JPS60227458A - 半導体集積回路装置における熱遮断装置 - Google Patents
半導体集積回路装置における熱遮断装置Info
- Publication number
- JPS60227458A JPS60227458A JP59085334A JP8533484A JPS60227458A JP S60227458 A JPS60227458 A JP S60227458A JP 59085334 A JP59085334 A JP 59085334A JP 8533484 A JP8533484 A JP 8533484A JP S60227458 A JPS60227458 A JP S60227458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- base
- whose
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1906—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体集積回路装置において、装置が熱破壊す
るのを防止する熱遮断装置に関するものである。
るのを防止する熱遮断装置に関するものである。
従来のこの種の装置の一例を第１図に示し説明すると、
図において、１は定電流回路、３は定電流用ＰＮＰ ）
ランジスタ、６は出力用ｐＮＰ ）ランジスタ、８は感
熱用ＮＰＮ ）ランジスタ、２，５．７は電流制限用抵
抗、４は基準電圧設定用抵抗である。
図において、１は定電流回路、３は定電流用ＰＮＰ ）
ランジスタ、６は出力用ｐＮＰ ）ランジスタ、８は感
熱用ＮＰＮ ）ランジスタ、２，５．７は電流制限用抵
抗、４は基準電圧設定用抵抗である。
そして、定電流用ＰＮＰ ）ランジスタ３のベースは定
電流回路１に接続され、エミッタは抵抗２を介して電源
端子１００に接続され、コレクタは抵抗４を介して接地
端子３００に接続されている。また、感熱用ＮＰＮ ）
ランラスタ８０ペースは上記ＰＮＰ ）ランジスタ３の
コレクタに接続され、コレクタは抵抗７．５を直列に介
して電源端子１００に接続され、エミッタは接地端子３
００に接続されている。
電流回路１に接続され、エミッタは抵抗２を介して電源
端子１００に接続され、コレクタは抵抗４を介して接地
端子３００に接続されている。また、感熱用ＮＰＮ ）
ランラスタ８０ペースは上記ＰＮＰ ）ランジスタ３の
コレクタに接続され、コレクタは抵抗７．５を直列に介
して電源端子１００に接続され、エミッタは接地端子３
００に接続されている。
また、出力用ＰＮＰ ）ランジスタロのベースは抵抗５
、γの接続点に接続され、エミッタは電源端子１００に
接続され、コレクタは出力端子２００に接続されている
。
、γの接続点に接続され、エミッタは電源端子１００に
接続され、コレクタは出力端子２００に接続されている
。
このように構成された回路において、定電流回路１で作
られた定電流をカレントミラー回路で定電流用の円卯ト
ランジスタ３のコレクタ電流を定電流化し、基準電圧設
定用抵抗４を通して感熱用のＮＰＮ ）ランジスタ８の
ベースに定電圧を作シ出す。ここで、１．は定電流を示
す。そして、この感熱用ＮＰＮ ）ランジスタ８のベー
ス・エミッタ間電圧ＶｔＶの温度変化によシ定電圧よシ
ベース・エミッタ間電圧ＶＢＩＣが低くなったとき感熱
用のＮＰＮトランジスタ８がオン状態となシ、出力用Ｐ
ＮＰ ）ランジスタロをオンさせ、出力端子２００に接
続された回路の動作を遮断させる。
られた定電流をカレントミラー回路で定電流用の円卯ト
ランジスタ３のコレクタ電流を定電流化し、基準電圧設
定用抵抗４を通して感熱用のＮＰＮ ）ランジスタ８の
ベースに定電圧を作シ出す。ここで、１．は定電流を示
す。そして、この感熱用ＮＰＮ ）ランジスタ８のベー
ス・エミッタ間電圧ＶｔＶの温度変化によシ定電圧よシ
ベース・エミッタ間電圧ＶＢＩＣが低くなったとき感熱
用のＮＰＮトランジスタ８がオン状態となシ、出力用Ｐ
ＮＰ ）ランジスタロをオンさせ、出力端子２００に接
続された回路の動作を遮断させる。
しかしながら、このような熱遮断装置においては、遮断
設定温度が一点になっているため、集積回路の温度は遮
断温度が持続してしまう。そして、この遮断設定温度は
通常、高温に設定しであるため、長時間持続した場合に
は特性劣化するおそれがある。このように、半導体集積
