JPS6127632A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS6127632A JPS6127632A JP14896784A JP14896784A JPS6127632A JP S6127632 A JPS6127632 A JP S6127632A JP 14896784 A JP14896784 A JP 14896784A JP 14896784 A JP14896784 A JP 14896784A JP S6127632 A JPS6127632 A JP S6127632A
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエツチング方法、特に寸法直読可能な精度の優
れたエツチング方法に関する。
れたエツチング方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来エツチングにより種々の機器部品が製造されている
が、この場合エツチングにより形成されたパターンの寸
法精度がどの程度であるかの情報を得ることは、かかる
寸法で作られた機器部品を用いて完成したデバイスの特
性を予測する上で重要であり、またエツチング終了後で
の寸法制御の点からも重要である。
が、この場合エツチングにより形成されたパターンの寸
法精度がどの程度であるかの情報を得ることは、かかる
寸法で作られた機器部品を用いて完成したデバイスの特
性を予測する上で重要であり、またエツチング終了後で
の寸法制御の点からも重要である。
例えば一定の材料上に目的とする矩形パターンのマスク
を作り、その周囲をエツチングして材料上にマスクパタ
ーンと同一のパターンを残さんとすると、一般にマスク
の周辺のエツチングが過度に進行し、目的とするパター
ンより小さいもしくは細いパターンが形成される。また
逆に矩形パターンの周辺をマスクして矩形パターンのみ
をエツチングして窓開けの如（エツチングせんとすると
きもやはりエツチングは過度に進行して目的とするパタ
ーンより大もしくは太いパターンが形成される。
を作り、その周囲をエツチングして材料上にマスクパタ
ーンと同一のパターンを残さんとすると、一般にマスク
の周辺のエツチングが過度に進行し、目的とするパター
ンより小さいもしくは細いパターンが形成される。また
逆に矩形パターンの周辺をマスクして矩形パターンのみ
をエツチングして窓開けの如（エツチングせんとすると
きもやはりエツチングは過度に進行して目的とするパタ
ーンより大もしくは太いパターンが形成される。
従来エツチングの結果形成された上述した如き目的とす
るパターンの精度の判定は、エツチング終了後測微計等
を用いてパターンの実寸法を測定することによって行な
われていた。しかしながらこの測定はエツチング終了後
形成された目的パターンをその度毎に個々のパターンに
ついて行なわなければならず、煩雑であり、また寸法変
動の最大偏差値が１μｍ以下になると測定機械の精度そ
のものが問題となり、実寸法を正確に測定できないとい
う問題があった。
るパターンの精度の判定は、エツチング終了後測微計等
を用いてパターンの実寸法を測定することによって行な
われていた。しかしながらこの測定はエツチング終了後
形成された目的パターンをその度毎に個々のパターンに
ついて行なわなければならず、煩雑であり、また寸法変
動の最大偏差値が１μｍ以下になると測定機械の精度そ
のものが問題となり、実寸法を正確に測定できないとい
う問題があった。
上述した如き問題を解決する手段として第８図に示す如
き検査用パターンを用いる方法が提案されている。この
方法は目的とする矩形マスクパターンを第８図（ａ）の
２に示す如く形成し、これに対し検査用矩形マスクパタ
ーンを第８図（−）の３＃ζ示す如く形成する。このと
き第８図（−）に示す如く、検査用矩形マスクパターン
３の上辺の延長線１ｘと、目的の矩形マスクパターン２
の下辺の延長線２ｘとがそれぞれ相対する矩形マスクパ
ターン２および３を横切るように平行に配置する。周囲
