JPS6093447A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、７線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（■）／
暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクトル
特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有すること
、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること等の特性が要求されるっ殊に、事務機
としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込まれ
る電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時にお
ける無害性は重要な点でおる。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｉと表記す）があ
シ、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材としての
応用、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

しかし乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有
する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境
特性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な
特性向上を図る必要がちるという更に改良される可き点
が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂イースト現象を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった＠更には、ａ−８
ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長波長側の波長領
域よりも長い波長領域の吸収係数が比較的小さく、現在
実用化されている半導体レーザとのマツチングに於いて
、また通常使用されているハロゲンランプや螢光対を光
源とする場合、長波長側の光を有効に使用し得ていない
という点に於いて、夫々改良される余地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って画像の「２ケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射スーットを小さく
する程大きくなル、殊に半導体レーザを光源とする場合
には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｔ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のノ・ロゲン原子、及び電
気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちでちった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がおる。

従って、ａ−８＋材料そのものの特性改良が図られる一
方で、光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の
総てが解決されるように工夫される必要がおる。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子（Ｓｔ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母体
とし、水素原子（６）又はハロゲン原子（イ）のいずれ
か一方な少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水
素化アモルファ、スシリコンゲルマニウム、ハロゲン化
アモルファスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲン含
有水素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ
等の総称的表記としてｒ　ａ　−５ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ
を使用する〕から構成される光導電性を示す第一の層を
有する光導電部材の構成を以後に説明される様に特定化
して作成された光導電部材は、実用上著しく優れた特性
を示すばかシでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用
の光導電部材として著しく優れた特性を有していること
及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れている
ことを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型でワシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的社、支持体上に設計られる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的でｓｂ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あシ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた光導電性を示す第一の層と、シリコン原子と酸紫原
子とを含む非晶質材料で構成された第二の層とで構成さ
れた光受容層とを有し、該第−の層は伝導性を支配する
物質を含有し、前記支持体側に偏在している層領域を有
し、且つ炭素原子を含有する事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層内体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明のＭｌの実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１と、該支持体１０１の上に、ａ　−５Ｉ
Ｇｅ（Ｉ（、Ｘ）から成る光導電性を有する第一の層（
１）　１０２と、第二の層（ＩＩ）　１０３とを有する
。

第一の層（１）　１０２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第−の層（１）　１０２の層厚方向及び支持体
１０１０表面と平行な面内方向に連続的に均一に分布し
た状態となる様に、前記第一の層（１）１０２中に含有
される。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第一の層（１）には、伝導特性を支配する物質
（Ｑを含有させた層領域（ＰＮ　）を支持体側に設ける
ことによシ、該層領域（ＰＮ　）の伝導特性を所望に従
って任意に制御することが出来る。

この様な物質（ｑとしては、所謂、半導体分野で云われ
る不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成
される第一の層（夏）を構成するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型
伝導特性を４えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａｔ
（アルミニウム）　、　Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）　ｌ　Ｔｔ（タリウム）等があり、
殊に好適に用いられるのは、Ｂ　、　Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）　、　Ａｓ（砒素）　、
　Ｓｂ（アンチモン）　＋　１ｓｔ（ビスマス）等であ
シ、殊に、好適に用いられるのはＰ　、　Ａｓ等である
。

本発明に於いて、第一の層（１）中に設けられる層領域
（ＰＮ　）に含有される伝導特性を制御する物質の含有
量は、該層領域（ＰＮ　）に要求される伝導特性、或い
は該層領域（ＰＮ　）が直に接触して設けられる支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ　）に直に接触して設けられる他
の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける
特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の
含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、好ましくは０．０
１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よシ好適
には０．５〜Ｉ　Ｘ　Ｉ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には１〜５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　と
されるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質が含有される
層領域（ＰＮ　）に於ける該物質の含有量を。

好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以上、よシ好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以上、最適には１
００ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ紙することＫよって、例えば
該含有させる物質が前記のｐ型不純物の場合には、第二
の層（ＩＱの自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側からの第一０層（１）中への電子の注入を効
果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質が
前記のｎ型不純物の場合には、第二の層（ＩＩ）の自由
表面がθ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から第
一の層（１）中への正孔の注入を効果的に阻止すること
示出来る。

上記の様な場合には、前記層領域（ＰＮ　）を除いた部
分の層領域Ｃ）には、層領域（ＰＮ　）に含有される伝
導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を
支配する物質を含有させても良いし、或いは同極性の伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ　）に含有される
実際の量よシも一段と少ない量にして含有させても良い
ものである。

この様な場合、前記層領域ψ）中に含有される前記伝導
特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ　
）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に
従って適宜決定されるものであるが、好ましくは０．０
０１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ１より好適には
０．０５〜５００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ、最適には０
．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とされるのが望
ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ　）及び層領域（６）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（２）Ｋ於ける含有量としては、好ましく紘３０　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以下とするのが望ましい。

上記した場合の他に、本発明に於いては、第一の層（１
）中に一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域とを直に接触す不様に設けて、
該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。つまり
、例えば、第一の層（１）中□に前記のｐ型不純物を含
有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを
直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空
乏層を設けることが出来る。

本発明において、第一の層（１）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　’ｐｐｍ
、よシ好ましくは１００〜８．５　Ｘ　１　（１’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

最適には５００〜７　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（１）との間の密着性の
改良を図る目的の為に、第一の層（１）中には炭素原子
が含有される。第一の層（夏）中に含有される炭素原子
は、第一の層（１）の全層領域に万偏なく含有されても
良いし、或いは第一の層（１）の一部の層領域のみに含
有させて偏在させても良い。

又、炭素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｃ）が第一の層
（１）の層厚方向に於いては、均一であっても不均一で
あっても良い。

