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JPS61219951A - Positive type radiation sensitive composition - Google Patents

Positive type radiation sensitive composition

Info

Publication number
JPS61219951A
JPS61219951A JP6081585A JP6081585A JPS61219951A JP S61219951 A JPS61219951 A JP S61219951A JP 6081585 A JP6081585 A JP 6081585A JP 6081585 A JP6081585 A JP 6081585A JP S61219951 A JPS61219951 A JP S61219951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
naphthoquinonediazide
sulfonic acid
quinonediazide
sensitive composition
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6081585A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0588466B2 (en
Inventor
Yoichi Kamoshita
鴨志田 洋一
Mitsunobu Koshiba
小柴 満信
Takao Miura
孝夫 三浦
Yoshiyuki Harita
榛田 善行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP6081585A priority Critical patent/JPS61219951A/en
Publication of JPS61219951A publication Critical patent/JPS61219951A/en
Publication of JPH0588466B2 publication Critical patent/JPH0588466B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a resist superior in radiation sensitivity and high in dry etching resistance by obtaining a positive type radiation sensitive compsn. composed of a quinonediazide compd. and a deriv. of oxazine, benzothiazine, or the like. CONSTITUTION:The positive type radiation sensitive compsn. to be used as a resist high in radiation sensitivity and high in residual film retentivity can be obtained by incorporating (A) a quinonediazide compd., such as benzoquinonediazide sulfonate or naphthoquinonediazide sulfonate, and (B) at least one of a deriv. of 2H-pyrido[3,2-b]-1,4-oxazin-3[4H]-one, 10H-pyrido[3,2- b]-1,4-benzothiazine, urazole, hydantoin, barbituric acid, glycine anhydride, 1-hydroxybenzotriazole, alloxan, and maleimide.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は可視光線、紫外線、電子線、X線など放射線に
感応するポジ型感放射線性組成物に関し、更に詳しくは
感放射線性、耐熱性、耐ドライエツチング性および残膜
率に優れたレジストとして好適なポジ型感放射線性組成
物に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a positive radiation-sensitive composition that is sensitive to radiation such as visible light, ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. The present invention relates to a positive radiation-sensitive composition suitable as a resist with excellent dry etching properties and film retention rate.

従来の技術 近年、半導体集積回路製造技術の進歩はめざましく、高
集積度の半導体集積回路製造に使用されるレジストは、
膨潤による解像度の低下が大きい環化イソプレン系ネガ
型レジストから、膨潤の少ないアルカリ可溶性樹脂とキ
ノンジアジド化合物との組み合わせによるポジ型レジス
トへと移行しつつある。
Conventional technology In recent years, advances in semiconductor integrated circuit manufacturing technology have been remarkable, and the resists used for manufacturing highly integrated semiconductor integrated circuits are
There is a shift from negative-tone resists based on cyclized isoprene, which suffers from a large drop in resolution due to swelling, to positive-tone resists based on a combination of alkali-soluble resins and quinone diazide compounds, which exhibit less swelling.

本発明が解決しようとする問題点 しかしながら、キノンジアジド化合物を含有するポジ型
レジストは、例えば紫外線照射を比較的長い時間必要と
し、その感放射線性に問題を有している。
Problems to be Solved by the Invention However, positive resists containing quinonediazide compounds require, for example, ultraviolet irradiation for a relatively long period of time, and have problems with their radiation sensitivity.

本発明の目的は、前記従来技術の欠点を改良し、感放射
線性に優れ、耐ドライエツチング性が良好で高い残膜率
を有するレジストとして好適なポジ型感放射線性組成物
を堤供することにある。
An object of the present invention is to improve the drawbacks of the above-mentioned conventional techniques and to provide a positive-working radiation-sensitive composition suitable as a resist that has excellent radiation sensitivity, good dry etching resistance, and a high residual film rate. be.

問題点を解決するための手段 本発明者らは、鋭意研究の結果、キノンジアジド化合物
と特定の化合物を含有するポジ型感放射線性組成物が優
れた感放射線性を有するとともに耐ドライエツチング性
が良好で、更に高い残膜率を有することを見出して本発
明に到達したものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive research, the present inventors have found that a positive radiation-sensitive composition containing a quinone diazide compound and a specific compound has excellent radiation sensitivity and good dry etching resistance. The present invention was achieved by discovering that it has an even higher residual film rate.

即ち本発明は、(イ)キノンジアジド化合物ならびに(
ロ)2H−ピリド(3,2−b)−1゜4−オキサジン
−3〔4H〕オン類、l0H−ピリド(3,2−b)(
1,4〕−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダント
イン類、バルビッール酸類、グリシン無水物類、1−ヒ
ドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類およびマ
レイミド類の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を
含有することを特徴とする可視光線、紫外線、遠紫外線
、電子線、X線、イオン線、分子線などの放射線に感応
するポジ型感放射線性組成物を提供するものである。
That is, the present invention provides (a) a quinonediazide compound and (a) a quinonediazide compound;
b) 2H-pyrido(3,2-b)-1゜4-oxazin-3[4H]ones, 10H-pyrido(3,2-b)(
1,4]-benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbylic acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxanes, and maleimides. The present invention provides a positive radiation-sensitive composition that is sensitive to radiation such as visible light, ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, electron beams, X-rays, ion beams, and molecular beams.

本発明で使用されるキノンジアジド化合物(イ)は、例
えばベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステル、ベンゾキノンジア
ジドスルホン酸アミド、ナフトキノンジアジドスルホン
酸アミドなどであり、公知のキノンジアジド化合物をそ
のまま使用することができる。更に具体的には、J、K
osar著’Light−5ensitive Sys
tems”339〜3352.  (1965) 、J
ohnWiley  &  5ons社(New  Y
ork)や、W、S、De  Forest著”Pho
to−resist’50.  (1975)、McG
rawHill、Inc、(New  York)に掲
載されてい4キノンジアジド化合物が挙げられる。
The quinonediazide compound (a) used in the present invention is, for example, benzoquinonediazide sulfonic acid ester, naphthoquinonediazide sulfonic acid ester, benzoquinonediazide sulfonic acid amide, naphthoquinonediazide sulfonic acid amide, etc., and known quinonediazide compounds may be used as they are. I can do it. More specifically, J, K
Written by osar'Light-5ensistive Sys
tems"339-3352. (1965), J
ohnWiley & 5ons (New Y
ork) and “Pho” by W. S. De Forest.
to-resist'50. (1975), McG.
RawHill, Inc., (New York), 4-quinonediazide compounds are included.

即ち、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
フェニルエステル、ジー(1’、2’−ベンゾキノンジ
アジド−4#−スルホニル)−4゜4′−ジヒドロキシ
ビフェニル、1.2−ベンゾキノンジアジド−4−(N
−エチル−N−β−ナフチル)−スルホンアミド、1.
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸シクロヘキ
シルエステル、1−(1’、2’−ナフトキノンジアジ
ド−5′−スルホニル)−3,5−ジメチルピラゾール
、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸−4
’−ヒドロキシジフェニル−4#−アゾ−β−ナフトー
ルエステル、N、 N−ジー(1゜2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニル)−アニリン、2−(1’、2
’−ナフトキノンジアジド−5′−スルホニルオキシ)
−1−ヒドロキシ−アントラキノン、1.2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸クロリド2モルと4,4
′−ジアミノベンゾフェノン1モルとの縮合物、1.2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド2モ
ルと4.4′−ジヒドロキシ−1゜1′−ジフェニルス
ルホン1モルとの縮合物、1.2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸クロリド1モルとプル105971
モルとの縮合物、1.2−ナフトキノンジアジド−5−
(N−ジヒドロアビエチル)−スルホンアミドなどを例
示することができる。
That is, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid phenyl ester, di(1',2'-benzoquinonediazide-4#-sulfonyl)-4°4'-dihydroxybiphenyl, 1,2-benzoquinonediazide-4- (N
-ethyl-N-β-naphthyl)-sulfonamide, 1.
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid cyclohexyl ester, 1-(1',2'-naphthoquinonediazide-5'-sulfonyl)-3,5-dimethylpyrazole, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid-4
'-Hydroxydiphenyl-4#-azo-β-naphthol ester, N, N-di(1°2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl)-aniline, 2-(1',2
'-naphthoquinonediazide-5'-sulfonyloxy)
-1-Hydroxy-anthraquinone, 2 moles of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and 4,4
Condensate with 1 mol of '-diaminobenzophenone, 1.2
- Condensate of 2 moles of naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and 1 mole of 4,4'-dihydroxy-1゜1'-diphenylsulfone, 1 mole of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and Puru 105971
Condensation product with mole, 1,2-naphthoquinonediazide-5-
(N-dihydroabiethyl)-sulfonamide and the like can be exemplified.

また、特公昭37−1953号公報、同37−3627
号公報、同37−13109号公報、同40−2612
6号公報、同40−3801号公報、同45−5604
号公報、同45−27345号公報、同51−1301
3号公報、特開昭48−96575号公報、同4B−6
3802号公報、同4B−63803号公報、同58−
75149号公報、同58−17112号公報、同59
−165053号公報などに記載されたキノンジアジド
化合物も使用することができる。
Also, Japanese Patent Publication No. 37-1953, No. 37-3627
Publication No. 37-13109, Publication No. 40-2612
Publication No. 6, Publication No. 40-3801, Publication No. 45-5604
No. 45-27345, No. 51-1301
Publication No. 3, JP-A-48-96575, JP-A-48-96575, JP-A No. 4B-6
Publication No. 3802, Publication No. 4B-63803, Publication No. 58-
Publication No. 75149, Publication No. 58-17112, Publication No. 59
Quinonediazide compounds described in JP-A-165053 and the like can also be used.

