JPS6093964A - Over current detecting circuit of electronic switch - Google Patents
Over current detecting circuit of electronic switchInfo
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- JPS6093964A JPS6093964A JP58203055A JP20305583A JPS6093964A JP S6093964 A JPS6093964 A JP S6093964A JP 58203055 A JP58203055 A JP 58203055A JP 20305583 A JP20305583 A JP 20305583A JP S6093964 A JPS6093964 A JP S6093964A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子スイッチたとえば近接スイッチの過電流
検出回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an overcurrent detection circuit for electronic switches, such as proximity switches.
従来この種の過電流検出回路は第1図および第2図に示
すように出力トランジスタTrlのエミッタにエミッタ
抵抗R1を挿入し、この両端の電圧■r1を過電流検出
用のトランジスタTrtによって検出し、これにより過
電流を検出するのがもつとも簡単な方法であり、かつひ
じように多くの用途に使用されている。この方法は簡単
に実現しうる反面ON時の出力端子残り電圧がひじよう
に大きくなってし壕う欠点を有していた。すなわちトラ
ンジスタTr、の08時残り電圧VOnは出力電流値と
トランジスタTrlの出力電流容量によるが、今仮にV
anをVon = 0.2 CV :) 、出力電流I
t=150(mA)とし、これに過電流検出回路を含め
200(mA)以上の電流が流れたとき、これを過電流
トスる。そしてトランジスタTr2のベース−エミッタ
間電圧Vbeが0.7(V)以上を検出されるとエミッ
タ抵抗R1の値は
R7=牛F園=35〔Ω〕
となる。捷た出力電流I+=150 CmA 〕の時の
エミッタ抵抗几、の両端の電圧VrIはVrl−35×
0.15 ”q 0.525 CV 、1となり、した
がってトランジスタTr、とエミッタ抵抗R3の直列回
路の電圧Vxは
Vx =Von + Vr、 :0.2 + 0.52
5 = 0.725 (V)となる。このように過電流
検出回路が挿入されたことにより、電子スイッチとして
のONN時出力性電圧は3倍以上となり、計算式から明
らかなように出力トランジスタTrlの出力電力容量を
大きくして、そのONN時出力性電圧Yonをいくら小
さくしても過電流検出回路を含めたONN時出力性電圧
はほとんど低下しないという欠点があったまた従来の過
電流検出回路においてはトランジスタT r Hのベー
ス−エミッタ間電圧が過電流検出電圧であったために大
きな負の温度係数を有していた。Conventionally, this type of overcurrent detection circuit inserts an emitter resistor R1 into the emitter of the output transistor Trl, as shown in FIGS. This is the simplest method for detecting overcurrent, and is used in many applications. Although this method can be easily implemented, it has the disadvantage that the residual voltage at the output terminal when the circuit is turned on becomes extremely large. That is, the remaining voltage VOn of the transistor Tr at 08:00 depends on the output current value and the output current capacity of the transistor Trl, but if
An is Von = 0.2 CV:), output current I
When t=150 (mA) and a current of 200 (mA) or more flows including the overcurrent detection circuit, the overcurrent is tossed. When the base-emitter voltage Vbe of the transistor Tr2 is detected to be 0.7 (V) or more, the value of the emitter resistance R1 becomes R7=Ushi Fen=35 [Ω]. When the output current I+=150 CmA], the voltage VrI across the emitter resistor is Vrl-35×
0.15"q 0.525 CV , 1, so the voltage Vx of the series circuit of transistor Tr and emitter resistor R3 is Vx = Von + Vr, : 0.2 + 0.52
5 = 0.725 (V). By inserting the overcurrent detection circuit in this way, the output voltage when ON/OFF as an electronic switch is more than tripled, and as is clear from the calculation formula, the output power capacity of the output transistor Trl is increased, No matter how small the output voltage Yon is, the ON/N output voltage including the overcurrent detection circuit hardly decreases. Since the voltage was the overcurrent detection voltage, it had a large negative temperature coefficient.