本発明に於いて、第一の層（りＫ設けられる炭素原子の
含有されている層領域Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向上を
主たる目的とする場合には、第一の層（１）の全層領域
を占める様に設けられ、支持体と第一の層（１）との間
の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、
第一の層（１）の支持体側端部層領域を占める様に設け
られる。

前者の場合、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に図る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
１）の第二の層（ＩＩ）側に於いて比較的低濃度に分布
させるか、或いは、第一の層（１）の第二の層（ＩＩ）
側の表層領域には炭素原子を積極的には含有させない様
な炭素原子の分布状態を層領域（Ｑ中に形成すれば良い
。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
Ｃ）Ｋ含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｑ自体
に要求される特性、或いは該層領域（ｑが支持体に直に
接触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適宜選択
することが出来る。

又、前記層領域（切に直に接触して他の層領域が設けら
れる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素原
子の含有量が適宜選択される。

層領域（ｑ中に含有される炭素原子の量は、形成される
光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適宜
決められるが、好ましくはｏ、ｏ　ｏ　ｉ〜５０　ａｔ
ｏｍｌｅ　％、よシ好ましくは０．００２〜４０ａｔｏ
ｍ１ｃ　％　ｓ最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉ
ｅ　％　とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域ｎが第一０層（１）の全域を占
めるか、或いは、第一の層（１）の全域を占めなくとも
、層領域（Ｑの層厚Ｔｃの第一の層（１）の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域（Ｃ）に含有され
る炭素原子の含有量の上限は、前記の値よシ充分少なく
されるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域Ｃ）の層厚Ｔｃが第一の層（
１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域０中に含有される炭素原子の量の
上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃチ以下、よ
シ好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には１０
　ａｔｏｍ１ｅ％以下とされるのが望ましい。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｑ中に含有される炭素原子の層厚方向の分布状
態の典型的例が示される。

第２図乃至第１θ図において、横軸は炭素原子の分布濃
度Ｃ（Ｃ）を、縦軸は、層領域（Ｑの層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の層領域（Ｑの端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の層領域（Ｃ）の端面の位置を示す。即ち
、炭素原子の含有される層領域（ｑはｔＢ側よりｔＴ側
に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｑ中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）が形成される表面と該層領域（Ｃ）の表面とが接
する界面位置ｔＢよシｔ１の位置までは、炭素原子の分
布濃度Ｃ（Ｃ）がＣ１なる一定の値を取シ乍ら炭素原子
が形成される層領域（Ｃ）に含有され、位置ｔ、よシは
濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位置ｔＴにおいては炭素原子の分布
濃度Ｃ（ＱはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される炭素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔＴＫ至るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位置ｔ７において濃度Ｃ５
となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合にけ、位置ｔＢよ多位置ｔ２までは炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度ｃ６と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃ（Ｃ’）は実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は位置
ｔＢよ多位置ｔＴに至るまで、濃度ｃ８よシ連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

Ｍ６図に示す例においては、炭素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ２と一定値で
あシ、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１゜とされる。位置ｔ
３と位置ｔＴとの間では、分布濃度ｃ　（Ｃ’）は−次
間数的に位置ｔ３よシ位置ｔＴＫ至るまで減少されてい
る。

第７図に示される例においては、分布濃度ｃｃ）線位置
ｔＢよ多位置ｔ４ｔでは濃度ｃ１１の一定値を取シ、位
置ｔ４より位置ｔＴｉで社濃度ｃ、２よシ濃度Ｃ１３”
で−次間数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよ多位置ｔＴに至
るまで、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ４４よシ
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位１ｔＢＪニジ位置ｔ５に至るまで
は炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は、濃度Ｃ４５よシ濃度
Ｃ４６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示
されている。

第１０図に示される例においては、炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｃ）は位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７でおり、位置ｔ
６に至るまではこの濃度Ｃ４７よシ初めはゆりくシと減
少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて
位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１，となシ、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくシと徐々に減少されて位置ｔ８において、濃
度Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置ｔ７の間においては、
濃度Ｃ２０よ〕実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、層領域０中に含有さ
れる炭素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを
説明した様に、本発明においては、支持体側において、
炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の高い部分を有し、界面ｔ
Ｔ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可
成り低くされた部分を有する炭素原子の分布状態が層領
域（０に設けられているのが好ましい。

本発明において、第一の層（１）を構成する炭素原子の
含有される層領域働け、上記した様に支持体側の方に炭
素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域Φ）を
有するものとして設砂られるのが望ましく、この場合に
は、支持体と第一の層（１）との間の密着性をよシ一層
向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の層（１）に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大
値Ｃｍａ　ｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍｌｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ
　以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以
上とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるの
が望ましい。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５
μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ）の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（１）中に含有
されるハロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に７ッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８１Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）　で構成され
る第一〇Ｒ（１）を形成するには、例えばグロー放電法
、スノぞツタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ＩＧｅ　（ＩＩ
、Ｘ）で構成される第一の層（Ｉ）を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）全供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子σｌ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（イ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内圧所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設配されである所定の支持体表面上に
ａ　−Ｓ　ｉＧａ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例
えばＡｒ、Ｈｅ物物情活性ガスはこれ等のガスをペース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲ、
ト、或いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又は、ＳＩとＧｅの混合されたタ
ーゲットを使用して、必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ等の
稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に
応じて、水素原子に）又は／及びハロゲン原子（イ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスのプラズマ琢囲気を形成すると共に、前記Ｇｅ供
給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って
制御し乍ら、前記のターゲットをスパッタリングしてや
れば良い。

イオンシレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は牟結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は牟結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着Ｊ−）１ｃ収
容し、との蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

