JPS61131331A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
- Publication number
- JPS61131331A JPS61131331A JP60263983A JP26398385A JPS61131331A JP S61131331 A JPS61131331 A JP S61131331A JP 60263983 A JP60263983 A JP 60263983A JP 26398385 A JP26398385 A JP 26398385A JP S61131331 A JPS61131331 A JP S61131331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- electron beam
- electrically insulating
- aperture
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、排気容器内に、少なくとも１個の電子ビーム
を集束するターゲットと、前記電子ビームを発生する半
導体装置とを具え、該半導体装置は、少なくとも１個の
開口を設けた第１電気的絶縁層を支持する主表面を有し
且つ少なくとも一つのｐｎ接合を有する半導体本体を具
え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆電圧を印加す
ることによってアバランシェ増倍を生ぜしめて、電子を
発生し得るようにし、電子を第１電気的絶縁層の開口で
半導体本体から放射して電子ビームを形成し、前記第１
電気的絶縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設された
少なくとも１つの加速電極を支持し、該加速電極は、第
１絶縁層の開口を露出したまま、電子ビームに影響を与
える複数の１！橿を支持する第２電気的絶縁層で少なく
とも部分的に被覆するようにした電子ビーム装置に関す
るものである。
を集束するターゲットと、前記電子ビームを発生する半
導体装置とを具え、該半導体装置は、少なくとも１個の
開口を設けた第１電気的絶縁層を支持する主表面を有し
且つ少なくとも一つのｐｎ接合を有する半導体本体を具
え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆電圧を印加す
ることによってアバランシェ増倍を生ぜしめて、電子を
発生し得るようにし、電子を第１電気的絶縁層の開口で
半導体本体から放射して電子ビームを形成し、前記第１
電気的絶縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設された
少なくとも１つの加速電極を支持し、該加速電極は、第
１絶縁層の開口を露出したまま、電子ビームに影響を与
える複数の１！橿を支持する第２電気的絶縁層で少なく
とも部分的に被覆するようにした電子ビーム装置に関す
るものである。
ざらに本発明は、排気容器内に、少なくとも１個の電子
ビームを集束するターゲットと、前記電子ビームを発生
する半導体装置とを具え、半導体装置は、主表面に少な
くとも２個の接続部を有するｐ型表面区域を有する半導
体本体を具え、２個の接続部のうらの少なくとも一方は
、主表面からの距離がｐ型表面区域における電子の拡散
再結合長にほぼ等しい注入接続部とし、前記主表面を、
露出するｐ型表面区域の少なくとも１部分で露出したま
まとする開口が形成され、電子ビームに影響を与える電
極を支持する電気的絶縁層により少なくとも部分的に被
覆してなる電子ビーム装置にも関するものである。
ビームを集束するターゲットと、前記電子ビームを発生
する半導体装置とを具え、半導体装置は、主表面に少な
くとも２個の接続部を有するｐ型表面区域を有する半導
体本体を具え、２個の接続部のうらの少なくとも一方は
、主表面からの距離がｐ型表面区域における電子の拡散
再結合長にほぼ等しい注入接続部とし、前記主表面を、
露出するｐ型表面区域の少なくとも１部分で露出したま
まとする開口が形成され、電子ビームに影響を与える電
極を支持する電気的絶縁層により少なくとも部分的に被
覆してなる電子ビーム装置にも関するものである。
また本発明は、斯る電子ビーム装置に使用する半導体装
置に関するものである。
置に関するものである。
斯る電子ビーム装置および半導体装置は、特開昭５８−
８７７３１号（特願昭５７−１９０，６８２号）明細書
から既知である。
８７７３１号（特願昭５７−１９０，６８２号）明細書
から既知である。
さらに前記明細書でも引用されている公開オランダ国特
許出願第７，９０５，４７０号公報には、いわゆる［冷
陰極（ｃｏｌｄ ｃａｔｈｏｄｅ ） Ｊと称する半
導体装置を具える陰極線管が示されている。この冷陰極
の動作は、電荷キャリヤのアバランシェ増倍を発生する
ようにｐｎ接合を逆バイアスして、半導体本体から電子
を放出することに基づいている。従って、電子のうちの
い（つかは、電子の仕事関数を越えるに必要な運動エネ
ルギーを得る。これら電子は半導体本体の主表面で解放
されて、電子流を発生する。
許出願第７，９０５，４７０号公報には、いわゆる［冷
陰極（ｃｏｌｄ ｃａｔｈｏｄｅ ） Ｊと称する半
導体装置を具える陰極線管が示されている。この冷陰極
の動作は、電荷キャリヤのアバランシェ増倍を発生する
ようにｐｎ接合を逆バイアスして、半導体本体から電子
を放出することに基づいている。従って、電子のうちの
い（つかは、電子の仕事関数を越えるに必要な運動エネ
ルギーを得る。これら電子は半導体本体の主表面で解放
されて、電子流を発生する。
電子の放出は、半導体装置を配設した電子ビーム装置内
で、主表面に配置される絶縁層上の、絶縁層内で開口を
露出させたままにしておく加速電極で促進される。さら
に電子放出の促進のために所望に応じ半導体表面には電
子の仕事関数低減材料゛、例えばセシウムを配設する。
で、主表面に配置される絶縁層上の、絶縁層内で開口を
露出させたままにしておく加速電極で促進される。さら
に電子放出の促進のために所望に応じ半導体表面には電
子の仕事関数低減材料゛、例えばセシウムを配設する。
特開昭５４−１１１２７２号（特願昭５４−７．７０２
号）公報には、ｐＯ接合を半導体本体の主表面にて露出
させている同様な冷陰極が開示されている。
号）公報には、ｐＯ接合を半導体本体の主表面にて露出
させている同様な冷陰極が開示されている。
排気容器内には必然的に残留ガスがある程度残存するた
め、これら残留ガスを電子流により正および負のイオン
に遊離する。負イオンはターゲットの方向に加速される
。静電偏向の場合にこれら負イオンはターゲットの小領
域に入射してそれを損傷したり、或いはそのターゲット
の動作を妨害したりする。陰極線管内の加速兼集束電極
の影響により、若干数の正イオンが陰極線の方向に移動
する。何等特殊な手段を取らない場合には、若干数の正
イオンが半導体に入射し、半導体に損傷を与える一種の
イオンエツチングを起す。この損傷は電子の仕事関数低
減材料から漸時エツチング除去することになる。斯かる
低減材料の一部又は総体的消失によっても陰極の放出特
性を変化させる。
め、これら残留ガスを電子流により正および負のイオン
に遊離する。負イオンはターゲットの方向に加速される
。静電偏向の場合にこれら負イオンはターゲットの小領
域に入射してそれを損傷したり、或いはそのターゲット
の動作を妨害したりする。陰極線管内の加速兼集束電極
の影響により、若干数の正イオンが陰極線の方向に移動
する。何等特殊な手段を取らない場合には、若干数の正
イオンが半導体に入射し、半導体に損傷を与える一種の
イオンエツチングを起す。この損傷は電子の仕事関数低
減材料から漸時エツチング除去することになる。斯かる
低減材料の一部又は総体的消失によっても陰極の放出特
性を変化させる。
斯かる材料層がない（又は上記エツチング機構により除
去される）場合にも、半導体本体の主表面に損傷を与え
る。この問題の解決策は本願人による特開昭５８−８７
７３１号明細書に提示されている。
去される）場合にも、半導体本体の主表面に損傷を与え