この発明はこのような従来の欠点を解消しようとするも
ので、この発明の第1の目的はトランジスタのベース−
エミッタ間電圧により過電流を検出するものに比し、検
出電圧を小さくシ、これによって電子スイッチの過電流
検出用11に抗を小さくし、いきおい電子スイッチとし
ての08時残り電圧を小さくしようとするものである。This invention attempts to eliminate such conventional drawbacks, and the first purpose of this invention is to
Compared to those that detect overcurrent using the emitter voltage, the detection voltage is lowered, thereby reducing the resistance of the overcurrent detection 11 of the electronic switch, thereby reducing the remaining voltage at 08:00 as a vital electronic switch. It is something.
以下図によってこの発明の一実施例について説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第3図はこの発明における過電流検出回路を近接スイッ
チに適用したばあいの回路図で、この近接工0は近接セ
ンサ用IC回路1と、このIC回路の出力電流容量を補
うため出力トランジスタからなる電流スイッチング紫芋
26とにより構成される。そしてこのIO回回路ま内部
に発振回路2、:l ンハl/−夕3 、 m分回路4
.コンパレータ5、出力回路6、定電圧回路7、電源リ
セット回路8、出力コントローラ14および過電流検出
回路16を有しており、出力回路6、電源リセット回路
8および出力コントローラ14により電子スイッチコン
トローラ17が構成される。また検出コイルL、、共振
コンデンサC4,感度調整用可変抵抗R22、側路コン
デンサC18,積分コンデンサC74、電源リセット用
コンデ/すCtaおよび負荷9などが外付けされる。Figure 3 is a circuit diagram when the overcurrent detection circuit according to the present invention is applied to a proximity switch, and this proximity switch 0 consists of a proximity sensor IC circuit 1 and an output transistor to supplement the output current capacity of this IC circuit. It is configured by a current switching purple sweet potato 26. And inside this IO circuit, there is an oscillation circuit 2, a oscillator circuit 2, a oscillator circuit 4, and an oscillator circuit 4.
.. It has a comparator 5, an output circuit 6, a constant voltage circuit 7, a power supply reset circuit 8, an output controller 14, and an overcurrent detection circuit 16. configured. Further, a detection coil L, a resonant capacitor C4, a sensitivity adjustment variable resistor R22, a bypass capacitor C18, an integrating capacitor C74, a power supply reset capacitor Cta, a load 9, etc. are externally attached.
したがって検出コイルI4.に対して金属体が接近また
は離間することにより発振回路2が発振を開始または停
]ヒし、出力回路6より論理しまたはHの出力が得られ
る。Therefore, the detection coil I4. When the metal body approaches or separates from the metal body, the oscillation circuit 2 starts or stops oscillation, and the output circuit 6 outputs a logic high or H level.
そして過電流検出回路16は電流スイッチング素子26
と電源リセット回路8との間に設けられている。The overcurrent detection circuit 16 includes a current switching element 26.
and the power supply reset circuit 8.
第4図はこの発明の要部を示す回路図で、基本的に4個
のトランジスタすなわち第1のトランジスタ22、第2
のトランジスタ23、第3のトランジスタ24および第
4のトランジスタ25と、抵抗31.32と、電流源2
oと、トランジスタ21とからなるブロックにより過電
流検出回路16が構成される。そしてトランジスタ22
.24のベース電流の影響を減少させるためトランジス
タ29が設けられている。ダイオード27、抵抗35に
より過電圧保護回路18が構成され、ノード41に大き
な電圧が加わったばあいに過電流検出回路16を保護す
る。この過電圧保護回路はカレントシンク用のものであ
る。19は電源である。なお電流スイッチング素子26
は負荷9に流れる電流を制御するものであればよくたと
えばトランジスタにより構成される。各トランジスタ2
3.25と各抵抗31.32との接続点には接続端子a
t bが引出され、トランジスタ24と25との接続点
に信号出力端子Gが設けられ、この出力端子はさらに電
流スイッチング素子26を制御するコントローラ17の
入力端に接続され、これによってコントローラ17の出
力状態を制御するようにされている。また第4図圧おい
て過電圧保護回路18は端子すに接続されている。なお
第4図において過電流検出回路16および過電圧保護回
路18がIC化される。FIG. 4 is a circuit diagram showing the main part of the present invention, which basically consists of four transistors, namely a first transistor 22, a second transistor 22, and a second transistor.