水元ＩＮにおいて使用される８１供給用の原料ガスと成
シ得る物質としては、Ｓｉｌ’１４．５Ｉ２Ｈ６，５１
３Ｈ８゜５ｉ４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る
水素化硅素（７ラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｌｉ供
給効率の良さ等の点で８１Ｈ４，５ｔ２Ｔ（６が好まし
いものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなシ得る物質としては、ＧｅＨ
ａ　＋　Ｇｓ　２Ｈ６、Ｇｅ　５Ｈａ　＋　Ｇ　ｅ　４
Ｈ１０、Ｇｏ　５Ｈ１２、Ｇ　ｅ　６Ｈ＋　４゜Ｇｅ、
Ｈｌｔ、　＋　ＧｅａＨ４ａ　、ＧｅｑＨ２ｏ等のガス
状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取
扱い易さ、　Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４＋
Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられ
る。

本発明において使用される）飄ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ・ログン化合物が挙げ
られ、例えばノ・ロゲンガス、Ｉ・ロゲン化物、ハロゲ
ン間化合物、ノーロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得る・・ロゲ／化合物が好まし
く挙げられる。

又、更には、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ノ・ロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効外ものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲン原子、ＢｒＦ　＋　ＣＩ−Ｆ　＋　Ｃ
ｌＦ３．ＢｒＦ５゜ＢｒＦ　ＩＦ　、　ＩＦ　、　ＩＣ
４，ＩＢｒ等のハロゲン間化３　Ｉ　３　７ 合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ｋＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４，５ＩＢｒ４等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なノ・ロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｌを供給
し得る原料ガスとしての水素イし硅素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上に７・ロゲン原子を含むａ−８ｉ
Ｇｅから成る第一の層（１）を形成することが出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の層（
１）を製造する場合、基本的には、例えばｓ１供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素と　Ｇｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムと、柘Ｈ２、Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第一の層（
１）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第一０層（１）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に図る為にこれ管のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは略独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

ス／ｅツタリング法、イオンシレーティング法の何れの
場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又社前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスノｅツタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、ＨＣｌ　、　ＨＢｒ　。

ＨＩ　ＱＩＯハｏ　）Ｉ　ン化水素、５ＩＨ２Ｆ２．５
ｉＨ２１２，５ＩＨ２Ｃ１２゜５ｉＨＣ１３，ＳＩＨ，
、Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の／’　１ｌｆｆゲン置換水
素化硅素、及びＧｅＨＦ５　＋　Ｇｅ）１２Ｆ２＋　Ｇ
ｅＨ３Ｆ　＊　ＧｅＨＣｌ５　’ｌＧｅ１２Ｃ４２１Ｇ
ｅＨＣｌ５ ＧｅＨＩ３．　ＧｅＨ２１２，ＧｅＨ，Ｉ　等の水素化
ハ０ゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１
つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４．　ＧｅＣ４ＧｅＢｒ
　ＧｅｌＧｅＦ２．　ＧａＣｌ２．　ＧｅＢｒ２．　Ｇ
ｅＩ２　等のハーロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な第一の層（１）形
成用の出発物質とじて挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の層（Ｉ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の層（Ｉ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或いは５ＩＨ４，５ｔ２Ｈ６、Ｓｔ、
Ｈ６。

８１４Ｈ，。等の水素化硅素を、Ｇｅを供給する為のゲ
ルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６＋　ａｓ　ｓＨｅ　ｒ　Ｇｅ　４Ｈ１ｏ
　ｚ　Ｇｅ　５ｕ、　２　＋　Ｇｅ　６Ｈ４４１Ｇｓ　
７Ｈ１ｂ　ｒ　ＧｅａＨｌ　Ｂ　ｒ　Ｇｅ　９Ｈ２０等
の水素化ゲＡ／　？　ニウムと８１を供給する為のシリ
コン又はシリコン化合物とを、堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第一の層ω中に含有される水素原子（ロ）の景、又はハ
ロゲン原子（イ）の量、又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０、０１〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、よシ好適には０．０５〜３　ｇ　ａｔｏ
ｍｌｃ　％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％
　とされるのが望ましい。

第一の層（１）中に含有される水素原子（ロ）又は／及
びハロゲン原子（イ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子００、或いはハロゲン原子に
）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

第一の層（１）を構成する層領域（ＰＮ　）中に伝導特
性を制御する物質、例えば、第■族原子或いは第■族原
子を構造的に導入するには、層形成の際に、第■族原子
導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に第一の層（Ｉ）を形成する為の他
の出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第ｍ族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガ
ス化し得るものが採用されるのが望ましい。その様な第
■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原千尋
入用としては１Ｂ２Ｈ６ＩＢ４Ｈ１ｏ、Ｂ５Ｈ９９Ｂ５
Ｈ１１゜Ｂ６Ｈ１ｏ、Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素
化硼素、ＢＦ３゜ＢＣｌ２．　ＢＢｒｓ　＋等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。