る。この問題の解決策は本願人による特開昭５８−８７
７３１号明細書に提示されている。
そこには、ダイポール電界を発生する少なくとも２個の
偏向電極をその上に有する追加の電気絶縁層を使用して
、正イオンが一極の電子放出部分に全く、或いはほとん
ど当射しないような軌跡を描くようにしている。電子ビ
ームは前記ダイポール電界により変更される。電子光学
手段の電界において、ターゲットに質的に適当な電子ビ
ーム・フォーカス、即ち所望の形状および寸法を有し且
つフォーカスの周囲にハローを生じることのないフォー
カスが益々必要となってきている。
偏向電極をその上に有する追加の電気絶縁層を使用して
、正イオンが一極の電子放出部分に全く、或いはほとん
ど当射しないような軌跡を描くようにしている。電子ビ
ームは前記ダイポール電界により変更される。電子光学
手段の電界において、ターゲットに質的に適当な電子ビ
ーム・フォーカス、即ち所望の形状および寸法を有し且
つフォーカスの周囲にハローを生じることのないフォー
カスが益々必要となってきている。
本発明の目的は、電子により形成されるフォーカスの形
成を、静的および動的に、例えば電子ビームを変更する
間に静的および動的を交互に変えて、調整可能となるよ
うにした上述した種類の電子ビーム装置を提供せんとす
るにある。
成を、静的および動的に、例えば電子ビームを変更する
間に静的および動的を交互に変えて、調整可能となるよ
うにした上述した種類の電子ビーム装置を提供せんとす
るにある。
本発明は、排気容器内に、少なくとも１個の電子ビーム
を集束するターゲットと、前記電子ビームを発生する半
導体装置とを具え、該半導体装置は、少なくとも１個の
開口を設けた第１電気的絶縁層を支持する主表面を有し
且つ少なくとも一つのｐＯ接合を有する半導体本体を具
え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆電圧を印加す
ることによってアバランシェ増倍を生ぜしめて、電子を
発生し得るようにし、電子を第１電気的絶縁層の開口で
半導体本体から放射して電子ビームを形成し、前記第１
電気的絶縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設された
少なくとも１つの加速電極を支持し、該加速電極は、第
１絶縁層の開口を露出したまま、電子ビームに影響を与
える複数の電極を支持する第２電気的絶縁層で少なくと
も部分的に被覆するようにした電子ビーム装置において
、前記電気的絶縁属上の電極は、開口の周りに規則的に
離間されるとともにｎ極電界またはその組合せの電界を
発生する（ただし、ｎは偶数且つ整数であり、４以上１
６以下の数とする）ような電位を夫々有する少なくとも
４個のビーム形成電極を具えるようにしたことを特徴と
する。斯る電子ビーム装置、においで、絶縁層を第１お
よび第２絶縁層に分け、これら層間に加速電極を開口の
周囲に介装する。
を集束するターゲットと、前記電子ビームを発生する半
導体装置とを具え、該半導体装置は、少なくとも１個の
開口を設けた第１電気的絶縁層を支持する主表面を有し
且つ少なくとも一つのｐＯ接合を有する半導体本体を具
え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆電圧を印加す
ることによってアバランシェ増倍を生ぜしめて、電子を
発生し得るようにし、電子を第１電気的絶縁層の開口で
半導体本体から放射して電子ビームを形成し、前記第１
電気的絶縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設された
少なくとも１つの加速電極を支持し、該加速電極は、第
１絶縁層の開口を露出したまま、電子ビームに影響を与
える複数の電極を支持する第２電気的絶縁層で少なくと
も部分的に被覆するようにした電子ビーム装置において
、前記電気的絶縁属上の電極は、開口の周りに規則的に
離間されるとともにｎ極電界またはその組合せの電界を
発生する（ただし、ｎは偶数且つ整数であり、４以上１
６以下の数とする）ような電位を夫々有する少なくとも
４個のビーム形成電極を具えるようにしたことを特徴と
する。斯る電子ビーム装置、においで、絶縁層を第１お
よび第２絶縁層に分け、これら層間に加速電極を開口の
周囲に介装する。
ビームおよびフォーカスを、適当なｎ極電界を選択する
ことにより、はとんど任意の形状とすることができる。
ことにより、はとんど任意の形状とすることができる。
フォーカスの形状は電子蝕刻法および電子顕微鏡写真法
において極めて重要である。
において極めて重要である。
しかし、表示管において、偏向コイルの非点収差レンズ
またはレンズ系を通過優、円形のフォーカスとなる非点
収差ビームがしばしば所望とされる。
またはレンズ系を通過優、円形のフォーカスとなる非点
収差ビームがしばしば所望とされる。
前記開口はほぼ円形または長楕円形とする。しかし、こ
の開口は、丸みのある隅部を有する矩形の開口とするこ
ともできる。
の開口は、丸みのある隅部を有する矩形の開口とするこ
ともできる。
ビーム形成電極は、この電極の端縁を開口の端縁部分に
一致させるのが最も有効である。
一致させるのが最も有効である。
フォーカスは、開口の周囲に６または８個のビーム形成
電極を配設することにより、はぼ任意な形状を与えるこ
とができる５ さらに、ビーム形成電極を、ビーム形成電極とは別に、
ｎ極電界のみならずダイポール電界をも、上記特開昭５
８−８７７３１号明細書に記載されたようなイオントラ
ップとして動作させて、発生する。
電極を配設することにより、はぼ任意な形状を与えるこ
とができる５ さらに、ビーム形成電極を、ビーム形成電極とは別に、
ｎ極電界のみならずダイポール電界をも、上記特開昭５
８−８７７３１号明細書に記載されたようなイオントラ
ップとして動作させて、発生する。
ビーム形成電極をその上に配設される絶縁層上に形成さ
れた抵抗を用いた分圧器により、少なくとも部分的にビ
ーム形成電極に電位を得る場合に、ビーム形成電極は容
易に所望の電位を夫々与えることができる。これら抵抗
は、従来の半導体技術により設ける。例えば多結晶珪素
の導体から構成する。
れた抵抗を用いた分圧器により、少なくとも部分的にビ
ーム形成電極に電位を得る場合に、ビーム形成電極は容
易に所望の電位を夫々与えることができる。これら抵抗
は、従来の半導体技術により設ける。例えば多結晶珪素
の導体から構成する。
前記半導体装置は、数個の独立して調整可能な電子を発
生し得るｐ１ｎ重合金具え、さらに、これらｐｎ接合に
配設される１個の共通な開口および複数の共通な開口お
よび複数の加速電極を設けることができる。
生し得るｐ１ｎ重合金具え、さらに、これらｐｎ接合に
配設される１個の共通な開口および複数の共通な開口お
よび複数の加速電極を設けることができる。
本発明は、１個の開口を有する第１電気的絶縁層を支持
する主表面を有し且つ少なくとも１個のｐｎ接合を有す
る半導体本体を具え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合
に逆電圧を印加することによりアバランシェ増倍を生ぜ
しめて電子を発生し得るようにし、半導体本体から第１
電気的絶縁層の開口を経て電子を放射し、第１電気的絶
縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設される少なくと
も１個の加速電極を支持し、該加速電極は第１電気的絶
縁層の開口を露出したまま複数の電極を支持する第２１
！気的絶縁層で少なくとも部分的に被覆されてなる半導
体装置において、 前記第２電気的絶縁層は、開口の周囲に規則的な間隔で
配設された少なくとも６個のビーム形成電極を支持する
ようにした。ことを特徴とする。また、第１電気的絶縁
層および加速電極を消略することができる。
する主表面を有し且つ少なくとも１個のｐｎ接合を有す
る半導体本体を具え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合
に逆電圧を印加することによりアバランシェ増倍を生ぜ
しめて電子を発生し得るようにし、半導体本体から第１