更に、下記一般式(I)、 または下記一般式(II)、 (式中、aおよびbは同一または異なり、3または4の
整数、lおよびmは同一または異なり、0〜3の整数、
Cは1〜4の整数、nは0〜3の整数を示し、また(a
−1)、(b−m)および(c −n)はいずれも1以
上の整数、R1、RsおよびR1は同一または異なり、
1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基、1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基または
1゜2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、R
t 、Rh 、ReおよびRoは同一または異なり、水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基、R
3、R4、R9およびR1゜は同一または異なり、水素
原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を示
し、R5およびR4ならびにR9およびRIGは炭素−
炭素結合またはエーテル結合で環を形成することができ
る)下記一般式(1)、 (式中、n′は2〜4の整数、 1 rはO〜3の整数
、m′は1〜4の整数、k′は1〜4の整数、かツk 
’ +1 ’ +m’ =5であり、R+zは一般式(
1)また(U)のR+ SRsおよびR1と同じであり
、Rt3は一般式(I)また(II)のRt 、R& 
、RsおよびR11と同じであり、Zはメタンまたは芳
香族化合物の残基を示す。)下記一般式(IV)、 または下記一般式(V)、 (式中、a#、b#およびC#は同一または異なり、1
〜4の整数、l#、m#およびn#は同一または異なり
、0〜3の整数、(a #  Z # )、(b’−m
’)および(C′−n#)は1以上の整数、R1いRt
5およびRlmは一般式(1)または(■)のR+ 、
Rs 、およびR1と同じであり、Rt6、R1?およ
びR19は一般式(1)または(II)のR2、R6、
R11およびR11と同じであり、R2゜はアルキル基
、アリール基またはアラルキル基を示し、Yは置換基を
有するかもしくは有しないアルキレン基またはオキサア
ルキレン基を示す。)下記一般式(Vl)、 (式中、R□、R2tおよびR13は同一でも異なって
いてもよく、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基
を表し、Dは一般式(1)または(U)のR8、R55
R11およびR7と同じであり、3個のDは同一でも異
なっていてもよい。)などで表される1、2−キノンジ
アジド化合物も使用することができる。
Furthermore, the following general formula (I), or the following general formula (II), (wherein a and b are the same or different and an integer of 3 or 4, l and m are the same or different and an integer of 0 to 3,
C is an integer of 1 to 4, n is an integer of 0 to 3, and (a
-1), (b-m) and (c-n) are all integers of 1 or more, R1, Rs and R1 are the same or different,
1.2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, 1
.. 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group or 1゜2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl group, R
t , Rh , Re and Ro are the same or different and are hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aryl group, aralkyl group, alkoxy group, cyano group or nitro group, R
3, R4, R9 and R1° are the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an aralkyl group, and R5 and R4 and R9 and RIG are carbon-
A ring can be formed by a carbon bond or an ether bond) The following general formula (1), (where n' is an integer of 2 to 4, 1 r is an integer of O to 3, m' is an integer of 1 to 4) An integer, k' is an integer from 1 to 4, and k
' +1 '+m' = 5, and R+z is the general formula (
1) It is also the same as R+ SRs and R1 in (U), and Rt3 is Rt, R& in general formula (I) or (II).
, Rs and R11, and Z represents methane or the residue of an aromatic compound. ) The following general formula (IV), or the following general formula (V), (wherein a#, b# and C# are the same or different, and 1
Integers of ~4, l#, m# and n# are the same or different, integers of 0 to 3, (a # Z # ), (b'-m
') and (C'-n#) are integers greater than or equal to 1, R1 and Rt
5 and Rlm are R+ of general formula (1) or (■),
Same as Rs, and R1, and Rt6, R1? and R19 is R2, R6 of general formula (1) or (II),
It is the same as R11 and R11, R2° represents an alkyl group, aryl group or aralkyl group, and Y represents an alkylene group or oxaalkylene group with or without a substituent. ) The following general formula (Vl), (wherein R□, R2t and R13 may be the same or different and represent a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, and D is the general formula (1) or (U) R8, R55
It is the same as R11 and R7, and the three Ds may be the same or different. ) and the like can also be used.

上記一般式(1)で表される1、2−キノンジアジド化
合物は、例えばジ(2,3,4−)リヒドロキシフェニ
ル)メタン、1,1−ジ(2,3゜4−トリヒドロキシ
フェニル)プロパン、2.2−ジ(2,3,4−1−リ
ヒドロキシフェニル)プロパン、1.1−ジ(2,3,
4−)リヒドロキシフェニル)ブタン、1.1−ジ(2
,3,4−トリヒドロキシ)シクロヘキサン、1.1−
ジ(2,3,4−)リヒドロキシ)−4−オキサシクロ
ヘキサン、ジ(2,4,6−1−リヒドロキシフェニル
)メタン、1.1−ジ(2,4,6−トリヒドロキシフ
ェニル)プロパン、2. 2−シ(2,4,6−)リヒ
ドロキシフェニル)プロパン、1.1−ジ(2,4,6
−トリヒドロキシフェニル)ブタン、1.1−ジ(2,
4,6−トリヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1
.1−’; (2,4,6−トリヒドロキシフェニル)
−4−オキサシクロヘキサン、ジ(2,3,4−)ジヒ
ドロキシ−5−ブロモフェニル)メタン、2゜2−ジ(
2,4,6−ドリヒドロキシー3−クロロフェニル)プ
ロパン、ジ(2,3,4−)ジヒドロキシ−5−メチル
フェニル)メタン、2.2− (2,4,6−)ジヒド
ロキシ−3−メチル)プロパン、ジ(2,3,4−)ジ
ヒドロキシ−5−シアノフェニル)メタン、2,2−ジ
(2,4゜6−ドリヒドロキシー3−ニトロフェニル)
プロパン、ジ(1,2,3,4−テトラヒドロキシフェ
ニル)メタン、2,2−ジ(1,2,3,5−テトラヒ
ドロキシフェニル)プロパンなどのポリヒドロキシ化合
物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド、■、2−ナフトキノンジアジドー4−スルホニ
ルクロリドまたは1゜2−ベンゾキノンジアジド−4−
スルホニルクロリドとを当量比0.125〜1で縮合す
ることにより得ることができる。
The 1,2-quinonediazide compound represented by the above general formula (1) is, for example, di(2,3,4-)lihydroxyphenyl)methane, 1,1-di(2,3°4-trihydroxyphenyl) Propane, 2,2-di(2,3,4-1-lihydroxyphenyl)propane, 1,1-di(2,3,
4-)lihydroxyphenyl)butane, 1,1-di(2
, 3,4-trihydroxy)cyclohexane, 1.1-
Di(2,3,4-lihydroxy)-4-oxacyclohexane, di(2,4,6-1-lihydroxyphenyl)methane, 1,1-di(2,4,6-trihydroxyphenyl) Propane, 2. 2-cy(2,4,6-)lihydroxyphenyl)propane, 1,1-di(2,4,6
-trihydroxyphenyl)butane, 1,1-di(2,
4,6-trihydroxyphenyl)cyclohexane, 1
.. 1-'; (2,4,6-trihydroxyphenyl)
-4-Oxacyclohexane, di(2,3,4-)dihydroxy-5-bromophenyl)methane, 2゜2-di(
2,4,6-dolihydroxy-3-chlorophenyl)propane, di(2,3,4-)dihydroxy-5-methylphenyl)methane, 2,2-(2,4,6-)dihydroxy-3-methyl ) Propane, di(2,3,4-)dihydroxy-5-cyanophenyl)methane, 2,2-di(2,4°6-dolihydroxy-3-nitrophenyl)
Polyhydroxy compounds such as propane, di(1,2,3,4-tetrahydroxyphenyl)methane, 2,2-di(1,2,3,5-tetrahydroxyphenyl)propane and 1,2-naphthoquinonediazide- 5-sulfonyl chloride, ■, 2-naphthoquinonediazide 4-sulfonyl chloride or 1゜2-benzoquinonediazide-4-
It can be obtained by condensing with sulfonyl chloride at an equivalent ratio of 0.125 to 1.

