JPS60214772A - ７β‐アミノ‐３（または‐２）‐セフエム‐３‐オール‐４‐カルボン酸化合物または２‐オキソアゼチジン化合物の製法 - Google Patents
７β‐アミノ‐３（または‐２）‐セフエム‐３‐オール‐４‐カルボン酸化合物または２‐オキソアゼチジン化合物の製法Info
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- JPS60214772A JPS60214772A JP60048493A JP4849385A JPS60214772A JP S60214772 A JPS60214772 A JP S60214772A JP 60048493 A JP60048493 A JP 60048493A JP 4849385 A JP4849385 A JP 4849385A JP S60214772 A JPS60214772 A JP S60214772A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C313/00—Sulfinic acids; Sulfenic acids; Halides, esters or anhydrides thereof; Amides of sulfinic or sulfenic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfinic or sulfenic groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
- C07C313/02—Sulfinic acids; Derivatives thereof
- C07C313/04—Sulfinic acids; Esters thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D205/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D205/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D205/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
- C07D205/09—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams with a sulfur atom directly attached in position 4
- C07D205/095—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams with a sulfur atom directly attached in position 4 and with a nitrogen atom directly attached in position 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エノール誘導体、詳しくは弐〇＝Ｃ−Ｒ２
〔この式でＲ）は水素原子またはアミン保護基Ｒ１であ
りそし？Ｒ１は水素原子また紘アシル基ＡＣであるかま
たはこれらＲ；と蛸とはその両方で２価のアミノ保護基
を表わし、Ｒ２はヒドロキシルまたは式中の基−〇（＝
Ｏ）−といっしょに保護されたカルブキシル基を形成し
ている基吋でありそしてＲ３は水素原子、低級アルキル
基またはヒドロキシ保護基である〕 で表わされる７β−アミノ−３−セフェム−３−オール
−４−カル？ン酸化合物または式（ＩＡ）の３−セフェ
ム化合物の１−オキシド、あるいは式（この式でＲ？と
鱈とＲ２とＲ３とは前に与えた意味をもつ） で表わされる相当する２−セフェム化合物、あるいは塩
形成基をもつこれら化合物の塩の製法に関するものであ
る。
りそし？Ｒ１は水素原子また紘アシル基ＡＣであるかま
たはこれらＲ；と蛸とはその両方で２価のアミノ保護基
を表わし、Ｒ２はヒドロキシルまたは式中の基−〇（＝
Ｏ）−といっしょに保護されたカルブキシル基を形成し
ている基吋でありそしてＲ３は水素原子、低級アルキル
基またはヒドロキシ保護基である〕 で表わされる７β−アミノ−３−セフェム−３−オール
−４−カル？ン酸化合物または式（ＩＡ）の３−セフェ
ム化合物の１−オキシド、あるいは式（この式でＲ？と
鱈とＲ２とＲ３とは前に与えた意味をもつ） で表わされる相当する２−セフェム化合物、あるいは塩
形成基をもつこれら化合物の塩の製法に関するものであ
る。
本発明によるエノール誘導体は３−セフェム−３−オー
ル化合物または２−セフェム−３−オール化合物のエー
テルである。
ル化合物または２−セフェム−３−オール化合物のエー
テルである。
２．３−位置に２重結合をもつ式（ＩＢ）の２−セフェ
ム化合物においては、保護されている場合のあるカルブ
キシル基−Ｃ（＝に））−Ｒ２はα−立体配置であるの
が好ましい・ アミノ保霞基Ｒ１は水素原子で置換できる基、主に−”
ル基Ａｃ、さらにト’） ７．！ｊ−ルメチル基殊にト
リチル基、ならびに有機シリル基または有機スタンニル
基である。基Ｒ１のアシル基を含めて基゛Ａ☆４は主に
炭素原子を好ましくは１８個までもっている有機カルが
ン酸のアシル基、殊に置換されたもしくは未隨換の脂肪
族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族、芳香脂肪族、複素
環式または複素環−脂肪族のカルがンｒＩＲ（き酸を含
める）のアシル基ならびに炭酸半銹導体のアシル基であ
る。
ム化合物においては、保護されている場合のあるカルブ
キシル基−Ｃ（＝に））−Ｒ２はα−立体配置であるの
が好ましい・ アミノ保霞基Ｒ１は水素原子で置換できる基、主に−”
ル基Ａｃ、さらにト’） ７．！ｊ−ルメチル基殊にト
リチル基、ならびに有機シリル基または有機スタンニル
基である。基Ｒ１のアシル基を含めて基゛Ａ☆４は主に
炭素原子を好ましくは１８個までもっている有機カルが
ン酸のアシル基、殊に置換されたもしくは未隨換の脂肪
族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族、芳香脂肪族、複素
環式または複素環−脂肪族のカルがンｒＩＲ（き酸を含
める）のアシル基ならびに炭酸半銹導体のアシル基であ
る。
ｇｂ
基Ｒ１とＲ１とが連結して形成している２価のアミノ保
護基は殊に炭素原子を好ましくは１８個までも９ている
有機ジカルがン酸の２価アシル基、主に脂肪族または芳
香族ジカルボン酸のジアシル基、さらにα−位置に置換
基例えば芳香族または複素環式基を好ましくはもってい
るα−アミノ酢酸（このアミノ酢酸のアミノ基は、置換
基例えばメチル基のような低級アルキル基２個をもつの
が好ましいメチレン基を介して前記の窒素原子と結合し
ている）のアシル基である。また、基械 とｇｂ とは
その両方で炭素原子を好ましくは１８個までもっている
有機イリデン基例えば脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族ま
たは芳香脂肪族イリデン基であることもできる。
護基は殊に炭素原子を好ましくは１８個までも９ている
有機ジカルがン酸の２価アシル基、主に脂肪族または芳
香族ジカルボン酸のジアシル基、さらにα−位置に置換
基例えば芳香族または複素環式基を好ましくはもってい
るα−アミノ酢酸（このアミノ酢酸のアミノ基は、置換
基例えばメチル基のような低級アルキル基２個をもつの
が好ましいメチレン基を介して前記の窒素原子と結合し
ている）のアシル基である。また、基械 とｇｂ とは
その両方で炭素原子を好ましくは１８個までもっている
有機イリデン基例えば脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族ま
たは芳香脂肪族イリデン基であることもできる。
式−ｃ （＝ｏ ）−ｔｔ；、で示される保護されたカ
ルボキシル基は主にエステル化されたカルボキシル基で
あるが、普通の混合無水物基または置換されたもしくは
未置換のカルバモイル基′！！たはヒドラジノ、カルボ
キシル基であることもできる。
ルボキシル基は主にエステル化されたカルボキシル基で
あるが、普通の混合無水物基または置換されたもしくは
未置換のカルバモイル基′！！たはヒドラジノ、カルボ
キシル基であることもできる。
故に、基Ｒ２は基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょにエステル
化されたカルボキシル基を形成している炭素原子の数が
好ましくは１８個までの有機基でエーテル化されたヒド
ロキシルであることができる。
化されたカルボキシル基を形成している炭素原子の数が
好ましくは１８個までの有機基でエーテル化されたヒド
ロキシルであることができる。
このような有機基は例えば脂肪族、脂環式、脂環−脂肪
族、芳香族または芳香脂肪族の基、殊にこの種類の置換
されたもしくは未置換の炭化水素基ならびに複素環式ま
たは複素環−脂肪族基である。
族、芳香族または芳香脂肪族の基、殊にこの種類の置換
されたもしくは未置換の炭化水素基ならびに複素環式ま
たは複素環−脂肪族基である。
また、基Ｒ２は有機シリルオキシ基、または有機金属性
基でエーテル化されたヒドロキシル例えば相当する有機
スタンニルオキシ基、殊に炭素原子を好ましくは１８個
までもっている置換されたもしくは未置換の炭化水素基
例えば脂肪族炭化水素基１〜３個によってそして場合に
よっては塩素原子のようなハロダン原子によって置換さ
れている・ノ２リルオキシ基またはスタンニルオキシ基
であることもできる。
基でエーテル化されたヒドロキシル例えば相当する有機
スタンニルオキシ基、殊に炭素原子を好ましくは１８個
までもっている置換されたもしくは未置換の炭化水素基
例えば脂肪族炭化水素基１〜３個によってそして場合に
よっては塩素原子のようなハロダン原子によって置換さ
れている・ノ２リルオキシ基またはスタンニルオキシ基
であることもできる。
基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょに無水物基主に混合無水物
基を形成している基Ｒ； は例えば塩素原子のようなハ
ロダン原子またはアシルオキシ基であって、そのアシル
基は炭素原子を好ましくは１８個までもっている有機カ
ルデン酸例えば脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族カルデン酸または炭酸半エステルのよ
うな炭酸半誘導体の相当する基である。
基を形成している基Ｒ； は例えば塩素原子のようなハ
ロダン原子またはアシルオキシ基であって、そのアシル
基は炭素原子を好ましくは１８個までもっている有機カ
ルデン酸例えば脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族
または芳香脂肪族カルデン酸または炭酸半エステルのよ
うな炭酸半誘導体の相当する基である。
基−Ｃ（＝０）−といっしょにカルバモイル基を形成し
ている基Ｒ１は置換されたもしくは未置換のアミノ基で
ある。この置換基は炭素原子を好ましくは１８個までも
っている置換されたもしくは未置換の１価または２価の
炭化水素基、例えば炭素原子１８個までをもっている置
換されたもしくは未置換の１価または２価の脂肪族、脂
環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素
基、さらに炭素原子１８個までをもつ相当する複素環式
または複素環−脂肪族基および（または）官能性基例え
ば官能的に変えられていることのできるヒドロキシル殊
に遊離ヒドロキシル、さらにエーテル化またはエステル
化されたヒドロキシル（そのエーテル化またはエステル
化している基は例えば前記の意味をもちそして好ましく
は炭素原子１８個までをもっている）またはアシル基主
に炭素原子を好ましくは１８個までもつ有機カルデン酸
または炭酸半誘導体のアシル基である。
ている基Ｒ１は置換されたもしくは未置換のアミノ基で
ある。この置換基は炭素原子を好ましくは１８個までも
っている置換されたもしくは未置換の１価または２価の
炭化水素基、例えば炭素原子１８個までをもっている置
換されたもしくは未置換の１価または２価の脂肪族、脂
環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素
基、さらに炭素原子１８個までをもつ相当する複素環式
または複素環−脂肪族基および（または）官能性基例え
ば官能的に変えられていることのできるヒドロキシル殊
に遊離ヒドロキシル、さらにエーテル化またはエステル
化されたヒドロキシル（そのエーテル化またはエステル
化している基は例えば前記の意味をもちそして好ましく
は炭素原子１８個までをもっている）またはアシル基主
に炭素原子を好ましくは１８個までもつ有機カルデン酸
または炭酸半誘導体のアシル基である。
式−Ｃ（−〇）、Ｒ；で示される置換されたヒドラジノ
カルぎニル基においては、その１方または両方の窒素原
子が置換されていることができる。置換基としては主に
炭素原子を好ましくは１８個までもっている置換された
もしくは未置換の１価または２価の炭化水素基、例えば
炭素原子１８個までをもっている置換されたもしくは未
置換の１価または２価の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族
、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基、さらに炭素原子
１８個までをもっている相当する複素環式または複素環
−脂肪族基および（または）官能性基例えばアシル基主
に炭素原子を好ましくは１８個までもつ・て′〜鴨る有
機カルデン酸または炭酸半誘導体のアシル基が挙げられ
る。
カルぎニル基においては、その１方または両方の窒素原
子が置換されていることができる。置換基としては主に
炭素原子を好ましくは１８個までもっている置換された
もしくは未置換の１価または２価の炭化水素基、例えば
炭素原子１８個までをもっている置換されたもしくは未
置換の１価または２価の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族
、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基、さらに炭素原子
１８個までをもっている相当する複素環式または複素環
−脂肪族基および（または）官能性基例えばアシル基主
に炭素原子を好ましくは１８個までもつ・て′〜鴨る有
機カルデン酸または炭酸半誘導体のアシル基が挙げられ
る。
低級アルキル基としてのＲ５は炭素原子を７個まで、好
ましくは４個までもつものであって、殊にメチル基であ
る。
ましくは４個までもつものであって、殊にメチル基であ
る。
ヒドロキシ保睦基としてのＲ３は例えば容易に脱離可能
な２−オキサ−または２−テア−脂肪族または、脂環式
炭化水素基、容易に脱離可能な置換されたシリル基また
はスタンニル基、または同様に容易に脱離可能なそして
置換されたもしくは未置換のα−フェニル低級アルキル
基例えば置換されたもしくは未置換のベンジル基または
ジフェニルメチル基である。
な２−オキサ−または２−テア−脂肪族または、脂環式
炭化水素基、容易に脱離可能な置換されたシリル基また
はスタンニル基、または同様に容易に脱離可能なそして
置換されたもしくは未置換のα−フェニル低級アルキル
基例えば置換されたもしくは未置換のベンジル基または
ジフェニルメチル基である。
本明細書に記載の７般用語は例えば次の意味をもってい
る。
る。
脂肪族基（相当する有機カルゲン酸の脂肪族基ならびに
相当するイリデン基を含む）伏置換されたもしくは未置
換の１価または２価の樹脂族炭化水素基、殊に炭素原子
を例えば７個までそして好ましくは４個までもっている
ことのできる低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基または低級アルキリデン基である。このよ
うな基は場合によっては官能性基によって、例えば遊離
のまたはエーテル化またはエステル化されたヒドロキシ
ルまたはメルカプト基、例えば低級アルコキシ基、低級
アルケニルオキシ基、低級アルキレンジオキシ基、置換
されたもしくは未置換のフェニルオキシ基またはフェニ
ル低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、置換された
もしくは未置換のフェニルテオ基またはフェニル低級ア
ルキルチオ基、ヘテロサイクリルチオ基またはヘテロサ
イクリル低級アルキルチオ基、置換されたもしくは未置
換の低級アルコキシカルがニルオキシ基または低級アル
カノイルオキシ基、またはハロゲン原子、さらにオキソ
基、ニトロ基、置換されたもしくは未置換のアミノ基例
えば低級プルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、
低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ
基またはアゾ低級アルキレンアミノ基ならびにアシルア
ミノ基例えば低級アルカノイルアミノ基、低級アＣコキ
″ワ′カルボニルアεノ基、ハロゲノ−低級アルコキシ
力／Ｉ／ ｙｇ ニルアミノ基、置換されたもしくは未
置換のフェニル低級アルコキシカルがニルアミノ基、置
換されたもしくは未置換のカルバモイルアミノ基、ウレ
イドカルゲニルアミノ基またはグアニジノカルブニルア
ミノ基、さらにアルカリ金属塩のような塩の形で存在す
る場合のあるスルホアミノ基、アチド基、低級アルカノ
イル基やベンゾイル基のようなアシル基、官能的に変え
られている場合のあるカルボキシル基例えば塩の形にあ
るカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基のよう
なエステル化されたカルボキシル基、Ｎ−低級アルキル
−またはＮ、Ｎ−・ジ低級アルキル−カルバモイル基の
ような置換されたもしくは未置換のカルバモイル基、さ
らに、置換されたもしくは未置換のウレイドカルボニル
基またはグアニジノカルビニル基、またはシアン基、官
能的に変えられている場合のあるスルホ基例えばスルフ
ァモイル基または塩の形にあるスルホ基、または０−モ
ノ−または０．０−ジー置換されたもしくは未置換のホ
スホノ基（その置換基は例えば置換されたもしくは未置
換の低級アルキル基、フェニル基またはフェニル低級ア
ルキル基であって、〇−未置換またはＯ−モノ置換され
たホスホノ基はアルカリ金縞塩のような塩の形であるこ
ともできる）によってモノ置換、ジ置換またはポリ置換
されていることができる。
相当するイリデン基を含む）伏置換されたもしくは未置
換の１価または２価の樹脂族炭化水素基、殊に炭素原子
を例えば７個までそして好ましくは４個までもっている
ことのできる低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基または低級アルキリデン基である。このよ
うな基は場合によっては官能性基によって、例えば遊離
のまたはエーテル化またはエステル化されたヒドロキシ
ルまたはメルカプト基、例えば低級アルコキシ基、低級
アルケニルオキシ基、低級アルキレンジオキシ基、置換
されたもしくは未置換のフェニルオキシ基またはフェニ
ル低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、置換された
もしくは未置換のフェニルテオ基またはフェニル低級ア
ルキルチオ基、ヘテロサイクリルチオ基またはヘテロサ
イクリル低級アルキルチオ基、置換されたもしくは未置
換の低級アルコキシカルがニルオキシ基または低級アル
カノイルオキシ基、またはハロゲン原子、さらにオキソ
基、ニトロ基、置換されたもしくは未置換のアミノ基例
えば低級プルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、
低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ
基またはアゾ低級アルキレンアミノ基ならびにアシルア
ミノ基例えば低級アルカノイルアミノ基、低級アＣコキ
″ワ′カルボニルアεノ基、ハロゲノ−低級アルコキシ
力／Ｉ／ ｙｇ ニルアミノ基、置換されたもしくは未
置換のフェニル低級アルコキシカルがニルアミノ基、置
換されたもしくは未置換のカルバモイルアミノ基、ウレ
イドカルゲニルアミノ基またはグアニジノカルブニルア
ミノ基、さらにアルカリ金属塩のような塩の形で存在す
る場合のあるスルホアミノ基、アチド基、低級アルカノ
イル基やベンゾイル基のようなアシル基、官能的に変え
られている場合のあるカルボキシル基例えば塩の形にあ
るカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基のよう
なエステル化されたカルボキシル基、Ｎ−低級アルキル
−またはＮ、Ｎ−・ジ低級アルキル−カルバモイル基の
ような置換されたもしくは未置換のカルバモイル基、さ
らに、置換されたもしくは未置換のウレイドカルボニル
基またはグアニジノカルビニル基、またはシアン基、官
能的に変えられている場合のあるスルホ基例えばスルフ
ァモイル基または塩の形にあるスルホ基、または０−モ
ノ−または０．０−ジー置換されたもしくは未置換のホ
スホノ基（その置換基は例えば置換されたもしくは未置
換の低級アルキル基、フェニル基またはフェニル低級ア
ルキル基であって、〇−未置換またはＯ−モノ置換され
たホスホノ基はアルカリ金縞塩のような塩の形であるこ
ともできる）によってモノ置換、ジ置換またはポリ置換
されていることができる。
２価脂肪族カルボン酸の脂肪族基を含めて２価の脂肪族
基は例えば低級アルキレン基または低級アルケニレン基
であって、これらは場合によっては前記脂肪族基のよう
にモノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることがで
きそして（または）その鎖中の酸素、窒素またはいおう
原子のようなヘテロ原子が介在していることができる。
基は例えば低級アルキレン基または低級アルケニレン基
であって、これらは場合によっては前記脂肪族基のよう
にモノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることがで
きそして（または）その鎖中の酸素、窒素またはいおう
原子のようなヘテロ原子が介在していることができる。
脂環式基または脂環−脂肪族基（相当する有機カルｓｆ
ン酸における脂環式基または脂環−脂肪族基ならびに相
当する脂環式または脂環−脂肪族イリデン基を含む）は
置換されたもしくは未置換の１価または２価の脂環式ま
たは脂環−脂肪族炭化水素基、例えば単環式、２環式ま
たは多環式のシフ・ｄ′ケルキル基またはシクロアルケ
ニル基、さらにシクロアルキリデン基、またはシクロア
ルキル−またはシクロアルケニル−低級アルキル基また
バー低級アルケニル基、さらにシクロアルキル−低級ア
ルキリデン基またはシクロアルケニル−低級アルキリデ
ン基である。これらの基においてシクロアルキルおよび
シクロアルキリデンは例えば環炭素原子を１２個まで、
例えば３〜８個、好ましくは３〜６個もっておシ、また
シクロアルケニルは例えば環炭素原子を１２個まで、例
えば３〜８個、例えば５〜８個、好ましくは５個または
６個もちそして２重結合１個または２個をもっておシ、
そして脂環−脂肪族基の脂肪族部分は炭素原子を例えば
７個まで、好ましくは４個までもっていることができる
。これら脂環式基または脂環−脂肪族基は所望ならば例
えば置換されたもしくは未置換の脂肪族炭化水素基によ
って１１例えば前に挙げた置換されたもしくは未置換の
低級アルキル基によってまたは例えば前記脂肪族炭化水
素基のように官能性基によってモノ置換、ジ置換または
ポリ置換されていることができる。
ン酸における脂環式基または脂環−脂肪族基ならびに相
当する脂環式または脂環−脂肪族イリデン基を含む）は
置換されたもしくは未置換の１価または２価の脂環式ま
たは脂環−脂肪族炭化水素基、例えば単環式、２環式ま
たは多環式のシフ・ｄ′ケルキル基またはシクロアルケ
ニル基、さらにシクロアルキリデン基、またはシクロア
ルキル−またはシクロアルケニル−低級アルキル基また
バー低級アルケニル基、さらにシクロアルキル−低級ア
ルキリデン基またはシクロアルケニル−低級アルキリデ
ン基である。これらの基においてシクロアルキルおよび
シクロアルキリデンは例えば環炭素原子を１２個まで、
例えば３〜８個、好ましくは３〜６個もっておシ、また
シクロアルケニルは例えば環炭素原子を１２個まで、例
えば３〜８個、例えば５〜８個、好ましくは５個または
６個もちそして２重結合１個または２個をもっておシ、
そして脂環−脂肪族基の脂肪族部分は炭素原子を例えば
７個まで、好ましくは４個までもっていることができる
。これら脂環式基または脂環−脂肪族基は所望ならば例
えば置換されたもしくは未置換の脂肪族炭化水素基によ
って１１例えば前に挙げた置換されたもしくは未置換の
低級アルキル基によってまたは例えば前記脂肪族炭化水
素基のように官能性基によってモノ置換、ジ置換または
ポリ置換されていることができる。
芳香族基（相当するカルがン酸の芳香族基を含む）は置
換されたもしくは未置換の芳香族炭化水素基、例えば単
環式、２環式または多環式の芳香族炭化水素基、殊にフ
ェニル基ならびにビフェニリル基またはナフチル基であ
って、これらは例えば前記の脂肪族および脂環式炭化水
素基のように場合によってはモノ置換、ジ置換またはポ
リ置換されていることができる。
換されたもしくは未置換の芳香族炭化水素基、例えば単
環式、２環式または多環式の芳香族炭化水素基、殊にフ
ェニル基ならびにビフェニリル基またはナフチル基であ
って、これらは例えば前記の脂肪族および脂環式炭化水
素基のように場合によってはモノ置換、ジ置換またはポ
リ置換されていることができる。
芳香族カルデン酸の２価の芳香族基はとシわけ１．２−
アリーレン基特に１．２−フェニレン基であって、これ
らは例えば前記の脂肪族および脂環式炭化水素基のよう
に場合によってはモノ置換、ジ置換またはポリ置換され
ていることができる。
アリーレン基特に１．２−フェニレン基であって、これ
らは例えば前記の脂肪族および脂環式炭化水素基のよう
に場合によってはモノ置換、ジ置換またはポリ置換され
ていることができる。
芳香脂肪族基（相当するカルビン酸における芳香脂肪族
基を含む）およびまた芳香脂肪族イリデン基は例えば置
換されたもしくは未置換の芳香脂肪族炭化水素基、例え
は置換されたもしくは未置換の単環式、２環式または多
環式芳香族炭化水素基を３個までもっている置換された
もしくは未置換０−Ｕｌ−肪族炭化水素基であって、と
りわけフェニル−低級アルキル基またはフェニル−低級
アルケニル基、ならびにフェニル−低級アルキニル基お
よびまたフェニル−低級アルキリデン基でｓｂ、そして
このような基は例えばフェニル基１〜３個をもっておシ
そして場合によっては例えば前記の脂肪族および脂環式
基のようにその芳香族および（または）脂肪族部分にお
いてモノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることが
できる。
基を含む）およびまた芳香脂肪族イリデン基は例えば置
換されたもしくは未置換の芳香脂肪族炭化水素基、例え
は置換されたもしくは未置換の単環式、２環式または多
環式芳香族炭化水素基を３個までもっている置換された
もしくは未置換０−Ｕｌ−肪族炭化水素基であって、と
りわけフェニル−低級アルキル基またはフェニル−低級
アルケニル基、ならびにフェニル−低級アルキニル基お
よびまたフェニル−低級アルキリデン基でｓｂ、そして
このような基は例えばフェニル基１〜３個をもっておシ
そして場合によっては例えば前記の脂肪族および脂環式
基のようにその芳香族および（または）脂肪族部分にお
いてモノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることが
できる。
複素環式基（複素環−脂肪族基におけるもの、および相
当するカルビン酸における複素環式基または複素環−脂
肪族基を含む）は芳香族性をもつ特に単環式ならびに２
環式または多環式のアザ環式、テア環式、オキサ環式、
チアザ環式、テアジアゾ環式、オキサアザ環式、ジアザ
環式、トリアザ環式またはテトラアゾ環式基およびさら
にこの種類の相当する部分的にまたは全体的に飽和な複
素環式基でおりて、これら複素環式基は場合によっては
例えば前記の脂環式基のようにモノ置換、ジ置換または
ポリ置換されていることができる。
当するカルビン酸における複素環式基または複素環−脂
肪族基を含む）は芳香族性をもつ特に単環式ならびに２
環式または多環式のアザ環式、テア環式、オキサ環式、
チアザ環式、テアジアゾ環式、オキサアザ環式、ジアザ
環式、トリアザ環式またはテトラアゾ環式基およびさら
にこの種類の相当する部分的にまたは全体的に飽和な複
素環式基でおりて、これら複素環式基は場合によっては
例えば前記の脂環式基のようにモノ置換、ジ置換または
ポリ置換されていることができる。
複素環−脂肪族基における脂肪族部分は例えば相当する
脂環−脂肪族基または芳香脂肪族基に与えた意味をもつ
。
脂環−脂肪族基または芳香脂肪族基に与えた意味をもつ
。
炭酸半誘導体のアシル基は相当する半エステルのアシル
基（このエステル基の有機基は置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基または複素環−脂肪族基である）、とりわけ炭酸の
低級アルキル半エステルのアシル基（これは例えばその
α−またはβ−位置で置換されていることができる）お
よびその有機基において置換されたもしくは未置換の炭
酸の低級アルケニル、シクロアルキル、フェニルまたは
フェニル−低級アルキル半エステルのアシル基であるの
が好捷しい。炭酸半エステルのアシル基は、さらに、そ
の低級アルキル部分が複素環式基例えば芳香族性の前記
複素環式基の１つをもっている炭酸の低級アルキル半エ
ステルの相当する基であって、その低級アルキル基およ
び複素環式基はいずれも場合によっては置換されている
ことができる。さらに、炭酸半誘導体のアシル基はハロ
ダン化されている場合のあるＮ−低級アルキルカルバモ
イル基のよ５なＮ−置換されている場合ノするカルバモ
イル基であることもできる。
基（このエステル基の有機基は置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基または複素環−脂肪族基である）、とりわけ炭酸の
低級アルキル半エステルのアシル基（これは例えばその
α−またはβ−位置で置換されていることができる）お
よびその有機基において置換されたもしくは未置換の炭
酸の低級アルケニル、シクロアルキル、フェニルまたは
フェニル−低級アルキル半エステルのアシル基であるの
が好捷しい。炭酸半エステルのアシル基は、さらに、そ
の低級アルキル部分が複素環式基例えば芳香族性の前記
複素環式基の１つをもっている炭酸の低級アルキル半エ
ステルの相当する基であって、その低級アルキル基およ
び複素環式基はいずれも場合によっては置換されている
ことができる。さらに、炭酸半誘導体のアシル基はハロ
ダン化されている場合のあるＮ−低級アルキルカルバモ
イル基のよ５なＮ−置換されている場合ノするカルバモ
イル基であることもできる。
エーテル化されたヒドロキシルは主として置換されたも
しくは未置換の低級アルコキシ基（その置換基は主とし
て遊離のまたは官能的に変換例えばエーテル化またはエ
ステル化されたヒドロキシル、殊に低級アルコキシ基ま
たはハロダン原子でおる）、さらに低級アルケニルオキ
シ基、シクロアルキルオキシ基または置換されたもしく
は未置換のフェニルオキシ基、ならびにヘテロサイクリ
ルオキシ基またはヘテロサイクリル低級アルコキシ基、
殊に置換されたもしくは未置換のフェニル低級アルコキ
シ基である。
しくは未置換の低級アルコキシ基（その置換基は主とし
て遊離のまたは官能的に変換例えばエーテル化またはエ
ステル化されたヒドロキシル、殊に低級アルコキシ基ま
たはハロダン原子でおる）、さらに低級アルケニルオキ
シ基、シクロアルキルオキシ基または置換されたもしく
は未置換のフェニルオキシ基、ならびにヘテロサイクリ
ルオキシ基またはヘテロサイクリル低級アルコキシ基、
殊に置換されたもしくは未置換のフェニル低級アルコキ
シ基である。
置換されたもしくは未置換のアミノ基は例えばアミン基
、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低
級アルキレンアミノ基・、オキサ低級アルキレンアミノ
基−チア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキレン
アミノ基、ヒドロキシアミノ基、低級アルコキシアミノ
基、低級アルカノイルオキシアミノ基、低級アルコキシ
カルビニルアミノ基または低級アルカノイルアミノ基で
ある。
、低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低
級アルキレンアミノ基・、オキサ低級アルキレンアミノ
基−チア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキレン
アミノ基、ヒドロキシアミノ基、低級アルコキシアミノ
基、低級アルカノイルオキシアミノ基、低級アルコキシ
カルビニルアミノ基または低級アルカノイルアミノ基で
ある。
置換されたもしくは未置換のヒドラジノ基は例えばヒド
ラジノ基、２−低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジ
低級アルキルヒドラジノ基、２−低級アルコキシカルぎ
ニルヒドラジノ基または２−低級アルカノイルヒドラジ
ノ基である。
ラジノ基、２−低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジ
低級アルキルヒドラジノ基、２−低級アルコキシカルぎ
ニルヒドラジノ基または２−低級アルカノイルヒドラジ
ノ基である。
低級アルキル基は例えばメチル基、エテル基、ｎ−ｆロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基
、第２ブチル基、第３ブチル基、ならびにｎ−ペンチル
基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基
またはれ一ヘプチル基であシ、また低級アルケニル基は
例えばビニル基、アリル基、インプロペニル基、２−ま
たは３−メタリル基または３−ブテニル基であることが
でき、低級アルキニル基は例えばグロノ４ルギル基また
は２−ブテニル基であることができ、そして低級アルキ
リデン基は例えばイソプロピリンデ基またはイソブチリ
デン基であることができる。
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基
、第２ブチル基、第３ブチル基、ならびにｎ−ペンチル
基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基
またはれ一ヘプチル基であシ、また低級アルケニル基は
例えばビニル基、アリル基、インプロペニル基、２−ま
たは３−メタリル基または３−ブテニル基であることが
でき、低級アルキニル基は例えばグロノ４ルギル基また
は２−ブテニル基であることができ、そして低級アルキ
リデン基は例えばイソプロピリンデ基またはイソブチリ
デン基であることができる。
−′低級アルキレン基は例えば１．２−エチレン基、１
．２−または１，３−プロピレン基、１．４−メチレン
基、１，５−ベンテレン基または１．６−ヘキシレン基
であシ、また低級アルケニレン基は例えば１，２−エテ
ニレン基または２．ブテン−１，４−イレン基である。
．２−または１，３−プロピレン基、１．４−メチレン
基、１，５−ベンテレン基または１．６−ヘキシレン基
であシ、また低級アルケニレン基は例えば１，２−エテ
ニレン基または２．ブテン−１，４−イレン基である。
ヘテロ原子の介在する低級アルキレン基は例えば３−オ
キサ−１，５−ベンテレン基のようなオキサ低級アルキ
レン基、３−テア−１，５−ベンテレン基のようなテア
低級アルキレン基、または３−低級アルキルー３−アザ
−１，５−ペンテレン基例えば３−メチル−３−アゾ−
１，５−ペンテレン基のようなアザ低級アルキレン基で
ある。
キサ−１，５−ベンテレン基のようなオキサ低級アルキ
レン基、３−テア−１，５−ベンテレン基のようなテア
低級アルキレン基、または３−低級アルキルー３−アザ
−１，５−ペンテレン基例えば３−メチル−３−アゾ−
１，５−ペンテレン基のようなアザ低級アルキレン基で
ある。
シクロアルキル基は例えばシクロゾロビル基、シクロブ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基またはシ
クロアルキル基、ならびにアダマンチル基であシ、シク
ロアルケニル、基は例えばシクロプロペニル基、１−．
２−、または３−シクロペンテニル基、１−１２−また
は３−シクロヘキセニル基、３−シクロヘプテニル基ま
りｔｉｌ、４−シクロヘキサジェニル基であって、シク
ロアルキリデン基は例えばシクロペンチリデン基または
シクロヘキシリデン基である。シクロアルキル−低級ア
ルキル基またはシクロアルキル−低級アルケニルＭ ｔ
ｒｉ 例エハシクログロビルー、シクロペンチル−、シ
クロヘキシル−またはシクロへジチル−メチル基、−１
，１−または−１，２−エチル基、−１，１−１−１，
２−または−１，３−プロピル基、−ビニル基または−
アリル基であって、シクロアルケニル−低級アルキル基
またはシクロアルケニル−低級アルケニル基は例えば１
−１２−または３−シクロペンテニル−，１−，２−ま
たは３−シクロヘキセニル−または１−１２−または３
−シクロヘプテニル−メチル基、−１，１−または−１
，２−エチル基、−ｉ 、 １−、−１．２−または−
１，３−プロピル基、−ビニル基または−アリル基であ
る。シクロアルキル−低級アルキリデン基は例えばシク
ロヘキシルメチレン基であシそしてシクロアルケニル−
低級アルキリデン基は例えば３−シクロヘキセニルメチ
レン基である８樗′−− す７テル基は１−または２−ナフチル基であって、ビフ
ェニリル基は例えば４−ビフェニリル基である。
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基またはシ
クロアルキル基、ならびにアダマンチル基であシ、シク
ロアルケニル、基は例えばシクロプロペニル基、１−．
２−、または３−シクロペンテニル基、１−１２−また
は３−シクロヘキセニル基、３−シクロヘプテニル基ま
りｔｉｌ、４−シクロヘキサジェニル基であって、シク
ロアルキリデン基は例えばシクロペンチリデン基または
シクロヘキシリデン基である。シクロアルキル−低級ア
ルキル基またはシクロアルキル−低級アルケニルＭ ｔ
ｒｉ 例エハシクログロビルー、シクロペンチル−、シ
クロヘキシル−またはシクロへジチル−メチル基、−１
，１−または−１，２−エチル基、−１，１−１−１，
２−または−１，３−プロピル基、−ビニル基または−
アリル基であって、シクロアルケニル−低級アルキル基
またはシクロアルケニル−低級アルケニル基は例えば１
−１２−または３−シクロペンテニル−，１−，２−ま
たは３−シクロヘキセニル−または１−１２−または３
−シクロヘプテニル−メチル基、−１，１−または−１
，２−エチル基、−ｉ 、 １−、−１．２−または−
１，３−プロピル基、−ビニル基または−アリル基であ
る。シクロアルキル−低級アルキリデン基は例えばシク
ロヘキシルメチレン基であシそしてシクロアルケニル−
低級アルキリデン基は例えば３−シクロヘキセニルメチ
レン基である８樗′−− す７テル基は１−または２−ナフチル基であって、ビフ
ェニリル基は例えば４−ビフェニリル基である。
フェニル−低級アルキル基またはフェニル−低級アルケ
ニル基は例えばベンジル基、１−または２−フェニルエ
チル基、１−１２−または３−フェニルゾロピル基、ジ
フェニルメチル基、トリチル基、１−または２−ナフチ
ルメチル基のようなナフチル−低級アルキル基、ステリ
ル基またはシンナミル基であって、フェニル−低級アル
キリデン基は例えばベンジリデン基である。
ニル基は例えばベンジル基、１−または２−フェニルエ
チル基、１−１２−または３−フェニルゾロピル基、ジ
フェニルメチル基、トリチル基、１−または２−ナフチ
ルメチル基のようなナフチル−低級アルキル基、ステリ
ル基またはシンナミル基であって、フェニル−低級アル
キリデン基は例えばベンジリデン基である。
複素環式基はとシわけ芳香族性をもつ置換されたもしく
は未置換の複素環式基、例えば相当する単環式のモノア
ザ環式、モノテア環式またはモノオキサ環式基例えば２
−ピリル基や３−ピリル基のようなピリル基、２−１３
−または４゜−ピリジル基のようなピリジル基およびピ
リジニウム基、２−または３−チェニル基のようなチェ
ニル基または２−フリル基のようなフリル基、２環式の
モノアザ環式、モノオキサ環式またはモノチア環式基例
えば２−または３−インドリル基のよ′うなインドリル
基、２−または４−キノリニル基のようなキノリニル基
、ｌ−インキノリニル基のようなイソキノリニル基、２
−または３−ベンゾフラニル基のようなベンゾフラニル
基または２−または３−ベンゾチェニル基のようなベン
ゾチェニル基、単環式のジアザ環式、トリアゾ環式、テ
トラアザ環式、オキサアゾ環式、チアザ環式またはテア
ジアザ環式基、例えば２−イミダゾリル基のようなイミ
ダゾリル基、２−または４−ｓリミジニル基のようなピ
リミジニル基、１，２．４−）リアゾール−３−イル基
のようなトリアゾリル基、ｌ−または５−テトラゾリル
基のようなテトラゾリル基、２−オキサシリル基のよう
なオキサシリル基、３−または４−イソオキサシリル基
のようなイソオキサシリル基、２−チアゾリル基のよう
なチアゾリル基、３−または４−インチアゾリル基のよ
うなイソチアゾリル基、または１，２．４−チアジアゾ
ール−３−イル基や１，３．４−テアジアゾ゛ニルー２
−イル基のような１，２．４−または１．３．４−チア
ジアゾリル基、あるいは２環式のジアザ環式、オキサア
ザ環式またはチアゾ環式基例えば２−ベンズイミダゾリ
ル基のようなベンズイミダゾリル基、２−ベンズオキサ
シリル基のようなベンズオキサシリル基または２−ベン
ズチアゾリル基のようなベンズチアゾリル基である。
は未置換の複素環式基、例えば相当する単環式のモノア
ザ環式、モノテア環式またはモノオキサ環式基例えば２
−ピリル基や３−ピリル基のようなピリル基、２−１３
−または４゜−ピリジル基のようなピリジル基およびピ
リジニウム基、２−または３−チェニル基のようなチェ
ニル基または２−フリル基のようなフリル基、２環式の
モノアザ環式、モノオキサ環式またはモノチア環式基例
えば２−または３−インドリル基のよ′うなインドリル
基、２−または４−キノリニル基のようなキノリニル基
、ｌ−インキノリニル基のようなイソキノリニル基、２
−または３−ベンゾフラニル基のようなベンゾフラニル
基または２−または３−ベンゾチェニル基のようなベン
ゾチェニル基、単環式のジアザ環式、トリアゾ環式、テ
トラアザ環式、オキサアゾ環式、チアザ環式またはテア
ジアザ環式基、例えば２−イミダゾリル基のようなイミ
ダゾリル基、２−または４−ｓリミジニル基のようなピ
リミジニル基、１，２．４−）リアゾール−３−イル基
のようなトリアゾリル基、ｌ−または５−テトラゾリル
基のようなテトラゾリル基、２−オキサシリル基のよう
なオキサシリル基、３−または４−イソオキサシリル基
のようなイソオキサシリル基、２−チアゾリル基のよう
なチアゾリル基、３−または４−インチアゾリル基のよ
うなイソチアゾリル基、または１，２．４−チアジアゾ
ール−３−イル基や１，３．４−テアジアゾ゛ニルー２
−イル基のような１，２．４−または１．３．４−チア
ジアゾリル基、あるいは２環式のジアザ環式、オキサア
ザ環式またはチアゾ環式基例えば２−ベンズイミダゾリ
ル基のようなベンズイミダゾリル基、２−ベンズオキサ
シリル基のようなベンズオキサシリル基または２−ベン
ズチアゾリル基のようなベンズチアゾリル基である。
相当する部分的にまたは全体に飽和された基は例えば２
−テトラヒドロチェニル基のようなテトラヒドロチェニ
ル基、２−テトラヒドロフリル基のようなテトラヒドロ
フリル基または２−または４−ビ（リジル基のようなピ
ペリジル基である。複素環−脂肪族基は複素環式基特に
上記の基をもつ低級アルキル基または低級アルケニル基
である。
−テトラヒドロチェニル基のようなテトラヒドロチェニ
ル基、２−テトラヒドロフリル基のようなテトラヒドロ
フリル基または２−または４−ビ（リジル基のようなピ
ペリジル基である。複素環−脂肪族基は複素環式基特に
上記の基をもつ低級アルキル基または低級アルケニル基
である。
前記の複素環式基は、例えば置換されたもしくは未置換
の脂肪族または芳香族炭化水素基特にメチル基のような
低級アルキル基により、てまたは場合によっては塩素原
子のようなノーログン原子により置換されたフェニル基
例えばフェニル基または４−クロルフェニル基によって
または例えば前記脂肪族炭化水素基のように官能性基に
よりで置換されていることができる。
の脂肪族または芳香族炭化水素基特にメチル基のような
低級アルキル基により、てまたは場合によっては塩素原
子のようなノーログン原子により置換されたフェニル基
例えばフェニル基または４−クロルフェニル基によって
または例えば前記脂肪族炭化水素基のように官能性基に
よりで置換されていることができる。
低級アルコキシ基は例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ
−ゾロポキシ基、イソプロプキシ基、ｎ−ブトキシ基、
イソブトキシ基、第２ニア”）キシ基、第３ブトキシ基
、ｎ−ペントキシ基または第３インドキシ基である。こ
れらの基は例えばハロゲノ−低級アルコキシ基特に２−
ハロダノー低級アルコキシ基例えば２，２．２−）リク
ロルエトキシ、２−クロル−１２−ブロム−または２−
ヨード−エトキシ基におけるように置換されていること
ができる。低級アルケニルオキシ基は例えばビニルオキ
シ基またはアリルオキシ基であシ、低級アルキレンジオ
キシ基は例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ
基またはインゾロビリデンジオキシ基であシ、シクロア
ルコキシ基は例えばシクロペンチルオキシ基、シクロヘ
キシルオキシ基またはアダマンテルオキシ基であり、フ
ェニル−低級アルコキシ基は例えばベンジルオキシ基ま
たは１−または２−フェニルエトキシ基、ジフェニルメ
ト恭シ基または４．４′−ジメトキシ−ジフェニルメト
キシ基であυ、またヘテロサイクリル−オキシ基または
ヘテロサイクリル低級アルコキシ基は例えば２−ピリジ
ルメトキシ基のようなピリゾル−低級アルコキシ基、フ
ルフリルオキシ基のようなフリル−低級アルコキシ基ま
たは２−テニルオキシ基のようなチェニル−低級アルコ
キシ基である。
−ゾロポキシ基、イソプロプキシ基、ｎ−ブトキシ基、
イソブトキシ基、第２ニア”）キシ基、第３ブトキシ基
、ｎ−ペントキシ基または第３インドキシ基である。こ
れらの基は例えばハロゲノ−低級アルコキシ基特に２−
ハロダノー低級アルコキシ基例えば２，２．２−）リク
ロルエトキシ、２−クロル−１２−ブロム−または２−
ヨード−エトキシ基におけるように置換されていること
ができる。低級アルケニルオキシ基は例えばビニルオキ
シ基またはアリルオキシ基であシ、低級アルキレンジオ
キシ基は例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ
基またはインゾロビリデンジオキシ基であシ、シクロア
ルコキシ基は例えばシクロペンチルオキシ基、シクロヘ
キシルオキシ基またはアダマンテルオキシ基であり、フ
ェニル−低級アルコキシ基は例えばベンジルオキシ基ま
たは１−または２−フェニルエトキシ基、ジフェニルメ
ト恭シ基または４．４′−ジメトキシ−ジフェニルメト
キシ基であυ、またヘテロサイクリル−オキシ基または
ヘテロサイクリル低級アルコキシ基は例えば２−ピリジ
ルメトキシ基のようなピリゾル−低級アルコキシ基、フ
ルフリルオキシ基のようなフリル−低級アルコキシ基ま
たは２−テニルオキシ基のようなチェニル−低級アルコ
キシ基である。
低級アルキルチオ基は例えばメチルチオ基、エテルチオ
基またはｎ−ブチルチオ基であシ、低級アルケニルチオ
基は例えばアリルチオ基であって、フェニル−低級アル
キルチオ基は例えばベンジルチオ基であり、また複素環
式基または複素環−脂肪族基でエーテル化されたメルカ
プト基は特に４−ピリジルチオ基のようなピリジルチオ
基、２−イミダゾリルチオ基のようなイミダゾリルチオ
基、２−チアゾリルチオ基のようなテアノリルチオ基、
１．２．４−チアジアゾール−３−イルチオ基や１．３
．４−チアジアゾール−２−イルチオ基のような１．２
．４−または１，３．４−チアジアゾリルチオ基または
１−メチル−５−テトラゾリルチオ基のようなテトラゾ
リルチオ基である。
基またはｎ−ブチルチオ基であシ、低級アルケニルチオ
基は例えばアリルチオ基であって、フェニル−低級アル
キルチオ基は例えばベンジルチオ基であり、また複素環
式基または複素環−脂肪族基でエーテル化されたメルカ
プト基は特に４−ピリジルチオ基のようなピリジルチオ
基、２−イミダゾリルチオ基のようなイミダゾリルチオ
基、２−チアゾリルチオ基のようなテアノリルチオ基、
１．２．４−チアジアゾール−３−イルチオ基や１．３
．４−チアジアゾール−２−イルチオ基のような１．２
．４−または１，３．４−チアジアゾリルチオ基または
１−メチル−５−テトラゾリルチオ基のようなテトラゾ
リルチオ基である。
エステル化されたヒドロキ゛シルはとシわけハロゲン原
子例えばふっ素、塩素、臭素またはよう素原子、ならび
に低級アルコキシカル？ニルオキシ基例えばメトキシカ
ルがニルオキシ基、エトキシカル？ニルオキシ基または
ｔ−ツテルオキシカルボニルオキシ基、２−ハロゲノ低
級アルコキシカルブニルオキシ基例えば２．２．２−）
リクロルエトキシカル？ニルオキシ基、２−ブロムエト
キシカルがニルオキシ基または２−ヨードエトキシカル
がニルオキシ基、またはアリールカル？ニルメトキシカ
ル？ニルオキシ基例えばフェナシルオキシカルメニルオ
キシ基である。
子例えばふっ素、塩素、臭素またはよう素原子、ならび
に低級アルコキシカル？ニルオキシ基例えばメトキシカ
ルがニルオキシ基、エトキシカル？ニルオキシ基または
ｔ−ツテルオキシカルボニルオキシ基、２−ハロゲノ低
級アルコキシカルブニルオキシ基例えば２．２．２−）
リクロルエトキシカル？ニルオキシ基、２−ブロムエト
キシカルがニルオキシ基または２−ヨードエトキシカル
がニルオキシ基、またはアリールカル？ニルメトキシカ
ル？ニルオキシ基例えばフェナシルオキシカルメニルオ
キシ基である。
低級アルコキシ−カルボニル基は例えばメトキシカルブ
ニル基、エトキシカル？ニル基、ｎ−プロポキシカルブ
ニル基、イングロブキシカルがニル基、ｔ−ブトキシカ
ルがニル基またはｔ−ペントキシカルブニル基である。
ニル基、エトキシカル？ニル基、ｎ−プロポキシカルブ
ニル基、イングロブキシカルがニル基、ｔ−ブトキシカ
ルがニル基またはｔ−ペントキシカルブニル基である。
Ｎ−低級アルキル−カルバモイル基またはＮ。
Ｎり１ジ低級アルキルーカルバモイル基は例えばＮ−）
ｆルカルバモイル＆、Ｎ−エテルカルノぐモイル基、Ｎ
、Ｎ−ジメチルカルバモイル基またはＮ、Ｎ−ジエチル
カルバモイル基であるが、Ｎ−低級アルキルスルファモ
イル基は例えばＮ−メチルスル７アモイに基マ＊Ｉｔ’
１Ｎ 、 Ｎ−ジメチルスルファモイル基である。
ｆルカルバモイル＆、Ｎ−エテルカルノぐモイル基、Ｎ
、Ｎ−ジメチルカルバモイル基またはＮ、Ｎ−ジエチル
カルバモイル基であるが、Ｎ−低級アルキルスルファモ
イル基は例えばＮ−メチルスル７アモイに基マ＊Ｉｔ’
１Ｎ 、 Ｎ−ジメチルスルファモイル基である。
アルカリ金属塩の形にあるカルブキシル基またはスルホ
基は例えばナトリウム塩またはカリウム塩の形にあるカ
ルブキシル基またはスルホ基である。
基は例えばナトリウム塩またはカリウム塩の形にあるカ
ルブキシル基またはスルホ基である。
低級アルキルアミノ基またはり一低級アルキルアミノ基
は例えばメチルアミノ基、エテルアミノ基、ジメチルア
ミノ基またはジエチルアミノ基であシ、低級アセチルア
ミノ基は例えばピロリジノ基またはピペリジノ基であシ
、オキサ−低級アルキレンアミノ基は例えばそルホリノ
基、テア低級アルキレンアミノ基は例えばチオモルホリ
ノ基そしてアザー低級アルキレンアミノ基は例えばピペ
ラジノ基または４−メチルピペラジノ基である。アシル
アミノ基は特にカルバモイルアミノ基、メチルカルバモ
イルアミノ基のような低級アルキルカルバモイルアミノ
基、ウレイドカルがニルアミノ基。
は例えばメチルアミノ基、エテルアミノ基、ジメチルア
ミノ基またはジエチルアミノ基であシ、低級アセチルア
ミノ基は例えばピロリジノ基またはピペリジノ基であシ
、オキサ−低級アルキレンアミノ基は例えばそルホリノ
基、テア低級アルキレンアミノ基は例えばチオモルホリ
ノ基そしてアザー低級アルキレンアミノ基は例えばピペ
ラジノ基または４−メチルピペラジノ基である。アシル
アミノ基は特にカルバモイルアミノ基、メチルカルバモ
イルアミノ基のような低級アルキルカルバモイルアミノ
基、ウレイドカルがニルアミノ基。
グアニジノカルがニルアミノ基、低級アルコキシカルブ
ニルアミノ基例えばメトキシカルブニルアミノ基、エト
キシカルビニルアミノ基または１−ブトキシカルボニル
アミノ基、２．２．２−）リクロルエトキシカルデニル
アミノ基のようなハロゲノ低級アルコキシカル？ニルア
ミノ基、４−メトキシペンジルオキシカルブニルアミノ
基のようなフェニル低級アルコキシカルがニルアミノ基
、アセチルアミノ基やグロピオニルアミノ基のような低
級アルカノイルアミノ基、さらにフタルイミド基または
塩例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩またはア
ンモニウム塩の形にあることのできるスルホアミノ基で
ある。
ニルアミノ基例えばメトキシカルブニルアミノ基、エト
キシカルビニルアミノ基または１−ブトキシカルボニル
アミノ基、２．２．２−）リクロルエトキシカルデニル
アミノ基のようなハロゲノ低級アルコキシカル？ニルア
ミノ基、４−メトキシペンジルオキシカルブニルアミノ
基のようなフェニル低級アルコキシカルがニルアミノ基
、アセチルアミノ基やグロピオニルアミノ基のような低
級アルカノイルアミノ基、さらにフタルイミド基または
塩例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩またはア
ンモニウム塩の形にあることのできるスルホアミノ基で
ある。
低級アルカノイル基は例えばホルミル基、アセチル基、
グロピオニル基またはピパロイル基である。
グロピオニル基またはピパロイル基である。
〇−低級アルキルーホスホノ基は例えばＯ−メチ′に一
゛または〇−エチルーホスホノ基、ｏ、ｏ’−ジ低級ア
ルキル−ホスホノ基は例えば０．０′−ジメチル−ホス
ホノ基またはＯＩＯ′−ジエチル−ホスホノ基、０−フ
ェニル低級アルキル−ホスホノ基は例えばＯ−ベンジル
−ホスホノ基そして０−低級アルキルーＯ′−フェニル
低級アルキル−ホスホノ基は例えば０−ベンジル−０′
−メチル−ホスホノ基である。
゛または〇−エチルーホスホノ基、ｏ、ｏ’−ジ低級ア
ルキル−ホスホノ基は例えば０．０′−ジメチル−ホス
ホノ基またはＯＩＯ′−ジエチル−ホスホノ基、０−フ
ェニル低級アルキル−ホスホノ基は例えばＯ−ベンジル
−ホスホノ基そして０−低級アルキルーＯ′−フェニル
低級アルキル−ホスホノ基は例えば０−ベンジル−０′
−メチル−ホスホノ基である。
低級アルケニルオキシカルブニル基は例えばビニルオキ
シカルブニル基であって、シクロアルコキシカルがニル
基およびフェニル−低級アルコキシカルブニル基は例え
ばアダマンチルオキシカルブニル基、ベンジルオキシカ
ル？ニル基、４−メトキシベンジルオキシカルがニル基
、ジフェニルメトキシカルボニル基またはα−４−ビフ
ェニリル−α−メテルエトキシカルデニル基である。そ
の低級アルキル基が例えば単環式の、モノアザ環式、モ
ノオキサ環式またはモノチア環式基をもっているような
低級アルコキシカルブニル基は例えばフルフリルオキシ
カル？ニル基のようなフリル−低級アルコキシカルボニ
ル基または２−テニルオキシカルボニル基のようなチェ
ニル−低級アルコキシカルブニル基でアル。
シカルブニル基であって、シクロアルコキシカルがニル
基およびフェニル−低級アルコキシカルブニル基は例え
ばアダマンチルオキシカルブニル基、ベンジルオキシカ
ル？ニル基、４−メトキシベンジルオキシカルがニル基
、ジフェニルメトキシカルボニル基またはα−４−ビフ
ェニリル−α−メテルエトキシカルデニル基である。そ
の低級アルキル基が例えば単環式の、モノアザ環式、モ
ノオキサ環式またはモノチア環式基をもっているような
低級アルコキシカルブニル基は例えばフルフリルオキシ
カル？ニル基のようなフリル−低級アルコキシカルボニ
ル基または２−テニルオキシカルボニル基のようなチェ
ニル−低級アルコキシカルブニル基でアル。
２−低級アルキルヒドラジノ基および２，２−ジ低級ア
ルキルヒドラジノ基は例えば２−メチルヒドラジノ基お
よび２．２−ジメチルヒドラジノ基であシ、２−低級ア
ルコキシカル？ニルヒドラジノ基は例えば２−メトキシ
カルボニルヒドラジノ基、２−エトキシカル？ニルヒド
ラジノ基または２−ｔ−メトキシカルボニルヒドラジノ
基であって、低級アルカノイルヒドラジノ基は例えば２
−アセテルヒドラジノ基である。
ルキルヒドラジノ基は例えば２−メチルヒドラジノ基お
よび２．２−ジメチルヒドラジノ基であシ、２−低級ア
ルコキシカル？ニルヒドラジノ基は例えば２−メトキシ
カルボニルヒドラジノ基、２−エトキシカル？ニルヒド
ラジノ基または２−ｔ−メトキシカルボニルヒドラジノ
基であって、低級アルカノイルヒドラジノ基は例えば２
−アセテルヒドラジノ基である。
アシル基Ａｃは殊に６−アミノ−ベナム−３−カルボン
酸化合物または７−アミノ−３−セフェム−４−カルボ
ン酸化合物の天然に生成されるかまたは生合成、半合成
または全合成によシ製造できる好ましくは薬理活性なＮ
−アシル誘導体に含まれる炭素原子の数が好ましくは１
８個までの有機カルボン酸のアシル基、または容易に脱
離できるアシル基殊に炭酸手誘導体のアシル基である。
酸化合物または７−アミノ−３−セフェム−４−カルボ
ン酸化合物の天然に生成されるかまたは生合成、半合成
または全合成によシ製造できる好ましくは薬理活性なＮ
−アシル誘導体に含まれる炭素原子の数が好ましくは１
８個までの有機カルボン酸のアシル基、または容易に脱
離できるアシル基殊に炭酸手誘導体のアシル基である。
・′６”−アミノ−ペナム−３−カルボン酸化合物また
は７−アミノ−３−セフェム−４−カルボン酸化合物の
薬理活性なＮ−アシル誘導体に含まれるアシル基Ａｃと
いうのは、主として式 〔この式でｎは０であシそしてＲＩは水素原子または置
換されたもしくは未置換の脂環式または芳香族炭化水素
基、置換されたもしくは未置換のそして好ましくは芳香
族性をもっ複素環式基、官能的に変形例えばエステル化
またはエーテル化されているヒドロキシルまたはメルカ
プト基あるいは置換されたもしくは未置換のアミノ基で
あるか、またはｎは１であ）、ＲＩは水素原子または置
換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−ｔｊ
ｂ肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水素基、その複
素環式基が好ましくは芳香族性をもちそして（または）
第４級窒素原子をもっている置換されたもしくは未置換
の複素環式基または複素環−脂肪族基、官能的に変形（
好ましくはエーテル化またはエステル化）されている場
合のあるヒドロキシルまたはメルカプト基、官能的に変
形されている場合のあるカルブキシル基、アシル基、置
換されたもしくは未置換のアミン基またはアテド基であ
シそして基ＲＩＩとＲ■とがいずれも水素原子であるか
、またはｎは１であシ、ＲＩは置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香
脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましくは
芳香族性を有する置換されたもしくは未置換の複素環式
