照
射する。この操作を繰返すことにより、全面で略同じエ
ツチング速度でエツチングを行うことが可能となる。こ
の手法は、段差のある部分での堆積においても同様に実
施できる。第１図（ａ）に示すように基板７１に段差の
ある部分７２では、同図（ｂ）に示す如く段差の壁の部
分で堆積が少なくその部分で電気的接続が切れてしまう
。そこで、本発明を用い段差部の光ｌを増加させること
で、第１図（Ｃ）に示す如くこれを防ぐことができる。
なお、本発明は上述した各実護例に限定されるものでは
ない。実施例ではエツチング及び堆積について説明した
が、本発明は光酸化や不純物ドーピング等にも適用する
ことができる。例えば、前記第１図に示す装置でＣＱ２
＋０２を導入すれば、均一性の良い選択酸化が可能であ
る。また、浅い接合深さを必要とするプロセスでは、本
発明を用いることにより選択的にその深さを変えること
ができる。つまり、所望の接合深さにより、露光される
光を代えるようにすればよい。また、初めの実施例で述
べた垂直エツチングの膜形成用ガスとしてはＳｔ　　（
ＣＨ３）４に限らず、有機シラン類。
有機ゲルマニウム類、有機アルミニウム類、有機ホスフ
ィン類２有機ボラン類、有機アルシン類等の有機金属化
合物若しくはそのハロゲン誘導体。
あるいはシラン、アルシンフォスフイン類であれば用い
ることが可能である。
さらに、被処理基体に照射する光は、用いるガスや基板
等により最適な波長を選択することは言うまでもなく、
光源エキシマレーザに限らず前記堆積膜を連発するか或
いは反応性ガスの活性種と堆積膜との反応を促進する波
長を持てばよい。また、ＣＷ（連続発振）レーザとパル
スレーザとを組み合せ、ＣＷレーザを基板全面に照射す
ると共に、パルスレーザを例えばＩＣマスクパターンを
投影する等して選択的に照射することで、選択堆積或い
はエツチングを効率的に行うことも可能となる。さらに
、光の代りにＸ線を用いることも可能である。また、被
処理基体としては例えばシリコン、ゲルマニウム等の半
導体材料の他にアルミニウム、タングステン、モリブデ
ン等の金属材料、さらには酸化シリコン、窒化シリコン
等の絶縁材料を用いることもできる。その他２本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例方法に使用した光処理装
置を示す概略構成図、第２図は上記装置を用いたエツチ
ング工程を示す断面図、第３図は第２の実施例方法に使
用した光処理装置を示す概略構成図、第４図は第３図の
装置を用いた膜形成工程を示す断面図、第５図乃至第１
図はそれぞれ第３の実ｍ例方法を説明するためのもので
第５図は工程断面図、第６図は特性図、第１図は工程断
面図、第８図は従来例を説明するための断面図である。 １１・・・真空容器、１２・・・被処理基体、１３・・
・サセプタ、１４・・・ガス導入口、１５・・・ガス排
気口、１６・・・第１の光源、１７・・・紫外光通過窓
、１８・・・反射ミラー、１９・・・第２の光源、２０
・・・８１基板、２）・＝Ｓｉ０２）１！、２２−・・
ポＩＪ　Ｓ　ｉ　ＩＩ！、２３−Ｘッチングマスク、２
４・・−堆積膜、２５・・・第１の光、２６・・・第２
の光。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 濤鴇（、ａｍ）− ｗ！ｈ７因 第８図 手続補正書 １．事件の表示 特願昭６０−１２０２６３号 ２、発明の名称 光処理方法及び光処理装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 （３０７）　　株式会社　東芝 ４、代理人 ８、補正の内容 （１）　　発明の名称を、下記の通りに訂正する。 記 光処理方法及び光処理装置 （２、特許請求の範囲の記載を別紙の通りに訂正する。 （３明細書の第３頁６行目及び第１頁１７行目にそれぞ
れ「光処理方法」とあるのを、［光処理方法及び光処理
装置］と訂正する。 （４）明１１［１１の第８頁２行目に「且つ交互に」と
あるのを、抹消する。 （５）明細書の第８頁１１行目から同頁１２行目に「照
射し、〜間欠的に」とあるのを、抹消する。 （６）明細書の第８頁１３行目と１４行目との間に、下
記の文章を挿入する。 記 また本発明は、上記光処理方法を実施するための光処理
装置において、被処理基体を収容する真空容器と、この
容器内に所定のガスを導入する手段と、上記容器内のガ
スを排気する手段と、前記被処理基体の表面に光を略垂
直に照射する第１の光源と、前記被処理基体の表面に上
記光とは波長の異なる光を略垂直に照射する第２の光源
とを設けるようにしたものである。 （７）明細書の第８頁１６行目に「処理が」とあるのを
、「処理を」と訂正する。 （８）明ＩＩＩＩ書の第９頁１行目と同頁２行目との間
に、下記の文章を挿入する。 記 ここで、本発明をエツチング及び堆積に適用した場合の
効果について更に詳しく説明すると、次の通りである。 即ち、本発明をエツチングに適用した場合、第１の光と
してガスと被処理基体との反応を促進する波長を選択し
、第２の光として反応生成物の被処理基体からの脱離を
促進する波長を選択することにより、エツチング速度の
高速化をはかり得る。 また、本発明を堆積に適用した場合、第１の光としてガ
スと被処理基体との反応を促進する波長を選択し、第２
の光として反応生成物とガスとの反応を促進する波長を
選択することにより、堆積速度の高速化をはかり得る。 この場合、第１の光の照射は最初だけでもよい。 また、堆積膜を形成しながらエツチングする方法に適用
した場合、第１の光としてエツチングガスを解離する波
長を選択し、第２の光として堆積ガスを解離する波長を
選択することにより、深い溝であっても十分に異方性エ
