JPS602672Y2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS602672Y2 JPS602672Y2 JP10044079U JP10044079U JPS602672Y2 JP S602672 Y2 JPS602672 Y2 JP S602672Y2 JP 10044079 U JP10044079 U JP 10044079U JP 10044079 U JP10044079 U JP 10044079U JP S602672 Y2 JPS602672 Y2 JP S602672Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output signal
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、出力信号の過渡変化を高速化することを目
的とした半導体集積回路装置に関するものである。
的とした半導体集積回路装置に関するものである。
この考案は、増幅器の２つの互いに相補関係にある信号
出力に、抵抗、容量から成る微分回路とＭＯＳトランジ
スタ（金属−酸化均一半導体形トランジスタ）またはバ
イポーラトランジスタからなる回路を付加することによ
り、増幅器出力の過渡変化を高速化することができる半
導体集積回路装置を提供することを目的としている。
出力に、抵抗、容量から成る微分回路とＭＯＳトランジ
スタ（金属−酸化均一半導体形トランジスタ）またはバ
イポーラトランジスタからなる回路を付加することによ
り、増幅器出力の過渡変化を高速化することができる半
導体集積回路装置を提供することを目的としている。
以下この考案について説明する。
第１図はこの考案の一実施例を示す回路図で、１は増幅
器の入力信号、２は増幅器、３，４は互いに相補関係に
ある前記増幅器２の出力信号線、５．６はＭＯ３容量な
どの容量、７，８は拡散層、ポリシリコンなどの抵抗体
であり、これらで微分回路が構成される。
器の入力信号、２は増幅器、３，４は互いに相補関係に
ある前記増幅器２の出力信号線、５．６はＭＯ３容量な
どの容量、７，８は拡散層、ポリシリコンなどの抵抗体
であり、これらで微分回路が構成される。
９はバイア又電圧供給用定電圧電源、１０．１１はＭＯ
３Ｔである。
３Ｔである。
次に動作について説明する。
増幅器２がスタティックな状態では、ＭＯ３ＴＩ Ｏ，
１１の各ゲートはバイアス電圧供給用定電圧電源９によ
り抵抗体７，８を通して適当な電圧にバイアスされてい
る。
１１の各ゲートはバイアス電圧供給用定電圧電源９によ
り抵抗体７，８を通して適当な電圧にバイアスされてい
る。
入力信号１の変化に応じて出力信号線３，４に出力され
る出力信号が変化すると、ＭＯ３Ｔ ｌ０のゲートには
出力信号線４の出力信号の微分信号が、また、ＭＯ３Ｔ
Ｉ １のゲートには出力信号線３の出力信号の微分信号
が印加される。
る出力信号が変化すると、ＭＯ３Ｔ ｌ０のゲートには
出力信号線４の出力信号の微分信号が、また、ＭＯ３Ｔ
Ｉ １のゲートには出力信号線３の出力信号の微分信号
が印加される。
したがって、出力信号が高電圧から低電圧に変化する方
は、ＭＯＳＴのゲートにバイアス電圧より高い電圧が印
加され、ＭＯＳＴのドレイン・ソース間インピーダンス
は小さくなり、出力信号の高電圧から抵電圧への変化は
加速される。
は、ＭＯＳＴのゲートにバイアス電圧より高い電圧が印
加され、ＭＯＳＴのドレイン・ソース間インピーダンス
は小さくなり、出力信号の高電圧から抵電圧への変化は
加速される。
また、出力信号が低電圧から高電圧に変化する方も、バ
イアス電圧の適当な設定により、ＭＯＳＴのゲートにバ
イアス電圧よりも低く、ＭＯＳＴのしきい値電圧よりも
低い電圧が加算され、ＭＯＳＴのドレイン・ソース間イ
ンピーダンスは非常に大キ＜なり、出力信号の低電圧か
ら高電圧への変化をさまたげることはない。
イアス電圧の適当な設定により、ＭＯＳＴのゲートにバ
イアス電圧よりも低く、ＭＯＳＴのしきい値電圧よりも
低い電圧が加算され、ＭＯＳＴのドレイン・ソース間イ
ンピーダンスは非常に大キ＜なり、出力信号の低電圧か
ら高電圧への変化をさまたげることはない。
出力信号の変化が終了すると、ゲート電圧は抵抗体と容
量で決定される時定数で、バイアス電圧に復帰し次の出
力電圧の変化に対応できるようになる。
量で決定される時定数で、バイアス電圧に復帰し次の出
力電圧の変化に対応できるようになる。
なお、上記実施例では１０．１１をＭＯＳＴで構成した
が、第２図に示すようにバイポーラトランジスタ１２．
１３で構成してもよい。
が、第２図に示すようにバイポーラトランジスタ１２．
１３で構成してもよい。
また、抵抗体７，８はデプレッション形ＭＯ３Ｔを用い
てもよい。
てもよい。
以上説明したように、この考案によれば増幅器の２つの
相補関係にある信号出力線と接地間にそれぞれスイッチ
ング素子を接続し、各スイッチング素子の制御端子をそ
れぞれ相補関係にある信号出力線に微分回路を介して接
続したので、出力信号の過渡変化を高速化できる利点が
ある。
相補関係にある信号出力線と接地間にそれぞれスイッチ
ング素子を接続し、各スイッチング素子の制御端子をそ
れぞれ相補関係にある信号出力線に微分回路を介して接
続したので、出力信号の過渡変化を高速化できる利点が
ある。
第１図はこの考案の一実施例を示す回路図、第２図はこ
の考案の他の実施例を示す回路図である。 図中、１は入力信号、２は増幅器、３，４は出力信号線
、５，６は容量、７．８は抵抗体、９はバイアス電圧供
給用定電圧電源、１０．１１はＭＯＳＴ、 １２．
１３はバイポーラトランジスタである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
の考案の他の実施例を示す回路図である。 図中、１は入力信号、２は増幅器、３，４は出力信号線
、５，６は容量、７．８は抵抗体、９はバイアス電圧供
給用定電圧電源、１０．１１はＭＯＳＴ、 １２．
