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JPS61179885A - 自公転装置 - Google Patents

自公転装置

Info

Publication number
JPS61179885A
JPS61179885A JP2058285A JP2058285A JPS61179885A JP S61179885 A JPS61179885 A JP S61179885A JP 2058285 A JP2058285 A JP 2058285A JP 2058285 A JP2058285 A JP 2058285A JP S61179885 A JPS61179885 A JP S61179885A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rotating shaft
shaft
ring gear
rotating
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2058285A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0663106B2 (ja
Inventor
Hidetsugu Setoyama
英嗣 瀬戸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2058285A priority Critical patent/JPH0663106B2/ja
Publication of JPS61179885A publication Critical patent/JPS61179885A/ja
Publication of JPH0663106B2 publication Critical patent/JPH0663106B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、イオンビームミリング装置、イオンビームス
プリッタ装置、イオン打込装置、イオンビームエツチン
グ装置などのイオンビームを照射する薄膜形成装置に好
適な自公転装置に関する。
〔発明の背景〕
従来の半導体などの薄膜形成装置においては、イオンビ
ームをウェハに照射する場合、ウェハを装着した円板を
モータの回転軸を傾むけてイオンビームに対して傾斜さ
せた状態に保持し、回転させている(例えば米国特許4
,278,493号明細1iF) 。
これは、イオンビームによるウェハからのスパッタの付
着の防止、除去のため、イオンビームを斜めの方向より
照射する必要があるためである。しかし、この種の装置
に用いるイオンビームは、加速電圧が数百ポルトル数キ
ロボルトと低いため、イオン源から引き出されるイオン
ビームの発散が大きく、イオン源からの距離が大きくな
るほど、ウェハ照射面に対するビームの均一性が得にく
い。
従って、上述のように回転円板を傾斜させた構造の装置
は、回転軸の傾斜角度分だけウェハ照射面の中心がイオ
ンビームの中心よりずれ、ビームの均一照射性が悪くな
ることが不可避であった。特に、ウェハの処理放散を増
加させる場合には、ドーナツ状の大口径イオン源を使用
するため、さらにビームの均一照射性が悪くなる。
即ち、米国特許4,278,493号明細書に記載のも
のを大口径イオン源に適用すると第4図の如くなる。第
4図においてイオン源1oに接続した真空容器12内に
は、モータ14が配設され、このモータ14の軸16に
回転平板18が固定される。
モータ14は、矢印20の如く回動できるようになって
おり、回転平板18をイオンビーム22に対し直交させ
ることができる。
回転平板18の前面には、複数の支持台24が設けてお
り、この支持台24上にウェハ保持部材28を介してウ
ェハ32が固定しである。複数の支持台24は、回転平
板18の前面に配設したリング歯車36の内周面に沿っ
て回転しつつ移動し、ウェハ32を自転させる。一方、
回転円板18の後面には冷却水配管38が設けてあり、
支持台24を介してウェハ32を冷却できるようになっ
ている。
上記の如く構成した従来のものにあっては、まずモータ
14の軸16をウェハ照射面公転軸中心0に一致させ、
回転平板18をイオンビーム22に直交させた状態にし
、イオンビーム22をウェハ32に照射する。そして、
スパッタの付着等の悪影響が生ずるようになると、第4
図に示すようにモータ14を回動させ1回転平板18を
イオンビーム22に対して傾斜させてイオンビーム22
を照射する。ところが、第4図から明らかなように、回
転平板18を傾斜させると、イオンビーム中心軸c、、
C2と一致していたウェハの自転中心軸がイオンビーム
中心軸C1,C2と一致しなくなり、ウェハの照射面中
心がイオンビーム22の中心からずれ1.均一照射性が
悪くなる。このため。
最近の超LSI化が進む半導体の微細パターン加工等が
困難である、という欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、ウェハをイオンビームに対して傾斜させても