transistor 23, third transistor 24, and fourth transistor 25, resistors 31 and 32, and current source 2
The overcurrent detection circuit 16 is constituted by a block including the transistor 21 and the transistor 21. and transistor 22
.. A transistor 29 is provided to reduce the influence of the base current of 24. An overvoltage protection circuit 18 is configured by the diode 27 and the resistor 35, and protects the overcurrent detection circuit 16 when a large voltage is applied to the node 41. This overvoltage protection circuit is for current sinking. 19 is a power source. Note that the current switching element 26
may be configured by a transistor, for example, as long as it controls the current flowing through the load 9. Each transistor 2
Connection terminal a is connected to the connection point between 3.25 and each resistor 31.32.
tb is drawn out, and a signal output terminal G is provided at the connection point between the transistors 24 and 25, and this output terminal is further connected to the input terminal of the controller 17 that controls the current switching element 26, so that the output of the controller 17 The state is being controlled. Further, in the voltage shown in FIG. 4, the overvoltage protection circuit 18 is connected to the terminal. In FIG. 4, the overcurrent detection circuit 16 and the overvoltage protection circuit 18 are integrated into ICs.
今、第4図において電流源2oからの電流■。を■o−
5〔μA〕、抵抗31.32の抵抗値R111’ R3
!をRst = n’u二10〔KΩ〕とするとノード
41の電圧V41が過電流検出電圧となりその値は”4
1 = In xR31= ro×n、St” 5 X
10 :50 (m V 〕となる。なぜならばノー
ド41がオーブンのばあい、トランジスタ24と25が
バランスしており、出力ノード46は臨界状態にある。Now, in FIG. 4, the current from the current source 2o is ■. ■o-
5 [μA], resistance value of resistor 31.32 R111' R3
! When Rst = n'u210 [KΩ], the voltage V41 at node 41 becomes the overcurrent detection voltage and its value is "4".
1 = In xR31= ro x n, St” 5 X
10:50 (m V ). This is because when node 41 is an oven, transistors 24 and 25 are balanced and output node 46 is in a critical state.
今、ノード41が出力電流検出用抵抗R3に接読された
ばあい、この抵抗の両端に発生する電圧が50〔mV)
より小さいと、抵抗35を通じノード41から抵抗R1
の方へ電流が流れ出し、このため抵抗32に流れる電流
が減少し、トランジスタ25のエミッタ電圧が下がり、
トランジスタ24と25のバランスがくずれ、ノード4
6の電位はLとなる。このとき電子スイッチコントロー
ラ17の出力はたとえばHとなり、電流スイッチング素
子26はオン状態にある。Now, when the node 41 is read directly to the output current detection resistor R3, the voltage generated across this resistor is 50 [mV].
If it is smaller, the resistor R1 is connected from the node 41 through the resistor 35.
A current starts to flow toward the resistor 32, so the current flowing through the resistor 32 decreases, and the emitter voltage of the transistor 25 decreases.
Transistors 24 and 25 become unbalanced, and node 4
The potential of 6 becomes L. At this time, the output of the electronic switch controller 17 becomes, for example, H, and the current switching element 26 is in the on state.
また何らかの原因で電流スイッチング素子26に流れる
電流が所定の値を越えると抵抗RIの両端に生じる電圧
が50(mV)を戟え、ノード46の電圧はHとなる。Further, if the current flowing through the current switching element 26 exceeds a predetermined value for some reason, the voltage generated across the resistor RI drops to 50 (mV), and the voltage at the node 46 becomes H.
このとII!子スイッチコントローラ17の出力はたと
えばしとなり、電流スイッチング素子26に流れる電流
は減少12、実質的にオフ状態となる。このため抵抗R
1に流れる電流は減少し、いきおいノード41の電位が
下り、ノード46の電位も下る。やがてノード46の電
位がLに反転すると電子スイッチコントローラ17の出
力はHとなり、電流スイッチング素子26はオンとなる
。Konoto II! The output of the slave switch controller 17 becomes, for example, low, and the current flowing through the current switching element 26 decreases by 12, substantially turning it off. Therefore, the resistance R
The current flowing through node 1 decreases, the potential of node 41 decreases, and the potential of node 46 also decreases. When the potential of the node 46 eventually reverses to L, the output of the electronic switch controller 17 becomes H, and the current switching element 26 is turned on.