上記一般式(n)で表される1、2−キノンジアジド化
合物は、例えば2,3.4−)ジヒドロキシジフェニル
メタン、2,4.6−)ジヒドロキシジフェニルメタン
、2.3.4−)ジヒドロキシ−5−クロロジフェニル
メタン、2,4.6−ドリヒドロキシー3−ブロモジフ
ェニルメタン、2.3.4−)ジヒドロキシ−5−メチ
ルジフェニルメタン、2.4.6−)ジヒドロキシ−3
−シアノジフェニルメタン、2.3.4−)ジヒドロキ
シ−5−ニトロジフェニルメタン、2,3゜4−トリヒ
ドロキシ−4′−メチルジフェニルメタン、2,4.6
−)ジヒドロキシ−4′−メチルジフエニルメタン、2
,3.4−トリヒドロキシ−4′−t−ブチルジフェニ
ルメタン、2,3゜4.5−テトラヒドロキシ−フェニ
ルメタン、2゜3.4.6−テトラヒドロキシジフェニ
ルメタン、2.5−ジヒドロキシジフェニルメタン、2
.4−ジヒドロキシジフェニルメタン、2.4−ジヒド
ロキシ−4′−メチルジフェニルメタン、2゜5−ジヒ
ドロキシ−4’−t−ブチルジフェニルメタン、1− 
(2,3,4−)ジヒドロキシ)−1−フェニルプロパ
ン、1− (2,4,6−トリヒドロキシフェニル)−
1−フェニルプロパン、1− (2,3,4−トリヒド
ロキシ−5−クロロ)−1−フェニルプロパン、1− 
(2,3,4−トリヒドロキシ−5−メチル)−1−フ
ェニルプロパン、1−(2,4,6−1−ジヒドロキシ
−3−シアノフェニル)−1−フェニルプロパン、1−
(2,3,4−)ジヒドロキシ−5−ニトロフェニル)
−1−フェニルプロパン、l−(2,3゜4−トリヒド
ロキシフェニル)−1−(p−1−リル)プロパン、1
− (2,4,6−)ジヒドロキシフェニル)−1−(
4−t−ブチルフェニル)プロパン、1− (2,3,
4,5−テトラヒドロキシフェニル)−1−フェニルプ
ロパン、■−(2,3,4,6−テトラヒドロキシ)−
1−フェニルプロパン、1− (2,5−ジヒドロキシ
)−1−フェニルプロパン、1−(2,4−ジヒドロキ
シ)−1−フェニルプロパン、L−(2,4−ジヒドロ
キシフェニル)−1−(p−)リル)プロパンなどのポ
リヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニルクロリド、1.2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホニルクロリドまたは1,2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.1
25〜1で縮合することにより得ることができる。
The 1,2-quinonediazide compound represented by the above general formula (n) is, for example, 2,3.4-)dihydroxydiphenylmethane, 2,4.6-)dihydroxydiphenylmethane, 2.3.4-)dihydroxy-5- Chlorodiphenylmethane, 2,4.6-dolihydroxy-3-bromodiphenylmethane, 2.3.4-)dihydroxy-5-methyldiphenylmethane, 2.4.6-)dihydroxy-3
-Cyanodiphenylmethane, 2.3.4-)dihydroxy-5-nitrodiphenylmethane, 2,3゜4-trihydroxy-4'-methyldiphenylmethane, 2,4.6
-) dihydroxy-4'-methyldiphenylmethane, 2
, 3.4-trihydroxy-4'-t-butyldiphenylmethane, 2,3゜4.5-tetrahydroxy-phenylmethane, 2゜3.4.6-tetrahydroxydiphenylmethane, 2.5-dihydroxydiphenylmethane, 2
.. 4-dihydroxydiphenylmethane, 2.4-dihydroxy-4'-methyldiphenylmethane, 2゜5-dihydroxy-4'-t-butyldiphenylmethane, 1-
(2,3,4-)dihydroxy)-1-phenylpropane, 1-(2,4,6-trihydroxyphenyl)-
1-phenylpropane, 1-(2,3,4-trihydroxy-5-chloro)-1-phenylpropane, 1-
(2,3,4-trihydroxy-5-methyl)-1-phenylpropane, 1-(2,4,6-1-dihydroxy-3-cyanophenyl)-1-phenylpropane, 1-
(2,3,4-)dihydroxy-5-nitrophenyl)
-1-phenylpropane, l-(2,3゜4-trihydroxyphenyl)-1-(p-1-lyl)propane, 1
- (2,4,6-)dihydroxyphenyl)-1-(
4-t-butylphenyl)propane, 1-(2,3,
4,5-tetrahydroxyphenyl)-1-phenylpropane, ■-(2,3,4,6-tetrahydroxy)-
1-phenylpropane, 1-(2,5-dihydroxy)-1-phenylpropane, 1-(2,4-dihydroxy)-1-phenylpropane, L-(2,4-dihydroxyphenyl)-1-(p -) Polyhydroxy compounds such as propane and 1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, or 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl chloride in an equivalent ratio of 0.1.
It can be obtained by condensing 25-1.

上記一般式(1)または(II)で表されるl。1 represented by the above general formula (1) or (II).

2−キノンジアジド化合物の詳細は、本出願人の特願昭
58−230328号明細書に記載されている。
Details of the 2-quinonediazide compound are described in Japanese Patent Application No. 58-230328 filed by the present applicant.

上記一般式(I[[)で表されるl、  2−キノンジ
アジド化合物は、例えばp−ビス(4−ヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベ
ンゾイル)ベンゼン、p−ビス(2゜3.4−1−ジヒ
ドロキシベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,4,6
−1−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビス(
4−ヒドロキシ−3−クロロベンゾイル)ベンゼン、p
−ビス(2,3゜4−トリヒドロキシ−5−メチルベン
ゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,4,6−)ジヒドロ
キシ−3−ニトロベンゾイル)ベンゼン、p−ビス(2
,3,4−1−ジヒドロキシ−5−シアノベンゾイル)
ベンゼン、1,3.5−トリス(2,5−ジヒドロキシ
ベンゾイルベンゼン、1,2.3−トリス(2,3,4
−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、1,2.4−
1−リス(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)ベ
ンゼン、1,2゜4.5−テトラキス(2,3,4−1
−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、α、α′−ビス
(2゜3.4−)ジヒドロキシベンゾイル)−p−キシ
レン、α、α′、α′−トリス(2,3,4−トリヒド
ロキシベンゾイル)メシチレン、1.2−ビス(2,3
,4−トリヒドロキシベンゾイル)ナフタレンなどのポ
リヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニルクロリド、1.2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.0
83〜lで縮合することにより得ることができ、詳細は
本出願人の特願昭58−243583号明細書に記載さ
れている。
The 1,2-quinonediazide compound represented by the above general formula (I [゜3.4-1-dihydroxybenzoyl)benzene, m-bis(2,4,6
-1-dihydroxybenzoyl)benzene, p-bis(
4-hydroxy-3-chlorobenzoyl)benzene, p
-bis(2,3゜4-trihydroxy-5-methylbenzoyl)benzene, p-bis(2,4,6-)dihydroxy-3-nitrobenzoyl)benzene, p-bis(2
,3,4-1-dihydroxy-5-cyanobenzoyl)
Benzene, 1,3,5-tris(2,5-dihydroxybenzoylbenzene, 1,2,3-tris(2,3,4
-trihydroxybenzoyl)benzene, 1,2.4-
1-Lis(2,4,6-trihydroxybenzoyl)benzene, 1,2゜4.5-tetrakis(2,3,4-1
-dihydroxybenzoyl)benzene, α,α′-bis(2°3.4-)dihydroxybenzoyl)-p-xylene, α,α′,α′-tris(2,3,4-trihydroxybenzoyl)mesitylene, 1.2-bis(2,3
, 4-trihydroxybenzoyl)naphthalene and 1,2-naphthoquinone diazide.
5-sulfonyl chloride, 1.2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride or 1.2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl chloride in an equivalent ratio of 0.0.
It can be obtained by condensation with 83 to 1, and the details are described in Japanese Patent Application No. 58-243583 filed by the present applicant.

上記一般式(IV)で表される1、2−キノンジアジド
化合物は、例えばエチレングリコールージ(2−ヒドロ
キシベンゾエート)、ジエチレングリコールージ(2,
3−ジヒドロキシベンゾエート)、トリエチレングリコ
ールージ(2,6−ジヒドロキシベンゾエート)、エチ
レングリコールージ(3,4,5−)ジヒドロキシベン
ゾエート)、ジエチレングリコールージ(2,4,6−
トリヒドロキシベンゾエート)、トリエチレングリコー
ルージ(2−ヒドロキシ−3−メチルベンゾエート)、
エチレングリコールージ(4−クロロ−2−ヒドロキシ
ベンゾエート)、ポリエチレングリコールージ(5−ブ
ロモー2−ヒドロキシベンゾエート)、プロビレングリ
コールージ(3−クロロ−4−ヒドロキシベンゾエート
)、スチレングリコールージ(2−ヒドロキシ−3−メ
トキシベンゾエート)、ポリ10ピレングリコールージ
(2−ヒドロキシ−5−メトキシベンゾエート)、ポリ
−3,3−ビスタロロゴチルオキセタングリコールージ
(3−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾエート)、1.
3−プロパンジオールージ(3゜4.5−1−ジヒドロ
キシベンゾエート)、1.4−ブタンジオールージ(3
−ヒドロキシベンゾエート)、ポリテトラヒドロフラン
グリコールージ(3,4,cJ−)ジヒドロキシベンゾ
エート)などのポリヒドロキシ化合物と1.2−ナフト
キノンジアト−5−スルホニルクロリド、1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホニルクロリドまたは1.
2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルクロリドと
を当量比0.17〜1で縮合することにより得ることが
できる。
The 1,2-quinonediazide compound represented by the above general formula (IV) is, for example, ethylene glycol di(2-hydroxybenzoate), diethylene glycol di(2,
3-dihydroxybenzoate), triethylene glycol-di(2,6-dihydroxybenzoate), ethylene glycol-di(3,4,5-)dihydroxybenzoate), diethylene glycol-di(2,4,6-
trihydroxybenzoate), triethylene glycoludi(2-hydroxy-3-methylbenzoate),
Ethylene glycol rouge (4-chloro-2-hydroxybenzoate), polyethylene glycol rouge (5-bromo 2-hydroxybenzoate), propylene glycol rouge (3-chloro-4-hydroxybenzoate), styrene glycol rouge (2-hydroxy- 3-methoxybenzoate), poly-10 pyrene glycoluge (2-hydroxy-5-methoxybenzoate), poly-3,3-bistarolologothyloxetane glycoluge (3-hydroxy-4-methoxybenzoate), 1.
3-propanedioludi(3゜4.5-1-dihydroxybenzoate), 1,4-butanedioludi(3
-hydroxybenzoate), polytetrahydrofuran glycol di(3,4,cJ-)dihydroxybenzoate), and 1,2-naphthoquinonediato-5-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride. Or 1.
It can be obtained by condensing with 2-benzoquinone diazide-4-sulfonyl chloride at an equivalent ratio of 0.17 to 1.