、ウェハの照射面中心とイオンビーム中心との間にずれ
が生じない自公転装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、回転軸の周囲に結合部材に取り付けた複数の
支持台を配置し1回転軸の回転力を伝達する動力伝達機
構により結合部材を介して支持台を回転軸の周囲を回転
させるとともに、各支持台に傾斜かつ回転自在に設けた
試料保持部材を、連結部材を介して回転軸に取り付け、
試料保持部材のみを支持台の回転面に対して傾斜できる
ようにし、試料保持部材を支持台と一体に回転軸の周囲
に回転させるとともに、回転軸の回転力により動力伝達
機構を介して結合部材を回転させ、結合部材に取り付け
た支持台を公転させ、かつ支持台の歯部とリング歯車と
の噛み合いにより支持台を自転させ、もって試料保持部
材が自転するように構成したものである。
〔発明の実施例〕
本発明に係る自公転装置の好ましい実施例を、添付図面
に従って詳説する。なお、前記従来技術において説明し
た部分に対応する部分については。
同一の符号を付し、その説明を省略する。
第1図は5本発明に係る自公転装置の実施例の断面図で
ある。第1図において回転軸40は、軸受42により真
空容器12に回転自在に支持され、後端部(第1図の右
側端部)に歯車44が固定されている。歯車44は、モ
ータ14に設けた歯車46と噛み合い、モータ14の駆
動力を回転軸40に伝達する。回転軸4oと真空容器1
2との間には、真空シール48が設けてあり、リークを
防止している。
一方1回転軸40の周囲には、真空容器12に回転自在
、かつ移動可能に結合部材のボス部50が配設してあり
、このボス部50から第2図に示すように複数の押圧バ
ー52が放射状に伸びている。抑圧バー52の先端部に
は、嵌合溝54が形成してあり、この嵌合溝54に支持
台24の先端部が嵌合している。支持台24は、抑圧バ
ー52により真空容器12の一部をなす平板56に押圧
されており、外周面に歯部58を有している。この歯部
58は、平板56に摺動可能に配設したリング歯車36
の内周面に設けた歯部と噛み合っている。そして、リン
グ歯車36の外側面には、ランク60が固定してあり、
このラック60にはウオーム62が噛み合っている。ウ
オーム62の軸64は、真空容器12に回転自在に取り
付けられ、ハンドル66を回転することにより、ウオー
ム62を回転させることができる。
支持台24は、球形凹部が形成されており、この球形凹
部に抑圧バー52を貫通したウェハ保持部材28の球体
部68が嵌合している。そして、各ウェハ保持部材28
は、それぞれ保持リング70に回転自在となっている。
各保持リング70は、第2図に示すように連結リング7
2により連結されている。さらに、連結リング72は、
回転軸4oの先端部に固定した複数の連結バー74と連
結しており、回転#40の回転に伴い回転軸40の周囲
を回転する。連結バー74は、ウェハ32の面より後方
に位置し、連結バー74からのスパッタがなるべくウェ
ハ32に付着しないようにしである。
回転軸40の中間部には、歯車76が固定しである。こ
の歯車76は、動力伝達機構の一部をなし、歯車78.
80を介して回転[40の回転力をボス部50に伝達す
る。なお、第1@において符号O工は、支持台公転軸中
心である。また、保持リング70と連結リング72とは
、第3図に示すようにピン75を介して結合されており
、ウェハ保持部材28が連結リング72に対して回転自
在となっている。
上記の如く構成した実施例の作用は、次のとおりである
モータ14の駆動力は、歯車46.44を介して回転軸
40を回転させる。回転軸40が回転すると、回転軸4
0の先端部に固定した連結バー74が回転軸40と一体
に回転し、ウェハ保持部材28を介してウェハ32が回
転軸40の周囲を回転する。一方、回転軸40の回転力
は、歯車7B、78.80を介してボス部50に伝達さ
れ、抑圧バー52を回転軸40の周囲に回転させる。
抑圧バー52の回転は、ウェハ保持部材28の回転軸4
0の周囲の回転と同調しており、支持台24をリング歯
車36の内周面に沿って回転させる。
支持台24は、外周面に設けた歯部58がリング歯車3
6の歯部と噛み合っており、回転軸40の周囲を公転し
つつ自転し、ウェハ保持部材28を自転させる。従って
、ウェハ32は1回転軸40の周囲を公転しつつ自転す
ることになる。この際、ウェハ照射面公転軸中心Oと、
支持台公転軸中心01とがずれているため、ウェハ32
はイオンビーム22に対して所定の傾斜角を保ったまま
公転する。
次に、ウェハ32に対するイオンビーム22の照射角度
を変える場合には、ハンドル66を操作することにより
行う。即ち、例えば第1図のハンドル66側から見てハ
ンドル66を反時計方向に回転させると、軸64を介し
てウオーム66がハンドル66と同方向に回転する。こ
のため、ウオーム66と噛み合っているラック60を第
1図の下方に引く力が発生し、リング歯車36がラック
60とともに下方に移動する。リング歯車36が下方に
