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JPS6115964A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

Info

Publication number
JPS6115964A
JPS6115964A JP13542584A JP13542584A JPS6115964A JP S6115964 A JPS6115964 A JP S6115964A JP 13542584 A JP13542584 A JP 13542584A JP 13542584 A JP13542584 A JP 13542584A JP S6115964 A JPS6115964 A JP S6115964A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporation
shutter
heater
vapor deposition
opening window
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13542584A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyuki Goto
康之 後藤
Nagaaki Etsuno
越野 長明
Akira Shioda
明 潮田
Iwao Tsugawa
津川 岩雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP13542584A priority Critical patent/JPS6115964A/ja
Publication of JPS6115964A publication Critical patent/JPS6115964A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は坩堝への通電量を一定とし、蒸着速度をシャッ
タの開口度で調節する真空蒸着装置の構成に関する。
現在、電子部品の導体層、誘電体層、半導体層などの形
成に真空蒸着法やスバタリング法などの薄膜形成技術が
広く使用されており、写真食刻技術(ホトリソグラフィ
)と組合わせて微細パターンが形成されている。
ここでIC,LSIなどの半導体装置や磁気バブルメモ
リなどの磁性部品、弾性表面波フィルタなどの誘電体部
品等の電子部品を精度良(製造するには被処理基板の上
に形成される膜厚のコントロールを正確に行う必要があ
る。
すなわち本発明に係る真空蒸着法を用いて薄膜を形成す
る場合は蒸発材料の蒸着速度を一定とし、蒸着時間を決
めれば再現性のある膜形成が可能となり、製造プロセス
の自動化が可能となる。
然し、現実には蒸発材料を充填した坩堝への通電量を一
定に保持しても蒸着速度を一定に保ごとは困難である。
第4図は蒸発材料としてテルル(Te )を用い、これ
を坩堝に充填し、通電条件を5V、50/’、と一定に
し、真空蒸着を行った場合の蒸着速度の推移を示したも
のである。
すなわち坩堝には可なりの熱容量が存在するため当初の
蒸着速度は僅かであり、約1分経過後に約3人/分の値
に達するが、その後次第に蒸着速度は低下し、約5分経
過後においては約2人/分の値となった。
このように通電量を一定としても坩堝よりの蒸着速度を
コントロールすることは困難である。
本発明は蒸着速度を一定値にコントロール可能な蒸着装
置の構成に関するものである。
〔従来の技術〕
従来は被処理基板を保持する保持板上に水晶振動子のよ
うな蒸発量モ三夕を設置し、蒸発量モニタを監視しなが
らモニタが示す値に応じて坩堝への通電量を加減し、こ
れにより蒸着速度を一定に調整していた。
然し、熱容量の大きな坩堝を用いるとレスポンスが遅く
なるため蒸着速度を一定値に保ことは事実上困難であっ
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の問題点は真空蒸着を行う場合、蒸着速度のコント
ロール特に熱容量の大きな坩堝を使用する場合に蒸着速
度のコントロールが困難なことであり、本発明の目的は
正確にコントロール可能な蒸着機、構を提供するにある
〔問題点を解決するための手段〕
上記の問題点は加熱ヒータを備えた坩堝に充填した蒸着
物が面積可変の扇形の開口窓を備えたシャッタの下に配
置され、該シャッタの開口窓の上を回転円板に固定した
被処理基板が通過する機構を備えて構成されておりζ前
記ヒータへの通電量を一定とし、蒸着速度を開口窓の面
積を変化させて調節することを特徴とする真空蒸着装置
により解決することができる。
〔作用〕
本発明は坩堝のヒータへの通電量を変化させると熱容量
による慣性によりレスポンスが遅れ、微細調整が行えな
いことから、通電量を一定として蒸発量モニタにより蒸
着速度を測定しながらシャッタを用いて蒸着速度の調整
を行うものである。
すなわち扇形のシャッタを蒸発源の上に設置し、この開
口窓の面積を可変とすると共に被処理基板を周期的にシ
ャッタの上を通過させる構成をとることにより蒸着速度
を一定値に調整し、あわせて均一な膜形成を行うもので
ある。
〔実施例〕
第1図は本発明を実施したシャッタ機構1の平面図また
第2図は本発明に係る真空蒸着装置の蒸発源2.シャッ
タ機構、保持板3の位置関係を示す斜視図である。
すなわぢシャッタ機構1は円板の円周上に扇状の開口窓
4があり、この上に外部より操作が可能なシャッタ5が
あり、ギヤにより開口窓4の面積を変化できるように構