上記一般式(V)で表される1、2−キノンジアジド化
合物は、例えばエチレングリコール−モノメチル−モノ
 (3,4,5−)ジヒドロキシベンゾエート)、エチ
レングリコール−モノエチル−モノ (2,4,6−)
ジヒドロキシベンゾエート)、ジエチレングリコール−
モノエチル−モノ(2,3−ジヒドロキシベンゾエート
)、トリエチレングリコール−モノエチル−モノ(3,
5−ジヒドロキシベンゾエート)、エチレングリコール
−モノフェニル−モノ(3,4,5−トリヒドロキシベ
ンゾニー))、1.2−ベンゼンジメタノ−ルーモノエ
チル−モノ(3,4,5−)ジヒドロキシベンゾエート
)などpポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルクロリド、l、2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドまたは1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当
量比0.3〜lで縮合することにより得ることができる
The 1,2-quinonediazide compound represented by the above general formula (V) is, for example, ethylene glycol-monomethyl-mono (3,4,5-) dihydroxybenzoate), ethylene glycol-monoethyl-mono (2,4,6- )
dihydroxybenzoate), diethylene glycol
Monoethyl-mono(2,3-dihydroxybenzoate), triethylene glycol-monoethyl-mono(3,
5-dihydroxybenzoate), ethylene glycol-monophenyl-mono(3,4,5-trihydroxybenzony)), 1,2-benzenedimethanol-monoethyl-mono(3,4,5-)dihydroxybenzoate), etc. p polyhydroxy compound and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, l,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride or 1,2-
It can be obtained by condensing benzoquinone diazide-4-sulfonyl chloride at an equivalent ratio of 0.3 to 1.

上記一般式(IV)または(V)で表される1゜2−キ
ノンジアジド化合物の詳細は、本出願人の特願昭59−
2521号明細書に記載されている。
Details of the 1゜2-quinonediazide compound represented by the above general formula (IV) or (V) can be found in the applicant's Japanese Patent Application No.
It is described in the specification of No. 2521.

上記一般式(V[)で表される1、  2−キノンジア
ジド化合物は、例えば1.2.3−)リヒドロキシベン
ゼン、1,2.3−)ジヒドロキシ−4−クロルベンゼ
ン、1.2.3−)リヒドロキシー4−エチルベンゼン
、1.2.3−トリヒドロキシ−4,6−ジクロルベン
ゼン、1.2.3−トリヒドロキシ−4,5−ジメチル
ベンゼン、’L2.4−トリヒドロキシベンゼン、1.
2.4−トリヒドロキシ−5−ブロモベンゼン、1,2
゜4−トリヒドロキシ−5−t−ブチルベンゼン、1.
3.5−1−リヒドロキシベンゼン、1,3゜5−トリ
ヒドロキシ−4−クロルベンゼン、1゜3.5−トリヒ
ドロキシ−4−イソプロピルベンゼンなどのポリヒドロ
キシ化合物と1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロリド、1.2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.3〜lで縮
合することにより得ることができ、詳細は本出願人の特
願昭59−167979号明細書に記載されている。
Examples of the 1,2-quinonediazide compound represented by the above general formula (V[) include 1.2.3-)lihydroxybenzene, 1,2.3-)dihydroxy-4-chlorobenzene, 1.2.3-) -) Lihydroxy-4-ethylbenzene, 1.2.3-trihydroxy-4,6-dichlorobenzene, 1.2.3-trihydroxy-4,5-dimethylbenzene, 'L2.4-trihydroxybenzene, 1 ..
2.4-trihydroxy-5-bromobenzene, 1,2
゜4-trihydroxy-5-t-butylbenzene, 1.
3. Polyhydroxy compounds such as 5-1-lihydroxybenzene, 1,3゜5-trihydroxy-4-chlorobenzene, 1゜3.5-trihydroxy-4-isopropylbenzene and 1,2-naphthoquinonediazide. 5-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-4-
It can be obtained by condensation with sulfonyl chloride or 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl chloride at an equivalent ratio of 0.3 to 1, and the details are described in the specification of Japanese Patent Application No. 167979/1989 filed by the present applicant. has been done.

また、ヒドロキシル基を有するα−ピロン化合物、ヒド
ロキシル基を有するγ−ピロン化合物、ヒドロキシル基
を有するジアジン化合物およびヒドロキシル基を有する
キノン化合物から選ばれる少なくとも1種の天然色素の
1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルも使用する
ことができる。
In addition, 1,2-quinonediazide sulfonic acid of at least one natural pigment selected from α-pyrone compounds having a hydroxyl group, γ-pyrone compounds having a hydroxyl group, diazine compounds having a hydroxyl group, and quinone compounds having a hydroxyl group. Esters can also be used.

前記ヒドロキシル基を有するα−ピロン化合物としては
、例えばヒスピジン、2’、3’−ジオキシ−ジベンズ
−α−ピロン、エラグ酸、グルベルジン、オオスボラフ
トンなどを挙げることができる。前記ヒドロキシル基を
有するγ−ピロン化合物としては、例えばオイニゲン、
ブラシリン、ヘマトキシリン、オイキサントン、ゲンチ
ミン、クリシン、クリシンの配糖体であるトリンギン、
プリメチン、アビゲニン、アビゲニンの配糖体であるア
ビイン、ルテオリン、ケルセチン、ケルセチンの配糖体
であるケルシトリン、イソケルシトリン、ケルシトリン
リン、ルチン、ヒペリン、カランギン、ケンペロール、
フィセチン、モリン、ラムネチン、ミリセチン、ソテツ
フラボン、ナリンゲニン、ナリンゲニンの配糖体である
ブラシリン、サクラネチン、ヘスペリチン、アルピノン
、ダイゼイン、プルネチン、プルネチンの配糖体である
プルニドリン、イソゲニン、イソゲニンの配糖体である
プルニドリン、イソゲニン、イソゲニンの配糖体である
イリジン、オサジン、ベラルゴニジン、シアニジン、ロ
イコデルフィニジンなどを挙げることができる。前記ヒ
ドロキシル基を有するジアジン化合物としては、例えば
キサントプテリン、ロイコプテリン、エントロプテリン
、クリソプテリン、イオジニンなどを挙げることができ
る。前記ヒドロキシル基を有するキノン化合物としては
、例えばポリボール酸、アトロメンチン、ロイコメロン
、ムスカルフィン、オオスボレイン、ニゲロン、エキツ
クロームA1スピノンA1スビノクロームN、アリザリ
ン、プルプリン、エモジン、カルミン酸、ケルメス酸、
スカイリン、ピロマイシンなどを挙げることができる。
Examples of the α-pyrone compound having a hydroxyl group include hispidine, 2',3'-dioxy-dibenz-α-pyrone, ellagic acid, gluterdine, and osboraftone. Examples of the γ-pyrone compound having a hydroxyl group include Eunigen,
Brassillin, hematoxylin, euxanthone, gentimin, chrysin, tringin, a glycoside of chrysin,
Primethin, abigenin, abiin, a glycoside of abigenin, luteolin, quercetin, quercitrin, isoquercitrin, quercitrin, a glycoside of quercetin, rutin, hyperin, carangin, kaempferol,
Fisetin, morin, rhamnetin, myricetin, cycadoflavone, naringenin, brasilin, a glycoside of naringenin, sakuranetin, hesperitin, alpinone, daidzein, prunetin, prunidrine, a glycoside of prunetin, isogenin, a glycoside of isogenin. Examples include prunidrine, isogenin, and isogenin glycosides such as irisine, osazine, belargonidine, cyanidin, and leucodelphinidin. Examples of the diazine compound having a hydroxyl group include xanthopterin, leucopterin, entropterin, chrysopterin, and iodinine. Examples of the quinone compound having a hydroxyl group include polyboric acid, atromentin, leucomelone, muscarfine, osborein, nigerone, echituchrome A1 spinone A1 subinochrome N, alizarin, purpurin, emodin, carminic acid, kermesic acid,
Skylin, pyromycin, etc. can be mentioned.

前記天然色素の1,2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルは、前記天然色素と1.2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホニルクロリド、1゜2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.
3〜1で縮合することにより得ることができる。
The 1,2-quinonediazide sulfonic acid ester of the natural dye is a combination of the natural dye and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, 1.2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, or 1.2-benzoquinonediazide-4. -sulfonyl chloride in an equivalent ratio of 0.
It can be obtained by condensing 3 to 1.

