JPS61237534A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
- Publication number
- JPS61237534A JPS61237534A JP60077548A JP7754885A JPS61237534A JP S61237534 A JPS61237534 A JP S61237534A JP 60077548 A JP60077548 A JP 60077548A JP 7754885 A JP7754885 A JP 7754885A JP S61237534 A JPS61237534 A JP S61237534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- diode
- photoelectric conversion
- conversion element
- optical signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ホトダイオード等の光電変換素子の出力信号を増幅男る
増幅素子の動作点を、入力ディジタル光信号レベルの変
化に対してもほぼ一定となるようにして、光受信回路の
動作を安定化させたものである。
増幅素子の動作点を、入力ディジタル光信号レベルの変
化に対してもほぼ一定となるようにして、光受信回路の
動作を安定化させたものである。
本発明は、光通信システムに於いて、伝送されたディジ
タル光信号を受信して電気信号に変換する光受信回路に
関するものである。
タル光信号を受信して電気信号に変換する光受信回路に
関するものである。
光ファイバ等の光伝送路により伝送されたディジタル光
信号は、ホトダイオード等の光電変換素子により電気信
号に変換され、電界効果トランジスタ等の増幅素子によ
って増幅されて、後段のデータ処理回路に転送されるも
のである。
信号は、ホトダイオード等の光電変換素子により電気信
号に変換され、電界効果トランジスタ等の増幅素子によ
って増幅されて、後段のデータ処理回路に転送されるも
のである。
ディジタル光信号を受信する従来の光受信回路は、例え
ば、第４図又は第５図に示す構成を有するものであった
。第４図に於いて、３１はホトダイオード等の光電変換
素子、３２は抵抗、３３は電界効果トランジスタ、３５
はバイポーラトランジスタ、３６は出力端子、Ｃ１，Ｃ
２は結合用及びバイパス用のコンデンサ、Ｒ１−Ｒ４は
抵抗、＋Ｖ、−ｙは電源電圧である。受信された光信号
は光電変換素子３１に加えられ、その光信号に対応した
電流が光電変換素子３１に流れるので、光信号を電気信
号に変換することができる。その電気信号は、トランジ
スタ３３．３５により増幅され、その増幅出力信号が出
力端子３６から後段の回路へ転送される。光電変換素子
３１と直列に一端が接続された抵抗３２の他端は出力端
子３６に接続され、帰還回路を構成している。
ば、第４図又は第５図に示す構成を有するものであった
。第４図に於いて、３１はホトダイオード等の光電変換
素子、３２は抵抗、３３は電界効果トランジスタ、３５
はバイポーラトランジスタ、３６は出力端子、Ｃ１，Ｃ
２は結合用及びバイパス用のコンデンサ、Ｒ１−Ｒ４は
抵抗、＋Ｖ、−ｙは電源電圧である。受信された光信号
は光電変換素子３１に加えられ、その光信号に対応した
電流が光電変換素子３１に流れるので、光信号を電気信
号に変換することができる。その電気信号は、トランジ
スタ３３．３５により増幅され、その増幅出力信号が出
力端子３６から後段の回路へ転送される。光電変換素子
３１と直列に一端が接続された抵抗３２の他端は出力端
子３６に接続され、帰還回路を構成している。
又第５図に於いて、４１は光電変換素子、４２は抵抗、
４３は電界効果トランジスタ、４５はバイポーラトラン
ジスタ、４６は出力端子、Ｒ１−Ｒ４は抵抗、ＣＩ、Ｃ
２は結合用及びバイパス用のコンデンサ、＋Ｖ、−Ｖは
電源電圧である。この回路は、光電変換素子４１と直列
に一端が接続された抵抗４２の他端は接地されているも
ので、受信された光信号は光電変換素子４１により電気
信号に変換され、トランジスタ４３．４５により増幅さ
れて出力端子４６から後段の回路へ転送される。
４３は電界効果トランジスタ、４５はバイポーラトラン
ジスタ、４６は出力端子、Ｒ１−Ｒ４は抵抗、ＣＩ、Ｃ
２は結合用及びバイパス用のコンデンサ、＋Ｖ、−Ｖは
電源電圧である。この回路は、光電変換素子４１と直列
に一端が接続された抵抗４２の他端は接地されているも
ので、受信された光信号は光電変換素子４１により電気
信号に変換され、トランジスタ４３．４５により増幅さ
れて出力端子４６から後段の回路へ転送される。
光伝送路を介して受信する光信号は、送信側の発光素子
