JPS612326A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS612326A JPS612326A JP59122288A JP12228884A JPS612326A JP S612326 A JPS612326 A JP S612326A JP 59122288 A JP59122288 A JP 59122288A JP 12228884 A JP12228884 A JP 12228884A JP S612326 A JPS612326 A JP S612326A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- development
- resist pattern
- exposure
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジスト・母ターンの形成方法の改良に関する
。
。
従来、レジスト・ぐターンは次のような方法によシ形成
されている。まず、被処理基板上にレジストラスピン塗
布し、溶媒を除去した後、基板とレジスト膜との密着性
を向上させるために基板を所定温度所定時間でベーキン
グ（ｆ ＩＪペーグ）する。つづいて、冷却を完了した
基板のレジスト膜に、該レジストの種類に応じた照射量
で放射線、例えば電子線を選択的に照射して露光する。
されている。まず、被処理基板上にレジストラスピン塗
布し、溶媒を除去した後、基板とレジスト膜との密着性
を向上させるために基板を所定温度所定時間でベーキン
グ（ｆ ＩＪペーグ）する。つづいて、冷却を完了した
基板のレジスト膜に、該レジストの種類に応じた照射量
で放射線、例えば電子線を選択的に照射して露光する。
次いで、現像処理を施して所望のレジス） ノ４ターン
を形成する。
を形成する。
ところで、上述したレジスト・母ターンの形成において
、例えばポジ型レジストを用いる場合、露光工程の短縮
化を目的として低照射量で露光することが行なわれてい
る。しかしながら、低照射量で露光を行なうと、現像時
間が長くなり、スルージットが上がらない。また、長時
間現像するため、未露光部の膜減シも大きく、微細パタ
ーン寸法の高精度制御が困難となる。その結果、形成さ
れたし・シストノＪ？ターンをマスクトスるエツチング
工程に際し、白糸欠陥を誘発し易くなシ、歩留シ低下を
招く。更に、露光後の現像時において、被処理基板表面
の現像液に対する濡れ性が均一でないため、溶解速度が
場所によって異なシ、その結果レジスト・ぐターンの面
内寸法のばらつきを生じる。
、例えばポジ型レジストを用いる場合、露光工程の短縮
化を目的として低照射量で露光することが行なわれてい
る。しかしながら、低照射量で露光を行なうと、現像時
間が長くなり、スルージットが上がらない。また、長時
間現像するため、未露光部の膜減シも大きく、微細パタ
ーン寸法の高精度制御が困難となる。その結果、形成さ
れたし・シストノＪ？ターンをマスクトスるエツチング
工程に際し、白糸欠陥を誘発し易くなシ、歩留シ低下を
招く。更に、露光後の現像時において、被処理基板表面
の現像液に対する濡れ性が均一でないため、溶解速度が
場所によって異なシ、その結果レジスト・ぐターンの面
内寸法のばらつきを生じる。
このようなことから、現像時間を短縮してプロセスのス
ルージットを向上する方法として、（１）Ｌ／レジスト
膜厚さを薄くする、（１１）現像液の温度を上げる、ａ
ｌｌ）溶解速度の大きい現像液を選択する、ことが考え
られる。しかしながら、これらの方法を採用すると°、
増々・千ターン寸法制御が困難となシ、未露光部のレジ
スト膜の膜減りが一層大きくなるため、エツチング工程
での白糸欠陥の発生頻度を高くする結果となる。また、
被処理基板表面のレジスト膜に対する現像液の濡れの不
均一に起因する寸法ばらつきはあいかわらず解消できな
り０ 〔発明の目的〕 本発明は、現像時間を大巾に短縮し、更に被処理基板面
内の寸法均一化を実現したレジスト・ぐターンの形成方
法を提供しようとするものである。
ルージットを向上する方法として、（１）Ｌ／レジスト
膜厚さを薄くする、（１１）現像液の温度を上げる、ａ
ｌｌ）溶解速度の大きい現像液を選択する、ことが考え
られる。しかしながら、これらの方法を採用すると°、
増々・千ターン寸法制御が困難となシ、未露光部のレジ
スト膜の膜減りが一層大きくなるため、エツチング工程
での白糸欠陥の発生頻度を高くする結果となる。また、
被処理基板表面のレジスト膜に対する現像液の濡れの不
均一に起因する寸法ばらつきはあいかわらず解消できな