さらに抵抗比、の電圧が50(mV)のときは抵抗35
には電流が流れず、これがスレッシュホールド電圧とな
る。Furthermore, when the voltage of the resistance ratio is 50 (mV), the resistance is 35
No current flows through , and this becomes the threshold voltage.
このように抵抗R1の両端に生じる電圧が50〔mV)
を緘えたとき、過電流検出回路16がその点を検出する
。In this way, the voltage generated across the resistor R1 is 50 [mV]
When the voltage is exceeded, the overcurrent detection circuit 16 detects that point.
第5図は過電圧保護回路18を接続端子aに接続したも
のでその動作は第4図に示すものと実質的に変らないの
でその説明を省略する。FIG. 5 shows an overvoltage protection circuit 18 connected to connection terminal a, and since its operation is substantially the same as that shown in FIG. 4, its explanation will be omitted.
以上の説明はカレントシンクの出力形式の例であるが、
カレントソースの出力形式のばあいにもノード46は過
電流検出時にHとなる。カレントソースの出力形式の例
を第6図に示す。The above explanation is an example of the current sink output format, but
In the case of the current source output format as well, the node 46 becomes H when an overcurrent is detected. FIG. 6 shows an example of the output format of the current source.
第6図に示す回路は第4図および第5図に示すものとは
逆にカレントソース用の回路を示すもので第1のトラン
ジスタ22のエミッタは抵抗33を介して電源19の一
方の端子に、また第3のトランジスタ24のエミッタは
抵抗34を介して電源19の一方の端子にそれぞれ接続
されている。The circuit shown in FIG. 6 is a current source circuit opposite to that shown in FIGS. 4 and 5, and the emitter of the first transistor 22 is connected to one terminal of the power supply 19 via a resistor 33. , and the emitters of the third transistors 24 are each connected to one terminal of the power supply 19 via a resistor 34.
さらにトランジスタ21のコレクタは電流源20を介し
て電源19の一方の端子に、またそのエミッタは電源1
9の他方の端子にそれぞれ接続されている。またダイオ
ード28と抵抗36により過電圧保護回路18が構成さ
れ、この回路は第3のトランジスタ24のエミッタと抵
抗34との接続点に設けた端子dに接続されている。々
おその過電圧保護回路は第1のトランジスタ22のエミ
ッタと抵抗33との接続点に設は九端子Cに接続しても
よい。また電流スイッチング素子26としてPNP形ト
ランジスタが用いられている。Further, the collector of the transistor 21 is connected to one terminal of the power supply 19 via the current source 20, and its emitter is connected to one terminal of the power supply 19 through the current source 20.
9, respectively. Further, the diode 28 and the resistor 36 constitute an overvoltage protection circuit 18, and this circuit is connected to a terminal d provided at the connection point between the emitter of the third transistor 24 and the resistor 34. The overvoltage protection circuit may be connected to the ninth terminal C at the connection point between the emitter of the first transistor 22 and the resistor 33. Further, a PNP type transistor is used as the current switching element 26.
すなわち第6図に示す回路が第4図および第5図に示す
回路と大きく異なる点は過電流検出回路16の電源19
に対する接続方向が逆であることと、電流スイッチング
素子26としてPNP形トランジスタを用いている点で
ある。In other words, the major difference between the circuit shown in FIG. 6 and the circuits shown in FIGS. 4 and 5 is the power supply 19 of the overcurrent detection circuit 16.
The two points are that the connection direction to the current switching element 26 is reversed, and that a PNP type transistor is used as the current switching element 26.
なお第7図はカレントミラー回路の変形例を示すもので
同図(alに対して同図(blおよび(clに示す変形
例がよく知られている。Note that FIG. 7 shows a modification of the current mirror circuit, and the modifications shown in FIG. 7 (al) and FIG. 7 (bl and (cl) are well known.
第4図において検出電圧を50(mV)とし、過電流を
200(mA)とすると抵抗R2はR1=Σμ月−M=
=0.25(Ω〕
0mA
となり、したがって出力電流’[4=150 〔m^〕
における出力端子における08時残り電圧VxはVx
= Von + Vr、 :0.2 十〇。25X0.