この他、ＡｔＣｌ３．　ＧａＣ４５、Ｇａ（ＣＨ３）３
．　ＩｎＣ１，ＴｔＣｌ。

等も挙けることを出来る。

第Ｖ族原千尋入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素北隣、　ＰＨ４１、ＰＦ、ＰＦ５゜Ｐ
Ｃｌ３．　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ、　、　ＰＢｒ３．　Ｐ
Ｉ、等の／Ｓ　Ｃｌゲン化比隣挙けられる。この他、Ａ
ｓＨ２，ＡｓＦ３．　ＡｓＣＡ３゜ＡｓＢｒ、　、　Ａ
ｓＦ５．　ＳｂＨ３，、ＳｂＦ５　、　ＳｂＦ５　、５
ｂＣ１３，５ｂＣｔ５゜ＢｉＩ３．　ＢｉＣｚ、　、　
ＢＩＢｒ３　等もｉｖ族原子千尋用の出発物質の有効な
ものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、第一の層（１）に炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）を設けるには、第一のｆｉ　（１）の形
成の際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第一の層
（Ｉ）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層
中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域（
Ｑを形成するのにグロー放電法を用いる場合には、前記
した第一の層（１）形成用の出発物質の中から所望に従
って選択されたものに炭素原子導入用の出発物質が加え
られる。その様な炭素原子導入用の出発物質としては、
少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｑを構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子◇υ又は及びハロゲン原子（イ）を構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子（ｓｉ）を構成原子とする原
料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（６）を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るか、或いは、シリコン原子（８ｋ）を構成原子とする
原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子側及び水
素原子（ロ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子卸とを構
成原子とする原料ガスに炭素原子（ロ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＩＩとを構成原子とするものとしては、例えば炭素
数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭
化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げ
られる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　＋エタン（Ｃ２Ｈ６）、プ（ｆｆ／ぞン（Ｃ３ＨＢ）
　＋　”−ブタン（ｎ−ｃ４■ｔ＋　ｏ）　＊ペンタン
（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレ
ン（Ｃ２Ｈ４）　＊ゾロピレンＣＣ３Ｈ６）　ｒブテン
−１（Ｃ４■８）　＋ブテンー２（Ｃ４Ｈ８）インブチ
レン（Ｃ４Ｈ６）　＋ペンテン（Ｃ５Ｈ４゜）、アセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　＋
メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）　、ブテン（Ｃ４Ｈ６）
等が挙けられる。

これ等の他に８％とＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、５ｔ（ＣＨ３）４．８１（Ｃ２Ｈ５）４等のケ
イ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更
に酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る
酸素原子と層領域（Ｑに導入する為の＃素原子導入用の
原料ガスとしては、例えば酸素（０２）、オシ７　（０
３）　＋−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　
＋−二酸化窒素（Ｎ２０）　＋三二酸化窒素（Ｎ２０３
）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、五二酸化窒素（Ｎ２Ｏ
５）　ｒ三酸化窒素（Ｎｏ、）　、シリコン原子（Ｓｔ
）と酸素原子（０）と水素原子（６）とを構成原子とす
る、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ５）　、
　）ジシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ，）　
等の低級シロキサン等を左げることが出来る。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子的導入
用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用される出
発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構成原
子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎｆ（３）
　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素（ＨＮ
３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状
の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素
化合物を挙げることが出来る。この他に、窒素原子靭の
導入に加えて、ノ・ロゲン原子（３）の導入も行えると
いう点から、三弗化窒素Ｃｖ５Ｎ）＋四弗化窒素（Ｆ４
Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る
。

スパッタリング用によって、炭素原子を含有する層領域
（０を形成するＫは、学結晶又は多結晶の８１ウエーハ
ー又はＣウェーッ・−１又はＳｔとＣが混合されて含有
されているウェーハーをターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパツタリングすることによりて行
えに良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを　必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーッ・−
をスパッタリング用法ば良い。

又、別には、ＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｌとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
Ｋよりて、スノぐツタ−用のガスとしての稀釈ガスの雰
囲気中で又は少なくとも水素原子（へ）又は／及びハロ
ゲン原子（１）を構成原子として含有するガス雰囲気中
でスノぐツタリングすることによって成される。炭素原
子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、
スパッタリング用 本発明に於いて、第一の層（夏）の形成の際に、炭素原
子の含有される層領域（Ｑを設ける場合、該層領域（Ｃ
）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向
に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　
ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｑを形成するには、
グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｃ）を変化させるべ
き炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を
所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら堆積室内に
導入することによって成される。例えば手動あるいは外
部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法によ
り、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバル
ブの開口を漸次変化させる操作を行えば良い。このとき
、流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイコ
ン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に従っ
て流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる
。層領域（Ｑをスノぐツタリング法によって形成する場
合、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（（１’ｌを層厚
方向で変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状
態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｌｌｅ）を形成するには、第
一には、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
こと罠よって成される。

第二にはスパッタリング用のターゲットを、例えばＳｉ
とＣとの混合されたターゲットを使用するのでおれば、
ＳｔとＣとの混合比をターゲットの層厚方向に於いて予
め変化させておくことによって成される。

本発明の光導電部材に於ける第一０層（１）の層厚は、
第一の層（１）中で発生されるフォトキャリアが効率良
く輸送される様に所望に従って適宜法められ、好ましく
は１〜１００μ、よシ好適には１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされるのが望ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（１）　１０２上に形成される第二の層（ＩＩ）　１０
３は自由表面１０４を有し、主に耐湿性、連続繰返し使
用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて
本発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の層Ｑ）　１０２と第二の
層（ｎ）　１０３とを構成する非晶質材料の各々がシリ
コン原子という共通の構成要素を鳴しているので、積層
界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている
。

本発明に於ける第二の層（［［）は、シリコン原子（ｓ
ｌ）と酸素原子（０）と、必要に応じて水素原子（６）
又は／及びハロゲン原子凶とを含む非晶質材料（以後、
ｒ　ａ　−（５ｉＸＯ１ｘ）ｙ（ＦＩ＋Ｘ）１−ｙＪと
記す。但し、ｏ＜ｘ　、　ｙ＜１　）で構成される。

＆　−（５ｔｘｏｌ−ｘ）ｙ（ｉｔ＋ｘ）１−３’　で
構成される第二の層ω）の形成は、グロー放電法、スパ
ッタリング用、エレクトロンビーム法、イオンインプラ
ンテーシせン法、イオンブレーティング法等によって成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望する特性を有する光導電部材を製造するための作製
条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に酸
素原子及びハロゲン原子を、作製する第二の層０１）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパッタリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層０１）を形成
してもよい。