電気的絶縁層の開口を経て電子を放射し、第１電気的絶
縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設される少なくと
も１個の加速電極を支持し、該加速電極は第１電気的絶
縁層の開口を露出したまま複数の電極を支持する第２１
！気的絶縁層で少なくとも部分的に被覆されてなる半導
体装置において、 前記第２電気的絶縁層は、開口の周囲に規則的な間隔で
配設された少なくとも６個のビーム形成電極を支持する
ようにした。ことを特徴とする。また、第１電気的絶縁
層および加速電極を消略することができる。
他の解決策としては、主表面にｐ型表面区域を有する半
導体本体を具え、前記ｐ型表面区域は少なくとも２１１
の接続部を有し、そのうちの少なくとも一方は、主表面
からの距離がｐ型表面区域の電子の拡散再結合長にほぼ
等しい注入接続部とし、前記主表面を、ｐ型表面区域の
少なくとも１部分を露出したままとし開口の周囲に規則
的に離間される少なくとも６個のビーム形成電極を支持
する１１ｉの電気的絶縁層で少なくとも部分的に被覆し
てなる半導体装置の場合に、前記電気的絶縁層を第１お
よび第２絶縁層に分け、これら層間に加速電極を開口の
周囲に介装することが掲げられる。
導体本体を具え、前記ｐ型表面区域は少なくとも２１１
の接続部を有し、そのうちの少なくとも一方は、主表面
からの距離がｐ型表面区域の電子の拡散再結合長にほぼ
等しい注入接続部とし、前記主表面を、ｐ型表面区域の
少なくとも１部分を露出したままとし開口の周囲に規則
的に離間される少なくとも６個のビーム形成電極を支持
する１１ｉの電気的絶縁層で少なくとも部分的に被覆し
てなる半導体装置の場合に、前記電気的絶縁層を第１お
よび第２絶縁層に分け、これら層間に加速電極を開口の
周囲に介装することが掲げられる。
６個または８個のビーム形成電極を使用して、フォーカ
スをほぼ所要の形状とすることができる。
スをほぼ所要の形状とすることができる。
多数のビーム形成電極間に分圧抵抗を装着することによ
り、限られた数の電圧を用いて、適切な電位をビーム形
成電極に供給することが可能となる。
り、限られた数の電圧を用いて、適切な電位をビーム形
成電極に供給することが可能となる。
これらの抵抗は多結晶珪素細条で構成するのが好適であ
る。アバランシュ増倍を生じさせる電位、または、半導
体陰極に供給される電流に（例えば変調の）情報を含め
させることができる。このことは、例えば電子顕微鏡、
電子蝕剣法およびオシロスコープ管において重要である
。
る。アバランシュ増倍を生じさせる電位、または、半導
体陰極に供給される電流に（例えば変調の）情報を含め
させることができる。このことは、例えば電子顕微鏡、
電子蝕剣法およびオシロスコープ管において重要である
。
図面につき本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の電子ビーム装置の、この場合には陰
極線管の分解組立て図である。この陰極線管は、排気さ
れたガラス容器１を具え、これは、フェース面２、ファ
ンネル部３およびネック部４から成る。ネック部には、
画像スクリーン７に集束される電子ビーム６を発生する
電子銃５を装着する。電子ビームを、偏向コイル（図示
せず）または電界により画像スクリーンにわたって変更
する。ネック部４には接続ビン９を有する口金８を配設
する。
極線管の分解組立て図である。この陰極線管は、排気さ
れたガラス容器１を具え、これは、フェース面２、ファ
ンネル部３およびネック部４から成る。ネック部には、
画像スクリーン７に集束される電子ビーム６を発生する
電子銃５を装着する。電子ビームを、偏向コイル（図示
せず）または電界により画像スクリーンにわたって変更
する。ネック部４には接続ビン９を有する口金８を配設
する。
第２図はネック部４および電子銃５の部分の長手方向断
面図である。この電子銃は、電子ビームを発生する半導
体装ｌ！１０を具え、これから発せられた電子ビームは
、円筒状レンズ電極１１および１２並びに導電性壁被膜
１３により集束されるとともに加速される。この図には
、加速電極および導電性被膜に普通供給される電圧を示
す。電極１１は長さ５ＩＩおよび直径１０１ｍである。
面図である。この電子銃は、電子ビームを発生する半導
体装ｌ！１０を具え、これから発せられた電子ビームは
、円筒状レンズ電極１１および１２並びに導電性壁被膜
１３により集束されるとともに加速される。この図には
、加速電極および導電性被膜に普通供給される電圧を示
す。電極１１は長さ５ＩＩおよび直径１０１ｍである。
電極１２は、長さ２０１１および１２〜２０ｍｍに壜加
する直径を有するａ電極１１および１２は１１ｍ重複し
ている。電極１２および導電性液ｌ［１３は５■重複し
ている。
する直径を有するａ電極１１および１２は１１ｍ重複し
ている。電極１２および導電性液ｌ［１３は５■重複し
ている。
第３図の長手方向断面図に示すように、第２図に示す加
速レンズの代りに−“ユニポテンシャルレンズとするこ
ともできる。このレンズは、３個の円筒状電極１４．１
５および１６から構成される。半導体装Ｗ１１１の電子
ビーム放出面と対向して、ビーカー型加速電極１８があ
り、その底部には中央開口１９を有している。この図に
も電極および壁被覆にほぼ一般的に供給される電圧を示
しである。ざらに他の可能性を第４図に示し、この図に
おいて、半導体装［２０を電子銃の軸線でもある陰極線
管の軸［１２１の隣にオフセットして配置する。ダイポ
ール電界により、電子ビームを半導体装置から成る角度
で放出させ、次いで偏向板２２および２３により陰極線
管の軸線に平行に偏向し、このため、イオントラップを
有する電子銃を得る。この電子銃はさらに直径０．７１
１の開口を有する２個のダイアフラム電極２４および２
５並びに拡開円筒状電極２６を具える。この電極２６お
よび導電性被覆２１はともに加速電極を形成する。電極
２５および２６間の距離と同様に、電極２４ｒ３よび２
５間の距離を３ｓｍとする。半導体装置２０および電極
２４間の距離は１＋−とする。
速レンズの代りに−“ユニポテンシャルレンズとするこ
ともできる。このレンズは、３個の円筒状電極１４．１
５および１６から構成される。半導体装Ｗ１１１の電子
ビーム放出面と対向して、ビーカー型加速電極１８があ
り、その底部には中央開口１９を有している。この図に
も電極および壁被覆にほぼ一般的に供給される電圧を示
しである。ざらに他の可能性を第４図に示し、この図に
おいて、半導体装［２０を電子銃の軸線でもある陰極線
管の軸［１２１の隣にオフセットして配置する。ダイポ
ール電界により、電子ビームを半導体装置から成る角度
で放出させ、次いで偏向板２２および２３により陰極線
管の軸線に平行に偏向し、このため、イオントラップを
有する電子銃を得る。この電子銃はさらに直径０．７１
１の開口を有する２個のダイアフラム電極２４および２
５並びに拡開円筒状電極２６を具える。この電極２６お
よび導電性被覆２１はともに加速電極を形成する。電極
２５および２６間の距離と同様に、電極２４ｒ３よび２
５間の距離を３ｓｍとする。半導体装置２０および電極
２４間の距離は１＋−とする。
この第４図にも電極および偏向板に一般的に供給される
電圧を示す。
電圧を示す。
第５図は、本発明の電子ビーム装置に使用される半導体
装置の断面図を示す。この半導体装置は、例えば珪素か
ら成る半導体本体３０を具える。この半導体本体は、ｎ
型表面区域３２を具え、この区域は、半導体本体の主表
面３１に形成され、ｐ型区域３３および３１と相俟って
ｐｎ接合３４を形成する。十分高い逆方向電圧を前記ｐ
ｎ接合３４に印加し、半導体本体からアバランシェ増倍
により発生される電子を放出する。半導体装置はさらに
ｎ型表面区ｌ１Ｘ３２と接触する接続電極（図示せず）
を具える。本例において、ｎ型区域３３をその底部で金
属１１３５に接触させる。この接触は高ドープｐ型接触
区域３６を経て行なうのが好適である。さらにこの例に
おいて、ｎ型区域３２の表面でのドナー集中は、例えば
、５．１０ ＸＩＧ”原子／ｄであり、他方ｐ型区域３
３の７クセプタ集中はそれより低く、例えば１０′６原