このようにして得られる天然色素の1.2−キノンジア
ジドスルホン酸エステルとしては、例えばヒスピリン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエス
テル、ヒスビジンー1. 2=ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸モノエステル、2’、3’−ジオキシ−
ジベンズ−α−ピロン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ジエステル、エラグ酸−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル、エ
ラグ酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸トリエステル、グルベルジン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸モノエステル、オオスポラク
トンー1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
モノエステル、オイゲニンー1.2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸モノエステル、ブラシリン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステ
ル、ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸ペンタエステル、ヘマトキシリン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸テトラエス
テル、ヘマトキシリン−1゜2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸トリエステル、ヘマトキシリン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル
、オイキサントンー1.2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸ジエステル、ケンチミン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、クリシン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエ
ステル、トランギン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸ジエステル、プリメチン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、アビゲ
ニン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
トリエステル、アビイン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸トリエステル、ルテオリン−1゜2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル
、ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ペンタエステル、ケルセチン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル、ケル
セチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸トリエステル、ケルセチン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸ジエステル、ケルセチン−1゜
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステ
ル、ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸テトラエステル、ケルセチン−1,2−ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホン酸テトラエステル、ケ
ルシトリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸テトラエステル、イソケルシトリン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル、
ケルシフトリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸テトラエステル、ルチン−1,2−ナフドキ
ノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、ピペリン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸テトラ
エステル、カランギン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸トリエステル、ケンペロールー1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル
、ソイセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5=ス
ルホン酸トリエステル、セリン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸テトラエステル、セリン−1
,2−ナフトキノンジアジド−5=スルホン酸ペンタエ
ステル、ラムネチン−1゜2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸トリエステル、ミリセチン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル、
ソテツフラボンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸テトラエステル、ナリンゲニン−1゜2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル、ナ
リンジンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、ザクラネチン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸ジエステル、ヘスペリチン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエス
テル、アルピラン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸ジエステル、カテキン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル、ダイゼ
イン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
モノエステル、プルネチン−1゜2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸ジエステル、プルニドリン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル
、ビリゲニン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、イリジン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸ジエステル、オサジン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル
、ベラルゴニジンー1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸トリエステル、シアニジン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル、ロ
イコデルフィコジン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸ペンタエステル、キサントプテリン−1
゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステ
ル、ロイコプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸トリエステル、エントロプテリン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステ
ル、クリソプテリン−1゜2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸ジエステル、イオジニンー1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、ポリボ
ール酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸ジエステル、アトロメンチン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸トリエステル、ロイコメロン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリ
エステル、ムスカルフィン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸ジエステル、オオスボレインー1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエス
テル、ニゲロン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸モノエステル、エキツクロームA−1゜2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸テトラエステル
、スビノンA−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸テトラエステル、スピンクロームN−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル、
アリザリン−1゜2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、プルプリン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸ジエステル、エモジン−1゜
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル
、カルミン酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、ケルメス酸−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル、スカイリ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸へ
キサエステル、ピロマイシン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸トリエステルなどが挙げられ、
これらの天然色素の1.2−キノンジアジドスルホン酸
エステルの詳細は本出願人の特願昭59−18287号
明細書に記載されている。
As the 1,2-quinonediazide sulfonic acid ester of the natural pigment obtained in this way, for example, hispirin-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, hisvidine-1. 2 = naphthoquinonediazide
5-sulfonic acid monoester, 2',3'-dioxy-
Dibenz-α-pyrone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, ellagic acid-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, ellagic acid-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, gluterdine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, osporactone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, eugenin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester ester, brasilin-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, hematoxylin-1,2-naphthoquinonediazide
5-sulfonic acid pentaester, hematoxylin-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, hematoxylin-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, hematoxylin-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, euxanthone-1,2-naphthoquinonediazide-5
-sulfonic acid diester, kentimine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, chrysin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, trangine-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid diester, primethine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, abigenin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, abiin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid Triester, luteolin-1゜2
-Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, quercetin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, quercetin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, quercetin-1,2-naphtho Quinonediazide-5-sulfonic acid triester, quercetin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, quercetin-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, quercetin-1,2-naphthoquinonediazide-4 −
Sulfonic acid tetraester, quercetin-1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid tetraester, quercitrin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, isoquercitrin-1,2-naphthoquinonediazide-5- sulfonic acid tetraester,
Quershiftrin-1,2-naphthoquinonediazide-5-
Sulfonic acid tetraester, rutin-1,2-nafdoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, piperine-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, carangin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, kaempferol 1,2
-Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, soicetin-1,2-naphthoquinonediazide-5=sulfonic acid triester, serine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, serine-1
, 2-naphthoquinonediazide-5=sulfonic acid pentaester, rhamnetin-1゜2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid triester, myricetin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester,
Cycas flavone-1,2-naphthoquinone diazide-5-
Sulfonic acid tetraester, naringenin-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, naringin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, zakranetin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, hesperitin
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, alpyran-1,2-naphthoquinonediazide-5
-sulfonic acid diester, catechin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, daidzein-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, prunetin-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, prunidrine-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, biligenin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, iridine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, osazine-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, belargonidine-1,2-naphthoquinonediazide-5
-Sulfonic acid triester, cyanidin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, leucodelphicodin-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid pentaester, xanthopterin-1
゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, leucopterin-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid triester, entropterin-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, chrysopterin-1゜2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid diester, iodinine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, polyboric acid-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, atromenthine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester ester, leucomelon-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, muscarfine-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, osborein-1
.. 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, nigerone-1,2-naphthoquinonediazide-5-
Sulfonic acid monoester, Ekitsuchrome A-1゜2-
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, Subinone A-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, Spinchrome N-1,2-
naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester,
Alizarin-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, purpurin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, Emodin-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, carminic acid-1, 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, kermesic acid-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, skylin-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid hexaester, pyromycin-1,2 -naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, etc.
Details of the 1,2-quinonediazide sulfonic acid esters of these natural dyes are described in Japanese Patent Application No. 18287/1987 filed by the present applicant.

更に、特開昭58−17112号公報に記載されている
ように、後記するようなアルカリ可溶性ノボラック樹脂
の水酸基に1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホニルクロリドを当量比o、ooi〜0.5
で縮合させた樹脂をキノンジアジド化合物(イ)として
用いることもできる。
Furthermore, as described in JP-A-58-17112, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-4- Sulfonyl chloride or 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl chloride at equivalent ratio o, ooi ~ 0.5
A resin condensed with can also be used as the quinonediazide compound (a).

これらのキノンジアジド化合物は、単独でもまたは2種
以上併用して使用することができる。
These quinonediazide compounds can be used alone or in combination of two or more.

本発明のポジ型感放射線性組成物において、前記キノン
ジアジド化合物(イ)とともに使用される化合物(ロ)
は、下記の基本構造を有する化合物である。
Compound (b) used together with the quinonediazide compound (a) in the positive radiation-sensitive composition of the present invention
is a compound having the following basic structure.

2H−ピリド(3,2−b)−1,4オキサジン−3〔
4H〕オン (2H−Pyrido (3,2−b ) −1,4−
oxazine−3〔4H〕oneH0−ピリド(3,
2−b)(1,4〕−ベンゾチアジン (l0H−Pyrido  (3,2−b )  (1
,4〕 benzothiazine )ウラゾール(
Urazole) ヒダントイン(Hydantoin) バルビッール酸 (Barbituric acid)
グリシン無水物(Glycine anhydride
)l−ヒドロキシベンゾトリアゾール (1−hydroxybenzothizole hy
drate)アロキサン(Alloxan ) マレイミド(Maleimide) H これらの化合物(ロ)は、これらの化合物の誘導体、即
ちこれらの化合物類であってもよく、これらの化合物の
誘導体としては、例えば1−メチルウラゾール、1−フ
ェニルウラゾール、3−メチルウラゾール、3−p−ト
リルウラゾール、5゜5−ジフェニルヒダントイン、5
,5−ジメチルヒダントイン、5−メチル−5−フェニ
ルヒダントイン、5−メチル−5−p−トリルヒダント
イン、l−メチルヒダントイン、l−フェニルヒダント
イン、1−メチル−5−メチルヒダントイン、5−メチ
ルヒダントイン、5−エチル−5−p−トリルヒダント
イン、5,5−ジエチルヒダントイン、5−エチル−5
−p−)リルバルビツール酸、5−ニトロバルビッール
酸、5.5−ジメチルバルビッール酸、5.5−ジフェ
ニルバルビッール酸、■−メチルグリシン、I−フェニ
ルグリシン、2−メチルグリシン、2.2−ジメチルグ
リシン、5−メチル−1−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル、5.6−シメチルー1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール、■−メチルアロキサン、1−フェニルアロキサン
、3−フェニルマレイミドなどが挙げられる。
2H-pyrido(3,2-b)-1,4oxazine-3 [
4H]on(2H-Pyrido (3,2-b) -1,4-
oxazine-3[4H]oneH0-pyrido(3,
2-b) (1,4]-benzothiazine (10H-Pyrido (3,2-b) (1
, 4] benzothiazine) urazol (
Urazole Hydantoin Barbituric acid
Glycine anhydride
) l-hydroxybenzothizole (1-hydroxybenzothizole hy
(drate) Alloxan Maleimide H These compounds (b) may be derivatives of these compounds, that is, these compounds, and examples of derivatives of these compounds include 1-methylurazol, , 1-phenylurazole, 3-methylurazole, 3-p-tolylurazole, 5゜5-diphenylhydantoin, 5
, 5-dimethylhydantoin, 5-methyl-5-phenylhydantoin, 5-methyl-5-p-tolylhydantoin, l-methylhydantoin, l-phenylhydantoin, 1-methyl-5-methylhydantoin, 5-methylhydantoin, 5-ethyl-5-p-tolylhydantoin, 5,5-diethylhydantoin, 5-ethyl-5
-p-) Lylbarbituric acid, 5-nitrobarbituric acid, 5.5-dimethylbarbituric acid, 5.5-diphenylbarbituric acid, ■-methylglycine, I-phenylglycine, Examples include 2-methylglycine, 2.2-dimethylglycine, 5-methyl-1-hydroxybenzotriazole, 5.6-dimethyl-1-hydroxybenzotriazole, ■-methylalloxane, 1-phenylalloxane, 3-phenylmaleimide, etc. It will be done.