または複素環−脂肪族基であり、Ｒｎは官能的に変形例
えばエステル化またはエーテル化されている場合のある
ヒドロキシルまたはメルカプト基、例えばハロダン原子
、置換されたもしくは未置換のアミノ基、官能的に変形
されている場合のあるカルぎキシル基またはスルホ基、
０−モノ置換またはｏ、ｏ’−ジ置換？されている場合
のあるホスホノ基またはアテド基でありそしてＲＩＩｌ
は水素原子であるが、またはｎは１であシ、基ＲＩとＲ
ｎとがそれぞれ官能的に変形（好ましくはエーテル化ま
たはエステル化）されたヒドロキシルまたは官能的に変
形されている場合のあるカルブキシル基でありそしてＲ
ＩＩは水素原子であるか、またはｎは１であシ、ＲＩは
水素原子または置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂
環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基でｓｂそしてＲＩｌとＲＩとはその両方で置換され
ている場合のあるそして２重結合によって式中の炭素原
子と結合している脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族または
芳香脂肪族の炭化水素基であるか、またはｎは１であシ
、ＲＩは置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、
脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水素基ま
たはその複素環式基が好ましくは芳香族性を有する置換
されたもしくは未置換の複素環式または複素環−脂肪族
基であシ、ＲＵは置換されたもしくは未置換の脂肪族、
脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化
水素基であシそしてＲＩＩｌは水素原子または置換され
たもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基である〕 で表わされる基である。
は７−アミノ−３−セフェム−４−カルボン酸化合物の
薬理活性なＮ−アシル誘導体に含まれるアシル基Ａｃと
いうのは、主として式 〔この式でｎは０であシそしてＲＩは水素原子または置
換されたもしくは未置換の脂環式または芳香族炭化水素
基、置換されたもしくは未置換のそして好ましくは芳香
族性をもっ複素環式基、官能的に変形例えばエステル化
またはエーテル化されているヒドロキシルまたはメルカ
プト基あるいは置換されたもしくは未置換のアミノ基で
あるか、またはｎは１であ）、ＲＩは水素原子または置
換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−ｔｊ
ｂ肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水素基、その複
素環式基が好ましくは芳香族性をもちそして（または）
第４級窒素原子をもっている置換されたもしくは未置換
の複素環式基または複素環−脂肪族基、官能的に変形（
好ましくはエーテル化またはエステル化）されている場
合のあるヒドロキシルまたはメルカプト基、官能的に変
形されている場合のあるカルブキシル基、アシル基、置
換されたもしくは未置換のアミン基またはアテド基であ
シそして基ＲＩＩとＲ■とがいずれも水素原子であるか
、またはｎは１であシ、ＲＩは置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香
脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましくは
芳香族性を有する置換されたもしくは未置換の複素環式
または複素環−脂肪族基であり、Ｒｎは官能的に変形例
えばエステル化またはエーテル化されている場合のある
ヒドロキシルまたはメルカプト基、例えばハロダン原子
、置換されたもしくは未置換のアミノ基、官能的に変形
されている場合のあるカルぎキシル基またはスルホ基、
０−モノ置換またはｏ、ｏ’−ジ置換？されている場合
のあるホスホノ基またはアテド基でありそしてＲＩＩｌ
は水素原子であるが、またはｎは１であシ、基ＲＩとＲ
ｎとがそれぞれ官能的に変形（好ましくはエーテル化ま
たはエステル化）されたヒドロキシルまたは官能的に変
形されている場合のあるカルブキシル基でありそしてＲ
ＩＩは水素原子であるか、またはｎは１であシ、ＲＩは
水素原子または置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂
環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基でｓｂそしてＲＩｌとＲＩとはその両方で置換され
ている場合のあるそして２重結合によって式中の炭素原
子と結合している脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族または
芳香脂肪族の炭化水素基であるか、またはｎは１であシ
、ＲＩは置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、
脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水素基ま
たはその複素環式基が好ましくは芳香族性を有する置換
されたもしくは未置換の複素環式または複素環−脂肪族
基であシ、ＲＵは置換されたもしくは未置換の脂肪族、
脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化
水素基であシそしてＲＩＩｌは水素原子または置換され
たもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基である〕 で表わされる基である。
前記の式（４）のアシル基においては、例えばｎは０で
あシそしてＲ１は水素原子または環炭素原子５〜７個を
もつシクロアルキル基〔これは場合によっては保護され
ていることのできるアミン基、アシルアミノ基（そのア
シル基は主に低級アルコキシカルビニル基、２−ハロゲ
ノ低級アルコキシカルビニル基またはフェニル低級アル
コキシカルビニル基のような炭酸半エステルのアシル基
とする）またはスルホアミノ基（これはアルカリ金属塩
のような塩の形であることもできる）によって好ましく
は１−位置で置換されていることができる〕、置換され
たもしくは未置換のフェニル基、ナフチル基またはテト
ラヒドロナフチル基〔これらは場合によっては好ましく
はヒドロキシル、メトキシ基のような低級アルコキシ基
、アシルオキシ基゛′テ”′ぞのアシル基は主として低
級アルコキシヵルテニＡ４，２−ハロダノ低級アルコキ
シカルデニル基ｔ タハフェニル低級アルコキシヵルデ
ニル基のような炭酸半エステルのアシル基とする）およ
び（または）塩素原子のようなハロダン原子によって置
換されていることができる〕、置換されたもしくは未置
換の複素環式基〔これは例えばメチル基のような低級ア
ルキル基によってそして（または）置換基例えば塩素原
子のようなハロゲン原子をそれ自体もっていることので
きるフェニル基によって置換されていることができる〕
例えば４−インオキサシリル基またはアミン基（このア
ミン基は例えば置換基例えば塩素原子のようなハロダン
原子をもっていることのできる低級アルキル基によって
Ｎ−置換されているの好ましい）であるか、またはｎは
１であり、Ｒ１は低級アルキル基〔これは場合によって
は好ましぐは塩素原子のようなハロゲン原子によりて置
換基例えばヒドロキシル、アシルオキシ基（そのアシル
基は前記の意味をもつ）および（または）塩素原子のよ
うなハロゲン原子をもっていることのできるフェニルオ
キシ基によってまたは保護されていることのできるアミ
ン基および（または）カルボキシル基によって置換され
ていることができる〕、例えば保護されている場合のあ
るアミノ基および（または）カルボキシル基〔例えば、
シリル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低級ア
ルキルシリル化されたアミノ基またはアシルアミノ基例
えば低級アルカノイルアミノ基、ハロゲノ低級アルカノ
イルアミノ基またはフタロイルアミノ基、および（また
は）シリル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低
級アルキルシリル化されているかまたはエステル化例え
ば低級アルキル基、２−ノ・ロダノ低級アルキル基また
はジフェニルメチル基のようなフェニル低級アルキル基
でエステル化されたカルボキシル基〕をもつ４−アミノ
−４−カルブキシ−ブチル基、低級アルケニル基、フェ
ニル基〔これは場合によっては置換基例えば上記のよう
にアシル化されていることのできるヒドロキシルおよび
（または）塩素原子のようなノ・ログン原・子によって
、さらに保護例えば上記のようにアシル化されているこ
とのできるアミノメチル基のよ５なアミノ低級アルキル
基によって、または例えば上記のようにアシル化されて
いることのできるヒドロキシルおよび（または）塩素原
子のようなハロゲン原子をもっていることのできるフェ
ニルオキシ基によって置換されていることができる〕、
置換基例えばメチル基のような低級アルキル基によって
または保護（例えば、上記のようにアシル化）されてい
ることのできるアミノ基またはアミノメチル基によって
置換されていることのできるピリジル基例えば４−ピリ
ジル基、ピリジニウム基例えば４−ピリジニウム基、チ
ェニル基例えば２−チェニル基、フリル基例えば２−フ
リル基、イミダゾリル基例えば１−イミダゾリル基また
はテトラゾリル基例えば１−テトラゾリル基、置換され
たもしくは未置換の低級アルコキシ基例えばメトキシ基
、フェニルオキシ基〔これは置換基、例えば保護例えば
上記のようにアシル化されていることのできるヒドロキ
シルおよび（または）塩素原子のようなハロゲン原子に
よって置換されていることができる〕、低級アルキルチ
オ基例えばｎ−ブチルチオ基または低級アルケニルチオ
基例えばアリルチオ基、置換基例えばメチル基のような
低級アルキル基で置換されていることのできるフェニル
チオ基、４−ピリジルチオ基のようなピリジルチオ基、
２−イミダゾリルチオ基、１．２゜４−トリアゾール−
３−イルチオ基、１，３．４−トリアゾール−２−イル
チオ基、１．２．４−チアジアゾール−３−イルチオ基
例えば５−メチル−１，２，４−チアジアゾール−３−
イルチオ基、１．３．４−チアジアゾール−２−イルチ
オ基例えば５−メチル−１，３，４−チアジアゾール−
２−イルチオ基または５−テトラゾリルチオ基例えば１
−メチル−５−テトラゾリルチオ基、ハロゲン原子特に
塩素または臭素原子、官能的に変えられている場合のあ
るカル？キシル基例えばメトキシカルブニル基やエトキ
シカルがニル基のような低級アルコキシカルがニル基、
シアノ基またはＮ−置換（例えばメチル基のような低級
アル−＃−ル°基またはフェニル基でＮ−置換）されて
いる場合のあるカルバモイル基、置換されたもしくは未
置換の低級アルカノイル基例えばアセチル基またはプロ
ピオニル基またはベンゾイル基、またはアテド基であシ
そしてＲ■とＲＩＩＩとは水素原子であるか、あるいは
ｎは１であシ、Ｒ１は低級アルキル基、または場合によ
っては例えば上記のようにアシル化されていることので
きるヒドロキシルおよび（または）塩素原子のようなハ
ロゲン原子で置換されていることのできるフェニル基、
２−フリル基のようなフリル基、２−または３−チェニ
ル基のようなチェニル基または４−インチアゾリル基の
ようなインチアゾリル基、さらにまたｌ。
あシそしてＲ１は水素原子または環炭素原子５〜７個を
もつシクロアルキル基〔これは場合によっては保護され
ていることのできるアミン基、アシルアミノ基（そのア
シル基は主に低級アルコキシカルビニル基、２−ハロゲ
ノ低級アルコキシカルビニル基またはフェニル低級アル
コキシカルビニル基のような炭酸半エステルのアシル基
とする）またはスルホアミノ基（これはアルカリ金属塩
のような塩の形であることもできる）によって好ましく
は１−位置で置換されていることができる〕、置換され
たもしくは未置換のフェニル基、ナフチル基またはテト
ラヒドロナフチル基〔これらは場合によっては好ましく
はヒドロキシル、メトキシ基のような低級アルコキシ基
、アシルオキシ基゛′テ”′ぞのアシル基は主として低
級アルコキシヵルテニＡ４，２−ハロダノ低級アルコキ
シカルデニル基ｔ タハフェニル低級アルコキシヵルデ
ニル基のような炭酸半エステルのアシル基とする）およ
び（または）塩素原子のようなハロダン原子によって置
換されていることができる〕、置換されたもしくは未置
換の複素環式基〔これは例えばメチル基のような低級ア
ルキル基によってそして（または）置換基例えば塩素原
子のようなハロゲン原子をそれ自体もっていることので
きるフェニル基によって置換されていることができる〕
例えば４−インオキサシリル基またはアミン基（このア
ミン基は例えば置換基例えば塩素原子のようなハロダン
原子をもっていることのできる低級アルキル基によって
Ｎ−置換されているの好ましい）であるか、またはｎは
１であり、Ｒ１は低級アルキル基〔これは場合によって
は好ましぐは塩素原子のようなハロゲン原子によりて置
換基例えばヒドロキシル、アシルオキシ基（そのアシル
基は前記の意味をもつ）および（または）塩素原子のよ
うなハロゲン原子をもっていることのできるフェニルオ
キシ基によってまたは保護されていることのできるアミ
ン基および（または）カルボキシル基によって置換され
ていることができる〕、例えば保護されている場合のあ
るアミノ基および（または）カルボキシル基〔例えば、
シリル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低級ア
ルキルシリル化されたアミノ基またはアシルアミノ基例
えば低級アルカノイルアミノ基、ハロゲノ低級アルカノ
イルアミノ基またはフタロイルアミノ基、および（また
は）シリル化例えばトリメチルシリル化のようなトリ低
級アルキルシリル化されているかまたはエステル化例え
ば低級アルキル基、２−ノ・ロダノ低級アルキル基また
はジフェニルメチル基のようなフェニル低級アルキル基
でエステル化されたカルボキシル基〕をもつ４−アミノ
−４−カルブキシ−ブチル基、低級アルケニル基、フェ
ニル基〔これは場合によっては置換基例えば上記のよう
にアシル化されていることのできるヒドロキシルおよび
（または）塩素原子のようなノ・ログン原・子によって
、さらに保護例えば上記のようにアシル化されているこ
とのできるアミノメチル基のよ５なアミノ低級アルキル
基によって、または例えば上記のようにアシル化されて
いることのできるヒドロキシルおよび（または）塩素原
子のようなハロゲン原子をもっていることのできるフェ
ニルオキシ基によって置換されていることができる〕、
置換基例えばメチル基のような低級アルキル基によって
または保護（例えば、上記のようにアシル化）されてい
ることのできるアミノ基またはアミノメチル基によって
置換されていることのできるピリジル基例えば４−ピリ
ジル基、ピリジニウム基例えば４−ピリジニウム基、チ
ェニル基例えば２−チェニル基、フリル基例えば２−フ
リル基、イミダゾリル基例えば１−イミダゾリル基また
はテトラゾリル基例えば１−テトラゾリル基、置換され
たもしくは未置換の低級アルコキシ基例えばメトキシ基
、フェニルオキシ基〔これは置換基、例えば保護例えば
上記のようにアシル化されていることのできるヒドロキ
シルおよび（または）塩素原子のようなハロゲン原子に
よって置換されていることができる〕、低級アルキルチ
オ基例えばｎ−ブチルチオ基または低級アルケニルチオ
基例えばアリルチオ基、置換基例えばメチル基のような
低級アルキル基で置換されていることのできるフェニル
チオ基、４−ピリジルチオ基のようなピリジルチオ基、
２−イミダゾリルチオ基、１．２゜４−トリアゾール−
３−イルチオ基、１，３．４−トリアゾール−２−イル
チオ基、１．２．４−チアジアゾール−３−イルチオ基
例えば５−メチル−１，２，４−チアジアゾール−３−
イルチオ基、１．３．４−チアジアゾール−２−イルチ
オ基例えば５−メチル−１，３，４−チアジアゾール−
２−イルチオ基または５−テトラゾリルチオ基例えば１
−メチル−５−テトラゾリルチオ基、ハロゲン原子特に
塩素または臭素原子、官能的に変えられている場合のあ
るカル？キシル基例えばメトキシカルブニル基やエトキ
シカルがニル基のような低級アルコキシカルがニル基、
シアノ基またはＮ−置換（例えばメチル基のような低級
アル−＃−ル°基またはフェニル基でＮ−置換）されて
いる場合のあるカルバモイル基、置換されたもしくは未
置換の低級アルカノイル基例えばアセチル基またはプロ
ピオニル基またはベンゾイル基、またはアテド基であシ
そしてＲ■とＲＩＩＩとは水素原子であるか、あるいは
ｎは１であシ、Ｒ１は低級アルキル基、または場合によ
っては例えば上記のようにアシル化されていることので
きるヒドロキシルおよび（または）塩素原子のようなハ
ロゲン原子で置換されていることのできるフェニル基、
２−フリル基のようなフリル基、２−または３−チェニ
ル基のようなチェニル基または４−インチアゾリル基の
ようなインチアゾリル基、さらにまたｌ。
４−シクロへキサジェニル基であシ、Ｒ■は保護または
置換されたもしくは未置換の７ミノ基例えばアミン基、
アシルアミノ基例えば低級アルコキシカルボニルアミノ
基、２−ハロゲン低級アルコキシカルがニルアミノ基ま
たは置換基例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基
またはニトロ基をもっていることのできるフェニル低級
アルコキンカル日−二ルアミノ基、例えばｔ−ブトキシ
カルブニルアミノ基、２．２．２−）リクロルエトキシ
カルポニルアミノ基、４−メトキシペンジルオキシカル
ブニルアミノ基またはジフェニルメチルオキシカルボニ
ルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例えば４−メ
チルフェニルスルホニルアミノ基、トリメチルアミノ基
、アリールチオアミノ基例えば２−ニトロフェニルチオ
アミノ基のようなニトロフェニルチオアミノ基またはト
リチルチオアミノ基、または置換基例えばエトキシカル
ブニル基のような低級アルコキシカルブニル基やアセチ
ル基のような低級アルカノイル基をもっていることので
きる２−グロピリデンアミノ基例えば２−エトキシカル
ボニル−２−フ６０ビリデンアミノ基、またはグアニジ
ノカルがニルアミノ基のような置換されたもしくは未置
換のカルバモイルアミ７基、またはアルカリ金属塩のよ
うな塩の形であることのできるスルホアミノ基、アテド
基、アルカリ金属塩のような塩の形またはエステル化さ
れた形のような保獲された形にあることのできる・ガ予
ぎキシル基（例えば、メトキシカルボニルＳやエトキシ
カルブニル基のような低級アルコキシカルブニル基とし
てまたは・ジフェニルメトキシカルブニル基のようなフ
ェニルオキ７カルボニル基としであることができる）、
シアノ基、スルホ基、官能的に変えられていることので
きるヒドロキシル〔官能的に変えられたヒドロキシルは
殊にホルミルオキシ基のようなアシルオキシ基ならびに
低ｉアルコキシカルデニルオキシ基、２−ハロゲノ低級
アルコキシカルがニルオキシ基または置換基（例えば、
メトキシ基のような低級アルコキシ基またはニトロ基）
をもっている場合のちるフェニル低級アルコキシカルブ
ニルオキシ基、例えばｔ−ブトキシカルがニルオキ７基
、２．２．２−トリクロルエトキシカルブニルオキシ基
、４−メトキクベンジルオキシカルボニルオキシ基また
はジフェニルメトキシカル？ニルオナシ基、または置換
されたもしくは未置換の低級アルコキシ基例えばメトキ
シ基またはフェニルオキシ基である〕、〇−低級アルキ
ルーまたは０．０′−ジ低級アルキル−ホスホノ基例え
ば０−メチルホスホノ基または０．０′−ジメチルホス
ホノ基、またはノ・ロダン原子例えば塩素または臭素原
子であシそしてＲｎｌは水素原子であるか、またはｎは
１であシ、ＲＩとＲ■とはそれぞれ・・ロダン原子例え
ば臭素原子または低級アルコキシカルビニル基例えばメ
トキシカルブニル基でありそしてＲＩＩＩは水素原子で
あるか、またはｎは１であシ、ＲＩは場合によっては例
えば上記のようにアシル化されていることのできるヒド
ロキシルおよび（ｔたは）塩素原子のようなハロダン原
子によって置換されていることのできるフェニル基、２
−フリル基のようなフリル基、２−または３−チェニル
基のようなチェニル基または４−インチアゾリル基のよ
うなイソチアゾリル基、さらにまた１、４−シクロヘキ
サジェニル基でちシ、Ｒ■は場合によりては例えば上記
のように保護されたアミノメチル基であシそしてＲ■は
水素原子であるか、またはｎは１であシ基例えばメチル
基である。
置換されたもしくは未置換の７ミノ基例えばアミン基、
アシルアミノ基例えば低級アルコキシカルボニルアミノ
基、２−ハロゲン低級アルコキシカルがニルアミノ基ま
たは置換基例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基
またはニトロ基をもっていることのできるフェニル低級
アルコキンカル日−二ルアミノ基、例えばｔ−ブトキシ
カルブニルアミノ基、２．２．２−）リクロルエトキシ
カルポニルアミノ基、４−メトキシペンジルオキシカル
ブニルアミノ基またはジフェニルメチルオキシカルボニ
ルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例えば４−メ
チルフェニルスルホニルアミノ基、トリメチルアミノ基
、アリールチオアミノ基例えば２−ニトロフェニルチオ
アミノ基のようなニトロフェニルチオアミノ基またはト
リチルチオアミノ基、または置換基例えばエトキシカル
ブニル基のような低級アルコキシカルブニル基やアセチ
ル基のような低級アルカノイル基をもっていることので
きる２−グロピリデンアミノ基例えば２−エトキシカル
ボニル−２−フ６０ビリデンアミノ基、またはグアニジ
ノカルがニルアミノ基のような置換されたもしくは未置
換のカルバモイルアミ７基、またはアルカリ金属塩のよ
うな塩の形であることのできるスルホアミノ基、アテド
基、アルカリ金属塩のような塩の形またはエステル化さ
れた形のような保獲された形にあることのできる・ガ予
ぎキシル基（例えば、メトキシカルボニルＳやエトキシ
カルブニル基のような低級アルコキシカルブニル基とし
てまたは・ジフェニルメトキシカルブニル基のようなフ
ェニルオキ７カルボニル基としであることができる）、
シアノ基、スルホ基、官能的に変えられていることので
きるヒドロキシル〔官能的に変えられたヒドロキシルは
殊にホルミルオキシ基のようなアシルオキシ基ならびに
低ｉアルコキシカルデニルオキシ基、２−ハロゲノ低級
アルコキシカルがニルオキシ基または置換基（例えば、
メトキシ基のような低級アルコキシ基またはニトロ基）
をもっている場合のちるフェニル低級アルコキシカルブ
ニルオキシ基、例えばｔ−ブトキシカルがニルオキ７基
、２．２．２−トリクロルエトキシカルブニルオキシ基
、４−メトキクベンジルオキシカルボニルオキシ基また
はジフェニルメトキシカル？ニルオナシ基、または置換
されたもしくは未置換の低級アルコキシ基例えばメトキ
シ基またはフェニルオキシ基である〕、〇−低級アルキ
ルーまたは０．０′−ジ低級アルキル−ホスホノ基例え
ば０−メチルホスホノ基または０．０′−ジメチルホス
ホノ基、またはノ・ロダン原子例えば塩素または臭素原
子であシそしてＲｎｌは水素原子であるか、またはｎは
１であシ、ＲＩとＲ■とはそれぞれ・・ロダン原子例え
ば臭素原子または低級アルコキシカルビニル基例えばメ
トキシカルブニル基でありそしてＲＩＩＩは水素原子で
あるか、またはｎは１であシ、ＲＩは場合によっては例
えば上記のようにアシル化されていることのできるヒド
ロキシルおよび（ｔたは）塩素原子のようなハロダン原
子によって置換されていることのできるフェニル基、２
−フリル基のようなフリル基、２−または３−チェニル
基のようなチェニル基または４−インチアゾリル基のよ
うなイソチアゾリル基、さらにまた１、４−シクロヘキ
サジェニル基でちシ、Ｒ■は場合によりては例えば上記
のように保護されたアミノメチル基であシそしてＲ■は
水素原子であるか、またはｎは１であシ基例えばメチル
基である。
−ご゛の′ようなアシル基Ａｃは例えばホルミル基、シ
クロペンチルカルビニル基、α−アミノシクロペンチル
カル？ニル基またはα−アミノシクロヘキシルカル？ニ
ル基〔これは置換されたもしくは未置換のアミノ基、例
えば塩の形であることのできるスルホアミノ基、または
例えばトリフルオル酢酸のような酸性剤でまたは例えば
含水酢酸の存在下での亜鉛のような化学的還元剤または
接触された水素で還元的に処理するかまたは加水分解に
よって好ましくは容易に脱離することのできるアシル基
またはこのようなアシル基に変えることのできるアシル
基で置換されたアミン基（好ましくは炭酸半エステルの
適当なアシル基例えばｔ−プトキシカ／Ｌ／？ニル基の
ような低級アルコキシカルビニル基、２，２．２−）ジ
クロルエトキシカルビニル基、２−ブロムエトキシカル
ブニル基マタは２−ヨードエトキシカルブニル基のよう
な２−ハロダン低級アルコキシカルボニル基、フェナシ
ルオキシカルブニル基のようなアリールカルポニルメト
キシカルデニル基、置換基例えばメトキシ基のような低
級アルコキシ基またはニトロ基をもりていることのでき
るフェニル低級アルコキシカルブニル基例えば４−メト
キシペンジルオキシカルボニル基まタハジフェニルメト
キシカル？ニル基、または炭酸半アミドの適当なアシル
基例えばカルバモイル基またはＮ−置換されたカルバモ
イル基例えばＮ−メチルカルバモイル基のよ５なＮ−低
級アルキルカルバモイル基によって、さらにまた２−ニ
トロフェニルチオ基のようなアリールチオ基、４−メチ
ルフェニルスルホニル基のようなアリールスルホニル基
または１−エトキシカルＮ＝）ｖ−２−プロピリデン基
のよ５な１−低級アルコキシカル？ニルー２−プロピリ
デン基ニよって置換されたアミノ基）をもっている〕、
〕２．６−シメトキシベンゾイル基５．６．７．８−テ
トラヒドロナフトイル基、２−メトキシ−１−ナフトイ
ル基、２−エトキシ−１−ナフトイル基、ペンジルオキ
シカルボニル基、ヘキサヒドロベンジルオキシカルビニ
ル基、５−メチル−３−フェニル−４−イソオキサシリ
ル−カルがニル基、３−（２−クロルフェニル）−５−
メチル−４−インオキサシリルカルビニル基、３−（２
，６−ジクロルフェニル）−５−メチル−４−インオキ
サシリルカルがニル基、２−クロルエチルアミノカルデ
ニル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピ
パロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、アクリ
リル基、クロトノイル基、３−ブテノイル基、２−−（
ンテノイル基、メトキシアセチル基、メチルチオアセチ
ル基、ブデルテオアセテル基、アリルチオアセチル基、
クロルアセチル基、ブロムアセチル基、ジブロムアセチ
ル基、３−クロルゾロピオニル基、３−ブロムプロピオ
ニル基、アミノアセチル基または５−アミノ−５−カル
デキシーパレリル基〔これらは例えば上記のように例え
ばモノアシル基またはジアシル基例えばアセチル基やジ
クロルアセチル基のような）・ロダン化されている場合
のある低級アルカノイル基またはフタロイル基によって
置換されて（・ることのできるアミン基および（または
）官能的に例えばナトリウム塩のような塩の形またはエ
ステル例ｔＪｆメチルエステルやエチルエステルのよう
な低級アルキルエステルまたはジフェニルメチルエステ
ルのようなアリール低級アルキルエステルの形に変えら
れていることのできるカルボキシル基をもっている〕、
アナドアセチル基、カルボキシ７セテル基、メトキシカ
ルボニルアセチル基、エトキシカルボニルアセチル基、
ビスーメトキシカル日にニルアセチル＆、Ｎ−フェニル
カルバモイルアセチル基、シアノアセチル基、α−シア
ノプロピオニル基、２−シアノ−３，３−ジメチルアク
リリル基、フェニルアセチル基、α−ブロムフェニルア
セチル基、α−アテドフェニルアセテル基、３−クロル
フェニルアセチルＭ、２−ｔタハ４−アミツメテルフェ
ニルアセチル基（これは例えば前記のように置換された
もしくは未置換のアミノ基ヲモつ）、フェナシルカルビ
ニル基、フェニルオキシアセチル基、４−トリフルオル
メチルフェニルオキシアセチル基、ベンジルオキシアセ
チル基、フェニルチオアセチル基、ブロムフェニルチオ
アセチル基、２−フェニルオキシプロピオニル基、α−
フェニルオキシフェニルアセチル基、α−メトキシフェ
ニルアセチル基、α−エトキシフェニルアセチル基、α
−メトキシ−３，４−−、’クロルフェニルアセチル基
、α−シアノフェニルアセチル基、 殊にフェニルグリ
シル基、４−ヒドロキシフェニルグリシル基、３−クロ
ル−４−ヒドロキシフェニルグリシル基、３．５−ジク
ロル−４−ヒドロキシフェニルグリシル基、α−アミノ
−α−（１，４−シクロへキサジェニル）−アセチル基
、α−アミノメチル−α−フェニルアセテル基マタハα
−ヒドロキシフェニルアセチル基〔これらの基において
、存在するアミン基は例えば上記のように置換されてい
ることもできるものとしそして（または）存在する脂肪
族ヒドロキシルおよび（または）フェノール性ヒドロキ
シルはアミノ基と同様に例えば適当なアシル基殊にホル
ミル基または炭酸半エステルのアシル基で保護されてい
ることもできる〕、またはα−〇−メチルーホスホノー
フェニルアセチル基またはα−０，０′−ジメチル−ホ
スホノ−フェニルアセチル基、さらにベンジルチオアセ
チル基、ペンジルチオプロピオニル基、α−カルがキシ
フェニルアセチル基（これは場合によっては例えば上記
のように官能的に変えられたカルボキシル基をもつこと
ができる）、３−フェニルグロビオニル基、３−（３−
シアノフェニル）−プロピオニル基、４−（３−メトキ
シフェニル）−ブチリル基、２−ピリジルアセチル基１
．４−アミンピリジニウムアセチル基（これは場合によ
っては例えば前記のように置換されたアミン基をもつこ
とができる）、２−チェニルアセチル基、３−チェニル
アセチル！、２−テトラヒドロチェニルアセチル基、２
−フリルアセチル基、１−イミダゾリルアセチル基、１
−テトラゾリルアセチル基、α−カルデキシー２−チェ
ニルアセチル基まタハα−カル日？キシー３−チェニル
アセチル基（これらは場合によっては例えば上記のよう
に官能的に変えられたカルボキシル基をもつことができ
る）、α−シアノ−２−チェニルアセチル基、α−アミ
ノ−α−（２−チェニル）−アセチル基、α−アミノ−
α−（２−フリル）−アセチル基またはα−アミノ−α
−（４−インチアゾリル）−アセチル基（これらは場合
によっては例えば上記のように置換されたアミノ基をも
つことができる）、α−スルホフェニルアセチル基（そ
のスルホ基は場合によっては例えば前記カルボキシル基
のように官能的に変えられたスルホ基であることができ
る）、３−メチル−２−イミダゾリル−チオアセチル基
、１．２．４−）リアゾール−３−イルチオアセチル基
、１．３゜４−トリアゾール−２−イルチオアセチル基
、５−メチル−１，２，４−チアジアゾール−３−イル
チオアセチル基、５−メチル−１，３，４−チアジアゾ
ール−２−イルチオアセチル基またはｌ−メチル−５−
テトラゾリルチオアセチル基である。
クロペンチルカルビニル基、α−アミノシクロペンチル
カル？ニル基またはα−アミノシクロヘキシルカル？ニ
ル基〔これは置換されたもしくは未置換のアミノ基、例
えば塩の形であることのできるスルホアミノ基、または
例えばトリフルオル酢酸のような酸性剤でまたは例えば
含水酢酸の存在下での亜鉛のような化学的還元剤または
接触された水素で還元的に処理するかまたは加水分解に
よって好ましくは容易に脱離することのできるアシル基
またはこのようなアシル基に変えることのできるアシル
基で置換されたアミン基（好ましくは炭酸半エステルの
適当なアシル基例えばｔ−プトキシカ／Ｌ／？ニル基の
ような低級アルコキシカルビニル基、２，２．２−）ジ
クロルエトキシカルビニル基、２−ブロムエトキシカル
ブニル基マタは２−ヨードエトキシカルブニル基のよう
な２−ハロダン低級アルコキシカルボニル基、フェナシ
ルオキシカルブニル基のようなアリールカルポニルメト
キシカルデニル基、置換基例えばメトキシ基のような低
級アルコキシ基またはニトロ基をもりていることのでき
るフェニル低級アルコキシカルブニル基例えば４−メト
キシペンジルオキシカルボニル基まタハジフェニルメト
キシカル？ニル基、または炭酸半アミドの適当なアシル
基例えばカルバモイル基またはＮ−置換されたカルバモ
イル基例えばＮ−メチルカルバモイル基のよ５なＮ−低
級アルキルカルバモイル基によって、さらにまた２−ニ
トロフェニルチオ基のようなアリールチオ基、４−メチ
ルフェニルスルホニル基のようなアリールスルホニル基
または１−エトキシカルＮ＝）ｖ−２−プロピリデン基
のよ５な１−低級アルコキシカル？ニルー２−プロピリ
デン基ニよって置換されたアミノ基）をもっている〕、
〕２．６−シメトキシベンゾイル基５．６．７．８−テ
トラヒドロナフトイル基、２−メトキシ−１−ナフトイ
ル基、２−エトキシ−１−ナフトイル基、ペンジルオキ
シカルボニル基、ヘキサヒドロベンジルオキシカルビニ
ル基、５−メチル−３−フェニル−４−イソオキサシリ
ル−カルがニル基、３−（２−クロルフェニル）−５−
メチル−４−インオキサシリルカルビニル基、３−（２
，６−ジクロルフェニル）−５−メチル−４−インオキ
サシリルカルがニル基、２−クロルエチルアミノカルデ
ニル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピ
パロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、アクリ
リル基、クロトノイル基、３−ブテノイル基、２−−（
ンテノイル基、メトキシアセチル基、メチルチオアセチ
ル基、ブデルテオアセテル基、アリルチオアセチル基、
クロルアセチル基、ブロムアセチル基、ジブロムアセチ
ル基、３−クロルゾロピオニル基、３−ブロムプロピオ
ニル基、アミノアセチル基または５−アミノ−５−カル
デキシーパレリル基〔これらは例えば上記のように例え
ばモノアシル基またはジアシル基例えばアセチル基やジ
クロルアセチル基のような）・ロダン化されている場合
のある低級アルカノイル基またはフタロイル基によって
置換されて（・ることのできるアミン基および（または
）官能的に例えばナトリウム塩のような塩の形またはエ
ステル例ｔＪｆメチルエステルやエチルエステルのよう
な低級アルキルエステルまたはジフェニルメチルエステ
ルのようなアリール低級アルキルエステルの形に変えら
れていることのできるカルボキシル基をもっている〕、
アナドアセチル基、カルボキシ７セテル基、メトキシカ
ルボニルアセチル基、エトキシカルボニルアセチル基、
ビスーメトキシカル日にニルアセチル＆、Ｎ−フェニル
カルバモイルアセチル基、シアノアセチル基、α−シア
ノプロピオニル基、２−シアノ−３，３−ジメチルアク
リリル基、フェニルアセチル基、α−ブロムフェニルア
セチル基、α−アテドフェニルアセテル基、３−クロル
フェニルアセチルＭ、２−ｔタハ４−アミツメテルフェ
ニルアセチル基（これは例えば前記のように置換された
もしくは未置換のアミノ基ヲモつ）、フェナシルカルビ
ニル基、フェニルオキシアセチル基、４−トリフルオル
メチルフェニルオキシアセチル基、ベンジルオキシアセ
チル基、フェニルチオアセチル基、ブロムフェニルチオ
アセチル基、２−フェニルオキシプロピオニル基、α−
フェニルオキシフェニルアセチル基、α−メトキシフェ
ニルアセチル基、α−エトキシフェニルアセチル基、α
−メトキシ−３，４−−、’クロルフェニルアセチル基
、α−シアノフェニルアセチル基、 殊にフェニルグリ
シル基、４−ヒドロキシフェニルグリシル基、３−クロ
ル−４−ヒドロキシフェニルグリシル基、３．５−ジク
ロル−４−ヒドロキシフェニルグリシル基、α−アミノ
−α−（１，４−シクロへキサジェニル）−アセチル基
、α−アミノメチル−α−フェニルアセテル基マタハα
−ヒドロキシフェニルアセチル基〔これらの基において
、存在するアミン基は例えば上記のように置換されてい
ることもできるものとしそして（または）存在する脂肪
族ヒドロキシルおよび（または）フェノール性ヒドロキ
シルはアミノ基と同様に例えば適当なアシル基殊にホル
ミル基または炭酸半エステルのアシル基で保護されてい
ることもできる〕、またはα−〇−メチルーホスホノー
フェニルアセチル基またはα−０，０′−ジメチル−ホ
スホノ−フェニルアセチル基、さらにベンジルチオアセ
チル基、ペンジルチオプロピオニル基、α−カルがキシ
フェニルアセチル基（これは場合によっては例えば上記
のように官能的に変えられたカルボキシル基をもつこと
ができる）、３−フェニルグロビオニル基、３−（３−
シアノフェニル）−プロピオニル基、４−（３−メトキ
シフェニル）−ブチリル基、２−ピリジルアセチル基１
．４−アミンピリジニウムアセチル基（これは場合によ
っては例えば前記のように置換されたアミン基をもつこ
とができる）、２−チェニルアセチル基、３−チェニル
アセチル！、２−テトラヒドロチェニルアセチル基、２
−フリルアセチル基、１−イミダゾリルアセチル基、１
−テトラゾリルアセチル基、α−カルデキシー２−チェ
ニルアセチル基まタハα−カル日？キシー３−チェニル
アセチル基（これらは場合によっては例えば上記のよう
に官能的に変えられたカルボキシル基をもつことができ
る）、α−シアノ−２−チェニルアセチル基、α−アミ
ノ−α−（２−チェニル）−アセチル基、α−アミノ−
α−（２−フリル）−アセチル基またはα−アミノ−α
−（４−インチアゾリル）−アセチル基（これらは場合
によっては例えば上記のように置換されたアミノ基をも
つことができる）、α−スルホフェニルアセチル基（そ
のスルホ基は場合によっては例えば前記カルボキシル基
のように官能的に変えられたスルホ基であることができ
る）、３−メチル−２−イミダゾリル−チオアセチル基
、１．２．４−）リアゾール−３−イルチオアセチル基
、１．３゜４−トリアゾール−２−イルチオアセチル基
、５−メチル−１，２，４−チアジアゾール−３−イル
チオアセチル基、５−メチル−１，３，４−チアジアゾ
ール−２−イルチオアセチル基またはｌ−メチル−５−
テトラゾリルチオアセチル基である。
容易に脱離できる特に炭酸半エステルのアシル基ＡＣは
とυわけ還元例えば化学的還元剤で処理することにより
または酸処理例えばトリフルオル酢酸で処理することに
よシ分裂することのできる炭酸半エステルのアシル基、
例えば好ましくはその酸素原子に対するα−位置の炭素
原子において高度に分枝しているそして（または）芳香
族置換された低級アルコキシカルボニル基、またはアリ
ールカルブニル基殊にベンゾイル基で置換されたメトキ
シカルブニル基、またはβ−位置でハロダン置換された
低級アルコキシカルがニル基、例えばｔ−ブトキシカル
ボニル基、ｔ−ベントキシ力、ＩＩ／ ｙｌ ＝ ／ｌ
／ 基、フェナシルオキシカルがニル基、２．２．２−
トリクロルエトキシカルボニル基ｔたは２−ヨードエト
キシカルボニル基あるいは２−ヨードエトキシカルがニ
ル基に変えることのできる２−クロルエトキシカルブニ
ル基または２−ブロムエトキシカルボニル基のような基
および好ましくは多環式のシクロアルコキシカルブニル
基例えばアダマンチルオキシカルがニル基、置換された
もしくは未置換のフェニル−低級アルコキシカルがニル
基、とシワケα−フェニルー低級アルコキシ力ルがニル
基（そのα−位置は数個の置換基をもっているのが好ま
しい）、例えばジフェニルメトキシカルボニル基まタハ
α−４−ビフェニνν゛−゛α−メチルエトキシカルビ
ニル基、またはフリル−低級アルコキシカルブニル基と
シわけα−フリル−低級アルコキシガルデニル基例工ば
フルフリルオキシカルブニル基である。
とυわけ還元例えば化学的還元剤で処理することにより
または酸処理例えばトリフルオル酢酸で処理することに
よシ分裂することのできる炭酸半エステルのアシル基、
例えば好ましくはその酸素原子に対するα−位置の炭素
原子において高度に分枝しているそして（または）芳香
族置換された低級アルコキシカルボニル基、またはアリ
ールカルブニル基殊にベンゾイル基で置換されたメトキ
シカルブニル基、またはβ−位置でハロダン置換された
低級アルコキシカルがニル基、例えばｔ−ブトキシカル
ボニル基、ｔ−ベントキシ力、ＩＩ／ ｙｌ ＝ ／ｌ
／ 基、フェナシルオキシカルがニル基、２．２．２−
トリクロルエトキシカルボニル基ｔたは２−ヨードエト
キシカルボニル基あるいは２−ヨードエトキシカルがニ
ル基に変えることのできる２−クロルエトキシカルブニ
ル基または２−ブロムエトキシカルボニル基のような基
および好ましくは多環式のシクロアルコキシカルブニル
基例えばアダマンチルオキシカルがニル基、置換された
もしくは未置換のフェニル−低級アルコキシカルがニル
基、とシワケα−フェニルー低級アルコキシ力ルがニル
基（そのα−位置は数個の置換基をもっているのが好ま
しい）、例えばジフェニルメトキシカルボニル基まタハ
α−４−ビフェニνν゛−゛α−メチルエトキシカルビ
ニル基、またはフリル−低級アルコキシカルブニル基と
シわけα−フリル−低級アルコキシガルデニル基例工ば
フルフリルオキシカルブニル基である。
基ＲＡとｇｂとで形成されている２価のアシル基１
は例えば低級アルカンジカル？ン酸または低級アルカン
ジカルデン酸のアシル基、例えばサクシニル基、または
フタロイル基のよ５なＯ−アリーレンジカルデン酸のア
シル基である。
ジカルデン酸のアシル基、例えばサクシニル基、または
フタロイル基のよ５なＯ−アリーレンジカルデン酸のア
シル基である。
また、基ＲＡとＲｈとで形成されている他の２価１
の基は例えば、特に２−位置に置換基例えば置換された
もしくは未置換のフェニル基またはチェニル基をもちそ
して場合によっては４−位置でメチル基のような低級ア
ルキル基でモノ置換またはジ置換されていることのでき
る１−オキソ−３−アゾ−１，４−ブチレン基、例えば
４．４−ジメチル−２−フェニル−１−オキソ−３，−
アザ−１゜４−ブチレン基である。
もしくは未置換のフェニル基またはチェニル基をもちそ
して場合によっては４−位置でメチル基のような低級ア
ルキル基でモノ置換またはジ置換されていることのでき
る１−オキソ−３−アゾ−１，４−ブチレン基、例えば
４．４−ジメチル−２−フェニル−１−オキソ−３，−
アザ−１゜４−ブチレン基である。
エーテル化されたヒドロキシルＲ；は、式中ノカル？ニ
ル基といっしょに、好ましくは容易に脱離できるかまた
は他の官能的に変えられたカルがキシル基（例えば、カ
ルバモイル基またはヒドラジノカルボニル基）に変える
ことのできるエステル化されたカルボキシル基を形成し
ている。このよ５１ＧＲ２は例えばメトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−７’ロポキシ基またはイソゾロポキシ基のよ
うな低級アルコキシ基であって、これらはカルボニル基
といっしょにエステル化されたカルボキシル基を形成し
ておシ、これらを殊に２−セフェム化金物においては容
易に遊離カルがキシル基にまたは他の官能的に変えられ
たカルがキシル基に変えることかできる。
ル基といっしょに、好ましくは容易に脱離できるかまた
は他の官能的に変えられたカルがキシル基（例えば、カ
ルバモイル基またはヒドラジノカルボニル基）に変える
ことのできるエステル化されたカルボキシル基を形成し
ている。このよ５１ＧＲ２は例えばメトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−７’ロポキシ基またはイソゾロポキシ基のよ
うな低級アルコキシ基であって、これらはカルボニル基
といっしょにエステル化されたカルボキシル基を形成し
ておシ、これらを殊に２−セフェム化金物においては容
易に遊離カルがキシル基にまたは他の官能的に変えられ
たカルがキシル基に変えることかできる。
基−ｃ （＝Ｑ ）−といっしょに特に容易に脱離する
ことのできるエステル化されたカルボキシル基を形成し
ているエーテル化されたヒドロキシルＲＡは、例えば、
ハロダン原子として原子量が１９以上のものをもってい
る２−ハロゲノ−低級アルコキシル基である。このよう
な基は基−ｃ＜＝ｏ＞−トいっしょに、中性または弱酸
性争件下で化学的還元剤例えば含水酢酸の存在下で亜鉛
で処理することかよ・シ容易に脱離することのできるエ
ステル化されたカルボキシル基またはこのような基に容
易に変えることのできるエステル化されたカルがキシル
基を形成している。このような基は例えば２．２．２−
）リクロルエトキシ基または２−ヨードエトキシ基、あ
るいは２−ヨードエトキシ基に容易に変えることのでき
る２−クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ基で
ある。
ことのできるエステル化されたカルボキシル基を形成し
ているエーテル化されたヒドロキシルＲＡは、例えば、
ハロダン原子として原子量が１９以上のものをもってい
る２−ハロゲノ−低級アルコキシル基である。このよう
な基は基−ｃ＜＝ｏ＞−トいっしょに、中性または弱酸
性争件下で化学的還元剤例えば含水酢酸の存在下で亜鉛
で処理することかよ・シ容易に脱離することのできるエ
ステル化されたカルボキシル基またはこのような基に容
易に変えることのできるエステル化されたカルがキシル
基を形成している。このような基は例えば２．２．２−
）リクロルエトキシ基または２−ヨードエトキシ基、あ
るいは２−ヨードエトキシ基に容易に変えることのでき
る２−クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ基で
ある。
以下余自
さらに、中性または弱酸性条件下で化学的還元剤例えば
含水酢酸の存在下で亜鉛で処理することによってまたは
ナトリウムチオフェノラートのような適当な親核反応剤
で処理することによって同様に容易に脱離することので
きるエステル化されたカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）
−とｂつしよに形成しているエーテル化されたヒドロキ
シルＲ；としては、アリールカルがニルメトキシ基（ア
リールは殊に置換されたもしくは未置換のフェニル基で
ある）そして好ましくはフェナシルオキシ基である。
含水酢酸の存在下で亜鉛で処理することによってまたは
ナトリウムチオフェノラートのような適当な親核反応剤
で処理することによって同様に容易に脱離することので
きるエステル化されたカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）
−とｂつしよに形成しているエーテル化されたヒドロキ
シルＲ；としては、アリールカルがニルメトキシ基（ア
リールは殊に置換されたもしくは未置換のフェニル基で
ある）そして好ましくはフェナシルオキシ基である。
さらに、基材は、そのアリール基が殊に単環式の好まし
くは置換されている芳香族炭化水素基であるアリールメ
トキシ基であることもできる。
くは置換されている芳香族炭化水素基であるアリールメ
トキシ基であることもできる。
このような基は、中性または酸性や件下で照射好ましく
は紫外線照射によって容易に脱離することのできるエス
テル化されたカルぎキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−といっ
しょに形成している。このようなアリールメトキシ基に
おけるアリール基は殊に低級アルコキシフェニル基例え
ばメトキシンェニル基〔そのメトキシ基は主として３−
１４−および（または）５−位置にあるものとする〕お
よ、び・・（または）とシわけニトロフェニル基（その
ニトロ基は好ましくは２−位置にあるものとする）であ
る。このような基は特に低級アルコキシ−１例えばメト
キシ−および（または）ニトロ−ベンジルオキシ基、主
として３−または４−メトキシベンジルオキシ基、３．
５−ジメトキシベンジルオキシ基、２−ニトロベンジル
オキシ基または４．５−ジメトキシ−２−ニトロベンジ
ルオキシ基である。
は紫外線照射によって容易に脱離することのできるエス
テル化されたカルぎキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−といっ
しょに形成している。このようなアリールメトキシ基に
おけるアリール基は殊に低級アルコキシフェニル基例え
ばメトキシンェニル基〔そのメトキシ基は主として３−
１４−および（または）５−位置にあるものとする〕お
よ、び・・（または）とシわけニトロフェニル基（その
ニトロ基は好ましくは２−位置にあるものとする）であ
る。このような基は特に低級アルコキシ−１例えばメト
キシ−および（または）ニトロ−ベンジルオキシ基、主
として３−または４−メトキシベンジルオキシ基、３．
５−ジメトキシベンジルオキシ基、２−ニトロベンジル
オキシ基または４．５−ジメトキシ−２−ニトロベンジ
ルオキシ基である。
さらに、エーテル化されたヒドロキシルＢｉは、酸性条
件下で例えばトリフルオル酢酸またはぎ酸で処理するこ
とによシ容易に脱離できるエステル化されたカルボキシ
ル基ｔ［−Ｃ（＝Ｏ）−とｂっしょに形成してｂる基で
あることもできる。
件下で例えばトリフルオル酢酸またはぎ酸で処理するこ
とによシ容易に脱離できるエステル化されたカルボキシ
ル基ｔ［−Ｃ（＝Ｏ）−とｂっしょに形成してｂる基で
あることもできる。
このような基は主として、そのメチル基が置換されてい
る場合のおる炭化水素基殊に脂肪族または芳香族炭化水
素基例えばメチル基のような低級アルキル基および（ま
たは）フェニル基によってポリ置換されているかまたは
電子供与性置換基をもつ戻累猿式アリール基によってま
たは環構成員として酸素またはいおう原子をもつ芳香族
性の複素環式基によってモノ置換されているメトキシ基
であるかまたはそのメチル基が多環式脂肪族炭化水素基
における環構成員またはオキサ脂環式またはチア脂環式
基における酸素またはいおう原子に対するα−位置を占
める環構成員を成しているようなメトキシ基である。
る場合のおる炭化水素基殊に脂肪族または芳香族炭化水
素基例えばメチル基のような低級アルキル基および（ま
たは）フェニル基によってポリ置換されているかまたは
電子供与性置換基をもつ戻累猿式アリール基によってま
たは環構成員として酸素またはいおう原子をもつ芳香族
性の複素環式基によってモノ置換されているメトキシ基
であるかまたはそのメチル基が多環式脂肪族炭化水素基
における環構成員またはオキサ脂環式またはチア脂環式
基における酸素またはいおう原子に対するα−位置を占
める環構成員を成しているようなメトキシ基である。
この種類のポリ置換されたメトキシ基のうちで好ましい
ものはｔ−低級アルコキシ基例えば１−ブチルオキシ基
またはｔ−ペンチルオキシ基、置換されたもしくは未置
換のジフェニルメトキシ基、例えばジフェニルメトキシ
基または４，４′−ジメトキシ−ジフェニルメトキシ基
、さらに２−（４−ビフェニリル）−２−７’ロビルオ
キシ基であり、上記の置換されたアリール基または複素
環式基をもつメトキシ基は例えば４−メトキシベンジル
オキシ基や３，４−ジメトキシベンジルオキシ基のド＾
もα−１律鳳〒１−七ＳノＭ −−−Ｔ１． １山仏〒
ｎ−キシ基または２−フルフリルオキシ基のようなフル
フリルオキシ基である。メトキシ基のメチル基を好まル
くは３重に分枝した環構成員としてもっている多環式脂
肪族炭化水素基は例えば１−アダマンチル基のようなア
ダマンチル基でアシ、そしてメトキシ基のメチル基を酸
素またはいおう原子に対するα−位置の環構成員として
もっている上記のオキサ−またはテア−脂環式基は例え
ば環原子５〜７個をもつ２−オキサ−または２−チアー
低級アルキレン基または一低級アルケニレン基、例えば
２−テトラヒドロフリル基、２−テトラヒドロピラニル
基または２，３−ジヒドロ−２−ピラニル基または相当
するいおう含有機である。
ものはｔ−低級アルコキシ基例えば１−ブチルオキシ基
またはｔ−ペンチルオキシ基、置換されたもしくは未置
換のジフェニルメトキシ基、例えばジフェニルメトキシ
基または４，４′−ジメトキシ−ジフェニルメトキシ基
、さらに２−（４−ビフェニリル）−２−７’ロビルオ
キシ基であり、上記の置換されたアリール基または複素
環式基をもつメトキシ基は例えば４−メトキシベンジル
オキシ基や３，４−ジメトキシベンジルオキシ基のド＾
もα−１律鳳〒１−七ＳノＭ −−−Ｔ１． １山仏〒
ｎ−キシ基または２−フルフリルオキシ基のようなフル
フリルオキシ基である。メトキシ基のメチル基を好まル
くは３重に分枝した環構成員としてもっている多環式脂
肪族炭化水素基は例えば１−アダマンチル基のようなア
ダマンチル基でアシ、そしてメトキシ基のメチル基を酸
素またはいおう原子に対するα−位置の環構成員として
もっている上記のオキサ−またはテア−脂環式基は例え
ば環原子５〜７個をもつ２−オキサ−または２−チアー
低級アルキレン基または一低級アルケニレン基、例えば
２−テトラヒドロフリル基、２−テトラヒドロピラニル
基または２，３−ジヒドロ−２−ピラニル基または相当
するいおう含有機である。
さらに、基Ｒ書は加水分解によって例えば弱塩基性また
は弱酸性条件下で脱離することのできるエステル化され
たカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ） −といっしょに形
成しているエーテル化されたヒドロキシル基であること
もできる。このような基は好ましくは活性化されたエス
テル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｊ−−へ１−、ｆ綴Ｆ＃暑イ
層入ニー苧ルｌし七り番？ｐロキシル基例、ｕｆ４−ニ
トロフェニルオキシ基や２．４−ジニトロフェニルオキ
シ基のようなニトロフェニルオキシ基、４−ニトロベン
ジルオキシ基のようなニトロフェニル低級アルコキシ基
、４−ヒドロキシ−３，５−ｔ−ブチル−ベンジルオキ
シ基のようなヒドロキシ−低級アルキル−ベンジルオキ
シ基、２，４．６−）リクロルフェニルオキシ基や２，
３，４，５．６−ペンタクロルフェニルオキシ基のよう
なポリハロゲノフェニルオキシ基、さらにシアノメトキ
シ基ならびにアシルアミノメトキシ基例えばフタルイミ
ノメトキシ基またはサクシニルイミノメトキシ基である
。
は弱酸性条件下で脱離することのできるエステル化され
たカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ） −といっしょに形
成しているエーテル化されたヒドロキシル基であること
もできる。このような基は好ましくは活性化されたエス
テル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｊ−−へ１−、ｆ綴Ｆ＃暑イ
層入ニー苧ルｌし七り番？ｐロキシル基例、ｕｆ４−ニ
トロフェニルオキシ基や２．４−ジニトロフェニルオキ
シ基のようなニトロフェニルオキシ基、４−ニトロベン
ジルオキシ基のようなニトロフェニル低級アルコキシ基
、４−ヒドロキシ−３，５−ｔ−ブチル−ベンジルオキ
シ基のようなヒドロキシ−低級アルキル−ベンジルオキ
シ基、２，４．６−）リクロルフェニルオキシ基や２，
３，４，５．６−ペンタクロルフェニルオキシ基のよう
なポリハロゲノフェニルオキシ基、さらにシアノメトキ
シ基ならびにアシルアミノメトキシ基例えばフタルイミ
ノメトキシ基またはサクシニルイミノメトキシ基である
。
また、基材は水素添加分解条件の下で分裂できるエステ
ル化されたカルがキシル基をカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）
−といっしょに形成しているエーテル化されたヒドロキ
シル基であることもでき、これは例えばベンジルオキシ
基、４−メトキシベンジルオキシ基または４−ニトロベ
ンジルオキシ基のような例えば低級アルコキシ基やニト
ロ基で置、換されていることのできるα−フェニル低級
アルコキシ基である。
ル化されたカルがキシル基をカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）
−といっしょに形成しているエーテル化されたヒドロキ
シル基であることもでき、これは例えばベンジルオキシ
基、４−メトキシベンジルオキシ基または４−ニトロベ
ンジルオキシ基のような例えば低級アルコキシ基やニト
ロ基で置、換されていることのできるα−フェニル低級
アルコキシ基である。
また、基材は生理学的条件の下で脱離することので、き
るエステル化されたカルボニル基をカルがニル基−Ｃ（
＝Ｏ）−といっしょに形成し玉いるエーテル化されたヒ
ドロキシル基、主としてアシルオキシメトキシ基（その
アシル基は例えば有機 ゛カルボン酸、主に置換された
もしくは未置換の低級アルカンカルボン酸の基であるか
またはそのアシルオヤシメチル部分は２クトンの基を形
成しているものとする）であることもできる。このよう
なエーテル化されたヒドロキシルは低級アルカノイルオ
キシメトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ基または
ピパロイルオキシメトキシ基、アミノ−低級アルカノイ
ルオキシメトキシ基殊にα−アミノ−低級アルカノイル
オキシメトキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、Ｌ
−バリルオキシメトキシ基、Ｌ−ロイシルオキシメトキ
シ基、さらにフタリジルオキシ基である。
るエステル化されたカルボニル基をカルがニル基−Ｃ（
＝Ｏ）−といっしょに形成し玉いるエーテル化されたヒ
ドロキシル基、主としてアシルオキシメトキシ基（その
アシル基は例えば有機 ゛カルボン酸、主に置換された
もしくは未置換の低級アルカンカルボン酸の基であるか
またはそのアシルオヤシメチル部分は２クトンの基を形
成しているものとする）であることもできる。このよう
なエーテル化されたヒドロキシルは低級アルカノイルオ
キシメトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ基または
ピパロイルオキシメトキシ基、アミノ−低級アルカノイ
ルオキシメトキシ基殊にα−アミノ−低級アルカノイル
オキシメトキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、Ｌ
−バリルオキシメトキシ基、Ｌ−ロイシルオキシメトキ
シ基、さらにフタリジルオキシ基である。
シリルオキシ基またはスタンニルオキシ基として吋は置
換基として好ましくは置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば
低級アルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、シクロアル
キル基翫フェニル基またはフェニル低級アルキル基、ま
たは変えられている場合のある官能性基例えば低級アル
コキシ基のようなエーテル化されたヒドロキシル基“ま
たは塩素原子のようなハロゲン原子をもっておシ、主と
してトリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキ
ルシリルオキシ基、クロル−メトキシ−メチル−シリル
基のようなノ・ログノー低級アルコキシ−低級アルキル
−シリル基またはトリーｎ−プテルスクンニルオキシ基
のようなトリ低級アルキルスタニルオキシ基である。
換基として好ましくは置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば
低級アルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、シクロアル
キル基翫フェニル基またはフェニル低級アルキル基、ま
たは変えられている場合のある官能性基例えば低級アル
コキシ基のようなエーテル化されたヒドロキシル基“ま
たは塩素原子のようなハロゲン原子をもっておシ、主と
してトリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキ
ルシリルオキシ基、クロル−メトキシ−メチル−シリル
基のようなノ・ログノー低級アルコキシ−低級アルキル
−シリル基またはトリーｎ−プテルスクンニルオキシ基
のようなトリ低級アルキルスタニルオキシ基である。
基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょに好ましくは加水分解によ