子／ｃｊである。ｐｎ接合３４のブレークスルー電圧を
局所的に減少するため、半導体装置には、ｎ型区域３２
と相俟ってｐｎ接合を形成する高ドープｐ型区域３７を
設けている。このｎ型区域３７を第１絶縁ＪＦｉ３９の
開口３８内に配設し、第１絶縁府上には多結晶珪素（ポ
リシリコン）加速電極４０を開口３８の回りに設けてい
る。また、絶縁Ｒ３９および加速電極４０を消略するこ
とができる。電子放出は、開口３８内の半導体表面４１
を仕事関数低減材料、例えばバリウムまたはセシウムを
含有する材料の層で被覆することにより増加することが
できる。斯る半導体装置、いわゆる半導体陰極の詳細に
ついては、特開昭５８−８７７３１号明細書に記載され
ている″ので参照されたい。さらに半導体装置は、第２
絶縁層を具え、この層は、例えばアルミニウムから成る
ビーム形成電極４３乃至５０を支持する。
装置の断面図を示す。この半導体装置は、例えば珪素か
ら成る半導体本体３０を具える。この半導体本体は、ｎ
型表面区域３２を具え、この区域は、半導体本体の主表
面３１に形成され、ｐ型区域３３および３１と相俟って
ｐｎ接合３４を形成する。十分高い逆方向電圧を前記ｐ
ｎ接合３４に印加し、半導体本体からアバランシェ増倍
により発生される電子を放出する。半導体装置はさらに
ｎ型表面区ｌ１Ｘ３２と接触する接続電極（図示せず）
を具える。本例において、ｎ型区域３３をその底部で金
属１１３５に接触させる。この接触は高ドープｐ型接触
区域３６を経て行なうのが好適である。さらにこの例に
おいて、ｎ型区域３２の表面でのドナー集中は、例えば
、５．１０ ＸＩＧ”原子／ｄであり、他方ｐ型区域３
３の７クセプタ集中はそれより低く、例えば１０′６原
子／ｃｊである。ｐｎ接合３４のブレークスルー電圧を
局所的に減少するため、半導体装置には、ｎ型区域３２
と相俟ってｐｎ接合を形成する高ドープｐ型区域３７を
設けている。このｎ型区域３７を第１絶縁ＪＦｉ３９の
開口３８内に配設し、第１絶縁府上には多結晶珪素（ポ
リシリコン）加速電極４０を開口３８の回りに設けてい
る。また、絶縁Ｒ３９および加速電極４０を消略するこ
とができる。電子放出は、開口３８内の半導体表面４１
を仕事関数低減材料、例えばバリウムまたはセシウムを
含有する材料の層で被覆することにより増加することが
できる。斯る半導体装置、いわゆる半導体陰極の詳細に
ついては、特開昭５８−８７７３１号明細書に記載され
ている″ので参照されたい。さらに半導体装置は、第２
絶縁層を具え、この層は、例えばアルミニウムから成る
ビーム形成電極４３乃至５０を支持する。
第６図は、第５図の半導体装置の平面図である。
８個のビーム形成電極４３乃至５０をｐｎ接合３４およ
び開口３８の主表面３１の回りに配設する。これら８個
の電極により、任意の多極電界およびその組合わせの電
界を形成する。しかし、それ以上の個数の電極を用いる
と無接点となるが、不必要に高価となる。
び開口３８の主表面３１の回りに配設する。これら８個
の電極により、任意の多極電界およびその組合わせの電
界を形成する。しかし、それ以上の個数の電極を用いる
と無接点となるが、不必要に高価となる。
第７図は、ｐｎ接合のアバランシェ版状に基づく半導体
装置５１の他の実施例の断面図である。この例において
、半導体本体５２は、ｐ型基板５３およびｎ型区域５４
を具え、その間にｐｎ接合５５が延在する。
装置５１の他の実施例の断面図である。この例において
、半導体本体５２は、ｐ型基板５３およびｎ型区域５４
を具え、その間にｐｎ接合５５が延在する。
またこの場合において、アバランシェ増倍が限定された
特定区域に発生する。これにより、深いｎ型拡散領域に
ｐ型珪素と相俟って形成する接合領域の線型傾斜部５５
Ａを形成し、浅いｎ型拡散領域に中央部分のステップ状
接合を形成する。半導体本体は絶縁８５６を支持し、こ
の１ｉｉ５６の上に多結晶ビーム形成電極５１乃至６８
を開口６９の回りに配設する（第８図参照）。ｎ型区域
５４および絶縁Ｆ１１５６の間には、開口６９の回りの
絶縁！！５Ｇの端縁で加速電極を支持する追加の絶縁層
を提供する。
特定区域に発生する。これにより、深いｎ型拡散領域に
ｐ型珪素と相俟って形成する接合領域の線型傾斜部５５
Ａを形成し、浅いｎ型拡散領域に中央部分のステップ状
接合を形成する。半導体本体は絶縁８５６を支持し、こ
の１ｉｉ５６の上に多結晶ビーム形成電極５１乃至６８
を開口６９の回りに配設する（第８図参照）。ｎ型区域
５４および絶縁Ｆ１１５６の間には、開口６９の回りの
絶縁！！５Ｇの端縁で加速電極を支持する追加の絶縁層
を提供する。
第８図は、第６図と類似の、第７図の半導体装Ｕの平面
図である。この場合この半導体装置は、長円形部分を有
する電子ビームを発生する長円形装置に関するものであ
る。電極５１乃至６８で適切な多ｖｊＡ電界を発生する
ことによりほぼ矩形のフォーカスを得ることができる。
図である。この場合この半導体装置は、長円形部分を有
する電子ビームを発生する長円形装置に関するものであ
る。電極５１乃至６８で適切な多ｖｊＡ電界を発生する
ことによりほぼ矩形のフォーカスを得ることができる。
このフォーカスを電子蝕刻処理に使用するのが極めて好
適である。本発明はこの実施例に限定されないのはもち
ろんであり、多数のより長円形の実施例を適切に使用す
ることができる。
適である。本発明はこの実施例に限定されないのはもち
ろんであり、多数のより長円形の実施例を適切に使用す
ることができる。
第９図は半導体装置９０の平面図であり、この装置は、
第６図の半導体装置と類似である８個のビーム形成電極
９１乃至９８を有し、これら電極はｐｎ接合９９の回り
に集団となっている。電圧を分圧器を使用して電極９１
乃至９８に適宜供給して、より少数の電圧発生源■、〜
Ｖ４とすることができる。この分圧器を、例えば抵抗Ｒ
および０．４Ｒの多結晶細条１００により形成する。抵
抗値は、材料の種類および幾何学的配置（それと細条の
厚さ）と、この材料（例えば多結晶珪素）の可能なドー
ピング量により決まる。これらは、従来からの半導体製
造技術から既知である。
第６図の半導体装置と類似である８個のビーム形成電極
９１乃至９８を有し、これら電極はｐｎ接合９９の回り
に集団となっている。電圧を分圧器を使用して電極９１
乃至９８に適宜供給して、より少数の電圧発生源■、〜
Ｖ４とすることができる。この分圧器を、例えば抵抗Ｒ
および０．４Ｒの多結晶細条１００により形成する。抵
抗値は、材料の種類および幾何学的配置（それと細条の
厚さ）と、この材料（例えば多結晶珪素）の可能なドー
ピング量により決まる。これらは、従来からの半導体製
造技術から既知である。
４個から１６個のビーム形成電極により、単にｎ極電界
（４，６，８，１Ｇ、 １２．１４および１６極電界）
を発生できるだけでなく、これらｎ型電界を組合せるこ
ともできる。この場合におけるｎの値は、次の範囲：
４．６．８．１０．１２．１４または１６（偶数であり
且つ整数）の数値に常に等しい。例えば、４．８および
１２極電界の組合せが可能であり、その上、４，６およ
び１６極電界も可能である。これらｎ極電界を組合ぼる
ことにより、フォーカスまたは電子ビームを任意の必要
な形状にほぼ近づけることができる。
（４，６，８，１Ｇ、 １２．１４および１６極電界）
を発生できるだけでなく、これらｎ型電界を組合せるこ
ともできる。この場合におけるｎの値は、次の範囲：
４．６．８．１０．１２．１４または１６（偶数であり
且つ整数）の数値に常に等しい。例えば、４．８および
１２極電界の組合せが可能であり、その上、４，６およ
び１６極電界も可能である。これらｎ極電界を組合ぼる
ことにより、フォーカスまたは電子ビームを任意の必要
な形状にほぼ近づけることができる。
第１図は本発明の電子ビーム装置の分解組立て図、
第２図は第１図の装置の細部を示す長手方向断面図、
第３図はネック部の電子銃を示り゛長手方向断面図、
第４図はネック部のイオントラップを有する電・Ｔ銃を
示す長手方向断面図、 第５図は本発明イメージ再生兼記録装置に使用する半導
体装置の断面図、 第６図は第５図に示す半導体装置の平面図、第７図は本
発明のイメージ再生兼記録装置に使用される半導体装置