かかる化合物(ロ)の添加量は、キノンジアジド化合物
(イH00重量部に対しl−100重量部、好ましくは
4〜60重量部であり、1重量部未満では組成物の感放
射線性の向上に乏しく、一方100重量部を越えるとレ
ジストとして使用する際の組成物の現像時に放射線未照
射部の膜減り現象が大きくなる。
The amount of the compound (b) to be added is 1-100 parts by weight, preferably 4 to 60 parts by weight, per 00 parts by weight of the quinonediazide compound (i).If it is less than 1 part by weight, the radiation sensitivity of the composition will not be improved. On the other hand, if the amount exceeds 100 parts by weight, the film thinning phenomenon in the non-irradiated areas becomes large during development of the composition when used as a resist.

本発明のポジ型感放射線性組成物には、通常、被膜形成
樹脂を配合する。この被膜形成樹脂としては、一般にア
ルカリ可溶性樹脂が用いられ、アルカリ可溶性樹脂とし
ては、例えばアルカリ可溶性ノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレンもしくはその誘導体、スチレン−無水マ
イレン酸共重合体、酢酸セルロースハイドロジエンフタ
レート、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリヒド
ロキシベンザール、カルボキシル基含有アクリル樹脂な
どを挙げることができる。
The positive radiation-sensitive composition of the present invention usually contains a film-forming resin. As this film-forming resin, an alkali-soluble resin is generally used, and examples of the alkali-soluble resin include an alkali-soluble novolak resin, polyhydroxystyrene or its derivatives, styrene-maleic anhydride copolymer, cellulose acetate hydrogen phthalate, polyvinyl Examples include hydroxybenzoate, polyhydroxybenzal, and carboxyl group-containing acrylic resin.

これらのアルカリ可溶性樹脂において、特に好ましいも
のとしては、アルカリ可溶性ノボラ7り樹脂およびポリ
ヒドロキシスチレンもしくはその誘導体を挙げることが
できる。
Among these alkali-soluble resins, particularly preferred are alkali-soluble novola resins and polyhydroxystyrene or derivatives thereof.

ここでアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェノール性
水酸基を持つ芳香族化合物(以下、単に「フェノール類
」という)とアルデヒド類とを、好ましくはフェノール
類1モルに対してアルデヒド!0.7〜1モルの割合で
、酸触媒下で付加縮合させて得られる。この際使用され
るフェノール類としては、フェノール、0−クレゾール
、m −クレゾール、p−クレゾール、0−エチルフェ
ノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール
、0−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−
7’チルフエノール、2.3−キシレノール、2,4−
キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレ
ノール、3.4−キシレノール、3,6−キシレノール
、p−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキ
ノン、ピロガロール、フロログルシノール、ヒドロキシ
ジフェニル、ビスフェノールA1ビスフエノールC1ビ
スフエノールS、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナ
フトール、β−ナフトールなど、フェノール類の誘導体
が挙げられる。これらのフェノール類は、生成するノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解性を考慮しつつ1種以上また
は2種以上混合して使用される。
Here, the alkali-soluble novolak resin contains an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter simply referred to as "phenol") and an aldehyde, preferably an aldehyde per mole of the phenol! It is obtained by addition condensation under an acid catalyst at a ratio of 0.7 to 1 mole. The phenols used at this time include phenol, 0-cresol, m-cresol, p-cresol, 0-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, 0-butylphenol, m-butylphenol, p-
7'Tylphenol, 2,3-xylenol, 2,4-
Xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,6-xylenol, p-phenylphenol, resorcinol, hydroquinone, pyrogallol, phloroglucinol, hydroxydiphenyl, bisphenol A1 bisphenol C1 bis Examples include derivatives of phenols such as phenol S, gallic acid, gallic acid ester, α-naphthol, and β-naphthol. These phenols may be used singly or in combination, taking into consideration the alkali solubility of the novolac resin to be produced.

また、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド
、バラホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデ
ヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒドなど
が挙げられる。
Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, furfural, benzaldehyde, nitrobenzaldehyde, and acetaldehyde.

酸触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸
、蟻酸、蓚酸、酢酸などの有機酸が使用される。
As the acid catalyst, for example, inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, and sulfuric acid, and organic acids such as formic acid, oxalic acid, and acetic acid are used.

これらのアルカリ可溶性ノボラック樹脂の詳細は、特開
昭55−123614号公報、同57−101834号
公報、同57−101833号公報、同5B−1711
2号公報、米国特許第4404357号明細書などの記
載されている。
For details of these alkali-soluble novolak resins, see JP-A No. 55-123614, JP-A No. 57-101834, JP-A No. 57-101833, and JP-A No. 5B-1711.
No. 2, US Pat. No. 4,404,357, and the like.

これらのアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェノール
類とアルデヒド類との付加縮合反応により得られるもの
をそのまま用いてもよく、また適当な後処理を施された
ものを用いてもよい。ここでいう後処理としては、例え
ば本出願人の特願昭59−45146号明細書に記載さ
れているように、常法に従って合成されたアルカリ可溶
性ノボラック樹脂を極性溶媒、例えばメタノール、エタ
ノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、
テトラヒドロフランなどに溶解し、次にこの溶液を水−
極性溶媒混合系沈澱剤やペンタン、ヘキサンなどの非極
性溶媒系沈澱剤に入れ樹脂分を沈澱させ、アルカリ可溶
性ノボラック樹脂の1〜3核体含量が10重量%未満と
なるような処理を挙げることができる。
These alkali-soluble novolac resins may be those obtained by an addition condensation reaction of phenols and aldehydes and may be used as they are, or may be used after being subjected to appropriate post-treatment. As described in Japanese Patent Application No. 59-45146 of the present applicant, the post-treatment referred to here means, for example, that an alkali-soluble novolac resin synthesized according to a conventional method is treated with a polar solvent such as methanol, ethanol, acetone, etc. , methyl ethyl ketone, dioxane,
Dissolve in tetrahydrofuran etc., then add this solution to water.
List a treatment in which the resin content is precipitated by placing it in a polar solvent mixed precipitant or a non-polar solvent precipitant such as pentane or hexane, so that the mono- to trinuclear content of the alkali-soluble novolak resin becomes less than 10% by weight. Can be done.

また、ポリヒドロキシスチレンまたはその誘導体として
は、例えばポリ−m−ヒドロキシスチレン、ポリ−m−
ヒドロキシスチレン、ポリ−p−ヒドロキシスチレン、
ポリ−α−メチル−〇−ヒドロキシスチレン、ポリ−α
−メチル−m−ヒドロキシスチレン、ポリ−α−メチル
−p−ヒドロキシスチレンまたはこれらの部分アセチル
化物、シリル化物などが挙げられる。これらのポリヒド
ロキシスチレンまたはその誘導体の標準ポリスチレン換
算数平均分子量は、好ましくは3,000〜200,0
00、特に好ましくは5,000〜100.000であ
る。
In addition, examples of polyhydroxystyrene or its derivatives include poly-m-hydroxystyrene, poly-m-
Hydroxystyrene, poly-p-hydroxystyrene,
Poly-α-methyl-〇-hydroxystyrene, poly-α
Examples include -methyl-m-hydroxystyrene, poly-α-methyl-p-hydroxystyrene, and partially acetylated and silylated products thereof. The number average molecular weight of these polyhydroxystyrenes or their derivatives in terms of standard polystyrene is preferably 3,000 to 200,0.
00, particularly preferably 5,000 to 100,000.

本発明のポジ型感放射線性組成物において、上記被膜形
成樹脂の配合量は、一般にはキノンジアジド化合物(イ
H00重量部に対して200〜4.000重量部であり
、好ましくは250〜i、ooo重量部である。被膜形
成樹脂の配合量が多すぎると相対的にキノンジアジド化
合物(イ)の配合量が少なくなるために、キノンジアジ
ド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量が少
なくなり、レジストとして使用する際に組成物塗膜の放
射線照射部と放射線未照射部とのアルカリ性水溶液から
なる現像液に対する溶解度に差をつけることができず、
バターニングが困難となる。
In the positive radiation-sensitive composition of the present invention, the amount of the film-forming resin blended is generally 200 to 4.000 parts by weight, preferably 250 to 4.000 parts by weight, based on 200 parts by weight of the quinonediazide compound (iH00). If the amount of the film-forming resin is too large, the amount of the quinonediazide compound (a) will be relatively small, so the amount of carboxylic acid produced by the quinonediazide compound absorbing radiation will be reduced, and the resist When used as a coating film, it is impossible to differentiate the solubility of the irradiated and non-irradiated areas of the composition coating in a developer consisting of an alkaline aqueous solution.
Buttering becomes difficult.

一方、この配合量が少なくなると、相対的にキノンジア
ジド化合物(イ)の配合量が多くなるために短時間の放
射線照射では、キノンジアジド化合物の大半が未だその
ままの形で残存するため、レジストとして使用する際に
アルカリ水溶液からなる現像液への不溶化効果が高すぎ
て、組成物塗膜を現像することが困難となり、また塗膜
形成能や塗膜の機械的物性が低下する。
On the other hand, when the amount of this compound decreases, the amount of quinonediazide compound (a) becomes relatively large, so when irradiated with radiation for a short time, most of the quinonediazide compound still remains in the same form, so it is difficult to use it as a resist. In this case, the insolubilization effect in a developer consisting of an aqueous alkaline solution is so high that it becomes difficult to develop a coating film of the composition, and the film-forming ability and mechanical properties of the coating film are reduced.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、キノンジアジド化
合物(イ)、化合物(ロ)および必要に応じて配合する
被膜形成樹脂を有機溶剤に溶解させることにより得られ
る。
The positive radiation-sensitive composition of the present invention can be obtained by dissolving the quinonediazide compound (a), the compound (b), and a film-forming resin blended as necessary in an organic solvent.