り０ 〔発明の目的〕 本発明は、現像時間を大巾に短縮し、更に被処理基板面
内の寸法均一化を実現したレジスト・ぐターンの形成方
法を提供しようとするものである。
本発明は基板上にレジスト膜を塗布、形成し、ベーキン
グした後、前記レジスト膜に放射線を選択的に照射して
露光し、ひきつづき現像処理することによシレジストパ
ターンを形成する方法において、前記現像処理前に前記
レジスト膜に紫外線を照射することを骨子とするもので
ある。かかる本発明方法によれば、既述の如く現像時間
を大巾に短縮し、更に被処理基板面内の寸法均一化を実
現したレジストパターンを形成し得る。
グした後、前記レジスト膜に放射線を選択的に照射して
露光し、ひきつづき現像処理することによシレジストパ
ターンを形成する方法において、前記現像処理前に前記
レジスト膜に紫外線を照射することを骨子とするもので
ある。かかる本発明方法によれば、既述の如く現像時間
を大巾に短縮し、更に被処理基板面内の寸法均一化を実
現したレジストパターンを形成し得る。
上記紫外線照射は、具体的には露光後、或いはプリベー
ク後に行なう。
ク後に行なう。
上記レジストとしては、例えばポジ型の電子線感応レジ
スト、フォトレジスト、Ｘ線感応レジスト、イオンビー
ム感応レジスト等を挙げることができる。
スト、フォトレジスト、Ｘ線感応レジスト、イオンビー
ム感応レジスト等を挙げることができる。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
まず、マスクブランク上にホゾ型室子線感応レジストと
してのポリフロロエチルαクロロアクリレートを０．５
μｍスピン塗布し、１８０℃で１時間プリベークした。
してのポリフロロエチルαクロロアクリレートを０．５
μｍスピン塗布し、１８０℃で１時間プリベークした。
つづいて、し・シスト膜に電子線を４４μｃ／ｃ１ｎ２
のドーズ量で選択的に照射して露光した後、レジスト膜
に出力ｒ６０Ｗ１波長２５３７Ｘの紫外線を１分間、５
分間、１０分間及び２０分間夫々照射した。次いで、こ
れら４種のレジスト膜を２５℃のメチルイソブチルケト
ン（ＭＩ ＢＫ ）を用いて現像することによシマスフ
ブランク上にレジストパターンを形成した。
のドーズ量で選択的に照射して露光した後、レジスト膜
に出力ｒ６０Ｗ１波長２５３７Ｘの紫外線を１分間、５
分間、１０分間及び２０分間夫々照射した。次いで、こ
れら４種のレジスト膜を２５℃のメチルイソブチルケト
ン（ＭＩ ＢＫ ）を用いて現像することによシマスフ
ブランク上にレジストパターンを形成した。
しかして、前記レジスト膜への紫外線照射時間と現像時
間との関係を調べたところ、第１図に示す特性図を得た
。この第１図から明らかな如く、現像前に紫外線照射処
理を行なうことによって、現像速度が増加し、かつ紫外
線照射時間を長くすることによシその現像速度も増加す
ることがわかる。これは、現像前に紫外線照射を行なう
ことによって露光部のレジスト膜表面近傍の現像液に対
する溶解の活性エネルギーが一様に低下するため、現像
速度が増加することに起因するものと考えられる。この
ことは、第２図に示すように紫外線照射後においてレジ
スト膜表面の濡れ性が向上することからも推定される。
間との関係を調べたところ、第１図に示す特性図を得た
。この第１図から明らかな如く、現像前に紫外線照射処
理を行なうことによって、現像速度が増加し、かつ紫外
線照射時間を長くすることによシその現像速度も増加す
ることがわかる。これは、現像前に紫外線照射を行なう
ことによって露光部のレジスト膜表面近傍の現像液に対
する溶解の活性エネルギーが一様に低下するため、現像
速度が増加することに起因するものと考えられる。この
ことは、第２図に示すように紫外線照射後においてレジ
スト膜表面の濡れ性が向上することからも推定される。
また、露光部の溶解活性エネルギーのみが一様に低下す
ることから、紫外線照射によって未露光部の膜減シが加
速されることはない。
ることから、紫外線照射によって未露光部の膜減シが加
速されることはない。
したがって、本発明によれば低ドーズ量で短時間の現像
が可能となるため、工程の短縮化と共に微細パターン寸
法を高精度で制御できる。
が可能となるため、工程の短縮化と共に微細パターン寸
法を高精度で制御できる。
事実、紫外線照射時間を一定（１０分間）にした時の電
子線のドーズ量と適正現像時間の関係を示す第３図よシ
明らかな如く、従来の４．４μｍ／ｃｆｎ２のドーズ量
での適正現像時間に比べて、本発明ではその現像時間を
著しく短縮できることがわかる。