回路で過熱保護する場合、長時間保護する場合には、高
熱で特性劣化するおそれがあるという欠点があった。
設定温度が一点になっているため、集積回路の温度は遮
断温度が持続してしまう。そして、この遮断設定温度は
通常、高温に設定しであるため、長時間持続した場合に
は特性劣化するおそれがある。このように、半導体集積
回路で過熱保護する場合、長時間保護する場合には、高
熱で特性劣化するおそれがあるという欠点があった。
本発明は以上の点に鑑み、このような問題を解決すると
共にかかる欠点を除去すべくなされたもので、その目的
は比較的簡単な回路構成によって高温状態が持続する場
合でも半導体回路装置を安全に保護することができ、低
温になるまで再動作を防止することができる半導体集積
回路装置における熱遮断装置を提供することにある。
共にかかる欠点を除去すべくなされたもので、その目的
は比較的簡単な回路構成によって高温状態が持続する場
合でも半導体回路装置を安全に保護することができ、低
温になるまで再動作を防止することができる半導体集積
回路装置における熱遮断装置を提供することにある。
このような目的を達成するため、本発明は、ベースが定
電流回路に接続されエミッタがそれぞれ抵抗を介して電
源に接続された定電流用の第１および第２のトランジス
タと、コレクタとベースが上記第１のトランジスタのコ
レクタに接続されエミッタが抵抗を介して接地されるカ
レントミラー用の第３のトランジスタと、この第３のト
ランジスタのベースにベースが接続されコレクタが上記
第２のトランジスタのコレクタに接続されエミッタが抵
抗を介して接地される第４のトランジスタと、この第４
のトランジスタのコレクタと接地間に接続された基準電
圧設定用の抵抗と、上記第４のトランジスタのコレクタ
にベースが接続されコレクタが２つの抵抗を直列に介し
て上記電源に接続されエミッタが接地される感熱用の第
５のトランジスタと、ベースが上記直列に接続された抵
抗の接続点に接続されエミッタが上記電源に接続されマ
ルチコレクタの一方が出力端子に接続される出力用の第
６のトランジスタと、ベースが抵抗を介して上記第６の
トランジスタのマルチコレクタの他方に接続されコレク
タが前記第３のトランジスタのベースに接続されエミッ
タが接地されるヒステリシス用の第７のトランジスタと
を備えて構成するようにしたものである。
電流回路に接続されエミッタがそれぞれ抵抗を介して電
源に接続された定電流用の第１および第２のトランジス
タと、コレクタとベースが上記第１のトランジスタのコ
レクタに接続されエミッタが抵抗を介して接地されるカ
レントミラー用の第３のトランジスタと、この第３のト
ランジスタのベースにベースが接続されコレクタが上記
第２のトランジスタのコレクタに接続されエミッタが抵
抗を介して接地される第４のトランジスタと、この第４
のトランジスタのコレクタと接地間に接続された基準電
圧設定用の抵抗と、上記第４のトランジスタのコレクタ
にベースが接続されコレクタが２つの抵抗を直列に介し
て上記電源に接続されエミッタが接地される感熱用の第
５のトランジスタと、ベースが上記直列に接続された抵
抗の接続点に接続されエミッタが上記電源に接続されマ
ルチコレクタの一方が出力端子に接続される出力用の第
６のトランジスタと、ベースが抵抗を介して上記第６の
トランジスタのマルチコレクタの他方に接続されコレク
タが前記第３のトランジスタのベースに接続されエミッ
タが接地されるヒステリシス用の第７のトランジスタと
を備えて構成するようにしたものである。
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による半導体集積回路装置における熱遮
断装置の一実施例を示す回路図である。
断装置の一実施例を示す回路図である。
この第２図において第１図と同一符号のものは相当部分
を示し、１０．１２は定電流用のＰＮＰ ）ランジスタ
、１３．１６はカレントミラー用のＮＰＮ ）ランジス
タ、１８はヒステリシス用のＮＰＮトランジスタである
。なお、６はマルチコレクタの出力用のＰＮＰ ）ラン
ジスタである。
を示し、１０．１２は定電流用のＰＮＰ ）ランジスタ
、１３．１６はカレントミラー用のＮＰＮ ）ランジス
タ、１８はヒステリシス用のＮＰＮトランジスタである
。なお、６はマルチコレクタの出力用のＰＮＰ ）ラン
ジスタである。
そして、ＰＮＰ ）ランジスタ１０．１２のベースは定