移動すると、上側の支持台24を押し下げる力が生じ、
この力が上のウェハ保持部材28の球体部68を介して
押圧バー52を下方へ移動させ、下側のウェハ保持部材
28の球体部68を介して下側の支持台24を下方に移
動させる。
一方、ウェハ保持部材28は、回転軸40に固定した連
結バー74に対して、保持リング70を介して回動自在
となっている。このため、押圧バー52が下方に移動す
ると、ウェハ保持部材28は、第3図に示したピン75
を中心に第1図の時計方向に回動する。従って、ウェハ
32は、イオンビームに対する傾斜が変化し、照射角度
を変えることができる。この際、ウェハ保持部材28の
回動中心と、イオンビーム中心軸C1,C2とが一致し
ているため、ウェハ照射面中心とイオンビーム中心とが
ずれることがなく、ウェハ照射面へのイオンビーム強度
の均一化を図ることができる。
なお、抑圧バー52の移動に伴い、ボス部50も移動す
る。この時、回転軸40からのボス部50への動力伝達
は1図示しないリングギヤと偏心ギヤとを用いることに
より、ボス部の移動に対応することができる。
上記実施例においては、ウオーム62をハンドル66に
より回転させる場合について説明したが、モータ等によ
り回転させるようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上に説明したように、本発明によれば、ウェハをイオ
ンビームに対して傾斜させても、ウェハの照射面中心と
イオンビーム中心との間にずれを生じることがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る自公転装置の実施例の断面図、第
2図は前記実施例の正面図、第3図は前記実施例のウェ
ハ保持部材部分の詳細図、第4図は従来の自公転装置の
概略構成図である。 14・・・モータ、22・・・イオンビーム、24・・
・支持台、28・・・ウェハ保持部材、32・・・ウェ
ハ、36・・・リング歯車、40・・・回転軸、44,
46.76゜78.80・・・歯車、52・・・押圧バ
ー、58・・・歯部、60・・・ラック、62・・・ウ
オーム、66・・・ハンドル、74・・・連結バー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、回転軸と、この回転軸を回転させる駆動モータと、
    前記回転軸の周囲を回転する複数の支持台と、これら各
    支持台を取り付けた結合部材と、この結合部材に前記回
    転軸の回転力を伝達し、前記各支持台を回転させる動力
    伝達機構と、前記支持台の外周面に形成した歯部と、内
    面歯部が前記支持台の歯部と噛み合うリング歯車と、前
    記各支持台に回転自在であり、かつ任意の方向に傾斜可
    能に設けた試料装着部と、前記回転軸に固定され、前記
    各試料装着部を結合している連結部材とを有する自公転
    装置。 2、前記結合部材と前記リング歯車とは前記回転軸に対
    して移動自在に設けられ、前記リング歯車が位置調節機
    構を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の自公転装置。 3、前記位置調節機構は、前記リング歯車の外側部に固
    定したラックと、このラックに噛み合うウォームと、こ
    のウォームを軸を介して回転させるハンドルとからなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の自公転
    装置。 4、前記各支持台は球面凹部が形成され、前記各試料装
    着部は前記球面凹部と嵌合する球体部が形成されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項の
    いずれか1項に記載の自公転装置。
JP2058285A 1985-02-05 1985-02-05 自公転装置 Expired - Lifetime JPH0663106B2 (ja)

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JPH0663106B2 JPH0663106B2 (ja) 1994-08-17

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JPH02159389A (ja) * 1988-12-14 1990-06-19 Hitachi Ltd 自公転ホルダ、及びこれを備えたイオンビーム加工機
CN104004993A (zh) * 2013-02-25 2014-08-27 北京中科三环高技术股份有限公司 一种表面处理装置
JPWO2016152395A1 (ja) * 2015-03-20 2017-04-27 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び成膜ワーク製造方法

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