JPS6036369A - 磁器製造法 - Google Patents
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- JPS6036369A JPS6036369A JP58144476A JP14447683A JPS6036369A JP S6036369 A JPS6036369 A JP S6036369A JP 58144476 A JP58144476 A JP 58144476A JP 14447683 A JP14447683 A JP 14447683A JP S6036369 A JPS6036369 A JP S6036369A
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
- G01N27/4073—Composition or fabrication of the solid electrolyte
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
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- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
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- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低温焼結可能で成形性に優れた磁器、特にジ
ルコニア磁器製造法に関するものである。
ルコニア磁器製造法に関するものである。
ルコニア粉末を用いていたので、以下に示す欠点があっ
た。即ち、焼結温度として1500°C以」ニの高い温
度が必要であったためエネルギー効率が非常に悪く、粒
成長により磁器の強度が低下する等の高温焼成に附随す
る多くの問題があった。焼結温度を低下さけるにはジル
コニア粉末の粒径を小ざくする方法もあるが、その場合
は粉末の成形性が悪くなりその他焼成時の収縮が大きく
なる欠点があり、成形性と低温焼結性の両者を満足する
製造方法はなかった。
た。即ち、焼結温度として1500°C以」ニの高い温
度が必要であったためエネルギー効率が非常に悪く、粒
成長により磁器の強度が低下する等の高温焼成に附随す
る多くの問題があった。焼結温度を低下さけるにはジル
コニア粉末の粒径を小ざくする方法もあるが、その場合
は粉末の成形性が悪くなりその他焼成時の収縮が大きく
なる欠点があり、成形性と低温焼結性の両者を満足する
製造方法はなかった。
例えば第1図に示す様な積層構造の酸素センザー即ち、
第1の電極となる金属層(以下第1電極)1、固体電解
質層2、基板3、第2の電極となる金R層(以下第2電
極)4の構造よりなる積層型酸素レンザーを製造するに
あたり、従来の製造法では固体電解質層2を形成するた
めに、湿式粉砕したジルコニア粉末を含むスラリーより
成形した未焼成ジルコニア層を用い、第1電極1を形成
するために主として電子伝導性金属粉末J:りなる電極
層を用い、この電極層を該未焼成ジルコニア層と基板3
のセラミック材料からなる未焼成層または焼成体との間
°にはさみ、両者を一体焼成し、その後第2電極4を物
理的蒸着法または、塗布法等により形成する方法を用い
ていた。しかしこの従来の製造法では未焼成ジルコニア
層の焼結温度が1500℃以上であるため第1電極1の
金属粒が粒成長して電極の活性が著しく低下していた。
第1の電極となる金属層(以下第1電極)1、固体電解
質層2、基板3、第2の電極となる金R層(以下第2電
極)4の構造よりなる積層型酸素レンザーを製造するに
あたり、従来の製造法では固体電解質層2を形成するた
めに、湿式粉砕したジルコニア粉末を含むスラリーより
成形した未焼成ジルコニア層を用い、第1電極1を形成
するために主として電子伝導性金属粉末J:りなる電極
層を用い、この電極層を該未焼成ジルコニア層と基板3
のセラミック材料からなる未焼成層または焼成体との間
°にはさみ、両者を一体焼成し、その後第2電極4を物
理的蒸着法または、塗布法等により形成する方法を用い
ていた。しかしこの従来の製造法では未焼成ジルコニア
層の焼結温度が1500℃以上であるため第1電極1の
金属粒が粒成長して電極の活性が著しく低下していた。
この欠点を解決するために別の従来の製造法では固体電
解質層を形成する未焼成ジルコニア層のジル]ニア粒子
の粒径を湿式粉砕により小ざくしで未焼成ジルコニア層
の焼結温度を低くしていた。
解質層を形成する未焼成ジルコニア層のジル]ニア粒子
の粒径を湿式粉砕により小ざくしで未焼成ジルコニア層
の焼結温度を低くしていた。
しかしこの従来の製造法による未焼成ジルコニア層は、
湿式粉砕で粒径を小さくしたため亀裂、ビンボール等が
発生し、更にこの未焼成ジルコニア層を焼成した後にも
亀裂、ピンホール等が残り緻密な固体電解質層を冑られ
なかった。
湿式粉砕で粒径を小さくしたため亀裂、ビンボール等が
発生し、更にこの未焼成ジルコニア層を焼成した後にも
亀裂、ピンホール等が残り緻密な固体電解質層を冑られ
なかった。
本発明のtti器製造法は、これら従来の製造法の欠点
を解決し第1に低温焼結可能で焼成時にお番フる収縮の
小さいジルコニア磁器製造法を確立し、第2に、金属形
成層とジルコニア未焼成体とを同時に焼成しても金属層
の活性を高く保持しDつ完全に焼結したジルコニア焼結
体が得られる磁器製造法を確立ラ−ることを目的とする
ものである。また第3に低温焼結するにもかかわらず、
スラリーより未焼成ジルコニア層を成形した際に未焼成
層に亀裂ビンボール等が発生しない磁器製造法を確立す
ることを目的とするもので゛ある。
を解決し第1に低温焼結可能で焼成時にお番フる収縮の
小さいジルコニア磁器製造法を確立し、第2に、金属形
成層とジルコニア未焼成体とを同時に焼成しても金属層
の活性を高く保持しDつ完全に焼結したジルコニア焼結
体が得られる磁器製造法を確立ラ−ることを目的とする
ものである。また第3に低温焼結するにもかかわらず、
スラリーより未焼成ジルコニア層を成形した際に未焼成
層に亀裂ビンボール等が発生しない磁器製造法を確立す
ることを目的とするもので゛ある。
本発明の構成は、主どしてジルコニアよりなる粉末を乾
式粉砕し、この乾式粉砕した粉末を非水溶液系スラリー
とし、これを成形し、その成形体を1100℃以上で焼
成する磁器製造方法であり、史には主として安定化剤と
してY2O3゜Yb2O3,5C203,Nd2O3゜