電流回路１に接続され、エミッタはそれぞれ抵抗９，１
０を介して電源端子１００に接続されている。また、Ｎ
ＰＮ）ランジスタ１３のコレクタおよびベースはＰＮＰ
）ランジスタ１０のコレクタに接続され、ＮＰＮトラ
ンジスタ１３のエミッタは抵抗１４を介して接地端子３
００に接続されている。
電流回路１に接続され、エミッタはそれぞれ抵抗９，１
０を介して電源端子１００に接続されている。また、Ｎ
ＰＮ）ランジスタ１３のコレクタおよびベースはＰＮＰ
）ランジスタ１０のコレクタに接続され、ＮＰＮトラ
ンジスタ１３のエミッタは抵抗１４を介して接地端子３
００に接続されている。
また、ＮＰＮ ）ランジスタ１６のベースはＮＰＮ ）
ランジスタ１３のベースに接続され、とのＮＰＮ ）ラ
ンジスタ１６のコレクタはＰＮＰ ）ランジスタ１２の
コレクタに接続されると共に基準電圧設定用の抵抗４を
介して接地端子３００に接続され、ＮＰＮ ）ランジス
タ１６のエミッタは抵抗１５を介して接地端子３００に
接続されている。また、感熱用のＮＰＮ ）ランジスタ
８のベースはＮＰＮ ）ランジスタ１６のコレクタに接
続されている。また、ＮＰＮ）ランジスタ１８のベース
は抵抗１７を介してＰＮＰトランジスタ６のマルチコレ
クタの他方に接続され、とのＮＰＮ ）ランジスタ１８
のコレクタはＮＰＮトランジスタ１３のベースに接続さ
れ、ＮＰＮトランジスタ１８のエミッタは接地端子３０
０に接続されている。そして、上記ＰＮＰ ）ランジス
タロのマルチコレクタの一方は出力端子２０Ｇに接続さ
れている。
ランジスタ１３のベースに接続され、とのＮＰＮ ）ラ
ンジスタ１６のコレクタはＰＮＰ ）ランジスタ１２の
コレクタに接続されると共に基準電圧設定用の抵抗４を
介して接地端子３００に接続され、ＮＰＮ ）ランジス
タ１６のエミッタは抵抗１５を介して接地端子３００に
接続されている。また、感熱用のＮＰＮ ）ランジスタ
８のベースはＮＰＮ ）ランジスタ１６のコレクタに接
続されている。また、ＮＰＮ）ランジスタ１８のベース
は抵抗１７を介してＰＮＰトランジスタ６のマルチコレ
クタの他方に接続され、とのＮＰＮ ）ランジスタ１８
のコレクタはＮＰＮトランジスタ１３のベースに接続さ
れ、ＮＰＮトランジスタ１８のエミッタは接地端子３０
０に接続されている。そして、上記ＰＮＰ ）ランジス
タロのマルチコレクタの一方は出力端子２０Ｇに接続さ
れている。
つぎにこの第２図に示す実施例の動作を説明する。
まず、第１図に示す従来の回路で一定となっていた定電
流工０を定電流用の２つのＰＮＰ ）ランジスタ１０．
１２によって定電流ｉ、 ｌ Ｉ２の２つの定電流を作
シ、カレントミラー回路を形成するＮＰＮ ）ランジス
タ１３．１６によって通常の場合、ｌ０＝Ｉ、−Ｉ２と
なるような構成とする。
流工０を定電流用の２つのＰＮＰ ）ランジスタ１０．
１２によって定電流ｉ、 ｌ Ｉ２の２つの定電流を作
シ、カレントミラー回路を形成するＮＰＮ ）ランジス
タ１３．１６によって通常の場合、ｌ０＝Ｉ、−Ｉ２と
なるような構成とする。
そして、温度が上昇し、感熱用ＮＰＮ ）ランジスタ８
がオン状態に移行するまでは第１図に示す従来の回路動
作と同様である。
がオン状態に移行するまでは第１図に示す従来の回路動
作と同様である。
ここで、従来と異なるのは、感熱用のＮＰＮ ）ランジ
スタ８が一度オンになると、出力用のｐＮＰ ）ジンジ
スタロを通して感熱用ＮＰＮ ）ランジスタ８がオンす
るため、カレントミラー回路を形成するＮＰＮ ）ラン
ジスタ１３．１６が遮断してしまい、■２＝０となシ、
Ｉｏ＝Ｉ、となる。よって、感熱用のＮＰＮ ）ランジ
スタ８のベースに印加する基準電圧が最初の値よシ高く
なシ、ベース・エミッタ間電圧ｖｅｘがその電圧になる
まで出力用のＰＮＰ ）ランジスタロはオン状態を持続
する。っまシ、温度が第２の設定温度になるまで出力端
子２００に接続された回路動作を遮断している状態とな
る。なお、出力用のＰＮＰ ）ランジスタロがオンする
と、ヒステリシス用のＮＰＮ ）ランジスタ１８にはベ
ース電流が流れるのでオン状態に移行する。
スタ８が一度オンになると、出力用のｐＮＰ ）ジンジ
スタロを通して感熱用ＮＰＮ ）ランジスタ８がオンす
るため、カレントミラー回路を形成するＮＰＮ ）ラン
ジスタ１３．１６が遮断してしまい、■２＝０となシ、
Ｉｏ＝Ｉ、となる。よって、感熱用のＮＰＮ ）ランジ
スタ８のベースに印加する基準電圧が最初の値よシ高く