や光伝送路の状態等により、レベルが変化する場合があ
る。従って、第４図に示す従来の光受信回路に於いては
、受信した光信号レベルが低いと、光電変換素子３１に
流れる電流の直流分も小さくなるから、抵抗３２による
電圧降下も僅かであって、ａ点とｂ点との間の電位差は
僅かなものとなるが、受信した光信号レベルが高くなる
と、光電変換素子３１に流れる電流の直流分が大きくな
り、抵抗３２による電圧降下が大きくなって、ａ、ｂ点
間の電位差が大きくなる。ｂ点は定電圧点となるもので
あるから、ａ、ｂ点間の電位差が大きくなると、ａ点の
電位が上昇することになる。即ち、フロントエンドの電
界効果トランジスタ３３のゲート電位が上昇し、最適値
からずれるので、信号の波形歪が大きくなる。
や光伝送路の状態等により、レベルが変化する場合があ
る。従って、第４図に示す従来の光受信回路に於いては
、受信した光信号レベルが低いと、光電変換素子３１に
流れる電流の直流分も小さくなるから、抵抗３２による
電圧降下も僅かであって、ａ点とｂ点との間の電位差は
僅かなものとなるが、受信した光信号レベルが高くなる
と、光電変換素子３１に流れる電流の直流分が大きくな
り、抵抗３２による電圧降下が大きくなって、ａ、ｂ点
間の電位差が大きくなる。ｂ点は定電圧点となるもので
あるから、ａ、ｂ点間の電位差が大きくなると、ａ点の
電位が上昇することになる。即ち、フロントエンドの電
界効果トランジスタ３３のゲート電位が上昇し、最適値
からずれるので、信号の波形歪が大きくなる。
又第５図に示す従来の光受信回路に於いても前述と同様
に、受信した光信号レベルに対応して、電界効果トラン
ジスタ４３のゲート電位が変化するから、その動作点が
最適点からずれることになり、信号の波形歪が大きくな
る。
に、受信した光信号レベルに対応して、電界効果トラン
ジスタ４３のゲート電位が変化するから、その動作点が
最適点からずれることになり、信号の波形歪が大きくな
る。
本発明は、光電変換素子の出力信号を増幅する増幅素子
の動作点を一定化することを目的とするものである。
の動作点を一定化することを目的とするものである。
本発明の光受信回路は、第１図の原理説明図を参照して
説明すると、受信した光信号を電気信号に変換するホト
ダイオード等の光電変換素子１と直列に抵抗２を接続し
、その抵抗２と並列にダイオード４を接続し、光電変換
素子１により変換された電気信号を電界効果トランジス
タ等の増幅素子３により増幅して、後段の回路へ転送す
るものである。
説明すると、受信した光信号を電気信号に変換するホト
ダイオード等の光電変換素子１と直列に抵抗２を接続し
、その抵抗２と並列にダイオード４を接続し、光電変換
素子１により変換された電気信号を電界効果トランジス
タ等の増幅素子３により増幅して、後段の回路へ転送す
るものである。
光電変換素子１と直列に接続された抵抗２に並列にダイ
オード４を接続したことにより、光電変換素子１に流れ
る電流の直流分が増大して、抵抗２の両端の電圧が上昇
しようとしても、ダイオード４に分流するから、そのダ
イオード４の順方向電圧に抑制することができ、それに
よって、増幅素子３の動作点を受信光信号レベルの変化
に対してもほぼ一定化することができる。
オード４を接続したことにより、光電変換素子１に流れ
る電流の直流分が増大して、抵抗２の両端の電圧が上昇
しようとしても、ダイオード４に分流するから、そのダ
イオード４の順方向電圧に抑制することができ、それに
よって、増幅素子３の動作点を受信光信号レベルの変化
に対してもほぼ一定化することができる。
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第２図は、本発明の一実施例の回路図であり、１１はホ
トダイオード等の光電変換素子、１２は抵抗、１３は電
界効果トランジスタ、１４はダイオード、１５はバイポ
ーラトランジスタ、１６は出力端子、Ｒ１−Ｒ４は抵抗
、Ｃ１，Ｃ２は結合用及びバイパス用のコンデンサ、＋
Ｖ、−Ｖは電源電圧であって、光電変換素子１１と直列
に接続された抵抗１２と並列にダイオード１４が接続さ
れている。即ち、抵抗１２とダイオード１４の一端は、
ホトダイオード等の光電変換素子に適当なバイアス電圧
を与える点（図中のｂ点）に接続されている。
トダイオード等の光電変換素子、１２は抵抗、１３は電
界効果トランジスタ、１４はダイオード、１５はバイポ
ーラトランジスタ、１６は出力端子、Ｒ１−Ｒ４は抵抗
、Ｃ１，Ｃ２は結合用及びバイパス用のコンデンサ、＋
Ｖ、−Ｖは電源電圧であって、光電変換素子１１と直列
に接続された抵抗１２と並列にダイオード１４が接続さ
れている。即ち、抵抗１２とダイオード１４の一端は、
ホトダイオード等の光電変換素子に適当なバイアス電圧
を与える点（図中のｂ点）に接続されている。
ダイオード１４の順方向電圧は、通常０．６ｖであり、