グロー放電法によって第二の層り）を形成するにはａ　
−（５１３ＣＯ１−ｘ）ｙ（ＬＸ）１−ｙ　形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し、導
入されたガスを、グロー放電を生起させることでガスプ
ラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである第一
の層（１）上に乳−（ＳｉｘＯｌ−ｘ）ｙ（ＩＬＸ）１
−７を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　−（ｓｉ、ｏ＋−ｙ）　（Ｈ＋Ｘ
）１−ｙ形成用の原子ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｌ）、酸素原子（Ｏ）、水素原子（６）、ハロゲン原子
（イ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

別、０，１１．Ｘの中の一つとしてＳＩを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、０を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｌを構成原子とする原料ガスと、０及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＯ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと、
Ｓｉ、　Ｏ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は
、Ｓｔ、　Ｏ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスＫＯ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスＫＯを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層０中に含有されるノ・ロゲン
原子に）として好適なのはＦ、Ｃｔ、Ｂｒ、Ｉであシ、
殊にＦ　、　ｃｔが望ましいものである。

本発明に於いて、第二の層■を形成するのに有効に使用
される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常圧に於
いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を挙げ
ることができる。

又、スパッタリング法で第二の層■を形成する場合には
、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はと
れ等のガスを（−スとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで
構成されたターゲットをスパッタリングする際、酸素原
子（Ｄ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子■
導入用の又は／及びノ・ロゲ／原子（イ）導入用の原料
ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入し
てやれば良い。

第二には、スパッタリング法のターゲットとしてＳ　ｔ
　０２で構成されたターゲットか、或いはＳｉで構成さ
れたターゲットとＳ　ｔｏ２で構成されたターゲットの
二枚か、又はＳＩ　Ｊ　８１０２とで構成されたターゲ
ットを使用することで形成される第二のｉ　（１１）中
へ酸素原子（０）を導入することが出来る。この際、前
記の酸素原子（０）導入用の原料ガスを併せて使用すれ
ばその流量を制御することで第二の層（ＩＩ）中に導入
される酸素原子Ｏ）の量を任意に制御することが容易で
ある。

第二の層［１）中へ導入される酸素原子（０）の含有量
は、酸素原子（０）導入用の原料ガスが堆積室中へ導入
される際の流量を制御するか、又は酸素原子り）導入用
のターゲット中に含有される酸素原子（０）の割合を、
該ターゲットを作成する原に調整す−ふか、或いは、こ
の両者を行うことによって、所望に従って任意に制御す
ることが出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｉｎ４．　Ｓｆ　２１１６．　Ｓ
　＋’、Ｈ８゜Ｓｉ２馬。等のガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に１層作成作業の扱い易さ、ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ４，８１２Ｈ６が好ましいも
のとして挙ぜられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二の層ω）中［Ｓｌと
共にＨも導入し得る。

Ｓ１供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（イ）を含む硅
素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導
体、具体的には例えば５ＩＦ４゜５１２Ｆ６．５ＩＣＡ
４．’　５ＩＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいもの
として挙げることが出来る。

更には、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．８１Ｈ２Ｃ１２
，５ｉＨＣ４５゜５ＩＨ２Ｂｒ２．５Ｉ）ＩＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス
化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物も有効な第二の層（鴎の形成の為のＳｔ供給用の出発
物質として挙けることが出来る。

これ等のハロゲン原子内を含む硅素化合物を使用する場
合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によって、
形成される第二のＭ　（ＩＩ）中にＳｔと共にＸを導入
することが出来る。

上記した出発物質の中で水素原子を含むハロゲン化硅素
化合物は、第二の層Ｑ［）の形成の際に層中にハロゲン
原子（イ）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子（６）も導入されるので、本
発明においては好適なハロゲン原子（イ）導入用の出発
物質として使用される。

本発明において第二の層（Ｉｔ）を形成する際に使用さ
れるハロゲン原子（イ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フッ
素、塩禦、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　
Ｃ１Ｆ　、　Ｃ６Ｆ３　、　ＢｒＦ５ＢｒＦ３．　ＩＦ
３．　ＩＦ、　。

ＩＣ１、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、ＨＦ　、　Ｈ，
Ｃ６゜１（Ｂｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素を挙ける
ことが出来る。

第二〇ｒｒ１１ω）を形成する際に使用される酸素原子
初尋人用の原料ガ２に成シ得るものとして有効に使用さ
れる出発物質は、Ｏを構成原子とする或いはＮと０とを
構成原子とする例えば酸素（０２）。

オゾン（０５）、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎ
ｏ□）、−二酸化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ
２０３）　を四三酸化窒素（Ｎ２０４）　ｌ五二酸化窒
素（Ｎ２０５）　＋三酸化窒素（ＮＯｓ）　ｓクリコン
原子（ｓｔ）と酸素原子（０）と水素原子（６）とを構
成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３８１０Ｓｉ
Ｈ，）　、　）ジシロキサンＣｌ４３８１０８１Ｈ２０
Ｓ　ＩＩ３）等の低級シロキサン等を挙げることが出来
る。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）をグロー放電法文はス
Ａツターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＨｅ　。

Ｎ＠、　Ａｒ等が好適なものとして挙けることが出来る
。

本発明に於ける第二の層ω）は、その要求される特性が
所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｏ１必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取シ、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するｕ−（Ｓｓ
ｘＯｌ　ｚ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）１−ｙが形成される様に、所
望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例え
ば、第二の層（Ｉｔ）を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはＩＬ　−（Ｓ１ｘ（ｈ−ｘ）ｙ（’Ｌ
Ｘ）１−Ｆは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著
なｌｒｆ品質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層ω）が設けられる場合には上記の電
気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対
しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　−（
ｓｔｘｏｔ　ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）１　ｙが作成される。