ツチングすることができる。即ち、エツチングガスを解
離するための第１の光を基体表面に垂直照射すると共に
、堆積用ガスを解離するための第２の光を基体表面に平
行に照射する方法では、溝が深い場合堆積用ガスの活性
種が溝の底部までとどかないことがあり、溝の底部まで
異方性エツチングすることが困難となる。これに対し、
第２の光をも基体表面に対し垂直に照射することにより
、深い溝の底部であっても堆積用ガスの活性種が十分に
とどくことになり、上記問題は解決されるのである。ま
た、第１及び第２の光を基体表面に垂直に照射する場合
、真空容器に設ける光透過窓が１つで済むことになリ、
構造的にも簡略化されるのである。 ２、特許請求の範囲 （１）被処理基体を収容した真空容器内に所定のガス及
び所定波長の光を導入し、光化学反応により上記被処理
基体を処理する光処理方法において、前記光として異な
る波長を持つ第１及び第２の光を用い、これらの光を前
記被処理基体の表面に対し略垂直に罠」社」二盃−こと
を特徴とする光処理方法。 （２前記第１及び第２の光は、前記被処理基体に交互に
照射されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光処理方法。 （３前記容器内に導入するガスは、少なくともハロゲン
元素を含む反応性ガスと、窒素、酸素及び炭素の少なく
とも一つを含む膜形成用ガスであることを特徴とする特
許請求の範囲第一１項記載の光処理方法。 （４）前記第１の光は前記反応性ガスを解離する波長を
有し、前記第２の光は前記膜形成用ガスを解離するか、
或いは前記被処理基体表面若しくは該表面に堆積した膜
を励起する波長の少なくとも一方の波長を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３項記載の光処
理方法。 （５）前記被処理基体は、前記容器内でサセプタに固定
され、昇温或いは冷却されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光処理方法。 （６１前記処理は、エツチング若しくは膜形成であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光処理方法
。 （７）　　前記第１の光は、マスクを透過して前記被処
理基体に選択的に照射されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光処理方法。 Ｂ）前記第１の光はパルスレーザであり、前記第２の光
はＣＷ（連続発振）レーザであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光処理方法。 （９）　　前記第１の光は、前記被処理基体の表面に集
光されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光処理方法。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）被処理基体を収容した真空容器内に所定のガス及
    び所定波長の光を導入し、光化学反応により上記被処理
    基体を処理する光処理方法において、前記光として異な
    る波長を持つ第１及び第２の光を用い、これらの光を前
    記被処理基体の表面に対し略垂直に照射し、且つ上記光
    のうち少なくとも第１の光を間欠的に照射することを特
    徴とする光処理方法。
  2. （２）前記第１及び第２の光は、前記被処理基体に交互
    に照射されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の光処理方法。
  3. （３）前記容器内に導入するガスは、少なくともハロゲ
    ン元素を含む反応性ガスと、窒素、酸素及び炭素の少な
    くとも一つを含む膜形成用ガスであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の光処理方法。
  4. （４）前記第１の光は前記反応性ガスを解離する波長を
    有し、前記第２の光は前記膜形成用ガスを解離するか、
    或いは前記被処理基体表面若しくは該表面に堆積した膜
    を励起する波長の少なくとも一方の波長を有することを
    特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３項記載の光処
    理方法。
  5. （５）前記被処理基体は、前記容器内でサセプタに固定
    され、昇温或いは冷却されることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の光処理方法。
  6. （６）前記処理は、エッチング若しくは膜形成であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光処理方法
    。
  7. （７）前記第１の光は、マスクを透過して前記被処理基
    体に選択的に照射されることを特徴とする特許請求の範
    囲１項記載の光処理方法。
  8. （８）前記前記第１の光はパルスレーザであり、前記第
    ２の光はＣＷ（連続発振）レーザであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載の光処理方法。
  9. （９）前記第１の光は、前記被処理基体の表面に集光さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光処
    理方法。
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