この際使用される溶剤としては、例えばエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコール
ジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル
類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サン、シクロペンタノン、アセトニルアセトン、アセト
フェノン、イソホロンなどのケトン類、ベンジルエチル
エーテル、1゜2−ジブトキシエタン、ジヘキシルエー
テルなどのエーテル類、カプロン酸、カプリル酸などの
脂肪酸類、1−オクタツール、1−ノナノール、1−デ
カノール、ベンジルアルコールなどのアルコ−)LtW
t、酢Hエチル、酢酸ブチル、2−エチルヘキシルアセ
テート、酢酸ベンジル、安息香酸ベンジル、蓚酸ジエチ
ル、蓚酸ジプチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメ
チル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジプチル、フタ
ル酸ジブチル、フタル酸ジメチル、炭酸エチレン、炭酸
プロピレンなどのエステル類、γ−ブチロラクトンなど
の環状ラクトン類が挙げられる。これらの有機溶剤は、
1種または2種以上組み合わせて用いられる。
Examples of the solvent used in this case include glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, and diethylene glycol dimethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate,
Cellosolve esters such as butyl cellosolve acetate, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexane, cyclopentanone, acetonylacetone, acetophenone, and isophorone, benzyl ethyl ether, 1°2 - Ethers such as dibutoxyethane and dihexyl ether, fatty acids such as caproic acid and caprylic acid, alcohols such as 1-octatool, 1-nonanol, 1-decanol, and benzyl alcohol) LtW
t, H ethyl acetate, butyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, benzyl benzoate, diethyl oxalate, diptyl oxalate, diethyl malonate, dimethyl maleate, diethyl maleate, diptyl maleate, dibutyl phthalate, dimethyl phthalate , esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate, and cyclic lactones such as γ-butyrolactone. These organic solvents are
One type or a combination of two or more types may be used.

この有機溶剤の使用量は、組成物液を塗布する際の必要
膜厚により異なるが、一般的には組成物100重量部に
対して、100〜2,000重量部、好ましくは200
〜1.500重量部である。
The amount of this organic solvent used varies depending on the required film thickness when applying the composition liquid, but is generally 100 to 2,000 parts by weight, preferably 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the composition.
~1.500 parts by weight.

本発明のポジ型感放射線性組成物には、乾燥塗膜形成後
の放射線照射部の現像性や塗布性、ストリエーションを
改良するために界面活性剤などを添加することができる
。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウ
リルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル
、ポリオキシエチレオレイルエーテルなどのポリオキシ
エチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオク
チルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフ
ェノールエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルフ
ェノールエーテル類およびポリエチレングリコールジラ
ウレート、ポリエチレングリコールジステアレートなど
のポリエチレングリコールジアルキルエーテル類のよう
なノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF
303(新秋用化成■製)、メガファックF171、F
173 (大日本インキ■製)、アサヒガードAG71
0(旭硝子■製)、特開昭57−178242号公報に
例示されるフッ化アルキル基またはパーフルオロアルキ
ル基を有する直鎖状のフッ素系界面活性剤、エフトップ
EF352 (新秋用化成■製)、フロラードFC43
0、同FC431住友スリーエム■製)、サーフロンS
−382,5CIOI 5C102,5C103,5C
IO4,5C105,5C106(旭硝子■製)などの
フッ化アルキル基またはパーフルオロアルキル基を側鎖
に含むフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマ
ーKP341  (信越化学工業■製)やアクリル酸系
またはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローNa75
、阻95(共栄社油脂化学工業■製)などを挙げること
ができる。これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固
形分光たり、通常、0.0001〜2重量%、好ましく
は0.005〜1重量%である。
A surfactant or the like may be added to the positive radiation-sensitive composition of the present invention in order to improve the developability, coatability, and striation of the radiation-exposed area after forming a dry coating film. Examples of surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene alkyl phenols such as polyoxyethylene octylphenol ether and polyoxyethylene nonylphenol ether. Nonionic surfactants such as ethers and polyethylene glycol dialkyl ethers such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate, FTOP EF301, EF
303 (manufactured by Shinju Kasei ■), Megafac F171, F
173 (manufactured by Dainippon Ink ■), Asahi Guard AG71
0 (manufactured by Asahi Glass ■), a linear fluorine-based surfactant having a fluorinated alkyl group or perfluoroalkyl group exemplified in JP-A No. 57-178242, F-TOP EF352 (manufactured by Shinshuyo Kasei ■) ), Florado FC43
0, FC431 manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S
-382,5CIOI 5C102,5C103,5C
Fluorine surfactants containing a fluorinated alkyl group or perfluoroalkyl group in the side chain such as IO4, 5C105, 5C106 (manufactured by Asahi Glass ■), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical ■), acrylic acid type or methacrylic acid System (co)polymer Polyflow Na75
, 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo ■), and the like. The blending amount of these surfactants is usually 0.0001 to 2% by weight, preferably 0.005 to 1% by weight, based on the solid content of the composition.

更に、本発明のポジ型感放射線性組成物には、放射線照
射部の潜像を可視化させたり、放射線照射時のハレーシ
ョンの影響を少なくするために染料や顔料を、また接着
性を改良するために接着助剤を添加することもできる。
Furthermore, the positive radiation-sensitive composition of the present invention contains dyes and pigments in order to visualize the latent image in the radiation irradiated area and to reduce the effect of halation during radiation irradiation, and to improve adhesiveness. Adhesion aids can also be added to the adhesive.

ここにおける染料としては、例えばメチルバイオレフト
2B(C1患42555)、マラカイトグリーン(C1
磁11005)、ビクトリアブルーB (CIN144
045) 、ニュートラルレフト(C1廐50040)
、ソルベントイエロー2(CINllI 1020) 
、ソルベントイエロー6(CINQ11390)、ソル
ベントイエロー14(C11に12055)、ソルベン
トイエ0−15(CI−18820)、ソルベントイエ
ロー16(C111h12700)、ソルベントイエロ
ー21(CI阻18690)、ソルベントイエローD−
33(CI魚47000)、ソルベントイエロー56 
(C1111al1021)、ソルベントオレンジ1 
 (CINal1920)、ソルベントオレンジ2(C
I阻12100)、ソルベントオレンジ14(C111
h26020)、ソルベントオレンジ40、ソルベント
レッド3(C1隘12010)、ソルベントレッド8 
(CIllh12715) 、ソルベントレッド23(
C1隘26100)、ツルベントレンド24(C1隘2
6105)、ソルベントレフ F25 (ClNn26
110) 、’)ルヘ:/トレ7ド27 (C1隘26
100) 、ソルベントレッド(C111h45170
B)、ディスパースレッド9(C1磁11005)、オ
イルスカーレット3゜8(C1阻21260)、ソルベ
ントブラウン(C111h12020)、ディスパース
イエロー1(C1隘10345)、ディスパースイエロ
ー3(C111hl1855)、ディスパースイエロー
4(C111h12770)、ディスパースイエロー8
(C1隘27090)、ディスパースイエロー42(C
1隘10338)、ディスパースオレンジ1(Cl隘1
1080)、ディスパースオレンジ3(C1磁1100
5)、ディスパースオレンジ5 (C111hlllO
O)、ディスパースオレンジ11  (C1陽6075
5) 、ディスパー7、1/ ラド1  (C1磁11
110)、ディスパースレッド4(C1陽60755)
、ディスパースレッド11(C111h62015)、
ディスパースレッド15(C!隘6071o)、ディス
パースレッド58(CIN111135)などの油溶染
料、分散染料または塩基性染料、ミケトン・ファスト・
イエロー7G (三井東圧染料■製)、ミケトン・ファ
スト・オレンジ5R(三井東圧染料■製)、ホロン(サ
ンド社製) 、マクロレックスイエロー6G(バイエル
社製)などのメチン系染料、スチルベン、4.4−ジア
ミノスチルベンスルホン酸誘導体、クマリン誘導体、ピ
ラゾリン誘導体などの螢光増白剤、特開昭59−142
538号公報に記載されたヒドロキシアゾ系染料が挙げ
られ、放射線の種類などによって1種単独でまたは2種
以上組み合わせて用いることができる。
Examples of dyes used here include methyl bioleft 2B (C1 42555), malachite green (C1
Magnetic 11005), Victoria Blue B (CIN144
045), Neutral Left (C1 50040)
, Solvent Yellow 2 (CINllI 1020)
, Solvent Yellow 6 (CINQ11390), Solvent Yellow 14 (C11 to 12055), Solvent Yellow 0-15 (CI-18820), Solvent Yellow 16 (C111h12700), Solvent Yellow 21 (CIINQ18690), Solvent Yellow D-
33 (CI fish 47000), solvent yellow 56
(C1111al1021), Solvent Orange 1
(CINal1920), Solvent Orange 2 (C
Solvent Orange 14 (C111)
h26020), Solvent Orange 40, Solvent Red 3 (C1 12010), Solvent Red 8
(CIllh12715), Solvent Red 23 (
C1 26100), Trubentrend 24 (C1 26100)
6105), Solventref F25 (ClNn26
110) ,') Ruhe: / Tre 7 Do 27 (C1 隘26
100), Solvent Red (C111h45170
B), Disperse Red 9 (C1 magnetic 11005), Oil Scarlet 3゜8 (C1 21260), Solvent Brown (C111h12020), Disperse Yellow 1 (C1 10345), Disperse Yellow 3 (C111hl1855), Disperse Yellow 4 (C111h12770), Disperse Yellow 8
(C1 27090), Disperse Yellow 42 (C
1 10338), Disperse Orange 1 (Cl 10338), Disperse Orange 1 (Cl 10338)
1080), Disperse Orange 3 (C1 magnetic 1100
5), Disperse Orange 5 (C111hlllO
O), Disperse Orange 11 (C1 Yang 6075
5), Disper 7, 1/ Rad 1 (C1 magnetic 11
110), Dispersed Red 4 (C1 Yang 60755)
, Dispersed Red 11 (C111h62015),
Oil-soluble dyes such as Dispersed Red 15 (C! 6071o), Dispersed Red 58 (CIN111135), disperse dyes or basic dyes, Miketon Fast.
Methine dyes such as Yellow 7G (manufactured by Mitsui Toatsu Dyes), Miketon Fast Orange 5R (manufactured by Mitsui Toatsu Dyes), Holon (manufactured by Sandoz), Macrolex Yellow 6G (manufactured by Bayer), stilbene, 4. Fluorescent brighteners such as 4-diaminostilbenesulfonic acid derivatives, coumarin derivatives, and pyrazoline derivatives, JP-A-59-142
Examples include hydroxyazo dyes described in Japanese Patent No. 538, and depending on the type of radiation, one type can be used alone or two or more types can be used in combination.