って脱離することのできる混合勲水物基を形成している
アシルオキシ基としてのＲ夛は例えば前記有機カルボン
酸または炭酸半銹導体のアシル基をもっておシ、例えば
場合によってはふっ素や塩素原子のようなハロゲン原子
によって好ましくはα−４６ｆＭＦ ｆ署漁すれていふ
ととので負ふ低級アルカノイルオキシ基例えばアセチル
オキシ基、ビパリルオキシ基またはトリクロルアセチル
オキシ基ある−いは低級アルコキシカル？ニルオキシ基
例えばメトキシカルブニルオキシ基またはエトキシカル
？ニルオキシ基である。
って脱離することのできる混合勲水物基を形成している
アシルオキシ基としてのＲ夛は例えば前記有機カルボン
酸または炭酸半銹導体のアシル基をもっておシ、例えば
場合によってはふっ素や塩素原子のようなハロゲン原子
によって好ましくはα−４６ｆＭＦ ｆ署漁すれていふ
ととので負ふ低級アルカノイルオキシ基例えばアセチル
オキシ基、ビパリルオキシ基またはトリクロルアセチル
オキシ基ある−いは低級アルコキシカル？ニルオキシ基
例えばメトキシカルブニルオキシ基またはエトキシカル
？ニルオキシ基である。
さらに、置換されたもしくは未置換のカルバモイル基ま
たはヒドラジノカルボニル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−といっ
しょに形成している基としてのＲト、は例えばアミン基
、メチルアミノ基やエチルアミノ基のような低級フルキ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基やジエチルアミノ基のよ
うなジ低級アルキルアミノ基、ピロリジノ基やピペリジ
ノ基のような低級アルキレンアミノ基、モルホリノ基の
ようなオキサ低級アルキレンアミノ基、ヒドロキシアミ
ノ基、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような
２−低級アルキルヒドラジノ基または２，２−ジメチル
ヒドラジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジ
ノ基である。
たはヒドラジノカルボニル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−といっ
しょに形成している基としてのＲト、は例えばアミン基
、メチルアミノ基やエチルアミノ基のような低級フルキ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基やジエチルアミノ基のよ
うなジ低級アルキルアミノ基、ピロリジノ基やピペリジ
ノ基のような低級アルキレンアミノ基、モルホリノ基の
ようなオキサ低級アルキレンアミノ基、ヒドロキシアミ
ノ基、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような
２−低級アルキルヒドラジノ基または２，２−ジメチル
ヒドラジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジ
ノ基である。
炭素原子を７個まで、好ましくは４個までもつ低級アル
キル基としてのＲ８は好ましくはメチル基またはさらに
エチル基、ｎ−プロピル基、ヘキシル基、またはヘゾテ
ル基である０ ２−オキサ−または２−チア−脂肪族または−脂環式炭
化水素基としてのＲ３は主として１−低級アルコキシー
ｊ−低級アルキル基または１−低級アルキルチオ−１−
低級アルキル基、例えば１−メトキシ−１−エチル基、
１−エトキシ−１−エトキシ基、１−メチルチオ−１−
エチル基または１−エチルチオ−１−エチル基あるいは
環構成原子５〜７個をもつ２−オキサ−または２−チア
ー低級アルキレン基または一低級アルケニレン基、例え
ば２−テトラヒドロフリル基、２−テトラヒドロピラニ
ル基または２．３−ジヒドロ−２−ピラニル基または相
当する同様のいおう含有基である。
キル基としてのＲ８は好ましくはメチル基またはさらに
エチル基、ｎ−プロピル基、ヘキシル基、またはヘゾテ
ル基である０ ２−オキサ−または２−チア−脂肪族または−脂環式炭
化水素基としてのＲ３は主として１−低級アルコキシー
ｊ−低級アルキル基または１−低級アルキルチオ−１−
低級アルキル基、例えば１−メトキシ−１−エチル基、
１−エトキシ−１−エトキシ基、１−メチルチオ−１−
エチル基または１−エチルチオ−１−エチル基あるいは
環構成原子５〜７個をもつ２−オキサ−または２−チア
ー低級アルキレン基または一低級アルケニレン基、例え
ば２−テトラヒドロフリル基、２−テトラヒドロピラニ
ル基または２．３−ジヒドロ−２−ピラニル基または相
当する同様のいおう含有基である。
容易に分裂できるシリル基またはスタンニル基としての
Ｒ５は置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、芳
香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば低級アルキル基
、ノ・ログンー低級アルキル基、シクロアルキル基、フ
ェニル基またはフェニル低級アルキル基あるいは変形さ
れている場合のある官能基例えば低級アルコキシ基のよ
うなエーテル化を；れたヒドロキシル基または塩素原子
のようがハロダン原子によって置換されているのが好ま
しい。このような基の例は主としてトリメチルシリル基
のようなトリ低級アルキルシリル基、クロルメトキシメ
チルシリル基のようなハロダン−低級アルコキシ−低級
アルキルシリル基またはトリーｎ−グチルスタンニル基
のようなトリ低級アルキルスタンニル基てアル。
Ｒ５は置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、芳
香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば低級アルキル基
、ノ・ログンー低級アルキル基、シクロアルキル基、フ
ェニル基またはフェニル低級アルキル基あるいは変形さ
れている場合のある官能基例えば低級アルコキシ基のよ
うなエーテル化を；れたヒドロキシル基または塩素原子
のようがハロダン原子によって置換されているのが好ま
しい。このような基の例は主としてトリメチルシリル基
のようなトリ低級アルキルシリル基、クロルメトキシメ
チルシリル基のようなハロダン−低級アルコキシ−低級
アルキルシリル基またはトリーｎ−グチルスタンニル基
のようなトリ低級アルキルスタンニル基てアル。
容易に脱離できる他のヒドロキシ保護基としてのＲ３は
例えはベンジル基やジフェニルメチル基のよりなα−フ
ェニル−低級アルキル基であって、そのフェニル核の置
換基として例えばエステル化またはエーテル化されたヒ
ドロキシル基例えばふっ素、塩素または臭素原子のよう
なハロダン原子またはメトキシ基のような低級アルコキ
シ基が挙げられる。
例えはベンジル基やジフェニルメチル基のよりなα−フ
ェニル−低級アルキル基であって、そのフェニル核の置
換基として例えばエステル化またはエーテル化されたヒ
ドロキシル基例えばふっ素、塩素または臭素原子のよう
なハロダン原子またはメトキシ基のような低級アルコキ
シ基が挙げられる。
塩は、殊にカルボキシル基、スル、ホ基またはホスホノ
基のような酸性基をもつ式（ＩＡ）および（ＩＢ）の化
合物の塩、主として金属塩またはアンモニウム塩、例え
ばナトリウム、カリウム、マグネシウムまたはカルシウ
ムの塩のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属の
塩、ならびにアンモニアまたは適当な有機アミンとのア
ンモニウム塩である。塩の形成に使用できる有機アミン
はとりわけ脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族および芳香脂
肪族の第１、第２または第３モノアミン、ジアミンまた
はポリアミンならびに複素環式塩基であって、このよう
なアミンはトリエチルアミンのような低級アルキルアミ
ン、２−ヒドロキシエチルアミン、ビス−（２−ヒドロ
キシエチル）−アミンまたはトリス−（２−ヒドロキシ
エチル）−アミンのようなヒドロキシ−低級アルキルア
ミン、４−７ミノ安息香酸−２−−）エチルアミノ−エ
チルエステルのようなカル？ン酸の塩基性脂肪族エステ
ル、１−エチルピ（リジンのような低級アルキレンアミ
ン、ビシクロヘキシルアミンのようなシクロアルキルア
ミンまたはＮ 、 Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミン
のようなベンジルアミンおよびまたピリジン、コリジン
またはキノリンのようなピリジン型の塩である。また、
塩基性基をもつ式（夏Ａ−）および（ＩＢ）の化合物は
酸付加塩例えば塩酸、硫酸またはシん酸のような無機酸
または適当な有機カルデン酸またはスルホン酸例えばト
リフルオル酢酸またはｐ−トルエンスルホン酸との酸付
加塩を形成することができる。酸性基と塩基性基とを有
する式（ＩＡ）および（ＩＢ）の化合物は分子内塩の形
すなわちツビッタ−イオンの形であることもできる。塩
形成基をもつ式（ＩＡ）の化合物の１−オキシドは同じ
く上記のような塩を形成することができる。
基のような酸性基をもつ式（ＩＡ）および（ＩＢ）の化
合物の塩、主として金属塩またはアンモニウム塩、例え
ばナトリウム、カリウム、マグネシウムまたはカルシウ
ムの塩のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属の
塩、ならびにアンモニアまたは適当な有機アミンとのア
ンモニウム塩である。塩の形成に使用できる有機アミン
はとりわけ脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族および芳香脂
肪族の第１、第２または第３モノアミン、ジアミンまた
はポリアミンならびに複素環式塩基であって、このよう
なアミンはトリエチルアミンのような低級アルキルアミ
ン、２−ヒドロキシエチルアミン、ビス−（２−ヒドロ
キシエチル）−アミンまたはトリス−（２−ヒドロキシ
エチル）−アミンのようなヒドロキシ−低級アルキルア
ミン、４−７ミノ安息香酸−２−−）エチルアミノ−エ
チルエステルのようなカル？ン酸の塩基性脂肪族エステ
ル、１−エチルピ（リジンのような低級アルキレンアミ
ン、ビシクロヘキシルアミンのようなシクロアルキルア
ミンまたはＮ 、 Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミン
のようなベンジルアミンおよびまたピリジン、コリジン
またはキノリンのようなピリジン型の塩である。また、
塩基性基をもつ式（夏Ａ−）および（ＩＢ）の化合物は
酸付加塩例えば塩酸、硫酸またはシん酸のような無機酸
または適当な有機カルデン酸またはスルホン酸例えばト
リフルオル酢酸またはｐ−トルエンスルホン酸との酸付
加塩を形成することができる。酸性基と塩基性基とを有
する式（ＩＡ）および（ＩＢ）の化合物は分子内塩の形
すなわちツビッタ−イオンの形であることもできる。塩
形成基をもつ式（ＩＡ）の化合物の１−オキシドは同じ
く上記のような塩を形成することができる。
本発明による化合物は薬理的に価値ある性質を示しまた
はこのような性質をもつ化合物の製造用中間体として使
用できる。式（ＩＡ）において例ＬハＲ７ｄ！ ６β−
アミノ−ベナム−３−カルボン酸化合物または７β−ア
ミノ−３−セフェム−４−カルボン酸化合物の薬理活性
なＮ−アシル誘導体に存在するアシル基Ａｅであルそし
てＲｖが水素原子であるかまたはＨ？と噌とがその両方
で２−位置において好ましくは例えば芳香族基または複
素環式基によってそして４−位置において好ましくは例
えばメチル基のような低級アルキル基２個によって置換
されている１−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基
金表わし、Ｒ２がヒドロキシル基であるかまたは生理学
的条件の下で容易に脱離することのできるエステル化さ
れたカルボキシル基をカルがニル基といっしょに形成し
ているエーテル化されたヒドロキシル基Ｒつであシそし
てＲ３が低級アルキル基であシそしてアシル基としての
Ｒ？中に存在する場合のある官能性基例えばアミン基、
カルボキシル基、ヒドロキシル基および（または）スル
ホ基が通常遊離の形で存在するような化合物または塩形
成基をもつこのような化合物の塩は、非経腸的および（
または）経口的に投与する場合に、微生物例えばダラム
陽性菌例エハスタフィロコカス・オーリウス （５ｔａｐｈｙｌｏｅｏｃｃｕｓ ａｕｒｅｕｓ ）
、ストレグトコカス・ピオゲネス（５ｔｒｅｐｔｏｃｏ
ｃｃｕｓ ｐｙｏｇｅｎｅｓ）およびディグロコカス・
ゾニューモニエ（Ｄｉｐｌｏｃｏｅｃｕｓ ｐｎｅｕｍ
ｏｎｉａｓ ） （例えばマウスでは約０．００１〜０
．０２ ｆｆ／Ｋｌ ｓ、ｃ、またはｐ、ｏ。
はこのような性質をもつ化合物の製造用中間体として使
用できる。式（ＩＡ）において例ＬハＲ７ｄ！ ６β−
アミノ−ベナム−３−カルボン酸化合物または７β−ア
ミノ−３−セフェム−４−カルボン酸化合物の薬理活性
なＮ−アシル誘導体に存在するアシル基Ａｅであルそし
てＲｖが水素原子であるかまたはＨ？と噌とがその両方
で２−位置において好ましくは例えば芳香族基または複
素環式基によってそして４−位置において好ましくは例
えばメチル基のような低級アルキル基２個によって置換
されている１−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基
金表わし、Ｒ２がヒドロキシル基であるかまたは生理学
的条件の下で容易に脱離することのできるエステル化さ
れたカルボキシル基をカルがニル基といっしょに形成し
ているエーテル化されたヒドロキシル基Ｒつであシそし
てＲ３が低級アルキル基であシそしてアシル基としての
Ｒ？中に存在する場合のある官能性基例えばアミン基、
カルボキシル基、ヒドロキシル基および（または）スル
ホ基が通常遊離の形で存在するような化合物または塩形
成基をもつこのような化合物の塩は、非経腸的および（
または）経口的に投与する場合に、微生物例えばダラム
陽性菌例エハスタフィロコカス・オーリウス （５ｔａｐｈｙｌｏｅｏｃｃｕｓ ａｕｒｅｕｓ ）
、ストレグトコカス・ピオゲネス（５ｔｒｅｐｔｏｃｏ
ｃｃｕｓ ｐｙｏｇｅｎｅｓ）およびディグロコカス・
ゾニューモニエ（Ｄｉｐｌｏｃｏｅｃｕｓ ｐｎｅｕｍ
ｏｎｉａｓ ） （例えばマウスでは約０．００１〜０
．０２ ｆｆ／Ｋｌ ｓ、ｃ、またはｐ、ｏ。
の設・４量で）およびグラム陰性菌例えばニジエリチア
・コリ（Ｋｓｃｈｅｒｉｃｈｌａ ｃｏｉｌ ）、サル
モネラ・チフィムリウム（Ｓａｌｍｏｎｅｌｌａ ｔｙ
ｐｈｉｍｕｒｋｕｍ）％シグルラ拳フレクスネリ（Ｓｈ
ｉｇｅｌｌａ ｆｌｅｘｎｅｒｌ）、クレプシルラ・ゾ
ニュモニエ（Ｋｌｅｂｓｉｓｌｌｍｐｎｅｕｍｏｎｉａ
ｅ ）、エンテロバクタ−９クロアカニ（ＩｎＬ＠ｒｏ
ｂａｃｔｅｒ ｅｌｏａｃａｓ ）、プロテウスＯブル
ガリス（Ｐｒｏｔｅｕｓ ｖｕｌｇａｒｌｇ ）％グロ
テウスーｖ、トダリ（Ｐｒｏｔｅｕｓ ｒｅｔｔｇｅｒ
ｌ ）およびプロテウス・ミラビリス（Ｐｒｏｔｅｕｓ
ｍｉｒａｂｉｌｌｇ ）例えばマウスにおいて約０．
００１〜０．１５５１−／〜１１、ｅ、またはｐ、０．
の投与量で）に対し、殊にペニシリン抵抗性細菌にも、
少い毒性で有効である。
・コリ（Ｋｓｃｈｅｒｉｃｈｌａ ｃｏｉｌ ）、サル
モネラ・チフィムリウム（Ｓａｌｍｏｎｅｌｌａ ｔｙ
ｐｈｉｍｕｒｋｕｍ）％シグルラ拳フレクスネリ（Ｓｈ
ｉｇｅｌｌａ ｆｌｅｘｎｅｒｌ）、クレプシルラ・ゾ
ニュモニエ（Ｋｌｅｂｓｉｓｌｌｍｐｎｅｕｍｏｎｉａ
ｅ ）、エンテロバクタ−９クロアカニ（ＩｎＬ＠ｒｏ
ｂａｃｔｅｒ ｅｌｏａｃａｓ ）、プロテウスＯブル
ガリス（Ｐｒｏｔｅｕｓ ｖｕｌｇａｒｌｇ ）％グロ
テウスーｖ、トダリ（Ｐｒｏｔｅｕｓ ｒｅｔｔｇｅｒ
ｌ ）およびプロテウス・ミラビリス（Ｐｒｏｔｅｕｓ
ｍｉｒａｂｉｌｌｇ ）例えばマウスにおいて約０．
００１〜０．１５５１−／〜１１、ｅ、またはｐ、０．
の投与量で）に対し、殊にペニシリン抵抗性細菌にも、
少い毒性で有効である。
故に、これら新化合物を例えば抗生活性な製剤の形で相
当する感染の処置に使うことができる。
当する感染の処置に使うことができる。
式（ＩＢ）におけるＲ〒と１とＲ２とＲ３とが先に式（
ＩＡ）に関して与えたものと、同じ意味をもつ化合物、
または式（１Ａ）の化合物の１−オキシド、または式（
ＩＡ）におけるＲ３が前に与えた意味上もち、基Ｒ１と
Ｒ４とが水素原子であるかまたはＲ〒が６β−アミノ−
ペナム−３−カルボン醇化合物または７β−アミノ−３
−セフェム−４−カルボン醇化合物の薬理活性なＮ−ア
シル肪導体に存在するアシル基とは異るアミン保護基で
あシそしてＲ１１ｌが水素原子であるかまたはＲ？とＲ
ｂとがその両方で２−位置において好ましくは例えば芳
香族基または複素環式基によってそして４−位置におい
て好ましくは例えばメチル基のような低級アルキル基２
個によって９ｇ換されている１−オキソ−３−アザ−１
，４−ブチレン基とは異る２価のアミノ保護基を表わし
そしてＲ２がヒドロキシル基であるか、またはＲ１とＲ
１とが前記の意味なもちそしてＲ２が好ましくは容易に
脱離できる保護されたカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）
−といっしょに形成している基Ｒ８（その保護されたカ
ルボキシル基は生理￥的に脱離できるカルボキシル基で
はないものとする）であシ、そしてＲ３が前記の意味を
もつような化合物は、例えば下記のように簡単に上記の
薬理活性な化合物に変えることのできる価値ある中間体
である。
ＩＡ）に関して与えたものと、同じ意味をもつ化合物、
または式（１Ａ）の化合物の１−オキシド、または式（
ＩＡ）におけるＲ３が前に与えた意味上もち、基Ｒ１と
Ｒ４とが水素原子であるかまたはＲ〒が６β−アミノ−
ペナム−３−カルボン醇化合物または７β−アミノ−３
−セフェム−４−カルボン醇化合物の薬理活性なＮ−ア
シル肪導体に存在するアシル基とは異るアミン保護基で
あシそしてＲ１１ｌが水素原子であるかまたはＲ？とＲ
ｂとがその両方で２−位置において好ましくは例えば芳
香族基または複素環式基によってそして４−位置におい
て好ましくは例えばメチル基のような低級アルキル基２
個によって９ｇ換されている１−オキソ−３−アザ−１
，４−ブチレン基とは異る２価のアミノ保護基を表わし
そしてＲ２がヒドロキシル基であるか、またはＲ１とＲ
１とが前記の意味なもちそしてＲ２が好ましくは容易に
脱離できる保護されたカルボキシル基を基−Ｃ（＝Ｏ）
−といっしょに形成している基Ｒ８（その保護されたカ
ルボキシル基は生理￥的に脱離できるカルボキシル基で
はないものとする）であシ、そしてＲ３が前記の意味を
もつような化合物は、例えば下記のように簡単に上記の
薬理活性な化合物に変えることのできる価値ある中間体
である。
本発明は殊に式（ＩＡ）におけるＲ〒が水素原子または
好ましくは６β−アミノ−ペナム−３−カルボン醇化合
物または７β−アミノ−３−セフェム−４−カルはン酸
化合物の醗酵的に（すなわち、天然産の）または生合成
、半合成または全合成によシ製造できる殊に薬理活性（
例えば高度に活性）なＮ−アシル銹導体中に存在するア
シル基例えば前記式（Ａ）のアシル基の１つ（この式で
Ｒ１とＲ［とＲ１とｎとは主として前に好ましいとして
挙げた意味をもつ）であシそしてＲＩｉ′が水素原子で
あるかまたはＲ？と噌とが両方で２−位置におりて好ま
しくは例えばフェニル基のような芳香族または複素環式
基によってそして４−位置において好ましくは例えばメ
チル基のような低級アルキル基２個によって置換されて
いるｌ−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基であり
、そしてＲ２はヒドロキシル基、低級アルコキシ基〔こ
れは場合によって好ましくはα−位置において、例えば
置換されたもしくは未置換のアリールオキシ基例えば４
−メトキシフェニルオキシ基のような低級アルコキシフ
ェニルオキシ基、アセチルオキシ基やピパロイルオキシ
基のような低級アルカノイルオキシ基、グリシルオキシ
基、Ｌ−’々リルオキシ基またはＬ−ロイシルオキシ基
のようなα−アミノ低級アルカノイルオキシ基、アリー
ルカルブニル基例えばベンゾイル基、または置換された
もしくは未置換のアリール基例えばフェニル基、４−メ
トキシフェニル基のような低級アルコキシフェニル基、
４−ニトロフェニル基の！う；’ｚニトロフェニル基ま
たは４−ビフェニリル基のようなビフェニリル基によっ
てまたはβ−位置においてノ・ログン原子例えば塩素、
臭素またはよう素原子によってモノ置換またはポリ置換
されていることができる。例えばメトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロピルオキシ基、イソゾロビルオキシ基、ｎ
−ブチルオキシ基、ｔ−グチルオキシ基またはｔ−ペン
チルオキシ基のような低級アルコキシ基、低級アルコキ
シで置換されていることのできるビス−フェニルオキシ
−メトキシ基例えばビス−４−メトキシフェニルオキシ
−メトキシ基、低級アルカノイル・オ！シーメトキシ基
例えばアセチルオキシメトキシ基またはピバロイルオキ
シメトキシ基、α−アミノ低級アルカノイルオキシ−メ
トキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、フェナシル
オキシ基、置換されていることのできるフェニル低級ア
ルコキシ基殊にフェニルメトキシ基のような１−フェニ
ル低級アルコキシ基（このような基は例えば置換基例え
ばメトキシ基のような低級アルコキシ基、ニトロ基また
はフェニル基によって置換されたもしくは未置換のフェ
ニル基１−３個をもつことができる）、例えばベンジル
オキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、２−ビフェ
ニリル−２−プロピルオキシ基、４−ニトロベンジルオ
キシ基、ジフェニルメトキシ基、４．４’−ジメトキシ
−ジフェニルメトキシ基またはトリチルオキシ基、また
は２−ハロパン低級アルコキシ基例えば２，２．２−ト
リクロルエトキシ基、゛２−クロルエトキシ基、２−ブ
ロムエトキシ基または２−ヨードエトキシ基である〕、
さらに２−フタリジルオキシ基ならびにアシルオキシ基
（例えば、メトキシカルがニルオキシ基やエトキシカル
ビニルオキシ基のような低級アルコキシカルビニルオキ
シ基またはアセチルオキシ基やピパロイルオキシ基のよ
うな低級アルカノイルオキシ基）、）リメチルシリルオ
キシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基、また
はアミノ基またはヒドラジノ基（これらは場合によって
は例えばメチル基のような低級アルキル基またはヒドロ
キシル基によって置換されていることができる。例えば
、アミノ基、メチルアミノ基のような低級アルキルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基のようなジ低級アルキルアミノ
基、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような２
−低級アルキルヒドラジノ基、２．２−ジメチルヒドラ
ジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ基ま
たはヒドロキシアミノ基である）であシ、そしてＲ３が
水素原子、低級アルキル基殊にメチル基またはヒドロキ
シ保護基例えばトリメチルシリル基のようなトリ低級ア
ルキルシリル基または場合によっては例えばハロゲン原
子や低級アルコキシ基で置換されていることのでキ、５
る・パンジル基またはジフェニルメチル基である３−セ
フェム化合物またはその１−オキシド、さらに式（ＩＢ
）の相当する２−セフェム化合物または塩形成基をもつ
これら化合物の塩の製造に関するものである。
好ましくは６β−アミノ−ペナム−３−カルボン醇化合
物または７β−アミノ−３−セフェム−４−カルはン酸
化合物の醗酵的に（すなわち、天然産の）または生合成
、半合成または全合成によシ製造できる殊に薬理活性（
例えば高度に活性）なＮ−アシル銹導体中に存在するア
シル基例えば前記式（Ａ）のアシル基の１つ（この式で
Ｒ１とＲ［とＲ１とｎとは主として前に好ましいとして
挙げた意味をもつ）であシそしてＲＩｉ′が水素原子で
あるかまたはＲ？と噌とが両方で２−位置におりて好ま
しくは例えばフェニル基のような芳香族または複素環式
基によってそして４−位置において好ましくは例えばメ
チル基のような低級アルキル基２個によって置換されて
いるｌ−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基であり
、そしてＲ２はヒドロキシル基、低級アルコキシ基〔こ
れは場合によって好ましくはα−位置において、例えば
置換されたもしくは未置換のアリールオキシ基例えば４
−メトキシフェニルオキシ基のような低級アルコキシフ
ェニルオキシ基、アセチルオキシ基やピパロイルオキシ
基のような低級アルカノイルオキシ基、グリシルオキシ
基、Ｌ−’々リルオキシ基またはＬ−ロイシルオキシ基
のようなα−アミノ低級アルカノイルオキシ基、アリー
ルカルブニル基例えばベンゾイル基、または置換された
もしくは未置換のアリール基例えばフェニル基、４−メ
トキシフェニル基のような低級アルコキシフェニル基、
４−ニトロフェニル基の！う；’ｚニトロフェニル基ま
たは４−ビフェニリル基のようなビフェニリル基によっ
てまたはβ−位置においてノ・ログン原子例えば塩素、
臭素またはよう素原子によってモノ置換またはポリ置換
されていることができる。例えばメトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロピルオキシ基、イソゾロビルオキシ基、ｎ
−ブチルオキシ基、ｔ−グチルオキシ基またはｔ−ペン
チルオキシ基のような低級アルコキシ基、低級アルコキ
シで置換されていることのできるビス−フェニルオキシ
−メトキシ基例えばビス−４−メトキシフェニルオキシ
−メトキシ基、低級アルカノイル・オ！シーメトキシ基
例えばアセチルオキシメトキシ基またはピバロイルオキ
シメトキシ基、α−アミノ低級アルカノイルオキシ−メ
トキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、フェナシル
オキシ基、置換されていることのできるフェニル低級ア
ルコキシ基殊にフェニルメトキシ基のような１−フェニ
ル低級アルコキシ基（このような基は例えば置換基例え
ばメトキシ基のような低級アルコキシ基、ニトロ基また
はフェニル基によって置換されたもしくは未置換のフェ
ニル基１−３個をもつことができる）、例えばベンジル
オキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、２−ビフェ
ニリル−２−プロピルオキシ基、４−ニトロベンジルオ
キシ基、ジフェニルメトキシ基、４．４’−ジメトキシ
−ジフェニルメトキシ基またはトリチルオキシ基、また
は２−ハロパン低級アルコキシ基例えば２，２．２−ト
リクロルエトキシ基、゛２−クロルエトキシ基、２−ブ
ロムエトキシ基または２−ヨードエトキシ基である〕、
さらに２−フタリジルオキシ基ならびにアシルオキシ基
（例えば、メトキシカルがニルオキシ基やエトキシカル
ビニルオキシ基のような低級アルコキシカルビニルオキ
シ基またはアセチルオキシ基やピパロイルオキシ基のよ
うな低級アルカノイルオキシ基）、）リメチルシリルオ
キシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基、また
はアミノ基またはヒドラジノ基（これらは場合によって
は例えばメチル基のような低級アルキル基またはヒドロ
キシル基によって置換されていることができる。例えば
、アミノ基、メチルアミノ基のような低級アルキルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基のようなジ低級アルキルアミノ
基、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような２
−低級アルキルヒドラジノ基、２．２−ジメチルヒドラ
ジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ基ま
たはヒドロキシアミノ基である）であシ、そしてＲ３が
水素原子、低級アルキル基殊にメチル基またはヒドロキ
シ保護基例えばトリメチルシリル基のようなトリ低級ア
ルキルシリル基または場合によっては例えばハロゲン原
子や低級アルコキシ基で置換されていることのでキ、５
る・パンジル基またはジフェニルメチル基である３−セ
フェム化合物またはその１−オキシド、さらに式（ＩＢ
）の相当する２−セフェム化合物または塩形成基をもつ
これら化合物の塩の製造に関するものである。
主として、式（ＩＡ）の３−セフェム化合物および式（
ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物において、さらに
式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキシドにおい
てまたは塩形成基をもつこれら化合物の塩において、Ｒ
７は水素原子または６β−アミノ−ベナム−３−カルデ
ン酸化合物または７β−アミノ−３−セフェム−４−カ
ルデン酸化合物の醗酵（すなわち、天然産）によるまた
は生合成的に製造できるＮ−アシル誘導体中に存在する
アシル基殊に式（Ａ）の基（この式でＲ１、Ｒ’ ％
Ｒ” およびｎは主として先に好ましいと挙げた意味を
もつ）、例えばヒドロキシル基で置換されたもしくは未
置換のフェニルアセチル基またはフェニルオキシアセチ
ル基、さらに場合によっては例えば低級アルキルチオ基
または低級アルケニルチオ基や置換例えばアシル化され
ている場合のあるアミノ基および（または）官能的に変
えられたカルボキシル基（例えば、エステル化されてい
ることのできるカルボキシル基）によって置換されてい
ることのできる低級アルカノイル基または低級アルケノ
イル基、例えば４−ヒドロキシ−フェニルアセチル基、
ヘキサノイル基、オクタノイル基またはｎ−ブチルチオ
アセチル基および殊に５−アミノ−５−カル？キシーバ
レリル基〔そのアミノ基および（または）カルボキシル
基は場合によっては保護されておυ、例えばアシルアミ
ノ基またはエステル化されたカルボキシル基として存在
することができる〕、フェニルアセチル基またはフェニ
ルオキシアセチル基であるか、または６β−アミノ−に
ナムー３−カルがン酸化合物または７β−アミノ−３−
セフェム−４−カルデン酸化合物の高活性Ｎ−アシル銹
導体中に存在するアシル基殊に式（Ａ）の基（この式で
Ｒ１、Ｒ１、ｕｌおよびｎは主に先に好ましｂと挙げた
意味をもつ）、例えばホルミル基、２−クロルエチルカ
ルｄ−ＩＩ！８゛イ・ル基のような２−ハロダンエチル
カルパモイル基、シアノアセチル基、フェニルアセチル
基、２−チェニルアセチル基のようなチェニルアセチル
基または１−テトラゾリルアセチル基のようなテトラゾ
リル基、しかし特にα−位置において脂環式、芳香族ま
たは複素環式基のような環式基主に単環式基によってお
よび官能性基主にアミノ基、カルボキシル基、スルホ基
またはヒドロキシル基によって置換されたアセチル基、
殊にフェニルグリシル基〔この基におけるフェニル基は
場合によっては例えば保睦されている場合のあるヒドロ
キシル基例えばアシルオキシ基例えばハロゲン置換され
ていることのできる低級アルコキシカル？ニルオキシ基
または低級アルカノイルオキシ基によっておよび（また
は）ハロダン原子例えば塩素原子によって置換されてい
ることのできるフェニル基、例に、ばフェニル基、３−
１たは４−ヒドロキシ−１３−クロル−４−ヒドロキシ
−またｆｄ３．５−ジクロル−４−ヒドロキシフェニル
基（そのヒドロキシル基は保護例えばアシル化されたヒ
ドロキシル基であることもできる）であυ、そしてアミ
ノ基は場合によっては置換されていることもできそして
例えば塩の形でちることもできるスルホアミノ基または
アミノ基（これは、置換基として、加水分解により脱離
できるトリチル基または主としてアシル基例えば置換さ
れたもしくハ未置換のカルバモイル基例えばウレイドカ
ルビニル基やＮ′−トリクロルメチルウレイドカルボニ
ル基のような置換されたもしくは未置換のウレイドカル
ビニル基、またはグアニジノカルビニル基のような置換
されたもしくは未置換のグアニジノカルビニル基、また
は例えばトリフルオル酢酸のような酸でまたは含水酢酸
の存在下での亜鉛のような化学的還元剤または接触され
た水素で還元的に処理した場合にまたは加水分解によっ
て脱離することのできるアシル基またはこのようなアシ
ル基に変えることのできるアシル基、好ましくは炭酸半
エステルの適当なアシル基例えば）・ログン置換または
ベンゾイル置換されている場合のある低級アルキルオキ
シカルブニル基例えばｔ−プチルオ。キ、ｙカル？ニル
基、２，２．２−１リクロルエチルオキシカルデニル基
、２−クロルエトキシカルテニル基、２− フロムエト
キシカルＣニル基、２−ヨードエトキシカルボニル基、
またはフェナシルオキシカルビニル基、低級アルコキシ
置換またはニトロ置換されている場合のあるフェニル低
級アルコキシカルがニル基例えば４−メトキシベンジル
オキシカルがニル基またはジフェニルメトキシカルブニ
ル基、またはカルバモイル基やＮ−メチルカルパモイル
基のような炭酸半アミドのアシル基、さらにまたシアン
化水素酸、亜硫酸またはチオ酢酸アミドのような液核性
剤によって脱離されるアリールチオ基またはアリール低
級アルキルチオ基例えば２−ニトロフェニルチオ基また
はトリチルチオ基、電解還元で脱離できるアリールスル
ホニル基例えば４−メチルフェニルスルホニル基、また
はぎ酸または無機酸水溶液例えば塩酸またはシん酸のよ
うな酸性剤で脱離できる１−低級アルコキシカルボニル
ー２−プロピリデン基マたはｌ−低級アルカノイルー２
−プロピリデン基例えば１−エトキシカルビニル−２−
プロピリデン基をもっている）である〕、さらにα−（
１，４−シクロヘキサジェニル）−グリシル基、α−（
１−シクロへキセニル）−グリシル基、α−２−ｔたは
α−３−チェニルグリシル基のようなα−チェニルグリ
シル基、α−２−フリルグリシル基のよりなα−フリル
グリシル基、またはα−４−イソチアゾリル−グリシル
基のようなα−インチアゾリルグリシル基（これらの基
のアミノ基は例えば先にフェニルグリシル基に述べたよ
うに置換または保詐されていることができる）、さらに
α−カルデキシーフェニルアセチル基ｔたはα−カルデ
キシーチェニルアセチル基例えばα−カルデキシー２−
チェニルアセチル基（とれらは場合によっては官能的に
変えられたカルボキシル基例えばナトリウム塩のような
塩の形またはエステル例えばメチルエステルまた社エチ
ルエステルのような低級アルキルエステルやジフェニル
メチルエステルのようなフェニル−低級アルキルエステ
ルの形にあるカルボキシル基をもっていてもよい）また
はα−スルホ−フェニルアセチル基（これは４場、倉に
よっては例えば上記のカルボキシル基のように官能的に
変えられたスルホ基をもっていてもよい）、α−ホスホ
ノ−１α−０−メチルホスホノ−またはα−０，０′−
ジメチルホスホノ−フェニルアセチル基〔これは官能的
に変えられたヒドロキシル基、殊にアシルオキシ基（こ
のアシル基は例えばトリフルオル酢酸のような酸性剤で
処理するかまたは含水酢酸の存在下での亜鉛のような化
学的還元剤で処理する場合に好ましくは容易に脱離する
ことのできるアシル基またはこのようなアシル基に変え
ることのできるアシル基、好ましくは炭酸半エステルの
アシル基例えば前記の例えばハロゲン置換またはベンゾ
イル置換されて込ることのできる低級アルコキシカルビ
ニル基、例工ｔｆ２．２．２−トリクロルエトキシカル
ボニル基、２−りｔ：ｌルエトキシカル？ニル基、２−
ブロムエトキシカルボニル基、２−ヨードエトキシカル
？ニル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基またはフェナ
シルオキシカルゼニル基、さらにホルミル基である）を
もっていることができる〕、ならびに〕１−アミノーシ
クへキシルカルブニル基、２−または４−アミノメチル
−フェニルアセチル基のようなアミンメチルフェニルア
セチル基または４−アミノピリジニウムアセチル基のよ
うなアミノ−ピリジニウムアセチル基（これらも例えば
上記のように置換されたアミン基をもっていることもで
きる）、または４−ピリジルチオアセチル基のようなピ
リジルチオアセチル基であシ、そしてＲ１は水素原子で
あるか、またはＢ？とＲ１とはその両方で４−位置にメ
チル基のような低級アルキル基２個をもつ場合のある１
−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基〔これは２−
位置において好ましくは、場合によっては保護されたヒ
ドロキシル基例えばアシルオキシ基例えば）・ロダン置
換されていることのできる低級アルコキシカルがニルオ
キシ基または低級アルカノイルオキシ基によっておよび
（ｔたは）ハロダン原子例えば塩素原子によって置換さ
れていることのできるフェニル基、例えばフェニル基、
または３−または４−ヒドロキシ−；２’３−／クルー
４−ヒドロキシーマタハ３．５−ジクロル−４−ヒドロ
キシ−フェニル基（そのヒドロキシル基は保護例えば上
記のようにアシル化されていることもできる）をもって
いることができる〕であシ、そしてＲ２はヒドロキシ化
、低級アルコキシ基殊にα−位置で高度に分枝した低級
アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基、さらにメトキシ基
またはエトキシ基、２−ノ飄ロダン低級アルコキシ基ま
たは２，２．２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエ
トキシ基またはこの基に容易に変えることのできる２−
クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ基、フェナ
シルオキシ基、低級アルコキシ基またはニトロ基で置換
されていることのできるフェニル基１〜３個をもつ１−
フェニル低級アルコキシ基例えば４−メトキシベンジル
オキシ基、４−ニトロベンジルオキシ基、ジフェニルメ
トキシ基、４．４’−ジメ゛トキシージフェニルメトキ
シ基またはトリチルオキシ基、低級アルカノイルオキシ
メトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ基またはピパ
ロイルオキシメトキシ基、α−アミノ低級アルカノイル
オキシメトキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、２
−フタリジルオキシメトキシ基、低級アルコキシカルが
ニルオキシ基例えはエトキシカルブニルオキシ基または
低級アルカノイルオキシ基例えばアセチルオキシ基、さ
らにトリ低級アルキルシリルオキシ基例えばトリメチル
シリルオキシ基であシ、そしてＲ６は水素原子、低級ア
ルキル基殊にメチル基、またはヒドロキシ保護基例えば
トリメチルシリル基のようなトリ低級アルキルシリル基
または塩素原子のようなハロゲン原子やメトキシ基のよ
うな低級アルコキシ基で置換されていることのできるベ
ンジル基またはジフェニルメチル基である。
ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物において、さらに
式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキシドにおい
てまたは塩形成基をもつこれら化合物の塩において、Ｒ
７は水素原子または６β−アミノ−ベナム−３−カルデ
ン酸化合物または７β−アミノ−３−セフェム−４−カ
ルデン酸化合物の醗酵（すなわち、天然産）によるまた
は生合成的に製造できるＮ−アシル誘導体中に存在する
アシル基殊に式（Ａ）の基（この式でＲ１、Ｒ’ ％
Ｒ” およびｎは主として先に好ましいと挙げた意味を
もつ）、例えばヒドロキシル基で置換されたもしくは未
置換のフェニルアセチル基またはフェニルオキシアセチ
ル基、さらに場合によっては例えば低級アルキルチオ基
または低級アルケニルチオ基や置換例えばアシル化され
ている場合のあるアミノ基および（または）官能的に変
えられたカルボキシル基（例えば、エステル化されてい
ることのできるカルボキシル基）によって置換されてい
ることのできる低級アルカノイル基または低級アルケノ
イル基、例えば４−ヒドロキシ−フェニルアセチル基、
ヘキサノイル基、オクタノイル基またはｎ−ブチルチオ
アセチル基および殊に５−アミノ−５−カル？キシーバ
レリル基〔そのアミノ基および（または）カルボキシル
基は場合によっては保護されておυ、例えばアシルアミ
ノ基またはエステル化されたカルボキシル基として存在
することができる〕、フェニルアセチル基またはフェニ
ルオキシアセチル基であるか、または６β−アミノ−に
ナムー３−カルがン酸化合物または７β−アミノ−３−
セフェム−４−カルデン酸化合物の高活性Ｎ−アシル銹
導体中に存在するアシル基殊に式（Ａ）の基（この式で
Ｒ１、Ｒ１、ｕｌおよびｎは主に先に好ましｂと挙げた
意味をもつ）、例えばホルミル基、２−クロルエチルカ
ルｄ−ＩＩ！８゛イ・ル基のような２−ハロダンエチル
カルパモイル基、シアノアセチル基、フェニルアセチル
基、２−チェニルアセチル基のようなチェニルアセチル
基または１−テトラゾリルアセチル基のようなテトラゾ
リル基、しかし特にα−位置において脂環式、芳香族ま
たは複素環式基のような環式基主に単環式基によってお
よび官能性基主にアミノ基、カルボキシル基、スルホ基
またはヒドロキシル基によって置換されたアセチル基、
殊にフェニルグリシル基〔この基におけるフェニル基は
場合によっては例えば保睦されている場合のあるヒドロ
キシル基例えばアシルオキシ基例えばハロゲン置換され
ていることのできる低級アルコキシカル？ニルオキシ基
または低級アルカノイルオキシ基によっておよび（また
は）ハロダン原子例えば塩素原子によって置換されてい
ることのできるフェニル基、例に、ばフェニル基、３−
１たは４−ヒドロキシ−１３−クロル−４−ヒドロキシ
−またｆｄ３．５−ジクロル−４−ヒドロキシフェニル
基（そのヒドロキシル基は保護例えばアシル化されたヒ
ドロキシル基であることもできる）であυ、そしてアミ
ノ基は場合によっては置換されていることもできそして
例えば塩の形でちることもできるスルホアミノ基または
アミノ基（これは、置換基として、加水分解により脱離
できるトリチル基または主としてアシル基例えば置換さ
れたもしくハ未置換のカルバモイル基例えばウレイドカ
ルビニル基やＮ′−トリクロルメチルウレイドカルボニ
ル基のような置換されたもしくは未置換のウレイドカル
ビニル基、またはグアニジノカルビニル基のような置換
されたもしくは未置換のグアニジノカルビニル基、また
は例えばトリフルオル酢酸のような酸でまたは含水酢酸
の存在下での亜鉛のような化学的還元剤または接触され
た水素で還元的に処理した場合にまたは加水分解によっ
て脱離することのできるアシル基またはこのようなアシ
ル基に変えることのできるアシル基、好ましくは炭酸半
エステルの適当なアシル基例えば）・ログン置換または
ベンゾイル置換されている場合のある低級アルキルオキ
シカルブニル基例えばｔ−プチルオ。キ、ｙカル？ニル
基、２，２．２−１リクロルエチルオキシカルデニル基
、２−クロルエトキシカルテニル基、２− フロムエト
キシカルＣニル基、２−ヨードエトキシカルボニル基、
またはフェナシルオキシカルビニル基、低級アルコキシ
置換またはニトロ置換されている場合のあるフェニル低
級アルコキシカルがニル基例えば４−メトキシベンジル
オキシカルがニル基またはジフェニルメトキシカルブニ
ル基、またはカルバモイル基やＮ−メチルカルパモイル
基のような炭酸半アミドのアシル基、さらにまたシアン
化水素酸、亜硫酸またはチオ酢酸アミドのような液核性
剤によって脱離されるアリールチオ基またはアリール低
級アルキルチオ基例えば２−ニトロフェニルチオ基また
はトリチルチオ基、電解還元で脱離できるアリールスル
ホニル基例えば４−メチルフェニルスルホニル基、また
はぎ酸または無機酸水溶液例えば塩酸またはシん酸のよ
うな酸性剤で脱離できる１−低級アルコキシカルボニル
ー２−プロピリデン基マたはｌ−低級アルカノイルー２
−プロピリデン基例えば１−エトキシカルビニル−２−
プロピリデン基をもっている）である〕、さらにα−（
１，４−シクロヘキサジェニル）−グリシル基、α−（
１−シクロへキセニル）−グリシル基、α−２−ｔたは
α−３−チェニルグリシル基のようなα−チェニルグリ
シル基、α−２−フリルグリシル基のよりなα−フリル
グリシル基、またはα−４−イソチアゾリル−グリシル
基のようなα−インチアゾリルグリシル基（これらの基
のアミノ基は例えば先にフェニルグリシル基に述べたよ
うに置換または保詐されていることができる）、さらに
α−カルデキシーフェニルアセチル基ｔたはα−カルデ
キシーチェニルアセチル基例えばα−カルデキシー２−
チェニルアセチル基（とれらは場合によっては官能的に
変えられたカルボキシル基例えばナトリウム塩のような
塩の形またはエステル例えばメチルエステルまた社エチ
ルエステルのような低級アルキルエステルやジフェニル
メチルエステルのようなフェニル−低級アルキルエステ
ルの形にあるカルボキシル基をもっていてもよい）また
はα−スルホ−フェニルアセチル基（これは４場、倉に
よっては例えば上記のカルボキシル基のように官能的に
変えられたスルホ基をもっていてもよい）、α−ホスホ
ノ−１α−０−メチルホスホノ−またはα−０，０′−
ジメチルホスホノ−フェニルアセチル基〔これは官能的
に変えられたヒドロキシル基、殊にアシルオキシ基（こ
のアシル基は例えばトリフルオル酢酸のような酸性剤で
処理するかまたは含水酢酸の存在下での亜鉛のような化
学的還元剤で処理する場合に好ましくは容易に脱離する
ことのできるアシル基またはこのようなアシル基に変え
ることのできるアシル基、好ましくは炭酸半エステルの
アシル基例えば前記の例えばハロゲン置換またはベンゾ
イル置換されて込ることのできる低級アルコキシカルビ
ニル基、例工ｔｆ２．２．２−トリクロルエトキシカル
ボニル基、２−りｔ：ｌルエトキシカル？ニル基、２−
ブロムエトキシカルボニル基、２−ヨードエトキシカル
？ニル基、ｔ−ブチルオキシカルボニル基またはフェナ
シルオキシカルゼニル基、さらにホルミル基である）を
もっていることができる〕、ならびに〕１−アミノーシ
クへキシルカルブニル基、２−または４−アミノメチル
−フェニルアセチル基のようなアミンメチルフェニルア
セチル基または４−アミノピリジニウムアセチル基のよ
うなアミノ−ピリジニウムアセチル基（これらも例えば
上記のように置換されたアミン基をもっていることもで
きる）、または４−ピリジルチオアセチル基のようなピ
リジルチオアセチル基であシ、そしてＲ１は水素原子で
あるか、またはＢ？とＲ１とはその両方で４−位置にメ
チル基のような低級アルキル基２個をもつ場合のある１
−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基〔これは２−
位置において好ましくは、場合によっては保護されたヒ
ドロキシル基例えばアシルオキシ基例えば）・ロダン置
換されていることのできる低級アルコキシカルがニルオ
キシ基または低級アルカノイルオキシ基によっておよび
（ｔたは）ハロダン原子例えば塩素原子によって置換さ
れていることのできるフェニル基、例えばフェニル基、
または３−または４−ヒドロキシ−；２’３−／クルー
４−ヒドロキシーマタハ３．５−ジクロル−４−ヒドロ
キシ−フェニル基（そのヒドロキシル基は保護例えば上
記のようにアシル化されていることもできる）をもって
いることができる〕であシ、そしてＲ２はヒドロキシ化
、低級アルコキシ基殊にα−位置で高度に分枝した低級
アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基、さらにメトキシ基
またはエトキシ基、２−ノ飄ロダン低級アルコキシ基ま
たは２，２．２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエ
トキシ基またはこの基に容易に変えることのできる２−
クロルエトキシ基または２−ブロムエトキシ基、フェナ
シルオキシ基、低級アルコキシ基またはニトロ基で置換
されていることのできるフェニル基１〜３個をもつ１−
フェニル低級アルコキシ基例えば４−メトキシベンジル
オキシ基、４−ニトロベンジルオキシ基、ジフェニルメ
トキシ基、４．４’−ジメ゛トキシージフェニルメトキ
シ基またはトリチルオキシ基、低級アルカノイルオキシ
メトキシ基例えばアセチルオキシメトキシ基またはピパ
ロイルオキシメトキシ基、α−アミノ低級アルカノイル
オキシメトキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、２
−フタリジルオキシメトキシ基、低級アルコキシカルが
ニルオキシ基例えはエトキシカルブニルオキシ基または
低級アルカノイルオキシ基例えばアセチルオキシ基、さ
らにトリ低級アルキルシリルオキシ基例えばトリメチル
シリルオキシ基であシ、そしてＲ６は水素原子、低級ア
ルキル基殊にメチル基、またはヒドロキシ保護基例えば
トリメチルシリル基のようなトリ低級アルキルシリル基
または塩素原子のようなハロゲン原子やメトキシ基のよ
うな低級アルコキシ基で置換されていることのできるベ
ンジル基またはジフェニルメチル基である。
本発明は、主として、式（ＩＡ）におけるＲ↑が水素原
子または式 ％式％（） 〔この式でＲ，はフェニル基またはヒドロキシフェニル
基例えば３−または４−ヒドロキシフェニル基、さらに
ヒドロキシ−クロルフェニル基例えば３−クロル−４−
ヒドロキシフェニル基または３．５−ジクロル−４−ヒ
ドロキシフェニル基（これらの基においてヒドロキシル
社、ハロゲン化されていることのできる低級アルコキシ
カルがニル基例えばｔ−ブトキシカルボニル基または２
．２．２−）ジクロルエトキシカルボニル基のよりなア
シル基によって保護されていることができる）、２−ま
たは３−チェニル基のようなチェニル基、さらに４−ピ
リジル基のようなピリジル基、４−アミノピリジニウム
基のようなアミノピリジニウム基、２−フリル基のよう
なフリル基、４−イソチアゾリル基のようなイソチアゾ
リル基、１−テトラゾリル基のようなテトラゾリル基、
１．４−シクロヘキサジ−ニル基または１−シクロへキ
セニル基であｐｌＸは酸素またはいおう原子であ）、ｍ
は０または１であシ、そしてＲ１は水素原子またはｍが
０である場合にはアミノ基、°保護されたアミノ基例え
ばアシルアミノ基例えばｔ−エトキシカルがニルアミノ
基のようなα−位置で高度に分枝した低級アルコキシカ
ルビニルアミノ基、２，２．２−）ジクロルエトキシカ
ルがニルアミノ基、２−ヨードエトキシカルがニルアミ
ノ基または２−ブロムエトキシカルビニルアミノ基のよ
うな２−ハロゲノ低級アルコキシカルがニルアミノ基、
または低級アルコキシ置換またはニトロ置換されている
場合のあるフェニル低級アルコキシカルブニルアミノ基
例えば４−メトキシベンジルオキシカルボニルアミノ基
またはジフェニルメトキシカルボニルアミノ基、または
３−グアニルウレイド基、さらにスルホアミノ基、トリ
チルアミノ基、アリールチオアミノ基例えば２−二トロ
フェニルチオアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例
ｔば４−メチルフェニルスルホニルアミノ基または１−
低級アルコキシカルブニル−２−グロピリデンアミノ基
例えば１−エトキシカルがニル−２−プロピリデンアミ
ノ基、カルゲキシ基または塩例えばナトリウム塩のよう
なアルカリ金属塩の形にある力／Ｌ−？キシル基、保護
されたカルがキシ基例えばエステル化されたカルボキシ
ル基例えばジフェニルメトキシカルブニル基のよウナフ
ェニル低級アルコキシカルデニル基、スルホ基または塩
例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩の形にある
スルホ基、保護されたスルホ基、ヒドロキシル基または
保護されたヒドロキシル例えばアシルオキシ基例えばｔ
−ブトキシカル７ｐニルオキシ基のよりなα−位置で高
度に分枝した低級アルコキシカルビニルオキシ基、２，
２．２−トリクロルエトキシカルゲニルオキシ基、２−
ヨードエトキシカルビニルオキシ基または２−ブロムエ
トキシカル？ニルオキシ基のような２−ハロゲノ低級ア
ルコキシカルがニルオキシ基、さらにホルミルオキシ基
、または〇−低級アルキルホスホノ基またはｏ 、 ｏ
’−ジ低級アルキルホスホノ基例えばＯ−メチルホスホ
ノ基または０，０′−ジメチルホスホノ基である〕 で示されるアシル基または５−アミノ−５−カルがキシ
バレリル基（そのアミノ基および（または）カル汁ｒキ
シル基は保護されていることもでき、例えばアシルアミ
ノ基例えばアセチルアミノ基のような低級アルカノイル
アミノ基、ジクロルアセチルアミノ基のようなノ・ログ
ノ低級アルカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基また
はフタロイルアミノ基としてまたはエステル化されたカ
ル？キシル基例えばジフェニルメトキシカルブニル基の
ようなフェニル低級アルコキシカル？ニル基としである
ことができる）であり（なお、Ｒ，Ｌがフェニル基、ヒ
ドロキシフェニル基、ヒドロキシ−クロルフェニル基ま
たはピリジル基である場合にｍは好ましくは１であシそ
してＲ８がフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロ
キシ−クロルフェニル基、チェニル基、フリル基、イソ
チアゾリル基、１．４−シクロヘキサジェニル基または
１−シクロへキセニル基である場合にｍは０であってＲ
ｂは水素原子でないのが好ましい）、Ｒ１が水素原子で
あＦ）、Ｒ２が主としてヒドロキシル、さらに低級アル
コキシカルにα−位置で高度に分枝した低級アルコキシ
基例えばｔ−ブトキシ基、２−ノ１０グツー低級アルコ
キシ基例えば２，２．２−トリクロルエトキシ基、２−
ヨードエトキシ基または２−ブロムエトキシ基、または
例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基で置換され
ている場合のあるジフェニルメトキシ基例えばジフェニ
ルメトキシ基または４，４′−ジメトキシ−ジフェニル
メトキシ基、さらにトリメチルシリルオキシ基のような
トリ低級アルキルシリルオキシ基であシそしてＲ５は水
素原子、低級アルキル基例えばメチル基、エチル基また
はｎ−グチル基ならびにトリメチルシリル基のようなト
リ低級アルキルシリル基、さらに例えば塩素原子のよう
なノ・ログン原子またはメトキシ基のような低級アルコ
キシ基で置換されていることのできるベンジル基または
ジフェニルメチル基である３−セフェム化合物ならびに
このような式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキ
シド、さらに式（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物
、または塩形成基をもつこのような化合物の塩、殊に医
薬的に使用できる無毒な塩、例えばＲ２がヒドロキシル
基である化合物のナトリウム塩のようなアルカリ金属塩
、カルシウム塩のようなアルカリ土類金属塩またはアミ
ン塩を含めたアンモニウム塩、またはＲ２がヒドロキシ
ル基であシそして式（Ｂ）のアシル基中に遊離アミノ基
をもっている化合物の分子内塩の製造に関するものであ
る。
子または式 ％式％（） 〔この式でＲ，はフェニル基またはヒドロキシフェニル
基例えば３−または４−ヒドロキシフェニル基、さらに
ヒドロキシ−クロルフェニル基例えば３−クロル−４−
ヒドロキシフェニル基または３．５−ジクロル−４−ヒ
ドロキシフェニル基（これらの基においてヒドロキシル
社、ハロゲン化されていることのできる低級アルコキシ
カルがニル基例えばｔ−ブトキシカルボニル基または２
．２．２−）ジクロルエトキシカルボニル基のよりなア
シル基によって保護されていることができる）、２−ま
たは３−チェニル基のようなチェニル基、さらに４−ピ
リジル基のようなピリジル基、４−アミノピリジニウム
基のようなアミノピリジニウム基、２−フリル基のよう
なフリル基、４−イソチアゾリル基のようなイソチアゾ
リル基、１−テトラゾリル基のようなテトラゾリル基、
１．４−シクロヘキサジ−ニル基または１−シクロへキ
セニル基であｐｌＸは酸素またはいおう原子であ）、ｍ
は０または１であシ、そしてＲ１は水素原子またはｍが
０である場合にはアミノ基、°保護されたアミノ基例え
ばアシルアミノ基例えばｔ−エトキシカルがニルアミノ
基のようなα−位置で高度に分枝した低級アルコキシカ
ルビニルアミノ基、２，２．２−）ジクロルエトキシカ
ルがニルアミノ基、２−ヨードエトキシカルがニルアミ
ノ基または２−ブロムエトキシカルビニルアミノ基のよ
うな２−ハロゲノ低級アルコキシカルがニルアミノ基、
または低級アルコキシ置換またはニトロ置換されている
場合のあるフェニル低級アルコキシカルブニルアミノ基
例えば４−メトキシベンジルオキシカルボニルアミノ基
またはジフェニルメトキシカルボニルアミノ基、または
３−グアニルウレイド基、さらにスルホアミノ基、トリ
チルアミノ基、アリールチオアミノ基例えば２−二トロ
フェニルチオアミノ基、アリールスルホニルアミノ基例
ｔば４−メチルフェニルスルホニルアミノ基または１−
低級アルコキシカルブニル−２−グロピリデンアミノ基
例えば１−エトキシカルがニル−２−プロピリデンアミ
ノ基、カルゲキシ基または塩例えばナトリウム塩のよう
なアルカリ金属塩の形にある力／Ｌ−？キシル基、保護
されたカルがキシ基例えばエステル化されたカルボキシ
ル基例えばジフェニルメトキシカルブニル基のよウナフ
ェニル低級アルコキシカルデニル基、スルホ基または塩
例えばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩の形にある
スルホ基、保護されたスルホ基、ヒドロキシル基または
保護されたヒドロキシル例えばアシルオキシ基例えばｔ
−ブトキシカル７ｐニルオキシ基のよりなα−位置で高
度に分枝した低級アルコキシカルビニルオキシ基、２，
２．２−トリクロルエトキシカルゲニルオキシ基、２−
ヨードエトキシカルビニルオキシ基または２−ブロムエ
トキシカル？ニルオキシ基のような２−ハロゲノ低級ア
ルコキシカルがニルオキシ基、さらにホルミルオキシ基
、または〇−低級アルキルホスホノ基またはｏ 、 ｏ
’−ジ低級アルキルホスホノ基例えばＯ−メチルホスホ
ノ基または０，０′−ジメチルホスホノ基である〕 で示されるアシル基または５−アミノ−５−カルがキシ
バレリル基（そのアミノ基および（または）カル汁ｒキ
シル基は保護されていることもでき、例えばアシルアミ
ノ基例えばアセチルアミノ基のような低級アルカノイル
アミノ基、ジクロルアセチルアミノ基のようなノ・ログ
ノ低級アルカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基また
はフタロイルアミノ基としてまたはエステル化されたカ
ル？キシル基例えばジフェニルメトキシカルブニル基の
ようなフェニル低級アルコキシカル？ニル基としである
ことができる）であり（なお、Ｒ，Ｌがフェニル基、ヒ
ドロキシフェニル基、ヒドロキシ−クロルフェニル基ま
たはピリジル基である場合にｍは好ましくは１であシそ
してＲ８がフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロ
キシ−クロルフェニル基、チェニル基、フリル基、イソ
チアゾリル基、１．４−シクロヘキサジェニル基または
１−シクロへキセニル基である場合にｍは０であってＲ
ｂは水素原子でないのが好ましい）、Ｒ１が水素原子で
あＦ）、Ｒ２が主としてヒドロキシル、さらに低級アル
コキシカルにα−位置で高度に分枝した低級アルコキシ
基例えばｔ−ブトキシ基、２−ノ１０グツー低級アルコ
キシ基例えば２，２．２−トリクロルエトキシ基、２−
ヨードエトキシ基または２−ブロムエトキシ基、または
例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基で置換され
ている場合のあるジフェニルメトキシ基例えばジフェニ
ルメトキシ基または４，４′−ジメトキシ−ジフェニル
