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JPS6120898A - 放射性ガスの固定化処理装置 - Google Patents

放射性ガスの固定化処理装置

Info

Publication number
JPS6120898A
JPS6120898A JP14161784A JP14161784A JPS6120898A JP S6120898 A JPS6120898 A JP S6120898A JP 14161784 A JP14161784 A JP 14161784A JP 14161784 A JP14161784 A JP 14161784A JP S6120898 A JPS6120898 A JP S6120898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
electrode
radioactive gas
gas
ionization
Prior art date
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Granted
Application number
JP14161784A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0460239B2 (ja
Inventor
飯村 正志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP14161784A priority Critical patent/JPS6120898A/ja
Publication of JPS6120898A publication Critical patent/JPS6120898A/ja
Publication of JPH0460239B2 publication Critical patent/JPH0460239B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Processing Of Solid Wastes (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は核分裂生成ガス中の放飼性被処理ガスをイオン
化して金属基体中に注入する放射性ガスの固定化処理装
置に関する。
[発明の技術的背景とその問題点」 核燃料再処理工場等の原子力施設は、有害な量の放射能
が環境に放出された場合、その影響が広範囲かつ長期間
にわたる可能性があるために、安全性の確保を伯の一般
産業に比べて格段に厳しくすることが義務づ(ブられて
いる。
再処理工場では使用済燃料から、ウランとプルトニウム
を回収するが、同時に随伴する核分裂生成物等を含む放
射性廃棄物を適切に処理しなければならない。放射性廃
棄物のうち、気体廃棄物はクリプトン85(以下Kr−
85と記す)のみであるが、これは半減期が10.7年
と長寿命であるために、今後の原子力発電量の増加を見
込むと、将来にば地球規模の汚染につながる恐れがある
′。
そこで回収技術とともに重要な課題は回収したKr−8
,5を如何にして安全に貯蔵あるいは処分するかである
。従来から放射性廃棄ガスはボンベなどの耐圧性圧力容
器に封入して永久保存する方法が考えられている。
しかしながら、圧力容器に封入する方法は長期間にわた
る安全貯蔵の点で問題がある。例えば圧力容器は定期的
な耐圧試験が法令で義務づけられており、その都度貯蔵
ガスの移し替えなど煩雑で危険な作業が要求される欠点
がある。
一方、気体廃棄物Kr−85の処理は前記ボンベ等の圧
力容器への貯蔵法の他に、ゼオライトに吸着させる方法
、イオン化注入固定法等が提案されている。
しかしながら、ボンベ貯蔵法およびゼオライトに吸着さ
せる方法は実用化するには幾多の改善すべき問題がある
−イオン注入法は、常温、低圧で処分操作がeきるだけ
でなく、長期間の安全性でも他の方法に比べて優れた方
法とされている。
第4図は従来の放射性ガスをイオン化注入する・注入装
置の概要を示す断面図、第5図及び第6図は第4図に示
した装置の横断面図である。
以下、第4図から第6図を参照しながら、従来の放射性
ガスの固定化処理装置を説明する。
円筒状容器1内に設けられたイオン化室2には冷却管3
およびリード線4が取りつけられた円筒型電極5がその
中央部に配置されている。前記冷却管3およびリード・
線4は、例えばバーメチ′ツクシールなどの絶縁体6に
よって上蓋7と絶縁封じされている。また、前記容器1
の上蓋7にはKr−85ガスを導入するためのバイブ9
がバルブ8を介しで接続されるとともに、前記容器1内
を排気するためのバイブ11がバルブ10を介して接続
されている。また、前記容器1の外周面には冷却パイプ
が巻回されている。なお、符号14はイオン注入された
Kr−85イオン層と電極がスパッタリングしたコーテ
ィング層からなる累積層であり、第5図および第6図中
、符号15はKr −85イオン、16は電極5から飛
び出すスパッタイオンをそれぞれ示している。
次に上記装置においてKr −85ガスを固定化処分す
る方法を説明する。
即ち、第4図において、容器1内は排気用パイプ11に
接続される図示してない排気装置例えばイオンポンプ、
軸流分子ポンプ、油拡散ポンプなどで所望の真空麿、例
えば5X 10−’ T、orr fl瓜に排気された
後、バルブ10を閉じて容器1内を一定圧力に維持した
後、バルブ8を開いてバイブ9に接続された図示してい
ないボンベ等から1(r−85ガスを記し、容器1内に
一定圧力、例えば0.17orr稈度のに、r −85
ガスが封入されたらバルブ8を閉己る。
また、冷却パイプおよび12に水などの冷却媒体を流し
て例えばニッケル電極5および容器1を冷却する。容器
1とニッケル電極5に接続されたリード線4の間にKr
 −85を注入し植えつけるのに充分なエネルギーで衝
撃できる例えば2〜5kVの高電圧を極性を交互に交換
できる図示し【ない直流高電圧電源により、ニッケル電