なシ、ベース・エミッタ間電圧ｖｅｘがその電圧になる
まで出力用のＰＮＰ ）ランジスタロはオン状態を持続
する。っまシ、温度が第２の設定温度になるまで出力端
子２００に接続された回路動作を遮断している状態とな
る。なお、出力用のＰＮＰ ）ランジスタロがオンする
と、ヒステリシス用のＮＰＮ ）ランジスタ１８にはベ
ース電流が流れるのでオン状態に移行する。
かくして、上記熱的ヒステリシス動作によシ高温動作を
防止することができる。
防止することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、複雑な手段を用
いることなく、熱的ヒステリシスを保護回路に入れ低温
になるまで再動作を防止するようにした比較的簡単な回
路構成によって、高温状態が長時間持続する場合でも半
導体集積回路装置を安全に保護することができるので、
実用上の効果は極めて大である。
いることなく、熱的ヒステリシスを保護回路に入れ低温
になるまで再動作を防止するようにした比較的簡単な回
路構成によって、高温状態が長時間持続する場合でも半
導体集積回路装置を安全に保護することができるので、
実用上の効果は極めて大である。
第１図は従来の半導体集積回路装置における熱遮断装置
の一例を示す回路図、第２図は本発明による半導体集積
回路装置における熱遮断装置の一実施例を示す回路図で
ある。 ６・・・・出力用ＰＮＰ ）ランジスタ、８・・−・感
熱用ＮＰＮ ）ランジスタ、１３．１６・・・・カレン
トミラー用ＮＰＮ ）ランジスタ、１８・・・・ヒステ
リシス用ＮＰＮ ）ランジスタ、４，５，７，９゜１１
．１４，１５．１７・−・・抵抗、１００・・・・電源
端子、２００・・・・出力端子、３００・・・・接地端
子。 代理人大岩増雄
の一例を示す回路図、第２図は本発明による半導体集積
回路装置における熱遮断装置の一実施例を示す回路図で
ある。 ６・・・・出力用ＰＮＰ ）ランジスタ、８・・−・感
熱用ＮＰＮ ）ランジスタ、１３．１６・・・・カレン
トミラー用ＮＰＮ ）ランジスタ、１８・・・・ヒステ
リシス用ＮＰＮ ）ランジスタ、４，５，７，９゜１１
．１４，１５．１７・−・・抵抗、１００・・・・電源
端子、２００・・・・出力端子、３００・・・・接地端
子。 代理人大岩増雄
Claims (1)
- ベースが定電流回路に接続されエミッタがそれぞれ抵抗
を介して電源に接続された定電流用の第１および第２の
トランジスタと、コレクタとベースが前記第１のトラン
ジスタのコレクタに接続されエミッタが抵抗を介して接
地されるカレントミラー用の第３のトランジスタと、こ
の第３のトランジスタのベースにベースが接続されコレ
クタが前記第２のトランジスタのコレクタに接続されエ
ミッタが抵抗を介して接地される第４のトランジスタと
、この第４のトランジスタのコレクタと接地間に接続さ
れた基準電圧設定用の抵抗と、前記第４のトランジスタ
のコレクタにベースが接続されコレクタが２つの抵抗を
直列に介して前記電源に接続されエミッタが接地される
感熱用の第５のトランジスタと、ベースが前記直列に接
続された抵抗の接続点に接続されエミッタが前記電源に
接続されマルチコレクタの一方が出力端子に接続される
出力用の第６のトランジスタと、ベースが抵抗を介して
前記第６のトランジスタのマルチコレクタの他方に接続
されコレクタが前記第３のトランジスタのベースに接続
されエミッタが接地されるヒステリシス用の第７のトラ
ンジスタとを備えたことを特徴とする半導体集積回路装
置における熱遮断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085334A JPS60227458A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体集積回路装置における熱遮断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085334A JPS60227458A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体集積回路装置における熱遮断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227458A true