Sm2O3,CaO,MgOの一種類以上2〜30モル
%含むジルコニア粉末を乾式粉砕しその乾式粉砕した粉
末の比表面積が好ましくはbm’/a以上であり、その
乾式粉砕した粉末に樹脂及び非水溶媒を加えてスラリー
とし、該スラリーより成形したジルコニア未焼成層の少
なくとも一つの而に主どして金属粉末または加熱により
金属を生じ得る化合物を含むペーストよりなるペースl
一層を形成し、該ペースト層を該ジルコニア未焼成層と
ジルコニアあるいは絶縁材料よりなる未焼成層または焼
成体どの間にはさむ積層4’<造林に形成しこの積層構
造体を1100℃1ズ下で焼成する磁器製造法であり、
史にはジルコニアあるいは絶縁材料よりなる未焼成層ま
たは焼成体からなる基板と主として金属粉末または加熱
により金属を生じうる化合物からなる第1の電極層また
はこれを焼成した第1電極と、該ジルコニア未焼成層と
を積層構造体に形成し、これを1ioo℃以上で焼成し
、ジルコニア磁器を形成した後第1電極に対してジルコ
ニア磁器を隔壁として第2電極を形成し酸素センサ用素
子とザる磁器製造法であり、更にはジルコニアあるいは
絶縁材N’iiよりなる未焼成層または焼成体から4す
る基板と主として金属粉末または加熱により金属を生じ
得る化合物からなる第1の電極層及び第2の電極層と該
ジルコニア未焼成層とを第1の電極層に対して焼成後に
おいてジルコニア磁器が隔壁どなる位置に第2の電極層
を設()た積層構造体に形成し、これを1100°C以
上で焼成し酸素センサ用素子どする磁器製造法である。
式粉砕し、この乾式粉砕した粉末を非水溶液系スラリー
とし、これを成形し、その成形体を1100℃以上で焼
成する磁器製造方法であり、史には主として安定化剤と
してY2O3゜Yb2O3,5C203,Nd2O3゜
Sm2O3,CaO,MgOの一種類以上2〜30モル
%含むジルコニア粉末を乾式粉砕しその乾式粉砕した粉
末の比表面積が好ましくはbm’/a以上であり、その
乾式粉砕した粉末に樹脂及び非水溶媒を加えてスラリー
とし、該スラリーより成形したジルコニア未焼成層の少
なくとも一つの而に主どして金属粉末または加熱により
金属を生じ得る化合物を含むペーストよりなるペースl
一層を形成し、該ペースト層を該ジルコニア未焼成層と
ジルコニアあるいは絶縁材料よりなる未焼成層または焼
成体どの間にはさむ積層4’<造林に形成しこの積層構
造体を1100℃1ズ下で焼成する磁器製造法であり、
史にはジルコニアあるいは絶縁材料よりなる未焼成層ま
たは焼成体からなる基板と主として金属粉末または加熱
により金属を生じうる化合物からなる第1の電極層また
はこれを焼成した第1電極と、該ジルコニア未焼成層と
を積層構造体に形成し、これを1ioo℃以上で焼成し
、ジルコニア磁器を形成した後第1電極に対してジルコ
ニア磁器を隔壁として第2電極を形成し酸素センサ用素
子とザる磁器製造法であり、更にはジルコニアあるいは
絶縁材N’iiよりなる未焼成層または焼成体から4す
る基板と主として金属粉末または加熱により金属を生じ
得る化合物からなる第1の電極層及び第2の電極層と該
ジルコニア未焼成層とを第1の電極層に対して焼成後に
おいてジルコニア磁器が隔壁どなる位置に第2の電極層
を設()た積層構造体に形成し、これを1100°C以
上で焼成し酸素センサ用素子どする磁器製造法である。
すなわち、本発明は第1に収縮が小さく低温焼結可能な
磁器製造法を確立し、第2に例えば第2図に示すにうな
第1の電極となる金属層(以下第1電極)11、固体電
解質層12、基板13、第2の電極となる金属層(以下
第2電極)14の構造よりなるジルコニア磁器の製造の
さい、固体電解質12を形成づるための未焼成ジルコニ
ア層と第1電極11どを一体焼成する場合、あるいは第
1電)fi11形成後に固体電解質層12を形成する未
焼成ジルコニア層を焼成する場合に第1電極11の活性
をイ^持するために未焼成ジルコニア層の焼結温度を低
くする必要がある。
磁器製造法を確立し、第2に例えば第2図に示すにうな
第1の電極となる金属層(以下第1電極)11、固体電
解質層12、基板13、第2の電極となる金属層(以下
第2電極)14の構造よりなるジルコニア磁器の製造の
さい、固体電解質12を形成づるための未焼成ジルコニ
ア層と第1電極11どを一体焼成する場合、あるいは第
1電)fi11形成後に固体電解質層12を形成する未
焼成ジルコニア層を焼成する場合に第1電極11の活性
をイ^持するために未焼成ジルコニア層の焼結温度を低
くする必要がある。
一方、未焼成ジルコニア層の焼結温度を低くするために
微細なジルコニア粉末を用いると、未焼成ジルコニア層
の成形性が亀裂ピンホール等の発生のために悪くなると
いう現象を防止するため、ジルコニア粉末の粉砕を乾式
で行い、この粉末の比表面積を好ましくは5m210以
」ことしこの粉末を非水溶液系溶媒を用いてスラリー状
とし、成形体とすると但)品焼結可能なジルコニア未焼
成体が亀裂ピン11(−ル等の発生をともなうことなく
得られることを見い出したことに基づく磁器製造法であ
る。
微細なジルコニア粉末を用いると、未焼成ジルコニア層
の成形性が亀裂ピンホール等の発生のために悪くなると
いう現象を防止するため、ジルコニア粉末の粉砕を乾式
で行い、この粉末の比表面積を好ましくは5m210以
」ことしこの粉末を非水溶液系溶媒を用いてスラリー状
とし、成形体とすると但)品焼結可能なジルコニア未焼
成体が亀裂ピン11(−ル等の発生をともなうことなく
得られることを見い出したことに基づく磁器製造法であ
る。
本発明の4M成を以下に詳しく説明する。本発明の磁器
製造法を用いた積層構造体製造工程における一つの■程
図として第3図を示し第2図の構造体を製造する本発明
による製造法について説明する。ジルコニア粉末70〜
98モル%に、安定化剤としてY2O3,Yb20:+
、5C203゜N[I 203 、 Snl 203等
の希土類酸化物またはCa O,M(I Oあるいは加
熱によりこれらの酸化物を牛じうる化合物の一種類以」
−を、酸化物に換算して含量で2〜30モル%加える。
製造法を用いた積層構造体製造工程における一つの■程
図として第3図を示し第2図の構造体を製造する本発明
による製造法について説明する。ジルコニア粉末70〜
98モル%に、安定化剤としてY2O3,Yb20:+
、5C203゜N[I 203 、 Snl 203等
の希土類酸化物またはCa O,M(I Oあるいは加
熱によりこれらの酸化物を牛じうる化合物の一種類以」
−を、酸化物に換算して含量で2〜30モル%加える。