以上、組み合わせて用いることができるこれら染料の配
合量は、1つの染料につき組成物の固形分当たり001
〜6重量%、好ましくは0.3〜4重量%である。
As mentioned above, the blending amount of these dyes that can be used in combination is 0.01% per solid content of the composition per dyestuff.
-6% by weight, preferably 0.3-4% by weight.

また、接着助剤としては、例えば3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、2− (
3,4−エポキシシクロヘキシルエチル) トリメトキ
シシランなどのシリコン化合物が挙げられる。これら接
着助剤の配合量は、組成物の固形分当たり0.001〜
4重量%、好ましくは0.01〜2重量%である。
In addition, examples of adhesion aids include 3-aminopropyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, 2-(
Examples include silicon compounds such as 3,4-epoxycyclohexylethyl) trimethoxysilane. The blending amount of these adhesion aids is from 0.001 to 0.001 per solid content of the composition.
4% by weight, preferably 0.01-2% by weight.

更に、本発明のポジ型感放射線性組成物には、必要に応
じて保存安定剤、消泡剤なども配合することができる。
Furthermore, the positive radiation-sensitive composition of the present invention may also contain a storage stabilizer, an antifoaming agent, and the like, if necessary.

本発明のポジ型感放射線性組成物の現像液としては、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア
水などの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピル
アミンなどの第1級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n
−プロピルアミンなどの第2級アミン類、トリエチルア
ミン、メチルジエチルアミンなどの第3級アミン類、ジ
メチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどの
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの
第4級アンモニウム塩などのアルカリ類の水溶液、ビロ
ール、ピペリジン、1゜8−ジアザビシクロ(5,4,
O”)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ(4
,3,0)−5−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が
使用される。金属を含有する現像液の使用が問題となる
集積回路作製時には、第4級アンモニウム塩や環状アミ
ンの水溶液を使用することが好ましい。
Examples of the developer for the positive radiation-sensitive composition of the present invention include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propyl Primary amines such as amines, diethylamine, di-n
- Secondary amines such as propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, and quaternary amines such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. Aqueous solutions of alkalis such as grade ammonium salts, virol, piperidine, 1°8-diazabicyclo(5,4,
O”)-7-undecene, 1,5-diazabicyclo(4
, 3,0)-5-nonane and the like are used. When manufacturing integrated circuits where the use of metal-containing developers is a problem, it is preferable to use an aqueous solution of a quaternary ammonium salt or a cyclic amine.

また、前記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノー
ルなどのアルコール類などの水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適量添加した水溶液を現像液として使用することも
できる。
Further, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as an alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant to the aqueous solution of the alkali can also be used as the developer.

実施例 次に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
ではない。
EXAMPLES Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way.

実施例1〜12および比較例1 m−クレゾールとp−クレゾールの割合が6:4である
混合クレゾールとホルムアルデヒドとを縮合させて得ら
れたアルカリ可溶性ノボラック樹脂10gと、2,3.
4−1−リヒドロキジベンゾフェノンと1.2−ナフト
キノンジアジド−5=スルホニルクロリドとを縮合させ
て得られたキノンジアジド化合物2.6gと、第1表に
示す化合物(ロ)とをセロソルブアセテ−H5.9gに
溶解し、孔径0.2μmのメンブランフィルタ−で濾過
してポジ型感放射線性組成物溶液を調製した。得られた
溶液をシリコンウェハー上にスピンナーを用いて塗布膜
厚が1.2μmとなるように塗布した後、90℃に保っ
た空気循環式オーブン中で25分間ブレベークして組成
物塗膜を得た。
Examples 1 to 12 and Comparative Example 1 10 g of an alkali-soluble novolac resin obtained by condensing a mixed cresol with a ratio of m-cresol to p-cresol of 6:4 and formaldehyde, and 2, 3.
2.6 g of a quinonediazide compound obtained by condensing 4-1-lihydroxybenzophenone and 1,2-naphthoquinonediazide-5=sulfonyl chloride and the compound (b) shown in Table 1 were mixed into cellosolve acetate-H5. A positive radiation-sensitive composition solution was prepared by dissolving the solution in .9 g and filtering through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. The obtained solution was applied onto a silicon wafer using a spinner so that the coating film thickness was 1.2 μm, and then the composition was baked in an air circulating oven kept at 90° C. for 25 minutes to obtain a composition coating. Ta.

この組成物塗膜にライン幅とスペース幅の等しい(lL
/lSパターン)テストパターンマスクを用い、キャノ
ン■製PLA501 Fマスクアライナ−を用いて紫外
線を露光した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド2.4重量%水溶液で1分間現像し、流水にてリンス
した。このレジストパターンを光学顕微鏡にて感度およ
び解像度を判定した。これらの結果を第1表に併せ示す
This composition coating film has equal line width and space width (1L
/lS pattern) Using a test pattern mask, the mask was exposed to ultraviolet light using a PLA501F mask aligner manufactured by Canon ■, developed for 1 minute with a 2.4% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, and rinsed with running water. The sensitivity and resolution of this resist pattern were determined using an optical microscope. These results are also shown in Table 1.

比較例1として化合物(ロ)を入れないものについても
同様の検討を行い、その結果を併せて第1表に示す。
Similar studies were conducted for Comparative Example 1, in which compound (b) was not added, and the results are also shown in Table 1.

第1表 ’l’1)IL/Isの2μm幅のパターンが解像する
感度。
Table 1 'l' 1) Sensitivity at which a 2 μm wide pattern of IL/Is is resolved.

*2)解像する最小のIL/Isパターン寸法。*2) Minimum IL/Is pattern size to be resolved.

*3)プレベータ後の組成物塗膜の膜厚tO1および上
記表の感度の項に示した量の露光を行い、現像すること
により得られるIL/Isの5μm幅の組成物塗膜の膜
厚tをもとに次式により算出。
*3) Thickness tO1 of the composition coating film after pre-beta and thickness of the composition coating film with a width of 5 μm in IL/Is obtained by exposing and developing the amount shown in the sensitivity section of the table above. Calculated using the following formula based on t.

残膜率(%) = t / t o X 100発明の
効果 本発明のポジ型感放射線性組成物は、感放射線性に優れ
、耐ドライエツチング性が良好で、高い残膜率を有する
レジストとして特に優れた組成物である。更に、加える
に本発明のポジ型感放射線性組成物は、レジストとして
使用する際に行われる現像後のレジストパターンに遠紫
外線などの放射線を照射してレジストパターンを硬化さ
せるキユアリングまたはハードニング工程においても、
レジストパターンが変形しにくいという特徴を有するも
のである。これらの特徴によって、本発明のポジ型感放
射線性組成物は、集積回路製作時の微細加工にレジスト
として好適に使用することができる。
Remaining film rate (%) = t/t o This is a particularly excellent composition. In addition, the positive radiation-sensitive composition of the present invention can be used as a resist in a curing or hardening process in which the developed resist pattern is irradiated with radiation such as deep ultraviolet rays to harden the resist pattern. too,
The resist pattern is characterized by being difficult to deform. Due to these characteristics, the positive radiation-sensitive composition of the present invention can be suitably used as a resist for microfabrication during the production of integrated circuits.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)(イ)キノンジアジド化合物ならびに(ロ)2H
−ピリド〔3,2−b〕−1,4−オキサジン−3〔4
H〕オン類、10H−ピリド〔3,2−b〕〔1,4〕
−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、
バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシ
ベンゾトリアゾール類、アロキサン類およびマレイミド
類の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を含有する
ことを特徴とするポジ型感放射線性組成物。
(1) (a) Quinonediazide compound and (b) 2H
-pyrido[3,2-b]-1,4-oxazine-3[4
H]ones, 10H-pyrido[3,2-b][1,4]
-benzothiazines, urazoles, hydantoins,
A positive radiation-sensitive composition comprising at least one compound selected from the group of barbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxanes, and maleimides.
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