光電変換素子１１に流れる電流による抵抗１２の電圧降
下が０．６Ｖ以下の場合は、ダイオード１４には電流が
殆ど流れない状態となる。又光電変換素子１１に流れる
電流による抵抗１２の電圧降下が、０．６Ｖ以上となる
と、ダイオード１４にも電流が流れて、ダイオード１４
の端子電圧はほぼ０．６■を維持することになるから、
光電変換素子１１に流れる電流が増加しても、抵抗１２
の両端の電圧は増加しないことになる。
光電変換素子１１に流れる電流による抵抗１２の電圧降
下が０．６Ｖ以下の場合は、ダイオード１４には電流が
殆ど流れない状態となる。又光電変換素子１１に流れる
電流による抵抗１２の電圧降下が、０．６Ｖ以上となる
と、ダイオード１４にも電流が流れて、ダイオード１４
の端子電圧はほぼ０．６■を維持することになるから、
光電変換素子１１に流れる電流が増加しても、抵抗１２
の両端の電圧は増加しないことになる。
従って、受信した光信号レベルが低いことにより、光電
変換素子１１に流れる電流の直流分が小さいと、ａ点と
ｂ点との間の電位差は抵抗１２の電圧降下による僅かな
値となる。又受信した光信号レベルが高いことにより、
光電変換素子ＩＩに流れる電流の直流分が大きいと、抵
抗１２の電圧降下は０．６Ｖ以上となるので、ダイオー
ド１４にも電流が流れることになる。それによって、ａ
点とｂ点との間の電位差は、ダイオード１４の順方向電
圧の値に抑制され、充電変換素子Ｉｆに流れる電流の直
流分、即ち、受信光信号レベルに関係なく、電界効果ト
ランジスタ１３の動作点を一定化することができる。な
お、ダイオード１４の直列接続数を選定することにより
、ａ点とｂ点との間の電位差を０．６Ｖ以外の所望の値
に設定することが可能である。即ち、増幅素子としての
電界効果トランジスタ１３の動作点は、ダイオード１４
の接続数により所望の点に設定することができるもので
ある。
変換素子１１に流れる電流の直流分が小さいと、ａ点と
ｂ点との間の電位差は抵抗１２の電圧降下による僅かな
値となる。又受信した光信号レベルが高いことにより、
光電変換素子ＩＩに流れる電流の直流分が大きいと、抵
抗１２の電圧降下は０．６Ｖ以上となるので、ダイオー
ド１４にも電流が流れることになる。それによって、ａ
点とｂ点との間の電位差は、ダイオード１４の順方向電
圧の値に抑制され、充電変換素子Ｉｆに流れる電流の直
流分、即ち、受信光信号レベルに関係なく、電界効果ト
ランジスタ１３の動作点を一定化することができる。な
お、ダイオード１４の直列接続数を選定することにより
、ａ点とｂ点との間の電位差を０．６Ｖ以外の所望の値
に設定することが可能である。即ち、増幅素子としての
電界効果トランジスタ１３の動作点は、ダイオード１４
の接続数により所望の点に設定することができるもので
ある。
第３図は本発明の他の実施例の回路図であり、２１は光
電変換素子、２２は抵抗、２３は電界効果トランジスタ
、２４はダイオード、２５はバイポーラトランジスタ、
２６は出力端子であって、他の第２図と同一符号は同一
部分を示すものである。この実施例は、光電変換素子２
１と接地との間に抵抗２２が接続され、その抵抗２２と
並列にダイオード２４が接続されているものである。従
って、受信した光信号レベルが大きくなった時、流れる
電流の直流分が大きくなるが、抵抗２２の電圧降下が０
．６Ｖ以上となると、ダイオード２４の順方向電圧とな
るように分流されるから、電界効果トランジスタ２３の
動作点を一定化することができる。
電変換素子、２２は抵抗、２３は電界効果トランジスタ
、２４はダイオード、２５はバイポーラトランジスタ、
２６は出力端子であって、他の第２図と同一符号は同一
部分を示すものである。この実施例は、光電変換素子２
１と接地との間に抵抗２２が接続され、その抵抗２２と
並列にダイオード２４が接続されているものである。従
って、受信した光信号レベルが大きくなった時、流れる
電流の直流分が大きくなるが、抵抗２２の電圧降下が０
．６Ｖ以上となると、ダイオード２４の順方向電圧とな
るように分流されるから、電界効果トランジスタ２３の
動作点を一定化することができる。
この実施例に於いても、抵抗２２と並列に接続するダイ
オード２４の直列接続数を選定することにより、増幅素
子としての電界効果トランジスタ２３の動作点を設定す
ることができる。又増幅素子としては、バイポーラトラ
ンジスタを用いることも勿論可能である。
オード２４の直列接続数を選定することにより、増幅素
子としての電界効果トランジスタ２３の動作点を設定す
ることができる。又増幅素子としては、バイポーラトラ
ンジスタを用いることも勿論可能である。
以上説明したように、本発明は、ホトダイオード等の光
電変換素子１と直列に接続された抵抗２に対して、並列
にダイオード４を接続したものであり、光電変換素子１