をエツチングして矩形パターン２を残す場合、即ち前述
した如く細いパターンが形成される傾向の場合、その寸
法変動の許容範囲をｌ／２とするとき、延長線１ｘと２
にの間隔がｌとなるように１．そしてそれぞれの延長線
が相互に相対するパターンを横切るように矩形マスクパ
ターン２および３を形成する。
き検査用パターンを用いる方法が提案されている。この
方法は目的とする矩形マスクパターンを第８図（ａ）の
２に示す如く形成し、これに対し検査用矩形マスクパタ
ーンを第８図（−）の３＃ζ示す如く形成する。このと
き第８図（−）に示す如く、検査用矩形マスクパターン
３の上辺の延長線１ｘと、目的の矩形マスクパターン２
の下辺の延長線２ｘとがそれぞれ相対する矩形マスクパ
ターン２および３を横切るように平行に配置する。周囲
をエツチングして矩形パターン２を残す場合、即ち前述
した如く細いパターンが形成される傾向の場合、その寸
法変動の許容範囲をｌ／２とするとき、延長線１ｘと２
にの間隔がｌとなるように１．そしてそれぞれの延長線
が相互に相対するパターンを横切るように矩形マスクパ
ターン２および３を形成する。
また窓開はエツチング、即ち矩形パターン２の周囲をマ
スクしてパターン２をエツチングせんとするときは、第
８図（＝）に示す如く、検査用矩形パターン３の左辺の
延長線ｌｙと、目的パターン２の右辺の延長線２ｙとが
平行になるように配置し、このときの寸法変動の許容範
囲をＩＩＩ／２としたとき、延長線１ｙと２７の間隔を
ｍになるように離して、即ちそれぞれの延長線が相互に
各パターンを横切ることなく両パターン２セよび３を配
置する。
スクしてパターン２をエツチングせんとするときは、第
８図（＝）に示す如く、検査用矩形パターン３の左辺の
延長線ｌｙと、目的パターン２の右辺の延長線２ｙとが
平行になるように配置し、このときの寸法変動の許容範
囲をＩＩＩ／２としたとき、延長線１ｙと２７の間隔を
ｍになるように離して、即ちそれぞれの延長線が相互に
各パターンを横切ることなく両パターン２セよび３を配
置する。
上′記何れの場合に右いてもエツチングを行な゛つた場
合、エツチング終了後のパターンの寸法検査は次の如く
行なわれる。先ず形成される矩形パターンがマスクパタ
ーン２よりも細くなる傾向の場合、即ちマスクパターン
の周囲をエツチングする場合、第８図（ｂ）に示す如く
、目的矩形パターン２１および検査用矩形パターン３１
が形成される。この特売の平行な延長線１ｘおよび２ｘ
がそれぞれの矩形パターンを横切ることのない状態にな
ったことが確認されたら、それぞれの矩形パターン２１
と３１のエツチング量が最大許容範囲／／２を越えたと
判定できる。
合、エツチング終了後のパターンの寸法検査は次の如く
行なわれる。先ず形成される矩形パターンがマスクパタ
ーン２よりも細くなる傾向の場合、即ちマスクパターン
の周囲をエツチングする場合、第８図（ｂ）に示す如く
、目的矩形パターン２１および検査用矩形パターン３１
が形成される。この特売の平行な延長線１ｘおよび２ｘ
がそれぞれの矩形パターンを横切ることのない状態にな
ったことが確認されたら、それぞれの矩形パターン２１
と３１のエツチング量が最大許容範囲／／２を越えたと
判定できる。
また窓開はエツチングの場合にはエツチングが進行する
と第８図（ｏ）に示す如く、各矩形エツチングパターン
２２および３２が形成され、そのとき延長線１７によび
２ｙとが相対するエツチングの結果形成された矩形パタ
ーン２２および３２を横切る状態になったことが確認さ
れたら、このエツチングの量は寸法変動の最大許容範囲
ｍ ／ ２を越えたと判定できる。
と第８図（ｏ）に示す如く、各矩形エツチングパターン
２２および３２が形成され、そのとき延長線１７によび
２ｙとが相対するエツチングの結果形成された矩形パタ
ーン２２および３２を横切る状態になったことが確認さ
れたら、このエツチングの量は寸法変動の最大許容範囲
ｍ ／ ２を越えたと判定できる。
従って上述した方法では第８図（ｂ）の場合には延長線
１ｘと２ｘが横切らなくなる前、第８図（０）の場合に