15= 0.2 + 0.0375 = 0.2375
(V )となり、従来のものに比し大きな改善が見ら
れるこの計算例から明らかなように従来例ではトランジ
スタTr1の08時残り電圧Vonに比し抵抗R4の両
端電圧Vrlがかなり大きかったが、この発明によれば
抵抗R1の両端電圧V rlの方が電流スイッチング素
子26の08時残り電圧Vonに比しかなり小さくなり
、したがって08時残り電圧Vonを小さくするように
容量の大きなトランジスタを使用すればさらに出力端子
ON時残り電圧Vxを小さくすることも可能である。In Figure 4, when the detection voltage is 50 (mV) and the overcurrent is 200 (mA), the resistance R2 is R1 = Σμ month - M =
= 0.25 (Ω) 0 mA, therefore the output current '[4 = 150 [m^]
The remaining voltage Vx at 08 o'clock at the output terminal is Vx
= Von + Vr, :0.2 10. 25X0.
15 = 0.2 + 0.0375 = 0.2375
(V), which is a great improvement over the conventional one.As is clear from this calculation example, in the conventional example, the voltage Vrl across the resistor R4 was quite large compared to the 8-hour residual voltage Von of the transistor Tr1. According to this invention, the voltage Vrl across the resistor R1 is considerably smaller than the 08 o'clock remaining voltage Von of the current switching element 26, and therefore a transistor with a large capacity is used to reduce the 08 o'clock remaining voltage Von. For example, it is also possible to reduce the remaining voltage Vx when the output terminal is ON.
第1図および第2図は従来の過電流検出回路を示す回路
図、第3図はこの発明における過電流検出回路を近接ス
イッチに適用したばあいのブロック図、第4図はこの発
明における過電流検出回路の一実施例を示す回路図、第
5図はこの発明の他の実施例を示す回路図、第6図はこ
の発明のさらに他の実施例を示す回路図、第7図はカレ
ントミラー回路の変形例を示す回路図である。
■・・・IC回路、2・・・発振回路、3・・・コンパ
レータ、4・・・積分回路、5・・・コンパレータ、6
・・・出力回路、7・・・定電圧回路、8・・・電源リ
セット回路、9・・・負荷、10・・・スイッチ、14
・・・出力コントローラ、し、・・・検出コイル、R,
R2・・・可変抵抗、cl・・・共襟コンデンサ、C7
4・・・積分コンデンサ、ctIl・・・コンデンサ、
16・・・過電流検出回路、17・・・電子スイッチコ
ントローラ、18・・・過電圧保護回路、19・・・電
源、20・・・電流源、21〜25・・・トランジスタ
、26・・・電流スイッチング素子、27・・・ダイオ
ード、28・・・ダイオード、31,32.33.34
・・・抵抗、R1・・・抵抗、41.42・・・ノード
、46・・・出力ノード。
特許出願人 山武ハネウェル株式会社
第4図
第5図
第6図
第7図
(a)
手続補正書(方式)
%式%[3
1、事件の表示 特願昭58−203055号2、発明
の名称
電子スイッチの過電流検出回路
3、補正をする者
事件との関係特許出願人
名 称(666)山武ハネウェル株式会社5、補正命令
の日付
図面の浄書(内容に変更なし)1 and 2 are circuit diagrams showing conventional overcurrent detection circuits, FIG. 3 is a block diagram when the overcurrent detection circuit according to the present invention is applied to a proximity switch, and FIG. 4 is a circuit diagram showing the overcurrent detection circuit according to the present invention. A circuit diagram showing one embodiment of the detection circuit, FIG. 5 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention, FIG. 6 is a circuit diagram showing still another embodiment of the invention, and FIG. 7 is a current mirror. FIG. 7 is a circuit diagram showing a modified example of the circuit. ■...IC circuit, 2...Oscillation circuit, 3...Comparator, 4...Integrator circuit, 5...Comparator, 6
... Output circuit, 7... Constant voltage circuit, 8... Power supply reset circuit, 9... Load, 10... Switch, 14
...output controller, ...detection coil, R,
R2...variable resistor, cl...common capacitor, C7
4... Integrating capacitor, ctIl... Capacitor,
16... Overcurrent detection circuit, 17... Electronic switch controller, 18... Overvoltage protection circuit, 19... Power supply, 20... Current source, 21-25... Transistor, 26... Current switching element, 27... diode, 28... diode, 31, 32.33.34
...Resistance, R1...Resistance, 41.42...Node, 46...Output node. Patent applicant Yamatake Honeywell Co., Ltd. Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 (a) Procedural amendment (method) % formula % [3 1. Indication of case Patent application No. 1983-203055 2. Title of invention Electronic switch overcurrent detection circuit 3, patent applicant name (666) Yamatake Honeywell Co., Ltd. 5 related to the case of the person making the amendment; engraving of the drawing dated the amendment order (no change in content)
Claims (1)
電流スイッチング素子と、過電流検出抵抗を順次直列に
接続し、また電源の一方の端子に対して第1のトランジ
スタのエミッタを接Hfるとともにそのコレクタを電流
源を介して電源の他方の端子に接続し、また電源の一方
の端子に対して第2のトランジスタのエミッタを接続す
るとともに、電源の他方の端子に対して第3のトランジ
スタのエミッタを抵抗を介して接続し、かつ両トランジ
スタのコレクタをたがいに接続し1.また電源の一方の
端子に対して第4のトランジスタのエミッタを接続する
とともに、電源の他方の端子に対して第5のトランジス