メトキシ基、さらにトリメチルシリルオキシ基のような
トリ低級アルキルシリルオキシ基であシそしてＲ５は水
素原子、低級アルキル基例えばメチル基、エチル基また
はｎ−グチル基ならびにトリメチルシリル基のようなト
リ低級アルキルシリル基、さらに例えば塩素原子のよう
なノ・ログン原子またはメトキシ基のような低級アルコ
キシ基で置換されていることのできるベンジル基または
ジフェニルメチル基である３−セフェム化合物ならびに
このような式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキ
シド、さらに式（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物
、または塩形成基をもつこのような化合物の塩、殊に医
薬的に使用できる無毒な塩、例えばＲ２がヒドロキシル
基である化合物のナトリウム塩のようなアルカリ金属塩
、カルシウム塩のようなアルカリ土類金属塩またはアミ
ン塩を含めたアンモニウム塩、またはＲ２がヒドロキシ
ル基であシそして式（Ｂ）のアシル基中に遊離アミノ基
をもっている化合物の分子内塩の製造に関するものであ
る。
主として、式（ＩＡ）の３−セフェム化合物、さらに式
（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物ならびに塩形成
基をもつこれら化合物の塩殊に医薬的に使用できる無毒
の塩例えば前項で挙げた塩において、Ｒ↑は水素原子、
式（Ｂ）のアシル基（この式でＲＩ、はフェニル基、４
−ヒドロキシフェニル基のようなヒドロキシフェニル基
、２−４たは３−チェニル基のようなチェニル基、４−
イソチアゾリル基、１．４−シクロヘキサジェニル基ま
たは１−シクロへキセニル基であシ、Ｘは酸素原子であ
シ、ｍは０または１であシ、そしてＲ６は水素原子であ
るかまたはｍが０である場合にはＲｂはアミン基、保護
されたアミノ基例えばアシルアミノ基例えばｔ−ブトキ
シカルボニルアミノ基のようなα−位置で高度に分枝し
た低級アルコキシカル？ニルアミノ基、２，２．２−ト
リクロルエトキシカル？ニルアミノ基、２−ヨードエト
キシカルがニルアミノ基または２−プロムエトキシカル
デニルアミノ基のような２−）・ロダン低級アルコキシ
カル？ニルアミノ基、または低級アルコキシ置換または
ニトロ置換されている場合のあるフェニル低級アルコキ
シカルボニルアミノ基例えば４−メトキシベンジルオキ
シカルボニルアミノ基、またはヒドロキシル基または保
護されたヒドロキシル基例えばアシルオキシ基例えばｔ
−ブトキシカルビニルオキシ基のよりなα−位置で高度
に分枝した低級アルコキシカルがニルオキシ基、２．２
，２．−トリクロルエトキシカルビニルオキシ基、２−
ヨードエトキシカルボニルオキシ基または２−ブロムエ
トキシカルｙｙ＝ルオキシ基のような２−ハロゲノ低級
アルコキシカルビニルオキシ基、さらにホルミルオキシ
基である）または５−アミノ−５−カルボキシバレリル
基（ソのアミノ基およびカルブキシル基は保護されてい
ることもでき、例えばアシルアミノ基例えばアセチルア
ミノ基のような低級アルカノイルアミノ基、ジクロルア
セチルアミノ基のようなハロゲノ低級アルカノイルアミ
ノ基、ベンゾイルアミノ基またはフタロイルアミノ基と
してまたはエステル化されたカルボキシル基例えばジフ
ェニルメトキシカルビニル基のようなフェニル低級アル
コキシカル？ニル基としであることができる）であシ（
なおＲ８がフェニル基またはヒドロキシフェニル基であ
る場合にｍは１であるのが好ましい）、Ｒ１７は水素原
子であ５、Ｒ２は主としてヒドロキシル基、さらに２−
位置でハロゲン原子例えば塩素、臭素またはよう素原子
で置換されている場合のある低級アルコキシ基殊にα−
位置で高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブト
キシ基、２−ハロダノー低級アルコキシ基例えば２，２
．２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエトキシ基ま
たは２−ブロムエトキシ基、または例えばメトキシ基の
ような低級アルコキシ基で置換されている場合のアルジ
フェニルメトキシ基例えば、ジフェニルメトキシ基また
は４，４′−ジメトキシ−ジフェニルメトキシ基、ｐ−
ニトロベンジルオキシ基、さらにトリメチルシリルオキ
シ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基であυそ
してＲ３は水素原子、低級アルキル基殊にメチル基、ト
リメチルシリル基のようなトリ低級アルキルシリル基、
または塩素原子や臭素原子のようなハロゲン原子または
メトキシ基のような低級アルコキシ基で置換されている
ことのできるベンジル基またはジフェニルメチル基であ
る。
（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物ならびに塩形成
基をもつこれら化合物の塩殊に医薬的に使用できる無毒
の塩例えば前項で挙げた塩において、Ｒ↑は水素原子、
式（Ｂ）のアシル基（この式でＲＩ、はフェニル基、４
−ヒドロキシフェニル基のようなヒドロキシフェニル基
、２−４たは３−チェニル基のようなチェニル基、４−
イソチアゾリル基、１．４−シクロヘキサジェニル基ま
たは１−シクロへキセニル基であシ、Ｘは酸素原子であ
シ、ｍは０または１であシ、そしてＲ６は水素原子であ
るかまたはｍが０である場合にはＲｂはアミン基、保護
されたアミノ基例えばアシルアミノ基例えばｔ−ブトキ
シカルボニルアミノ基のようなα−位置で高度に分枝し
た低級アルコキシカル？ニルアミノ基、２，２．２−ト
リクロルエトキシカル？ニルアミノ基、２−ヨードエト
キシカルがニルアミノ基または２−プロムエトキシカル
デニルアミノ基のような２−）・ロダン低級アルコキシ
カル？ニルアミノ基、または低級アルコキシ置換または
ニトロ置換されている場合のあるフェニル低級アルコキ
シカルボニルアミノ基例えば４−メトキシベンジルオキ
シカルボニルアミノ基、またはヒドロキシル基または保
護されたヒドロキシル基例えばアシルオキシ基例えばｔ
−ブトキシカルビニルオキシ基のよりなα−位置で高度
に分枝した低級アルコキシカルがニルオキシ基、２．２
，２．−トリクロルエトキシカルビニルオキシ基、２−
ヨードエトキシカルボニルオキシ基または２−ブロムエ
トキシカルｙｙ＝ルオキシ基のような２−ハロゲノ低級
アルコキシカルビニルオキシ基、さらにホルミルオキシ
基である）または５−アミノ−５−カルボキシバレリル
基（ソのアミノ基およびカルブキシル基は保護されてい
ることもでき、例えばアシルアミノ基例えばアセチルア
ミノ基のような低級アルカノイルアミノ基、ジクロルア
セチルアミノ基のようなハロゲノ低級アルカノイルアミ
ノ基、ベンゾイルアミノ基またはフタロイルアミノ基と
してまたはエステル化されたカルボキシル基例えばジフ
ェニルメトキシカルビニル基のようなフェニル低級アル
コキシカル？ニル基としであることができる）であシ（
なおＲ８がフェニル基またはヒドロキシフェニル基であ
る場合にｍは１であるのが好ましい）、Ｒ１７は水素原
子であ５、Ｒ２は主としてヒドロキシル基、さらに２−
位置でハロゲン原子例えば塩素、臭素またはよう素原子
で置換されている場合のある低級アルコキシ基殊にα−
位置で高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブト
キシ基、２−ハロダノー低級アルコキシ基例えば２，２
．２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエトキシ基ま
たは２−ブロムエトキシ基、または例えばメトキシ基の
ような低級アルコキシ基で置換されている場合のアルジ
フェニルメトキシ基例えば、ジフェニルメトキシ基また
は４，４′−ジメトキシ−ジフェニルメトキシ基、ｐ−
ニトロベンジルオキシ基、さらにトリメチルシリルオキ
シ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基であυそ
してＲ３は水素原子、低級アルキル基殊にメチル基、ト
リメチルシリル基のようなトリ低級アルキルシリル基、
または塩素原子や臭素原子のようなハロゲン原子または
メトキシ基のような低級アルコキシ基で置換されている
ことのできるベンジル基またはジフェニルメチル基であ
る。
本発明は主として７β−（Ｄ−α−アミノ−α−Ｒ，−
アセチルアミノ）−３−低級アルコキシー３−セフェム
−４−カルボン酸（Ｒはフェニル基、４−ヒドロキシフ
ェニル基、２−チェニル＆、１．４−シクロヘキサジェ
ニル基または１−シクロへキセニル基であシ、そして低
級アルコキシは炭素原子を４個までもつもの例えばエト
キシまたはれ一ブトキシ、しかし主にメトキシである）
およびそれらの分子内塩、およびと９わけ３−メトキシ
−７β−（Ｄ−α−フェニルーグリシルアミノ）−３−
セフェム−４−カルボン酸およびその分子内塩の製造に
関する。これら化合物は、前記の投与量において殊に経
口投与の場合に、著しい抗生作用をグラム陽性菌および
殊にグラム陰性菌に対して少い毒性をもって示す。
アセチルアミノ）−３−低級アルコキシー３−セフェム
−４−カルボン酸（Ｒはフェニル基、４−ヒドロキシフ
ェニル基、２−チェニル＆、１．４−シクロヘキサジェ
ニル基または１−シクロへキセニル基であシ、そして低
級アルコキシは炭素原子を４個までもつもの例えばエト
キシまたはれ一ブトキシ、しかし主にメトキシである）
およびそれらの分子内塩、およびと９わけ３−メトキシ
−７β−（Ｄ−α−フェニルーグリシルアミノ）−３−
セフェム−４−カルボン酸およびその分子内塩の製造に
関する。これら化合物は、前記の投与量において殊に経
口投与の場合に、著しい抗生作用をグラム陽性菌および
殊にグラム陰性菌に対して少い毒性をもって示す。
本発明方法によれば、式
（この式でＲ？とＲ￥とｎＧとは式（ＩＡ）の下で与え
た意味をもち、間は低級アルキル基またはヒドロキシ保
護基であシそしてＹは脱離される基である） で表わされる化合物を塩基で処理し、 そして所望ならば、得られた式（ＩＡ）または（ＩＢ）
の化合物において、式 ％式％） で示される保護されたカルブキシル基を遊離のまたは他
の保護されたカルボキシル基に変え、そして（または）
所望ならば、保護されたヒドロキシル基−０−Ｒｉを遊
離ヒドロキシル基に変えそして（または）得られた遊離
ヒドロキシル基または保護されたヒドロキシル基−ｏ−
Ｒ４を低級アルコキシ基−０−Ｒ３に変え、そして（ま
たは）所望ならば、得られた化合物を最終生成物の定義
の範囲内で他の化合物に変え、そして（または）所望な
らば、塩形成基をもつ得られた化合物を塩に変えまたは
得られた塩を遊離化合物または他の塩に変え、そして（
または）所望ならば、得られた異性体混合物を個個の異
性体に分けることに、よって、式（ＩＡ）の化合物、そ
の１−オキシド、式（ＩＢ）の化合物または塩形成基を
もつこのような化合物の塩が製造される。
た意味をもち、間は低級アルキル基またはヒドロキシ保
護基であシそしてＹは脱離される基である） で表わされる化合物を塩基で処理し、 そして所望ならば、得られた式（ＩＡ）または（ＩＢ）
の化合物において、式 ％式％） で示される保護されたカルブキシル基を遊離のまたは他
の保護されたカルボキシル基に変え、そして（または）
所望ならば、保護されたヒドロキシル基−０−Ｒｉを遊
離ヒドロキシル基に変えそして（または）得られた遊離
ヒドロキシル基または保護されたヒドロキシル基−ｏ−
Ｒ４を低級アルコキシ基−０−Ｒ３に変え、そして（ま
たは）所望ならば、得られた化合物を最終生成物の定義
の範囲内で他の化合物に変え、そして（または）所望な
らば、塩形成基をもつ得られた化合物を塩に変えまたは
得られた塩を遊離化合物または他の塩に変え、そして（
または）所望ならば、得られた異性体混合物を個個の異
性体に分けることに、よって、式（ＩＡ）の化合物、そ
の１−オキシド、式（ＩＢ）の化合物または塩形成基を
もつこのような化合物の塩が製造される。
式（１１）の化合物において基−〇−昭はカルがキシル
基に対してトランス位置（クロトン酸構造）またはシス
位置（インクロトン酸構造）であることができる。
基に対してトランス位置（クロトン酸構造）またはシス
位置（インクロトン酸構造）であることができる。
式（ｎ）の原料において脱離される基Ｙは例えば基−８
−Ｒ４＼式中のいおう原子にチオ基−Ｓ−において結合
している基−８Ｏ２−Ｒ５またはさらに基−８−８ｏ２
−Ｒ５である。
−Ｒ４＼式中のいおう原子にチオ基−Ｓ−において結合
している基−８Ｏ２−Ｒ５またはさらに基−８−８ｏ２
−Ｒ５である。
基−８−Ｒ４においてＲ４は炭素原子１５個まで、好ま
しくは９個までをもつ置換されたもしくは未置換の芳香
族複素環式基であって、この基は環窒素原子少くとも１
個と場合によっては酸素またはいおう原子のような他の
環へテロ原子１個とをもちそしてこの基はその環窒素原
子に２重結合している環炭素原子において式中のチオ基
−８−に結合しているものとする。このような基は単環
式または２環式でありそして例えばメチル基やエチル基
のような低級アルキル基、メトキシ基やエトキシ基のよ
うな低級アルコキシ基、ふっ素原子や塩素原子のような
ハロダン原子またはフェニル基のＡ、 ＞；なアリール
基で置換されていることができる。
しくは９個までをもつ置換されたもしくは未置換の芳香
族複素環式基であって、この基は環窒素原子少くとも１
個と場合によっては酸素またはいおう原子のような他の
環へテロ原子１個とをもちそしてこの基はその環窒素原
子に２重結合している環炭素原子において式中のチオ基
−８−に結合しているものとする。このような基は単環
式または２環式でありそして例えばメチル基やエチル基
のような低級アルキル基、メトキシ基やエトキシ基のよ
うな低級アルコキシ基、ふっ素原子や塩素原子のような
ハロダン原子またはフェニル基のＡ、 ＞；なアリール
基で置換されていることができる。
このような基Ｒ４は例えば芳香族性をもつ単環式の５員
のチアジアゾ環式、チアトリアザ環式、オキサジアザ環
式またはオキサトリアザ環式基、しかし殊に芳香族性を
もつ単環式の５員のジアザ環式、オキサアゾ環式または
チアザ環式基、または主にその複素頂部分が５員から成
シそして芳香族性をもつ相当するベンズジアゾ環式、ベ
ンズオキサアザ環式またはベンズチアゾ環式基であって
、基Ｒ４においては置換可能な環窒素原子は例えば低級
アルキル基で置換されていることができる。
のチアジアゾ環式、チアトリアザ環式、オキサジアザ環
式またはオキサトリアザ環式基、しかし殊に芳香族性を
もつ単環式の５員のジアザ環式、オキサアゾ環式または
チアザ環式基、または主にその複素頂部分が５員から成
シそして芳香族性をもつ相当するベンズジアゾ環式、ベ
ンズオキサアザ環式またはベンズチアゾ環式基であって
、基Ｒ４においては置換可能な環窒素原子は例えば低級
アルキル基で置換されていることができる。
このような基Ｒ４の例は１−メチル−イミダゾール−２
−イル基、１，３−チアゾール−２−イル基、１，３．
４−チアジアゾール−２−イル基、１．３，４．５−テ
アトリアゾール−２−イル基、１．３−オキサゾール−
２−イル基、１，３．４−オキサジアゾール−２−イル
基、１，３，４．５−オキサトリアゾール−２−イル基
、２−キノリル基、１−メチル−ベンズイミダゾール−
２−イル基、ペンズオキザゾールー２−イル基、および
殊にベンズチアゾール−２−イル基である。さらに、基
Ｒ４として有機カルボン酸またはチオカルビン酸のアシ
ル基、例えば炭素原子１８個まで、好ましくは１０個ま
でをもつ置換されていることのできる脂肪族、脂環式、
芳香脂肪族または芳香族のアシル基またはチオアシル基
、例えばアセチル基やプロピオニル基のような低級アル
カノイル基、チオアセチル基やチオプロピオニル基のよ
うな低級チオアルカノイル基、シクロヘキサンカル？ニ
ル基のようなシクロアルカンカルボニル基、シクロヘキ
サンチオカルボニル基のようなシクロアルカンチオカル
ボニル基、ベンゾイル基、チオベンゾイル基、ナフチル
カルビニル基、ナフチルチオカルビニル基、複素環式カ
ルボニル基またはチオカルがニル基例えば２−１３−ま
たは４−ピリジルカルボニル基、２−または３−テノイ
ル基、２−または３−７０イル基、２−１３−または４
−ピリジルチオカルボニル基、２−または３−チオテノ
イル基、２−１たは３−チオ７０イル基、または置換基
例えばメチル基のような低級アルキル基′−ふっ素原子
や塩素原子のようなハロダン原子、メトキシ基のような
低級アルコキシ基、フェニル基のようなアリール基また
はフェニルオキシ基のようなアリールオキシ基によって
モノ−またはポリ置換された相当するアシル基またはチ
オアシル基がある。
−イル基、１，３−チアゾール−２−イル基、１，３．
４−チアジアゾール−２−イル基、１．３，４．５−テ
アトリアゾール−２−イル基、１．３−オキサゾール−
２−イル基、１，３．４−オキサジアゾール−２−イル
基、１，３，４．５−オキサトリアゾール−２−イル基
、２−キノリル基、１−メチル−ベンズイミダゾール−
２−イル基、ペンズオキザゾールー２−イル基、および
殊にベンズチアゾール−２−イル基である。さらに、基
Ｒ４として有機カルボン酸またはチオカルビン酸のアシ
ル基、例えば炭素原子１８個まで、好ましくは１０個ま
でをもつ置換されていることのできる脂肪族、脂環式、
芳香脂肪族または芳香族のアシル基またはチオアシル基
、例えばアセチル基やプロピオニル基のような低級アル
カノイル基、チオアセチル基やチオプロピオニル基のよ
うな低級チオアルカノイル基、シクロヘキサンカル？ニ
ル基のようなシクロアルカンカルボニル基、シクロヘキ
サンチオカルボニル基のようなシクロアルカンチオカル
ボニル基、ベンゾイル基、チオベンゾイル基、ナフチル
カルビニル基、ナフチルチオカルビニル基、複素環式カ
ルボニル基またはチオカルがニル基例えば２−１３−ま
たは４−ピリジルカルボニル基、２−または３−テノイ
ル基、２−または３−７０イル基、２−１３−または４
−ピリジルチオカルボニル基、２−または３−チオテノ
イル基、２−１たは３−チオ７０イル基、または置換基
例えばメチル基のような低級アルキル基′−ふっ素原子
や塩素原子のようなハロダン原子、メトキシ基のような
低級アルコキシ基、フェニル基のようなアリール基また
はフェニルオキシ基のようなアリールオキシ基によって
モノ−またはポリ置換された相当するアシル基またはチ
オアシル基がある。
基−８０２−Ｒ５および−８−８０２−Ｒ５において、
Ｒ５は炭素原子１８個まで好ましくは１０個までをもつ
そして置換されていることのできる殊に脂肪族、脂環式
、芳香脂肪族または芳香族炭化水素基である。適する基
Ｒ５は例えば置換基例えばメトキシ基のような低級アル
コキシ基、ふっ素、塩素または臭素のようなハロダン原
子、フェニル基のようなアリール基、フェニルオキシ基
のようなアリールオキシ基によってモノ−またはポリ−
置換されていることのできるアルキル基殊にメチル基、
エチル基またはブチル基のような低級アルキル基、アリ
ル基やブテニル基のようなアルケニル基、シクロペンチ
ル基やシクロヘキシル基のようなシクロアルキル基、ま
たは置換基すなわちメチル基のような低級アルキル基、
メトキシ基のような低級アルコキシ基、ふっ素、塩素ま
たは臭素のようなハロゲン原子、フェニル基のようなア
リール基、フェニルオキシ基のようなアリールオキシ基
またはニトロ基によってモノ−またはポリ−置換されて
いることのできるナフチル基または殊にフェニル基、例
えばフェニル基、０−ｘｎｌ−または好ましくはｐ−ト
リル基、０−ｌｍ−または好ましくはｐ−メトキシフェ
ニル基、０−２ｍ−またはｐ−クロルフェニル基、ｐ−
ビフェニリルに％、ｐ −フェノキシフェニル＆、ｐ−
ニトロフェニル基するいはｌ−または２−ナフチル基で
ある。
Ｒ５は炭素原子１８個まで好ましくは１０個までをもつ
そして置換されていることのできる殊に脂肪族、脂環式
、芳香脂肪族または芳香族炭化水素基である。適する基
Ｒ５は例えば置換基例えばメトキシ基のような低級アル
コキシ基、ふっ素、塩素または臭素のようなハロダン原
子、フェニル基のようなアリール基、フェニルオキシ基
のようなアリールオキシ基によってモノ−またはポリ−
置換されていることのできるアルキル基殊にメチル基、
エチル基またはブチル基のような低級アルキル基、アリ
ル基やブテニル基のようなアルケニル基、シクロペンチ
ル基やシクロヘキシル基のようなシクロアルキル基、ま
たは置換基すなわちメチル基のような低級アルキル基、
メトキシ基のような低級アルコキシ基、ふっ素、塩素ま
たは臭素のようなハロゲン原子、フェニル基のようなア
リール基、フェニルオキシ基のようなアリールオキシ基
またはニトロ基によってモノ−またはポリ−置換されて
いることのできるナフチル基または殊にフェニル基、例
えばフェニル基、０−ｘｎｌ−または好ましくはｐ−ト
リル基、０−ｌｍ−または好ましくはｐ−メトキシフェ
ニル基、０−２ｍ−またはｐ−クロルフェニル基、ｐ−
ビフェニリルに％、ｐ −フェノキシフェニル＆、ｐ−
ニトロフェニル基するいはｌ−または２−ナフチル基で
ある。
式（Ｕ）の原料において、弓は殊に穏和な条件の下で脱
離することのできるエステル化されたカルがキシル基を
基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょに形成しているエーテル化
されたヒドロキシル基材であるのが好ましく、このカル
ボキシル保護基ＲＧにおいて存在する場合のある官能性
基はこれをそれ自体公知の方法によって保護しておくこ
とができる。基材は例えば殊にノ・ロダン置換されてｂ
ゐ場合のある低級アルコキシ基例えばメトキシ基、α−
位置で高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−メト
キシ基または２−ハロダン低級アルコキシ基（）・ロダ
ンは例えば塩素、臭素またはよう素である）、主に２．
２．２−）リクロルエトキシ基、２−ブロムエトキシ基
または２−ヨードエトキシ基、または例えばメトキシ基
のような低級アルコキシ基やニトロ基で置換されている
ことのできる１−フェニル低級アルコキシ基例えば上記
のように置換されていることのできるベンジルオキシ基
またはジフェニルメトキシ基例えばベンジルオキシ基、
４−メトキシベンジルオキシ基、４−ニトロベンジルオ
キシ基、ジフェニルメトキシ基または４，４′−ジメト
キシ−ジフェニルメトキシ基、さらに有機シリルオキシ
基またはスタンニルオキシ基、例えばトリメチルシリル
オキシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基また
はさらに塩素原子のようなハロダン原子である。
離することのできるエステル化されたカルがキシル基を
基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょに形成しているエーテル化
されたヒドロキシル基材であるのが好ましく、このカル
ボキシル保護基ＲＧにおいて存在する場合のある官能性
基はこれをそれ自体公知の方法によって保護しておくこ
とができる。基材は例えば殊にノ・ロダン置換されてｂ
ゐ場合のある低級アルコキシ基例えばメトキシ基、α−
位置で高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−メト
キシ基または２−ハロダン低級アルコキシ基（）・ロダ
ンは例えば塩素、臭素またはよう素である）、主に２．
２．２−）リクロルエトキシ基、２−ブロムエトキシ基
または２−ヨードエトキシ基、または例えばメトキシ基
のような低級アルコキシ基やニトロ基で置換されている
ことのできる１−フェニル低級アルコキシ基例えば上記
のように置換されていることのできるベンジルオキシ基
またはジフェニルメトキシ基例えばベンジルオキシ基、
４−メトキシベンジルオキシ基、４−ニトロベンジルオ
キシ基、ジフェニルメトキシ基または４，４′−ジメト
キシ−ジフェニルメトキシ基、さらに有機シリルオキシ
基またはスタンニルオキシ基、例えばトリメチルシリル
オキシ基のようなトリ低級アルキルシリルオキシ基また
はさらに塩素原子のようなハロダン原子である。
なお、式（］ＩＩの原料において基Ｒ〒はアシル基Ａｃ
のようなアミノ保護基Ｒ↑（この基に存在する場合のあ
る遊離官能基例えばアミノ基、ヒドロキシル基、カルブ
キシル基またはホスホノ基はこれをそれ自体公知の方法
によって、すなわちアミノ基は例えば前記のアシル基、
トリチル基、シリル基、スタンニル基、置換されたチオ
基またはスルニル基によってそしてヒドロキシル基、カ
ルがキシル基またはホスホノ基は例えばシリル基やスタ
ンニル基を含めた前記のエーテル基またはエステル基に
よって保護しておくことができる）であシそしてＲ１は
水素原子であるのが好ましい。
のようなアミノ保護基Ｒ↑（この基に存在する場合のあ
る遊離官能基例えばアミノ基、ヒドロキシル基、カルブ
キシル基またはホスホノ基はこれをそれ自体公知の方法
によって、すなわちアミノ基は例えば前記のアシル基、
トリチル基、シリル基、スタンニル基、置換されたチオ
基またはスルニル基によってそしてヒドロキシル基、カ
ルがキシル基またはホスホノ基は例えばシリル基やスタ
ンニル基を含めた前記のエーテル基またはエステル基に
よって保護しておくことができる）であシそしてＲ１は
水素原子であるのが好ましい。
ＤＴ全余
白（ＩＩ）の原料においてＲ２は好ましくは低級アルキ
ル基殊にメチル基またはヒドロキシ保護基としては好ま
しくは置換されたシリル基殊にトリメチルシリル基また
はベンジル基やジフェニルメチル基のようなα−フェニ
ル低級アルキル基である。
ル基殊にメチル基またはヒドロキシ保護基としては好ま
しくは置換されたシリル基殊にトリメチルシリル基また
はベンジル基やジフェニルメチル基のようなα−フェニ
ル低級アルキル基である。
前記の閉環反応で使うのに適する塩基は殊に強い有機ま
たは無機塩基である。殊に２環式アミジン例えば１．５
−ジアザビシクロ（４，３，０）ノナ−５−エンまたは
１．５−ジアザビシクロ［５，４，０１ウンデカ−５−
エンのようなノアザビシクロアルケン、置換（例えば低
級アルキル基でポリ置換）されたグアニジン例えばテト
ラメチルグアニジン、さらに金属塩基例えばアルカリ金
属殊にリチウム、ナトリウムまたはカリウムの水素化物
、アミドまたはアルコラード、例えば水素化ナトリウム
、リチウムジイソゾロビルアミドのようなりチウムジ低
級アルキルアミド、カリウム−ｔ−ブチラードのような
カリウム低級アルカノラードが強調される。式（ＩＩ）
におけるＲ；がハロダン原子例えば塩素原子でおる化合
物は第３有機窒素塩基例えばトリエチルアミンのような
トリ低級アルキルアミンを使って環化させることもでき
る。この場合にはアルコール例えばｔ−ブタノールのよ
うな低級アルカノールの存在の下では式（ＩＡ）および
（または）（ＩＢ）の相当するエステルが得られる０ 本発明による反応は、これを適当な不活性溶媒例、ｔ
ハヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンまたはトルエン
のような脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素、塩化メ
チレンのようなノーロダン化された炭化水素、エーテル
例えばジエチルエーテルのようなジ低級アルキルエーテ
ル、ジメトキシエタンのようなジ低級アルコキシ低級ア
ルカン、ジオキサンやテトラヒドロフランのような環状
エーテルまたはメタノール、エタノールまたはｔ−ブタ
ノールのような低級アルカノールまたはその混合物の中
で室温または４０〜５０℃の僅かな加熱の下で、所望な
らば窒素のような不活性ガス中で行うＯ 式（Ｉｔ）におけるＹが基−８−Ｒ４例えば２−ベンズ
チアゾリルチオ基である化合物を前記の塩基例え＃１．
５−ジアザビシクロ（５，４，０〕ウンデカ−５−エン
で処理する場合には、式％式％ で表わされるスルフィン酸例えばｐ−）ルエンスルフィ
ン酸を加えることによって、式（ＩＡ）および（ＩＢ）
の化合物の収率を高めることができる。
たは無機塩基である。殊に２環式アミジン例えば１．５
−ジアザビシクロ（４，３，０）ノナ−５−エンまたは
１．５−ジアザビシクロ［５，４，０１ウンデカ−５−
エンのようなノアザビシクロアルケン、置換（例えば低
級アルキル基でポリ置換）されたグアニジン例えばテト
ラメチルグアニジン、さらに金属塩基例えばアルカリ金
属殊にリチウム、ナトリウムまたはカリウムの水素化物
、アミドまたはアルコラード、例えば水素化ナトリウム
、リチウムジイソゾロビルアミドのようなりチウムジ低
級アルキルアミド、カリウム−ｔ−ブチラードのような
カリウム低級アルカノラードが強調される。式（ＩＩ）
におけるＲ；がハロダン原子例えば塩素原子でおる化合
物は第３有機窒素塩基例えばトリエチルアミンのような
トリ低級アルキルアミンを使って環化させることもでき
る。この場合にはアルコール例えばｔ−ブタノールのよ
うな低級アルカノールの存在の下では式（ＩＡ）および
（または）（ＩＢ）の相当するエステルが得られる０ 本発明による反応は、これを適当な不活性溶媒例、ｔ
ハヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンまたはトルエン
のような脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素、塩化メ
チレンのようなノーロダン化された炭化水素、エーテル
例えばジエチルエーテルのようなジ低級アルキルエーテ
ル、ジメトキシエタンのようなジ低級アルコキシ低級ア
ルカン、ジオキサンやテトラヒドロフランのような環状
エーテルまたはメタノール、エタノールまたはｔ−ブタ
ノールのような低級アルカノールまたはその混合物の中
で室温または４０〜５０℃の僅かな加熱の下で、所望な
らば窒素のような不活性ガス中で行うＯ 式（Ｉｔ）におけるＹが基−８−Ｒ４例えば２−ベンズ
チアゾリルチオ基である化合物を前記の塩基例え＃１．
５−ジアザビシクロ（５，４，０〕ウンデカ−５−エン
で処理する場合には、式％式％ で表わされるスルフィン酸例えばｐ−）ルエンスルフィ
ン酸を加えることによって、式（ＩＡ）および（ＩＢ）
の化合物の収率を高めることができる。
本発明による閉環反応では、原料および反応条件によっ
て、式（ＩＡ）または（ＩＢ）の単一な化合物または式
（ＩＡ）および（ＩＢ）の化合物の混合物が得られる。
て、式（ＩＡ）または（ＩＢ）の単一な化合物または式
（ＩＡ）および（ＩＢ）の化合物の混合物が得られる。
得られた混合物をそれ自体公知の方法によって、例えば
適当な分離方法例えばシリカゲルや酸化アルミニウムの
ような適当な吸着剤と溶離剤とを使うクロマトグラフィ
（カラム、ペーパーまたは層クロマトグラフィ）を含め
７１Ｃｅｔ、着−分別溶離法またはさらに分別結晶化、
溶媒分配などによって分離することができる。
適当な分離方法例えばシリカゲルや酸化アルミニウムの
ような適当な吸着剤と溶離剤とを使うクロマトグラフィ
（カラム、ペーパーまたは層クロマトグラフィ）を含め
７１Ｃｅｔ、着−分別溶離法またはさらに分別結晶化、
溶媒分配などによって分離することができる。
薬理活性な最終生成物の製造に適する得られた式（ＩＡ
）および（ＩＢ）の化合物は、これをそれ自体公知の種
々な追加工程によってこのような活性の最終生成物に変
えることができる。
）および（ＩＢ）の化合物は、これをそれ自体公知の種
々な追加工程によってこのような活性の最終生成物に変
えることができる。
すなわち、本発明方法によって得た式（ＩＡ）または（
ＩＢ）の化合物において、ヒドロキシ保護基Ｒ３を容易
に脱離して水素原子で置換することができる。この場合
に、２−オキサ−または２−チア−脂肪族または一脂環
式炭化水素基は例えば酸性加水分解によって、シリル基
またはスタニンル基は加水分解、アルコーリシスまたは
アシドリシス（例えば水、メタノールやエタノールのよ
うなアルコールまたは酢酸のような酸で処理するによっ
て脱離される。置換されたもしくは未置換のα−フェニ
ル低級アルキル基例えばベンジル基またはジフェニルメ
チル基を脱離するには、例えばアシドリシス（例えば塩
酸や硫酸のような無機酸またはぎ酸や殊にトリフルオル
酢酸のような有機酸で処理する）ｔたは水素化分解（例
えば・母うによって行う。こうして生成した３−ヒドロ
キシ化合物は主に３−セフェム体である。また、ヒドロ
キシル基Ｒ３を選択的に、すなわちカルブキシル保護基
Ｒ台を同時に脱離することなく、脱離させることもでき
る。
ＩＢ）の化合物において、ヒドロキシ保護基Ｒ３を容易
に脱離して水素原子で置換することができる。この場合
に、２−オキサ−または２−チア−脂肪族または一脂環
式炭化水素基は例えば酸性加水分解によって、シリル基
またはスタニンル基は加水分解、アルコーリシスまたは
アシドリシス（例えば水、メタノールやエタノールのよ
うなアルコールまたは酢酸のような酸で処理するによっ
て脱離される。置換されたもしくは未置換のα−フェニ
ル低級アルキル基例えばベンジル基またはジフェニルメ
チル基を脱離するには、例えばアシドリシス（例えば塩
酸や硫酸のような無機酸またはぎ酸や殊にトリフルオル
酢酸のような有機酸で処理する）ｔたは水素化分解（例
えば・母うによって行う。こうして生成した３−ヒドロ
キシ化合物は主に３−セフェム体である。また、ヒドロ
キシル基Ｒ３を選択的に、すなわちカルブキシル保護基
Ｒ台を同時に脱離することなく、脱離させることもでき
る。
エノールエーテル、すなわち式（ＩＡ）および（または
）（ＩＢ）におけるＲ３が低級アルキル基である化合物
は、式（ＩＡ）まだは（ＩＢ）におけるＲ５がヒドロキ
シル基の保護基である化合物から、この基を水素原子で
置換し、そして次にこうして生成した遊離ヒドロキシル
基をエノール基のエーテル化に適する任意の方法によっ
て） エーテル化することによって得られる。エーテル
化剤としては、置換されたもしくは未置換の炭化水素基
Ｒ３に相当する式 で表わされるジアゾ化合物、主として置換されたもしく
は未置換のジアゾ低級アルカン例えばジアゾメタン、ジ
アゾエタンまたはシアシーｎ−ゾタン、さらに置換され
たもしくは未置換のα−フェニル−ジアゾ低級アルカン
例えばフェニルジアゾメタンやジフェニルジアゾメタン
を使うのが好ましい。これら反応剤を適当な不活性溶媒
例えばヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンまタハトル
エンのような脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素、塩
化メチレンのようなハロゲン化された脂肪族炭化水素、
メタノール、エタノールまたはｔ−ブタノールのような
低級アルカノール、エーテル例えばジエチルエーテルの
ようなジ低級アルキルエーテルまたはテトラヒドロフラ
ンやジオキサンのような環状エーテルまたはそれらの溶
媒混合物の存在の下でそしてジアゾ化剤によっては冷却
、室温または僅かに加熱の下で、さらに必要ならば密封
容器内でそして（または）窒素ガスのような不活性ガス
の下で使う。
）（ＩＢ）におけるＲ３が低級アルキル基である化合物
は、式（ＩＡ）まだは（ＩＢ）におけるＲ５がヒドロキ
シル基の保護基である化合物から、この基を水素原子で
置換し、そして次にこうして生成した遊離ヒドロキシル
基をエノール基のエーテル化に適する任意の方法によっ
て） エーテル化することによって得られる。エーテル
化剤としては、置換されたもしくは未置換の炭化水素基
Ｒ３に相当する式 で表わされるジアゾ化合物、主として置換されたもしく
は未置換のジアゾ低級アルカン例えばジアゾメタン、ジ
アゾエタンまたはシアシーｎ−ゾタン、さらに置換され
たもしくは未置換のα−フェニル−ジアゾ低級アルカン
例えばフェニルジアゾメタンやジフェニルジアゾメタン
を使うのが好ましい。これら反応剤を適当な不活性溶媒
例えばヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンまタハトル
エンのような脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素、塩
化メチレンのようなハロゲン化された脂肪族炭化水素、
メタノール、エタノールまたはｔ−ブタノールのような
低級アルカノール、エーテル例えばジエチルエーテルの
ようなジ低級アルキルエーテルまたはテトラヒドロフラ
ンやジオキサンのような環状エーテルまたはそれらの溶
媒混合物の存在の下でそしてジアゾ化剤によっては冷却
、室温または僅かに加熱の下で、さらに必要ならば密封
容器内でそして（または）窒素ガスのような不活性ガス
の下で使う。
さらに、低級アルキル基または置換されたもしくは未置
換のα−フェニル低級アルキル基例えばベンジル基また
社ジフェニルメチル基としてのＲ５に相当する式 で表わ、さ、れるアルコールの反応性エステルで処理す
ることによって、式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）
のエノールエーテルを生成することができる。適するエ
ステルは主として強い無機または有機酸、例えばハロゲ
ン化水素酸例えば塩酸、臭化水素酸またはよう化水素酸
、硫酸またはフルオル硫酸のようなハロダン原子あるい
は強い有機スルホン酸例えばふっ素のようなハロダンで
置換されたもしくは未置換の低級アルカンスルホン酸、
または芳香族スルホン酸例えばメチル基のような低級ア
ルキル基、臭素のようなハロダン原子および（ｔたは）
ニトロ基で置換されていることのできるベンゼンスルホ
ン酸、例えばメタンスルホン酸、トリフルオルメタンス
ルホン酸またはＰ−）ルエンスルホン酸とのエステルで
ある。これらエーテル化剤殊に硫酸ジメチルのような硫
酸ジ低級アルキル、さらにフルオル硫酸メチルのような
フルオル硫酸低級アルキルまたはトリフルオルメタンス
ルホン酸メチルのようなハロゲン置換されていることの
できるメタンスルホン酸低級アルキルエステルを一般に
は溶媒例えば塩素化のような／Ｓログン化されている場
合のある脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素例えば塩
化メチレン、ジオキサンやテトラヒドロフランのような
エーテル、メタノールのような低級アルカノールまたは
それらの混合物の中で使う。この場合に、適当な縮合剤
例えばナトリウムやカリウムのようなアルカリ金属の炭
酸塩または重炭酸塩（一般に硫酸エステルの場合に）ま
たは有機塩基例えばＮ、Ｎ−ジイソゾロビル−Ｎ−エチ
ルアミンのような一般に立体障害のあるトリ低級アルキ
ルアミン（好ましくはハロダン硫酸低級アルキルエステ
ルまたはハロゲン置換されている場合のあるメタンスル
ホン酸低級アルキルエステルの場合に）を使うのが好ま
しい。この反応を冷却、室温または加熱の下で例えば約
−２０〜５０℃でそして必要ならば密封容器内でそして
（または）窒素のような不活性ガスの下で操作する。
換のα−フェニル低級アルキル基例えばベンジル基また
社ジフェニルメチル基としてのＲ５に相当する式 で表わ、さ、れるアルコールの反応性エステルで処理す
ることによって、式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）
のエノールエーテルを生成することができる。適するエ
ステルは主として強い無機または有機酸、例えばハロゲ
ン化水素酸例えば塩酸、臭化水素酸またはよう化水素酸
、硫酸またはフルオル硫酸のようなハロダン原子あるい
は強い有機スルホン酸例えばふっ素のようなハロダンで
置換されたもしくは未置換の低級アルカンスルホン酸、
または芳香族スルホン酸例えばメチル基のような低級ア
ルキル基、臭素のようなハロダン原子および（ｔたは）
ニトロ基で置換されていることのできるベンゼンスルホ
ン酸、例えばメタンスルホン酸、トリフルオルメタンス
ルホン酸またはＰ−）ルエンスルホン酸とのエステルで
ある。これらエーテル化剤殊に硫酸ジメチルのような硫
酸ジ低級アルキル、さらにフルオル硫酸メチルのような
フルオル硫酸低級アルキルまたはトリフルオルメタンス
ルホン酸メチルのようなハロゲン置換されていることの
できるメタンスルホン酸低級アルキルエステルを一般に
は溶媒例えば塩素化のような／Ｓログン化されている場
合のある脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素例えば塩
化メチレン、ジオキサンやテトラヒドロフランのような
エーテル、メタノールのような低級アルカノールまたは
それらの混合物の中で使う。この場合に、適当な縮合剤
例えばナトリウムやカリウムのようなアルカリ金属の炭
酸塩または重炭酸塩（一般に硫酸エステルの場合に）ま
たは有機塩基例えばＮ、Ｎ−ジイソゾロビル−Ｎ−エチ
ルアミンのような一般に立体障害のあるトリ低級アルキ
ルアミン（好ましくはハロダン硫酸低級アルキルエステ
ルまたはハロゲン置換されている場合のあるメタンスル
ホン酸低級アルキルエステルの場合に）を使うのが好ま
しい。この反応を冷却、室温または加熱の下で例えば約
−２０〜５０℃でそして必要ならば密封容器内でそして
（または）窒素のような不活性ガスの下で操作する。
さらに、脂肪族性の同一炭素原子に式
で示されるエーテル化されたヒドロキシル基２〜３個を
もつ化合物すなわち相当するアセタールまたはオルトエ
ステルで酸性剤の存在の下で処理することによって、エ
ノールエーテルを作ることもできる。従って、エーテル
化剤として例えば２゜２−ジメトキシ−プロパンのよう
なｇｅｍ−低級アルコキシ低級アルカンをｐ−トルエン
スルホン酸のような強い有機スルホン酸の存在の下でそ
して適当な溶媒例えばメタノールのような低級アルカノ
ールまたはジメチルスルホキシドのようなジ低級アルキ
ル−または低級アルキレン−スルホキシドの存在の下で
使うか、またはオルトぎ酸トリエチルエステルのような
オルトぎ酸トリ低級アルキルエステルを硫酸のような強
い無機酸またはｐ−トルエンスルホン酸のような強い有
機スルホン酸の存在の下でそして適当な溶媒例えばエタ
ノールのような低級アルカノールまたはジオキサンのよ
うなエーテルの存在の下で使うことができ、こうしてＲ
５がメチル基またはエチル基のような低級アルキル基で
ある式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）の化合物が得
られる。
もつ化合物すなわち相当するアセタールまたはオルトエ
ステルで酸性剤の存在の下で処理することによって、エ
ノールエーテルを作ることもできる。従って、エーテル
化剤として例えば２゜２−ジメトキシ−プロパンのよう
なｇｅｍ−低級アルコキシ低級アルカンをｐ−トルエン
スルホン酸のような強い有機スルホン酸の存在の下でそ
して適当な溶媒例えばメタノールのような低級アルカノ
ールまたはジメチルスルホキシドのようなジ低級アルキ
ル−または低級アルキレン−スルホキシドの存在の下で
使うか、またはオルトぎ酸トリエチルエステルのような
オルトぎ酸トリ低級アルキルエステルを硫酸のような強
い無機酸またはｐ−トルエンスルホン酸のような強い有
機スルホン酸の存在の下でそして適当な溶媒例えばエタ
ノールのような低級アルカノールまたはジオキサンのよ
うなエーテルの存在の下で使うことができ、こうしてＲ
５がメチル基またはエチル基のような低級アルキル基で
ある式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）の化合物が得
られる。
さらに、式（ＩＩ）の原料を、式
（Ｒ３）３調ρ
で表わされるトリーＲ３−オキソニウム塩（いわゆるメ
ールワイン塩）または式 ％式％ で表わされるジーＲ３０−カルペニウム塩または式（ｎ
ｓ ） ２Ｈａｔ■鰻 （これらの式でρは酸の陰イオンでありそしてＸ■は・
・ロニウムイオン殊にブロモニウムイオンである） で表わされるジーＲ６−ハロニウム塩で処理する場合に
も、式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）のエノールエ
ーテルが得られる。このような反応体として、主にトリ
低級アルキルオキソニウム塩、ジ低級アルコキシカルベ
ニウム塩またはジ低級アルキヘソ・、ロニウム塩、殊に
錯ふっ素含有酸との相当スル塩、例えば相当するテトラ
フルオルポレート、ヘキサフルオルホスフェート、ヘキ
サフルオルホスフェ−トまたはへキサクロルアンチモネ
ートが挙げられる。このような反応体は例えばトリメチ
ルオキソニウム−またはトリエチルオキソニウム−へキ
サフルオルアンチモ４−）、−へキサクロルアンチモネ
ート、−へキサフルオルポスフェートまたは−テトラフ
ルオルポレート、ジメトキシカルペニウムへキサフルオ
ルポスフェートまたはジメチルブロモニウムーヘキサフ
ルオルアンチモネートである。これらエーテル化剤を好
ましくは不活性溶媒例えばジエチルエーテルやテトラヒ
ドロフランのようなエーテルまたは塩化メチレンのよう
なハロダン化された炭化水素またはそれらの混合物の中
で、必要ならば塩基例えば好ましくは立体障害のあるト
リ低級アルキルアミン例えばＮ、Ｎ−ジイソゾロビル−
Ｎ−エチルアミンのような有機塩基の存在の下でそして
冷却、室温または僅かに加熱の下で例えば約−２０〜＋
５０℃で、必要ならば密封容器内でそして（または）窒
素のような不活性ガスの下で使う。
ールワイン塩）または式 ％式％ で表わされるジーＲ３０−カルペニウム塩または式（ｎ
ｓ ） ２Ｈａｔ■鰻 （これらの式でρは酸の陰イオンでありそしてＸ■は・
・ロニウムイオン殊にブロモニウムイオンである） で表わされるジーＲ６−ハロニウム塩で処理する場合に
も、式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）のエノールエ
ーテルが得られる。このような反応体として、主にトリ
低級アルキルオキソニウム塩、ジ低級アルコキシカルベ
ニウム塩またはジ低級アルキヘソ・、ロニウム塩、殊に
錯ふっ素含有酸との相当スル塩、例えば相当するテトラ
フルオルポレート、ヘキサフルオルホスフェート、ヘキ
サフルオルホスフェ−トまたはへキサクロルアンチモネ
ートが挙げられる。このような反応体は例えばトリメチ
ルオキソニウム−またはトリエチルオキソニウム−へキ
サフルオルアンチモ４−）、−へキサクロルアンチモネ
ート、−へキサフルオルポスフェートまたは−テトラフ
ルオルポレート、ジメトキシカルペニウムへキサフルオ
ルポスフェートまたはジメチルブロモニウムーヘキサフ
ルオルアンチモネートである。これらエーテル化剤を好
ましくは不活性溶媒例えばジエチルエーテルやテトラヒ
ドロフランのようなエーテルまたは塩化メチレンのよう
なハロダン化された炭化水素またはそれらの混合物の中
で、必要ならば塩基例えば好ましくは立体障害のあるト
リ低級アルキルアミン例えばＮ、Ｎ−ジイソゾロビル−
Ｎ−エチルアミンのような有機塩基の存在の下でそして
冷却、室温または僅かに加熱の下で例えば約−２０〜＋
５０℃で、必要ならば密封容器内でそして（または）窒
素のような不活性ガスの下で使う。
さらに、式（ＩＩ）の原料を、３−位置で置換された１
−Ｒ，−）ＩＪアゼン化合物（すなわち、置換基−Ｎ＝
Ｎ −ＮＨ−Ｒ３の化合物）で処理することによっても
、式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）のエノールエー
テルが作られる。この３−窒素原子の置換基は炭素原子
を介して結合している有機基好ましく社炭素環式アリー
ル基、例えば置換されたもしくは未置換のフェニル基例
えば４−メチルフェニル基のような低級アルキルフェニ
ル基である。このようなトリアゼン化合物は３−アリー
ル−１−低級アルキル−） ＩＪアゼン例えば３−（４
−メチルフェニル）−１−メチル−トリアゼン、３−（
４−メーＦ−ルフェニル）−１−エチル−トリアゼン、
３−（４−メチルフェニル）−１−ｎ−グロピルートリ
アゼンまたは３−（４−メチルフェニル）−１−インプ
ロピル−トリアゼン、さらに３−アリール−１−（α−
フェニル低級アルキル） −） ＩＪアゼン、例工ば１
−ベンジル−３−（４−、メチルフェニル）−トリアゼ
ンである。これら反応剤を一般に不活性溶媒例えばハロ
ダン化されている場合のある炭化水素例えばベンゼンま
だはエーテルまたは溶媒混合物の中でそして冷却、室温
または好ましくは高めた温度の下で例えば約２０〜１０
０℃で、必要ならば密封容器内でそして（または）窒素
のような不活性ガスの中で使う。
−Ｒ，−）ＩＪアゼン化合物（すなわち、置換基−Ｎ＝
Ｎ −ＮＨ−Ｒ３の化合物）で処理することによっても
、式（ＩＡ）および（または）（ＩＢ）のエノールエー
テルが作られる。この３−窒素原子の置換基は炭素原子
を介して結合している有機基好ましく社炭素環式アリー
ル基、例えば置換されたもしくは未置換のフェニル基例
えば４−メチルフェニル基のような低級アルキルフェニ
ル基である。このようなトリアゼン化合物は３−アリー
ル−１−低級アルキル−） ＩＪアゼン例えば３−（４
−メチルフェニル）−１−メチル−トリアゼン、３−（
４−メーＦ−ルフェニル）−１−エチル−トリアゼン、
３−（４−メチルフェニル）−１−ｎ−グロピルートリ
アゼンまたは３−（４−メチルフェニル）−１−インプ
ロピル−トリアゼン、さらに３−アリール−１−（α−
フェニル低級アルキル） −） ＩＪアゼン、例工ば１
−ベンジル−３−（４−、メチルフェニル）−トリアゼ
ンである。これら反応剤を一般に不活性溶媒例えばハロ
ダン化されている場合のある炭化水素例えばベンゼンま
だはエーテルまたは溶媒混合物の中でそして冷却、室温
または好ましくは高めた温度の下で例えば約２０〜１０
０℃で、必要ならば密封容器内でそして（または）窒素
のような不活性ガスの中で使う。
本発明方法ならびに所望によっては行うことのできる追
加工程においては、必要ならば、その原料または本発明
方法によって得られる化合物中の当該反応に関与しない
遊離の官能性基を、例えば遊離アミン基はこれを例えば
アシル化、トリチル化またはシリル化によって、遊離水
酸基またはメルカプト基はこれを例えばエーテル化また
はエステル化によってそして遊離カルゼキシル基はこれ
を例えばシリル化を含めたエステル化によって、予じめ
それ自体公知の方法によって一時的に保護しそして反応
終了後にそれ自体公知の方法によってそれらの基を所望
ならば個々にまたは同時に遊離させることができる。従
って、好ましくは例えばアシル基としてのＲ↑またはＲ
１におけるアミノ基、ヒＰロキシル基、カルボキシル基
またはホスホノ基を例えば前記のようなアシルアミノ基
例、ｔば２，２．２１リクロルエトキシカルデニルアミ
ノ基、２−ブロムエトキシカルビニルアミノ基、４−メ
トキシベンシルオキ７カルぎニルアミノ基、ジフェニル
メトキシカルブニルアミノ基またはｔ−シトキシカルボ
ニルアミノ基、アリールチオアミノ基まだはアリール低
級アルキルチオアミノ基例えば２−ニトロフェニルチオ
アミノ基、アリールスルホニルアミノ基例えば４−メチ
ルフェニルスルホニルアミン基または１−低級アルコキ
シカルブニル−２−ｆロピリデンアミノ基の形で、前記
のようなアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカルブニル
オキシ基、２，２．２−トリクロルエトキシカルボニル
オキシ基または２−ｆロムエトキシカル？ニルオキシ基
の形で、前記のようなエステル化されたカルボキシル基
例えばジフェニルメトキシカルブニル基の形であるいは
前記の！ウナ０．０’−ジ置換されたホスホ／基例えば
０゜０４ ｊ、Ｈジメチルホスホノ基のようなｏ 、
ｏ’−ジ低級アルキルホスホノ基の形でそれぞれ保護し
そして後に、場合によりてはその保護基を変換（例えば
２−ｆロムエトキシカル？ニルＭを２−ヨードエトキシ
カルｙｌ？ニル基に）してから、それ自体公知の方法に
よってそして保護基の種類によって、例ｔハ２ 、２
、２− ）リクロルエトキシヵルデニルアミノ基または
２−９−ドエトキシヵル？ニルアミノ基はこれを含水酢
酸の存在下での亜鉛のような適当な還元剤で処理し、ジ
フェニルメトキシカルブニルアミノ基やｔ−シトキシカ
ルボニルアミノ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸
で処理し、アリールチオアミノ基やアリール低級アルキ
ルチオアミノ基はこれを亜硫酸のような親核性剤で処理
し、アリールスルホニルアミノ基はこれを電解還元によ
って、１−低級アルコギシヵル？二Ａ／−２−グロピリ
デンアミ７基はこれを無機酸水溶液で処理し、ｔ−ブト
キシカルブニルオキシ基はこれをぎ酸またはトリフルオ
ル酢酸で処理し、２１２１２− ） リフ四ルエトキシ
カルデニルオキシ基はこれを含水酢酸の存在下での亜鉛
のような化学的還元剤で処理し、ジフェニルメトキシカ
ルブニル基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理
するかまたは加水分解し、または０，０′−ジ置換され
たホスホノ基はこれをアルカリ金属のハロダン化物で処
理して所望ならば例えば部分的に脱離することができる
。
加工程においては、必要ならば、その原料または本発明
方法によって得られる化合物中の当該反応に関与しない
遊離の官能性基を、例えば遊離アミン基はこれを例えば
アシル化、トリチル化またはシリル化によって、遊離水
酸基またはメルカプト基はこれを例えばエーテル化また
はエステル化によってそして遊離カルゼキシル基はこれ
を例えばシリル化を含めたエステル化によって、予じめ
それ自体公知の方法によって一時的に保護しそして反応
終了後にそれ自体公知の方法によってそれらの基を所望
ならば個々にまたは同時に遊離させることができる。従
って、好ましくは例えばアシル基としてのＲ↑またはＲ
１におけるアミノ基、ヒＰロキシル基、カルボキシル基
またはホスホノ基を例えば前記のようなアシルアミノ基
例、ｔば２，２．２１リクロルエトキシカルデニルアミ
ノ基、２−ブロムエトキシカルビニルアミノ基、４−メ
トキシベンシルオキ７カルぎニルアミノ基、ジフェニル
メトキシカルブニルアミノ基またはｔ−シトキシカルボ
ニルアミノ基、アリールチオアミノ基まだはアリール低
級アルキルチオアミノ基例えば２−ニトロフェニルチオ
アミノ基、アリールスルホニルアミノ基例えば４−メチ
ルフェニルスルホニルアミン基または１−低級アルコキ
シカルブニル−２−ｆロピリデンアミノ基の形で、前記
のようなアシルオキシ基例えばｔ−ブトキシカルブニル
オキシ基、２，２．２−トリクロルエトキシカルボニル
オキシ基または２−ｆロムエトキシカル？ニルオキシ基
の形で、前記のようなエステル化されたカルボキシル基
例えばジフェニルメトキシカルブニル基の形であるいは
前記の！ウナ０．０’−ジ置換されたホスホ／基例えば
０゜０４ ｊ、Ｈジメチルホスホノ基のようなｏ 、
ｏ’−ジ低級アルキルホスホノ基の形でそれぞれ保護し
そして後に、場合によりてはその保護基を変換（例えば
２−ｆロムエトキシカル？ニルＭを２−ヨードエトキシ
カルｙｌ？ニル基に）してから、それ自体公知の方法に
よってそして保護基の種類によって、例ｔハ２ 、２
、２− ）リクロルエトキシヵルデニルアミノ基または
２−９−ドエトキシヵル？ニルアミノ基はこれを含水酢
酸の存在下での亜鉛のような適当な還元剤で処理し、ジ
フェニルメトキシカルブニルアミノ基やｔ−シトキシカ
ルボニルアミノ基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸
で処理し、アリールチオアミノ基やアリール低級アルキ
ルチオアミノ基はこれを亜硫酸のような親核性剤で処理
し、アリールスルホニルアミノ基はこれを電解還元によ
って、１−低級アルコギシヵル？二Ａ／−２−グロピリ
デンアミ７基はこれを無機酸水溶液で処理し、ｔ−ブト
キシカルブニルオキシ基はこれをぎ酸またはトリフルオ
ル酢酸で処理し、２１２１２− ） リフ四ルエトキシ
カルデニルオキシ基はこれを含水酢酸の存在下での亜鉛
のような化学的還元剤で処理し、ジフェニルメトキシカ
ルブニル基はこれをぎ酸またはトリフルオル酢酸で処理
するかまたは加水分解し、または０，０′−ジ置換され
たホスホノ基はこれをアルカリ金属のハロダン化物で処
理して所望ならば例えば部分的に脱離することができる
。
本発明方法によって得られた式−ｃ（＝ｏ）−弓の保護
殊にエステル化されたカルボキシル基をもつ式（ＩＡ）
ｔたＩＩｉ、（ＩＢ）の化合物において、この基を例え
ばその基ｎｌ、の種類によってそれ自体公知の方法によ
って遊離カルボキシル基に変えることができる。すなわ
ち、エステル化（例えば低級アルキル基殊にメチル基ま
たはエチル基によってまたはベンジル基によってエステ
ル化）されたカルボキシル基は、殊にこの基が式（ＩＢ
）の２−セフェム化合物にある場合に、弱塩基性媒質中
で加水分解することにより、例えばアルカリ金属または
アルカリ土類金属の水酸化物または炭酸塩例えば水酸化
ナトリウムまたは水酸化カリウムの水椿液で好ましくは
約９〜１００声値でそして場合によっては低級アルカノ
ールの存在の下で処理することにより、遊離カルボキシ
ル基に変えることができる。適当な２−ハロゲノ低級ア
ルキル基またはアリールカルブニルメチル基でエステル
化されたカルがキシル基はこれを例えば化学的還元剤例
えば亜鉛のような金属または２価り四ム塩例えば２価ク
ロムの塩化物のような還元性金属塩で、一般にその金属
によって発生期の水素を生成することのできる水素給体
例えば酸主に酢酸またはぎ酸あるいはアルコール（好ま
しくはこれらに水を加える）の存在の下で処理すること
によって、またアリールカルブニルメチル基でエステル
化されたカルボキシル基はこれをナトリウムチオフェノ
ラートまたはよう化ナトリウムのような親核性の好まし
くは塩形成性の反応剤で処理することによって、また適
当なア゛リールメチル基でエステル化されたカルがキシ
ル基はこれを例えば照射によって〔好ましくはそのアリ
ールメチル基が３−１４−および（または）５−位置に
おいて例えば低級アルコキシ基および（または）ニトロ
基で置換されている場合のあるベンジル基であれば例え
ば２９０ｍμ以下の紫外線を使いそしてそのアリールメ
チル基が例えば２−位置でニトロ基によって置換された
ベンジル基であれば例えば２９０ｍμ以上の長波長紫外
線を使う〕、またｔ−ブチル基やジフェニルメチル基の
ような適当に置換されたメチル基でエステル化されたカ
ルボキシル基はこれを例えばぎ酸またはトリフルオル酢
酸のような適当な酸性剤で、場合によってはフェノール
やアニソールのような親核性化合物を加えて処理するこ
とによって、また活性エステル化されたカルボキシル基
およびまだ無水物の形にあるカルボキシル基はこれを加
水分解例えば塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液または一
約７〜９のリン酸カリウム緩衝水溶液のような酸性また
は弱塩基性剤で処理することによって、そしてまた水素
化分解で脱離できるエステル化されたカルボキシル基は
これを例えばパラジウム触媒のような貴金属触媒の存在
の下で水素で処理することによって脱離させることφエ
ズきる。
殊にエステル化されたカルボキシル基をもつ式（ＩＡ）
ｔたＩＩｉ、（ＩＢ）の化合物において、この基を例え
ばその基ｎｌ、の種類によってそれ自体公知の方法によ
って遊離カルボキシル基に変えることができる。すなわ
ち、エステル化（例えば低級アルキル基殊にメチル基ま
たはエチル基によってまたはベンジル基によってエステ
ル化）されたカルボキシル基は、殊にこの基が式（ＩＢ
）の２−セフェム化合物にある場合に、弱塩基性媒質中
で加水分解することにより、例えばアルカリ金属または
アルカリ土類金属の水酸化物または炭酸塩例えば水酸化
ナトリウムまたは水酸化カリウムの水椿液で好ましくは
約９〜１００声値でそして場合によっては低級アルカノ
ールの存在の下で処理することにより、遊離カルボキシ
ル基に変えることができる。適当な２−ハロゲノ低級ア
ルキル基またはアリールカルブニルメチル基でエステル
化されたカルがキシル基はこれを例えば化学的還元剤例
えば亜鉛のような金属または２価り四ム塩例えば２価ク
ロムの塩化物のような還元性金属塩で、一般にその金属
によって発生期の水素を生成することのできる水素給体
例えば酸主に酢酸またはぎ酸あるいはアルコール（好ま
しくはこれらに水を加える）の存在の下で処理すること
によって、またアリールカルブニルメチル基でエステル
化されたカルボキシル基はこれをナトリウムチオフェノ
ラートまたはよう化ナトリウムのような親核性の好まし
くは塩形成性の反応剤で処理することによって、また適
当なア゛リールメチル基でエステル化されたカルがキシ
ル基はこれを例えば照射によって〔好ましくはそのアリ
ールメチル基が３−１４−および（または）５−位置に
おいて例えば低級アルコキシ基および（または）ニトロ