JPS60227458A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13855738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59085334A Pending JPS60227458A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体集積回路装置における熱遮断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161920A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4887338U (ja) * | 1972-01-26 | 1973-10-22 | ||
| JPS4995235U (ja) * | 1972-12-12 | 1974-08-16 | ||
| JPS5673501U (ja) * | 1979-11-07 | 1981-06-16 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59085334A patent/JPS60227458A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4887338U (ja) * | 1972-01-26 | 1973-10-22 | ||
| JPS4995235U (ja) * | 1972-12-12 | 1974-08-16 | ||
| JPS5673501U (ja) * | 1979-11-07 | 1981-06-16 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161920A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2598154B2 (ja) | 温度検出回路 | |
| US4186418A (en) | Overvoltage protected integrated circuit network, to control current flow through resistive or inductive loads | |
| JPH0683042B2 (ja) | 出力ドライバ回路 | |
| JP3081228B2 (ja) | 埋め込み型サーマルターンオフを有するイネーブル回路 | |
| US4623950A (en) | Protective device for a power element of an integrated circuit | |
| JPH01302849A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS60227458A (ja) | 半導体集積回路装置における熱遮断装置 | |
| US5654861A (en) | Thermal protection circuit | |
| JP2543118B2 (ja) | 過熱遮断回路 | |
| JPH02248113A (ja) | 狭いしきい値変動範囲を有する過熱防止トリガ回路 | |
| JP2546051Y2 (ja) | 安定化電源回路 | |
| JPS61296803A (ja) | 積層ｐｎｐトランジスタ−の反飽和回路 | |
| JPH061421B2 (ja) | 熱遮断回路 | |
| JP2826322B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS618634A (ja) | 熱検知回路 | |
| JPH0259630A (ja) | 温度検出回路 | |
| JP3414462B2 (ja) | 安定化電源回路 | |
| JPS6223131Y2 (ja) | ||
| JPS63281031A (ja) | チツプ温度検出回路 | |
| KR100193638B1 (ko) | 과전류 및 과온도 보호회로 | |
| JPS5914819Y2 (ja) | 電源回路 | |
| JPH04113664A (ja) | 半導体保護回路 | |
| JPH0140200Y2 (ja) | ||
| KR890006236Y1 (ko) | 히스테리시스 특성을 갖는 열차단 회로 | |
| JPH0518125B2 (ja) |