は延長線１ｙおよび２ｙが横切る前にエツチングを停止
しなければならない。
１ｘと２ｘが横切らなくなる前、第８図（０）の場合に
は延長線１ｙおよび２ｙが横切る前にエツチングを停止
しなければならない。
以上の如く第８図（ａ）の検査用矩形パターン３を用い
る従来の方法では、対となる矩形パターン２および３の
延長線１ｘと２Ｘ、または１ｙと２ｙの状態を顕微鏡で
直読することによってエツチング量が寸法変動の許容範
囲内にあるか否かを判定することができるが、エツチン
グ量を定量的に知ること、即ちエツチング寸法精度を直
読することができず正確な寸法については依然として測
微計等で測定しなければならない不都合があった。
る従来の方法では、対となる矩形パターン２および３の
延長線１ｘと２Ｘ、または１ｙと２ｙの状態を顕微鏡で
直読することによってエツチング量が寸法変動の許容範
囲内にあるか否かを判定することができるが、エツチン
グ量を定量的に知ること、即ちエツチング寸法精度を直
読することができず正確な寸法については依然として測
微計等で測定しなければならない不都合があった。
発明の目的
本発明は、上述した如き従来法の不都合を克服する寸法
検査用パターンを使用するエツチング方法、即ちエツチ
ング後形成された矩形パターンの寸法精度を測微計等を
使用せずに顕微鏡だけで直読できるエツチング方法を提
供することにある。
検査用パターンを使用するエツチング方法、即ちエツチ
ング後形成された矩形パターンの寸法精度を測微計等を
使用せずに顕微鏡だけで直読できるエツチング方法を提
供することにある。
発明の構成
本発明は複数個の矩形パターンを間隔を置いて並列させ
た第１のパターン列の各矩形パターンをエツチングする
に当り、複数個の矩形パターンを間隔を置いて並列させ
た検査用の第２のパターン列を、上記第１のパターン列
に対し並置し、かつ上記第１および第２のパターン列中
の各矩形パターンの一辺が相対向する千鳥状番こ交互に
配置するようになし、上記第１のパターン列を構成する
各矩形パターンと上記第２のパターン列を構成する各矩
形パターンのそれぞれ対向するパターンの近接する縦ま
たは横の平行する辺の一方の延長線と他方の辺との間隔
を既知の寸法で順次変化するように配置してエツチング
することからなるエツチング方法にある。
た第１のパターン列の各矩形パターンをエツチングする
に当り、複数個の矩形パターンを間隔を置いて並列させ
た検査用の第２のパターン列を、上記第１のパターン列
に対し並置し、かつ上記第１および第２のパターン列中
の各矩形パターンの一辺が相対向する千鳥状番こ交互に
配置するようになし、上記第１のパターン列を構成する
各矩形パターンと上記第２のパターン列を構成する各矩
形パターンのそれぞれ対向するパターンの近接する縦ま
たは横の平行する辺の一方の延長線と他方の辺との間隔
を既知の寸法で順次変化するように配置してエツチング
することからなるエツチング方法にある。
本発明においては上記第１のパターン列を構成する各矩
形パターンと、上記第２のパターン列を構成する各矩形
パターンのそれぞれ対向するパターンの近接する縦また
は横の平行する辺の一方の延長線が相対向する矩形パタ
ーンを横切るようにするか、もしくは横切らないように
してエツチングするのである。
形パターンと、上記第２のパターン列を構成する各矩形
パターンのそれぞれ対向するパターンの近接する縦また
は横の平行する辺の一方の延長線が相対向する矩形パタ
ーンを横切るようにするか、もしくは横切らないように
してエツチングするのである。
実施例の説明
以下に本発明方法の具体例を図面を参照して説明する。
始めにマスクパターンの周囲をエツチングして目的とす
るパターンを残す場合について説明すると、第１図（ａ
）において、矩形パターン４゜６および８は周囲エツチ
ングにより形成せんとする目的パターンの第１のマスク
パターンの列であり、それぞれ同じ寸法の矩形パターン
である。この第１のマスクパターン列に対し、突き合せ
並置した矩形パターン５および７は検査用の９Ｊ２のマ