に流れる電流の直流分が光信号レベルに対応して変化し
ても、抵抗２の両端の電圧をダイオード４の順方向電圧
に抑制することができ、それによって電界効果トランジ
スタ等の増幅素子３の動作点を一定化することができる
ものである。従って、信号の波形歪を生じることもな（
、光受信回路の動作を安定化することができる。
電変換素子１と直列に接続された抵抗２に対して、並列
にダイオード４を接続したものであり、光電変換素子１
に流れる電流の直流分が光信号レベルに対応して変化し
ても、抵抗２の両端の電圧をダイオード４の順方向電圧
に抑制することができ、それによって電界効果トランジ
スタ等の増幅素子３の動作点を一定化することができる
ものである。従って、信号の波形歪を生じることもな（
、光受信回路の動作を安定化することができる。
第１図は本発明の原理説明図、第２図及び第３図は本発
明のそれぞれ異なる実施例の回路図、第４図及び第５図
は従来例の回路図である。 １．１１．２１はホトダイオード等の光電変換素子、２
，１２．２２は抵抗、３は増幅素子、４．１４．２４は
ダイオード、１３．２３は電界効果トランジスタ、１５
．２５はバイポーラトランジスタ、１６．２６は出力端
子、Ｒ１−Ｒ４は抵抗、Ｃ１，Ｃ２は結合用及びバイパ
ス用のコンデンサである。
明のそれぞれ異なる実施例の回路図、第４図及び第５図
は従来例の回路図である。 １．１１．２１はホトダイオード等の光電変換素子、２
，１２．２２は抵抗、３は増幅素子、４．１４．２４は
ダイオード、１３．２３は電界効果トランジスタ、１５
．２５はバイポーラトランジスタ、１６．２６は出力端
子、Ｒ１−Ｒ４は抵抗、Ｃ１，Ｃ２は結合用及びバイパ
ス用のコンデンサである。
Claims (2)
- （１）、ディジタル光信号を受信する光受信回路に於い
て、 受信したディジタル光信号を電気信号に変換する光電変
換素子（１）と、 該光電変換素子（１）と直列に一端が接続された抵抗（
２）と、 該抵抗（２）と前記光電変換素子（１）との接続点を入
力端子に接続した増幅素子（３）と、前記抵抗（２）に
並列に接続したダイオード（４）とを備えた ことを特徴とする光受信回路。 - （２）、前記抵抗（２）と前記ダイオード（４）の他端
を所定のバイアス電位に接続したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077548A JPS61237534A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077548A JPS61237534A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237534A true JPS61237534A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13637063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60077548A Pending JPS61237534A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61237534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436087A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hamamatsu Photonics Kk | Ic photodetector for photocoupler |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168343A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 光ａｇｃ回路 |
-
1985
- 1985-04-13 JP JP60077548A patent/JPS61237534A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168343A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 光ａｇｃ回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436087A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hamamatsu Photonics Kk | Ic photodetector for photocoupler |
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