この外焼結助剤どしてシリカ、アルミナ、粘土等を前記
混合物100重圏部に対し、30重量部以下加えても良
い。
混合物100重圏部に対し、30重量部以下加えても良
い。
この混合物をボールミル等で湿式あるいは乾式で混合し
た後好ましくは200〜1200℃で1〜10時間仮焼
刀る。さらに、この混合物をボールミル、振動ミル等に
より乾式粉砕し好ましくは5m2/g以−にの微粉砕粉
末とづる。本発明で用いる乾式粉砕とは、粉砕の時に流
動性を与える程の吊の液体を添加「ずに粉砕を行なう方
法を言う。乾式で粉砕するさい、粉砕助剤としてポリエ
チレングリコールステア1ノー1〜あるいはAレイン酸
等を添加すると良い。これは粉末の凝集を防ぎ粉砕の効
率をあげる効果がある。この微粉砕粉末に対してポリビ
ニールブヂラール、メタクリル酸メチル、エチルセルロ
ース、等の樹脂および望ましくはジΔクヂルフタレート
等の可塑剤を60体積%以下添加覆る。更に、樹脂以外
に非水溶媒どして、i〜リクロル]ニチレン、プヂルア
ルコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
トルエンメチルエチルケトン、テトラワン、テルピネオ
ール、2−エチルヘキシルアルコール、酢酸ブヂル、:
1−シレン等を混合し、非水溶液系スラリーとする。
た後好ましくは200〜1200℃で1〜10時間仮焼
刀る。さらに、この混合物をボールミル、振動ミル等に
より乾式粉砕し好ましくは5m2/g以−にの微粉砕粉
末とづる。本発明で用いる乾式粉砕とは、粉砕の時に流
動性を与える程の吊の液体を添加「ずに粉砕を行なう方
法を言う。乾式で粉砕するさい、粉砕助剤としてポリエ
チレングリコールステア1ノー1〜あるいはAレイン酸
等を添加すると良い。これは粉末の凝集を防ぎ粉砕の効
率をあげる効果がある。この微粉砕粉末に対してポリビ
ニールブヂラール、メタクリル酸メチル、エチルセルロ
ース、等の樹脂および望ましくはジΔクヂルフタレート
等の可塑剤を60体積%以下添加覆る。更に、樹脂以外
に非水溶媒どして、i〜リクロル]ニチレン、プヂルア
ルコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
トルエンメチルエチルケトン、テトラワン、テルピネオ
ール、2−エチルヘキシルアルコール、酢酸ブヂル、:
1−シレン等を混合し、非水溶液系スラリーとする。
このスラリーをドクターブレード法等により層状に成形
し、室温〜200℃で乾燥させ未焼成ジル]ニア層を冑
る。この未焼成ジルコニア層の一つの面に主として電子
伝導(!l−金属例えば白金、ロジウノ1、金等の粉末
または加熱によりそれを牛じうる化合物を含むペースト
よりなる電極層をスクリーン印刷等により形成し、この
電極層を他の未焼成ジルコニア層または未焼成絶縁層と
の積層構造体とする。この積層体を1100℃以上好ま
しくは1200〜1400℃で焼成し、第2図にお(プ
る第1電極11、固体電解質層12、基板13を(qる
。その後生として電子伝導性金属粉末または加熱により
それを生じつる化合物を含むペーストを固体電解質層1
2上にスクリーン印刷等により形成し焼成し第2電極1
4を1qる。第2電極14の形成は、スパッタリング、
イオンブレーティング、蒸着等の物理的蒸着法で行って
もJ:い。
し、室温〜200℃で乾燥させ未焼成ジル]ニア層を冑
る。この未焼成ジルコニア層の一つの面に主として電子
伝導(!l−金属例えば白金、ロジウノ1、金等の粉末
または加熱によりそれを牛じうる化合物を含むペースト
よりなる電極層をスクリーン印刷等により形成し、この
電極層を他の未焼成ジルコニア層または未焼成絶縁層と
の積層構造体とする。この積層体を1100℃以上好ま
しくは1200〜1400℃で焼成し、第2図にお(プ
る第1電極11、固体電解質層12、基板13を(qる
。その後生として電子伝導性金属粉末または加熱により
それを生じつる化合物を含むペーストを固体電解質層1
2上にスクリーン印刷等により形成し焼成し第2電極1
4を1qる。第2電極14の形成は、スパッタリング、
イオンブレーティング、蒸着等の物理的蒸着法で行って
もJ:い。
また本発明による製造方法は次の工程をとってもよい。
すむわ13主として乾式粉砕したジルコニアを含むスラ
リーを得る工程は前)d(シた工程をとり、その後加熱
により基板となるセラミック材オ′!1よりなる未焼成
層また(ま焼成板の上に主として電る化合物を含むペー
ストj−りなる電極層をスクリーン印刷等にj;り形成
し乾燥した後、該スラリーをスクリーン印刷等により電
極層の上に未焼成ジルコニア層として成形し乾燥したの
ち、1100℃以」ニクYましくは1200〜1400
℃で焼成し第2図にお(Jる第1電極11、固体電解質
層12、基板13を得る。
リーを得る工程は前)d(シた工程をとり、その後加熱
により基板となるセラミック材オ′!1よりなる未焼成
層また(ま焼成板の上に主として電る化合物を含むペー
ストj−りなる電極層をスクリーン印刷等にj;り形成
し乾燥した後、該スラリーをスクリーン印刷等により電
極層の上に未焼成ジルコニア層として成形し乾燥したの
ち、1100℃以」ニクYましくは1200〜1400
℃で焼成し第2図にお(Jる第1電極11、固体電解質
層12、基板13を得る。
その後前述した方法にJ:り第2電4IIi14を得る
。
。
ここで記述した本発明の製造法は第1電極11と固体電
解質層12とを同時形成したものであったが、順番に焼
成成形してもよい。また第2電極14の形成は第1電極
11、固体電解質層12の焼成時に同時に行うこともで
きる。また本発明の製造ン人はスラリーを形成するまで
の工程で安定化剤、焼結助剤等を含んでいれば良くどの
工程でこれらを添加してもよい。また本発明に用いるセ
ラミック材料より?rる未焼成層とは、独立した1枚の
板状であっても別の基板に印刷または積層されたもので
あっても良い。
解質層12とを同時形成したものであったが、順番に焼
成成形してもよい。また第2電極14の形成は第1電極
11、固体電解質層12の焼成時に同時に行うこともで
きる。また本発明の製造ン人はスラリーを形成するまで
の工程で安定化剤、焼結助剤等を含んでいれば良くどの
工程でこれらを添加してもよい。また本発明に用いるセ
ラミック材料より?rる未焼成層とは、独立した1枚の
板状であっても別の基板に印刷または積層されたもので
あっても良い。
本発明の製造法で乾式粉砕したジルコニア粉末おJ、び
非水溶媒を用いることにより従来の製造方法にあった欠
点を解決できる理由は、次の様に考えらねる。