第一の層（１）の表面にａ　−（Ｓｔｘｏｌ−ｘ）ｙ（
Ｈ＋Ｘ）１−ｙから成る第二の層（ＩＩ）の表面にａ−
（”　ｘＯｌ−ｘ　）ｙ（Ｈ＋Ｘ）＋−ｙから成る第二
の層０）を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成
される層の構造及び特性を左右する重要な因子であって
、本発明に於いては、目的とする特性を有するａ−（Ｓ
ｉｚｏｌ−ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）１−ｙが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の層０１）の形成が実行されるが、好ま
しくは、２０〜４００℃、よシ好適には５０〜３５０℃
、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい。第
二の層（ＩＩ）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙な制御中層厚の制御が他の方法に較べて比較的容
易である事等のために、グロー放電法やスパッターリン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二０
層（ＩＩ＞を形成する場合には、前記の支持体温度と同
様に層形成の際の放電、ｅワーが作成されるａ−（Ｓ　
１Ｘｏｌ　ｘ）ｙ（）ＬＸ）　１−ｙ　の特性を左右す
る重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
　−（ｓｓ、ｏｌＪｙ（ＬＸ）１　ｙが生産性良く効果
的に作成されるための放電・ぞワー条件としては好まし
くは１゜０〜３’ＯＯＷ、より好適には２．０〜２５０
Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるのが望ましいも
のである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒ
。

より好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ　程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては第二の層（ＩＩ）を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ　−（ＳＩＸＯｌ　ｘ）ｙ（ＬＸ）１ｙから成る第
二の層（ｎ）が形成される様に相互的有機的関連性に基
づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが望
ましい。

本発明の光導電部利に於ける第二の層（ｎ）に含有され
る酸素原子の量は、第二の層（Ｉｔ）の作成条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の
層（ＩＩ）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二〇屑Ｑｌ）Ｋ：含有される酸素原子
の量は、第二の層（ＩＱを構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもので
ある。

即ち、前記一般式ａ　−（Ｓｉｘ０１−ｘ）ｙ（Ｉ（＊
Ｘ）１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリ
コン原子と酸素原子とで構成される非晶質材料（以後、
「ａ　−８ｔａＯ＋−ａＪと記す。但し、０（ａ（１）
、シリコン原子と酸素原子と水素原子とで構成されるｌ
ト品質材料（以後、ｒ　ａ　−（ＳｉｂＯｌ−ｂ）ｃＨ
ｌ−ｃ　Ｊ　と記す０但し、Ｑ（ｂ、ｃ（１）、シリコ
ン原子と酸素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原
子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ　−（Ｓｉ
ｄＯ＋−ａ　）ｅ　（Ｈ，’Ｘ）１−ｅＪと記す。但し
０（ｄ、ｅ＜１　）、に分類される。

水元ＢＪ］Ｋ於イテ、第二ノ層（ＩＩ）がａ−８ｉａ０
１−ａで構成される場合、第二の層（ＩＩ）に含有され
る酸素原子の量は、ａ−８ｉｌＯ１−＠のａの表示で行
えば、ａカニ好ましくは０．３３〜０．９９９９９より
好適には０．５〜０．９９、最適には０．６〜０．９で
ある。

木兄ＩＪ１１に於イテ、第二の層（ｎ）が８−（Ｓ　１
ｂ０１−ｂ）ｃ［１−ｃで構成される場合、第二の１ｍ
　（ＩＩ）に含有される酸素原子の量は、ａ　−（Ｓｌ
　ｂａｌ−ｂ）ｃＨｔ−ｅの表示で行えばｂが好ましく
は０．３３〜０．９９９９９、よシ好適には０．５〜０
，９、最適には０．６〜０．９．５が好ましくは０．６
〜０．９９、より好適には０，６５〜０．９８、最適に
は０．７〜０．９５であるのが望ましい。

第二の層（ＩＩ）が、ａ　−（８１ｄＯ＋−ａ）ｅ（Ｉ
ＬＸ）１−６で構成される場合には、第二の層（Ｉｔ）
中に含有される酸素原子の含有量としては、ａ−（Ｓｉ
ａＯ＋−ａ）ｅ（Ｈ＋Ｘ）＋−８のｄ、ｅの表示で行え
ばｄが好ましくは、０．３３〜０．９９９９９、よシ好
適には０．５〜０．９９、最適には０６〜０，９、ｅが
好ましくは０．８〜０．９９、より好適には０．８２〜
０．９９、最適には０，８５〜０．９８であるのが望ま
しい。

本発明に於ける第二の層（Ｉｔ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（ｎ）の層厚は、該層（［［）中に含有さ
れる酸素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に於
いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的
な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要がおる
。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ま
しい。

本発明に於いて使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｌＣｒ、ステンレス、Ａｔ。

Ｃｒ、ＭＯ，Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ、Ｐ
ｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエテレ
／、ポリカーボネート、セルロースアセテート、Δ？リ
ゾロビレン、ポリ塩化ビニル、号？り塩化ビニリデン、
ポリスチレン、目？リアミド等の合成樹脂のフィルム又
社シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に町Ｃｒ、Ａｔ。

Ｃｒ、　ＭＯ％　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　ＴａＸＶ、
　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、　Ｉｎ２Ｏ，，５ｎ０２、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２）等から成るｆｌｙ膜を
設けることによって導電性が伺与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ
、　Ａｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎｔ　ＮｉＸＡｕ、　
Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ。