成され、装置内に固定されている。
なお図の実施例では円板上に一個の開口窓を設けた場合
を示しているが、混合物或いは合金の薄膜を形成する場
合はそれぞれ蒸発物の異なる複数の蒸発源を備える必要
があり、これに対応して蒸着源の真上の位置に複数の開
口窓が設けられてシャッタ機構lが構成される。
ここで蒸発源2として坩堝を使用する場合を示しており
、坩堝の外側にはヒータ6が巻かれて中に充填しである
蒸発物を傍熱し蒸発させるようになっている。
次ぎに保持板3の下側には中心を囲んで複数個の被処理
基板が固定されて回転するよう構成されているが、この
場合に被処理基板の大きさはシャッタの開口窓の長さよ
り短く、蒸発源から見て視野内に入っていることが必要
である。
また磁気ディスクのようにドーナツ形に蒸着したい場合
は第2図に示すように円板と中心を合わせて固定すれば
よい。
次に蒸発量モニタ7は開口窓4の近傍に配置される。
本発明にかかる真空蒸着装置はこのような構成をとり、
モータにより保持板3を低速回転させ、初めシャッタ5
を閉じた状態で蒸発源2のヒータ6に通電し、蒸着速度
が所定の値に達した段階でシャッタ5を開き、以後通電
量を一定に保ちながら蒸発量モニタ7から得られる蒸着
速度値に応じてシャッタ5を開閉することにより、定速
の蒸着を行うことができる。
なおシャッタ機構1において開口窓4の形状を扇形とし
た理由は被処理基板を載置した保持板3が回転し、これ
によって均一な膜厚制御を行うためであるが、蒸発源2
が開口窓4の中心直下に配置されている関係で更に好ま
しくは第3図に示すように開口窓4の形状が中窪み形と
なるように開口窓4とシャ、7タ5とを形成すると蒸着
源から飛散する蒸発物の密度分布が一定となり、更に均
等な膜厚分布を得ることができる。
第5図は本発明の実施例で、テルル(Te )とセレン
(Se )とからなるアモルファス半導体を形成した場
合の蒸着速度の推移を示している。
ここで撮像管のような用途に使用する半導体層の構成は
組成元素の構成比を正確に調整することが必要で、この
例の場合TeとSeの構成比を2;1に保つようにして
いる。
薄膜の形成方法としてTeとSeとを充填した二つの坩
堝を用意し、直径3Qcmの保持板3に寸法が15X1
5X 1 龍の石英基板を6枚同心円状に配置して固定
し、真空度をI X 1O−6Torrに保って蒸着を
おこなった。
ここでヒータ6への通電量は二つの坩堝とも5V、50
Aに固定し、1.5分経過したのちシャッタ5を開け、
以後蒸発量モニタ7を使用して蒸発速度を調整している
が図に示すように一定の蒸着速度で二元合金よりなるア
モルファス半導体層を形成することができた。
〔発明の効果〕
以上記したように本発明は蒸着速度を一定として薄膜形
成を可能とする真空蒸着装置の構成に関するもので、撮
像管用の半導体層のように組成比の一定な多元構成の薄
膜を層構成よるような用途に使用すれば正確な組成比の
薄膜を作ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るシャッタ機構の平面図。 第2図は本発明に係る蒸着装置の内部構成を示す斜視図
。 第3図は本発明に係る別のシャッタ機構の平面図。 第4図と第5図は蒸着速度と経過時間の関係を示す実施
例の特性図。 である。 図において 1はシャッタ機構、     2は蒸発量、3は保持板
、        4は開口窓、5はシャッタ、   
    6はヒータ、7は蒸発量モニタ、 である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 加熱ヒータを備えた坩堝に充填した蒸着物が面積可変の
    扇形の開口窓を備えたシャッタの下に配置され、該シャ
    ッタの開口窓の上を回転円板に固定した被処理基板が通
    過する機構を備えて構成されており、前記ヒータへの通
    電量を一定とし、蒸着速度を開口窓の面積を変化させて
    調節することを特徴とする真空蒸着装置。
JP13542584A 1984-06-29 1984-06-29 真空蒸着装置 Pending JPS6115964A (ja)

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JP13542584A JPS6115964A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 真空蒸着装置

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JP13542584A JPS6115964A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 真空蒸着装置

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JPS6115964A true JPS6115964A (ja) 1986-01-24

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ID=15151428

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JP13542584A Pending JPS6115964A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 真空蒸着装置

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