非水溶媒を用いることにより従来の製造方法にあった欠
点を解決できる理由は、次の様に考えらねる。
即ち、ジルコニア粒子の表面は水分子との親和性が極め
て大きく、特に比表面積が5m2/c+以下程度にまで
水中で微粉砕した場合、ジルコニア粉末の表面に吸着さ
れた吸着水層の存在と強固な二次粒子の形成のため、た
とえその後に非水溶媒を加えても良好な分散状態のスラ
リーを得ることは困ガ1であり、このスラリーを乾燥し
ても乾燥時の収縮ににり亀裂を生じ、また粉末の焼結性
も劣るものであった。本発明では、乾式で微粉砕し、こ
れに非水溶媒およびバインダーを加えて非水溶液系スラ
リーどり−ることにより、粉砕峙およびスラリーtff
1合時にジル327粒子の表面に水が吸着J゛ることを
理由でき、良好4丁分散状態のスラリーが得られ、nつ
乾式粉砕で得られるジルコニア粉末の高い焼結性を低下
さけることなく成形体が得られることを見出したもので
ある。
て大きく、特に比表面積が5m2/c+以下程度にまで
水中で微粉砕した場合、ジルコニア粉末の表面に吸着さ
れた吸着水層の存在と強固な二次粒子の形成のため、た
とえその後に非水溶媒を加えても良好な分散状態のスラ
リーを得ることは困ガ1であり、このスラリーを乾燥し
ても乾燥時の収縮ににり亀裂を生じ、また粉末の焼結性
も劣るものであった。本発明では、乾式で微粉砕し、こ
れに非水溶媒およびバインダーを加えて非水溶液系スラ
リーどり−ることにより、粉砕峙およびスラリーtff
1合時にジル327粒子の表面に水が吸着J゛ることを
理由でき、良好4丁分散状態のスラリーが得られ、nつ
乾式粉砕で得られるジルコニア粉末の高い焼結性を低下
さけることなく成形体が得られることを見出したもので
ある。
なお本発明において未焼成ジルコニア成形体を1100
℃以上で焼成する理由は、温度が1100℃未満では磁
器の焼結が不十分であり好ましくは1200℃〜140
0℃で最も良好な磁器が得られるとともに金属の活性を
高くできる。また乾式粉砕した粉末の比表面積が5m2
/g未満では焼結調度を十分に低くできイ蒙いどともに
成形性が低下する。更に、ジルコニア磁器中の安定化剤
の吊が2モル%未満では、耐久性の優れた磁器が得られ
ず30モル%より多くなると強度の優れた磁器を15す
ることができない。
℃以上で焼成する理由は、温度が1100℃未満では磁
器の焼結が不十分であり好ましくは1200℃〜140
0℃で最も良好な磁器が得られるとともに金属の活性を
高くできる。また乾式粉砕した粉末の比表面積が5m2
/g未満では焼結調度を十分に低くできイ蒙いどともに
成形性が低下する。更に、ジルコニア磁器中の安定化剤
の吊が2モル%未満では、耐久性の優れた磁器が得られ
ず30モル%より多くなると強度の優れた磁器を15す
ることができない。
次に実施例を示す。
実施例1
比表面積5 n12 / gのジルコニア粉末500(
]ど安定化剤として、硝酸イブ1〜リウムをY2O3/
Zl’02のモル比が4/96となるJ:うに加え、ボ
ールミルにて混合した後900’C2時間の仮焼を行な
った。この仮焼体をロールクラッシャにまり粗粉砕した
後、この混合物99重□□□部に焼結助剤として粘土1
重M部を加えざらに粉砕助剤としてボリエチレングリコ
ールステアレート0.5重組%を加えホールミルにより
乾式粉砕を24時間行った。この粉末の比表面積は8n
+2/Fであった。この乾式粉砕したジル−lニア粉末
700重量部にポリビニルブチラール8重ω部および1
ヘリクロル工チレン100重石部を加えボールミル中で
16時間混合し、粘度600ボイズのスラリーとした。
]ど安定化剤として、硝酸イブ1〜リウムをY2O3/
Zl’02のモル比が4/96となるJ:うに加え、ボ
ールミルにて混合した後900’C2時間の仮焼を行な
った。この仮焼体をロールクラッシャにまり粗粉砕した
後、この混合物99重□□□部に焼結助剤として粘土1
重M部を加えざらに粉砕助剤としてボリエチレングリコ
ールステアレート0.5重組%を加えホールミルにより
乾式粉砕を24時間行った。この粉末の比表面積は8n
+2/Fであった。この乾式粉砕したジル−lニア粉末
700重量部にポリビニルブチラール8重ω部および1
ヘリクロル工チレン100重石部を加えボールミル中で
16時間混合し、粘度600ボイズのスラリーとした。
このスラリーをドクターブレード法にJ:り厚さ0.8
mmの板状に成形し、50℃で12時間の乾燥を行い0
.6mmの未焼成ジルコニア板を得た。この未焼成ジル
コニア板を10101l140111mの板に切り出し
た後この未焼成ジルコニア層の一方の面に白金ペースト
をスクリーン印刷し 100℃で10分間の乾燥を行い
、他の同一組成の未焼成ジルコニア板でこの白金ペース
ト層をはさみ積層した。この積層体を1350℃で3時
間焼成し、第2図にお(プる第1雷極11、固体電解質
層12、基板13を1qた。次に、この焼成体の第1電
極11に対向刃る一面にスパッタリングにより厚さ1μ
mの白金電極を形成し、li層梨型酸素センサー 得
lこ 。
mmの板状に成形し、50℃で12時間の乾燥を行い0
.6mmの未焼成ジルコニア板を得た。この未焼成ジル
コニア板を10101l140111mの板に切り出し
た後この未焼成ジルコニア層の一方の面に白金ペースト
をスクリーン印刷し 100℃で10分間の乾燥を行い
、他の同一組成の未焼成ジルコニア板でこの白金ペース
ト層をはさみ積層した。この積層体を1350℃で3時
間焼成し、第2図にお(プる第1雷極11、固体電解質
層12、基板13を1qた。次に、この焼成体の第1電
極11に対向刃る一面にスパッタリングにより厚さ1μ
mの白金電極を形成し、li層梨型酸素センサー 得
lこ 。
第4図にこの製造法により製作した積層型酸素センυの
400℃における空燃比起電力曲線を実線で示し、比較
の意味で湿式粉砕したジルコニア粉末を使って焼成温度
1500℃で3時間焼成した積層型酸素センサの400
℃にお(プる空燃比起電力曲線を破線で示した。第4図
で明らかなように湿式粉砕粉末を使用した酸素センサの
起電力は基準電極の活性が劣り起電力が低下しているの
に対し、本発明の製造方法により製作した酸素センサで
は十分な起電力を発生した。
400℃における空燃比起電力曲線を実線で示し、比較
の意味で湿式粉砕したジルコニア粉末を使って焼成温度
1500℃で3時間焼成した積層型酸素センサの400
℃にお(プる空燃比起電力曲線を破線で示した。第4図
で明らかなように湿式粉砕粉末を使用した酸素センサの
起電力は基準電極の活性が劣り起電力が低下しているの
に対し、本発明の製造方法により製作した酸素センサで