スクパターン列である。このとき第１列および第２列の
矩形パターンはそれらのそれぞれの一辺−が相対向し、
かつ千鳥状に交互に配置する。そして矩形マスクパター
ン４と矩形パターン５の近接する縦の平行する辺のそれ
ぞれの延長線１ｙおよび２ｙが相対向する矩形マスクパ
ターンを横切る関係におきその間隔をＷ（例えば０．２
ｚｍ）とする。同様に矩形パターン５と６．６と７およ
び７と８の相対する縦の近接平行辺の延長線も相対向す
る矩形パターンを横切る関係に置き、しかも矩形パター
ン５と６の延長線の間隔を２Ｗ（例え’ｉｆ ０．４
ｐｍ ）とする、同様に６と７および７と８の近接平行
辺の延長線の間隔をそれぞれ３ｗ（例えば０．６声ＷＬ
）およ４ｗ（例えば０．８μｔｒＬ）となるように検査
用マスクパターン５および７を形成する。
るパターンを残す場合について説明すると、第１図（ａ
）において、矩形パターン４゜６および８は周囲エツチ
ングにより形成せんとする目的パターンの第１のマスク
パターンの列であり、それぞれ同じ寸法の矩形パターン
である。この第１のマスクパターン列に対し、突き合せ
並置した矩形パターン５および７は検査用の９Ｊ２のマ
スクパターン列である。このとき第１列および第２列の
矩形パターンはそれらのそれぞれの一辺−が相対向し、
かつ千鳥状に交互に配置する。そして矩形マスクパター
ン４と矩形パターン５の近接する縦の平行する辺のそれ
ぞれの延長線１ｙおよび２ｙが相対向する矩形マスクパ
ターンを横切る関係におきその間隔をＷ（例えば０．２
ｚｍ）とする。同様に矩形パターン５と６．６と７およ
び７と８の相対する縦の近接平行辺の延長線も相対向す
る矩形パターンを横切る関係に置き、しかも矩形パター
ン５と６の延長線の間隔を２Ｗ（例え’ｉｆ ０．４
ｐｍ ）とする、同様に６と７および７と８の近接平行
辺の延長線の間隔をそれぞれ３ｗ（例えば０．６声ＷＬ
）およ４ｗ（例えば０．８μｔｒＬ）となるように検査
用マスクパターン５および７を形成する。
かかるマスクパターン配置を用いて、パターンの周囲を
エツチングし、第１図（ａ）の各矩形マスクパターン４
，５，６．７および８よりも一辺についてＷ（例えば０
．２ｆｉｍ＞だけ過度に即ちパターンが細くなるように
エツチングされたときの結果を第１図（ｂ）に示す。こ
のとき４＄１図（ａ）の矩形マスクパターン４から矩形
パターン４１が、同じく矩形パターン５から矩形パター
ン５１が、６から６１が、７から７１が、８から８１が
形成される。この場合顕微鏡で目視すると、矩形パター
ン４１と５１の相対する縦の平行辺の延長線はそれぞれ
相対する矩形パターンを横切らずその間隔はＷ（例えば
０．２／１ｍ）となる。
エツチングし、第１図（ａ）の各矩形マスクパターン４
，５，６．７および８よりも一辺についてＷ（例えば０
．２ｆｉｍ＞だけ過度に即ちパターンが細くなるように
エツチングされたときの結果を第１図（ｂ）に示す。こ
のとき４＄１図（ａ）の矩形マスクパターン４から矩形
パターン４１が、同じく矩形パターン５から矩形パター
ン５１が、６から６１が、７から７１が、８から８１が
形成される。この場合顕微鏡で目視すると、矩形パター
ン４１と５１の相対する縦の平行辺の延長線はそれぞれ
相対する矩形パターンを横切らずその間隔はＷ（例えば
０．２／１ｍ）となる。
次に矩形パターン５１と６１の相対する縦の平行辺の延
長線は１本の直線となり、延長線間隔は０となる。また
矩形パターン６１と７１の相対する縦の平行辺の延長線
は相対する矩形パターンを横切り、その間隔はＷ（例え
ば０，２．ＡｒＩＬ）となり、同様に矩形パターン７１
と８１の場合には延長線が横切りその間隔は２．’ｗ
（例えば０．４声ｒｒＬ）となる。
長線は１本の直線となり、延長線間隔は０となる。また
矩形パターン６１と７１の相対する縦の平行辺の延長線
は相対する矩形パターンを横切り、その間隔はＷ（例え
ば０，２．ＡｒＩＬ）となり、同様に矩形パターン７１
と８１の場合には延長線が横切りその間隔は２．’ｗ
（例えば０．４声ｒｒＬ）となる。
このように周囲をエツチングして、目的とするパターン