ＮｂＸＴａ、　Ｖ、　Ｔｌ、ｐｔ等の金属の薄膜を真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に
設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、
その表面に導電性が付与される。支持体の形状としては
、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望に
よってその形状は決定されるが、例えば、第１図の光導
電部材１００を電子写真用像形成部材として使用するの
であれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円
筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通ルの
光導電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電
部材として可撓性が要求される場合には、支持体として
の機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限シ薄く
される。しかし乍ら、この様な場合支持体の製造上及び
取扱い上、機械的強度等の点から好ましくは１０μ以上
とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

ｆｉｌＮ１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す、
図中の１１０２〜１１０６のがスゼンペには、本発明の
光導電部材を形成するだめの原料ガスが密封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ４ザス（純度９９．９９９％、以下８１Ｈ４／
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈されたＧ
ｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ＠■（４／Ｈ
ｅと略す。）２ンペ、１１０４はＩｌｅで稀釈されたＢ
２１（６ガス（純度９９．９．９％、以下Ｂ２ｌｌ６／
Ｈｅと略す。）ゼン（，１１０５はＣ２■（４ガス（純
度９９．９９９チ）ジ／４．１１０６はＢ２７１ス（純
度９９．９９９チ）−ンペである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガス号
？ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６
、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開か
れていることを確認して先ずメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリ／グー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の１例をあけると、ガスボンベ１１０２よ’
）ＳｉＨ４／Ｂｅガス、ガスボンベ１１０３よＪ）Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０４よシＢ２Ｈ６／Ｈ
ｅガス、ガスｙＲンペ１１０５よｐ　Ｃ２Ｈ４ガスをバ
ルブ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７
〜１１３０の圧をＩ　Ｋｙ／ｃｍ２に調整し、流入バル
ブ１１１２〜１１１５を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ１１０７〜１１１０内に夫々流入させる。引続い
て流出バルブ１１１７〜１１２０、補助バルブ１１３２
を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させ
る。このときの５ｉＨ４／Ｈｅガス流員とＧｅＩ（４／
Ｈｅガス流量とＢ２Ｈ６／Ｈｅガス流員とＣ２■４ガス
流量との比が所望の値になるように流出バルブ１１１７
〜１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所
望の値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメ
インバルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１
３７の温度が加熱ヒーター１１３８によシ約５０〜４０
０℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後
、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１
内にグロー放電を生起させ、所望時間グロー放電を維持
して基体１１３７上に所望層厚Ｋ、硼素原子（Ｂ）と炭
素原子（Ｃ）とが含有されａ−’５ｉＧｓ（Ｈ，Ｘ）で
構成された層領域（Ｂ、Ｃ）が形成される。

層領域（ＢＩＣ）が所望層厚に形成された段階に於いて
、流出／６ルブ１１１９，１１２０の夫々を完全に閉じ
ること、及び必要に応じて放電条件を変えること以外は
、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持
することで前記層領域（Ｂ＋　Ｃ）上に、硼素原子（Ｂ
）も炭素原子（０）も含有されていない、ａ　−Ｓ　Ｉ
Ｇｅ　（ＨｌＸ）　で構成された上部層領域が形成され
て、第一の層（１）の形成が終了される。

上記の第一の層（Ｉ）の形成の際に、該層形成開始後、
所望の時間が経過した段階で、堆積室へのＢ２Ｈ６／■
Ｉｅガス或いはＣ２Ｈ４ガスの流入を止めることによっ
て、硼素原子の含有された層領域（Ｂ）及び炭素原子の
含有された層領域（Ｃ）の各層厚を任意に制御すること
が出来る。

又、所望の変化率曲線に従って堆積室１１０１へのＣ２
Ｈ４ガスのガス流量を制御することによって、層領域（
Ｃ）中に含有される炭素原子の分布状態を所望通りに形
成することが出来る。

上記の様にして所定層厚に形成された第一の層（１）上
に第二の層０１）を形成するには、第一の層（１）の形
成の際と同様なバルブ操作によって、例えば５ＩＨ４ガ
ス、ＮＯの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈
して、所望の条件に従って、グロー放電を生起させるこ
とによって成される。第二の層（ｎ）中にハロゲン原子
を含有させるには、例えばＳｉＦ４ガスとＮｏガス、或
いは、これに５ＩＴ（４ガスを加えて上記と同様にして
第二の層（ＩＩ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出ノ々ルゾ以外
の流出バルブは全て閉じることは召うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室１１０１内、流出・々ルプ１１１７〜１１２１から反
応室１１０１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助
ノ々ルブ１１３２．１１３３を開いてメインバルブ１１
３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行なう。

第二の層（ＩＩ）中に含有される酸素原子の量は例えば
、グロー放電による場合はＳ　ＩＨ４ガスと、Ｎｏガス
の反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従って
変えるか、或いは、スＩＲ、ターリングで層形成する場
合には、ターゲットを形成する際シリコン粉末ノ・と５
１０２板のスノＲ，タ面積比率を変えるか、又はシリコ
ン粉末とＳ　ｉ０２粉末の混合比率を変えてターゲット
を成型することによって所望に応じて制御することが出
来る。第二の層■）中に含有されるハロゲン原子（３）
の量は、ノ・ロゲン原千尋入用の原料ガス、例えばＳ　
ＩＦ　ａガスが反応室１１０１内に導入される際の流量
を調整することによって成される。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す糸外で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶで０，３就間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源を
用い、２　ｔｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０ＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 実施例１に於いて、第１層の作成の際にＢ２Ｈ６の（Ｓ
ｉＨ４＋ＧｅＨ４）に対する流量を第２表に示す様に変
えた以外は、実施例１と同様の条件で電子写真用像形成
部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第２
表に示す結果が得られた。