は十分な起電力を発生した。
実施例2
実hlI例1に従って未焼成ジルコニア板を冑だ後、こ
れを1350°Cで3時間焼成し焼成体を得た。この焼
成体の一方の面に白金ペーストをスクリーン印刷し、1
5(1℃で15分間の乾燥を行った後1000℃で10
分間の焼角(プを行ない白金電極を形成した。次に白金
電極の上に実施例1により(qられるジルコニアスラリ
ーをスクリーン印刷し100℃で10分間の乾燥を行っ
た結果、亀裂等の発生は無く均一なジルコニア未焼成層
が1qられた。この未焼成ジルコニア層を含む焼成板を
1350℃で3時間焼成した後、スパッタリングにJ:
り厚さ1μIllの白金電極を蒸着し第2図に示す積層
型酸素センサを得た。
れを1350°Cで3時間焼成し焼成体を得た。この焼
成体の一方の面に白金ペーストをスクリーン印刷し、1
5(1℃で15分間の乾燥を行った後1000℃で10
分間の焼角(プを行ない白金電極を形成した。次に白金
電極の上に実施例1により(qられるジルコニアスラリ
ーをスクリーン印刷し100℃で10分間の乾燥を行っ
た結果、亀裂等の発生は無く均一なジルコニア未焼成層
が1qられた。この未焼成ジルコニア層を含む焼成板を
1350℃で3時間焼成した後、スパッタリングにJ:
り厚さ1μIllの白金電極を蒸着し第2図に示す積層
型酸素センサを得た。
この酸素センサも第2図にお(プる固体電解質12に亀
裂等が存在しない緻密な焼結体となり、起電力等の低下
は認められなかった。
裂等が存在しない緻密な焼結体となり、起電力等の低下
は認められなかった。
以上のように本発明の磁器製造法を用いれば焼成収縮の
小さなジルコニア磁器を低温で焼成できるため、第1に
金属層の活性を高く保持したまま未焼成金属層ど未焼成
ジルコニア体との同時焼成が可能となる。また、第2に
乾式粉砕粉末を含むスラリーからジルコニア未焼成層を
成形1/l−よく得られるので、ジルコニア層と金属層
とからなる層状構造体か金属の活((を高く保持すると
ともに、ジルコニア焼結層に欠陥を発生1−ることなく
一体焼成して得られる。
小さなジルコニア磁器を低温で焼成できるため、第1に
金属層の活性を高く保持したまま未焼成金属層ど未焼成
ジルコニア体との同時焼成が可能となる。また、第2に
乾式粉砕粉末を含むスラリーからジルコニア未焼成層を
成形1/l−よく得られるので、ジルコニア層と金属層
とからなる層状構造体か金属の活((を高く保持すると
ともに、ジルコニア焼結層に欠陥を発生1−ることなく
一体焼成して得られる。
従って、本発明のジルコニア磁器製造法は、実施例に示
した酸素センサ製造の他にも焼成収縮が小さく低温焼結
可能で且つ成形性の優れたジルコニア粉末の特性を利用
するジルコニアを使った切削り奥、機械部品などの製造
に広く応用できる。
した酸素センサ製造の他にも焼成収縮が小さく低温焼結
可能で且つ成形性の優れたジルコニア粉末の特性を利用
するジルコニアを使った切削り奥、機械部品などの製造
に広く応用できる。
第1図は、従来の磁器製造法により製造し!、:積層構
造体の説明図、 第2図は本発明の磁器製造法により!!7造した積@椙
造林の説明図、 第3図は本発明の積層構造体を1!する際の1工程図、 第4図は、本発明及び従来の製造法により作製した酸素
センサの空燃比−出力電圧図である。 1.11・・・第1電極 2,12・・・固体電¥W
I’(f3.13・・・基盤 4.14・・・第2電極
。 特4′、出願人 日木碍子株式会ネ1 q燃゛比 手続補正書 昭和59年7月80日 昭和58年特許 願第144476 号3・補正をする
者特許出願人 号 へ、萼 3子 5仕 7、補正の内容(別紙の通り) 1、明細書第6頁第7行中「亀裂ピンホール等」を「亀
裂、ピンホール等」と訂正する。 2同第8頁第5行中「確立し、」を「確立するものであ
る。」と1f丁正する。 3同第8頁第15行中「必要がある。」を「ことが好ま
しいが、低温焼結化に伴い形成性が悲くなるという欠点
が生ずることを見いだしこれを防止する方法を確立する
ものである。」と訂正する。 4・同第8頁第16行中「一方、」を「すなわち」と訂
正する。 5同第8頁第18行中「亀裂ピンホール等」を「亀裂、
ピンホール等」と訂正する。 6、同第9頁第4行中「亀裂ピンホール等」を「亀裂、
ピンホール等」と訂正する。 7同第1O頁第2行中1好ましくは5m2」を「好まし
くは比衣面iYJ 5 m2Jと訂正する。 8同第1O頁第1O行中「メタクリル酸メチル、」を「
ポリメタクリル酸メチル、」と訂正する。 D同第10頁第15行中「トルエンメチルエ」を「トル
エン、メチルエ」ト訂正スる。 IO同第13頁第5行〜第6行中「以下程度」を「以上
程度」とd1圧する。 11間第15頁第11行中1一方の血に」の次にr白金
soffim%、ジルコニア20MLM%の混合物10
0重這部にポリビニルブチラール5重量部、ブチルカル
ピトール30重は部からなる」を加入する。 12間第16頁第18行中「一方の面に」の次に「実施
例1で使った」を加入する。
造体の説明図、 第2図は本発明の磁器製造法により!!7造した積@椙
造林の説明図、 第3図は本発明の積層構造体を1!する際の1工程図、 第4図は、本発明及び従来の製造法により作製した酸素
センサの空燃比−出力電圧図である。 1.11・・・第1電極 2,12・・・固体電¥W
I’(f3.13・・・基盤 4.14・・・第2電極
。 特4′、出願人 日木碍子株式会ネ1 q燃゛比 手続補正書 昭和59年7月80日 昭和58年特許 願第144476 号3・補正をする
者特許出願人 号 へ、萼 3子 5仕 7、補正の内容(別紙の通り) 1、明細書第6頁第7行中「亀裂ピンホール等」を「亀
裂、ピンホール等」と訂正する。 2同第8頁第5行中「確立し、」を「確立するものであ
る。」と1f丁正する。 3同第8頁第15行中「必要がある。」を「ことが好ま
しいが、低温焼結化に伴い形成性が悲くなるという欠点
が生ずることを見いだしこれを防止する方法を確立する
ものである。」と訂正する。 4・同第8頁第16行中「一方、」を「すなわち」と訂
正する。 5同第8頁第18行中「亀裂ピンホール等」を「亀裂、
ピンホール等」と訂正する。 6、同第9頁第4行中「亀裂ピンホール等」を「亀裂、
ピンホール等」と訂正する。 7同第1O頁第2行中1好ましくは5m2」を「好まし
くは比衣面iYJ 5 m2Jと訂正する。 8同第1O頁第1O行中「メタクリル酸メチル、」を「
ポリメタクリル酸メチル、」と訂正する。 D同第10頁第15行中「トルエンメチルエ」を「トル