の他の実施例を示す断面図、第８図は第７図に示した半
導体装置の平面図、第９図は、分圧される抵抗を有する
半導体装置の平面図である。 １・・・電子ビーム ２・・・フェース面３・・
・フ１ンネル部 ４・・・ネック部５・・・電子銃
６・・・電子ビーム８・・・口金
９・・・接続ビン１０、１７．２０．５１．９０
・・・半導体装置１７、１２．１４．１５．１６．２６
．・・・円筒状電極１３、２７・・・導電性被覆 １８・・・ビーカー型加速電極 １９・・・中央開口 ２１・・・軸線２２、２
３・・・偏向板 ２４、２５・・・ダイアフラム電極 ３０、５２・・・半導体本体 ３１・・・主表面３２
、５４・・・ｎ型区域 ３３．３７．５３・・・ｐ
型区域３４、５５・・・ｐｎ接合 ３５・・・金
属層３６・・・ｐ型接触領域 ３８．６９・・・開
口３９、４２．５６・・・絶縁層 ４０・・・加速電
極４１・・・半導体表面 ４３〜５０．５７〜６８．９１〜９８・・・ビーム形成
電極１００・・・ポリシリコン細条 ■１〜ｖ４・・・電圧発生源 ＬＬ Ｌ
Ｌ冨ｌ 璽馬
示す長手方向断面図、 第５図は本発明イメージ再生兼記録装置に使用する半導
体装置の断面図、 第６図は第５図に示す半導体装置の平面図、第７図は本
発明のイメージ再生兼記録装置に使用される半導体装置
の他の実施例を示す断面図、第８図は第７図に示した半
導体装置の平面図、第９図は、分圧される抵抗を有する
半導体装置の平面図である。 １・・・電子ビーム ２・・・フェース面３・・
・フ１ンネル部 ４・・・ネック部５・・・電子銃
６・・・電子ビーム８・・・口金
９・・・接続ビン１０、１７．２０．５１．９０
・・・半導体装置１７、１２．１４．１５．１６．２６
．・・・円筒状電極１３、２７・・・導電性被覆 １８・・・ビーカー型加速電極 １９・・・中央開口 ２１・・・軸線２２、２
３・・・偏向板 ２４、２５・・・ダイアフラム電極 ３０、５２・・・半導体本体 ３１・・・主表面３２
、５４・・・ｎ型区域 ３３．３７．５３・・・ｐ
型区域３４、５５・・・ｐｎ接合 ３５・・・金
属層３６・・・ｐ型接触領域 ３８．６９・・・開
口３９、４２．５６・・・絶縁層 ４０・・・加速電
極４１・・・半導体表面 ４３〜５０．５７〜６８．９１〜９８・・・ビーム形成
電極１００・・・ポリシリコン細条 ■１〜ｖ４・・・電圧発生源 ＬＬ Ｌ
Ｌ冨ｌ 璽馬
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、排気容器内に、少なくとも１個の電子ビームを集束
するターゲットと、前記電子ビームを発生する半導体装
置とを具え、該半導体装置は、少なくとも１個の開口を
設けた第１電気的絶縁層を支持する主表面を有し且つ少
なくとも一つのｐｎ接合を有する半導体本体を具え、該
半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆電圧を印加すること
によってアンバランシェ増倍を生ぜしめて、電子を発生
し得るようにし、電子を第１電気的絶縁層の開口で半導
体本体から放射して電子ビームを形成し、前記第１電気
的絶縁層は前記開口の少なくとも端縁に配設された少な
くとも１つの加速電極を支持し、該加速電極は、第１絶
縁層の開口を露出したまま、電子ビームに影響を与える
複数の電極を支持する第２電気的絶縁層で少なくとも部
分的に被覆するようにした電子ビーム装置において、 第２電気的絶縁層上の電極は、開口の周り に規則的に離間されるとともにｎ極電界またはその組合
せの電界を発生する（ただし、ｎは偶数且つ整数であり
、４以上１６以下の数とする）ような電位を夫々有する
少なくとも４個のビーム形成電極を具えるようにしたこ
とを特徴とする電子ビーム装置。 ２、排気容器内に、少なくとも１個の電子ビームを集束
するターゲットと、前記電子ビームを発生する半導体装
置とを具え、該半導体装置は、少なくとも１個の開口を
設けた第１電気的絶縁層を支持する主表面を有し且つ少
なくとも一つのｐｎ接合を有する半導体本体を具え、該
半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆電圧を印加すること
によってアンバランシェ増倍を生ぜしめて、電子を発生
し得るようにし、電子を第１電気的絶縁層の開口で半導
体本体から放射して電子ビームを形成する電子ビーム装
置において、 前記第１電気的絶縁層上には、開口の周り に規則的に離間されるとともにｎ極電界またはその組合
せの電界を発生する（ただし、ｎは偶数且つ整数であり
、４以上１６以下の数とする）ような電位を夫々有する
少なくとも４個のビーム形成電極を配設するようにした
ことを特徴とする電子ビーム装置。 ３、排気容器内に、少なくとも１個の電子ビームを集束
するターゲットと、前記電子ビームを発生する半導体装
置とを具え、半導体装置は、主表面に少なくとも２個の
接続部を有するｐ型表面区域を有する半導体本体を具え
、２個の接続部のうちの少なくとも一方は、主表面から
の距離がｐ型表面区域における電子の拡散再結合長にほ
ぼ等しい注入接続部とし、前記主表面を、露出するｐ型
表面区域の少なくとも１部分で露出したままとする開口
が形成され、電子ビームに影響を与える電極を支持する
電気的絶縁層により少なくとも部分的に被覆してなる電
子ビーム装置において、前記電気的絶縁層上の電極は、
開口の周りに規則的に離間されるとともにｎ極電界また
はその組合せの電界を発生する（ただし、ｎは偶数且つ
整数であり、４以上１６以下の数とする）ような電位を
夫々有する少なくとも４個のビーム形成電極を具えるよ
うにしたことを特徴とする電子ビーム装置。 ４、排気容器内に、少なくとも１個の電子ビームを集束
するターゲットと、前記電子ビームを発生する半導体装
置とを具え、半導体装置は、主表面に少なくとも２個の
接続部を有するｐ型表面区域を有する半導体本体を具え
、２個の接続部のうちの少なくとも一方は、主表面から
の距離がｐ型表面区域における電子の拡散再結合長にほ
ぼ等しい注入接続部とし、前記主表面を、露出するｐ型
表面区域の少なくとも１部分で露出したままとする開口
が形成された第１電気的絶縁層により少なくとも部分的
に被覆してなる電子ビーム装置において、 前記第１電気的絶縁層は、少なくとも１個 の加速電極を支持し、この加速電極は、前記開口の少な
くとも端縁に配設するとともに第２電気的絶縁層で少な
くとも部分的に被覆し、この第２電気的絶縁層は、第１
電気的絶縁層の開口を露出したまま少なくとも４個のビ
ーム形成電極を支持し、これらビーム形成電極の各々は
、開口の周囲に規則的に離間されるとともにｎ極電界ま
たはその組合せの電界を発生する（ただし、ｎは偶数且
つ整数であり、４以上１６以下の数とする）ような電位
を夫々有するようにしたことを特徴とする電子ビーム装
置。 ５、前記開口をほぼ円形としたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載の電子ビーム
装置。 ６、前記開口をほぼ長円形としたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載の電子ビー
ム装置。 ７、前記開口を丸みのある隅部を有する矩形としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の電子ビーム装
置。 ８、前記ビーム形成電極の端縁の部分を開口端縁の部分
に一致させるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第７項の何れかに記載の電子ビーム装置。 ９、前記開口の周囲に６個のビーム形成電極を設けるよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
８項の何れかに記載の電子ビーム装置。 １０、前記開口の周囲に８個のビーム形成電極を設ける
ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第８項の何れかに記載の電子ビーム装置。 １１、前記ビーム形成電極は、ｎ極電界のみならずダイ