タのエミッタを抵抗を介して接続し、かつ両トランジス
タのコレクタをたがいに接続し、上記第1のトランジス
タ、第2のトランジスタおよび第4のトランジスタを、
また上記第3のトランジスタと第5のトランジスタとを
、それぞれカレントミラー回路を構成するように接続し
、上記第3および第5のトランジスタと上記各抵抗との
接続点から接続端子を引出し、この端子を上記電流スイ
ッチング素子と上記過電流検出抵抗との接続点に選択的
に接続するとともに、上記第4のトランジスタと上記第
5のトランジスタとの接続点に信号出力端子を設け、こ
の出力端子を上記電流スイッチング素子を制御するコン
トローラの入力端に接続し、このコントローラの出力状
態を制御することを特徴とする電子スイッチの過電流検
出回路。A load, a current switching element for controlling the current flowing through the load, and an overcurrent detection resistor are connected in series to the power supply, and the emitter of the first transistor is connected to one terminal of the power supply. and the collector thereof is connected to the other terminal of the power supply via a current source, and the emitter of the second transistor is connected to one terminal of the power supply, and the emitter of the second transistor is connected to the other terminal of the power supply. The emitters of the transistors are connected through a resistor, and the collectors of both transistors are connected to each other.1. Further, the emitter of the fourth transistor is connected to one terminal of the power supply, and the emitter of the fifth transistor is connected to the other terminal of the power supply via a resistor, and the collectors of both transistors are connected to each other. connecting the first transistor, the second transistor and the fourth transistor,
Further, the third transistor and the fifth transistor are connected to form a current mirror circuit, and connecting terminals are drawn out from the connection points between the third and fifth transistors and the respective resistors, and the terminals are connected to each other so as to form a current mirror circuit. is selectively connected to the connection point between the current switching element and the overcurrent detection resistor, and a signal output terminal is provided at the connection point between the fourth transistor and the fifth transistor, and this output terminal is connected to the connection point between the fourth transistor and the fifth transistor. An overcurrent detection circuit for an electronic switch, characterized in that it is connected to an input terminal of a controller that controls a current switching element, and controls an output state of the controller.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58203055A JPH0718892B2 (en) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Electronic switch overcurrent detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP58203055A JPH0718892B2 (en) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Electronic switch overcurrent detection circuit |
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JPS6093964A true JPS6093964A (en) | 1985-05-25 |
JPH0718892B2 JPH0718892B2 (en) | 1995-03-06 |
Family
ID=16467589
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP58203055A Expired - Lifetime JPH0718892B2 (en) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Electronic switch overcurrent detection circuit |
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JPS5287649A (en) * | 1976-01-16 | 1977-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant current bias circuit |
JPS5323056A (en) * | 1976-08-17 | 1978-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant current biasing circuit |
JPS5688513A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant-current driving circuit |
JPS5717226A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit |
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1983
- 1983-10-28 JP JP58203055A patent/JPH0718892B2/en not_active Expired - Lifetime
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JPH03119812A (en) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Toshiba Corp | Current detecting circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0718892B2 (en) | 1995-03-06 |
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