エン、メチルエ」ト訂正スる。 IO同第13頁第5行〜第6行中「以下程度」を「以上
程度」とd1圧する。 11間第15頁第11行中1一方の血に」の次にr白金
soffim%、ジルコニア20MLM%の混合物10
0重這部にポリビニルブチラール5重量部、ブチルカル
ピトール30重は部からなる」を加入する。 12間第16頁第18行中「一方の面に」の次に「実施
例1で使った」を加入する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1゜主としてジルコニアよりなる粉末を乾式粉砕し、こ
の乾式粉砕した粉末を非水溶液系スラリーとし、これを
成形し、その成形体を1100℃以トで焼成することを
特徴とする磁器製造法。 2、該成形体の少なくとも一つの面に金属粉末またはh
n熱により金属を生じ得る化合物を含むペースト層を形
成した後焼成することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の磁器製造法。 3、該成形体の少なくとも一つの面に金属粉末またはl
1rl熱により金属を生じ得る化合物を含むペースト層
を形成し、これを主としてセラミック材A′々[よりな
る未焼成層または焼成体との積層構造1本に形成し、こ
れを一体焼成することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の磁器riA造法。 4、主どしてセラミック材料よりなる基板と主として金
属または加熱により金属を生じ得る化合物からなる第1
の電極層とを積層構造体に形成し、加熱により第1電極
を形成した後、これと主としてジルコニアよりなる粉末
を乾式粉砕し、この乾式粉砕した粉末を非水溶液系スラ
リーとし、これを成形した成形体とを積層構造体に形成
し、1100°C以−ヒで焼成しジルコニア磁器を形成
した後、該第1電極に対してジルコニア磁器を隔壁とし
て第2電極を形成し酸素はンサ用水子とすることを特徴
と覆る磁器製造法。 5、主としてレラミック材料よりイにる基板と、主とし
て金属または加熱にJzり金属を生じ得る化合物からな
る第1の電極層と、主としてジルコニアよりなる粉末を
乾式粉砕しこの乾式粉砕した粉末を非水溶液系スラリー
どし、これを成形した成形体とを積層構造体に形成し、
1100℃以」−で焼成し第1電極を形成した後該第1
電極に対してジルコニア磁器を隔壁として第2電極を形
成しMNNセン用素子とづることを特徴どする磁器製造
法。 6、主どしてセラミック材料よりなる基板と主として金
属また(、i加熱により金属を生じ得る化合物からなる
第1の電極層及び第2の電極層と、主としてジルコニア
よりなる粉末を乾式粉砕しこの乾式粉砕した粉末を非水
溶液系スラリーとし、これを成形したジルコニア未焼成
層どを、第1の電極層に対して焼成後においてジルコニ
ア磁器が隔壁となる位置に第2の電極層を設けた積層構
造体に形成し、1100℃以上で焼成し酸素センサ用素
子とすることを特徴とする磁器製造法。 7、乾式粉砕した粉末の比表面積が5m210以−にで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6
項のいずれかに記載の磁器′yA造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144476A JPS6036369A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁器製造法 |
US06/636,359 US4585499A (en) | 1983-08-09 | 1984-07-31 | Method of producing ceramics |
EP84305430A EP0134136B1 (en) | 1983-08-09 | 1984-08-09 | A method of producing ceramics |
DE8484305430T DE3483501D1 (de) | 1983-08-09 | 1984-08-09 | Verfahren zur herstellung von keramischen koerpern. |
US06/820,612 US4735666A (en) | 1983-08-09 | 1986-01-21 | Method of producing ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144476A JPS6036369A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁器製造法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63221071A Division JPH01131448A (ja) | 1988-09-03 | 1988-09-03 | 酸素センサ用素子の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6036369A true JPS6036369A (ja) | 1985-02-25 |
JPH0159232B2 JPH0159232B2 (ja) | 1989-12-15 |
Family
ID=15363183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144476A Granted JPS6036369A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁器製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4585499A (ja) |
EP (1) | EP0134136B1 (ja) |
JP (1) | JPS6036369A (ja) |
DE (1) | DE3483501D1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01131448A (ja) * | 1988-09-03 | 1989-05-24 | Ngk Insulators Ltd | 酸素センサ用素子の製造法 |
JP2010204088A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Nippon Soken Inc | ガスセンサ用固体電解質、その製造方法、及びそれを用いたガスセンサ |