ポール電界をも発生するような電位を夫々有するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１０
項のいずれかに記載の電子ビーム装置。 １２、前記ビーム形成電極を支持する絶縁層上に配設さ
れた抵抗を使用した分圧器により少なくとも部分的に、
ビーム形成電極に印加される電位を得るようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１項の何れ
かに記載の電子ビーム装置。 １３、前記抵抗を多結晶珪素により製造するようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載の電子ビ
ーム装置。 １４、前記半導体装置は、独立して調整可能な電子を発
生しうる数個のｐｎ接合を具え、さらに、半導体装置は
、これらｐｎ接合に共通な１つの開口、共通の１個の加
速電極および複数のビーム形成電極を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項乃至第１３項の何れかに記
載の電子ビーム装置。 １５、１個の開口を有する第１電気的絶縁層を支持する
主表面を有し且つ少なくとも１個のｐｎ接合を有する半
導体本体を具え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合に逆
電圧を印加することによりアバランシェ増倍を生ぜしめ
て電子を発生し得るようにし、半導体本体から第１電気
的絶縁層の開口を経て電子を放射し、第１電気的絶縁層
は前記開口の少なくとも端縁に配設される少なくとも１
個の加速電極を支持し、該加速電極は第１電気的絶縁層
の開口を露出したまま複数の電極を支持する第２電気的
絶縁層で少なくとも部分的に被覆されてなる半導体装置
において、 前記第２電気的絶縁層は、開口の周囲に規 則的な間隔で配設された少なくとも６個のビーム形成電
極を支持するようにしたことを特徴とする半導体装置。 １６、主表面にｐ型表面区域を有する半導体本体を具え
、前記ｐ型区域は少なくとも２個の接続部を有し、その
少なくとも一方は主表面からの距離がｐ型表面区域の電
子の拡散再結合長に少なくとも等しい注入接続部とし、
前記主表面を、ｐ型表面区域の少なくとも１部分を露出
したままとする開口が形成され且つ複数の電極を支持す
る１個の電気的絶縁層で少なくとも部分的に被覆してな
る半導体装置において、 ６個のビーム形成電極を電気的絶縁層上の 開口の周囲に規則的な間隔で配設するようにしたことを
特徴とする半導体装置。 １７、１個の開口を有する１個の電気的絶縁層を支持す
る主表面を有し且つ少なくとも１個のｐｎ接合を有する
半導体本体を具え、該半導体本体では、前記ｐｎ接合に
逆電圧を印加することによりアバランシェ増倍を生ぜし
めて電子を発生し得るようにし、半導体本体から前記電
極的絶縁層の開口を経て電子を放射する半導体装置にお
いて、 前記電気的絶縁層は、開口の周囲に規則的 な間隔で配設された少なくとも６個のビーム形成電極を
支持するようにしたことを特徴とする半導体装置。 １８、主表面にｐ型表面区域を有する半導体本体を具え
、前記ｐ型区域は少なくとも２個の接続部を有し、その
少なくとも一方は主表面からの距離がｐ型表面区域の電
子の拡散再結合長に少なくとも等しい注入接続部とし、
前記主表面を、ｐ型表面区域の少なくとも１部分を露出
したままとする開口が形成された第１電気的絶縁層で少
なくとも部分的に被覆してなる半導体装置において、 前記第１電気的絶縁層は、少なくとも１個 の加速電極を支持し、この電極は、前記開口の少なくと
も端縁に配設されるとともに第２電気的絶縁層で少なく
とも部分的に被覆され、この第２電気的絶縁層は、開口
の周囲に規則的な間隔で配設される少なくとも４個のビ
ーム形成電極を支持するようにしたことを特徴とする半
導体装置。 １９、前記電気的絶縁層上に、６個または８個のビーム
形成電極を配設するようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１５項乃至第１８項の何れかに記載の半導体
装置。 ２０、前記絶縁層上の少なくとも複数のビーム形成電極
間に複数の抵抗を配設するようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１５項乃至第１９項の何れかに記載の
半導体装置。 ２１、前記抵抗が多結晶珪素で造るようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第２０項記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8403613 | 1984-11-28 | ||
| NL8403613A NL8403613A (nl) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | Elektronenbundelinrichting en halfgeleiderinrichting voor een dergelijke inrichting. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131331A true JPS61131331A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0740462B2 JPH0740462B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=19844822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26398385A Expired - Fee Related JPH0740462B2 (ja) | 1984-11-28 | 1985-11-26 | 電子ビーム装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4682074A (ja) |
| EP (1) | EP0184868B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0740462B2 (ja) |
| CA (1) | CA1249012A (ja) |
| DE (1) | DE3576096D1 (ja) |
| ES (2) | ES8609814A1 (ja) |
| NL (1) | NL8403613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636718A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Canon Inc | 電子放出装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8600098A (nl) * | 1986-01-20 | 1987-08-17 | Philips Nv | Kathodestraalbuis met ionenval. |
| US5185559A (en) * | 1986-05-20 | 1993-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Supply circuit for P-N junction cathode |
| JP2578801B2 (ja) * | 1986-05-20 | 1997-02-05 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子 |
| US4874981A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-17 | Sri International | Automatically focusing field emission electrode |
| FR2685811A1 (fr) * | 1991-12-31 | 1993-07-02 | Commissariat Energie Atomique | Systeme permettant de maitriser la forme d'un faisceau de particules chargees. |