極5に印加する。ニッケル電極5にプラスの2〜5 k
Vの高電圧が印加されている時はイオン化された)(r
−85イオン15は第5図に示すように容器1の内面に
注入して植えつけられ、ニッケル電極5にマイナスの高
電圧2〜5  kVが印加されている場合は第6図に示
したように、Kr−85イオン15がニッケル電極5の
表面を衝撃して該電極5材をスパッタリングし、このス
パッタリングしたイオンが容器1の内面に植えつけられ
たKr−,85イオン15而上にコーティングされる。
このようにニッケル電極5に2〜5 kVのプラスの高
電圧、マイナスの高電圧を一定間隔で例えばコーティン
グの時は5sec 、 Kr −85イオン15の注入
の時は1 secのごとく、印加することにより、円筒
形容器1の内表面にKr−85イオン層とニッケルイオ
ンの金属コーティング層を累積させて累積層を形成させ
る。
しかし、このような従来の放射性ガスのイオン化注入固
定装置は処理すべき放射性ガスの量の多い、少ないにか
かわらず、イオン化固定処理装置を稼動し、固定化処理
が終えると装置を停止することになる。イオン化固定処
理装置はオンライン(II、した場合、稼動、停止を頻
繁にくりかえすことは装置のメンテナ゛ンス、電力消費
、省力化からも好ましくなく、どちらかといえば連続的
に装置を稼動させることが望ましいことである。
[発明の目的] 本発明は上記した事情に鑑みてなされたもので、その目
的は核燃料再処理の際に生じる放射性ガス例えばKr−
85の処理役に対応してイオン化固定処理装置のイオン
化処理量、即ち処理能力を調整出来るようにした放射性
ガスの固定化処理装置を提供することにある。
[発明の概要] ゛本発明に係る放射性ガスの固定化処理装置は放射性被
処理ガスが導入される筒状容器内に筒状電極が配置され
前記容器との間に極性の異なる例えば2〜5  kVの
高電圧を印加して前記放射性ガ、スをイオン化してグロ
ー放電をおこさせ、前記電極には負の高電圧−2〜−5
kVを印加して□、該イオンで衝撃して電極表面からス
パッタリングイオ□ンを発生させ”C前記容器内面にコ
ーティング層を形成する。
しかる後に、前記円筒状容器に−2〜−5kVの負の高
電圧を印加して該容器内面に前記イオンをイオン注入し
てイオン化層を形成し、前記コーティング化層とイオン
化層を交互に累積捕捉させる装置である。この装置の筒
状容器、内は複数個に分割した電気的に絶縁されたイオ
ン化室を形成し、各イオン化室に選択的または同時にイ
オン化注入する部材が設けられている。
[発明の実施例] 以下、第1図から第3図を参照しながら、本発明の放射
性ガスの固定化処理装置を詳細に説明する。
即ち、第1図は本発明の放射性ガスの固定化処理装置の
第1の実施例を示す断面図で第4図と同一部分は同一符
号で示し重複する部分の説明を省略づる。
円筒状容器1の中央部に配置された電極20.21.2
2は軸方向に沿って3等分に分割され、各々の分割部に
絶縁物23が介在されている。そして、これらの電極2
0.21.22をそれぞれ電気的に絶縁して第1のイオ
ン化室12、第2のイオン化室33および第3のイオン
化室34を形成させる。また各々の電極20..21.
22に対向した前記容器1の側面に3個の例えばハーメ
デックシールからなる絶縁体24を設け、この絶縁体2
4を介してそれぞれ独立にリード線25.26.27を
接続し、これらのリード線25.26.27にはスイッ
チ28.29.30が取りつけられている。これらのス
イッチ28.29.30の他端は一定間隔で極性を変え
ながら例えば2〜5kVの高電圧を印加する高電圧供給
電源31に接続され、該電源31の他端は前記容器1に
接続されている。このように第1の実施例では第1のイ
オン化室32、第2のイオン化室33第3のイオン化室
34に分割して形成した以外は第1図と同様の(同符号
)構成になっている。
次に第1の実施例における処理装置を用いて実際に放射
性被処理ガスの例としてl(r −85ガスをイオン化
処理する方法について詳細に説明する。
なお、電極20.21.22の材料にはニッケルを使用
した例である。Kr−85ガス量が比較的少ない場合は
電極20に相当する部分のイオン化室32でに’r−8
5ガスのイオン化固定処理することとし、スイッチ28
を閉じで(スイッチ29.30は開放状態)容器1と電
極20間に高電圧供給電源31により、一定間隔で極性
の異った高電圧例えば2〜5’kVを印加する。そして
第5図および第6図に示した方法で、第1のイオン化室
32内で電極20のスパッタリングによる容器1の内壁
へのコーティング層の形成およびイオン化層の形成を繰
返して行うことによってイオン層14を形成しKr −
85のイオン注入固定化処理を行う。
また、多量のKr −85ガスを処理する場合には、ス
イッチ29.30も閉にすることにより、第2のイオン
化室33および第3のイオン化室34でも同等の方法で
同時にイオン注入固定化、処理を行うことができる。
このようにして、処理されるKr−85ガス聞の多少、
即ち処理量の変動に対応して処理能力を調整することに
より、処理量−の平均化をはかった連続的な運転を行う
ことができる。
第2図は本発明の放射性ガスの固定化処理装置の第2の
実施例を示す断面図である。第2図中、第1図と同一部
分は同一符号で示し重複する部分の説明を省略する。
この実施例が第1図の実施例と異なる点は中空円筒状電
極5を共通とし、円筒状容器1を3分割し、その分割面
に絶縁体23を介在して電気的に絶縁し第1のイオン化
室32、第2のイオン化室33、fiI3(7)イオン
化室34を形成する。また容器1の底面に絶縁体を設け
、この絶縁体24を貫通して電極5は高電圧供給電源3
1の一端に接続されている。さらに第1、第2および第
3のイオン化処理2.33.34の容器1に14電圧供
給電源31の他端からはスイッチ35.36.37を介
してリード線が接続されている。その他の構成は第1図
と同じ構成である。
このような構成の装置におい、てスイッチ28を閉にし
、スイッチ29.30は開放状態にしておき、第1図で