が細くエツチングされる傾向を有する場合、目的矩形パ
ターン４，６および８と検査用矩形パターン５および７
のエツチング後の何れか一組の近接相対する縦の平行辺
の延長線がほぼ一直線になったものを読みとることによ
り、その場合のエツチングの精度を知ることができる。
が細くエツチングされる傾向を有する場合、目的矩形パ
ターン４，６および８と検査用矩形パターン５および７
のエツチング後の何れか一組の近接相対する縦の平行辺
の延長線がほぼ一直線になったものを読みとることによ
り、その場合のエツチングの精度を知ることができる。
上記第１図（＝）および（ｂ）の場合は０．２ｆｉｒｎ
である。
である。
次に窓開はエツチングの場合、即ち目的とするパターン
そのものをエツチングする場合について説明する。この
場合は第２図（ａ）に示す如く、第１図（−）に準じて
目的エツチング矩形パターン９．１１詔よび１３と、検
査用エツチング矩形パターン１０および１２を形成する
。たたしこの場合、矩形パターン９と１０の近接相対す
る縦の平行辺の延長線１ｙおよび２ｙが他の矩形パター
ンを横切らず、その間隔がＷ（例えば０．２ｐｎ＞）と
なるように、また矩形パターン１０と１１の間隔が２Ｗ
（例えば０．４ｚＷＬ）、矩形パターン１１と１２の間
隔が３Ｗ（例えばｏ、６ｆｉｒｒＬ）、矩形パターン１
２と１３の間隔が４Ｗ（例えば０．８μｍ）となるよう
に形成する。
そのものをエツチングする場合について説明する。この
場合は第２図（ａ）に示す如く、第１図（−）に準じて
目的エツチング矩形パターン９．１１詔よび１３と、検
査用エツチング矩形パターン１０および１２を形成する
。たたしこの場合、矩形パターン９と１０の近接相対す
る縦の平行辺の延長線１ｙおよび２ｙが他の矩形パター
ンを横切らず、その間隔がＷ（例えば０．２ｐｎ＞）と
なるように、また矩形パターン１０と１１の間隔が２Ｗ
（例えば０．４ｚＷＬ）、矩形パターン１１と１２の間
隔が３Ｗ（例えばｏ、６ｆｉｒｒＬ）、矩形パターン１
２と１３の間隔が４Ｗ（例えば０．８μｍ）となるよう
に形成する。
かかるパターン配置を用いてパターンの周囲マスクし、
パターン自体をエツチングしたとき、矩形パターン９〜
１３がＷ（例えば０．２＃＋ｚ）だけ過度にエツチング
され大きくなったとすると、その形成されたエツチング
パターンは第２図（ｂ）に示す如くなる。即ち第２図（
−）の矩形パターン９から矩形パターン９１が、同様に
して１０から１０１が、１１から１１１が、１２から１
２１が、１３から１３１が形成される。そしてこの場合
第２図（ａ）で２ｗ （０，４１１７ＦＬ）の間隔のお
いていた矩形パターン１０と１１の近接相対する平行辺
の延長線が一直線となる〔第２図（ｂ）の矩形パターン
１０１と１１１の辺参照〕。従ってこの場合にもエツチ
ング精度は顕微鏡により０．２）’ｍと直読できる。
パターン自体をエツチングしたとき、矩形パターン９〜
１３がＷ（例えば０．２＃＋ｚ）だけ過度にエツチング
され大きくなったとすると、その形成されたエツチング
パターンは第２図（ｂ）に示す如くなる。即ち第２図（
−）の矩形パターン９から矩形パターン９１が、同様に
して１０から１０１が、１１から１１１が、１２から１
２１が、１３から１３１が形成される。そしてこの場合
第２図（ａ）で２ｗ （０，４１１７ＦＬ）の間隔のお
いていた矩形パターン１０と１１の近接相対する平行辺
の延長線が一直線となる〔第２図（ｂ）の矩形パターン
１０１と１１１の辺参照〕。従ってこの場合にもエツチ
ング精度は顕微鏡により０．２）’ｍと直読できる。
上述した如く本発明に従い、寸法検査用パターンを用い
て目的とするパターンのエツチング形成をすれば、エツ
チング後のパターンを測微計で測定することなく、顕微
鏡で近接相対する平行辺の延長線が一直線になるパター
ンを読みとることにより、形成されるパターンの精度を
目視により読みとることができる。また上記の最小設定
間隔Ｗを小さくすれば寸法精度を更に高くすることもで
きる。
て目的とするパターンのエツチング形成をすれば、エツ