| EP0597537B1 (en) * | 1992-11-12 | 1998-02-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electron tube comprising a semiconductor cathode |
| DE69329253T2 (de) * | 1992-12-08 | 2000-12-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Kathodenstrahlröhre mit Halbleiterkathode. |
| US5825123A (en) * | 1996-03-28 | 1998-10-20 | Retsky; Michael W. | Method and apparatus for deflecting a charged particle stream |
| WO2003046942A2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display tube and display device |
| US6818887B2 (en) * | 2002-11-25 | 2004-11-16 | DRäGERWERK AKTIENGESELLSCHAFT | Reflector for a time-of-flight mass spectrometer |
| US8569876B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-10-29 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
| US7791199B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-09-07 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips |
| WO2008108970A2 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Tessera, Inc. | Chips having rear contacts connected by through vias to front contacts |
| KR101538648B1 (ko) | 2007-07-31 | 2015-07-22 | 인벤사스 코포레이션 | 실리콘 쓰루 비아를 사용하는 반도체 패키지 공정 |
| US20100053407A1 (en) * | 2008-02-26 | 2010-03-04 | Tessera, Inc. | Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors |
| US8791575B2 (en) * | 2010-07-23 | 2014-07-29 | Tessera, Inc. | Microelectronic elements having metallic pads overlying vias |
| US8796135B2 (en) * | 2010-07-23 | 2014-08-05 | Tessera, Inc. | Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures |
| US9640437B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-05-02 | Tessera, Inc. | Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream |
| US8610259B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-12-17 | Tessera, Inc. | Multi-function and shielded 3D interconnects |
| US8847380B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-30 | Tessera, Inc. | Staged via formation from both sides of chip |
| KR101059490B1 (ko) | 2010-11-15 | 2011-08-25 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 임베드된 트레이스에 의해 구성된 전도성 패드 |
| US8736066B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-05-27 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assemby with TSVS formed in stages and carrier above chip |
| US8637968B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-01-28 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly having interposer connecting active chips |
| US8587126B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-11-19 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips |
| US8610264B2 (en) | 2010-12-08 | 2013-12-17 | Tessera, Inc. | Compliant interconnects in wafers |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53134369A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Rikagaku Kenkyusho | Electrostatic deflector for charged particles |
| JPS5482962A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Rikagaku Kenkyusho | Charged particle beam focusing and deflecting device |
| JPS5887731A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-25 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 画像記録または表示用陰極線管を具える装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1507544A (en) * | 1975-12-29 | 1978-04-19 | English Electric Valve Co Ltd | Linear beam tubes |
| NL184549C (nl) * | 1978-01-27 | 1989-08-16 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
| NL184589C (nl) * | 1979-07-13 | 1989-09-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