CN115894016A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-04-04 | 圣泉(扬州)新材料科技有限公司 | 一种氧化锆陶瓷制备方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4722661A (en) * | 1985-10-09 | 1988-02-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Magnetic-drive centrifugal pump |
JPS6291692A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-27 | Ngk Insulators Ltd | 回転機器用マグネツト駆動装置 |
DE3543818A1 (de) * | 1985-12-12 | 1987-06-25 | Draegerwerk Ag | Gassensor mit einem festelektrolyten aus tetragonalem zirkondioxid |
JPH0640094B2 (ja) * | 1986-03-17 | 1994-05-25 | 日本碍子株式会社 | 電気化学的装置 |
IL82160A (en) * | 1987-04-10 | 1991-03-10 | Technion Res & Dev Foundation | Electrochemical analyzer for measuring the concentration of atoms or molecules in a fluid and method of making same |
US5180696A (en) * | 1987-06-11 | 1993-01-19 | Hitachi Metals, Ltd. | High-toughness zro2 sintered body and method of producing same |
EP0328041B1 (en) * | 1988-02-08 | 1994-09-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Ceramic implant and process for its production |
JPH065656B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1994-01-19 | 株式会社村田製作所 | セラミック積層体の製造方法 |
US5034358A (en) * | 1989-05-05 | 1991-07-23 | Kaman Sciences Corporation | Ceramic material and method for producing the same |
JP2766029B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1998-06-18 | 日本碍子株式会社 | セラミックグリーンシート材及び電気化学的素子並びにその製造方法 |
US5087595A (en) * | 1990-07-18 | 1992-02-11 | Allied-Signal, Inc. | Injection molding of zirconia oxygen sensor thimbles by an aqueous process |
GB9023091D0 (en) * | 1990-10-24 | 1990-12-05 | Ici Plc | Composite membranes and electrochemical cells containing them |
US5290323A (en) * | 1990-12-10 | 1994-03-01 | Yuasa Corporation | Manufacturing method for solid-electrolyte fuel cell |
US5320916A (en) * | 1990-12-28 | 1994-06-14 | Yuasa Corporation | Separator for alkali-zinc battery |
US5454801A (en) * | 1992-10-09 | 1995-10-03 | Mcneil-Ppc, Inc. | Printed polymer coatings and method for making same |
DE4238688A1 (de) * | 1992-11-17 | 1994-05-19 | Bosch Gmbh Robert | Gesinterter Festelektrolyt mit hoher Sauerstoffionenleitfähigkeit |
US5525559A (en) * | 1993-02-13 | 1996-06-11 | Tioxide Specialties Limited | Preparation of mixed powders |
DE4317174A1 (de) * | 1993-05-22 | 1994-11-24 | Bosch Gmbh Robert | Verbundsystem mit mindestens zwei anorganischen keramischen Schichten und Verfahren zu deren Herstellung |
JP3429095B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2003-07-22 | ツイマー・アクチェンゲゼルシャフト | α,ω−ジニトリルに基づくポリアミドの製造方法 |
JP4008056B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2007-11-14 | 株式会社デンソー | セラミック積層体の製造方法 |
US5762737A (en) * | 1996-09-25 | 1998-06-09 | General Motors Corporation | Porous ceramic and process thereof |
US6946208B2 (en) | 1996-12-10 | 2005-09-20 | Siemens Westinghouse Power Corporation | Sinter resistant abradable thermal barrier coating |
US6930066B2 (en) * | 2001-12-06 | 2005-08-16 | Siemens Westinghouse Power Corporation | Highly defective oxides as sinter resistant thermal barrier coating |
US6656336B2 (en) * | 2001-01-25 | 2003-12-02 | The Regents Of The University Of California | Method for forming a potential hydrocarbon sensor with low sensitivity to methane and CO |
WO2002059559A2 (en) * | 2001-01-25 | 2002-08-01 | The Regents Of The University Of California | Hydrocarbon sensor |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5916831B2 (ja) * | 1978-07-24 | 1984-04-18 | 日産自動車株式会社 | 膜構造型酸素センサ−の製造方法 |
JPS5546130A (en) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | Hitachi Ltd | Oxygen sensor |
DE2852638C2 (de) * | 1978-12-06 | 1986-01-16 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Gassensor mit Cermet- Elektroden |
US4334940A (en) * | 1979-07-16 | 1982-06-15 | Uop Inc. | Method of making solid electrolyte oxygen sensor with integral heater |
JPS5642909A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-21 | Ngk Insulators Ltd | Solid electrolyte |
JPS56111455A (en) * | 1980-02-07 | 1981-09-03 | Nippon Denso Co Ltd | Solid electrolyte body for oxygen sensor |
JPS5893862U (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 酸素センサ |
US4505807A (en) * | 1982-02-22 | 1985-03-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Oxygen sensor |
US4507394A (en) * | 1982-12-24 | 1985-03-26 | Ngk Insulators, Ltd. | High electric resistant zirconia and/or hafnia ceramics |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58144476A patent/JPS6036369A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-31 US US06/636,359 patent/US4585499A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-09 DE DE8484305430T patent/DE3483501D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-09 EP EP84305430A patent/EP0134136B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-01-21 US US06/820,612 patent/US4735666A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01131448A (ja) * | 1988-09-03 | 1989-05-24 | Ngk Insulators Ltd | 酸素センサ用素子の製造法 |
JPH0579941B2 (ja) * | 1988-09-03 | 1993-11-05 | Ngk Insulators Ltd | |
JP2010204088A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Nippon Soken Inc | ガスセンサ用固体電解質、その製造方法、及びそれを用いたガスセンサ |
JP4724772B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-07-13 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | ガスセンサ用固体電解質、その製造方法、及びそれを用いたガスセンサ |
CN115894016A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-04-04 | 圣泉(扬州)新材料科技有限公司 | 一种氧化锆陶瓷制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0134136A3 (en) | 1986-12-30 |
JPH0159232B2 (ja) | 1989-12-15 |
US4585499A (en) | 1986-04-29 |
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EP0134136A2 (en) | 1985-03-13 |
DE3483501D1 (de) | 1990-12-06 |
US4735666A (en) | 1988-04-05 |
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