チング後のパターンを測微計で測定することなく、顕微
鏡で近接相対する平行辺の延長線が一直線になるパター
ンを読みとることにより、形成されるパターンの精度を
目視により読みとることができる。また上記の最小設定
間隔Ｗを小さくすれば寸法精度を更に高くすることもで
きる。
以上説明した具体例のエツチング方法は、第１のパター
ン列を形成する各矩形パターンの一辺と、検査用の第２
のパターン列を形成する各矩形パターンの一辺とを相対
して突き合せるようにして一直線上に配置するような関
係で第１のパターン列および第２のパターン列を並置し
たが、改変方法として第３図（−）および（ｂ）に示す
如く、各矩形パターンー辺を相互に平行であれば離間さ
せてもよく、あるいは第４図（−）および（ｂ）に示す
如く各矩形パターンを交互に入り組ませてもよく、また
これらを組合せてもよい。ただし、近接相対する各矩形
パターンの平行辺の相対関係は上記具体例に１×と２ｘ
１または１ｙと２ｙにて示した如くなるように配置する
。
ン列を形成する各矩形パターンの一辺と、検査用の第２
のパターン列を形成する各矩形パターンの一辺とを相対
して突き合せるようにして一直線上に配置するような関
係で第１のパターン列および第２のパターン列を並置し
たが、改変方法として第３図（−）および（ｂ）に示す
如く、各矩形パターンー辺を相互に平行であれば離間さ
せてもよく、あるいは第４図（−）および（ｂ）に示す
如く各矩形パターンを交互に入り組ませてもよく、また
これらを組合せてもよい。ただし、近接相対する各矩形
パターンの平行辺の相対関係は上記具体例に１×と２ｘ
１または１ｙと２ｙにて示した如くなるように配置する
。
また前述した例では各矩形パターンの縦の近接相対する
辺の延長線でエツチング精度の検査するエツチング方法
を示したが、第５図（−）および（ｂ）に示す如く、横
方向の近接相対する辺の延長線での間隔ｗ、２ｗ、３ｗ
、４ｗを変えることによっても同様に精度を知ることが
できる。
辺の延長線でエツチング精度の検査するエツチング方法
を示したが、第５図（−）および（ｂ）に示す如く、横
方向の近接相対する辺の延長線での間隔ｗ、２ｗ、３ｗ
、４ｗを変えることによっても同様に精度を知ることが
できる。
また第６図に示す如く、相対する近接平行辺の延長線が
縦方向には相対する矩形パターンを横切り、しかも間隔
を変え、一方横方向には相対する矩形パターンを横切る
ことなく間隔を変えた配置にすれば、使用目的に応じて
面積綿ｔＪ＼即ち周囲エツチング、または面積拡大、即
ち窓開はエツチングの何れかに使用できる。また第７図
に示す如く各矩形パターンを配置しても第７図の場合と
同様に使用できる。
縦方向には相対する矩形パターンを横切り、しかも間隔
を変え、一方横方向には相対する矩形パターンを横切る
ことなく間隔を変えた配置にすれば、使用目的に応じて
面積綿ｔＪ＼即ち周囲エツチング、または面積拡大、即
ち窓開はエツチングの何れかに使用できる。また第７図
に示す如く各矩形パターンを配置しても第７図の場合と
同様に使用できる。
以上説明した各具体例においては、検査用矩形パターン
を２個用いた例即ち、近接相対する平行辺の組合せが４
個の場合で示したが、目的とするエツチングパターンの
精度に応じ、これより多数設けてもよいことは判るであ
ろう。
を２個用いた例即ち、近接相対する平行辺の組合せが４
個の場合で示したが、目的とするエツチングパターンの
精度に応じ、これより多数設けてもよいことは判るであ
ろう。
発明の詳細
な説明した如く、本発明方法によれば目的パターンをエ
ツチングにより形成したときの矩形パターンの寸法精度
を測微計で測定することなく顕微鏡で直接目視するだけ
で寸法精度を直読することができる。またパターンによ
っては、例えば一定の幅例えばＷだけエツチングされれ
ば、パターンは２Ｗ変化した点で寸法精度を検知するこ
とができるので２倍の精度で正確に読み取れる効果を有
する。
ツチングにより形成したときの矩形パターンの寸法精度
を測微計で測定することなく顕微鏡で直接目視するだけ