| DE3204897A1 (de) * | 1982-02-12 | 1983-08-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Korpuskularstrahlerzeugendes system und verfahren zu seinem betrieb |
-
1984
- 1984-11-28 NL NL8403613A patent/NL8403613A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-11-01 US US06/793,883 patent/US4682074A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-13 EP EP85201866A patent/EP0184868B1/en not_active Expired
- 1985-11-13 DE DE8585201866T patent/DE3576096D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-21 CA CA000495932A patent/CA1249012A/en not_active Expired
- 1985-11-25 ES ES549236A patent/ES8609814A1/es not_active Expired
- 1985-11-26 JP JP26398385A patent/JPH0740462B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-04-01 ES ES553580A patent/ES8703679A1/es not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53134369A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Rikagaku Kenkyusho | Electrostatic deflector for charged particles |
| JPS5482962A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Rikagaku Kenkyusho | Charged particle beam focusing and deflecting device |
| JPS5887731A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-25 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 画像記録または表示用陰極線管を具える装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636718A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Canon Inc | 電子放出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8403613A (nl) | 1986-06-16 |
| ES553580A0 (es) | 1987-02-16 |
| EP0184868A1 (en) | 1986-06-18 |
| CA1249012A (en) | 1989-01-17 |
| US4682074A (en) | 1987-07-21 |
| EP0184868B1 (en) | 1990-02-21 |
| ES8609814A1 (es) | 1986-07-16 |
| JPH0740462B2 (ja) | 1995-05-01 |
| DE3576096D1 (de) | 1990-03-29 |
| ES549236A0 (es) | 1986-07-16 |
| ES8703679A1 (es) | 1987-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61131331A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| US4574216A (en) | Cathode-ray tube and semiconductor device for use in such a cathode-ray tube | |
| US4303930A (en) | Semiconductor device for generating an electron beam and method of manufacturing same | |
| US3983401A (en) | Method and apparatus for target support in electron projection systems | |
| JPS60241626A (ja) | 電子流発生用半導体装置を具える表示装置 | |
| US5315207A (en) | Device for generating electrons, and display device | |
| US4506284A (en) | Electron sources and equipment having electron sources | |
| JP3359677B2 (ja) | 荷電粒子ビームの形状制御を可能とする装置 | |
| US6236156B1 (en) | Micro vacuum pump for maintaining high degree of vacuum and apparatus including the same | |
| US5969467A (en) | Field emission cathode and cleaning method therefor | |
| JP2910837B2 (ja) | 電界放出型電子銃 | |
| US5977696A (en) | Field emission electron gun capable of minimizing nonuniform influence of surrounding electric potential condition on electrons emitted from emitters | |
| KR20020038696A (ko) | 컴팩트한 전계 방출 전자총 및 집속 렌즈 | |
| US4743794A (en) | Cathode-ray tube having an ion trap | |
| US4890031A (en) | Semiconductor cathode with increased stability | |
| EP0234606B1 (en) | Cathode ray tube with ion trap | |
| US7892062B2 (en) | High-definition cathode ray tube and electron gun with lower power consumption | |
| EP0192294A1 (en) | Electron beam apparatus comprising a semiconductor electron emitter | |
| EP0038865A1 (en) | Electron beam storage apparatus | |
| EP0288616A1 (en) | Field emission device | |
| JPH06243777A (ja) | 冷陰極 | |
| JPH11339636A (ja) | 電界放出型電子銃 | |
| JP2003031146A (ja) | 受像管装置 | |
| JPS62249337A (ja) | 陰極線表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |