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JPS61216438A - 封止された電子部品の製造方法 - Google Patents

封止された電子部品の製造方法

Info

Publication number
JPS61216438A
JPS61216438A JP60057891A JP5789185A JPS61216438A JP S61216438 A JPS61216438 A JP S61216438A JP 60057891 A JP60057891 A JP 60057891A JP 5789185 A JP5789185 A JP 5789185A JP S61216438 A JPS61216438 A JP S61216438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
frame
resin material
electronic part
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60057891A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Horiuchi
敏彦 堀内
Hisao Takahashi
高橋　久生
Kenji Takahashi
健二 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
Priority to JP60057891A priority Critical patent/JPS61216438A/ja
Publication of JPS61216438A publication Critical patent/JPS61216438A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は、封止された電子部品例えば半導体素子の製造
方法に関するものである。
（発明の背景） ガラスニーキン樹脂基板やセラミック基板あるいは金属
板の表面を樹脂コーティングした回路用基板上に所、望
のパターンの導体を形成し、これに直接半導体素子を装
着し、かつ半導体素子の外部接続用端子電極と上記導体
とを金（Ａｕ）やアルミニウム（、Ａ　ｊ　）等の金属
細線で接続してなる半導体装置においては、半導体素子
の封止手段として樹脂ポツティング方法が一般的に用い
られている。
しかし、上述の方法は枠体を使用しているため　　′封
止構造の小型化が限定されたり、あるいは枠体を接着し
なければならず、このため作業内容が煩わしく工数を要
し、自動化が困難であるといった問題を有している。
（発明の目的） 本発明は、これらの欠点を解決した電子部品の封止方法
、換言すれば封止された電子部品の製造方法を提供する
ことを目的とする。
（発明の概要） このため１本発明は、　表面に導体パターンのある回路
用基板上に電子部品を装着し、電子部品（の端子電極）
と導体とを導電部材で接続した後、その周囲に液体樹脂
材料を線引き塗布して樹脂枠を形成し、所定に硬化させ
た後、その枠内に注型樹脂材料を充填して硬化させるこ
とにより、前記電子部品を封止することを特徴とする封
止された電子部品の製造方法を提供する。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
（実施例） 第１図、第２図および第３図は本発明の詳細な説明する
ための要部断面図である。
まず第１図に示す様に表面に導体パターン４を設けた回
路用基板３上に半導体重を合金用ロウ材あるいは導電性
接着剤等の接合材料２により所定の位置に装着する。さ
らに半導体素子１の端子電極と導体４とは金線５によっ
て接続（ワイヤーボンド）される。
その後、半導体素子ｌとそのワイヤボンド部分の外周に
液状樹脂材料を線引き塗布し、所定に硬化させ、樹脂枠
６を形成させる。
さらにその半導体素子１、金線５ならびに金線５と導体
４とのワイヤーボンド部分等を樹脂封止すべ（所定形状
に成形した樹脂ペレットもしくは、液状の注型樹脂材料
７を前記樹脂枠６内に所定量だけ注入し、第３図に示す
ように樹脂枠６と注型樹脂材料７によって半導体素子１
および金線５を埋設するごとく注型する。
注型後、樹脂材料７の硬化を所定温度で所定時間行なう
ことにより半導体素子１の封止を完了し、封止された電
子部品を製造した。
なお、注型樹脂材料７としては、エボキン樹脂、シリコ
ーン樹脂等が一般的に用いられることが多いが、樹脂枠
６の材料の選定に当たっては、これらの注型樹脂材料７
とぬれの悪い材料を使用すると注型樹脂材料７のあふれ
出しを防止する効果がある。特に注型樹脂材料７として
エポキシ樹脂を使用する場合、シリコーン樹脂を樹脂枠
６の材料とすると、この効果が大きい。実施例において
は、注型樹脂材料７として、液状エボキン樹脂を使用し
たので、樹脂枠６材料として熱硬化型の液状シリコーン
樹脂を採用・し、注型樹脂７のあふれ出し防止効果を高
めた。
（発明の効果） 以上のように本発明の製造方法は、注型樹脂の流れ防止
を液状樹脂の線引き塗布によって実施するようにしたも
のであり、単体部品の枠体を使用したり、その枠体を接
着する必要がない上に、作業能率の向上ならびに自動化
を可能にする等多くの効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例における回路用基板に半導体
素子を装着し、ワイヤーボンドした状態の要部断面図で
ある。 第２図は、第１図において半導体素子の周囲に液状樹脂
を線引き塗布後、所定の硬化を行ない樹脂枠を形成した
状態の要部断面図である。 第３図は、第２図において樹脂封止した状態の要部断面
である。 〔主要部分の符号の説明〕 １−・・−・・−電子部品の一例としての半導体素子２
−・・−・−装着材　　　　　　３−・−・・・−・・
−回路用基板４−−−−−一〜−−−−導体 ５−・−・−導電部材の一例としての金線６−・−一−
−−−樹脂枠

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　表面に導体パターンのある回路用基板上に電子部品
    を装着し、電子部品と導体とを導電部材で接続した後、
    その周囲に液体樹脂材料を線引き塗布して樹脂枠を形成
    し、所定に硬化させた後、その枠内に注型樹脂材料を充
    填して硬化させることにより、前記電子部品を封止する
    ことを特徴とする封止された電子部品の製造方法。 ２　前記液体樹脂材料がシリコーン樹脂で、前記注型樹
    脂材料がエポキシ樹脂であることを特徴とする特許請求
    の範囲前記第１項の製造方法。
JP60057891A 1985-03-22 1985-03-22 封止された電子部品の製造方法 Pending JPS61216438A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03254134A (ja) * 1990-03-05 1991-11-13 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品の樹脂封止方法
JPH04225539A (ja) * 1990-12-27 1992-08-14 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法
JP2017224687A (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 株式会社ジェイデバイス 半導体パッケージの製造方法

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03254134A (ja) * 1990-03-05 1991-11-13 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品の樹脂封止方法
JPH04225539A (ja) * 1990-12-27 1992-08-14 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法
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