基で置換されている場合のあるベンジル基であれば例え
ば２９０ｍμ以下の紫外線を使いそしてそのアリールメ
チル基が例えば２−位置でニトロ基によって置換された
ベンジル基であれば例えば２９０ｍμ以上の長波長紫外
線を使う〕、またｔ−ブチル基やジフェニルメチル基の
ような適当に置換されたメチル基でエステル化されたカ
ルボキシル基はこれを例えばぎ酸またはトリフルオル酢
酸のような適当な酸性剤で、場合によってはフェノール
やアニソールのような親核性化合物を加えて処理するこ
とによって、また活性エステル化されたカルボキシル基
およびまだ無水物の形にあるカルボキシル基はこれを加
水分解例えば塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液または一
約７〜９のリン酸カリウム緩衝水溶液のような酸性また
は弱塩基性剤で処理することによって、そしてまた水素
化分解で脱離できるエステル化されたカルボキシル基は
これを例えばパラジウム触媒のような貴金属触媒の存在
の下で水素で処理することによって脱離させることφエ
ズきる。
保護例えばシリル化またはスタンニル化によって保護さ
れているカルがキシル基は、これを常法によって例えば
水またはアルコールで処理して遊離することができる。
れているカルがキシル基は、これを常法によって例えば
水またはアルコールで処理して遊離することができる。
得られた式（ＩＡ）または（ＩＢ）の化合物はそれ自体
公知の方法によって式（ＩＡ）ｊたけ（ＩＢ）の他の化
合物に変えることができる。
公知の方法によって式（ＩＡ）ｊたけ（ＩＢ）の他の化
合物に変えることができる。
得られた化合物において、例えばアミン保護基Ｒ↑また
はＲ？、殊に容易に脱離できるアシル基をそれ自体公知
の方法によって、例えばｔ−プチルオキシカルデニル基
の−ようなα−位置で高度に分枝した低級アルコキシカ
ルボニル基はこれヲトリフルオル酢酸で処理することに
よって、また２゜２．２−）！ｌロルエトキシカル？ニ
ル基や２−ヨードエトキシカルボニル基のような２−ハ
ロダン低級アルコキシカルボニル基またはフェナシルオ
キシカルブニル基はこれを適当な還元性金属または相遇
する金属化合物例えば亜鉛または２価クロムの塩化物や
酢酸塩のような２価クロム化合物で、有利にはこの金属
または金属化合物といつしょに発生期の水素を生成する
ような水素給体の存在の下で、好ましくは含水酢酸の存
在の下で処理することによって、除去することができる
。
はＲ？、殊に容易に脱離できるアシル基をそれ自体公知
の方法によって、例えばｔ−プチルオキシカルデニル基
の−ようなα−位置で高度に分枝した低級アルコキシカ
ルボニル基はこれヲトリフルオル酢酸で処理することに
よって、また２゜２．２−）！ｌロルエトキシカル？ニ
ル基や２−ヨードエトキシカルボニル基のような２−ハ
ロダン低級アルコキシカルボニル基またはフェナシルオ
キシカルブニル基はこれを適当な還元性金属または相遇
する金属化合物例えば亜鉛または２価クロムの塩化物や
酢酸塩のような２価クロム化合物で、有利にはこの金属
または金属化合物といつしょに発生期の水素を生成する
ような水素給体の存在の下で、好ましくは含水酢酸の存
在の下で処理することによって、除去することができる
。
さらに、得られた式（ＩＡ）まだは（、ＩＢ）の化合物
において、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２のカルがニシル基が好
ましくは例えばシリル化を含めたエステル化によって（
例えばトリメチルクロルシランやトリーｎ−ブチル−す
ずクロライドのような適当な有機ハロケ゛）けい素化合
物またはハロゲン−すず顛−化合物との反応によって）
保護されたカルボキシル基である場合には、アシル基Ｒ
７またはＲ１（この基に遊離の官能基が存在すれば、こ
れを場合によっては保護しておく）を除去するようにイ
ミドハライド形成剤で処理し、生成したイミド−ハライ
ドをアルコールと反応させそしてこうして生成しだイミ
ノエーテルを分裂することができる。この反応の過程中
に、保護例えば有機シリル基で保護しておいたカルボキ
シル基をすでに遊離させることができる。
において、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２のカルがニシル基が好
ましくは例えばシリル化を含めたエステル化によって（
例えばトリメチルクロルシランやトリーｎ−ブチル−す
ずクロライドのような適当な有機ハロケ゛）けい素化合
物またはハロゲン−すず顛−化合物との反応によって）
保護されたカルボキシル基である場合には、アシル基Ｒ
７またはＲ１（この基に遊離の官能基が存在すれば、こ
れを場合によっては保護しておく）を除去するようにイ
ミドハライド形成剤で処理し、生成したイミド−ハライ
ドをアルコールと反応させそしてこうして生成しだイミ
ノエーテルを分裂することができる。この反応の過程中
に、保護例えば有機シリル基で保護しておいたカルボキ
シル基をすでに遊離させることができる。
ハ・匂、グン原子が親電子性中心原子に結合しているイ
ミド−ハライド形成剤はとシわけ酸ハロダン化物、例え
ば酸臭化物および特に看塩化物である。
ミド−ハライド形成剤はとシわけ酸ハロダン化物、例え
ば酸臭化物および特に看塩化物である。
これらは主として無機酸とシわけシん含有酸の酸ハロダ
ン化物例えばオキシハロダン化シん、３ハロダン化りん
および特に５ハロゲン化シん、例えばオキシ塩化シん、
３塩化シんおよび主に５塩化シん、ならびにビロヵテキ
ルー３塩化シん、ならびにいおう含有酸またはカルボン
酸の酸ハロダン化物特に塩化物、例えば塩化チオニル、
ポスグンまたは塩化オキゾリルである。
ン化物例えばオキシハロダン化シん、３ハロダン化りん
および特に５ハロゲン化シん、例えばオキシ塩化シん、
３塩化シんおよび主に５塩化シん、ならびにビロヵテキ
ルー３塩化シん、ならびにいおう含有酸またはカルボン
酸の酸ハロダン化物特に塩化物、例えば塩化チオニル、
ポスグンまたは塩化オキゾリルである。
上記イミド−ハライド形成剤の１つと反応させるには、
一般に適当な塩基特に有機塩基とシゎけ第３アミン例え
ば第３脂肪族モノアミンまたはジアミン例えばトリー低
級アルキルアミン例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミンまたはＮ、Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチル−ア
ミン、またはＮ 、 Ｎ 、 Ｎ’ 、 Ｎ’ −テト
ラ−低級アルキル−低級アルキレンジアミン例えばＮ
、 Ｎ 、 Ｎ’ 、 Ｎ’ −テ）；ｙメｆルー１．
５−ペンチレンジアミンまたはＮ 、 Ｎ 、 Ｎ’
、 Ｎ’ −テトラメチル−１，６−ヘキジレンジアミ
゛ン、単環式または２環式のモノアミンまたはジアミン
例えばＮ−置換（例えば、Ｎ−低級アルキル化）された
アルキレンアミン、アザアルキレンアミンまたはオキサ
アルキレンアミン例えばＮ−メチルモルリンまたはＮ−
メチルモルホリン、または２，３，４．６．７．８−ヘ
キサヒドロービローロ（：１．２−ａ）ピリミジン（す
なわち、ジアザビシクロノネン、ＤＢＮ）、または第３
芳香族アミン例えばジー低級アルキルアニリン例えばＮ
、Ｎ−ジメチルアニリンまたはとりわけ第３複素環式単
環式または２環式塩基例えばキノリンやイソキノリン、
特にピリジンの存在の下で、好ましくはハロダン化（例
えば、塩素化）されている場合のある脂肪族または芳香
族炭化水素例えば塩化メチレンのような溶媒の存在の下
で反応させる。この反応においては、イミド−ハライド
形成剤および塩基をほぼ当モル量で使うことができるが
、塩基を過剰にまたは当量よシタい量で、例えば約０，
２〜１倍量または約１０倍の過剰ｉま６での量、特に約
３〜５倍過剰量の量で使うこともできる。
一般に適当な塩基特に有機塩基とシゎけ第３アミン例え
ば第３脂肪族モノアミンまたはジアミン例えばトリー低
級アルキルアミン例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミンまたはＮ、Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチル−ア
ミン、またはＮ 、 Ｎ 、 Ｎ’ 、 Ｎ’ −テト
ラ−低級アルキル−低級アルキレンジアミン例えばＮ
、 Ｎ 、 Ｎ’ 、 Ｎ’ −テ）；ｙメｆルー１．
５−ペンチレンジアミンまたはＮ 、 Ｎ 、 Ｎ’
、 Ｎ’ −テトラメチル−１，６−ヘキジレンジアミ
゛ン、単環式または２環式のモノアミンまたはジアミン
例えばＮ−置換（例えば、Ｎ−低級アルキル化）された
アルキレンアミン、アザアルキレンアミンまたはオキサ
アルキレンアミン例えばＮ−メチルモルリンまたはＮ−
メチルモルホリン、または２，３，４．６．７．８−ヘ
キサヒドロービローロ（：１．２−ａ）ピリミジン（す
なわち、ジアザビシクロノネン、ＤＢＮ）、または第３
芳香族アミン例えばジー低級アルキルアニリン例えばＮ
、Ｎ−ジメチルアニリンまたはとりわけ第３複素環式単
環式または２環式塩基例えばキノリンやイソキノリン、
特にピリジンの存在の下で、好ましくはハロダン化（例
えば、塩素化）されている場合のある脂肪族または芳香
族炭化水素例えば塩化メチレンのような溶媒の存在の下
で反応させる。この反応においては、イミド−ハライド
形成剤および塩基をほぼ当モル量で使うことができるが
、塩基を過剰にまたは当量よシタい量で、例えば約０，
２〜１倍量または約１０倍の過剰ｉま６での量、特に約
３〜５倍過剰量の量で使うこともできる。
このイミド−ハライド形成剤との反応を冷却しながら、
例えば約−５０〜＋１０℃で行うのが好ましいが、原料
の安定性および生成物の安定性が一層高い温度を許容す
るならば一層高い温度すなわち例えば約７５℃までの温
度で反応させることもできる。
例えば約−５０〜＋１０℃で行うのが好ましいが、原料
の安定性および生成物の安定性が一層高い温度を許容す
るならば一層高い温度すなわち例えば約７５℃までの温
度で反応させることもできる。
こうして生成したイミド−ハライド生成物を一般に単離
しないで、好ましくは前記塩基の１つの存在の下で、ア
ルコールと反応させてイミノエーテルを得る。アルコー
ルとしては例えば脂肪族または芳香脂肪族アルコール、
とりわけハロゲン化（例えば塩素化）のような置換され
たもしくは未置換の低級アルカノールまたは別にヒドロ
キシル基をさらにもつ低級アルカノール、例えばエタノ
ール、グロノ４ノールまたはｎ−シタノール、特にメタ
ノール、ならびに２，２．２−）リクロルエタノールや
２−ブロムエタノールのような２−ハロダン低級アルカ
ノール、およびまた置換されたもしくは未置換のフェニ
ル−低級アルカノール例エバベンジルアルコールが適す
る。このアルコールを一般に過剰量例えば１００倍まで
の過剰量で使い、そしてその工程を冷却しながら例えば
約−５０〜＋１０℃で行うのが好ましい。
しないで、好ましくは前記塩基の１つの存在の下で、ア
ルコールと反応させてイミノエーテルを得る。アルコー
ルとしては例えば脂肪族または芳香脂肪族アルコール、
とりわけハロゲン化（例えば塩素化）のような置換され
たもしくは未置換の低級アルカノールまたは別にヒドロ
キシル基をさらにもつ低級アルカノール、例えばエタノ
ール、グロノ４ノールまたはｎ−シタノール、特にメタ
ノール、ならびに２，２．２−）リクロルエタノールや
２−ブロムエタノールのような２−ハロダン低級アルカ
ノール、およびまた置換されたもしくは未置換のフェニ
ル−低級アルカノール例エバベンジルアルコールが適す
る。このアルコールを一般に過剰量例えば１００倍まで
の過剰量で使い、そしてその工程を冷却しながら例えば
約−５０〜＋１０℃で行うのが好ましい。
こうして生成したイミノエーテル生成物を有利には単離
せずに分裂することができる。このイミノエーテルの分
裂は、適当なヒドロキシ化合物で処理して、好まし−く
け加水分解またはアルコーリシス（このアルコーリシス
は先に過剰量のアルコールを使った場合にはイミノエー
テル生成に引続いて行うことができる）によって達せら
れる。この場合には水、またはアルコール特にメタノー
ルのような低級アルカノール、またはアルコールのよう
な有機溶媒の含水混合物を使うのが好ましい。
せずに分裂することができる。このイミノエーテルの分
裂は、適当なヒドロキシ化合物で処理して、好まし−く
け加水分解またはアルコーリシス（このアルコーリシス
は先に過剰量のアルコールを使った場合にはイミノエー
テル生成に引続いて行うことができる）によって達せら
れる。この場合には水、またはアルコール特にメタノー
ルのような低級アルカノール、またはアルコールのよう
な有機溶媒の含水混合物を使うのが好ましい。
この工程を一般に酸性媒質中で例えば約１〜５の…値で
行い、そしてこのｐｉ（値は、必要ならば、塩基性剤例
えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのようなアルカ
リ金属水酸化物の水溶液または酸例えば塩酸、硫酸、シ
ん酸、ふり化はう素酸、トリ２／ｂ７オル酢酸またはＰ
−）ルエンスルポン酸のような無機酸または有機酸を加
えることによって調整することができる。
行い、そしてこのｐｉ（値は、必要ならば、塩基性剤例
えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのようなアルカ
リ金属水酸化物の水溶液または酸例えば塩酸、硫酸、シ
ん酸、ふり化はう素酸、トリ２／ｂ７オル酢酸またはＰ
−）ルエンスルポン酸のような無機酸または有機酸を加
えることによって調整することができる。
上記のアシル基を脱離するための３段階工程を、途中で
イミド−ハライドおよびイミノエーテル中間体を単離せ
ずに、一般にはそれら反応体に対し不活性な有機溶媒例
えば塩化メチレンのようなハロゲン化されている場合の
ある炭化水素の存在下でそして（ｔたは）窒素ガスのよ
うな不活性ガスの中で行うのが有利である。
イミド−ハライドおよびイミノエーテル中間体を単離せ
ずに、一般にはそれら反応体に対し不活性な有機溶媒例
えば塩化メチレンのようなハロゲン化されている場合の
ある炭化水素の存在下でそして（ｔたは）窒素ガスのよ
うな不活性ガスの中で行うのが有利である。
上記の方法によって得られるイミド−ハライド中間体を
アルコールと反応させる代シにカル？ン酸特に立体障害
のあるカル？ン酸のアルカリ金属塩のような塩と反応さ
せれば、式（ＩＡ）ｔたは（ＩＢ）におけるＲ４とＢ、
とが共にアシル基である化合物が得られる。
アルコールと反応させる代シにカル？ン酸特に立体障害
のあるカル？ン酸のアルカリ金属塩のような塩と反応さ
せれば、式（ＩＡ）ｔたは（ＩＢ）におけるＲ４とＢ、
とが共にアシル基である化合物が得られる。
式（ＩＡ）または（ＩＢ）における奏Ｒマと吋とがいず
れもアシル基である化合物においては、これらの基の１
方好ましくは立体障害の少い方の基を選択的に例えば加
水分解またはアミツリシスによって除くことができる。
れもアシル基である化合物においては、これらの基の１
方好ましくは立体障害の少い方の基を選択的に例えば加
水分解またはアミツリシスによって除くことができる。
式（ＩＡ）または（ＩＢ）の化合物においてＲ７と蛸と
がそれらの結合している窒素原子と共にフタルイミド基
である場合には、これを例えばヒドラジツリシスによっ
て、すなわちこのような化合物をヒドラジンで処理する
ことによって、遊離アミノ基に変えることができる。
がそれらの結合している窒素原子と共にフタルイミド基
である場合には、これを例えばヒドラジツリシスによっ
て、すなわちこのような化合物をヒドラジンで処理する
ことによって、遊離アミノ基に変えることができる。
本発明方法により得た化合物におけるアシルアミノ基の
アシル基Ｒ３の中では、例えば５−アミノ−５−カルブ
キシ−バレリル基〔そのカルぎキシル基は例えばエステ
ル化によって、特にジフェニルメチル基によって、そし
て（またハ）アミノ基は例えばアシル化によって、特に
有機カルがン酸のアシル基例えばジクロルアセチル基の
ようなハロゲノ低級アルカノイル基またはフタロイル基
によって保護されていることもできる〕は塩化ニトロシ
ルのようなニトロシル化剤、ベンゼンジアゾニウムクロ
ライドのような炭素環式アレン−ジアゾニウム塩または
Ｎ−ハロダン−アミドまたはＮ−ハロダン−イミド例え
ばＮ−ブロムこはく酸イ龜Ｐ功ような陽性ハロダン原子
を放出する反応剤で、好ましくは適当な溶媒または溶媒
混合物例えばニトロ−低級アルカンまたはシアノ−低級
アルカンといっしょにぎ酸の中で処理し、その反応生成
物を水または低級アルカノール例えばメタノールのよう
なヒドロキシル基をもつ化合物と混合するか、または基
Ｒ？とじての５−アミノ−５−カルブキシ−バレリル基
におけるアミ７基が置換されておりそしてカルブキシル
基が例えばエステル化によって保護されそしてＲ４がア
シル基であるのが好ましいが水素原子であることもでき
る場合には、ジオキサンまたはハロダン化された脂肪族
炭化水素例えば塩化メチレンのような適当な溶媒の中で
放置し、そして必要ならばこうして生成した遊離のまた
はモノアシル化されたアミノ化合物をそれ自体公知の方
法によって後処理することによって、分裂させることが
できる。
アシル基Ｒ３の中では、例えば５−アミノ−５−カルブ
キシ−バレリル基〔そのカルぎキシル基は例えばエステ
ル化によって、特にジフェニルメチル基によって、そし
て（またハ）アミノ基は例えばアシル化によって、特に
有機カルがン酸のアシル基例えばジクロルアセチル基の
ようなハロゲノ低級アルカノイル基またはフタロイル基
によって保護されていることもできる〕は塩化ニトロシ
ルのようなニトロシル化剤、ベンゼンジアゾニウムクロ
ライドのような炭素環式アレン−ジアゾニウム塩または
Ｎ−ハロダン−アミドまたはＮ−ハロダン−イミド例え
ばＮ−ブロムこはく酸イ龜Ｐ功ような陽性ハロダン原子
を放出する反応剤で、好ましくは適当な溶媒または溶媒
混合物例えばニトロ−低級アルカンまたはシアノ−低級
アルカンといっしょにぎ酸の中で処理し、その反応生成
物を水または低級アルカノール例えばメタノールのよう
なヒドロキシル基をもつ化合物と混合するか、または基
Ｒ？とじての５−アミノ−５−カルブキシ−バレリル基
におけるアミ７基が置換されておりそしてカルブキシル
基が例えばエステル化によって保護されそしてＲ４がア
シル基であるのが好ましいが水素原子であることもでき
る場合には、ジオキサンまたはハロダン化された脂肪族
炭化水素例えば塩化メチレンのような適当な溶媒の中で
放置し、そして必要ならばこうして生成した遊離のまた
はモノアシル化されたアミノ化合物をそれ自体公知の方
法によって後処理することによって、分裂させることが
できる。
ホルミル基Ｒ′：は、酸性剤例えばｐ−）ルエンスルホ
ン酸または塩酸、弱塩基性剤例えば希薄なアンモニアま
たは脱力ルデニル化剤例えばトリス−（） ＩＪフェニ
ルホスフィン）−ロジウムクロ２イドで処理することに
よって除去することもできる。
ン酸または塩酸、弱塩基性剤例えば希薄なアンモニアま
たは脱力ルデニル化剤例えばトリス−（） ＩＪフェニ
ルホスフィン）−ロジウムクロ２イドで処理することに
よって除去することもできる。
トリチル基のようなトリアリールメチル基Ｒ↑は、例え
ば無機酸のような酸性剤例えば塩酸で処理することによ
って除去できる。
ば無機酸のような酸性剤例えば塩酸で処理することによ
って除去できる。
式（ＩＡ）または（ＩＢ）におけるＲ１とＲ１とが水素
原子である化合物においては、この遊離アミン基をそれ
自体公知の方法により−Ｃ置換（主に、カルボン酸のよ
うな酸またはその反応性誘導体で処理してアシル化）す
ることができる。
原子である化合物においては、この遊離アミン基をそれ
自体公知の方法により−Ｃ置換（主に、カルボン酸のよ
うな酸またはその反応性誘導体で処理してアシル化）す
ることができる。
このアシル化に遊離酸（この酸が官能性基例えばアミン
基をもつ場合には、これを保臆しておくのが好ましい）
を使う場合には、一般に適当な縮合剤例えばカルデジイ
ミド例えばＮ 、 Ｎ’−ジエチル−１Ｎ 、 Ｎ’−
ジゾロビルー、Ｎ 、 Ｎ’−ジイソノロぎルー、Ｎ、
Ｎ’−ジシクロへキシル−１７ｔｔｉＮ−エチル−Ｎ′
−３−ジメチルアミノゾロピル−カルデジイミド、適当
なカルブニル化合物例えばカルブニルジイミダゾールま
たはインオキサシリウム オキサシリウム−３１−スルホネートおよびＮ−ｔ−ブ
チル−５−メチル−イソオキサゾリニウム／４’−クロ
レート、または適当なアシルアミノ化合物例えば２−エ
トキシ−１−エトキシカルブニル−１，２−−、、’ヒ
ドロキノリンを使う。
基をもつ場合には、これを保臆しておくのが好ましい）
を使う場合には、一般に適当な縮合剤例えばカルデジイ
ミド例えばＮ 、 Ｎ’−ジエチル−１Ｎ 、 Ｎ’−
ジゾロビルー、Ｎ 、 Ｎ’−ジイソノロぎルー、Ｎ、
Ｎ’−ジシクロへキシル−１７ｔｔｉＮ−エチル−Ｎ′
−３−ジメチルアミノゾロピル−カルデジイミド、適当
なカルブニル化合物例えばカルブニルジイミダゾールま
たはインオキサシリウム オキサシリウム−３１−スルホネートおよびＮ−ｔ−ブ
チル−５−メチル−イソオキサゾリニウム／４’−クロ
レート、または適当なアシルアミノ化合物例えば２−エ
トキシ−１−エトキシカルブニル−１，２−−、、’ヒ
ドロキノリンを使う。
この縮合反応を後に述べる無水反応媒質例えば塩化メチ
レン、ジメチルホルムアミドまたはアセトニトリルの中
で行うのが好ましい。
レン、ジメチルホルムアミドまたはアセトニトリルの中
で行うのが好ましい。
また、アミドの形成に使う酸の官能性誘導体（これはア
ミン基のような官能性基をもつ場合にはこの基を保護し
ておくのが好ましい）としては、主にこのような酸の無
水物、好ましくは混合無水物である。混合無水物は例え
ば無機酸殊にハロダン化水素酸との無水物すなわち相当
する酸ハロゲン化物例えば酸塩化物または臭化物、さら
にアジ化水素酸との無水物すなわち相当する酸アチド、
シん含有酸例えばシん酸または亜りん酸、いおう含有酸
例えば硫酸またはシアン化水素酸との無水物である。他
の適する無水物は例えば有機酸例えばふっ素まだは塩素
原子のようなハロダン原子で置換されている場合のある
低級アルカンカルメン酸のような有機カルだン酸例えば
ビパル酸またはトリクロル酢酸との無水物または炭酸の
半エステル例えばエチル半エステルやイソグチル半エス
テルのような特に低級アルキル半エステルとの無水物あ
るいは有機殊に脂肪族または芳香族スルホン酸例えばｐ
−）ルエンスルホン酸との無水物である。
ミン基のような官能性基をもつ場合にはこの基を保護し
ておくのが好ましい）としては、主にこのような酸の無
水物、好ましくは混合無水物である。混合無水物は例え
ば無機酸殊にハロダン化水素酸との無水物すなわち相当
する酸ハロゲン化物例えば酸塩化物または臭化物、さら
にアジ化水素酸との無水物すなわち相当する酸アチド、
シん含有酸例えばシん酸または亜りん酸、いおう含有酸
例えば硫酸またはシアン化水素酸との無水物である。他
の適する無水物は例えば有機酸例えばふっ素まだは塩素
原子のようなハロダン原子で置換されている場合のある
低級アルカンカルメン酸のような有機カルだン酸例えば
ビパル酸またはトリクロル酢酸との無水物または炭酸の
半エステル例えばエチル半エステルやイソグチル半エス
テルのような特に低級アルキル半エステルとの無水物あ
るいは有機殊に脂肪族または芳香族スルホン酸例えばｐ
−）ルエンスルホン酸との無水物である。
さらに、アシル化剤として分子内無水物、例えばジケテ
ンのようなケテン、インシアネート（すなわち、カルバ
ミン酸化合物の分子内無水物）、またはカル？キシ置換
されたヒドロキシル基またはアミノ基をもつカルボン酸
アミドの分子内無水物例えばマンデル酸−０−カルデキ
シアンノ１イドライドまたは１−Ｎ−カル？キ７アミノ
ーシク′ロヘキサンカルデン酸の無水物を使うことがで
きる。
ンのようなケテン、インシアネート（すなわち、カルバ
ミン酸化合物の分子内無水物）、またはカル？キシ置換
されたヒドロキシル基またはアミノ基をもつカルボン酸
アミドの分子内無水物例えばマンデル酸−０−カルデキ
シアンノ１イドライドまたは１−Ｎ−カル？キ７アミノ
ーシク′ロヘキサンカルデン酸の無水物を使うことがで
きる。
また、遊離アミノ基との反応に適する他の酸誘導体は活
性化されたエステル（これが官能性基をもつ場合には一
般にこれを保護しておくのが好ましい、、）、＜；−＋
１１例えばビニル系低級アルカノールのようなビニル系
アルコール（すなわち、エノール）とのエステル、また
はアリールエステル例えば好ましくは例えばニドｐ基ま
たは塩素のようなハロゲン原子で置換されたフェニルエ
ステル例ｔばペンタクロルフェニルエステル、４−ニト
ロフェニルエステルｔタハ２ 、４−＆ニトロフェニル
エステル、ヘテロ芳香族エステル例えばベンズ） ＩＪ
アゾールエステル、またはサクシニルイミノエステルや
フタリルイミノエステルのようなジアシルイミノエステ
ルである。
性化されたエステル（これが官能性基をもつ場合には一
般にこれを保護しておくのが好ましい、、）、＜；−＋
１１例えばビニル系低級アルカノールのようなビニル系
アルコール（すなわち、エノール）とのエステル、また
はアリールエステル例えば好ましくは例えばニドｐ基ま
たは塩素のようなハロゲン原子で置換されたフェニルエ
ステル例ｔばペンタクロルフェニルエステル、４−ニト
ロフェニルエステルｔタハ２ 、４−＆ニトロフェニル
エステル、ヘテロ芳香族エステル例えばベンズ） ＩＪ
アゾールエステル、またはサクシニルイミノエステルや
フタリルイミノエステルのようなジアシルイミノエステ
ルである。
他のアシル化剤として、例えば酸の置換されたホルムイ
ミノ誘導体例えば置換されたＮ、Ｎ−ジメチルクロルホ
ルムイミノ誘導体、またはＮ、Ｎ−ジアシル化されたア
ニリンのようなＮ−置換Ｎ。
ミノ誘導体例えば置換されたＮ、Ｎ−ジメチルクロルホ
ルムイミノ誘導体、またはＮ、Ｎ−ジアシル化されたア
ニリンのようなＮ−置換Ｎ。
Ｎ−ジアシルアミンがある。
無水物または殊に酸ハロゲン化物のような酸誘導体でア
シル化す曇には、酸結合剤例えば有機アミンのような有
機塩基例えば第３アミン例えばトリエチルアミンのよう
なトリ低級アルキルアミン、Ｎ、Ｎ−ツメチルアニリン
のようなＮ、Ｎ−ジ低級アルキルアニリンまたはピリジ
ン型の塩基例えばぎリジン、無機塩基例えばアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩または重
炭酸塩例えばナトリウム、カリウムまたはカルシウムの
水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩、またはオキシラン例
えばエチレンオキシドやグロビレンオキシドのような低
級１，２−アルキレンオキシドの存在の下で行うことが
できる。
シル化す曇には、酸結合剤例えば有機アミンのような有
機塩基例えば第３アミン例えばトリエチルアミンのよう
なトリ低級アルキルアミン、Ｎ、Ｎ−ツメチルアニリン
のようなＮ、Ｎ−ジ低級アルキルアニリンまたはピリジ
ン型の塩基例えばぎリジン、無機塩基例えばアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩または重
炭酸塩例えばナトリウム、カリウムまたはカルシウムの
水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩、またはオキシラン例
えばエチレンオキシドやグロビレンオキシドのような低
級１，２−アルキレンオキシドの存在の下で行うことが
できる。
上記のアシル化を水性または好ましくは非水性溶媒また
は溶媒混合物、例えばＮ、Ｎ−ジ低級アルキルアミド例
えばジメチルホルムアミドのようなカルボン酸アミド、
塩化メチレン、４塩化炭素またはクロルベンゼンのよう
なハロゲン化された炭化水素、アセトンのよりなケトン
、酢酸エチルのようなエステルまたはアセトニトリルの
ようなニトリルまたはそれらの混合物の中でそして必要
ならば低めた温度または高めた温度でそして（または）
窒素のような不活性ガスの下で行うことができる。
は溶媒混合物、例えばＮ、Ｎ−ジ低級アルキルアミド例
えばジメチルホルムアミドのようなカルボン酸アミド、
塩化メチレン、４塩化炭素またはクロルベンゼンのよう
なハロゲン化された炭化水素、アセトンのよりなケトン
、酢酸エチルのようなエステルまたはアセトニトリルの
ようなニトリルまたはそれらの混合物の中でそして必要
ならば低めた温度または高めた温度でそして（または）
窒素のような不活性ガスの下で行うことができる。
１起のＸ−アシル化反応では、式（ＩＡ）または（ＩＢ
）におけるＲ３が低級アルキル基まだは置換されている
ことのできるα−フェニル低級アルキル基例えばベンジ
ル基またはジフェニルメチル基であシそしてＲ２が先に
与えた意味をもつ化合物から出発することができる。こ
の場合に、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２の遊離カルブキシル基
（すなわち、Ｒ２はヒドロキシル基）をもつ化合物を、
塩例えばトリエチルアミン塩のようなアンモニウム塩の
形でまたは適当な有機ハロゲン化りん化合物例えばメチ
ル−２塩化９ん、エチル−２臭化シんまたはメトキシ−
２塩化９んのような低級アルキル−または低級アルコキ
シ−υん−ジハライドとの反応によって保護されたカル
メキシル基をもつ化合物の形でも使うことができる。こ
うして得たアシル化生成物において、その保護されたカ
ル？キシル基をそれ自体公知の方法によシ、例えば加水
分解またはアルコーリシスを含めた前記の方法によりて
遊離させることができる。
）におけるＲ３が低級アルキル基まだは置換されている
ことのできるα−フェニル低級アルキル基例えばベンジ
ル基またはジフェニルメチル基であシそしてＲ２が先に
与えた意味をもつ化合物から出発することができる。こ
の場合に、式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２の遊離カルブキシル基
（すなわち、Ｒ２はヒドロキシル基）をもつ化合物を、
塩例えばトリエチルアミン塩のようなアンモニウム塩の
形でまたは適当な有機ハロゲン化りん化合物例えばメチ
ル−２塩化９ん、エチル−２臭化シんまたはメトキシ−
２塩化９んのような低級アルキル−または低級アルコキ
シ−υん−ジハライドとの反応によって保護されたカル
メキシル基をもつ化合物の形でも使うことができる。こ
うして得たアシル化生成物において、その保護されたカ
ル？キシル基をそれ自体公知の方法によシ、例えば加水
分解またはアルコーリシスを含めた前記の方法によりて
遊離させることができる。
さらに、式（ＩＡ）または（ＩＢ）におけるＲ１とＲ１
とがその両方でイリデン基である化合物（この基は、例
えばＲ１とＲ１とが水素原子である化合物を脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族アルデヒドのようなアルデヒドで
処理することによっても導入できる）を例えば前記の方
法によってアシル化しそしてこのアシル化生成物を好ま
しくは中性または弱酸性媒質中で加水分解することによ
って、アシル基を導入することもできる。
とがその両方でイリデン基である化合物（この基は、例
えばＲ１とＲ１とが水素原子である化合物を脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族アルデヒドのようなアルデヒドで
処理することによっても導入できる）を例えば前記の方
法によってアシル化しそしてこのアシル化生成物を好ま
しくは中性または弱酸性媒質中で加水分解することによ
って、アシル基を導入することもできる。
また、アシル基を段階を経て導入することもできる。す
なわち、例えば、遊離アミノ基をもつ式（ｍＡ）または
（ＩＢ）の化合物中にノ・ログノ低級アルカノイル基例
えばブロムアセチル基を導入しまたは例えばホスゲンの
ような炭酸ジノ・ライドで処理してクロルカルボニル基
の゛ようなノーロダンカルデニル基を導入しそしてこう
して得られるＮ−（ハロゲノ−低級アルカノイル）−ア
ミノ化合物またはＮ−（）・ログツカＡ／？ニル）−ア
ミノ化合物を適当々置換剤例えばテトラゾールのような
塩基性化合物、２−メルカプト−１−メチル−イミダゾ
ールのようなチオ化合物、アジ化ナトリウ＾。へような
金属塩またはアルコール例えばｔ−ブタノールのような
低級アルカノールと反応させることによって、置換され
たＮ−低級アルカノイルアミノ化合物またはＮ−ヒドロ
キシカルブニルアミノ化合物を得ることができる。
なわち、例えば、遊離アミノ基をもつ式（ｍＡ）または
（ＩＢ）の化合物中にノ・ログノ低級アルカノイル基例
えばブロムアセチル基を導入しまたは例えばホスゲンの
ような炭酸ジノ・ライドで処理してクロルカルボニル基
の゛ようなノーロダンカルデニル基を導入しそしてこう
して得られるＮ−（ハロゲノ−低級アルカノイル）−ア
ミノ化合物またはＮ−（）・ログツカＡ／？ニル）−ア
ミノ化合物を適当々置換剤例えばテトラゾールのような
塩基性化合物、２−メルカプト−１−メチル−イミダゾ
ールのようなチオ化合物、アジ化ナトリウ＾。へような
金属塩またはアルコール例えばｔ−ブタノールのような
低級アルカノールと反応させることによって、置換され
たＮ−低級アルカノイルアミノ化合物またはＮ−ヒドロ
キシカルブニルアミノ化合物を得ることができる。
上記のアシル化反応中に、両方の反応体にある遊離官能
性基をそれ自体公知の方法で一時的に保護しておくこと
ができそしてアシル化反応の後にそれ自体公知の例えば
前記の方法によって遊離させることができる。
性基をそれ自体公知の方法で一時的に保護しておくこと
ができそしてアシル化反応の後にそれ自体公知の例えば
前記の方法によって遊離させることができる。
また、既に存在するアシル基を例えばそれ自体公知の方
法によりて他の好ましくは立体障害のあるアシル化と交
換して、アシル化することもできる。すなわち、前記の
イミドハライド化合物を作シ、これを酸の塩で処理しそ
してこうして得た生成物中に存在するアシル基の１方（
好ましくは立体障害の少い方のアシル基）を加水分解に
よって脱離するのである。
法によりて他の好ましくは立体障害のあるアシル化と交
換して、アシル化することもできる。すなわち、前記の
イミドハライド化合物を作シ、これを酸の塩で処理しそ
してこうして得た生成物中に存在するアシル基の１方（
好ましくは立体障害の少い方のアシル基）を加水分解に
よって脱離するのである。
さらに、例えば式（ＩＡ）ｔたは（ＩＢ）におけるＲ１
がα−位置で好ましくは置換されているグリシル基例え
ばフェニルグリシル基でありそしてＲ１が水素原子であ
る化合物をホルムアルデヒドのようなアルデヒドまたは
低級アルカノン例えばアセトンのようなケトンと反応さ
せることによって、Ｒ↑とＲｂとがそれらの結合してい
る窒素原子と共に５−オキソ−１，３−シアデーシクロ
ペンチル基（これは４−位置で好ましくは置換されそし
て２−位置で場合によっては置換されている）を形成し
ている式（ＩＡ）または（ＩＢ）の化合物が得られる。
がα−位置で好ましくは置換されているグリシル基例え
ばフェニルグリシル基でありそしてＲ１が水素原子であ
る化合物をホルムアルデヒドのようなアルデヒドまたは
低級アルカノン例えばアセトンのようなケトンと反応さ
せることによって、Ｒ↑とＲｂとがそれらの結合してい
る窒素原子と共に５−オキソ−１，３−シアデーシクロ
ペンチル基（これは４−位置で好ましくは置換されそし
て２−位置で場合によっては置換されている）を形成し
ている式（ＩＡ）または（ＩＢ）の化合物が得られる。
式（ＩＡ）または（ＩＢ）におけるＲ１とＲ１とが水素
原子である化合物においては、これを例えば塩化トリチ
ルのようなトリアリールメタノールの反応性エステルで
好ましくはピリジ／のような塩基性剤の存在下で処理し
てトリアリールメチル基を導入することにより、その遊
離アミノ基を保護することができる。
原子である化合物においては、これを例えば塩化トリチ
ルのようなトリアリールメタノールの反応性エステルで
好ましくはピリジ／のような塩基性剤の存在下で処理し
てトリアリールメチル基を導入することにより、その遊
離アミノ基を保護することができる。
また、シリル基またはスタンニル基を導入することによ
って、アミノ基を保護することもできる。
って、アミノ基を保護することもできる。
このような基を導入するには、それ自体公知の方法によ
って、例えば適当なシリル化剤例えばジクロル−ジメチ
ルシランのようガジハロダンージ低級アルキルーシラン
、メトキシ−メチル−ジクロルシランのような低級アル
コキシ−低級アルキル−ジハロゲン−シランまたはトリ
メチル−シリルクロ２イドやジメチル−ｔ−ブチル−シ
リルクロライドのようなトリ低級アルキルシリルハライ
ド（このようなシリルハライド化合物をピリジンのよう
が塩基の存在下で使うのが好ましい）で処理するかまた
はＮ−モノ低級アルキル化、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキル化
、Ｎ−）リー低級アルキルシリル化またはＮ−低級アル
キル−Ｎ −） ＩＪ−低級アルキルシリル化されてい
る場合のあるＮ−（）リー低級アルキルーシリル）−ア
ミン（例えば、イギリス特許第１，０７３，５３０号の
明細書を参照され度い）で処理するか、まだはシリル化
されたカルがン酸アミド例えばビス−トリメチルシリル
−アセトアミドのようなビス−トリ低級アルキルシリル
ーアセトアミドまたはトリフルオルシリルアセトアミド
で処理するかあるいは適当なスタンニル化剤例えばビス
−（トリーｎ−ブチル−すず）−オキサイドのようなビ
ス−（トリー低級アルキル−スス）−オキサイド、トリ
エチｌ−すｆ−ハイドロオキサイドのようなトリー低級
アルキルすずハイドロオキサイド、トリー低級アルキル
−低級アルコキシ−すず化合物、テトラ−低級アルコキ
シすず化合物またはテトラ−低級アルキルすず化合物あ
るいはトリーれ−ブチルすずクロライドのようなトリ低
級アルキルすずハライド（例えばオランダ特願第６７７
１１１０７号明細書を参照され度い）で処理するのであ
る。
って、例えば適当なシリル化剤例えばジクロル−ジメチ
ルシランのようガジハロダンージ低級アルキルーシラン
、メトキシ−メチル−ジクロルシランのような低級アル
コキシ−低級アルキル−ジハロゲン−シランまたはトリ
メチル−シリルクロ２イドやジメチル−ｔ−ブチル−シ
リルクロライドのようなトリ低級アルキルシリルハライ
ド（このようなシリルハライド化合物をピリジンのよう
が塩基の存在下で使うのが好ましい）で処理するかまた
はＮ−モノ低級アルキル化、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキル化
、Ｎ−）リー低級アルキルシリル化またはＮ−低級アル
キル−Ｎ −） ＩＪ−低級アルキルシリル化されてい
る場合のあるＮ−（）リー低級アルキルーシリル）−ア
ミン（例えば、イギリス特許第１，０７３，５３０号の
明細書を参照され度い）で処理するか、まだはシリル化
されたカルがン酸アミド例えばビス−トリメチルシリル
−アセトアミドのようなビス−トリ低級アルキルシリル
ーアセトアミドまたはトリフルオルシリルアセトアミド
で処理するかあるいは適当なスタンニル化剤例えばビス
−（トリーｎ−ブチル−すず）−オキサイドのようなビ
ス−（トリー低級アルキル−スス）−オキサイド、トリ
エチｌ−すｆ−ハイドロオキサイドのようなトリー低級
アルキルすずハイドロオキサイド、トリー低級アルキル
−低級アルコキシ−すず化合物、テトラ−低級アルコキ
シすず化合物またはテトラ−低級アルキルすず化合物あ
るいはトリーれ−ブチルすずクロライドのようなトリ低
級アルキルすずハライド（例えばオランダ特願第６７７
１１１０７号明細書を参照され度い）で処理するのであ
る。
本発明方法によって得られた、式−〇（＝Ｏ）−８２の
遊離カルボキシル基をもつ式（ｍＡ）または（ＩＢ）の
化合物においては、この基をそれ自体公知の方法によっ
て保護されたカルボキシル基に変えることができる。す
なわち、例えば適当なジアゾ化合物例えばジアゾメタン
やジアゾブタンのようなジアゾ−低級アルカンまたはジ
フェニルジアゾメタンのようなフェニルシアシー低級ア
ルカンで必要ならば３ふり化はう素のようなルイス酸の
存在の、下で処理するか、またはエステル化剤例えばジ
シクロへキシルカルボジイミドのようなカルがジイミド
またはカル？ニルジイミダゾールの存在の下でエステル
化に適するアルコールと反応させるか、またはＮ 、
Ｎ’−ジ置換された０−またはＳ−置換イン尿素または
イソチオ尿素と反応させるか（そのＯ−およびＳ−置換
基は例えば低級アルキル基、殊にｔ−ブチル基、フェニ
ル低級アルキル基またはシクロアルキル基でありそして
Ｎ−またはＮ′−置換基は例えば低級アルキル基殊にイ
ソプロピル基、シクロアルキル基またはフェニル基であ
る）、またはその酸の塩をアルコールと強い無機酸また
は強い有機スルホン酸との反応性エステルと反応させる
ような他の公知の適当なエステル化方法によって、エス
テルが得られる。さらに、酸塩化物のような酸ハロダン
化物（これは例えば塩化オキゾリルで処理して作られる
）、活性化されたエステル（これは例えばＮ−ヒドロキ
シ−サクシノイミドのようなＮ−ヒドロキシ−窒素化合
物を使って生成される）または混合無水物（これは例え
ばクロルぎ酸エチルやクロルぎ酸イソジチルのようなハ
ロゲノぎ酸低級アルキルエステルまたはトリクロル酢酸
クロライドのようなハロｒ）酢酸ハライドを使って生成
される）を、場合によってはピリジンのような塩基の存
在下で、アルコールと反応させることによって、エステ
ル化されたカルボキシル基に変えることができる。
遊離カルボキシル基をもつ式（ｍＡ）または（ＩＢ）の
化合物においては、この基をそれ自体公知の方法によっ
て保護されたカルボキシル基に変えることができる。す
なわち、例えば適当なジアゾ化合物例えばジアゾメタン
やジアゾブタンのようなジアゾ−低級アルカンまたはジ
フェニルジアゾメタンのようなフェニルシアシー低級ア
ルカンで必要ならば３ふり化はう素のようなルイス酸の
存在の、下で処理するか、またはエステル化剤例えばジ
シクロへキシルカルボジイミドのようなカルがジイミド
またはカル？ニルジイミダゾールの存在の下でエステル
化に適するアルコールと反応させるか、またはＮ 、
Ｎ’−ジ置換された０−またはＳ−置換イン尿素または
イソチオ尿素と反応させるか（そのＯ−およびＳ−置換
基は例えば低級アルキル基、殊にｔ−ブチル基、フェニ
ル低級アルキル基またはシクロアルキル基でありそして
Ｎ−またはＮ′−置換基は例えば低級アルキル基殊にイ
ソプロピル基、シクロアルキル基またはフェニル基であ
る）、またはその酸の塩をアルコールと強い無機酸また
は強い有機スルホン酸との反応性エステルと反応させる
ような他の公知の適当なエステル化方法によって、エス
テルが得られる。さらに、酸塩化物のような酸ハロダン
化物（これは例えば塩化オキゾリルで処理して作られる
）、活性化されたエステル（これは例えばＮ−ヒドロキ
シ−サクシノイミドのようなＮ−ヒドロキシ−窒素化合
物を使って生成される）または混合無水物（これは例え
ばクロルぎ酸エチルやクロルぎ酸イソジチルのようなハ
ロゲノぎ酸低級アルキルエステルまたはトリクロル酢酸
クロライドのようなハロｒ）酢酸ハライドを使って生成
される）を、場合によってはピリジンのような塩基の存
在下で、アルコールと反応させることによって、エステ
ル化されたカルボキシル基に変えることができる。
式−〇（ミυ−Ｒ２のエステル化された基をもつ得られ
た化合物においては、この基を同じ式で表わされる他の
基に変えることができる。例えば、２−クロルエトキシ
カルブニル基または２−ブロムエトキシカルビニル基を
アセトンのような適当な溶媒の存在の下でよう化ナトリ
ウムのようなようｆｌで処理して２−ヨードエトキシカ
ルがニル基に変えることができる。
た化合物においては、この基を同じ式で表わされる他の
基に変えることができる。例えば、２−クロルエトキシ
カルブニル基または２−ブロムエトキシカルビニル基を
アセトンのような適当な溶媒の存在の下でよう化ナトリ
ウムのようなようｆｌで処理して２−ヨードエトキシカ
ルがニル基に変えることができる。
混合無水物は、式（ＩＡ）または（ＩＢ）における基−
Ｃ（＝０）−Ｒ２が遊離カルボキシル基である化合物ま
たは好ましくはその塩特にナトリウム塩のよう外アルカ
リ金属塩またはトリエチルアンモニウム塩のようなアン
モニウム塩を酸の反応性訴導４体゛例えば酸塩化物のよ
うなノ・ロダン化物またはハロゲノぎ酸低級アルキルエ
ステルまたは低級アルカンカルデン酸クロライドと反応
させることによりて製造される。
Ｃ（＝０）−Ｒ２が遊離カルボキシル基である化合物ま
たは好ましくはその塩特にナトリウム塩のよう外アルカ
リ金属塩またはトリエチルアンモニウム塩のようなアン
モニウム塩を酸の反応性訴導４体゛例えば酸塩化物のよ
うなノ・ロダン化物またはハロゲノぎ酸低級アルキルエ
ステルまたは低級アルカンカルデン酸クロライドと反応
させることによりて製造される。
本発明方法によって得られた基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２が遊
離カルボキシル基である化合物において、この基を置換
されたもしくは未置換のカルバモイル基またはヒドラゾ
ノカル？ニル基に変えることができる。この場合に、好
ましくは反応性の官能的に変えられた誘導体例えば前記
の酸ハロダン化物、一般にエステル例えば前記の活性化
されたエステルまたは相当する酸の混合無水物をアンモ
ニア、ヒドロキシルアミンを含めたアミンまたはヒドラ
ジンと反応させる。
離カルボキシル基である化合物において、この基を置換
されたもしくは未置換のカルバモイル基またはヒドラゾ
ノカル？ニル基に変えることができる。この場合に、好
ましくは反応性の官能的に変えられた誘導体例えば前記
の酸ハロダン化物、一般にエステル例えば前記の活性化
されたエステルまたは相当する酸の混合無水物をアンモ
ニア、ヒドロキシルアミンを含めたアミンまたはヒドラ
ジンと反応させる。
有機シリ−基またはスタンニル基で保護されたカルボキ
シル基は、それ自体公知の方法によって、例えば式（Ｉ
Ａ）または（ＩＢ）におけ、るＲ２がヒドロキシル基で
ある化合物またはその塩例えばナトリウム塩のようガア
ルカリ金属塩を前記のシリル化剤またはスタンニル化剤
の１つのような適当なシリル化剤まだはスタンニル化剤
で処理することによって形成される。これについては例
えばイギリス特許第１，０７３，５３０号またはオラン
ダ特願第６７／１７１０７号の明細書を参照され度い。
シル基は、それ自体公知の方法によって、例えば式（Ｉ
Ａ）または（ＩＢ）におけ、るＲ２がヒドロキシル基で
ある化合物またはその塩例えばナトリウム塩のようガア
ルカリ金属塩を前記のシリル化剤またはスタンニル化剤
の１つのような適当なシリル化剤まだはスタンニル化剤
で処理することによって形成される。これについては例
えばイギリス特許第１，０７３，５３０号またはオラン
ダ特願第６７／１７１０７号の明細書を参照され度い。
さらに１基Ｒ↑、Ｒｂ：および（または）Ｒ２における
置換されたアミノ基、アシル化されたヒドロキシル基、
エステル化されたカルブキシル基またはｏ、ｏ’−ジ置
換されたホスホノ基のような変えられた官能性基をそれ
自体公知の方法によって例えば前記の方法によって遊離
させることができるし、または基Ｒ↑、Ｒｂ：および（
または）Ｒ２における遊離のアミノ基、ヒドロキシル基
、カルブキシル基まだはホスホノ基のような遊離の官能
性基をそれ自体公知の方法によって例えばアシル化、エ
ステル化または置換反応によって官能的に変えることが
できる。従って、例えばアミン基を３酸化いおう（好ま
しくは有機塩基例えばトリエチルアミンのようなトリ低
級アルキルアミンとの錯体の形にあるもの）で処理して
スルホアミノ基に変えｂ−も、とができる。さらに、４
−グアニルセミカルパヂドの酸付加塩と亜硝酸ナトリウ
ムとの反応によって得られた反応混合物を、式（ＩＡ）
またｔｉ（ＩＢ）におけるアミノ保獲基Ｒ↑が例えば置
換されたもしくは未置換のグリシル基である化合物と反
応させることによって、そのアミノ基を３−グアニルウ
レイド基に変えることができる。さらに、脂肪族結合し
たハロダン原子例えば置換されたもしくは未置換のα−
ブロムアセチル基をもつ化合物をトリ低級アルキルホス
ファイト化合物のような亜シん酸エステルと反応させれ
ば、相当するホスホノ化合物が得られる。
置換されたアミノ基、アシル化されたヒドロキシル基、
エステル化されたカルブキシル基またはｏ、ｏ’−ジ置
換されたホスホノ基のような変えられた官能性基をそれ
自体公知の方法によって例えば前記の方法によって遊離
させることができるし、または基Ｒ↑、Ｒｂ：および（
または）Ｒ２における遊離のアミノ基、ヒドロキシル基
、カルブキシル基まだはホスホノ基のような遊離の官能
性基をそれ自体公知の方法によって例えばアシル化、エ
ステル化または置換反応によって官能的に変えることが
できる。従って、例えばアミン基を３酸化いおう（好ま
しくは有機塩基例えばトリエチルアミンのようなトリ低
級アルキルアミンとの錯体の形にあるもの）で処理して
スルホアミノ基に変えｂ−も、とができる。さらに、４
−グアニルセミカルパヂドの酸付加塩と亜硝酸ナトリウ
ムとの反応によって得られた反応混合物を、式（ＩＡ）
またｔｉ（ＩＢ）におけるアミノ保獲基Ｒ↑が例えば置
換されたもしくは未置換のグリシル基である化合物と反
応させることによって、そのアミノ基を３−グアニルウ
レイド基に変えることができる。さらに、脂肪族結合し
たハロダン原子例えば置換されたもしくは未置換のα−
ブロムアセチル基をもつ化合物をトリ低級アルキルホス
ファイト化合物のような亜シん酸エステルと反応させれ
ば、相当するホスホノ化合物が得られる。
式（ＩＡ）および（ＩＢ）で表わされる得られた化合物
を後記するような適当な酸化剤で酸化して式（ＩＡ）の
相当する３−セフェム化合物の１−オキシドに変えるこ
とができる。また、得られた式（ＩＡ）の３−セフェム
化合物の１−オキシドを例えば後記するような適当な還
元剤で還元して相当する式（ＩＡ）の３−セフェム化合
物となすことができる。これらの反応では、必要ならば
、遊離の官能性基を保護しそして所望ならば当該反応の
後に再び遊離させるように注意しなければならない。
を後記するような適当な酸化剤で酸化して式（ＩＡ）の
相当する３−セフェム化合物の１−オキシドに変えるこ
とができる。また、得られた式（ＩＡ）の３−セフェム
化合物の１−オキシドを例えば後記するような適当な還
元剤で還元して相当する式（ＩＡ）の３−セフェム化合
物となすことができる。これらの反応では、必要ならば
、遊離の官能性基を保護しそして所望ならば当該反応の
後に再び遊離させるように注意しなければならない。
得られたセフェム化合物はこれを異性化することができ
る。すなわち、得られた式（Ｉｎ）の２−セフェム化合
物または得られた２−および３−セフェム化合物の混合
物を式（ＩＡ）の相当する３−セフェム化合物に変える
ことができる。すなわち、式（ＩＢ）の２−セフェム化
合物または２−および３−セフェム化合物から成る混合
物を、これら化合物中に存在する遊離の官能基はこれを
場合によっては例えば前に述べたようにして一時的に保
護してから異性化する。この場合に、式（ＩＢ）の２−
セフェム化合物として、例えば基−Ｃ（＝０）−Ｒ２が
遊離または保護されたカルブキル基であるものを使うこ
とができ、この保護されたカルブキシル基をこの反応中
に形成させることもできる。
る。すなわち、得られた式（Ｉｎ）の２−セフェム化合
物または得られた２−および３−セフェム化合物の混合
物を式（ＩＡ）の相当する３−セフェム化合物に変える
ことができる。すなわち、式（ＩＢ）の２−セフェム化
合物または２−および３−セフェム化合物から成る混合
物を、これら化合物中に存在する遊離の官能基はこれを
場合によっては例えば前に述べたようにして一時的に保
護してから異性化する。この場合に、式（ＩＢ）の２−
セフェム化合物として、例えば基−Ｃ（＝０）−Ｒ２が
遊離または保護されたカルブキル基であるものを使うこ
とができ、この保護されたカルブキシル基をこの反応中
に形成させることもできる。
すなわち、式（ＩＢ）の２−セフェム化合物を塩基性剤
で処理しそしてこうして２−および３−１ス汗μ化合物
の平衡混合物が得られたら、これから式（ＩＡ）の相当
する３−セフェム化合物を単離することによって異性化
することができる。
で処理しそしてこうして２−および３−１ス汗μ化合物
の平衡混合物が得られたら、これから式（ＩＡ）の相当
する３−セフェム化合物を単離することによって異性化
することができる。
適する異性化剤は例えば有機窒素含有塩基例えば芳香族
性の第３複素環式塩基および主に第３脂肪族、アザ脂環
式または芳香脂肪族塩基例えはＮ、Ｎ、Ｎ−）リメチル
アミン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−Ｎ−エチルアミン、Ｎ、Ｎ
、Ｎ−トリエチルアミンまたはＮ、Ｎ−ジイソゾロビル
−Ｎ−エチルアミンのよりなＮ、Ｎ、Ｎ−）り低級アル
キルアミン、Ｎ−メチル−ピペリジンのようなＮ−低級
アルキルーアデシクロアルカンまたはＮ−ペンツルーＮ
、Ｎ−ジメチルアミンのようなＮ−フェニル低級アルキ
ル−Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキル−アミン、またはそれらの
混合物例えはピリジンとトリエチルアミンとの混合物の
ようなどリジン型塩基例えばピリジンとＮ、Ｎ、Ｎ−）
り低級アルキルアミンとの混合物である。嘔らに、塩基
の無機または有機塩、殊に中程度に強いかまたは強い塩
基の弱酸との塩例えば酢酸す） ＩＪウム、酢酸トリエ
チルアンモニウムまたはＮ−メチルピペリジン酢酸塩の
ような低級アルカンカルボン酸のアルカリ金属塩または
アンモニウム塩、ならびに他の同様の塩基またはこのよ
うな塩基性剤の混合物を使うこともできる。
性の第３複素環式塩基および主に第３脂肪族、アザ脂環
式または芳香脂肪族塩基例えはＮ、Ｎ、Ｎ−）リメチル
アミン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−Ｎ−エチルアミン、Ｎ、Ｎ
、Ｎ−トリエチルアミンまたはＮ、Ｎ−ジイソゾロビル
−Ｎ−エチルアミンのよりなＮ、Ｎ、Ｎ−）り低級アル
キルアミン、Ｎ−メチル−ピペリジンのようなＮ−低級
アルキルーアデシクロアルカンまたはＮ−ペンツルーＮ
、Ｎ−ジメチルアミンのようなＮ−フェニル低級アルキ
ル−Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキル−アミン、またはそれらの
混合物例えはピリジンとトリエチルアミンとの混合物の
ようなどリジン型塩基例えばピリジンとＮ、Ｎ、Ｎ−）
り低級アルキルアミンとの混合物である。嘔らに、塩基
の無機または有機塩、殊に中程度に強いかまたは強い塩
基の弱酸との塩例えば酢酸す） ＩＪウム、酢酸トリエ
チルアンモニウムまたはＮ−メチルピペリジン酢酸塩の
ような低級アルカンカルボン酸のアルカリ金属塩または
アンモニウム塩、ならびに他の同様の塩基またはこのよ
うな塩基性剤の混合物を使うこともできる。
上記の塩基性剤による異性化を例えば混合無水物の形成
に適するカルボン酸誘導体例えはカルボン酸の無水物ま
たはハロゲン化物の存在の下で、例えば無水酢酸の存在
下でピリジンを使って行うことができる。この際、水性
媒質の中で、溶媒向えば塩素化のようなハロゲン化され
ている場合のめる脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素
または溶媒混合物（この場合に、反応体として使うその
反応条件下で液体の塩基を溶媒として同時に使うことも
できる）の存在または不在の下で、必要ならば冷却また
は加熱の下で、好ましくは約−３０〜＋１００℃で、窒
素のような不活性ガス中でそして（または）密封容器内
で操作する。
に適するカルボン酸誘導体例えはカルボン酸の無水物ま
たはハロゲン化物の存在の下で、例えば無水酢酸の存在
下でピリジンを使って行うことができる。この際、水性
媒質の中で、溶媒向えば塩素化のようなハロゲン化され
ている場合のめる脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素
または溶媒混合物（この場合に、反応体として使うその
反応条件下で液体の塩基を溶媒として同時に使うことも
できる）の存在または不在の下で、必要ならば冷却また
は加熱の下で、好ましくは約−３０〜＋１００℃で、窒
素のような不活性ガス中でそして（または）密封容器内
で操作する。
こうして得られた式（ＩＡ）の３−セフェム化合物をそ
れ自体公知の方法によって、例えば吸着おＪ、、σ、（
または）結晶化によって、まだ共存する場合のおる式（
ＩＢ）の２−セフェム化合物から分離することができる
。
れ自体公知の方法によって、例えば吸着おＪ、、σ、（
または）結晶化によって、まだ共存する場合のおる式（
ＩＢ）の２−セフェム化合物から分離することができる
。
また、式（ＩＢ）の２−セフェム化合物を１−位置で酸
化し、所望によってはこうして生成した異性体混合物か
ら式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキシドを分
離しそしてこの１−オキシドを還元する仁とによって、
異性化することもできる。
化し、所望によってはこうして生成した異性体混合物か
ら式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキシドを分
離しそしてこの１−オキシドを還元する仁とによって、
異性化することもできる。
この２−セフェム化合物の１−位置の酸化に適する酸化
剤としては、還元電位が少くとも＋１．５ボルトでアシ
そして非金属元素から成る無機過酸、有機過酸、または
過酸化水素と解離定数が少くとも１０ でるる酸殊に有
機カルボン酸との混合物が挙げられる。適する無機過酸
は過よう木酸および過硫酸でおる。有機過酸は相当する
過カルボン酸および過スルホン酸でおって、これをそれ
自体使用できるしまたは反応の場において少くとも当量
の過酸化水素とカルぎン酸とを使って生成させることが
できる。この場合に、例えば酢酸を溶媒として使う場合
にカルがン酸を大過剰に使うのが適する。適する過酸は
例えは過ぎ酸、過酢酸、過トリフルオル酢酸、過マレイ
ン酸、過安息香酸、モノ過フタル酸またはｐ−）ルエン
過スルホン酸である。
剤としては、還元電位が少くとも＋１．５ボルトでアシ
そして非金属元素から成る無機過酸、有機過酸、または
過酸化水素と解離定数が少くとも１０ でるる酸殊に有
機カルボン酸との混合物が挙げられる。適する無機過酸
は過よう木酸および過硫酸でおる。有機過酸は相当する
過カルボン酸および過スルホン酸でおって、これをそれ
自体使用できるしまたは反応の場において少くとも当量
の過酸化水素とカルぎン酸とを使って生成させることが
できる。この場合に、例えば酢酸を溶媒として使う場合
にカルがン酸を大過剰に使うのが適する。適する過酸は
例えは過ぎ酸、過酢酸、過トリフルオル酢酸、過マレイ
ン酸、過安息香酸、モノ過フタル酸またはｐ−）ルエン
過スルホン酸である。
さらに、解離定数が少くとも１０−５である酸を触媒と
して十分な量で含む過酸化水素で酸化することもできる
。この酸を低濃度例えは１〜２チまたはそれ以下、しか
じよシ多量に使うこともできる。この混合物の効果は主
としてその酸の強さに依存する。適する混合物は飼えば
過酸化水素と酢酸、過塩素酸またはトリフルオル酢酸と
の混合物である。
して十分な量で含む過酸化水素で酸化することもできる
。この酸を低濃度例えは１〜２チまたはそれ以下、しか
じよシ多量に使うこともできる。この混合物の効果は主
としてその酸の強さに依存する。適する混合物は飼えば
過酸化水素と酢酸、過塩素酸またはトリフルオル酢酸と
の混合物である。
上記の酸化を適当な触媒の存在下で行うことができる。
例えば、過カルボン酸による酸化を解離定数が少くとも
１０−５の酸の存在によって接触させることができ、こ
の酸の効果はその強さに依存する。触媒として適する酸
は例えば酢酸、過塩素酸およびトリフルオル酢酸である
。一般に酸化剤の少くとも等モル鳳、好ましくは約１０
−２０９６９、少、湯装置を使う。この酸化を穏和な条
件の下で、例えば約−５０〜＋１００℃、好ましくは約
−１０〜＋４０℃で行う。
１０−５の酸の存在によって接触させることができ、こ
の酸の効果はその強さに依存する。触媒として適する酸
は例えば酢酸、過塩素酸およびトリフルオル酢酸である
。一般に酸化剤の少くとも等モル鳳、好ましくは約１０
−２０９６９、少、湯装置を使う。この酸化を穏和な条