実施例３ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第３表に示す様に変
える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形成
部材を作成した。

ζうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
３表に示す結果が得られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第４表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．ＯＫＶで０．３就間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像はタンゲステンランプ光源を用
い、２　Ｌｕｘ−（８）の光量を透過型のテストチャー
トを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、θ５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例５ 実施例４において、第１層の作成の際にＰＲ，の（Ｓ　
ｉＨ４＋　ＧｅＨ４）に対する流量を第５表に示す様に
変えた以外は、実施例４と同様の条件で電子写真用像形
成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第５
表に示す結果が得られた。

実施例６ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第６表に示す様に変
える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形成
部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
６表に示す結果が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＭ基
体上に、第７表及び第８表に示す条件で層形成を行って
電子写真用像形成部材（試料点７０１．７０２）を得た
。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて実施例１と
同様の方法と条件によって転写紙上にトナー画像を得て
、画像評価を行ったところ解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例８ 第２図に示した製造装置によシ、第９表乃至第１１表に
示す各条件にした以外は実施例１と同様にして、層形成
を行って電子写真用像形成部材の夫々（試料篇８０１〜
８０３）を得た。

こうして得られた像形成部拐の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例９ 実施例８に於いて、第１層の作成の際にＢ２Ｈ６の（Ｓ
ｉＨ４＋ＧｅＨ４）に対する流量を第１２表乃至第１４
表に示す様に変えた以外は、実施例８と同様の条件で電
子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ第１２表乃至第１４表に示す結果が得られた。

実施例１０ 実施例ＩＫ於いて光源をタングステンランプの代シに８
１０　ｎｍのＧａＡ＋系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品質の画像が得られた。

実施例１１ 第二の層（Ｉｔ）の作成条件を第１５表に示す各条件に
した以外は、実施例１．４．７．８の各実施例と同様の
条件と手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料
Ａ　１５−１０１〜１５−１０８．１５−４０１〜１５
−４０８　、・・・、１５−８０３−１〜１５−８０３
−８の５６個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、ｅ１５ＫＶで０．２ｓｃｃ間コロ
ナ帯電を行い、光像を興射した。光源はタングステンラ
ンプを用い、光量は１、ＯＡｕｘ−就とした。

潜像は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）に
よって現像され、通常の紙に転写された。

転写画像は、極めて良好なものであった。転写されない
で電子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴムブレ
ードによってクリーニングされた。

このような工程を繰シ返し１０万回以上行っても、いず
れの場合も画像の劣化は見られなかった。

各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第１５Ａ表に示す。

実施例１２ 第二の層ａＩ）の形成時、ＡｒとＮｏの混合ガスとシリ
コンウェハと８１０２のターゲツト面積比を変えて、第
二の層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と酸素原子の含有
量比を変化させる以外社、実施例１と全く同様な方法に
よって像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如き、作像
、現像、クリーニングの工程を約５万回繰シ返した後画
像評価を行ったところ第１６表の如き結果を得た。

実施例１３ 第二の層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＮＯＯ
２０流量比を変えて、第二の層（ＩＩ）に於けるシリコ
ン原子と酸素原子の含有量比を変化させる以外は実施例
１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に
述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰シ返した
後、画像評価を行ったところ、第１７表の如き結果を得
た。

実施例１４ 第二の層り）の層の形成時、５ＩＨ４カス、５ＳＦ４カ
ス、ＮＯＯ２０流量比を変えて、第二の層■に於けるシ
リコン原子と酸素原子の含有量比を変化させる以外は、
実施例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を
作成した。こうして得られた各像形成部材につき実施例
１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約５
万回繰シ返した後、画像評価を行ったところ第１８表の
如き結果を得た。

実施例１５ 第二の７１（１０の層厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。実
施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程
を繰り返し第１９表の結果を得た。

第１９表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温朋：ｒルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・約２
００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・・約２５
０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　’ｌ’ｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々ノー領域（
Ｃ）中の炭素原子の分布状態を説明する為の説明図、第
１１図は、実施例に於いて本発明の光導電部祠を作製す
る為に使用された装面の模式的説明図である。 １００・・・光Ｎ４電部材　１０１・・・支持体１０２
・・・第一の層（Ｉ）　１０３・・・第二の層（ｎ）１
０４・・・自由表面 −□−→−Ｃ（Ｃ） 一一一一→−Ｃ −一一→−Ｃ 手続補正書 昭和【？年１１月詩日 ＃、、＋１；許庁長官志賀　学　殿 ＪＩ（件との関係　出　願　人 （ＪＥＩｉｌｉ　（１７″′３東京都大田区下丸子３丁
１」３０番Ｚ号氏名Ｈ’、称）　（１６ｇ）キャノン株
式会社４、代２１１　人 ｆＦ　所　東にを都丁代１１１区丸の内２丁Ｉ］６＃２
号丸の内へ重洲ビル３３０８、ｈｌｉ正の内存　別紙の
とおり 補　正　書 本願明細車中下記事項を補正いたします。 記 １、第５０頁３行目に ［０，５〜０．９Ｊとあるを 「０．５〜０．９９Ｊと訂正する。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）　光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲル
   マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された光導電性
   を示す第一の層と、シリコン原子と酸素原子とを含む非
   晶質材料で構成された第二の層とを有し、前記第一の層
   は、伝導性を支配する物質を含有し、前記支持体側に偏
   在している層領域を有し、且つ炭素原子を含有する事を
   特徴とする光導電部材。
2. （２）　第一の層中に水素原子が含有されている特許請
   求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第一の層中にハロゲン原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項又は第２項に記載の光導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部劇。