子線のドーズ量と適正現像時間の関係を示す第３図よシ
明らかな如く、従来の４．４μｍ／ｃｆｎ２のドーズ量
での適正現像時間に比べて、本発明ではその現像時間を
著しく短縮できることがわかる。
更に、本実施例によればマスクブランクの面内でのレジ
スト・母ターンの寸法誤差が０．０６〜０．１０μｍと
小さいことがわかった。これに対し、従来法では０．０
９〜０．１５４！の面内寸法誤差を示した。こうした本
発明の優れた作用は、マスクブランクの面内での現像液
のくいつきが一様となるためである。
スト・母ターンの寸法誤差が０．０６〜０．１０μｍと
小さいことがわかった。これに対し、従来法では０．０
９〜０．１５４！の面内寸法誤差を示した。こうした本
発明の優れた作用は、マスクブランクの面内での現像液
のくいつきが一様となるためである。
以上詳述した如く、本発明によれば高ドーズ量に起因す
る欠陥の低減、現像工程のスルージットの向上、更には
基板面内での寸法精度の向上を実現したレジスト・母タ
ーンの形成方法を提供できる。
る欠陥の低減、現像工程のスルージットの向上、更には
基板面内での寸法精度の向上を実現したレジスト・母タ
ーンの形成方法を提供できる。
第１図は紫外線照射時間と現像時間との関係を示す特性
図、第２図は紫外線照射時間と紫外線処理されたレジス
ト膜の水に対する接触角の関係を示す特性図、第３図は
ドーズ量と適正現像時間との関係を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 牙フ）■艮只りす片間／ ｓｅｃ 第２図 紫９博９ぐ財蒔開声１ｎ 第３図 ドース１）′−シイエ２
図、第２図は紫外線照射時間と紫外線処理されたレジス
ト膜の水に対する接触角の関係を示す特性図、第３図は
ドーズ量と適正現像時間との関係を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 牙フ）■艮只りす片間／ ｓｅｃ 第２図 紫９博９ぐ財蒔開声１ｎ 第３図 ドース１）′−シイエ２
Claims (2)
- （１）基板上にレジスト膜を塗布、形成し、ベーキング
した後、前記レジスト膜に放射線を選択的に照射して露
光し、ひきつづき現像処理することによりレジストパタ
ーンを形成する方法において、前記現像処理前に、前記
レジスト膜に紫外線を照射することを特徴とするレジス
トパターンの形成方法。 - （２）レジスト膜がポジ型の電子線感応レジストからな
り、かつ放射線として電子線を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のレジストパターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122288A JPS612326A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122288A JPS612326A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612326A true JPS612326A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14832241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122288A Pending JPS612326A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104772A (en) * | 1987-01-27 | 1992-04-14 | Fujitsu Limited | Method of forming fine resist pattern in electron beam or x-ray lithography |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59122288A patent/JPS612326A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104772A (en) * | 1987-01-27 | 1992-04-14 | Fujitsu Limited | Method of forming fine resist pattern in electron beam or x-ray lithography |
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