件の下で、例えば約−５０〜＋１００℃、好ましくは約
−１０〜＋４０℃で行う。
さらに、２−セフェム化合物を酸化して相当する３−セ
フェム化合物の１−オキシドとなすのにオゾン、さらに
有機次亜ハロゲン酸エステル（１物例えばｔ−ブチルハ
イポクロライドのような低級アルキル−ハイポクロライ
ド（これを不活性溶媒飼えば塩化メチレンのようなハロ
ゲン化されている場合のある炭化水素の中でそして約−
１０〜＋３０℃で使う）、過よう木酸塩化合や例えば過
よう木酸カリウムのようなアルカリ金属の過よう木酸塩
（これを好ましくは水性媒質中で約６の−でそして約−
１０〜＋３０ｕで使う）、ヨードペンセンソクロ２イド
（これを水性媒質中で、好ましくはピリジンのような有
機塩基の存在の下そして冷却して飼えば約−２０〜θ℃
で使う）、またはチオ基をスルホキシド基に変えるのに
適する他の酸化剤を使って行うことができる。
フェム化合物の１−オキシドとなすのにオゾン、さらに
有機次亜ハロゲン酸エステル（１物例えばｔ−ブチルハ
イポクロライドのような低級アルキル−ハイポクロライ
ド（これを不活性溶媒飼えば塩化メチレンのようなハロ
ゲン化されている場合のある炭化水素の中でそして約−
１０〜＋３０℃で使う）、過よう木酸塩化合や例えば過
よう木酸カリウムのようなアルカリ金属の過よう木酸塩
（これを好ましくは水性媒質中で約６の−でそして約−
１０〜＋３０ｕで使う）、ヨードペンセンソクロ２イド
（これを水性媒質中で、好ましくはピリジンのような有
機塩基の存在の下そして冷却して飼えば約−２０〜θ℃
で使う）、またはチオ基をスルホキシド基に変えるのに
適する他の酸化剤を使って行うことができる。
こうして得た式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オ
キシド、殊にＲ？、Ｒ１？およびＲ２が前記の好ましい
意味をもつ化合物において、基Ｒ″１、時および（また
は）Ｒ２をその定義の範囲内で相互変換、分裂または導
入することができる。また。
キシド、殊にＲ？、Ｒ１？およびＲ２が前記の好ましい
意味をもつ化合物において、基Ｒ″１、時および（また
は）Ｒ２をその定義の範囲内で相互変換、分裂または導
入することができる。また。
異性体のα−１−オキシドとβ−１−オキシドとの混合
物を例えばクロマトグラフィによって分けることができ
る。
物を例えばクロマトグラフィによって分けることができ
る。
式（ＩＡ）の３−セフェム化合物の１−オキシドをそれ
自体公知の方法によって、必要ならば活性化剤の存在の
下で、還元剤で処理して還元することができる。還元剤
としては次のものが挙けられる。接触的に活性化された
水素（）やラジウム。
自体公知の方法によって、必要ならば活性化剤の存在の
下で、還元剤で処理して還元することができる。還元剤
としては次のものが挙けられる。接触的に活性化された
水素（）やラジウム。
白金またはロジウムのような貴金属触媒を、場合によっ
ては炭や硫酸バリウムのような適当な担体上に担持して
使う）、還元性のすす、鉄、銅またはマンガンの陽イオ
ン〔これらを無機または有機の相当する化合物ｔｆＣ，
は錯体の形で、例えばすず（ｎ）の塩化物、ふり化物、
酢酸塩またはぎ酸塩として、鉄（ＩＩ）の塩化物、硫酸
塩、しゅう酸塩またはこはく酸塩として、銅（１）の塩
化物、安息香酸塩または酸化物として、またはマンガン
（ｎ）の塩化物、硫酸塩、酢酸塩または酸化物として、
あるいは錯体飼えばエチレンジアミンテトラ酢酸または
ニトリロトリ酢酸との錯゛体として使う〕、還元性の重
亜硫酸隘イオン、よう木陰イオンまたはシアン化鉄（川
）陰イオン（これらを相当する無機または有機塩の形で
、向えば亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸水素カリウム、
よう化ナトリウム、よう化カリウム、フェロシアン化ナ
トリウムまたはフェロシアン化カリウムのようなアルカ
リ金属塩またはよう化水素酸のような相当する酸の形で
使う）、還元性の３価の無機または有機シん化合物例え
はホスフィン、さらに亜ホスフィン酸、亜ホスホン酸ま
たは亜シん酸のエステル、アミドおよびハロゲン化物な
らびにこれらシん・酸素化合物に相当するシん・いおう
化合物（これら化合物中の有機基は主として脂肪族、芳
香族ｉたは芳香脂肪族基例えば置換されたもしくは未置
換の低級アルキル基、フェニル基またはフェニル低級ア
ルキル基である）、例えばトリフェニルホスフィン、ト
リーｎ−ブチルホスフィン、ジフェニル亜ホスフイン酸
メチル、ジフェニルクロルホスフィン、フェニルジクロ
ルホスフィン、ベンゼン亜ホスホン酸ジメチルエステル
、ブタン亜ホスホン酸メチ２．ルステル、亜りん酸トリ
フェニルエステル、亜シん酸トリメチルエステル、３塩
化りん、３臭化シん、その他、還元性のハロゲノシラン
化合物（これらはけい素原子に結合した水素原子少くと
も１個をもちそしてさらに塩素、臭素またはよう素のよ
うなハロゲン原子、有機基例えば脂肪族または芳香族基
例えは置換嘔れたもしくは未置換の低級アルキル基まｆ
ｃはフェニル基をもっていることができる）、例えばク
ロルシラン、ブロムシラン、ノーまたはトリークロルシ
ラン、ジーまたはトリーブロムシラン、ジメチルクロル
シラン、ジメチルクロルシランその他、還元性の第４級
クロルメチレン−イミニウム塩、殊に相当するクロライ
ドまたはクロライド（そのイミニウム基は２価の有機基
または２個の１価有機基例えば置換されたもしくは未置
換の低級アルキレン基または低級アルキル基によって置
換されているものとする）、同えばＮ−クロルメチレン
−Ｎ、Ｎ−ジエチルイミニウムクロライドまたはＮ−ク
ロルメチレン−ピロリジニウムクロライド、および塩化
コバルト（ｎ）のような適当な活性化剤の存在下での水
素化ナトリウムｔよう素のような鉛金属水素化物、なら
びにポランジクロライド。
ては炭や硫酸バリウムのような適当な担体上に担持して
使う）、還元性のすす、鉄、銅またはマンガンの陽イオ
ン〔これらを無機または有機の相当する化合物ｔｆＣ，
は錯体の形で、例えばすず（ｎ）の塩化物、ふり化物、
酢酸塩またはぎ酸塩として、鉄（ＩＩ）の塩化物、硫酸
塩、しゅう酸塩またはこはく酸塩として、銅（１）の塩
化物、安息香酸塩または酸化物として、またはマンガン
（ｎ）の塩化物、硫酸塩、酢酸塩または酸化物として、
あるいは錯体飼えばエチレンジアミンテトラ酢酸または
ニトリロトリ酢酸との錯゛体として使う〕、還元性の重
亜硫酸隘イオン、よう木陰イオンまたはシアン化鉄（川
）陰イオン（これらを相当する無機または有機塩の形で
、向えば亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸水素カリウム、
よう化ナトリウム、よう化カリウム、フェロシアン化ナ
トリウムまたはフェロシアン化カリウムのようなアルカ
リ金属塩またはよう化水素酸のような相当する酸の形で
使う）、還元性の３価の無機または有機シん化合物例え
はホスフィン、さらに亜ホスフィン酸、亜ホスホン酸ま
たは亜シん酸のエステル、アミドおよびハロゲン化物な
らびにこれらシん・酸素化合物に相当するシん・いおう
化合物（これら化合物中の有機基は主として脂肪族、芳
香族ｉたは芳香脂肪族基例えば置換されたもしくは未置
換の低級アルキル基、フェニル基またはフェニル低級ア
ルキル基である）、例えばトリフェニルホスフィン、ト
リーｎ−ブチルホスフィン、ジフェニル亜ホスフイン酸
メチル、ジフェニルクロルホスフィン、フェニルジクロ
ルホスフィン、ベンゼン亜ホスホン酸ジメチルエステル
、ブタン亜ホスホン酸メチ２．ルステル、亜りん酸トリ
フェニルエステル、亜シん酸トリメチルエステル、３塩
化りん、３臭化シん、その他、還元性のハロゲノシラン
化合物（これらはけい素原子に結合した水素原子少くと
も１個をもちそしてさらに塩素、臭素またはよう素のよ
うなハロゲン原子、有機基例えば脂肪族または芳香族基
例えは置換嘔れたもしくは未置換の低級アルキル基まｆ
ｃはフェニル基をもっていることができる）、例えばク
ロルシラン、ブロムシラン、ノーまたはトリークロルシ
ラン、ジーまたはトリーブロムシラン、ジメチルクロル
シラン、ジメチルクロルシランその他、還元性の第４級
クロルメチレン−イミニウム塩、殊に相当するクロライ
ドまたはクロライド（そのイミニウム基は２価の有機基
または２個の１価有機基例えば置換されたもしくは未置
換の低級アルキレン基または低級アルキル基によって置
換されているものとする）、同えばＮ−クロルメチレン
−Ｎ、Ｎ−ジエチルイミニウムクロライドまたはＮ−ク
ロルメチレン−ピロリジニウムクロライド、および塩化
コバルト（ｎ）のような適当な活性化剤の存在下での水
素化ナトリウムｔよう素のような鉛金属水素化物、なら
びにポランジクロライド。
それ自体非ルイス酸性を示す上記還元剤といっしょに使
う、すなわち主として重亜硫酸塩還元剤、よう素還元剤
、シアン化鉄（ｎ）還元剤またはハロゲンを含まない３
価シん還元剤といっしょにまたは接触還元の場合に加え
る活性化剤としては、殊に有機カルボン酸およびスルホ
ン酸のハロゲン化物、さらに２次加水分解定数が塩化ベ
ンゾイルと同じかまたはそれよシ太きいいおう、シんま
たはけい素のハＩ：Ｉダン化物例えばホスダン、塩化オ
キザリル、酢酸クロライドまたはブロマイド、クロル酢
酸クロライド、ピパリン酸クロライド、４−メトキシ安
息香酸クロライド、４−シアノ安息香１１１クロライド
、ｐ−）ルエンスルホン酸クロライド、メタンスルホン
酸クロライド、塩化チオニル、オキシ塩化シん、３塩化
シん、３臭化シん、フェニルジクロルホスフィン、ベン
ゼン亜ホスホン酸クロライド、ジメチルクロルシランま
たはトリクロルシラン、さらにトリフルオル酢酸無水物
のような適当な酸無水物、または環状サルトン、例工ば
エタンサルトン、１．３−７’ロパンサルトン、１．４
−ブタンサルトンまたは１．３−ヘキサンサルトンが挙
けられる。
う、すなわち主として重亜硫酸塩還元剤、よう素還元剤
、シアン化鉄（ｎ）還元剤またはハロゲンを含まない３
価シん還元剤といっしょにまたは接触還元の場合に加え
る活性化剤としては、殊に有機カルボン酸およびスルホ
ン酸のハロゲン化物、さらに２次加水分解定数が塩化ベ
ンゾイルと同じかまたはそれよシ太きいいおう、シんま
たはけい素のハＩ：Ｉダン化物例えばホスダン、塩化オ
キザリル、酢酸クロライドまたはブロマイド、クロル酢
酸クロライド、ピパリン酸クロライド、４−メトキシ安
息香酸クロライド、４−シアノ安息香１１１クロライド
、ｐ−）ルエンスルホン酸クロライド、メタンスルホン
酸クロライド、塩化チオニル、オキシ塩化シん、３塩化
シん、３臭化シん、フェニルジクロルホスフィン、ベン
ゼン亜ホスホン酸クロライド、ジメチルクロルシランま
たはトリクロルシラン、さらにトリフルオル酢酸無水物
のような適当な酸無水物、または環状サルトン、例工ば
エタンサルトン、１．３−７’ロパンサルトン、１．４
−ブタンサルトンまたは１．３−ヘキサンサルトンが挙
けられる。
上記の還元反応を溶媒またはその混合物の中で行うのが
好ましい。溶媒の選択は主として原料の溶解性および還
元剤の種類による。すなわち１例えば接触還元では低級
アルカンカルボン酸またはそのエステル例えば酢酸およ
び酢酸エチルを使いそして化学的還元剤では例えはハロ
ゲン化またはニトロ化されているような、置換されたも
しくは未置換の脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪
族炭化水素例えはベンゼン、塩化メチレン、クロロホル
ムまたはニトロメタン、適当な酸誘導体例えば酢酸エチ
ルのような低級アルヵンヵルデン酸工？、ネ、化、アセ
トニトリルのような低級アルカノニトリル、無機または
有機酸のアミド例えばジメチルホルムアミドまたはヘキ
サメチルシん酸アミド、エーテル例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフランまたはジオキサン、ケトン例え
ばアセトンまたはスルホン殊に脂肪族スルホン例えばジ
メチルスルポンまたはテトラメチレンスルホンを使い、
これら溶媒は水を含まないのが好ましい。
好ましい。溶媒の選択は主として原料の溶解性および還
元剤の種類による。すなわち１例えば接触還元では低級
アルカンカルボン酸またはそのエステル例えば酢酸およ
び酢酸エチルを使いそして化学的還元剤では例えはハロ
ゲン化またはニトロ化されているような、置換されたも
しくは未置換の脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪
族炭化水素例えはベンゼン、塩化メチレン、クロロホル
ムまたはニトロメタン、適当な酸誘導体例えば酢酸エチ
ルのような低級アルヵンヵルデン酸工？、ネ、化、アセ
トニトリルのような低級アルカノニトリル、無機または
有機酸のアミド例えばジメチルホルムアミドまたはヘキ
サメチルシん酸アミド、エーテル例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフランまたはジオキサン、ケトン例え
ばアセトンまたはスルホン殊に脂肪族スルホン例えばジ
メチルスルポンまたはテトラメチレンスルホンを使い、
これら溶媒は水を含まないのが好ましい。
一般に約−２０〜＋１００℃で行うが、非常に反応性の
活性化剤を使う場合には一層低い温度で反応させること
ができる。
活性化剤を使う場合には一層低い温度で反応させること
ができる。
こうして得た式（ＩＡ）の３−セフェム化合物において
Ｒ↑、Ｒ′？および（ｔたは）Ｒ２に前に述べたように
他の基Ｈｊ、Ｒ１またはＲ２に変えることができる。
Ｒ↑、Ｒ′？および（ｔたは）Ｒ２に前に述べたように
他の基Ｈｊ、Ｒ１またはＲ２に変えることができる。
式（ＩＡ）および（ＩＢ）の化合物の塩はそれ自体公知
の方法によって作られる。すなわち、酸性基をもつこれ
ら化合物を適当なカルボン酸のアルカリ金属塩のような
金属化合物例えばα−エチルカシロン酸のナトリウム塩
またはアンモニアまたは適当な有機アミンで処理するこ
とＫよって、その塩を生成することができる。この目的
には。
の方法によって作られる。すなわち、酸性基をもつこれ
ら化合物を適当なカルボン酸のアルカリ金属塩のような
金属化合物例えばα−エチルカシロン酸のナトリウム塩
またはアンモニアまたは適当な有機アミンで処理するこ
とＫよって、その塩を生成することができる。この目的
には。
その塩形成剤を化学量論的量または僅かに過剰な鳳で使
うのが好ましい。また、塩基性基をもつ式（ＩＡ）また
は（ＩＢ）の化合物の酸付加塩は常法によって、９１え
ば酸または適当な陰イオン交換剤で処理することによっ
て得られる。塩形成するアミン基と遊離カルがキシル基
とをもっ式（ＩＡ）または（１Ｂ）の化合物の分子内塩
は、例えばその酸付加塩のような塩を等電点まで飼えは
弱塩基で中和するかまたは液状イオン交換剤で処理する
ことによって生成される。塩形成基をもっ式（ＩＡ）の
化合物の１−オキシドの塩は同様の方法によって作られ
る。
うのが好ましい。また、塩基性基をもつ式（ＩＡ）また
は（ＩＢ）の化合物の酸付加塩は常法によって、９１え
ば酸または適当な陰イオン交換剤で処理することによっ
て得られる。塩形成するアミン基と遊離カルがキシル基
とをもっ式（ＩＡ）または（１Ｂ）の化合物の分子内塩
は、例えばその酸付加塩のような塩を等電点まで飼えは
弱塩基で中和するかまたは液状イオン交換剤で処理する
ことによって生成される。塩形成基をもっ式（ＩＡ）の
化合物の１−オキシドの塩は同様の方法によって作られ
る。
塩はこれを常法にょシ遊離化合物に変えることができる
。例えば、金属塩およびアンモニウム塩を適当な酸で処
理することによって、また酸付加塩を例えは適当な塩基
性剤で処理することによりて、遊離化合物に変えること
ができる。
。例えば、金属塩およびアンモニウム塩を適当な酸で処
理することによって、また酸付加塩を例えは適当な塩基
性剤で処理することによりて、遊離化合物に変えること
ができる。
得られた異性体混合物は、これをそれ自体公知の方、法
によって、例えばノアステレオマ−混合物はこれを例え
ば分別結晶化、吸着クロマトグラフィ（カラムクロマト
グラフィまたは薄層クロマトグラフィ）または他の適当
な分離方法によって個個の異性体に分けることができる
。得られたラセミ体は、これを常法によって、適当なら
け適当な塩形成基を導入した後に、例えは光学活性の塩
形成剤とのジアステレオマー塩混合物を生成し、この混
合物を各ジアステレオマー塩に分けそしてこうして分け
たジアステレオマー塩を遊離化合物に変えることによっ
て、または光学活性の溶媒から分別結晶化することによ
って、個個の対掌体に分けることができる。
によって、例えばノアステレオマ−混合物はこれを例え
ば分別結晶化、吸着クロマトグラフィ（カラムクロマト
グラフィまたは薄層クロマトグラフィ）または他の適当
な分離方法によって個個の異性体に分けることができる
。得られたラセミ体は、これを常法によって、適当なら
け適当な塩形成基を導入した後に、例えは光学活性の塩
形成剤とのジアステレオマー塩混合物を生成し、この混
合物を各ジアステレオマー塩に分けそしてこうして分け
たジアステレオマー塩を遊離化合物に変えることによっ
て、または光学活性の溶媒から分別結晶化することによ
って、個個の対掌体に分けることができる。
本発明は、その工程で中間体として生成する化合物ｔ−
原料として使いそして残りの工程段階を行うかまたはそ
の工程を任意の段階で中断するような具体例をも包含す
る。さらに、原料を紡導体の形で使うことができるしま
几はその反応中に生成させることができる。
原料として使いそして残りの工程段階を行うかまたはそ
の工程を任意の段階で中断するような具体例をも包含す
る。さらに、原料を紡導体の形で使うことができるしま
几はその反応中に生成させることができる。
なお、原料および反応条件としては、頭初に殊に好まし
いものとして挙けた化合物が得られるように選ぶのが好
ましい。
いものとして挙けた化合物が得られるように選ぶのが好
ましい。
式（ｎ）の原料において脱離される基Ｙは基−８ｏ２−
Ｒ５（Ｒｓは前に、しかし殊に好ましいものとして挙け
た意味をもつ）であるのが好ましい。
Ｒ５（Ｒｓは前に、しかし殊に好ましいものとして挙け
た意味をもつ）であるのが好ましい。
本発明は、適切な容易に入手できる原料例えば殊に醗酵
合成できるペニシリンＧまたはＶの１−オキシドおよび
６−アミノ−ペニシラン酸の１−オキシド（それらの反
応性基を任意公知の方法によって保賎しておきそして当
該反応の後に再び容易に遊離させることができる）から
出発しそして本発明方法で必要な中間生成物が高収率で
製造されるという点で、従来公知の方法よりも優れてい
るＯ 本発明方法で使う式（ＩＩ）の原料は列えは次の反応工
程によって製造される。
合成できるペニシリンＧまたはＶの１−オキシドおよび
６−アミノ−ペニシラン酸の１−オキシド（それらの反
応性基を任意公知の方法によって保賎しておきそして当
該反応の後に再び容易に遊離させることができる）から
出発しそして本発明方法で必要な中間生成物が高収率で
製造されるという点で、従来公知の方法よりも優れてい
るＯ 本発明方法で使う式（ＩＩ）の原料は列えは次の反応工
程によって製造される。
以下余白
Ｎａ ：Ｙ−−８−Ｒ４Ｖａ ：Ｙ−−８−Ｒ４ＩＶｂ
：Ｙ−−８０２−Ｂ５ ｖｂ：ｙ＝−ｇｏ□−ｇ５Ｎ＠
：Ｙ−−８−８０２−Ｒ５Ｖｏ ：Ｙ−−８−８０２
−Ｒ５Ｅｌ ａ ： Ｙ＝−Ｓ −Ｒａ ｕｂ ：Ｙ＝−８０２−Ｒ５ ｕ ｅ ：Ｙ＝−８−８０２−Ｒ５ 以下余ＩＡ 式（ＩＩＩ）の原料化合物は公知であって、公知の方法
によって作られる。
：Ｙ−−８０２−Ｂ５ ｖｂ：ｙ＝−ｇｏ□−ｇ５Ｎ＠
：Ｙ−−８−８０２−Ｒ５Ｖｏ ：Ｙ−−８−８０２
−Ｒ５Ｅｌ ａ ： Ｙ＝−Ｓ −Ｒａ ｕｂ ：Ｙ＝−８０２−Ｒ５ ｕ ｅ ：Ｙ＝−８−８０２−Ｒ５ 以下余ＩＡ 式（ＩＩＩ）の原料化合物は公知であって、公知の方法
によって作られる。
７式（、Ｐｌ、＊ ）の化合物も公知であって、オラン
ダ特許第７２１０８６７１号明細書に記載の方法によっ
て作られる。
ダ特許第７２１０８６７１号明細書に記載の方法によっ
て作られる。
式（ｖｂ）、＜ｙｃ＞、（Ｖａ）、（Ｗｂ ）、（Ｖｅ
）、（Ｍａ）、（ｖｘｂ ）、（Ｖｌｃ）、（…ａ）、
（■ｂ）および（…ｅ）ＶＣおけるＲ−１時、吋および
Ｙが先に式（…）の下で与えた意味をもっている新化合
物ならびにそれらの製法は同じく本発明に係るものであ
る。
）、（Ｍａ）、（ｖｘｂ ）、（Ｖｌｃ）、（…ａ）、
（■ｂ）および（…ｅ）ＶＣおけるＲ−１時、吋および
Ｙが先に式（…）の下で与えた意味をもっている新化合
物ならびにそれらの製法は同じく本発明に係るものであ
る。
式（ｌＶｂ ）の化合物は、式（ｎｌ）の化合物を式Ｕ
ＳＯ□−Ｒ５ で表わされるスルフィン酸または式 １式％ で表わされるスルホニルシアナイドと反応させることに
よル作られる。この反応を不活性溶媒または溶媒混合物
、例えば塩素化のようなハロゲン化されている場合のあ
る脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素ガえばペンタン
、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、塩
化メチレン、クロロホルムまたはクロルベンゼン、 脂
肪族、 脂Ｒ式または芳香族アルコール例えばメタノー
ルやエタノールのような低級アルカノール、シクロヘキ
サノールまたはフェノール、ポリヒドロキシ化合物例え
ばポリヒドロキシアルカン例えばエチレングリコールや
グロビレングリコールのようなジヒドロキシ低級アルカ
ン、アセトンやメチルエチルケトンのような低級ケトン
、ジエチルエーテル、ジオキサンまたはテトラヒドロフ
ランのようなエーテル性溶媒、ジメチルホルムアミドや
ツメチルアセトアミドのような低級カルボン酸アミド、
ジメチルスルホキシドのような低級ジアルキルスルホキ
シドその他またはそれらの混合物の上で行う。
ＳＯ□−Ｒ５ で表わされるスルフィン酸または式 １式％ で表わされるスルホニルシアナイドと反応させることに
よル作られる。この反応を不活性溶媒または溶媒混合物
、例えば塩素化のようなハロゲン化されている場合のあ
る脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素ガえばペンタン
、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、塩
化メチレン、クロロホルムまたはクロルベンゼン、 脂
肪族、 脂Ｒ式または芳香族アルコール例えばメタノー
ルやエタノールのような低級アルカノール、シクロヘキ
サノールまたはフェノール、ポリヒドロキシ化合物例え
ばポリヒドロキシアルカン例えばエチレングリコールや
グロビレングリコールのようなジヒドロキシ低級アルカ
ン、アセトンやメチルエチルケトンのような低級ケトン
、ジエチルエーテル、ジオキサンまたはテトラヒドロフ
ランのようなエーテル性溶媒、ジメチルホルムアミドや
ツメチルアセトアミドのような低級カルボン酸アミド、
ジメチルスルホキシドのような低級ジアルキルスルホキ
シドその他またはそれらの混合物の上で行う。
この反応を室温または好ましくは高めた温度例えは使用
溶媒の沸点で、所望ならは窒素のような不活性ガス中で
行う。
溶媒の沸点で、所望ならは窒素のような不活性ガス中で
行う。
弐Ｎ ： Ｃ−８０２−Ｒ，、のスルホニルシアナイド
との反応はハロゲン陰イオンを生成する化合物を加える
ことにより促進ちれる、ハロゲン陰イオンを生ずる化合
物としては、例えば第４アンモニウムハライド殊に相当
する塩化物および臭化物、例えはその低級アルキル基に
おいて例えばフェニル基の、 、 ７ ＋；’ｔ！− ようなアリール基によってモノ−またはポリ−置換され
たもしくは未置換のテトラ低級アルキルアンモニウムハ
ライド例えばテトラエチル−または−Ｚ７ Ｊルー ）
ＩＪ エチル−アンモニウム−クロライドおよび−ク
ロライドが適する。このハロゲン陰イオンを生ずる化合
物を約１〜５０モル係、好ましくは約２〜５モル係の量
で加える。
との反応はハロゲン陰イオンを生成する化合物を加える
ことにより促進ちれる、ハロゲン陰イオンを生ずる化合
物としては、例えば第４アンモニウムハライド殊に相当
する塩化物および臭化物、例えはその低級アルキル基に
おいて例えばフェニル基の、 、 ７ ＋；’ｔ！− ようなアリール基によってモノ−またはポリ−置換され
たもしくは未置換のテトラ低級アルキルアンモニウムハ
ライド例えばテトラエチル−または−Ｚ７ Ｊルー ）
ＩＪ エチル−アンモニウム−クロライドおよび−ク
ロライドが適する。このハロゲン陰イオンを生ずる化合
物を約１〜５０モル係、好ましくは約２〜５モル係の量
で加える。
式（ＩＶｂ ）および（ＩＶｅ ＞の化合物は同様に式
（ＩＶａ ）の化合物を式 ％式％） で表わされる重金属スルフィン酸塩または式Ｍｎ＋（−
８−８０□−Ｒ５）ｎ で表わされる重金属のチオスルホン酸塩と反応させるこ
とによって作られる。なお、Ｍは重金員陽イオンでｓｂ
セしてｎはこの金属イオンの原子価である。重金属のス
ルフィン酸塩およびチオスルホン酸塩としては殊にその
使用する反応媒質中での溶解度積が反応中に生成する重
金属化合物子 − Ｍｎ（Ｓ−Ｒ４）ｎのものよシも大きいようなものが適
する。適する重金属陽イオン−１は殊に特に難溶性の硫
化物を形成するものである。このような陽イオンとして
例えば銅、水銀、銀およびすずの１価または２価陽イオ
ンであって、このうち鋼の２価陽イオンおよび銀の１価
陽イオンが好ましい。
（ＩＶａ ）の化合物を式 ％式％） で表わされる重金属スルフィン酸塩または式Ｍｎ＋（−
８−８０□−Ｒ５）ｎ で表わされる重金属のチオスルホン酸塩と反応させるこ
とによって作られる。なお、Ｍは重金員陽イオンでｓｂ
セしてｎはこの金属イオンの原子価である。重金属のス
ルフィン酸塩およびチオスルホン酸塩としては殊にその
使用する反応媒質中での溶解度積が反応中に生成する重
金属化合物子 − Ｍｎ（Ｓ−Ｒ４）ｎのものよシも大きいようなものが適
する。適する重金属陽イオン−１は殊に特に難溶性の硫
化物を形成するものである。このような陽イオンとして
例えば銅、水銀、銀およびすずの１価または２価陽イオ
ンであって、このうち鋼の２価陽イオンおよび銀の１価
陽イオンが好ましい。
これら重金属のスルフィン酸塩またはチオスルホン酸塩
をそれ自体加えることができるしまたは反応の場におい
て例えは式 ％式％ で表わされるスルフィン酸または式 ｆＩ−８−８０２−Ｒ５ で表わされるチオスルホン酸わるいはそれらの可溶性塩
例えはナトリウム塩のようなアルカリ金属塩と重金楓塩
（すなわち、その溶解度積が生成する重金属スルフィン
酸塩またはチオスルホン酸塩の溶解度積よυ大きいよう
な重金属塩、例えば硝酸銀、酢酸第２水銀、硫酸第２銅
のような重金属硝酸塩、酢酸塩または硫酸塩またはさら
に塩化すず（ｎ）・２水和物のような可溶性塩化物）と
から生成させることができる。
をそれ自体加えることができるしまたは反応の場におい
て例えは式 ％式％ で表わされるスルフィン酸または式 ｆＩ−８−８０２−Ｒ５ で表わされるチオスルホン酸わるいはそれらの可溶性塩
例えはナトリウム塩のようなアルカリ金属塩と重金楓塩
（すなわち、その溶解度積が生成する重金属スルフィン
酸塩またはチオスルホン酸塩の溶解度積よυ大きいよう
な重金属塩、例えば硝酸銀、酢酸第２水銀、硫酸第２銅
のような重金属硝酸塩、酢酸塩または硫酸塩またはさら
に塩化すず（ｎ）・２水和物のような可溶性塩化物）と
から生成させることができる。
式（ＩＶａ）の化合物を式
Ｍ”（−８ｏ□−８５）ｎ
で表わされる重金属スルフィン酸塩または式％式％）
で表わされる重金属チオスルホン酸塩と反応させるには
、不ｆｆＩ性有機溶媒、水または水と水に混和する溶媒
との混合物の中で行うことができる。適する不活性有機
溶媒ｉ！例えば脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素列
えはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、
トルエン、キシレンまたは脂肪族、脂環式または芳香族
アルコール例えはメタノールやエタノールのような低級
アルカノ−ル、シクロヘキサノールまたはフェノール、
ポリヒドロキシ化合物例えばジヒドロキシ低級アルカン
例えはエチレングリコールやゾロピレングリコールのよ
うなポリヒドロキシアルカン、カルボン酸エステル例え
ば酢酸エチルのような低級アルカンカル？ン酸低級アル
キルエステル、アセトンやメチルエチルケトンのような
低級ケトン、エーテル性溶媒例えばジオキサン、テトラ
ヒドロフランまたはジメトキシエタンのようなポリエー
テル、ジメチルホルムアミドのような低級カルデン酸ア
ミド、アセトニトリルのような低級アルキルニトリルま
たはジメチルスルホキシドのような低級スルホキシドで
るる。この反応は、水中でまたは殊に乳濁液を含めた水
と上記溶媒の１つとの混合物中では有機溶媒中でよシも
一般にかなシ早く進行する。
、不ｆｆＩ性有機溶媒、水または水と水に混和する溶媒
との混合物の中で行うことができる。適する不活性有機
溶媒ｉ！例えば脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素列
えはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、
トルエン、キシレンまたは脂肪族、脂環式または芳香族
アルコール例えはメタノールやエタノールのような低級
アルカノ−ル、シクロヘキサノールまたはフェノール、
ポリヒドロキシ化合物例えばジヒドロキシ低級アルカン
例えはエチレングリコールやゾロピレングリコールのよ
うなポリヒドロキシアルカン、カルボン酸エステル例え
ば酢酸エチルのような低級アルカンカル？ン酸低級アル
キルエステル、アセトンやメチルエチルケトンのような
低級ケトン、エーテル性溶媒例えばジオキサン、テトラ
ヒドロフランまたはジメトキシエタンのようなポリエー
テル、ジメチルホルムアミドのような低級カルデン酸ア
ミド、アセトニトリルのような低級アルキルニトリルま
たはジメチルスルホキシドのような低級スルホキシドで
るる。この反応は、水中でまたは殊に乳濁液を含めた水
と上記溶媒の１つとの混合物中では有機溶媒中でよシも
一般にかなシ早く進行する。
反応温度は一般に室温でめるが、反応を遅くするために
温度を低めま１ヒは反応を促進する几めに使用溶媒の沸
点まで高めることができる。この場合に常圧１′１ｃは
高めた圧力の下で行うことができるＯ 得られた式（１’／）の化合物において、基Ｒ４、Ｒ１
または・Ｒ黍を他の基材、ＲＹまたは弓に変えることが
でき、この場合には式（ＩＡ）または（ＩＢ）の化合物
においてこれらの基を相互変換するのに挙げたのと同様
の反応を採用することができる。
温度を低めま１ヒは反応を促進する几めに使用溶媒の沸
点まで高めることができる。この場合に常圧１′１ｃは
高めた圧力の下で行うことができるＯ 得られた式（１’／）の化合物において、基Ｒ４、Ｒ１
または・Ｒ黍を他の基材、ＲＹまたは弓に変えることが
でき、この場合には式（ＩＡ）または（ＩＢ）の化合物
においてこれらの基を相互変換するのに挙げたのと同様
の反応を採用することができる。
段階（２）および（３）または（２ａ）においては、式
（ＩＶ）の化合物をそのメチレン基をオキソ基に酸化し
て式（Ｖｌ）の化合物に変えることができる・この式（
ＩＶ）の化合物におけるメチレン基金酸化分裂してオキ
ソ基となすには、オゾンで処理して式（Ｖ）のオゾニＰ
化合物を生成させながら行うことができる。この場合に
、一般に溶媒例えはアルコール向火はメタノールやエタ
ノールのような低級アルカノール、ケトン例えはアセト
ンのような低級アルカノン、ハロゲン化されている場合
のおる脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素例えは塩化
メチレンまたは４塩化炭素または含水混合物を含め几溶
媒混合物の存在下でそして冷却または僅かに加熱（例え
は約−９０℃〜＋４０℃の温度）の下でオゾンを使う。
（ＩＶ）の化合物をそのメチレン基をオキソ基に酸化し
て式（Ｖｌ）の化合物に変えることができる・この式（
ＩＶ）の化合物におけるメチレン基金酸化分裂してオキ
ソ基となすには、オゾンで処理して式（Ｖ）のオゾニＰ
化合物を生成させながら行うことができる。この場合に
、一般に溶媒例えはアルコール向火はメタノールやエタ
ノールのような低級アルカノール、ケトン例えはアセト
ンのような低級アルカノン、ハロゲン化されている場合
のおる脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素例えは塩化
メチレンまたは４塩化炭素または含水混合物を含め几溶
媒混合物の存在下でそして冷却または僅かに加熱（例え
は約−９０℃〜＋４０℃の温度）の下でオゾンを使う。
こうして中間体として得られる式（Ｖａ）のオシニドを
、所望ならば単離せずに、式 ％式％） で表わされる重金縞スルフィン酸塩または式Ｍｎ＋（−
８−８０２−Ｒ５）ｎ で表わされる重金桐チオスルホン酸塩と、先に述べた式
（ｉＶａ ）の化合物を式（ＩＶｂ）または（ＩＶｃ
）の化合物に変える反応と同様に反応させることによっ
て、式（ｖｂ）’ｔｙｃは（Ｖｅ）の化合物に変えるこ
とができる。
、所望ならば単離せずに、式 ％式％） で表わされる重金縞スルフィン酸塩または式Ｍｎ＋（−
８−８０２−Ｒ５）ｎ で表わされる重金桐チオスルホン酸塩と、先に述べた式
（ｉＶａ ）の化合物を式（ＩＶｂ）または（ＩＶｃ
）の化合物に変える反応と同様に反応させることによっ
て、式（ｖｂ）’ｔｙｃは（Ｖｅ）の化合物に変えるこ
とができる。
段階（３）において式（Ｖ）のオシニド金還元分裂して
式（Ｖｌ）の化合物にすることができる。この場合には
、接触的に活性化石れた水素例えはニッケル触媒または
パラジウム触媒（好ましくは、炭酸カルシウムやカーボ
ンのような適当な担体に担持する）のような重金属水素
添加触媒の存在下での水＊１−４１”ｉ？＋１１ｉｈＡ
し〆）ＨイＶ４虫辷ｔｋ＋着巳ｉ二＊ＩＱ’１ｌｂ）？
−＋ａｒＡ＝Ｗ４）−金または重金属アマルガムを含め
た還元性重金属例えば亜鉛を水素給体例えば酢酸のよう
な酸また味、低、Ｒアルカノールのようなアルコールの
存在下でまたは還元性無機塩例えばよう化す） ＩＪウ
ムのようなアルカリ金属よう化物を水素給体例えば酢酸
のような酸の存在下で使うかまたは還元性硫化物例えは
ジメチルサルファイドのようなジ低級アルキルサルファ
イド、還元性有機シん化合物例えば置換されたもしくは
未置換の脂肪族または芳香族炭化水素基を置換基として
もっていることのできるホスフィン飼えばトリーｎ−ブ
チルホスフィンのようなトリ低級アルキルホスフィンま
たはトリフェニルホスフィンのようなトリアリールホス
フィン、さらに置換されたもしくは未置換の脂肪族炭化
水素基を置換基としてもっているホスファイトガえはト
リメチルホスファイトのようなトリ低級アルキルホスフ
ァイト（一般には相当するアルコール付加物の形で）ま
たは置換されたもしくは未置換の脂肪族炭化水素基を置
換基としてもっている亜シん酸トリアミド例えばヘキサ
メチル亜シん酸トリアミド（好ましくはメタノール付加
物の形で）のようなヘキサ低級アルキル−亜ルん酸トリ
アミド、またはデトラシアノエチレンを使うことができ
る。前記の生成したオシニドを、一般には単離しないで
、通常はその製造に使った条件の下で、すなわち適当な
溶媒筐たは溶媒混合つの中でそして冷却′または僅かに
加熱の下て分裂させる。
式（Ｖｌ）の化合物にすることができる。この場合には
、接触的に活性化石れた水素例えはニッケル触媒または
パラジウム触媒（好ましくは、炭酸カルシウムやカーボ
ンのような適当な担体に担持する）のような重金属水素
添加触媒の存在下での水＊１−４１”ｉ？＋１１ｉｈＡ
し〆）ＨイＶ４虫辷ｔｋ＋着巳ｉ二＊ＩＱ’１ｌｂ）？
−＋ａｒＡ＝Ｗ４）−金または重金属アマルガムを含め
た還元性重金属例えば亜鉛を水素給体例えば酢酸のよう
な酸また味、低、Ｒアルカノールのようなアルコールの
存在下でまたは還元性無機塩例えばよう化す） ＩＪウ
ムのようなアルカリ金属よう化物を水素給体例えば酢酸
のような酸の存在下で使うかまたは還元性硫化物例えは
ジメチルサルファイドのようなジ低級アルキルサルファ
イド、還元性有機シん化合物例えば置換されたもしくは
未置換の脂肪族または芳香族炭化水素基を置換基として
もっていることのできるホスフィン飼えばトリーｎ−ブ
チルホスフィンのようなトリ低級アルキルホスフィンま
たはトリフェニルホスフィンのようなトリアリールホス
フィン、さらに置換されたもしくは未置換の脂肪族炭化
水素基を置換基としてもっているホスファイトガえはト
リメチルホスファイトのようなトリ低級アルキルホスフ
ァイト（一般には相当するアルコール付加物の形で）ま
たは置換されたもしくは未置換の脂肪族炭化水素基を置
換基としてもっている亜シん酸トリアミド例えばヘキサ
メチル亜シん酸トリアミド（好ましくはメタノール付加
物の形で）のようなヘキサ低級アルキル−亜ルん酸トリ
アミド、またはデトラシアノエチレンを使うことができ
る。前記の生成したオシニドを、一般には単離しないで
、通常はその製造に使った条件の下で、すなわち適当な
溶媒筐たは溶媒混合つの中でそして冷却′または僅かに
加熱の下て分裂させる。
式（Ｖｌ）のエノール化合物は互変異性体のケト形であ
ることもできる。
ることもできる。
式（■ａ）のエノール化合物は、これを式Ｍｎ＋（−８
ｏ２−８５）ｎ で表わされる重金属スルフィン酸塩または式％式％） で表わされる重金属チオスルホン酸塩と、先に述べた式
（ＩＶａ）の化合物を式（ｉｖｂ）または（Ｎｅ）の化
合物となす反応と同様に反応させることによって、式（
■りまたは＜ｙｃ＞の化合物に変えることができる。
ｏ２−８５）ｎ で表わされる重金属スルフィン酸塩または式％式％） で表わされる重金属チオスルホン酸塩と、先に述べた式
（ＩＶａ）の化合物を式（ｉｖｂ）または（Ｎｅ）の化
合物となす反応と同様に反応させることによって、式（
■りまたは＜ｙｃ＞の化合物に変えることができる。
得られた式（Ｖｌ）の化合物において、基Ｂ？ 、 Ｒ
ｋ：またはＲ８金他の基間、ＢＹ またはＲ８に変える
ことができる。この場合には、式（ＩＡ）ま友は（ＩＢ
）の化合物くおいてこれらの基を相互変換するために述
べたのと同様の反応を採用することができる。
ｋ：またはＲ８金他の基間、ＢＹ またはＲ８に変える
ことができる。この場合には、式（ＩＡ）ま友は（ＩＢ
）の化合物くおいてこれらの基を相互変換するために述
べたのと同様の反応を採用することができる。
段階（４）においては式（■）のエノール化合物をエー
テル化して式（ｎ）の化合物に変える。
テル化して式（ｎ）の化合物に変える。
式（…）の低級アルキルエノールエーテルおよび置換さ
れたもしくは未置換のα−フェニル低級アルキルエノー
ルエーテルを製造するには、エーテル化剤として例えは
相当するジアゾ化合物例えばジアゾメタン、ジアゾエタ
ンまたはジアゾ−ｎ−ブタンのようなジアゾ低級アルカ
ンまたはフェニルジアゾメタンやジフェニルジアゾメタ
ンのような置換されていることのできるα−フェニルソ
アゾ低級アルカンを使う。これらエーテル化剤を適当な
不活性溶媒飼えは脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素
列えはヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンまたはトル
エン、ハ目グン化された脂肪族炭化水素ガえは塩化メチ
レン、低級ア゛ルヵノール例えばメタノール、エタノー
ルま７’Ｃはｔ−ブタノール、またはエーテル例えばジ
エチルエーテルのようなジ低級アルキルエーテルまたは
テトラヒドロフランやソオキサンのようなジ低級アルキ
ルニーは溶媒混合物の存在の下でそしてそれらジアゾ化
物の種類によって冷却、室温または僅かな加熱の下で、
さらに必要あれば密閉容器内でそして（または）窒素ガ
スのような不活性ガスの中で使う。
れたもしくは未置換のα−フェニル低級アルキルエノー
ルエーテルを製造するには、エーテル化剤として例えは
相当するジアゾ化合物例えばジアゾメタン、ジアゾエタ
ンまたはジアゾ−ｎ−ブタンのようなジアゾ低級アルカ
ンまたはフェニルジアゾメタンやジフェニルジアゾメタ
ンのような置換されていることのできるα−フェニルソ
アゾ低級アルカンを使う。これらエーテル化剤を適当な
不活性溶媒飼えは脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素
列えはヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンまたはトル
エン、ハ目グン化された脂肪族炭化水素ガえは塩化メチ
レン、低級ア゛ルヵノール例えばメタノール、エタノー
ルま７’Ｃはｔ−ブタノール、またはエーテル例えばジ
エチルエーテルのようなジ低級アルキルエーテルまたは
テトラヒドロフランやソオキサンのようなジ低級アルキ
ルニーは溶媒混合物の存在の下でそしてそれらジアゾ化
物の種類によって冷却、室温または僅かな加熱の下で、
さらに必要あれば密閉容器内でそして（または）窒素ガ
スのような不活性ガスの中で使う。
また、式（Ｖｌ）のエノール化合物を式ａ： −ＯＨ
で表わされる相当するアルコールの反心性エステルと反
応させることによって、式（ＩＩ）の低級アルキルエノ
ールエーテルまたは置換され友もしくは未置換のα−フ
ェニル低級アルキルエノールエーテルを作ることができ
る。適するエステルは主として強い無機１７′ｃ扛有機
酸とのエステル例えば塩酸臭化水素酸またはよう化水素
酸のようなハロゲン化水素酸、硫酸、フルオル硫酸のよ
うなハロゲン硫酸または強い有機スルホン酸例えばふっ
素原子のようなハロゲン原子で置換されたもしくは未置
＊Ｑ低級アルカンスルホン酸またはメチル基のような低
級アルキル基、臭素原子のようなハロゲン原子および（
ま九は）ニトロ基で置換されていることのできるベンゼ
ンスルホン酸のような芳香族スルホン酸１例えばメタン
スルホン酸、トリフルオルメタンスルホン酸またはｐ−
）ルエンスルホン酸とのエステルでおる。これら反応剤
、殊に硫酸ジメチルのような硫酸ジ低級アルキル、さら
にフルオル硫酸メチルのようなフルオル硫酸低級アルキ
ルまたはトリフルオルメタンスルホン酸メチルのような
ハロダン置換されたもしくは未置換のメタンスルホン酸
低級アルキルエステルわるいは相当するα−フェニル低
級アルキルエステルｆｌｌ工はヘンシルエステルおよび
ジフェニルメチルエステル例えばベンジルハライドやジ
フェニルメチルハライド例えば相当するクロライドやブ
ロマイドを一般に溶媒例えは塩素化のようなハロゲン化
されている場合のある脂肪族、脂環式または芳香原炭化
水素例えば塩化メチレン、ジオキサンやテトラヒドロフ
ランのようなエーテル、メタノールのような低級アルカ
ノールまたは溶媒混合物の存在の下で使う。この場合に
適当な縮合剤例えはナトリウムやカリウムの炭酸塩や重
炭酸塩のようなアルカリ金属の炭酸塩または重炭酸塩（
一般に硫酸エステルを使う場ｆ！ｒ）または有機塩基例
えば一般に立体障害のあるトリ低級アルキルアミンガえ
ばＮ、Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン（好まし
くは、ハロゲノ硫酸低級アルキルエステルｔｙｃはハロ
ゲン置換されたもしくは未置換のメタンスルホン酸低級
アルキルエステルを使う場合）を使い、そして冷却、室
温または加熱の下で例えは約−２０〜＋５０℃でそして
必要ならば密閉容器内でそして（ｔｘは）窒素のような
不活性ガス中で操作する。
応させることによって、式（ＩＩ）の低級アルキルエノ
ールエーテルまたは置換され友もしくは未置換のα−フ
ェニル低級アルキルエノールエーテルを作ることができ
る。適するエステルは主として強い無機１７′ｃ扛有機
酸とのエステル例えば塩酸臭化水素酸またはよう化水素
酸のようなハロゲン化水素酸、硫酸、フルオル硫酸のよ
うなハロゲン硫酸または強い有機スルホン酸例えばふっ
素原子のようなハロゲン原子で置換されたもしくは未置
＊Ｑ低級アルカンスルホン酸またはメチル基のような低
級アルキル基、臭素原子のようなハロゲン原子および（
ま九は）ニトロ基で置換されていることのできるベンゼ
ンスルホン酸のような芳香族スルホン酸１例えばメタン
スルホン酸、トリフルオルメタンスルホン酸またはｐ−
）ルエンスルホン酸とのエステルでおる。これら反応剤
、殊に硫酸ジメチルのような硫酸ジ低級アルキル、さら
にフルオル硫酸メチルのようなフルオル硫酸低級アルキ
ルまたはトリフルオルメタンスルホン酸メチルのような
ハロダン置換されたもしくは未置換のメタンスルホン酸
低級アルキルエステルわるいは相当するα−フェニル低
級アルキルエステルｆｌｌ工はヘンシルエステルおよび
ジフェニルメチルエステル例えばベンジルハライドやジ
フェニルメチルハライド例えば相当するクロライドやブ
ロマイドを一般に溶媒例えは塩素化のようなハロゲン化
されている場合のある脂肪族、脂環式または芳香原炭化
水素例えば塩化メチレン、ジオキサンやテトラヒドロフ
ランのようなエーテル、メタノールのような低級アルカ
ノールまたは溶媒混合物の存在の下で使う。この場合に
適当な縮合剤例えはナトリウムやカリウムの炭酸塩や重
炭酸塩のようなアルカリ金属の炭酸塩または重炭酸塩（
一般に硫酸エステルを使う場ｆ！ｒ）または有機塩基例
えば一般に立体障害のあるトリ低級アルキルアミンガえ
ばＮ、Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン（好まし
くは、ハロゲノ硫酸低級アルキルエステルｔｙｃはハロ
ゲン置換されたもしくは未置換のメタンスルホン酸低級
アルキルエステルを使う場合）を使い、そして冷却、室
温または加熱の下で例えは約−２０〜＋５０℃でそして
必要ならば密閉容器内でそして（ｔｘは）窒素のような
不活性ガス中で操作する。
なお、相移動触媒（Ｋ、 Ｖ、 Ｄｓｈｍｌｏｗ氏の論
文、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｏ Ｃｈｅｍｉｅ−第５号、第
１８７頁（１９７４年）を参照され度い〕によりて上記
のエーテル化反ｉｋ本質的に促進させることができる。
文、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｏ Ｃｈｅｍｉｅ−第５号、第
１８７頁（１９７４年）を参照され度い〕によりて上記
のエーテル化反ｉｋ本質的に促進させることができる。
相移動触媒としては第４ホスホニウム塩および殊に第４
アンモニウム塩例えは置換されたもしくは未置橡ヤテト
ラアルキルアンモニウムハライド例えばテトラブチルア
ンモニウムクロライド、ブロマイドｔｙｃはアイオダイ
ド、またはベンジル−トリエチルアンモニウムクロライ
ドを触媒として十分な量すなわち等モルまでの置で使う
ことができる。有機相としては水に混和しない溶ｌ＆例
えば塩素化のようなハロゲン化されている場合のある脂
肪族、脂環式または芳香族炭化水素例えばトリーまたは
テトラ−クロルエチレン、ジー、トリーまたはテトラ−
クロルエタン、クロルベンゼン、殊に４塩化炭素、また
はトルエンまたはキシレンを使うことができる。縮合剤
として適するアルカリ金属の炭酸塩または重炭酸塩例え
はカリウムまたはナトリウムの炭酸塩または重炭酸塩、
シん酸カリウムの工うなアルカリ金属のりん酸塩および
水酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化物を塩基
に敏感な化合物の場合には反応混合物中に。
アンモニウム塩例えは置換されたもしくは未置橡ヤテト
ラアルキルアンモニウムハライド例えばテトラブチルア
ンモニウムクロライド、ブロマイドｔｙｃはアイオダイ
ド、またはベンジル−トリエチルアンモニウムクロライ
ドを触媒として十分な量すなわち等モルまでの置で使う
ことができる。有機相としては水に混和しない溶ｌ＆例
えば塩素化のようなハロゲン化されている場合のある脂
肪族、脂環式または芳香族炭化水素例えばトリーまたは
テトラ−クロルエチレン、ジー、トリーまたはテトラ−
クロルエタン、クロルベンゼン、殊に４塩化炭素、また
はトルエンまたはキシレンを使うことができる。縮合剤
として適するアルカリ金属の炭酸塩または重炭酸塩例え
はカリウムまたはナトリウムの炭酸塩または重炭酸塩、
シん酸カリウムの工うなアルカリ金属のりん酸塩および
水酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化物を塩基
に敏感な化合物の場合には反応混合物中に。
エーテル化反応中の一億がほぼ７〜８．５でるるように
滴加することができる。
滴加することができる。
ま几、式（Ｖｌ）のエノール化合物を、低級アルキル基
でエーテル化されたヒドロキシル基Ｒニー０の２〜３個
を脂肪族性の同−炭素原子上にもっている化合物すなわ
ち相当するアセタールまたはオルトエステルと酸性剤の
存在下で反応させることによって、式（■）の低級アル
キルエノールエーテル全作ることもできる。例えは、エ
ーテル化剤として２．２−ジメトキシ−プロパンのよう
なｇ＠ｍ−低級アルコキシ低級アルカンｔｐ−）ルエン
スルホン酸のような強い有機スルホン酸および適当な溶
媒飼えはメタノールのような低級アルカノールまたはジ
メチルスルホキシドのようなジ低級アルキル−または低
級アルキレンスルホキシドの存在下で使うかまたはオル
トぎ酸トリエチルエステルのようなオルトぎ酸トリ低級
アルキルエステルを硫酸のような強い無機酸またはｐ−
）ルエンスルホン酸のような強い有機スルホン酸および
適当な溶媒向えはエタノールのような低級アルカノール
またはジオキサンのようなエーテルの存在の下で使うこ
とができ、こうして式（ｎ）における弓が低級アルキル
基例えばメチル基またはエチル基であるｊヒ、倉、物が
得られる。
でエーテル化されたヒドロキシル基Ｒニー０の２〜３個
を脂肪族性の同−炭素原子上にもっている化合物すなわ
ち相当するアセタールまたはオルトエステルと酸性剤の
存在下で反応させることによって、式（■）の低級アル
キルエノールエーテル全作ることもできる。例えは、エ
ーテル化剤として２．２−ジメトキシ−プロパンのよう
なｇ＠ｍ−低級アルコキシ低級アルカンｔｐ−）ルエン
スルホン酸のような強い有機スルホン酸および適当な溶
媒飼えはメタノールのような低級アルカノールまたはジ
メチルスルホキシドのようなジ低級アルキル−または低
級アルキレンスルホキシドの存在下で使うかまたはオル
トぎ酸トリエチルエステルのようなオルトぎ酸トリ低級
アルキルエステルを硫酸のような強い無機酸またはｐ−
）ルエンスルホン酸のような強い有機スルホン酸および
適当な溶媒向えはエタノールのような低級アルカノール
またはジオキサンのようなエーテルの存在の下で使うこ
とができ、こうして式（ｎ）における弓が低級アルキル
基例えばメチル基またはエチル基であるｊヒ、倉、物が
得られる。
さらに、式（Ｖｌ）のエノール化合物を式（Ｒ： ）、
０°Ａ０ で表わされるトリ低級アルキルオキソニウム塩（いわゆ
るメールワイン塩）１式 ％式％ で表わされるジーＲニー０−カルペニウム塩または式 ％式％ で表わされるノー昭−ハロニウム塩で処理する場合にも
１式（ｎ）の低級アルキルエノールエーテルが得られる
。なお、これらの式でＡｏは酸の陰イオｙで；ｈり、Ｈ
ａｄｔ；Ｌハロニウムイオン殊にブロモニウムイオンで
ｔ、ｂそしてＲ輩は低級アルキル基である。このような
塩として、主としてトリ低級アルキルオキソニウム塩、
ジ低級アルコキシカルペニウム塩またはジ低級アルキル
化・ロニウム塩、殊に錯ふっ素含有酸との相当する塩例
えは相遇するテトラフルオルがレート、ヘキサフルオル
ホスフェート、ヘキサフルホルアンチモナーＦまたはへ
キサクロルアンチモナートが挙げられる。このような反
応剤は例えばトリメチルオキソニウム−またはトリエチ
ルオキソニウムーヘキサフルオルアンチモナート、−へ
キサクロルアンチモナート、−へキサフルオルホスフェ
ートまたは−テトラフルオル？レート、ジメトキシカル
ペニウムへキサフルオルホスフェートまたはジメチルグ
ロモニウムへキサフルオルアンチナートで必る。このエ
ーテル化剤金好ましくは不溶性溶ａガえはエーテルやハ
ロゲン化された炭化水素例えはジエチルエーテル、テト
ラヒドロフランまたは塩化メチレンまたはその混合物の
中で、心安ならば有機塩基のような塩基例えはＮ、Ｎ−
ジイソゾロピル−Ｎ−エチルアミンのような好ましくは
立体障害のあるトリ低級アルキルアミンの存在の下でそ
して冷却、室温または僅かに加熱の下で例えば約−２０
〜＋５０℃で、必要ならば密閉容器内でそして（または
）窒素のような不活性ガス中で使う。
０°Ａ０ で表わされるトリ低級アルキルオキソニウム塩（いわゆ
るメールワイン塩）１式 ％式％ で表わされるジーＲニー０−カルペニウム塩または式 ％式％ で表わされるノー昭−ハロニウム塩で処理する場合にも
１式（ｎ）の低級アルキルエノールエーテルが得られる
。なお、これらの式でＡｏは酸の陰イオｙで；ｈり、Ｈ
ａｄｔ；Ｌハロニウムイオン殊にブロモニウムイオンで
ｔ、ｂそしてＲ輩は低級アルキル基である。このような
塩として、主としてトリ低級アルキルオキソニウム塩、
ジ低級アルコキシカルペニウム塩またはジ低級アルキル
化・ロニウム塩、殊に錯ふっ素含有酸との相当する塩例
えは相遇するテトラフルオルがレート、ヘキサフルオル
ホスフェート、ヘキサフルホルアンチモナーＦまたはへ
キサクロルアンチモナートが挙げられる。このような反
応剤は例えばトリメチルオキソニウム−またはトリエチ
ルオキソニウムーヘキサフルオルアンチモナート、−へ
キサクロルアンチモナート、−へキサフルオルホスフェ
ートまたは−テトラフルオル？レート、ジメトキシカル
ペニウムへキサフルオルホスフェートまたはジメチルグ
ロモニウムへキサフルオルアンチナートで必る。このエ
ーテル化剤金好ましくは不溶性溶ａガえはエーテルやハ
ロゲン化された炭化水素例えはジエチルエーテル、テト
ラヒドロフランまたは塩化メチレンまたはその混合物の
中で、心安ならば有機塩基のような塩基例えはＮ、Ｎ−
ジイソゾロピル−Ｎ−エチルアミンのような好ましくは
立体障害のあるトリ低級アルキルアミンの存在の下でそ
して冷却、室温または僅かに加熱の下で例えば約−２０
〜＋５０℃で、必要ならば密閉容器内でそして（または
）窒素のような不活性ガス中で使う。
さらに、式（Ｍ）の化合物の３−ヒドロキシル基に、α
、β−不飽和の脂肪族または脂環式エーテルまたはチオ
エーテル飼えば１−メトキシエテンや１−メトキシゾロ
ペンのよりな１−低級アルコキシー低級アルケン、１−
メチルチオエテンや１−メチルチオプロペンのよりな１
−低級アルキルチオー低級アルケン、環原子５〜７個を
もつオキザーまたはチア−シクロ低級アルカン−２−エ
ンまたは−２，４−ジエン例えば２．３−ジヒドロフラ
ン。
、β−不飽和の脂肪族または脂環式エーテルまたはチオ
エーテル飼えば１−メトキシエテンや１−メトキシゾロ
ペンのよりな１−低級アルコキシー低級アルケン、１−
メチルチオエテンや１−メチルチオプロペンのよりな１
−低級アルキルチオー低級アルケン、環原子５〜７個を
もつオキザーまたはチア−シクロ低級アルカン−２−エ
ンまたは−２，４−ジエン例えば２．３−ジヒドロフラ
ン。
２Ｈ−ビラン、３，４−ジヒドロ−２■−ピランまたは
相当する同様のいおう化合物を酸触媒ガえは硫酸や塩酸
のような無機酸の存在下で付加することによって、式（
…）におけるヒドロキシ保護基Ｒ２が２−オキサ−また
は２−チア−脂肪族ｉたは一脂環式炭化水素基である化
合物が作られる。この付加反応を上記不飽和エーテルま
たはチオ土−テルの過剰員の中でそして所望なうは不溶
性溶媒１１Ｒｊ 、ｔ ハ”ンタン、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、ベンゼン、トルエンその他のような脂肪族、
脂環式または芳香族炭化水素の中で水を避けて行うこと
ができる〇 さらに、式（ｎ）に包含されるシリルエーテルまたはス
タニルエーテル、すなわち式（Ｕ）におけるＲ１がｔ換
されたシリル基またはスタンニル基である化合物は、エ
ノール基のシリル化またはスタンニル化に適する任意の
方法によって作られる。飼えば、ジハログンジ低級アル
キル−シラン、低級アルコキシ−低級アルキル・−ジハ
ログンーシ２ンまたはトリ低級アルキル−シリル−ハラ
イドのような適当なシリル化剤例えはジクロル−ジメチ
ルシラン、メトキシ−メチル−ジクロル−シラン。
相当する同様のいおう化合物を酸触媒ガえは硫酸や塩酸
のような無機酸の存在下で付加することによって、式（
…）におけるヒドロキシ保護基Ｒ２が２−オキサ−また
は２−チア−脂肪族ｉたは一脂環式炭化水素基である化
合物が作られる。この付加反応を上記不飽和エーテルま
たはチオ土−テルの過剰員の中でそして所望なうは不溶
性溶媒１１Ｒｊ 、ｔ ハ”ンタン、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、ベンゼン、トルエンその他のような脂肪族、
脂環式または芳香族炭化水素の中で水を避けて行うこと
ができる〇 さらに、式（ｎ）に包含されるシリルエーテルまたはス
タニルエーテル、すなわち式（Ｕ）におけるＲ１がｔ換
されたシリル基またはスタンニル基である化合物は、エ
ノール基のシリル化またはスタンニル化に適する任意の
方法によって作られる。飼えば、ジハログンジ低級アル
キル−シラン、低級アルコキシ−低級アルキル・−ジハ
ログンーシ２ンまたはトリ低級アルキル−シリル−ハラ
イドのような適当なシリル化剤例えはジクロル−ジメチ
ルシラン、メトキシ−メチル−ジクロル−シラン。
トリメチルシリルクロライドまたはジメチル−ｔ−プブ
チーシリルクロライド（このようなシリルハライド化合
物を好ましくは塩基例えはぎリジンの存在下で使う）、
あるいはＮ−モノー低級アルキル化、Ｎ、Ｎ−ジ低級ア
ルキル化、Ｎ−トリ低級アルキルシリル化ｔａはＮ−低
級アルキル−Ｎ−トリ低級アルキルシリル化されている
場合のあ、ｂＮ−（）リー低級アルキルシリル）−アミ
ン（例えばイギリス特許第１０７３５３０号明細書を参
照され度い）、例えはへキサメチルジシラザンのような
ヘキサ低級アルキルジシラザン、またはシリル化された
カルゲン酸アミド例えばビス−トリメチルシリル−アセ
トアミドのようなどスートリ低級アルキルシリルーアセ
トアミドま几はトリフルオルシリルアセトアミドで処理
するか、または適当なスタンニル化剤例えばビス−（ト
リーｎ−ブチル−すず）−オキシドのようなビス−（ト
リー低級アルキル−すず）−オキシド、トリエチルスス
−ハイドロオキシドのようなトリー低級アルキルすず−
ハイドロオキシド、トリ低級アルキル−低級アルコキシ
すず化合物、テトラ低級アルコキシすず化合物またはテ
トラ低級アルキルすず化合物あるいはトリーｎ−ブチル
すずクロライドのようなトリ低級アルキルすずハライド
（例えばオランダ特願第６７／１１１０７号明細書を参
照され度い）で処理するのである。
チーシリルクロライド（このようなシリルハライド化合
物を好ましくは塩基例えはぎリジンの存在下で使う）、
あるいはＮ−モノー低級アルキル化、Ｎ、Ｎ−ジ低級ア
ルキル化、Ｎ−トリ低級アルキルシリル化ｔａはＮ−低
級アルキル−Ｎ−トリ低級アルキルシリル化されている
場合のあ、ｂＮ−（）リー低級アルキルシリル）−アミ
ン（例えばイギリス特許第１０７３５３０号明細書を参
照され度い）、例えはへキサメチルジシラザンのような
ヘキサ低級アルキルジシラザン、またはシリル化された
カルゲン酸アミド例えばビス−トリメチルシリル−アセ
トアミドのようなどスートリ低級アルキルシリルーアセ
トアミドま几はトリフルオルシリルアセトアミドで処理
するか、または適当なスタンニル化剤例えばビス−（ト
リーｎ−ブチル−すず）−オキシドのようなビス−（ト
リー低級アルキル−すず）−オキシド、トリエチルスス
−ハイドロオキシドのようなトリー低級アルキルすず−
ハイドロオキシド、トリ低級アルキル−低級アルコキシ
すず化合物、テトラ低級アルコキシすず化合物またはテ
トラ低級アルキルすず化合物あるいはトリーｎ−ブチル
すずクロライドのようなトリ低級アルキルすずハライド
（例えばオランダ特願第６７／１１１０７号明細書を参
照され度い）で処理するのである。
式（Ｉｌａ）におけるＢが低級アルキル基またはヒドロ
キシ保護基である化合物は、これを弐Ｍｎ＋（−３０２
−Ｒ５）１ で表わされる重金属スルフィン酸塩または式％式％） で表わされる重金稿チオスルホン酸塩と、先に述べた式
（■＆）の化合物を式（ｔｖｂ ）１次は（■Ｃ）の化
合物となす反応と同様に反応させることによって式（ｌ
ｌｂ）または（Ｉｌｃ）の化合物に変えることができる
。
キシ保護基である化合物は、これを弐Ｍｎ＋（−３０２