説明したのと同等の方法により、第1のイオ・ン化室3
2でKr −85のイオン注入固定化処理を行うことが
できる。
第3図は本発明の第3の実施例を示したものである。こ
の第3の実施例は前述した第1図および第2図の装置に
おける容器および電極をそれぞれ分割して示した以外は
ほぼ同様の構成である。この実施例によってもKr −
85のイオン注入固定化処理が実現できる。
以上の実施例では円筒状電極材としてニッケルを使用し
た例について説明したが、これに限ることなくニッケル
とランタン勇合金、ランタン、銅、銅合金、金、銀、ア
ルミニウム、アルミニウム合金などスパッタリングを起
しやすい金属ならばすべて本発明に適用される。
また被処理ガスの例としてKr −85ガスのイオン化
処理につい°(説明したが、本発明は他の放射性ガス、
または有毒ガスについても適用され、イオン化室も3分
割に限定されない。
なお、冷却媒体は水に限定されないし、円筒状電極と容
器間に印加する高電圧は容器および電極の大きさなどで
変化することは当然の、ことで2〜5 kVに限定され
ない。さらに容器内に導入されるガスの圧力は上記で説
明した値に限定されない。
[発明の効果]  、 以上説明したように本発明の放射性ガスの固定化処理装
置によれば、燃料再処理工場で回収された放射性ガス、
例えばKr −85ガスの量によってイオン注入固定化
処理能力を調整することが可能となるので、オンライン
化されたイオン注入固定化処理装置を連続的に運転でき
るようになる。
従って、装置の稼動および停止を頻繁にくりかえす必要
がなく、かつ装置のメンテナンスが容易で、電力消費が
少なく、しかも省力化できる等実用的に大なる効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図は本発明に係る放射性ガスの固定化装
置の第1から第3の実施例をそれぞれ示す縦断面図、第
4図は従来の放射性ガスをイオン化注入する注入装置の
概要を示す断面図、第5図および第6図は第1図に示し
た装置の横断面図である。 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・円筒状
容器3・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・冷
却管6.23.24・・・絶縁体 8.10・・・・・・・・・・・・バルブ9.11・・
・・・・・・・・・・パイプ12・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・冷却パイプ14・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・イオン層20.21.2
2・・・円筒状電極 25.26.27・・・リード線 28.29.30・・・スイッチ 31・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・高電
圧供給電源32.331.34・・・イオン化苗 代理人弁理士    須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図 第q図 第5図  第す図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)放射性被処理ガスが導入される筒状容器と、この
    容器内に配置された電極と、この電極と前記容器の間に
    極性が異なる高電圧を印加する直流電圧電源と、前記容
    器内に電気的に絶縁されて複数に分割された複数のイオ
    ン化室とからなることを特徴とする放射性ガスの固定化
    処理装置。
  2. (2)前記電極は中空筒状体で絶縁体を介して複数に分
    割されておりかつ冷却管が設けられていることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の放射性ガスの固定化処
    理装置。
  3. (3)前記容器と電極間には前記電源によって2〜5k
    Vの高電圧が印加され、また該電極には2〜5kVの負
    の電圧が印加され、さらに該容器に2〜5の負の電圧が
    印加され前記容器の内面にイオン化層とスパッタリング
    イオンによるコーテング層とが交互に累積されることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放射性ガスの固
    定化処理装置。
JP14161784A 1984-07-09 1984-07-09 放射性ガスの固定化処理装置 Granted JPS6120898A (ja)

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JP14161784A JPS6120898A (ja) 1984-07-09 1984-07-09 放射性ガスの固定化処理装置

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JPS6120898A true JPS6120898A (ja) 1986-01-29
JPH0460239B2 JPH0460239B2 (ja) 1992-09-25

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6426175A (en) * 1986-12-26 1989-01-27 Toshiba Corp Test data preparing system for logic integrated circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6426175A (en) * 1986-12-26 1989-01-27 Toshiba Corp Test data preparing system for logic integrated circuit

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