１３はバイポーラトランジスタである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- （１） 増幅器の２つの互いに相補関係にある出力信
号線と接地間にそれぞれスイッチング素子を接続し、前
記各スイッチング素子の制御端子をそれぞれ微分回路を
介してそのスイッチング素子が接続された出力信号線と
相補関係にある出力信号線にそれぞれ接続するとともに
、前記各制御端子にそれぞれバイアス電圧を印加したこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。 - （２） スイッチング素子にＭＯＳトランジスタを用
い、そのドレインを出力信号線に接続し、ソースを接地
し、ゲートを制御端子としたことを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第（１）項記載の半導体集積回路装置。 - （３）微分回路は、ＭＯ３容量とポリシリコン抵抗で構
成されたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第（
２）項記載の半導体集積回路装置。 - （４） 微分回路は、ＭＯ３容量と拡散層の抵抗で構
成されたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第（
２）項記載の半導体集積回路装置。 - （５）スイッチング素子にバイポーラ形トランジスタを
用い、そのコレクタを出力信号線に接続し、エミッタを
接地し、ベースを制御端子としたことを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第（１）項記載の半導体集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044079U JPS602672Y2 (ja) | 1979-07-19 | 1979-07-19 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044079U JPS602672Y2 (ja) | 1979-07-19 | 1979-07-19 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5617734U JPS5617734U (ja) | 1981-02-16 |
| JPS602672Y2 true JPS602672Y2 (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=29333169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10044079U Expired JPS602672Y2 (ja) | 1979-07-19 | 1979-07-19 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602672Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615572U (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-14 | 油谷鉄工株式会社 | 工具におけるソケツトの取付構造 |
-
1979
- 1979-07-19 JP JP10044079U patent/JPS602672Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5617734U (ja) | 1981-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920001828A (ko) | 적분 회로 | |
| JPS5990412A (ja) | 双方向性定電流駆動回路 | |
| GB1319717A (en) | Integrated circuit amplifier having a gain-versus-frequency characteristic | |
| GB798523A (en) | Improvements relating to transistor amplifier circuits | |
| KR880008511A (ko) | 액티브 필터 | |
| JPS602672Y2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US4335359A (en) | Monolithically integrable lowpass filter circuit | |
| JP2528091B2 (ja) | 集積回路 | |
| JPH0287810A (ja) | 差動増幅回路 | |
| JPH0226815B2 (ja) | ||
| JPH04213211A (ja) | 電圧に制御される抵抗をもった回路 | |
| JPS5855455Y2 (ja) | 定電流回路 | |
| JPS5924196Y2 (ja) | Ｆｅｔスイツチ回路 | |
| SU1539966A1 (ru) | Усилитель-ограничитель | |
| JPS5936016Y2 (ja) | 電力増幅器 | |
| JPS593607Y2 (ja) | 相補差動増幅器 | |
| JP3074886B2 (ja) | 増幅器 | |
| JPH04129305A (ja) | カレントミラー回路 | |
| JPS63187421U (ja) | ||
| JP3161233B2 (ja) | フィルタ回路 | |
| JPS6229962Y2 (ja) | ||
| JPS6034289B2 (ja) | 利得制御装置 | |
| JPH05315888A (ja) | 移相回路 | |
| JPH02105617A (ja) | ディジタル信号を増幅する増幅器装置 | |
| JPS5634210A (en) | Agc circuit |