で寸法精度を直読することができる。またパターンによ
っては、例えば一定の幅例えばＷだけエツチングされれ
ば、パターンは２Ｗ変化した点で寸法精度を検知するこ
とができるので２倍の精度で正確に読み取れる効果を有
する。
第１図〜第７図は本発明方法を実施する場合“の目的矩
形パターンおよび検査用矩形パターンの配置説明図であ
り、第８図は従来方法の同様の配置説明図である。
形パターンおよび検査用矩形パターンの配置説明図であ
り、第８図は従来方法の同様の配置説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個の矩形パターンを間隔を置いて並列させた第
１のパターン列の各矩形パターンをエッチングするに当
り、複数個の矩形パターンを間隔を置いて並列させた検
査用の第２のパターン列を、上記第１のパターン列に対
し並置し、かつ上記第１および第２のパターン列中の各
矩形パターンの一辺が相対向するように千鳥状に交互に
配置するようになし、上記第１のパターン列を構成する
各矩形パターンと上記第２のパターン列を構成する各矩
形パターンのそれぞれ対向するパターンの近接する縦ま
たは横の平行する辺の一方の延長線と他方の辺との間隔
を既知の寸法で順次変化するように配置してエッチング
することを特徴とする寸法直読可能な精度のすぐれたエ
ッチング方法。 ２、第１のパターン列を構成する各矩形パターンと、第
２のパターン列を構成する各矩形パターンのそれぞれ対
向するパターンの近接する縦または横の平行する辺の一
方の延長線が相対向する矩形パターンを横切る特許請求
の範囲第１項記載のエッチング方法。 ３、第１のパターン列を構成する各矩形パターンと第２
のパターン列を構成する各矩形パターンのそれぞれ対向
するパターンの近接する縦または横の平行する辺の一方
の延長線が相対向する矩形パターンを横切らない特許請
求の範囲第１項記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14896784A JPS6127632A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14896784A JPS6127632A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127632A true JPS6127632A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15464667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14896784A Pending JPS6127632A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9751172B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-09-05 | Fanuc Corporation | Workpiece fastening device for pressing plurality of locations of workpiece |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14896784A patent/JPS6127632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9751172B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-09-05 | Fanuc Corporation | Workpiece fastening device for pressing plurality of locations of workpiece |
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