−Ｒ５）１ で表わされる重金属スルフィン酸塩または式％式％） で表わされる重金稿チオスルホン酸塩と、先に述べた式
（■＆）の化合物を式（ｔｖｂ ）１次は（■Ｃ）の化
合物となす反応と同様に反応させることによって式（ｌ
ｌｂ）または（Ｉｌｃ）の化合物に変えることができる
。
得られた式（１［）の化合物において、基Ｒ１、Ｒ４、
吋またはＲ３を他の基Ｒ↑、時、Ｒ′２まｆｃはＲ３に
変えることができる。この場合に１式ＣＩＡ）または（
ＩＶ）の化合物においてこれらの基を相互変換するのに
挙げたものと同様の反応を採用することができる。
吋またはＲ３を他の基Ｒ↑、時、Ｒ′２まｆｃはＲ３に
変えることができる。この場合に１式ＣＩＡ）または（
ＩＶ）の化合物においてこれらの基を相互変換するのに
挙げたものと同様の反応を採用することができる。
本発明による薬理的に有用な化合物は、例えはこの活性
物質の医薬として有効なａｔ経腸投与または好ましくは
非経腸投与に適する無機または有機の固体または液体の
医薬的に有用な担体といっしょにまたは混合して含む医
薬用製剤の製造に使うことができる。従って、この活性
物質を稀釈剤例えば乳糖、ぶどう糖、しょ糖、マンニッ
ト、ソルビット、セルロースおよび（または）グリシン
および滑沢剤例えばシリカ、タルク、ステアリン酸また
はステアリン酸マグネシウムやステアリン酸カルシウム
のようなステアリン酸塩および（まタハ）ポリエチレン
グリコールとい９しよに含む錠剤またはゼラチンカプセ
ルを使う。錠剤としては、結合剤例えばけい酸マグネシ
ウムアルミニウム、でんぷん飼えはとうもろこしでんぷ
ん、小麦でんぷん、米でんぷんまたはアロー・ルートで
んぷん、ゼラチン、トラガカントゴム、メチルセルロー
ス、ナトリウムカルボキシメチルセルロールおよび（ま
たは）ポリビニルピロリドンおよび所望ならば膨化剤利
えはでんぷん、寒天、アルギン酸ま７１ｃはアルギン酸
ナトリウムおよび（または）起泡混合物および（ま友は
）吸着剤、゛染料、香料および甘味剤を含む仁とができ
る。さらに、それら新薬理活性化合物を注射用例えば静
脈内投与用配合物または注入溶液の形で使うことができ
る。
物質の医薬として有効なａｔ経腸投与または好ましくは
非経腸投与に適する無機または有機の固体または液体の
医薬的に有用な担体といっしょにまたは混合して含む医
薬用製剤の製造に使うことができる。従って、この活性
物質を稀釈剤例えば乳糖、ぶどう糖、しょ糖、マンニッ
ト、ソルビット、セルロースおよび（または）グリシン
および滑沢剤例えばシリカ、タルク、ステアリン酸また
はステアリン酸マグネシウムやステアリン酸カルシウム
のようなステアリン酸塩および（まタハ）ポリエチレン
グリコールとい９しよに含む錠剤またはゼラチンカプセ
ルを使う。錠剤としては、結合剤例えばけい酸マグネシ
ウムアルミニウム、でんぷん飼えはとうもろこしでんぷ
ん、小麦でんぷん、米でんぷんまたはアロー・ルートで
んぷん、ゼラチン、トラガカントゴム、メチルセルロー
ス、ナトリウムカルボキシメチルセルロールおよび（ま
たは）ポリビニルピロリドンおよび所望ならば膨化剤利
えはでんぷん、寒天、アルギン酸ま７１ｃはアルギン酸
ナトリウムおよび（または）起泡混合物および（ま友は
）吸着剤、゛染料、香料および甘味剤を含む仁とができ
る。さらに、それら新薬理活性化合物を注射用例えば静
脈内投与用配合物または注入溶液の形で使うことができ
る。
このような溶液は等仮性の水溶液または水性懸濁液であ
るのが好ましく、これらは例えばその活性物質だけを含
むかまたは担体ガえばマンニットといっしょに含む真空
凍結乾燥された配合物から投与前に調製される。これら
医薬用製剤を殺菌しそして（または）助剤囲えは防腐剤
、安定剤、湿潤剤および（または）乳化剤、 ’ａＪ溶
化剤、浸透圧を調整する塩および（１７ｔは）緩衝剤を
含ませることができる。これら医薬用製剤はそれ自体公
知の方法によって、例えば慣用の混合、顆粒化、被覆、
溶解または真空凍結乾燥の方法によって作られそして活
性物質を約０．１〜１００％殊に約１〜５゜係（Ｘ空凍
結乾燥物は１００俤までのｊｉｌ）の嵐で含みヤして所
望によっては他の薬理的に価値ある物質を含むことがで
きる。
るのが好ましく、これらは例えばその活性物質だけを含
むかまたは担体ガえばマンニットといっしょに含む真空
凍結乾燥された配合物から投与前に調製される。これら
医薬用製剤を殺菌しそして（または）助剤囲えは防腐剤
、安定剤、湿潤剤および（または）乳化剤、 ’ａＪ溶
化剤、浸透圧を調整する塩および（１７ｔは）緩衝剤を
含ませることができる。これら医薬用製剤はそれ自体公
知の方法によって、例えば慣用の混合、顆粒化、被覆、
溶解または真空凍結乾燥の方法によって作られそして活
性物質を約０．１〜１００％殊に約１〜５゜係（Ｘ空凍
結乾燥物は１００俤までのｊｉｌ）の嵐で含みヤして所
望によっては他の薬理的に価値ある物質を含むことがで
きる。
なお１本明細書において、低級と示された有機好ましく
は４個までもつのである。アシル基は炭素原子を２０個
まで、好ましくは１２個までそして主として７個までも
つものである。
は４個までもつのである。アシル基は炭素原子を２０個
まで、好ましくは１２個までそして主として７個までも
つものである。
次に実施例によって本発明をさらに具体的に説明する。
これら実施例に記載のセフェム化合物はその６−および
７−位置がそしてアゼチジノン化合物はその３−および
４−位置がＲ−立体配置である。
７−位置がそしてアゼチジノン化合物はその３−および
４−位置がＲ−立体配置である。
鳳１余白
例１
２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
ツー３−メトキシ−クロトン酸−ｐ−ニトロベンジルエ
ステルと相当するイソクロトン酸エステルとの約４＝１
の比から成る異性体混合物１３３〜（０，２ｍＭ）を乾
燥テトラヒドロフラン４ゴに溶かし、この溶液に１，５
−ジアザビシクロ［：５．４．０：Ｉウンデカ−５−エ
ン６゜μ／（２当り）のテトラヒドロフラン１ｄに溶が
した溶液を５分間で滴加する。室温で４０分間放置した
後にベンゼン２０ｍ１で希釈し、水浴中で冷却しそして
１０％のくえん酸溶液１ｏｒｎｌを加えて１０分間かき
まぜる。有機層を分けて飽和食塩水。
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
ツー３−メトキシ−クロトン酸−ｐ−ニトロベンジルエ
ステルと相当するイソクロトン酸エステルとの約４＝１
の比から成る異性体混合物１３３〜（０，２ｍＭ）を乾
燥テトラヒドロフラン４ゴに溶かし、この溶液に１，５
−ジアザビシクロ［：５．４．０：Ｉウンデカ−５−エ
ン６゜μ／（２当り）のテトラヒドロフラン１ｄに溶が
した溶液を５分間で滴加する。室温で４０分間放置した
後にベンゼン２０ｍ１で希釈し、水浴中で冷却しそして
１０％のくえん酸溶液１ｏｒｎｌを加えて１０分間かき
まぜる。有機層を分けて飽和食塩水。
１０％の炭酸水素ナトリウム溶液そして食塩水で洗う・
この溶液を硫酸マグネシウムで乾かし、真空中で濃縮し
、得られた黄色の油を酸洗いしたシリカゲル（シリカゲ
ル２に９を塩酸２１の中で１０分…ｊかきまぜる操作を
３回行い、デカンテーシ。
この溶液を硫酸マグネシウムで乾かし、真空中で濃縮し
、得られた黄色の油を酸洗いしたシリカゲル（シリカゲ
ル２に９を塩酸２１の中で１０分…ｊかきまぜる操作を
３回行い、デカンテーシ。
ンし、蒸留水で中性になるまで洗い、メタノールで洗い
そして１２０℃で６０分間活性化する）４９上で溶離剤
としてベンゼンと酢酸エステルとの５＝１の混合物を使
ってクロマトグラフ処理して精製する。異性体混合物を
含む区劃を合わせて真空中で濃縮する。こうして７β−
フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エ
ム−４−カルがン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルと７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフー’
２−エムー４−カルがン酸−ｐ−ニトロペンシルエステ
ルとの約３＝１の比から成る半固形の異性体混合物が得
られる。これをＷｏｅ１ｍシリカゲル（活性度■）上で
ベンゼンと酢酸エチルとの５：１の混合物を便って各異
性体に分離することができる。すなわち、早く移動する
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−七フー
２−エムー４−カルゲン酸−ｐ−ニトロベンジルエステ
ルは塩化メチレンとエーテルとの混合物から再結晶した
後に融点が１２９〜１３１Ｌ５℃である。遅く移動する
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−
３−エム−４−カルボンＷ−ｏ−二トロベンジルエステ
ルハｆｉ点１４０．５〜１４２℃（塩化メチレンとエー
テルとの混合物から）である。
そして１２０℃で６０分間活性化する）４９上で溶離剤
としてベンゼンと酢酸エステルとの５＝１の混合物を使
ってクロマトグラフ処理して精製する。異性体混合物を
含む区劃を合わせて真空中で濃縮する。こうして７β−
フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エ
ム−４−カルがン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルと７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフー’
２−エムー４−カルがン酸−ｐ−ニトロペンシルエステ
ルとの約３＝１の比から成る半固形の異性体混合物が得
られる。これをＷｏｅ１ｍシリカゲル（活性度■）上で
ベンゼンと酢酸エチルとの５：１の混合物を便って各異
性体に分離することができる。すなわち、早く移動する
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−七フー
２−エムー４−カルゲン酸−ｐ−ニトロベンジルエステ
ルは塩化メチレンとエーテルとの混合物から再結晶した
後に融点が１２９〜１３１Ｌ５℃である。遅く移動する
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−
３−エム−４−カルボンＷ−ｏ−二トロベンジルエステ
ルハｆｉ点１４０．５〜１４２℃（塩化メチレンとエー
テルとの混合物から）である。
この生成物を次のようにさらに処理することができる。
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−
２−エム−４α−カルデン酸−ｐ−＝トロベンジルエス
テルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルピン酸−ｐ−ニトロベンジル
エステルとの約３：１から成る粗製混合物５５５ｍ９（
１，１１ｍＭ ）のテトラヒドロ７ラン３３ｆｆｌｌＫ
ｏ℃で溶かして調製した溶液を、０℃に予じめ冷却した
０６ＩＮの水酸化カリウム溶液１６ゴとかきまぜながら
混合する。
２−エム−４α−カルデン酸−ｐ−＝トロベンジルエス
テルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルピン酸−ｐ−ニトロベンジル
エステルとの約３：１から成る粗製混合物５５５ｍ９（
１，１１ｍＭ ）のテトラヒドロ７ラン３３ｆｆｌｌＫ
ｏ℃で溶かして調製した溶液を、０℃に予じめ冷却した
０６ＩＮの水酸化カリウム溶液１６ゴとかきまぜながら
混合する。
この混合物を０℃で５分間かきまぜてから、これに氷水
ＩＱ□ｎ／と予じめ冷却した塩化メチレン１００ｒｎＡ
’とを加えて短詩１１４１かきまぜる。これに飽和塩化
ナトリウム水浴液１ａｇを加えて２相に分離させる。有
機相を分け、そして水相を塩化メチレン２０ｍＡ！ｆ再
ｒＹ法うて≠為ら、出仕メチレン５０ｍで覆いそして２
Ｎの塩酸２０１ｄを加えて酸性にする。振とうした後に
有機相を分けそしてその酸性溶液ヲ塩化メチレン１０＋
Ｊ？づつでさらに２回抽出する。塩化メチレン抽出液を
合わせて硫酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発す
る。残分を塩化メチレンとジエチルエーテルとペンタン
との混合物から再結晶すれば、融点１４２〜１４５℃の
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−
２−エム−４α−カルボン酸［与エル。
ＩＱ□ｎ／と予じめ冷却した塩化メチレン１００ｒｎＡ
’とを加えて短詩１１４１かきまぜる。これに飽和塩化
ナトリウム水浴液１ａｇを加えて２相に分離させる。有
機相を分け、そして水相を塩化メチレン２０ｍＡ！ｆ再
ｒＹ法うて≠為ら、出仕メチレン５０ｍで覆いそして２
Ｎの塩酸２０１ｄを加えて酸性にする。振とうした後に
有機相を分けそしてその酸性溶液ヲ塩化メチレン１０＋
Ｊ？づつでさらに２回抽出する。塩化メチレン抽出液を
合わせて硫酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発す
る。残分を塩化メチレンとジエチルエーテルとペンタン
との混合物から再結晶すれば、融点１４２〜１４５℃の
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−
２−エム−４α−カルボン酸［与エル。
前記の原料は次のようにして作られる。
（ａ） ６−フニノキシアセトアミドーペニシラン酸−
１β−オキシド３６．６ｇ（０，１Ｍ）とトリエチルア
ミン１１．１１１（０，１１Ｍ）とｐ−ニトロベンジル
ブロマイド２３．８ｇ（０，１１Ｍ）とをジメチルホル
ムアミ）’２００ｎ７に溶かして窒素ガス中で室温で４
時間かきまぜる。反応溶液を氷水１．５ノ中に注ぎ入れ
、沈殿をろ別し、乾そしそして酢酸エステルと塩化メチ
レンとの混合物から２回再結晶する。こうして得た無色
の結晶性の６−フエツキシアセトアミドペニシランｆｌ
ｉｔ−ｐ−ニトロペンジルエステルー１β−オキシドは
１７９〜１８０℃で融解する。
１β−オキシド３６．６ｇ（０，１Ｍ）とトリエチルア
ミン１１．１１１（０，１１Ｍ）とｐ−ニトロベンジル
ブロマイド２３．８ｇ（０，１１Ｍ）とをジメチルホル
ムアミ）’２００ｎ７に溶かして窒素ガス中で室温で４
時間かきまぜる。反応溶液を氷水１．５ノ中に注ぎ入れ
、沈殿をろ別し、乾そしそして酢酸エステルと塩化メチ
レンとの混合物から２回再結晶する。こうして得た無色
の結晶性の６−フエツキシアセトアミドペニシランｆｌ
ｉｔ−ｐ−ニトロペンジルエステルー１β−オキシドは
１７９〜１８０℃で融解する。
（ｂ） ６−フニノキシアセトアミドベニシラン酸−ｐ
−ニトロベンジルエステル−１β−オキシド５．０１．
！ｉ’（１０ｍＭ）と２−メルカグトペンズチアゾール
１．６７ｇ（１０ｒｎＭ） とを乾いたトルエン１１０
ｒｎｌ［溶かして窒素ガス中で還流の下で４時間煮沸す
る。この溶液を約２５１ｄＫ、ｍ縮してエーテル約１０
０ｍ１で希釈する。析出した生成物を塩化メチレンとエ
ーテルとの混合物から再結晶すれば、融点１３８〜１４
１℃の２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチノ
ン−１−イル〕−３−メ５−レンー酪Ｃ１ｋ−ｐ−ニト
ロベンシルエステルが得られる。
−ニトロベンジルエステル−１β−オキシド５．０１．
！ｉ’（１０ｍＭ）と２−メルカグトペンズチアゾール
１．６７ｇ（１０ｒｎＭ） とを乾いたトルエン１１０
ｒｎｌ［溶かして窒素ガス中で還流の下で４時間煮沸す
る。この溶液を約２５１ｄＫ、ｍ縮してエーテル約１０
０ｍ１で希釈する。析出した生成物を塩化メチレンとエ
ーテルとの混合物から再結晶すれば、融点１３８〜１４
１℃の２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチノ
ン−１−イル〕−３−メ５−レンー酪Ｃ１ｋ−ｐ−ニト
ロベンシルエステルが得られる。
（ｃ） アセトンと水との９：ｌ（容量比）の混合物２
００１ｄに溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−２
−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オ
キソアセチノン−１−イル〕−３−メチレン−酪酸−ｐ
−二トロベンジルエステル３．２５ Ｅｌ （５，０ｍ
Ｍ ）の溶液に微粉化した硝酸銀１．０６Ｉ！を加える
。これに同じ溶媒混合物１００ｄに溶かしたｐ−）ルエ
ンスルフィン酸ナトＩＪ ’７ム８９０ ”？ （５ｍ
Ｍ ）の溶液を１０分間で注ぎ入れる。直ちに淡黄色沈
殿が生成する。室温で１時間かきまぜた後にセライトを
加えてろ過する。ろ液を水で希釈しそしてエーテルで２
回抽出する。
００１ｄに溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−２
−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オ
キソアセチノン−１−イル〕−３−メチレン−酪酸−ｐ
−二トロベンジルエステル３．２５ Ｅｌ （５，０ｍ
Ｍ ）の溶液に微粉化した硝酸銀１．０６Ｉ！を加える
。これに同じ溶媒混合物１００ｄに溶かしたｐ−）ルエ
ンスルフィン酸ナトＩＪ ’７ム８９０ ”？ （５ｍ
Ｍ ）の溶液を１０分間で注ぎ入れる。直ちに淡黄色沈
殿が生成する。室温で１時間かきまぜた後にセライトを
加えてろ過する。ろ液を水で希釈しそしてエーテルで２
回抽出する。
エーテル抽出液を合わせて硫酸ナトリウムで乾かしそし
て蒸発すれば、淡黄色の固体として２−〔４−（ｐ−ト
ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド
−２−オキソアゼチジン−１−イル）−３−メチレン酪
酸ｐ−ニトロベンジルエステルが生成する。シリカダル
上での薄層クロマトグラム（トルエン・酢酸エチル２
： １ ） ： Ｒｆ＝０．２４、Ｉｎスペクトル（Ｃ
Ｈ２Ｃｌ２） ： ３．９０．５．５６．５．７０．５
．８７．６．２３．６．５３．６．６６．７．４０．７
．５０．８．１０．８．７２．９．２５．１０．９５μ
に特性バンド。この生成物をさらに精製しないで反応に
使うことができる。
て蒸発すれば、淡黄色の固体として２−〔４−（ｐ−ト
ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド
−２−オキソアゼチジン−１−イル）−３−メチレン酪
酸ｐ−ニトロベンジルエステルが生成する。シリカダル
上での薄層クロマトグラム（トルエン・酢酸エチル２
： １ ） ： Ｒｆ＝０．２４、Ｉｎスペクトル（Ｃ
Ｈ２Ｃｌ２） ： ３．９０．５．５６．５．７０．５
．８７．６．２３．６．５３．６．６６．７．４０．７
．５０．８．１０．８．７２．９．２５．１０．９５μ
に特性バンド。この生成物をさらに精製しないで反応に
使うことができる。
なお、次の方法によりても同じ化合物が得られる。
（ｅｉ） アセトンと水との９＝１（容ｌ−比）の混合
物２００ｄに溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イル〕−３−、、’チレンー酪
ｅ−ｐ−ニトロベンジルエステル３．２５．９（５、Ｏ
ｍＭ ）の溶液にｐ−トルエンスルフィン酸銀１．５８
ｇ（１，２当１ｉｋ）を少しづつ１０分間で加える。
物２００ｄに溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イル〕−３−、、’チレンー酪
ｅ−ｐ−ニトロベンジルエステル３．２５．９（５、Ｏ
ｍＭ ）の溶液にｐ−トルエンスルフィン酸銀１．５８
ｇ（１，２当１ｉｋ）を少しづつ１０分間で加える。
この懸濁体を室温で１時間かきまぜ、ろ過しそして例１
の（ｃ）項に記載したように後処理する。こうして２−
（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキ
シア七ドアミドー２−オキソアゼチジン−１−イルツー
３−メｆし７−酪Ｈ−ｐ−ニトロペンジルエステルカ定
量的収率で得られる。
の（ｃ）項に記載したように後処理する。こうして２−
（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキ
シア七ドアミドー２−オキソアゼチジン−１−イルツー
３−メｆし７−酪Ｈ−ｐ−ニトロペンジルエステルカ定
量的収率で得られる。
なお、ｐ−）ルエンスルフイン酸銀は硝酸銀とｐ−）ル
エンスルフィン酸ナトリウムとの等モル量の水溶液を混
合することによって無色沈殿として得られる。この生成
物を真空中で２４時間乾かす０ （ｅｉｉ） 例１の（ｃｌ） の項の方法に従−ｐて、
２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メチレンー酪酸−ｐ−二トロベンジルエ
ステル３．２５Ｉｌと銅−（１−ジ−ｐ−トルエンスル
フィナート１．８７．９（２当量）とから、２−（４−
（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセ
トアミドー２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メ
チレン酪酸−ｐ−二） Ｏｗ ｙ 、−）ルエステルを
定量的収率で得ることができる。
エンスルフィン酸ナトリウムとの等モル量の水溶液を混
合することによって無色沈殿として得られる。この生成
物を真空中で２４時間乾かす０ （ｅｉｉ） 例１の（ｃｌ） の項の方法に従−ｐて、
２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メチレンー酪酸−ｐ−二トロベンジルエ
ステル３．２５Ｉｌと銅−（１−ジ−ｐ−トルエンスル
フィナート１．８７．９（２当量）とから、２−（４−
（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセ
トアミドー２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メ
チレン酪酸−ｐ−二） Ｏｗ ｙ 、−）ルエステルを
定量的収率で得ることができる。
銅−（ＩＩ）−ジーｐ−）ルエンスルフィナートは硫酸
銅とｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム（２当量）と
を水中で反応させることにより得られる。この塩をろ別
した後に６０Ｃで真空中で１２時間乾かす。
銅とｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム（２当量）と
を水中で反応させることにより得られる。この塩をろ別
した後に６０Ｃで真空中で１２時間乾かす。
（ｃｉｉｉ） 例１の（ｃｌ）項の方法に従って２−〔
４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−・イ
ルツー３−メチレン酪酸−ｐ−ニトロペンシルエステル
１３０ＩＩｇと亜鉛−（Ｉｌ）−ジーＰ−）ルエンスル
フイナート８５ｍ？（２当ぢ゛）とから２−［４−（ｐ
−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メチレ
ン酪酸−ｐ−ニトロベンジルエステルが得られる。
４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−・イ
ルツー３−メチレン酪酸−ｐ−ニトロペンシルエステル
１３０ＩＩｇと亜鉛−（Ｉｌ）−ジーＰ−）ルエンスル
フイナート８５ｍ？（２当ぢ゛）とから２−［４−（ｐ
−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メチレ
ン酪酸−ｐ−ニトロベンジルエステルが得られる。
亜鉛−（ｎ）−ジ−ｐ−トルエンスルフィナートは塩化
亜鉛（ｎ） （２Ｈ２０）とｐ−）ルエンスルフィン酸
ナトリウムとを水中で反応させることによって得られる
。この塩をろ別して水で洗った後に真空中で５０〜６０
℃で約１２時間乾かす。
亜鉛（ｎ） （２Ｈ２０）とｐ−）ルエンスルフィン酸
ナトリウムとを水中で反応させることによって得られる
。この塩をろ別して水で洗った後に真空中で５０〜６０
℃で約１２時間乾かす。
（東）例１の（ｃｌ）項の方法に従って２−（４−（ベ
ンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル］−３−
メチレン酪ｅ−ｐ−二トロペンジルエステル１３０９と
水銀−（ｎ）−ジ−ｐ−トルエンスルフィナートｘ０２
■（２当量）とから２−［４−（ｐ−トルエンスルホニ
ルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸−ｐ−ニド四
ベンジルエステルが得られる。
ンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル］−３−
メチレン酪ｅ−ｐ−二トロペンジルエステル１３０９と
水銀−（ｎ）−ジ−ｐ−トルエンスルフィナートｘ０２
■（２当量）とから２−［４−（ｐ−トルエンスルホニ
ルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸−ｐ−ニド四
ベンジルエステルが得られる。
水銀−（ｎ）−ジーｐ−）ルエンスルフイナートは酢酸
第２水銀とｐ−）ルエンスルフィン酸ナトリウムとを水
中で反応させることによシ得られる。
第２水銀とｐ−）ルエンスルフィン酸ナトリウムとを水
中で反応させることによシ得られる。
この塩をろ別しそして水で洗った後に真空中で５０〜６
０℃で約１２時間乾かす。
０℃で約１２時間乾かす。
（ｃｖ） ６−フェノキシアセトアミド−４ニアラン酸
−ｐ−ニトロベンジルエステル−１β−オキシド５１７
”ｌｉ’（１，０２ｍＭ ） とｐ−トル：Ｌ ンス／
ｌ／フィン酸１８７１％’（１，２ｍＭ） とを１，２
−ジメトキシエタンまたはジオキサン１０ｒｎｌに溶か
して分子ふるい（モレキュラー・シープ３Ａ）３．５ｇ
の存在下で窒素中で還流の下で４．５時間加熱し、この
際ｐ−トルエンスルフィン酸３０８ｍ９（１，９８ｍＭ
）を１．２−ジメトキシエタン２ｄに溶かして５回に分
けて４５分間隔で加える。４．５時間後に反応混合物を
５％の炭酸水素す）ＩＪウム水溶液１００ｍ１に注ぎ入
れて酢酸エチルで抽出する。有機相を合わせて水および
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸マグネシウムで
乾かしそして蒸発する。残分をシリカゲル薄層板上でト
ルエンと酢酸エチルとの２：１の系でクロマトグラム処
理すｆｔば、２−［４−（ｐ−１ルエンスルホニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルシー３−メチレン酪ｅ−ｐ−＝トロペンジ
ルエステルカ得ラうル。
−ｐ−ニトロベンジルエステル−１β−オキシド５１７
”ｌｉ’（１，０２ｍＭ ） とｐ−トル：Ｌ ンス／
ｌ／フィン酸１８７１％’（１，２ｍＭ） とを１，２
−ジメトキシエタンまたはジオキサン１０ｒｎｌに溶か
して分子ふるい（モレキュラー・シープ３Ａ）３．５ｇ
の存在下で窒素中で還流の下で４．５時間加熱し、この
際ｐ−トルエンスルフィン酸３０８ｍ９（１，９８ｍＭ
）を１．２−ジメトキシエタン２ｄに溶かして５回に分
けて４５分間隔で加える。４．５時間後に反応混合物を
５％の炭酸水素す）ＩＪウム水溶液１００ｍ１に注ぎ入
れて酢酸エチルで抽出する。有機相を合わせて水および
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸マグネシウムで
乾かしそして蒸発する。残分をシリカゲル薄層板上でト
ルエンと酢酸エチルとの２：１の系でクロマトグラム処
理すｆｔば、２−［４−（ｐ−１ルエンスルホニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルシー３−メチレン酪ｅ−ｐ−＝トロペンジ
ルエステルカ得ラうル。
（ｅｖｉ）過酸化物を含まない乾いたジオキサン２ｍ６
の中で６−フニノキシア□セトアミドーペニシラ７ｅ−
ｐ−二トロペンジルエステル−１β−オキシド２５０１
ｆＱ （０，５ｍＭ ） とｐ−トルエンスルホニルシ
アナイド１１０■（０，６１ｍＭ）とベンジル−トリエ
チルアンモニウムクロライド５■（０，０２２ｍＭ）
との混合物をアルゴン中で１１０℃で４．５時間かきま
ぜる。次に溶媒を真空下で蒸発し、残った黄色の油を酸
洗いしたシリカゲル上でクロマトグラフ処理する。酢酸
エチル３０係を含むトルエンで溶離すれば２− ［：４
−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−
メチレン酪酸−ｐ−二トロペンジルエンテルを生成する
。
の中で６−フニノキシア□セトアミドーペニシラ７ｅ−
ｐ−二トロペンジルエステル−１β−オキシド２５０１
ｆＱ （０，５ｍＭ ） とｐ−トルエンスルホニルシ
アナイド１１０■（０，６１ｍＭ）とベンジル−トリエ
チルアンモニウムクロライド５■（０，０２２ｍＭ）
との混合物をアルゴン中で１１０℃で４．５時間かきま
ぜる。次に溶媒を真空下で蒸発し、残った黄色の油を酸
洗いしたシリカゲル上でクロマトグラフ処理する。酢酸
エチル３０係を含むトルエンで溶離すれば２− ［：４
−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−
メチレン酪酸−ｐ−二トロペンジルエンテルを生成する
。
（ｅｖｉｉ）純ゾオキサンＩＩｒＬｌ中でＰ−４ルエン
スルホニルシアナイド１１０１ｎｆｉ’（０，６１ｍＭ
） とテトラエチルアンモニウムブロマイド４．５ Ｉ
ｎ９（０，０２１ｍＭ ） との混合物をアルゴン中で
１１０℃で３０分間かきまぜる。ジオキサンｌＩｎ１に
６−フェノキシアセトアミドペニシラン酸−ｐ−ニトロ
ベンジルエステル−１β−オキシド２５０■（０，５ｍ
Ｍ）を懸濁して加え、得られた溶液をアルゴン中で１１
０℃で４時間かきまぜる。溶媒を真空下で除き、粗生成
物を酢酸エチルに溶かして水および飽和食塩水溶液で洗
う。有機相を硫酸マグネシウムで乾かしそして真空中で
溶媒を除けば粗製の２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニ
ルチオ）−３−フェノキクアセトアミド−３−オキソア
ゼチジン−１−イルツー３−メチレン酪酸−ｐ−ニトロ
ベンジルエステルを与える。
スルホニルシアナイド１１０１ｎｆｉ’（０，６１ｍＭ
） とテトラエチルアンモニウムブロマイド４．５ Ｉ
ｎ９（０，０２１ｍＭ ） との混合物をアルゴン中で
１１０℃で３０分間かきまぜる。ジオキサンｌＩｎ１に
６−フェノキシアセトアミドペニシラン酸−ｐ−ニトロ
ベンジルエステル−１β−オキシド２５０■（０，５ｍ
Ｍ）を懸濁して加え、得られた溶液をアルゴン中で１１
０℃で４時間かきまぜる。溶媒を真空下で除き、粗生成
物を酢酸エチルに溶かして水および飽和食塩水溶液で洗
う。有機相を硫酸マグネシウムで乾かしそして真空中で
溶媒を除けば粗製の２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニ
ルチオ）−３−フェノキクアセトアミド−３−オキソア
ゼチジン−１−イルツー３−メチレン酪酸−ｐ−ニトロ
ベンジルエステルを与える。
（ｄ） 乾いた酢酸メチル３０ｔＡ’に溶かした２−〔
４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−、フェノキ
シアセトアミド−２−オキソアセチ２ンーｌ−イル〕−
３−メチレｙ酪酸−ｐ−ニトロペンジルエステル１．９
２９ （３，０ｍＭ ）を溶かし、これに−７８℃でオ
ゾン１．１当粗を３３分間で導入する。
４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−、フェノキ
シアセトアミド−２−オキソアセチ２ンーｌ−イル〕−
３−メチレｙ酪酸−ｐ−ニトロペンジルエステル１．９
２９ （３，０ｍＭ ）を溶かし、これに−７８℃でオ
ゾン１．１当粗を３３分間で導入する。
次に余分のオゾンを窒素気流（−７８℃で１５分間）で
除く。これにジメチルサルファイド２．２ｄ（１０当長
）を加え、反応液を室温にもたらす。
除く。これにジメチルサルファイド２．２ｄ（１０当長
）を加え、反応液を室温にもたらす。
５時間放置した後に溶媒を真空中で留去し、残った無色
の油をベンゼン１００＃Ｉ７Ｉに溶かす。このベンゼン
溶液を飽和食塩溶液５０ｒｎｌづつで３回洗い、硫酸マ
グネシウムで乾かしそして真空中で蒸発乾固する。残分
をトルエンから再結晶すれば、融点１５９〜１６０℃の
２−［４−（ｐ−）ルエン不ルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−ヒドロキシクロトン６９−ｐ−ニトロベンジル
エステルが１４）られる。
の油をベンゼン１００＃Ｉ７Ｉに溶かす。このベンゼン
溶液を飽和食塩溶液５０ｒｎｌづつで３回洗い、硫酸マ
グネシウムで乾かしそして真空中で蒸発乾固する。残分
をトルエンから再結晶すれば、融点１５９〜１６０℃の
２−［４−（ｐ−）ルエン不ルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−ヒドロキシクロトン６９−ｐ−ニトロベンジル
エステルが１４）られる。
（ｄｌ）前項（ｃｖｉｉ）によって得た粗製の２−［：
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３
−メチレン酪酸−ｐ−ニトロベンジルエステルを酢酸メ
チル２０１ｆｆＪに溶かして一７０℃で原料が薄層クロ
マトグラムで検出されなくなるまでオゾン化する。次に
溶液中に窒素ガスを通じてから０〜５℃に加温する。こ
れに亜硫酸水素ナトリウム３００ｒｎ９を水５＃Ｉ／に
溶かして加えそしてよう化カリウムでんぷん紙でオゾン
が検出されなくなるまで約５分間かきまぜる。この混合
物を酢酸エチルで希釈し、水相を分け、有機相を水で洗
い硫酸マグネシウムで乾かしそして真空中で溶媒を除く
。こうして得た粗生成物を塩化メチレン３ｍｌに溶かし
、これにトルエン１５ｍを加える。析出した沈殿をろ別
し、ろ液を真空中で蒸発する。残分をメタノールから再
結晶すれば、融点１５９〜１６０℃の２−（４−（ｐ−
）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−ヒドロキ
シクロトン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルカ得うれる
。
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３
−メチレン酪酸−ｐ−ニトロベンジルエステルを酢酸メ
チル２０１ｆｆＪに溶かして一７０℃で原料が薄層クロ
マトグラムで検出されなくなるまでオゾン化する。次に
溶液中に窒素ガスを通じてから０〜５℃に加温する。こ
れに亜硫酸水素ナトリウム３００ｒｎ９を水５＃Ｉ／に
溶かして加えそしてよう化カリウムでんぷん紙でオゾン
が検出されなくなるまで約５分間かきまぜる。この混合
物を酢酸エチルで希釈し、水相を分け、有機相を水で洗
い硫酸マグネシウムで乾かしそして真空中で溶媒を除く
。こうして得た粗生成物を塩化メチレン３ｍｌに溶かし
、これにトルエン１５ｍを加える。析出した沈殿をろ別
し、ろ液を真空中で蒸発する。残分をメタノールから再
結晶すれば、融点１５９〜１６０℃の２−（４−（ｐ−
）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−ヒドロキ
シクロトン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルカ得うれる
。
（ｅ） ２− （４−（ｐ −）ルエンスルホニルテオ
）−３−フェノキクアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−オキソー酪、ｉ！ａ−ｐ−ニトロ
ベンジルエステル１．９３ｇ（３，ＯｒｎＭ） を乾い
たクロロホルム１５ｉｌに溶かして０℃に冷却し、これ
にジアゾメタンのエーテル溶液（０，７５モル濃度）（
３ｒＩＬｌ（１，５当量に相当）を１０分間で加える。
）−３−フェノキクアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−オキソー酪、ｉ！ａ−ｐ−ニトロ
ベンジルエステル１．９３ｇ（３，ＯｒｎＭ） を乾い
たクロロホルム１５ｉｌに溶かして０℃に冷却し、これ
にジアゾメタンのエーテル溶液（０，７５モル濃度）（
３ｒＩＬｌ（１，５当量に相当）を１０分間で加える。
この混合物を０℃で２時間かきまぜ、余分のジアゾメタ
ンを窒素気流で除きそして溶媒を真空中で除く。こうし
て得た粗生成物をＷｏ ｓ ｌ ｍシリカダル（活性度
ＩＩＩ、４０倍量）上でベンゼンと酢酸エステルとの５
＝１の混合物を険ってろ過して精製する。溶媒を蒸発し
、残った無色の油は放置すると結晶化する。塩化メチレ
ンとエーテルとの混合物から再結晶すれば、２−（：４
−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキシアゼチノンーｌ−イル〕−３−
メトキシクロトン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルと相
当するインクロトン酸エステルとの約４：ｌから成る異
性体混合物が得られる。との混合物の融点は１５５〜１
５６．５℃である。
ンを窒素気流で除きそして溶媒を真空中で除く。こうし
て得た粗生成物をＷｏ ｓ ｌ ｍシリカダル（活性度
ＩＩＩ、４０倍量）上でベンゼンと酢酸エステルとの５
＝１の混合物を険ってろ過して精製する。溶媒を蒸発し
、残った無色の油は放置すると結晶化する。塩化メチレ
ンとエーテルとの混合物から再結晶すれば、２−（：４
−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキシアゼチノンーｌ−イル〕−３−
メトキシクロトン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルと相
当するインクロトン酸エステルとの約４：ｌから成る異
性体混合物が得られる。との混合物の融点は１５５〜１
５６．５℃である。
例２
２−［：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ルツー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエ
ステル２７９１＃（０，４２８ｍＭ ） ヲクロロホル
ム４ｒＩＬｔとヘキサメチルジシラザン１−との混合物
に溶かして還流の下で１時間加熱し、真空中で蒸発しそ
して油状残分を高真空下で１時間乾かす。このシリル化
した粗生成物は２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フニノキシアセトアミドー２−オキソアゼチ
ソ７−１−イル〕−３−トリメチルンリルオキシークロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルと相当するイソクロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルとから成る。
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ルツー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエ
ステル２７９１＃（０，４２８ｍＭ ） ヲクロロホル
ム４ｒＩＬｔとヘキサメチルジシラザン１−との混合物
に溶かして還流の下で１時間加熱し、真空中で蒸発しそ
して油状残分を高真空下で１時間乾かす。このシリル化
した粗生成物は２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フニノキシアセトアミドー２−オキソアゼチ
ソ７−１−イル〕−３−トリメチルンリルオキシークロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルと相当するイソクロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルとから成る。
この粗生成物を乾いたクロロホルム３ｍｌに溶かし、０
℃に冷却しそして窒素ガスの下でかきまぜながらこれに
１．５−ジアザビシクロ［５，４゜０〕ウンデカ−５−
エン０．０６９ｍノ（０，４７ｍＭ）を加える。１時間
反応させた後にこの溶液に酢酸Ｑ、３ ｔｎｌを加えそ
してクロロホルムで希釈する。このり誼ロホルム溶液を
希硫酸、水そして希薄な炭酸水素ナトリクム水溶液で洗
う。それら水相をりロロホルムで抽出し、有機相を合わ
せて硫酸ナトリウムで乾かしてから真空中で濃縮する。
℃に冷却しそして窒素ガスの下でかきまぜながらこれに
１．５−ジアザビシクロ［５，４゜０〕ウンデカ−５−
エン０．０６９ｍノ（０，４７ｍＭ）を加える。１時間
反応させた後にこの溶液に酢酸Ｑ、３ ｔｎｌを加えそ
してクロロホルムで希釈する。このり誼ロホルム溶液を
希硫酸、水そして希薄な炭酸水素ナトリクム水溶液で洗
う。それら水相をりロロホルムで抽出し、有機相を合わ
せて硫酸ナトリウムで乾かしてから真空中で濃縮する。
こうしてｐａｌ！の７β−フェノキシアセトアミド−３
−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェ
ニルメチルエステルが得られる。Ｒｆ：０．１３（シリ
カダル、トルエン・酢酸エチル３：１）。
−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェ
ニルメチルエステルが得られる。Ｒｆ：０．１３（シリ
カダル、トルエン・酢酸エチル３：１）。
こうして得た粗生成物をメタノールに溶かしセして０℃
の過剰のジアゾメタンエーテル溶液を加える。５分間反
応させた後にこの溶液を完全に濃縮し、油状残分をシリ
カダル薄層板上でクロマトグラフ処理する（トルエン・
酢酸エチル３：１）。
の過剰のジアゾメタンエーテル溶液を加える。５分間反
応させた後にこの溶液を完全に濃縮し、油状残分をシリ
カダル薄層板上でクロマトグラフ処理する（トルエン・
酢酸エチル３：１）。
Ｒ４＝０．１９ の帯域のシリカゲルを酢酸エステルで
抽出すれば、７β−フェノキシアセトアミド−３−メト
キシ−七フー３−エムー４−カルボン酸−ジフェニルメ
チルエステルを与える。融点１２０℃（エーテルから）
、ＩＲ−スペクトル（ＣＨＣｌ３） ： ３３１０．１
７７５．１７００．１６９０．１６００ロー１゜ 上記の原料は次のようにして作られる。
抽出すれば、７β−フェノキシアセトアミド−３−メト
キシ−七フー３−エムー４−カルボン酸−ジフェニルメ
チルエステルを与える。融点１２０℃（エーテルから）
、ＩＲ−スペクトル（ＣＨＣｌ３） ： ３３１０．１
７７５．１７００．１６９０．１６００ロー１゜ 上記の原料は次のようにして作られる。
（ａ） ６−フェノキシアセトアミドー（ニア２ン酸−
１β−オキシド１００ｇ（２７，３ｍＭ） とジフェニ
ルメチルジアゾメタン５８．４ＩＩ（３０ｍＭ）とから
約２時間後に６−フニノキシアセトアミドペニシラン酸
−ジフェニルメチルエステル−１β−オキシドが得られ
る。融点１４４〜１４６℃（酢酸エチル・石油エーテル
）。
１β−オキシド１００ｇ（２７，３ｍＭ） とジフェニ
ルメチルジアゾメタン５８．４ＩＩ（３０ｍＭ）とから
約２時間後に６−フニノキシアセトアミドペニシラン酸
−ジフェニルメチルエステル−１β−オキシドが得られ
る。融点１４４〜１４６℃（酢酸エチル・石油エーテル
）。
（ｂ）例１の（ｂ）項に従って、６−フエツキクアセト
アミドベニシラン酸−ジフェニルメチルエステル−１β
−オキシド２９２１１ （５５ｍＭ ）と２−メルカゾ
トペンズチアゾール９９１’ （５９，２ｍＭ）とから
、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イルツー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエス
テルが得られる。融点１４０〜１４１’Ｃ（トルエン・
エーテルから）。
アミドベニシラン酸−ジフェニルメチルエステル−１β
−オキシド２９２１１ （５５ｍＭ ）と２−メルカゾ
トペンズチアゾール９９１’ （５９，２ｍＭ）とから
、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イルツー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエス
テルが得られる。融点１４０〜１４１’Ｃ（トルエン・
エーテルから）。
（ｃ） 例１の（ｃ）項に従って、酢酸エチル５Ｑｄ中
で２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−メチにン酪酸ジフェニルメチルエステ
ル１０ｊ’（１４，７ｍＭ） と微粉化Ｌりｐ −）ル
エンスルフィン酸銀４．９２ｇ（２８，９８ｍＭ ）
とを室温で７時間かきまぜると２−［４−（ｐ−トルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソ−アセチジン−１−イルツー３−メチレン酪酸
・ジフェニルメチルエステルが得られる。Ｒｆ値＝０．
２８（シリカダル、トルエン・酢酸エチル３：１）、Ｉ
Ｒ−ス被りトル（ＣＨＣ／＝、 ） ： １７８２．１
７４０．１６９５．１３４０．１１５０ ｃｍ−’。
で２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−メチにン酪酸ジフェニルメチルエステ
ル１０ｊ’（１４，７ｍＭ） と微粉化Ｌりｐ −）ル
エンスルフィン酸銀４．９２ｇ（２８，９８ｍＭ ）
とを室温で７時間かきまぜると２−［４−（ｐ−トルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソ−アセチジン−１−イルツー３−メチレン酪酸
・ジフェニルメチルエステルが得られる。Ｒｆ値＝０．
２８（シリカダル、トルエン・酢酸エチル３：１）、Ｉ
Ｒ−ス被りトル（ＣＨＣ／＝、 ） ： １７８２．１
７４０．１６９５．１３４０．１１５０ ｃｍ−’。
こｃ７）２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル）−３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエス
テルは次のようにしても作られる。
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル）−３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエス
テルは次のようにしても作られる。
（ｅｉ） ６−フェノキシアセトアミド４ニジラン醒ジ
フェニルメチルエステル１０６．５ｇと２−メルカグト
ベンズチアゾール３３．８ｇとヲトルエン９００ｍ１と
氷酢酸９ｍｌとの混合物中に懸濁して窒素ガス中で水分
離器を備えて２時間煮沸する。こうして水約４．５ばか
分離される。この溶液を室温８５．５Ｆを少しづつ１時
間で加えてから２２℃で２時間かきまぜる。この混合物
をハイフロ（ａｙｎｏ）でろ過し、ろ液を飽和塩化ナト
リウム水溶液で２回洗う。有機相を硫酸マグネシウムで
乾かし、真空中で約１１に濃縮し、フリット（Ｎｏｒｌ
ｔ ） ３０１を使って脱色しそして蒸発する。
フェニルメチルエステル１０６．５ｇと２−メルカグト
ベンズチアゾール３３．８ｇとヲトルエン９００ｍ１と
氷酢酸９ｍｌとの混合物中に懸濁して窒素ガス中で水分
離器を備えて２時間煮沸する。こうして水約４．５ばか
分離される。この溶液を室温８５．５Ｆを少しづつ１時
間で加えてから２２℃で２時間かきまぜる。この混合物
をハイフロ（ａｙｎｏ）でろ過し、ろ液を飽和塩化ナト
リウム水溶液で２回洗う。有機相を硫酸マグネシウムで
乾かし、真空中で約１１に濃縮し、フリット（Ｎｏｒｌ
ｔ ） ３０１を使って脱色しそして蒸発する。
こうして得た黄色の海綿状物質を塩化メチレンとジエチ
ルエーテルとの混合物から結晶として取シ出す。融点７
９〜８２℃、ｎ１値＝０．５５（シリカダル、トルエン
・酢酸エチル３：１）。母液を蒸発して塩化メチレンと
ジエチルエーテルとの混合物からさらにこの物質を結晶
として得ることができる◎ （ｄ） 例１の（ｄ）項の方法に従って、塩化メチレン
１１中で２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼシン−１
−イルツー３−メチレン酪酸−シフェニルメチルエステ
ル１０．８ｇ（１６，２ｍＭ）とオゾン１．１当量とか
ら２−Ｃ４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ルシー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニルメチルエス
テルカ得られる。融点１４２−１４３℃（エーテル・ペ
ンタンから）。
ルエーテルとの混合物から結晶として取シ出す。融点７
９〜８２℃、ｎ１値＝０．５５（シリカダル、トルエン
・酢酸エチル３：１）。母液を蒸発して塩化メチレンと
ジエチルエーテルとの混合物からさらにこの物質を結晶
として得ることができる◎ （ｄ） 例１の（ｄ）項の方法に従って、塩化メチレン
１１中で２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼシン−１
−イルツー３−メチレン酪酸−シフェニルメチルエステ
ル１０．８ｇ（１６，２ｍＭ）とオゾン１．１当量とか
ら２−Ｃ４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ルシー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニルメチルエス
テルカ得られる。融点１４２−１４３℃（エーテル・ペ
ンタンから）。
なお、上記のオゾン化を次のように０℃で行うこともで
きる。
きる。
塩化メチレン９６０ｍＪに溶かした２ −（： ４−（
ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メｆ
レン酪ｍ−ジフェニルメチルエステル９．２３．！ｉ＋
（１３，８ｍＭ）の溶液中に０℃でオゾン１５．２ｍＭ
を１９分間で導入する。この透明な反応溶液にジメチル
サルファイド１０Ｉｎｌを加えて５℃で２０分間かきま
ぜる。アスピレータ−真空下で濃縮しそして残分を高真
空下で乾かせば淡黄色の海綿状物知−得られる。これを
塩化メチレンとヘキサンとの混合物から結晶化する。こ
うして得た２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルｏｓ点は１３４〜１３８℃である。薄層ク
ロマトグラムのＲｆ値〜０．４６（シリカダル、トルエ
ン・酢酸エチル３：１）。
ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メｆ
レン酪ｍ−ジフェニルメチルエステル９．２３．！ｉ＋
（１３，８ｍＭ）の溶液中に０℃でオゾン１５．２ｍＭ
を１９分間で導入する。この透明な反応溶液にジメチル
サルファイド１０Ｉｎｌを加えて５℃で２０分間かきま
ぜる。アスピレータ−真空下で濃縮しそして残分を高真
空下で乾かせば淡黄色の海綿状物知−得られる。これを
塩化メチレンとヘキサンとの混合物から結晶化する。こ
うして得た２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルｏｓ点は１３４〜１３８℃である。薄層ク
ロマトグラムのＲｆ値〜０．４６（シリカダル、トルエ
ン・酢酸エチル３：１）。
次の方法によっても同じ化合物が得られる。
（ｄｉ）アセトンと水との９＝１（容量比）の混合物２
０ｍ１に溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−２−
イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸
−ジフェニルメチルエステル６８４■（１ｍＭ ）の溶
液を、これにｐ−）ルエンスルフイン酸銀３４１ ｍ？
（１，３ｍＭ ） ’に加えて室温で６０分間かきま
ぜる。この黄色の反応混合物にアセトン５０ｍ１を加え
てろ過する。ろ液を真空中で蒸発し、残分を酸洗いした
シリカダル３０．９上でトルエンと酢酸エチルとの４＝
１の系でクロマトグラフ処理する。こうして得た２−〔
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３
−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステルを
エーテルとペンタンとの混合物から再結晶すれば、とれ
は１４２〜１４３℃で融解する。
０ｍ１に溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−２−
イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸
−ジフェニルメチルエステル６８４■（１ｍＭ ）の溶
液を、これにｐ−）ルエンスルフイン酸銀３４１ ｍ？
（１，３ｍＭ ） ’に加えて室温で６０分間かきま
ぜる。この黄色の反応混合物にアセトン５０ｍ１を加え
てろ過する。ろ液を真空中で蒸発し、残分を酸洗いした
シリカダル３０．９上でトルエンと酢酸エチルとの４＝
１の系でクロマトグラフ処理する。こうして得た２−〔
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３
−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステルを
エーテルとペンタンとの混合物から再結晶すれば、とれ
は１４２〜１４３℃で融解する。
（ｄｉｉ）２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸−ジフェニルメチ
ルエステル６８．１ｒｖ（０，１ｍＭ）を酢９エステル
中でオゾン化しそして溶媒を蒸発することによって得た
粗製オシニド７２．９１ｎ９（０，１ｍＭ） をアセト
ンと水との９：１（容量比）の混合物２Ｉｎｌに溶かし
、これにｐ−）ルエンスルフイ／酸銀３５〜（１，３当
量）を加えて室温で１時間かきまぜる。反応混合物をア
セトン３ｄで希釈してろ過する。ろ液をジメチルサルフ
ァイド０．２４と混合して室温で２時間（よう素・でん
ぷん反応が負になるまで）かきまぜる。溶媒を真空中で
除いた後に残分を酸洗いしたシリカダル３ｇ上でトルエ
ンと酢酸エチルとの４：１の系でクロマトグラフ処理す
る。こうして得ｆｃ２− Ｃ４−（ｐ−トルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアー３−ヒドロヤシクロト
ン酸ジフェニルメチルエステルをエーテルとペンタンと
の混合物から再結晶すれば、これは１４２〜１４３℃で
融解する。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸−ジフェニルメチ
ルエステル６８．１ｒｖ（０，１ｍＭ）を酢９エステル
中でオゾン化しそして溶媒を蒸発することによって得た
粗製オシニド７２．９１ｎ９（０，１ｍＭ） をアセト
ンと水との９：１（容量比）の混合物２Ｉｎｌに溶かし
、これにｐ−）ルエンスルフイ／酸銀３５〜（１，３当
量）を加えて室温で１時間かきまぜる。反応混合物をア
セトン３ｄで希釈してろ過する。ろ液をジメチルサルフ
ァイド０．２４と混合して室温で２時間（よう素・でん
ぷん反応が負になるまで）かきまぜる。溶媒を真空中で
除いた後に残分を酸洗いしたシリカダル３ｇ上でトルエ
ンと酢酸エチルとの４：１の系でクロマトグラフ処理す
る。こうして得ｆｃ２− Ｃ４−（ｐ−トルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアー３−ヒドロヤシクロト
ン酸ジフェニルメチルエステルをエーテルとペンタンと
の混合物から再結晶すれば、これは１４２〜１４３℃で
融解する。
塩化メチレンとジエチルエーテルとの混合物から再度再
結晶した後に融点は１４４〜１４５℃（補正値）である
。〔α） ＝−６８’±１０（Ｃ＝１、りロロホルム）
、薄ｌクロマトグラムＲｉ：０．８１（シリカダル、塩
化メチレンと酢酸エチルとの８：２０系）、ＵＶ−スペ
クトル（エタノール）：λｍ１１１！＝２６１ｎｍ（ξ
＝１４４００）、ＩＲ−スペクトルにュジョール）：３
．００．５．５６．５．９３．５．９８．６．０６．６
．１９．６．２５．６．５４．６．７０゜６．８２．７
．０２，７．４７．８．０３．８．７６．９．５３．１
０．２３．１０．６０．１２．３０．１３．２６．１４
．３０μに特性ノぐンド。
結晶した後に融点は１４４〜１４５℃（補正値）である
。〔α） ＝−６８’±１０（Ｃ＝１、りロロホルム）
、薄ｌクロマトグラムＲｉ：０．８１（シリカダル、塩
化メチレンと酢酸エチルとの８：２０系）、ＵＶ−スペ
クトル（エタノール）：λｍ１１１！＝２６１ｎｍ（ξ
＝１４４００）、ＩＲ−スペクトルにュジョール）：３
．００．５．５６．５．９３．５．９８．６．０６．６
．１９．６．２５．６．５４．６．７０゜６．８２．７
．０２，７．４７．８．０３．８．７６．９．５３．１
０．２３．１０．６０．１２．３０．１３．２６．１４
．３０μに特性ノぐンド。
例３
１．２−ジメトキシエタン３ｒｎｌに溶かした２−［４
−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−ノｎ−’１−
リーレＬ＊ Ｍ −に−ｓノｈＩ−１ｋゾ劫−−り７丁
ニルメチルエステル３０１ｒｎ？（０，４６，２ｒｎＭ
）の溶液に窒素ガスの下でビス−トリメチルシリル−ア
セトアミド０．１２ａ／ （０，５０８ｍＭ ） を加
えて室協で１時間かきまぜる。この溶液を完全に濃縮し
、油状残分を高真空下で１時間乾かす。このシリル化し
た粗生成物を乾いた１、３−ジメトキシエタン３ ｒｕ
ｉに溶かしそして０℃に冷却して１，５−ジアザビンク
ロ（５，４，Ｏ〕ラウンカ−５−エン０．０７５ｍ／！
（０，５０８ｍＭ） を加える。窒素ガス中で６時間反
応した後にとの溶液に酢酸０．３コを加えそして塩化メ
チレンで希釈する。この塩化メチレン溶液を希硫酸、水
そして希薄な炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う。それら
水相を塩化メチレンで抽出し、有機相を合わせて硫酸ナ
トリウムで乾かしてから真空中で濃縮しそして高真空中
で乾かｆ。こうして粗製の７β−フェノキシアセトアミ
ド−３−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸
ジフェニルメチルエステルがＶＩられる。
−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−ノｎ−’１−
リーレＬ＊ Ｍ −に−ｓノｈＩ−１ｋゾ劫−−り７丁
ニルメチルエステル３０１ｒｎ？（０，４６，２ｒｎＭ
）の溶液に窒素ガスの下でビス−トリメチルシリル−ア
セトアミド０．１２ａ／ （０，５０８ｍＭ ） を加
えて室協で１時間かきまぜる。この溶液を完全に濃縮し
、油状残分を高真空下で１時間乾かす。このシリル化し
た粗生成物を乾いた１、３−ジメトキシエタン３ ｒｕ
ｉに溶かしそして０℃に冷却して１，５−ジアザビンク
ロ（５，４，Ｏ〕ラウンカ−５−エン０．０７５ｍ／！
（０，５０８ｍＭ） を加える。窒素ガス中で６時間反
応した後にとの溶液に酢酸０．３コを加えそして塩化メ
チレンで希釈する。この塩化メチレン溶液を希硫酸、水
そして希薄な炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う。それら
水相を塩化メチレンで抽出し、有機相を合わせて硫酸ナ
トリウムで乾かしてから真空中で濃縮しそして高真空中
で乾かｆ。こうして粗製の７β−フェノキシアセトアミ
ド−３−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸
ジフェニルメチルエステルがＶＩられる。
この粗生成物をクロロホルムに溶かして０℃で過剰のジ
アゾメタンのエーテル溶液と混合しそして０℃で５分間
放置する。次に、これを完全に濃縮し、その残分を例２
におけるようにシリカゲル上でクロマトグラフ処理する
。こうして７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキ
シ−セフ−３−ニムー４−カルボン酸ジフェニルメチル
エステルが得られる。Ｒｆ値＝０．１９（シリカゲル、
トルエン・酢酸エステル３：１）、融点１２０℃（エー
テルから）、ｒＲ−スペクトル（ＣＨＣｔ、 ） ：
３３１０１１７７５．１７１０．１６９０．１６００ｃ
ｒｎ 。
アゾメタンのエーテル溶液と混合しそして０℃で５分間
放置する。次に、これを完全に濃縮し、その残分を例２
におけるようにシリカゲル上でクロマトグラフ処理する
。こうして７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキ
シ−セフ−３−ニムー４−カルボン酸ジフェニルメチル
エステルが得られる。Ｒｆ値＝０．１９（シリカゲル、
トルエン・酢酸エステル３：１）、融点１２０℃（エー
テルから）、ｒＲ−スペクトル（ＣＨＣｔ、 ） ：
３３１０１１７７５．１７１０．１６９０．１６００ｃ
ｒｎ 。
例４
２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
ツー３−メトキシクロトン酸ジフェニルメチルエステル
と相当するイソクロトン酸エステルとから成る異性体混
合物１００１００ｆｎ、１５ｍＭ）を乾いた１、２−ジ
メトキシエタン４ ｒｎｔｖｃｍかして窒素ガス中でか
きまぜなから１，５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウ
ンデカ−５−エン０．０４５ｙ（ｏ、３ｍｌ と混合す
る。この溶壕を窒素ガス中で室温で４０分間かきまぜて
から氷で冷却しそして酢酸０．１ ｍｌを加える。これ
を塩化メチレンで希釈しそしてこの溶液を希硫酸、水そ
して希薄な炭酸水素ナトリウム溶液で洗う。それら水相
を塩化メチレンで抽出する。それら有機相を合わせて硫
酸ナトリウムで乾かし、濃縮しそして高真空中で完全に
溶媒を除く。油状残分をシリカゲル薄層板上でクロマト
グラフ処理する。（展開剤：トルエン・酢酸エステル３
：１．１回展開）。Ｒｆ＝０．１９および０．４の両帯
域をいっしょに酢酸エステルで抽出し、得られた溶液を
完全に濃縮する。
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
ツー３−メトキシクロトン酸ジフェニルメチルエステル
と相当するイソクロトン酸エステルとから成る異性体混
合物１００１００ｆｎ、１５ｍＭ）を乾いた１、２−ジ
メトキシエタン４ ｒｎｔｖｃｍかして窒素ガス中でか
きまぜなから１，５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウ
ンデカ−５−エン０．０４５ｙ（ｏ、３ｍｌ と混合す
る。この溶壕を窒素ガス中で室温で４０分間かきまぜて
から氷で冷却しそして酢酸０．１ ｍｌを加える。これ
を塩化メチレンで希釈しそしてこの溶液を希硫酸、水そ
して希薄な炭酸水素ナトリウム溶液で洗う。それら水相
を塩化メチレンで抽出する。それら有機相を合わせて硫
酸ナトリウムで乾かし、濃縮しそして高真空中で完全に
溶媒を除く。油状残分をシリカゲル薄層板上でクロマト
グラフ処理する。（展開剤：トルエン・酢酸エステル３
：１．１回展開）。Ｒｆ＝０．１９および０．４の両帯
域をいっしょに酢酸エステルで抽出し、得られた溶液を
完全に濃縮する。
こうして７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエ
ステルと異性体の７β−フェノキシアセトアミド−３−
メトキシ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフェニル
メチルエステルとの１＝４の比から成る油状生成物が得
られる。Ｒｆ値＝０．１４および０．３２（シリカゲル
、トルエン・酢酸エチル３：１）、ＩＲ−スペクトル（
ＣＨＣｔ５） ：３４００．３３１Ｏ１１７８５，１７
７０，１７５０，１７１０，１６９０，１６３０，１６
００ｃｍ 。
−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエ
ステルと異性体の７β−フェノキシアセトアミド−３−
メトキシ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフェニル
メチルエステルとの１＝４の比から成る油状生成物が得
られる。Ｒｆ値＝０．１４および０．３２（シリカゲル
、トルエン・酢酸エチル３：１）、ＩＲ−スペクトル（
ＣＨＣｔ５） ：３４００．３３１Ｏ１１７８５，１７
７０，１７５０，１７１０，１６９０，１６３０，１６
００ｃｍ 。
（１） こうして得られるセフ−２−エム誘導体対セブ
ー３−エム誘導体の比はとりわけ閉環反応に使う溶媒、
原料および１，５−ジアザビシクロ（５，４，０）ウン
デカ−５−エンの濃度およびまた反応時間に依存する。
ー３−エム誘導体の比はとりわけ閉環反応に使う溶媒、
原料および１，５−ジアザビシクロ（５，４，０）ウン
デカ−５−エンの濃度およびまた反応時間に依存する。
次表には幾つかの反応結果が示しである。これらの反応
は、この例と同様にして２（４−（Ｐ−）ルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ
アゼチジン−１−イルツー３−メトキシ−インクロトン
酸ジフェニルメチルエステル約９５チと相当するクロト
ン酸誘導体約５係とから成る異性体混合物１００■を使
って行われた。反応時間はすべて２０分間であって、そ
れ以外の処理条件はこの例に従りで行った。
は、この例と同様にして２（４−（Ｐ−）ルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ
アゼチジン−１−イルツー３−メトキシ−インクロトン
酸ジフェニルメチルエステル約９５チと相当するクロト
ン酸誘導体約５係とから成る異性体混合物１００■を使
って行われた。反応時間はすべて２０分間であって、そ
れ以外の処理条件はこの例に従りで行った。
以下余白
（＆）原料として使った異性体混合物は例１の（６）項
の方法に従って２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセト７ミドー２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン駄−ジフェ
ニルメチルエステル４９（６，１４ｍＭ ） と過剰の
ジアゾメタンエーテル溶液とから得られる。こうして得
た２−（４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ル〕−３−メ）キシクロトン酸ジフェニルメチルエステ
ルと相当するイソクロトン酸シフ玉ニルメチルエステル
との約３：ｌの比から成る異性体混合物を酢酸エチルと
ペンタンとの混合物から結晶化すると融点は１５０〜１
５２℃である。
の方法に従って２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセト７ミドー２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン駄−ジフェ
ニルメチルエステル４９（６，１４ｍＭ ） と過剰の
ジアゾメタンエーテル溶液とから得られる。こうして得
た２−（４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ル〕−３−メ）キシクロトン酸ジフェニルメチルエステ
ルと相当するイソクロトン酸シフ玉ニルメチルエステル
との約３：ｌの比から成る異性体混合物を酢酸エチルと
ペンタンとの混合物から結晶化すると融点は１５０〜１
５２℃である。
原料として使った異性体混合物、クロトン酸誘導体およ
びイソクロトン酸誘導体は次のようにしても得られる◎ （ａｌ）２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルツー３−メトキシクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチ
ルエステルとの異性体混合物６９８〜（１ｍＭ ） を
アセトンと水との９：１（容量比）の混合物２０１１１
に済かし、これにｐ−トルエンスルフィン酸銀３４１〜
（１，３ｒｎＭ）を加えて室温で１時間かきまぜる。こ
の黄色の反応混合物をアセトン５０１ｄで希釈してろ過
する。
びイソクロトン酸誘導体は次のようにしても得られる◎ （ａｌ）２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルツー３−メトキシクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチ
ルエステルとの異性体混合物６９８〜（１ｍＭ ） を
アセトンと水との９：１（容量比）の混合物２０１１１
に済かし、これにｐ−トルエンスルフィン酸銀３４１〜
（１，３ｒｎＭ）を加えて室温で１時間かきまぜる。こ
の黄色の反応混合物をアセトン５０１ｄで希釈してろ過
する。
ろ液を真空中で蒸発し、残分を酸洗いしたシリカゲル３
０１１上でトルエンと酢酸エチルとの２：１の系でクロ
マトグラフ処理する。こうして２−［４−（ｐ−）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシクロト
ン酸ジフェニルメチルエステルと２−（４−（ｐ−）ル
エンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシイソ
クロトン酸ジフェニルメチルニステルトカラ成る異性体
混合物が得られる。
０１１上でトルエンと酢酸エチルとの２：１の系でクロ
マトグラフ処理する。こうして２−［４−（ｐ−）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシクロト
ン酸ジフェニルメチルエステルと２−（４−（ｐ−）ル
エンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシイソ
クロトン酸ジフェニルメチルニステルトカラ成る異性体
混合物が得られる。
（ａｉｄ）前項（ＩＬｌ）の反応を含水アセトン中では
なくテトラヒドロフラン中で行うこともできるが、この
場合には室温で約２４時間かきまぜねばならない。
なくテトラヒドロフラン中で行うこともできるが、この
場合には室温で約２４時間かきまぜねばならない。
（ａｆｉｉ） ２− 〔４−（ｐ −）ルエンスルホニ
ルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−ｌ−イル］−３−ヒドロキシクロトン酸−ジ
フェニルメチルエステル３３６１１１１ｉ＋（０，５ｍ
Ｍ ） を塩化エチレン４ｄに溶かし、これに０℃でエ
テル−ジイソゾロビルアミン０．２１ ｍｌ （１，２
ｍＭ）とフルオル硫酸メチルエステｋＯ，１２ｒｎｌ
（１，５ｍＭ）とを加えて、０℃で３分間そして室温で
３０分間かきまぜる。反応混合物を酢酸エチルで希釈し
、飽和塩化ナトリウム水溶液および希薄な炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗ってから硫酸ナトリウムで乾かす。蒸
発した後の残分をシリカダル上でクロマトグラフ処理す
る。トルエンと酢酸エチルとの４＝１の系で先ず若干の
原料が溶離される。トルエンと酢酸エチルとの１ＳＩＣ
１系で次［２−［４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルツー３−メトキシクロトン酸ジフェニルメチ
ルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチル
エステルとから成る異性体混合物が単離される。
ルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−ｌ−イル］−３−ヒドロキシクロトン酸−ジ
フェニルメチルエステル３３６１１１１ｉ＋（０，５ｍ
Ｍ ） を塩化エチレン４ｄに溶かし、これに０℃でエ
テル−ジイソゾロビルアミン０．２１ ｍｌ （１，２
ｍＭ）とフルオル硫酸メチルエステｋＯ，１２ｒｎｌ
（１，５ｍＭ）とを加えて、０℃で３分間そして室温で
３０分間かきまぜる。反応混合物を酢酸エチルで希釈し
、飽和塩化ナトリウム水溶液および希薄な炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗ってから硫酸ナトリウムで乾かす。蒸
発した後の残分をシリカダル上でクロマトグラフ処理す
る。トルエンと酢酸エチルとの４＝１の系で先ず若干の
原料が溶離される。トルエンと酢酸エチルとの１ＳＩＣ
１系で次［２−［４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルツー３−メトキシクロトン酸ジフェニルメチ
ルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチル
エステルとから成る異性体混合物が単離される。
（ａｉｖ） ２− ［４−（ｐ −）ルエン子ルホニル
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−ヒドロキシクロトン酸ゾフェ
ニルメチルエステル３００１１ｋｇ（０，４４７ｍＭ
）をアセＦン４ｍｌに溶かし、これに炭酸カリウム７６
＃＋９（０，５５ｍＭ ） と硫酸ジメチ＃０．０８８
１／（０，９２ｍＭ）とを加えて室温で３時間かきまぜ
る。
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−ヒドロキシクロトン酸ゾフェ
ニルメチルエステル３００１１ｋｇ（０，４４７ｍＭ
）をアセＦン４ｍｌに溶かし、これに炭酸カリウム７６
＃＋９（０，５５ｍＭ ） と硫酸ジメチ＃０．０８８
１／（０，９２ｍＭ）とを加えて室温で３時間かきまぜ
る。
この溶液を酢酸エチルで希釈し、水で洗いそして硫酸ナ
トリウムで乾かす。溶媒を除去し、残分を酢酸エステル
とペンタンとの混合物から再結晶すｈば、２−［４−（
ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オ中ソアゼチジンー１−イル〕−３−メト
キシクロトン酸ジフェニルメチルエステルと相当するイ
ソクロトン酸ジフェニルメチルエステルとから成る異性
体混合物を生成する。
トリウムで乾かす。溶媒を除去し、残分を酢酸エステル
とペンタンとの混合物から再結晶すｈば、２−［４−（
ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オ中ソアゼチジンー１−イル〕−３−メト
キシクロトン酸ジフェニルメチルエステルと相当するイ
ソクロトン酸ジフェニルメチルエステルとから成る異性
体混合物を生成する。
（ａＶ） ２− Ｃ４−（ｐ −）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル（結晶性） ６．７３ｇを無水テト
ラヒドロンラン６７ｄに溶かし、これに−２０℃でＮ
、 Ｎ’−ジニトロンーＮ 、 Ｎ’−ジメチルオキサ
ミド１．５７１９を加えてから、エチレンジアミン０．
５７ＩＩＬｌ（０，５１ｇ）のテトラヒドロフラン５Ｉ
ＩＬ／に溶かした溶液を１５分間で加える。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル（結晶性） ６．７３ｇを無水テト
ラヒドロンラン６７ｄに溶かし、これに−２０℃でＮ
、 Ｎ’−ジニトロンーＮ 、 Ｎ’−ジメチルオキサ
ミド１．５７１９を加えてから、エチレンジアミン０．
５７ＩＩＬｌ（０，５１ｇ）のテトラヒドロフラン５Ｉ
ＩＬ／に溶かした溶液を１５分間で加える。
加え終ったら０℃で１時間かきまぜ、氷酢酸０．５３Ｉ
ＩＬｌ（１１ｍＭ）およびセライト６．７１を加えてろ
過する。ろ過残分をテトラヒドロフラン２０ゴづつで５
回洗う。ろ液と洗液とを合わせて約２０９に濃縮しそし
てこれにヘキサン２０ａ／を加える。生成した結晶をろ
別し、テトラヒドロフランとヘキサンとの１：２の混合
物で洗いそして高真空下で乾かす。
ＩＬｌ（１１ｍＭ）およびセライト６．７１を加えてろ
過する。ろ過残分をテトラヒドロフラン２０ゴづつで５
回洗う。ろ液と洗液とを合わせて約２０９に濃縮しそし
てこれにヘキサン２０ａ／を加える。生成した結晶をろ
別し、テトラヒドロフランとヘキサンとの１：２の混合
物で洗いそして高真空下で乾かす。
この結晶は主として２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニ
ルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イル〕−３−メトキシイソクロトン酸−
ジフェニルメチルエステル−から成る。試料を酢酸エチ
ルとジエチルエーテルとの混合物から再結晶する。その
分別結果は次のようである。融点１６７〜１６９℃、〔
α）２０＝−３００±１０ （Ｃ＝１、塩化メチレフ：
）、薄層クロマトグラムのＲｆ値＝ ０．５７ （シリ
カゲル、塩化メチレン・酢酸エチル・氷酢酸６０：４０
：１）、ＵＶ−スペクトル（エタノール）：λｒｎ、、
＝２６０ｍμ（ξ＝ １６６００ ）、ｒＲ−、ｃ−４
！り）ル（＝ユｕｉ−ル）：２．９７．５．６２．５．
９０，６．２７．６．６１．６．６６．７．１７．７．
５３．７．７０，７．９６．８．ｏ２．８．２０．８．
８０．９．２０．１０．２６．１２．２４．１３．３０
μに特性バンド、ＮＭＲ−スペクトル（１００ＭＨｚ、
ｃｌ）ｃｚ、 ’） ：δ２．３２ （Ｆｌ／ＣＨ，
’）、２、３４ （Ｓ／ＣＭ、 ）、３．７３ （Ｓ／
ＱＣ）Ｉ、 ）、４．３０７４．４４ （ＡＢ、Ｊ＝
５／７セチジ／−４−ＣＨ−）、６．８〜７゜５ （ｍ
／１９個の芳香族Ｈｓ ＮＨ） ｐｐｍ ＠上記の母液
は、少量のイソクロトン酸誘導体のほかに１主［２−［
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３
−メトキシ−クロトン酸−ゾフェニルメチルエステルヲ
含ｔｒ。シリカゲル上でクロマトグラフ処理して精製し
た後に融点１４６〜１４８℃（補正値、酢酸エチルとヘ
キサンとの混合物から）、ＮＭＲ−スぜクトル（１００
Ｍ）Ｉｚ ／ ｃｏｃｚ、 ） ：６２．０８ （ｓ
／ −０ＣＲ２−ＣＨ，）、２．２６（＠／芳香族−Ｃ
Ｈ５）、３．７０（ｓｌｏＣＨ，）、４．４７ （ｓ
／−０ＣＨ２ＣＯ−）、４．９４ （ｄｄ／Ｊ＝５およ
び８／アゼチジン−３−ＣＨ−）、５．８３（ｄ／Ｊ＝
５／アゼチジン−４−ＣＨ−）、６．８〜７．５（ｍ７
１９個の芳香族Ｈ，−ｐｍ−） Ｅ１ｐｆｎ６ Ｃα〕
８−十２１’−１：１ｏ（Ｃ＝１、塩化メチレン）。
ルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イル〕−３−メトキシイソクロトン酸−
ジフェニルメチルエステル−から成る。試料を酢酸エチ
ルとジエチルエーテルとの混合物から再結晶する。その
分別結果は次のようである。融点１６７〜１６９℃、〔
α）２０＝−３００±１０ （Ｃ＝１、塩化メチレフ：
）、薄層クロマトグラムのＲｆ値＝ ０．５７ （シリ
カゲル、塩化メチレン・酢酸エチル・氷酢酸６０：４０
：１）、ＵＶ−スペクトル（エタノール）：λｒｎ、、
＝２６０ｍμ（ξ＝ １６６００ ）、ｒＲ−、ｃ−４
！り）ル（＝ユｕｉ−ル）：２．９７．５．６２．５．
９０，６．２７．６．６１．６．６６．７．１７．７．
５３．７．７０，７．９６．８．ｏ２．８．２０．８．
８０．９．２０．１０．２６．１２．２４．１３．３０
μに特性バンド、ＮＭＲ−スペクトル（１００ＭＨｚ、
ｃｌ）ｃｚ、 ’） ：δ２．３２ （Ｆｌ／ＣＨ，
’）、２、３４ （Ｓ／ＣＭ、 ）、３．７３ （Ｓ／
ＱＣ）Ｉ、 ）、４．３０７４．４４ （ＡＢ、Ｊ＝
５／７セチジ／−４−ＣＨ−）、６．８〜７゜５ （ｍ
／１９個の芳香族Ｈｓ ＮＨ） ｐｐｍ ＠上記の母液
は、少量のイソクロトン酸誘導体のほかに１主［２−［
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３
−メトキシ−クロトン酸−ゾフェニルメチルエステルヲ
含ｔｒ。シリカゲル上でクロマトグラフ処理して精製し
た後に融点１４６〜１４８℃（補正値、酢酸エチルとヘ
キサンとの混合物から）、ＮＭＲ−スぜクトル（１００
Ｍ）Ｉｚ ／ ｃｏｃｚ、 ） ：６２．０８ （ｓ
／ −０ＣＲ２−ＣＨ，）、２．２６（＠／芳香族−Ｃ
Ｈ５）、３．７０（ｓｌｏＣＨ，）、４．４７ （ｓ
／−０ＣＨ２ＣＯ−）、４．９４ （ｄｄ／Ｊ＝５およ
び８／アゼチジン−３−ＣＨ−）、５．８３（ｄ／Ｊ＝
５／アゼチジン−４−ＣＨ−）、６．８〜７．５（ｍ７
１９個の芳香族Ｈ，−ｐｍ−） Ｅ１ｐｆｎ６ Ｃα〕
８−十２１’−１：１ｏ（Ｃ＝１、塩化メチレン）。
（ａＶｉ） ２−［４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステル（結晶性）６．７２Ｆ（１０ｍＭ）とテ
トラ−ｎ−グチルアンモニウムアイオダイド０，３６ｐ
（１ｍＭ）とをトルエン１００ｄ中に懸濁し、これに硫
酸ジメチル３．７８．９（３０ｍＭ ）と２０係炭酸水
素カリウム水溶液３０ｄとを加えて、寥温で４時間激し
くかきまぜる。
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステル（結晶性）６．７２Ｆ（１０ｍＭ）とテ
トラ−ｎ−グチルアンモニウムアイオダイド０，３６ｐ
（１ｍＭ）とをトルエン１００ｄ中に懸濁し、これに硫
酸ジメチル３．７８．９（３０ｍＭ ）と２０係炭酸水
素カリウム水溶液３０ｄとを加えて、寥温で４時間激し
くかきまぜる。
初めから１５分間のうちに固形物質は溶ける。この混合
物をトルエンで希釈し、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
う。有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして濃縮した後
に酢酸エチルとジエチルエーテルとの混合物から２−（
４−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３
−メトキシイソクロトン酸ジフェニルメチルエステルを
結晶として得る・ （ａｖｉｉ） ２−Ｃ４−（ｐ −）ルエンスルホニル
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１フィル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフェ
ニルメチルエステル（結晶性） ３．３６１ （５ｍＭ
）を４塩化炭素１５Ｉｎｌと水１０１＋１７との混合
物中に懸濁し、これにテトラブチルアンモニクアイオ〆
イド１．０８ Ｊｉ’ （３ｍＭ ）および硫酸ジメチ
ル１．９ｍ１（２，５２ｇ、 ２０ ｍＭ ） を加え
る。
物をトルエンで希釈し、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
う。有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして濃縮した後
に酢酸エチルとジエチルエーテルとの混合物から２−（
４−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３
−メトキシイソクロトン酸ジフェニルメチルエステルを
結晶として得る・ （ａｖｉｉ） ２−Ｃ４−（ｐ −）ルエンスルホニル
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１フィル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフェ
ニルメチルエステル（結晶性） ３．３６１ （５ｍＭ
）を４塩化炭素１５Ｉｎｌと水１０１＋１７との混合
物中に懸濁し、これにテトラブチルアンモニクアイオ〆
イド１．０８ Ｊｉ’ （３ｍＭ ）および硫酸ジメチ
ル１．９ｍ１（２，５２ｇ、 ２０ ｍＭ ） を加え
る。
室温で激しくかきまぜながらこの混合物に自動滴定装置
を使って−が７．０で一定であるようにＩＮのかせい−
ダ液を加える。４〜５時間でかせいソーダ液１．５〜２
当量を使う。この混合物を酢酸エステルおよび水で希釈
し、これに少量の食塩を加える。有機相を硫酸ナトリウ
ムで乾かしてから蒸発する。残分を酢酸エステルとヘキ
サンとの１：１の混合物の少量から結晶として取シ出せ
ば、２−（：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イルツー３−メトキシ−インクロトン酸−ジフェニル
メチルエステルが得られる。
を使って−が７．０で一定であるようにＩＮのかせい−
ダ液を加える。４〜５時間でかせいソーダ液１．５〜２
当量を使う。この混合物を酢酸エステルおよび水で希釈
し、これに少量の食塩を加える。有機相を硫酸ナトリウ
ムで乾かしてから蒸発する。残分を酢酸エステルとヘキ
サンとの１：１の混合物の少量から結晶として取シ出せ
ば、２−（：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イルツー３−メトキシ−インクロトン酸−ジフェニル
メチルエステルが得られる。
なお、原料として使った異性体混合物は次のようにして
相当する２−ベンズオキサゾール誘導体を経由しても得
られる。
相当する２−ベンズオキサゾール誘導体を経由しても得
られる。
（ａｖｉｉｉ） ６−フニノキシアセトアミドーベニ７
ラン酸−ジフェニルメチルエステル−１β−オキシド１
（ｌと２−メルカグトベンズオキサゾール３ｇとを乾い
たテトラヒドロンラン２５ｄに溶かしてから真空中で完
全に蒸発する。残った海綿状物５１［ｔ−７スピレータ
ー真空中で１２０℃（油浴温度）に加熱する。この融解
物を冷却した後に酸洗いしたシリカゲル５００．９’上
でトルエンと酢酸エチルとの６：１の系そして次に３＝
１の系でクロマトグラフ処理する。こうして２−（４−
（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−ａ−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン、−１−イル
クー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエステルが白
色の海綿状物質の形で得られる。ＩＲ−スペクトル（塩
化メチレン）：５６．．５．７５．５，９０．６．７μ
に特性バンド。
ラン酸−ジフェニルメチルエステル−１β−オキシド１
（ｌと２−メルカグトベンズオキサゾール３ｇとを乾い
たテトラヒドロンラン２５ｄに溶かしてから真空中で完
全に蒸発する。残った海綿状物５１［ｔ−７スピレータ
ー真空中で１２０℃（油浴温度）に加熱する。この融解
物を冷却した後に酸洗いしたシリカゲル５００．９’上
でトルエンと酢酸エチルとの６：１の系そして次に３＝
１の系でクロマトグラフ処理する。こうして２−（４−
（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−ａ−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン、−１−イル
クー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエステルが白
色の海綿状物質の形で得られる。ＩＲ−スペクトル（塩
化メチレン）：５６．．５．７５．５，９０．６．７μ
に特性バンド。
（ａｉｘ）酢酸エチル１２５＃ｌ／に溶かした２−〔４
−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ／−１−イル
クー３−メチレン酪酸ジフェニルメチルエステル３３５
ｇの一７０℃に冷却した溶液中に、原料が薄層クロマト
グラフ（シリカゲル、トルエン・酢酸エチル３；ｌ）で
検出されなくなるまで、はど１当量のオゾン（０２・０
３混合物の形で）を導入する。この溶液を真空中で約５
０１ｄＫ蒸発し、ジメチルサルファイド５ｄを加えそし
てよう化カリウム・でんぷん試験において反応が起らな
くなるまでかきまぜる。この混合物を真空中で蒸発し、
残分をベンゼン１５０ｄに溶かしそして水で洗う。肩機
相を硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。残分を酸
洗いしたシリカゲル１５０ｇ上でトルエンと酢酸エチル
との４＝ｌの系でクロ１トゲラフ処理する。こうして２
−［４−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イルツー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニルメチル
エステルが白色海綿状の形で得られる。
−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ／−１−イル
クー３−メチレン酪酸ジフェニルメチルエステル３３５
ｇの一７０℃に冷却した溶液中に、原料が薄層クロマト
グラフ（シリカゲル、トルエン・酢酸エチル３；ｌ）で
検出されなくなるまで、はど１当量のオゾン（０２・０
３混合物の形で）を導入する。この溶液を真空中で約５
０１ｄＫ蒸発し、ジメチルサルファイド５ｄを加えそし
てよう化カリウム・でんぷん試験において反応が起らな
くなるまでかきまぜる。この混合物を真空中で蒸発し、
残分をベンゼン１５０ｄに溶かしそして水で洗う。肩機
相を硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。残分を酸
洗いしたシリカゲル１５０ｇ上でトルエンと酢酸エチル
との４＝ｌの系でクロ１トゲラフ処理する。こうして２
−［４−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イルツー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニルメチル
エステルが白色海綿状の形で得られる。
ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６０．５．９
０．６．０μに特性バンド。
０．６．０μに特性バンド。
（ａＸ）塩化メチレン１２．５ｄに溶かした２−［４−
（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−３−フェノ
キ７アセトアミドー２−オキソアゼチジン−１−イルツ
ー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステ
ル１．７Ｉの溶液に、薄層クロマトグラフ（シリカゲル
、トルエン・酢酸エチル３：１）で原料が検出されなく
なるまで、ジアゾメタンのエーテル溶液を０℃でかきま
ぜながら滴加する。この混合物を真空中で蒸発して、残
分を酸洗いしたシリカダル８０Ｉ！上でトルエンと酢酸
エチルとの２＝１の系でクロマトグラフ処理する。こう
して２−（４−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキ、ジアセトアミド−２−オ孝ソアゼチ
ジンー１−イル）−３−メトキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルとの約５：１の比から成る異性体混合物が
得られる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６
０．５８５（肩）、５．９０．６．４０．６．６５μに
特性バンド。
（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ）−３−フェノ
キ７アセトアミドー２−オキソアゼチジン−１−イルツ
ー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステ
ル１．７Ｉの溶液に、薄層クロマトグラフ（シリカゲル
、トルエン・酢酸エチル３：１）で原料が検出されなく
なるまで、ジアゾメタンのエーテル溶液を０℃でかきま
ぜながら滴加する。この混合物を真空中で蒸発して、残
分を酸洗いしたシリカダル８０Ｉ！上でトルエンと酢酸
エチルとの２＝１の系でクロマトグラフ処理する。こう
して２−（４−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキ、ジアセトアミド−２−オ孝ソアゼチ
ジンー１−イル）−３−メトキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルとの約５：１の比から成る異性体混合物が
得られる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６
０．５８５（肩）、５．９０．６．４０．６．６５μに
特性バンド。
〔ａ刈）２−（４−（ベンズオキサゾール−２−イルジ
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−メトキシ−クロトン酸−ジフ
ェニルメチルエステルと相当するイソクロトン酸−ジフ
ェニルメチルエステルとの異性体混合物６８２１ｎ９（
１ｍＭ） をアセトンと水との９：１（容量比）の混合
物２０＋ｄに溶がシ、コレにｐｌダルンスルフィン酸銀
３５ｏｒｎｇ（１，３ｍＭ）を加えて室温で９０分間か
きまぜる。
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−メトキシ−クロトン酸−ジフ
ェニルメチルエステルと相当するイソクロトン酸−ジフ
ェニルメチルエステルとの異性体混合物６８２１ｎ９（
１ｍＭ） をアセトンと水との９：１（容量比）の混合
物２０＋ｄに溶がシ、コレにｐｌダルンスルフィン酸銀
３５ｏｒｎｇ（１，３ｍＭ）を加えて室温で９０分間か
きまぜる。
この混合物をセライトでろ過し、ろ液を真空中で５ｍ１
Ｖｃ＠縮しそして塩化メチレン３０１ｄで抽出する。こ
の塩化メチレン相を硫酸ナトリウムで乾かして真空中で
蒸発する。残分を酸洗いしたシリカゲル３０ｇ上でトル
エンと酢酸エチルとの１：１の系でクロマトグラフ処理
する。こうして２−〔４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルとから成る異性体混合物を生成する。
Ｖｃ＠縮しそして塩化メチレン３０１ｄで抽出する。こ
の塩化メチレン相を硫酸ナトリウムで乾かして真空中で
蒸発する。残分を酸洗いしたシリカゲル３０ｇ上でトル
エンと酢酸エチルとの１：１の系でクロマトグラフ処理
する。こうして２−〔４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルとから成る異性体混合物を生成する。
例５
２（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−メトキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステル
と相当するイソクロトン酸エステルとから成る例４の（
−）項に従って得た結晶化した異性体混合物３００！ｎ
９（０，４５ｍＭ ）を乾いた１、２−ジメトキシエタ
ン４ゴに溶かし、これに室温で窒素ガス中で１，５−ジ
アデビシクｔｆｆｌ：５．４．０）ウンデカ−５−工ｙ
０．１３４ｍ１（０，９ｍＭ）を加えてかきまぜる。４
０分間反応した後にこの溶液を０℃に冷却しそし、でこ
れに酢酸０．４ｄを加えてからｍ−クロル過安息香酸（
８５％）１８０ｍ９（１，３６ｍＭ） を加える。この
溶液を窒素ガス中で０℃で１０分間かきまぜ、クロロホ
ルム希釈しそしてチオ硫酸ナトリウムの希硫酸溶液、水
および希薄な炭酸水素す） ＋７ウム溶液で洗う。それ
ら水相をクロロホルムで抽出し、有機相を合わせて硫酸
ナトリウムで乾かし、真空下で濃縮しそして高真空下で
溶媒を除く。こうして得た粗生成物をシリカダル薄層板
上で分離する（展開剤：酢酸エステル、１回展開）。Ｒ
ｆ＝０．５１の帯域のシリカゲルを酢酸エステルで抽出
し、抽出液を濃縮し、残分を高真空下で乾かす。油状残
分トして７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−３−エム−４−カルデン酸ジフェニルメチルエ
ステルが得られる。塩化メチレンとペンタンとの混合物
から結晶化した後に融点は１１５−１２０℃である。
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−メトキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステル
と相当するイソクロトン酸エステルとから成る例４の（
−）項に従って得た結晶化した異性体混合物３００！ｎ
９（０，４５ｍＭ ）を乾いた１、２−ジメトキシエタ
ン４ゴに溶かし、これに室温で窒素ガス中で１，５−ジ
アデビシクｔｆｆｌ：５．４．０）ウンデカ−５−工ｙ
０．１３４ｍ１（０，９ｍＭ）を加えてかきまぜる。４
０分間反応した後にこの溶液を０℃に冷却しそし、でこ
れに酢酸０．４ｄを加えてからｍ−クロル過安息香酸（
８５％）１８０ｍ９（１，３６ｍＭ） を加える。この
溶液を窒素ガス中で０℃で１０分間かきまぜ、クロロホ
ルム希釈しそしてチオ硫酸ナトリウムの希硫酸溶液、水
および希薄な炭酸水素す） ＋７ウム溶液で洗う。それ
ら水相をクロロホルムで抽出し、有機相を合わせて硫酸
ナトリウムで乾かし、真空下で濃縮しそして高真空下で
溶媒を除く。こうして得た粗生成物をシリカダル薄層板
上で分離する（展開剤：酢酸エステル、１回展開）。Ｒ
ｆ＝０．５１の帯域のシリカゲルを酢酸エステルで抽出
し、抽出液を濃縮し、残分を高真空下で乾かす。油状残
分トして７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−３−エム−４−カルデン酸ジフェニルメチルエ
ステルが得られる。塩化メチレンとペンタンとの混合物
から結晶化した後に融点は１１５−１２０℃である。
上記のＲｆ ＝ ０．２２の帯域のシリカダルを酢酸エ
ステルで抽出し、この溶液を回転蒸発器で濃縮しそして
油状残分を乾かすと、７β−フェノキシアセトアミド−
３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルデン酸−シフ
ェニルメチルエステル−１α−オキシドが得られる。融
点１７５〜１８０℃（クロロホルムから）。
ステルで抽出し、この溶液を回転蒸発器で濃縮しそして
油状残分を乾かすと、７β−フェノキシアセトアミド−
３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルデン酸−シフ
ェニルメチルエステル−１α−オキシドが得られる。融
点１７５〜１８０℃（クロロホルムから）。
なお、次の（１）または（１１）項によっても同じ化合
物が作られる。
物が作られる。
（１） ２− （４−（ｐ −）ルエンスルホニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１１ル〕−３−メトキシクロトン酸−ジフェニルメ
チルエステルと相当するイソクロトン酸エステルとから
成る例４の（ａ）項に従って得た結晶化した異性体混合
物２４．７１ｖ（，３６ｍＭ ） を乾いた１、２−ジ
メトキシエタン２４７ ｍｌＫ溶カし、これに室温で窒
素ガス中で１．５−ジアゾビシクロ［ｓ、４．０］ウン
デカ−５−エン８．２２ｍ１（５＋ｍＭ） を加えてか
きまぜる。４０分間反応した後にこの溶液を０℃に冷却
しそしてこれにぎ酸３．７３ｄを加えてから過ぎ酸（３
０チの過酸化水素３３１ｒＬｌとぎ酸１００ｄとから作
る）３７．３ｙ（１ｏｓｍｌ を加える。この溶液を０
℃で窒素ガス中で１０分間かきまぜ、クロロホルムで希
釈しそしてチオ硫酸ナトリウムの希硫酸溶液、水および
希薄な炭酸水素ナトリウム溶液で洗う。それら水相を合
わせ、クロロホルムで抽出し、有機相を合わせて硫酸ナ
トリウムで乾かし、真空中で濃縮しそして高真空下で溶
媒を除く。こうして得た粗生成物を塩化メチレンとペン
タンとの混合物から結晶として取シ出せば、融点１１５
〜１”２０℃の７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメ
チルエステル−１β−オキシドを生成スる。
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１１ル〕−３−メトキシクロトン酸−ジフェニルメ
チルエステルと相当するイソクロトン酸エステルとから
成る例４の（ａ）項に従って得た結晶化した異性体混合
物２４．７１ｖ（，３６ｍＭ ） を乾いた１、２−ジ
メトキシエタン２４７ ｍｌＫ溶カし、これに室温で窒
素ガス中で１．５−ジアゾビシクロ［ｓ、４．０］ウン
デカ−５−エン８．２２ｍ１（５＋ｍＭ） を加えてか
きまぜる。４０分間反応した後にこの溶液を０℃に冷却
しそしてこれにぎ酸３．７３ｄを加えてから過ぎ酸（３
０チの過酸化水素３３１ｒＬｌとぎ酸１００ｄとから作
る）３７．３ｙ（１ｏｓｍｌ を加える。この溶液を０
℃で窒素ガス中で１０分間かきまぜ、クロロホルムで希
釈しそしてチオ硫酸ナトリウムの希硫酸溶液、水および
希薄な炭酸水素ナトリウム溶液で洗う。それら水相を合
わせ、クロロホルムで抽出し、有機相を合わせて硫酸ナ
トリウムで乾かし、真空中で濃縮しそして高真空下で溶
媒を除く。こうして得た粗生成物を塩化メチレンとペン
タンとの混合物から結晶として取シ出せば、融点１１５
〜１”２０℃の７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメ
チルエステル−１β−オキシドを生成スる。
（ｉｉ） ２− Ｃ４−（ｐ −）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−メトキシクロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルと相当するイソクロトン酸エステルと
から成る例４の（、）項に従って得だ結晶化した異性体
混合物１．５１ （２，１９ｍＭ）を乾いた１、２−ジ
メトキシエタン７．５１ｎＩ３に溶かし、これに室温で
窒素ガス中で１．５−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウ
ンデカ−５−エン０．４３ｄ（２，８４ｍＭ ） を加
えてかきまぜる。４０分間反応した後にこの溶液を０℃
に冷却しそして酢酸０．３７５ｄ（６，５５ｍＭ ）を
加えてから、 ７．２Ｎの過酢酸０．６６７ｍｌ （４
，８ｍＭ ）を加える。この溶液を窒素ガス中で０℃で
２０分間がきまぜてから、２０％の亜硫酸水素ナトリウ
ム溶液０．２４１ｄを加える。反応混合物を激しくかき
まぜなから水２２゜５ｍｌと混合する。こうして７β−
フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エ
ム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルの１β
−オキシドと１α−オキシドとの混合物が晶出する。こ
の沈殿をろ別し、水で洗いそしく高真空中で乾かす。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−メトキシクロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルと相当するイソクロトン酸エステルと
から成る例４の（、）項に従って得だ結晶化した異性体
混合物１．５１ （２，１９ｍＭ）を乾いた１、２−ジ
メトキシエタン７．５１ｎＩ３に溶かし、これに室温で
窒素ガス中で１．５−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウ
ンデカ−５−エン０．４３ｄ（２，８４ｍＭ ） を加
えてかきまぜる。４０分間反応した後にこの溶液を０℃
に冷却しそして酢酸０．３７５ｄ（６，５５ｍＭ ）を
加えてから、 ７．２Ｎの過酢酸０．６６７ｍｌ （４
，８ｍＭ ）を加える。この溶液を窒素ガス中で０℃で
２０分間がきまぜてから、２０％の亜硫酸水素ナトリウ
ム溶液０．２４１ｄを加える。反応混合物を激しくかき
まぜなから水２２゜５ｍｌと混合する。こうして７β−
フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エ
ム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルの１β
−オキシドと１α−オキシドとの混合物が晶出する。こ
の沈殿をろ別し、水で洗いそしく高真空中で乾かす。
（ｉｉｉ）１，２−ジメトキシエタン９８８ｄ中に２−
（：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルク
ー３−メトキシイソクロトン酸ジフェニルメチルエステ
ル９８．８ｇ（１４４ｍＭ）を懸濁し、これに室温で窒
素ガス中でかきまぜながら１．５−ジアザビシクロ［５
，４，０，：ｌウンデカ−５−：ン３２．９ＩｒＬｌ（
２１６ｍＭ）を２分間で加える。この透明な溶液を室温
でさらに２５分間かきまぜてから０℃に冷却し、同時に
ぎ酸１４．９ｄ（３９５ｍＭ ） を加えそして一２０
’Ｃに冷却した後に約３０％の過酸化水素６６ＩＩＬｌ
とぎ酸１３４ｄとの混合物１４９ｄ（Ｈ２Ｏ２４３２ｍ
Ｍ）を滴加する。反応溶液を０℃で１５分間かきまぜて
から、これにチオ硫酸ナトリウム３７．ｌｉ＋を水５０
０ｆｆｌＡ！に溶かして加える。次に、５℃で１時間で
水約３００ｍ１を加える。５℃で２−３時間さらにかき
まぜた後に、主として７β−フェノキシアセトアミド−
３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェ
ニルメチルエステル−１β−オキシドカラ族る結晶性沈
殿をろ別し、冷水（３℃）およびジエチルエーテルで洗
いそして高真空中で塩化カルシウム上で乾かす。
（：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルク
ー３−メトキシイソクロトン酸ジフェニルメチルエステ
ル９８．８ｇ（１４４ｍＭ）を懸濁し、これに室温で窒
素ガス中でかきまぜながら１．５−ジアザビシクロ［５
，４，０，：ｌウンデカ−５−：ン３２．９ＩｒＬｌ（
２１６ｍＭ）を２分間で加える。この透明な溶液を室温
でさらに２５分間かきまぜてから０℃に冷却し、同時に
ぎ酸１４．９ｄ（３９５ｍＭ ） を加えそして一２０
’Ｃに冷却した後に約３０％の過酸化水素６６ＩＩＬｌ
とぎ酸１３４ｄとの混合物１４９ｄ（Ｈ２Ｏ２４３２ｍ
Ｍ）を滴加する。反応溶液を０℃で１５分間かきまぜて
から、これにチオ硫酸ナトリウム３７．ｌｉ＋を水５０
０ｆｆｌＡ！に溶かして加える。次に、５℃で１時間で
水約３００ｍ１を加える。５℃で２−３時間さらにかき
まぜた後に、主として７β−フェノキシアセトアミド−
３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェ
ニルメチルエステル−１β−オキシドカラ族る結晶性沈
殿をろ別し、冷水（３℃）およびジエチルエーテルで洗
いそして高真空中で塩化カルシウム上で乾かす。
上記のる液を激しくかきまぜながら５℃で水７１に注ぎ
入れる。こうして生成した油は夜通し放甑すると固体す
る。これをろ別し、氷冷した水で洗いそして高真空中で
塩化カルシウム上で乾かす。
入れる。こうして生成した油は夜通し放甑すると固体す
る。これをろ別し、氷冷した水で洗いそして高真空中で
塩化カルシウム上で乾かす。
このものは主として７β−フェノキシアセトアミド−３
−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニ
ルメチルエステル−１α−オキシドから成る。
−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニ
ルメチルエステル−１α−オキシドから成る。
（ｉψ ２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−
３−フェノヤシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イルクー３−メトキシイソクロトン酸ジフェニルメ
チルエステル３４．３５ 、！ｉ’ （５０ｍＭ）を２
０℃で窒素ガス中でテトラヒドロフラン３４０ｄ中に懸
濁する（大部分は溶ける）。この溶液１．５−ジアザビ
シクロ［，４，０）ウンデカ−５−エン１１．４ｆｆｉ
ｌ（７５ｍＭ ） を早く注ぎ入れた後に２０℃で１５
分間かきまぜ、氷酢酸１．９ ｒｎｌ（３０，２ｍＭ）
を加えそして真空中で３０℃で乾くまで濃縮する。こう
して得た泡立った褐色残分を塩化メチレン１３０ｄに溶
かして水６０ｒｎｌ。
３−フェノヤシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イルクー３−メトキシイソクロトン酸ジフェニルメ
チルエステル３４．３５ 、！ｉ’ （５０ｍＭ）を２
０℃で窒素ガス中でテトラヒドロフラン３４０ｄ中に懸
濁する（大部分は溶ける）。この溶液１．５−ジアザビ
シクロ［，４，０）ウンデカ−５−エン１１．４ｆｆｉ
ｌ（７５ｍＭ ） を早く注ぎ入れた後に２０℃で１５
分間かきまぜ、氷酢酸１．９ ｒｎｌ（３０，２ｍＭ）
を加えそして真空中で３０℃で乾くまで濃縮する。こう
して得た泡立った褐色残分を塩化メチレン１３０ｄに溶
かして水６０ｒｎｌ。
０．５Ｎの塩酸３（Ｉｌ、ＬＭのＮａＨＣＯｓ溶１ｆ１
３０ ｍｌそして水３０Ｉｎｌで洗う。これら水相を塩
化メチレン１０＃Ｉ７！づつで２回抽出する。
３０ ｍｌそして水３０Ｉｎｌで洗う。これら水相を塩
化メチレン１０＃Ｉ７！づつで２回抽出する。
それら塩化メチレン相を乾かさずに食わせ、−１０℃に
冷却し、これに過酢酸の酢酸溶液７．０ｒｎｌ（過酢酸
約５０ ｍＭを含む）をゆっくり加える。
冷却し、これに過酢酸の酢酸溶液７．０ｒｎｌ（過酢酸
約５０ ｍＭを含む）をゆっくり加える。
０〜５℃で１５分間かきまぜた後にチオ硫酸ナトリウム
水溶液を加えて余分の過酸を分解する。水相を分けて少
量の塩化メチレンで洗う。この溶液を硫酸マグネシウム
で乾かした後に真空中で濃縮する。その淡黄色残分（７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−七フー３
−エムー４−カルゴン酸ジフェニルメチルエステル−１
−オキシドと７β−フェノキシアセトアミド−３−メト
キシ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチ
ルエステル−１−オキシドとの約２：１の比から成る混
合物）を室温でモノグリム１２０＃Ｉｅに溶かし、水３
０１１１７！を加えると７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフ
ェニルメチルエステル−１β−オキシドが晶出する。こ
の泥状の結晶物質を３０分間かきまぜてから、かきまぜ
ながら水１５０＃ＩＪを室温で約５時間で加えると、相
当する１α−オキシドも晶出する。これを全部で１７時
間かきまぜてから、水浴中で１時間冷却し、ろ別しそし
てろ過残分をモノグリムと水との１：１．５の冷却した
混合物の少量で洗う。この結晶を高真空下で２２０５上
で１６時間乾かす。こうして、相当する１α−オキシド
も含む７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエス
テル−１β−オキシドが得られる。
水溶液を加えて余分の過酸を分解する。水相を分けて少
量の塩化メチレンで洗う。この溶液を硫酸マグネシウム
で乾かした後に真空中で濃縮する。その淡黄色残分（７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−七フー３
−エムー４−カルゴン酸ジフェニルメチルエステル−１
−オキシドと７β−フェノキシアセトアミド−３−メト
キシ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチ
ルエステル−１−オキシドとの約２：１の比から成る混
合物）を室温でモノグリム１２０＃Ｉｅに溶かし、水３
０１１１７！を加えると７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフ
ェニルメチルエステル−１β−オキシドが晶出する。こ
の泥状の結晶物質を３０分間かきまぜてから、かきまぜ
ながら水１５０＃ＩＪを室温で約５時間で加えると、相
当する１α−オキシドも晶出する。これを全部で１７時
間かきまぜてから、水浴中で１時間冷却し、ろ別しそし
てろ過残分をモノグリムと水との１：１．５の冷却した
混合物の少量で洗う。この結晶を高真空下で２２０５上
で１６時間乾かす。こうして、相当する１α−オキシド
も含む７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエス
テル−１β−オキシドが得られる。
こうして得た１−オキシドを次のようにさらに処理する
ことができる。
ことができる。
（ａ）塩化メチレン３ｄとジメチルホルムアミドＱ、
ｌ ｍｌ 、！：の混合物に溶かした７β−フェノキシ
アセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カ
ルボン酸ジフェニルメチルエステル−７β一オキシド１
５０１１１ｇ（０，２７５ｍＭ）の溶液に０℃で３塩化
シん１８８１Ｗ（１，３７ｍＭ）を加える。
ｌ ｍｌ 、！：の混合物に溶かした７β−フェノキシ
アセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カ
ルボン酸ジフェニルメチルエステル−７β一オキシド１
５０１１１ｇ（０，２７５ｍＭ）の溶液に０℃で３塩化
シん１８８１Ｗ（１，３７ｍＭ）を加える。
この溶液を０℃で３０分間かきまぜ、塩化メチレンで希
釈しそして炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う。水相を塩
化メチレンで洗い、有機相を合わせて硫酸ナトリウムで
乾かしそして真空中で濃縮する。こうして得た粗製の７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルを
エーテルから再結晶する。融点は１２０℃である。
釈しそして炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う。水相を塩
化メチレンで洗い、有機相を合わせて硫酸ナトリウムで
乾かしそして真空中で濃縮する。こうして得た粗製の７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルを
エーテルから再結晶する。融点は１２０℃である。
（−ｉ） １ｍ化メチレン２５ｒｎｌとジメチルホルム
アミド１．２５ｍ１との混合物に７β−フェノキシアセ
トアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボ
ン酸ジフェニルメチルエステル−１α−オキシド５．０
９ （９，１６ｍＭ ） を懸濁し、これに０℃で３塩
化りん１．６５ｍ１Ｃ１９，３ｍＭ）を加える。
アミド１．２５ｍ１との混合物に７β−フェノキシアセ
トアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボ
ン酸ジフェニルメチルエステル−１α−オキシド５．０
９ （９，１６ｍＭ ） を懸濁し、これに０℃で３塩
化りん１．６５ｍ１Ｃ１９，３ｍＭ）を加える。
この溶液を０℃で３０分間かきまぜ、酢酸エステルで希
釈しそして炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う・水相を酢
酸エステルで洗い、有機相を自わせて硫酸ナトリウムで
乾かしそして真空中で濃縮する。こうして得た粗製の７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエステルをエ
ーテルから再結晶する。融点は１２０℃である。
釈しそして炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う・水相を酢
酸エステルで洗い、有機相を自わせて硫酸ナトリウムで
乾かしそして真空中で濃縮する。こうして得た粗製の７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエステルをエ
ーテルから再結晶する。融点は１２０℃である。
（ｂ） 塩化メチレン５ｄに溶かした７β−フェノキシ
アセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カ
ルざン酸ジフェニルメチルエステル２，０１ （３，７
８ｍＭ ）の溶液をアニソール０．８７１ｄと混合し、
０℃に冷却しそしてトリフルオル酢酸１．２コを加えて
１時間放置する。反応混合物を真空中で濃縮し、その残
分をアセトンとエーテルとの混合物から結晶化する。こ
うして融点１７０℃（分解）の７β−フェノヤシアセト
アミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン
酸が得られる。
アセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カ
ルざン酸ジフェニルメチルエステル２，０１ （３，７
８ｍＭ ）の溶液をアニソール０．８７１ｄと混合し、
０℃に冷却しそしてトリフルオル酢酸１．２コを加えて
１時間放置する。反応混合物を真空中で濃縮し、その残
分をアセトンとエーテルとの混合物から結晶化する。こ
うして融点１７０℃（分解）の７β−フェノヤシアセト
アミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン
酸が得られる。
なお、前項（、）に記載のエステルを単離しなくとも同
じ化合物が次のようにして得られる。
じ化合物が次のようにして得られる。
（ｂｌ） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキ
シ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチル
エステルの１β−オキシドと１α−オキシドとの混合物
３．０１ （５，５ｍＭ ） を塩化メチレン１５１１
７！とジメチルアセトアミド０．７５ ｍｌとの混合物
に懸濁し、これに０℃で３塩化シん０．９６６ｍ７！（
＋、１ｔｍｌ を加える。この溶液を０℃で４０分間か
きまぜてから、トリフルオル酢酸４．６５ｍ１ （６１
ｒｎＭ ）を加えて０℃でさらに３０分間かきまぜる。
シ−セフ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチル
エステルの１β−オキシドと１α−オキシドとの混合物
３．０１ （５，５ｍＭ ） を塩化メチレン１５１１
７！とジメチルアセトアミド０．７５ ｍｌとの混合物
に懸濁し、これに０℃で３塩化シん０．９６６ｍ７！（
＋、１ｔｍｌ を加える。この溶液を０℃で４０分間か
きまぜてから、トリフルオル酢酸４．６５ｍ１ （６１
ｒｎＭ ）を加えて０℃でさらに３０分間かきまぜる。
反応溶液を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で中性となしそ
して有機相を希薄な重炭酸塩溶液で洗う。それら水相を
合わせて酢酸エステルで２回洗いそしてシん酸を加えて
ｐｉ（２，６にもたらす。
して有機相を希薄な重炭酸塩溶液で洗う。それら水相を
合わせて酢酸エステルで２回洗いそしてシん酸を加えて
ｐｉ（２，６にもたらす。
こうして析出した７β−フェノキシアセトアミド−３−
メｌｌシーセフー３−エムー４−カルがン酸をろ別し、
水で洗いそして高真空中で乾かす。
メｌｌシーセフー３−エムー４−カルがン酸をろ別し、
水で洗いそして高真空中で乾かす。
融点は１７０℃（分解）である。
（ｂｉｉ） 例５の（ｉｉｉ）項で得だ７β−フェノキ
シアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル−１β−オキシド
５３．４Ｊ７（９７，７ｍＭ）を塩化メチレン３２０ｍ
１とジメチルアセトアミド１５＋ｎｌとの混合物中に懸
濁して０℃に冷却しそして３塩化りん１７．３ ｒｎｌ
（１９，８ｍＭ）をゆりくシ加える。０〜５℃で２０分
間かきまぜた後にトリフルオル硫酸８９ｍ（１，０５ｍ
Ｍ ）を滴加する。この透明な＃液をさらに０〜５℃で
２０分間かきまぜてから、酢酸エチル１３００ｒｎｌで
希釈しそして２Ｍのシん酸ジカリウム溶液２４０ｍ１．
水ｌＯＯ＃Ｉ７！そして半分飽和した塩化ナトリウム水
溶液２５９ｍＡ！で洗う。この有機相から炭酸水素ナト
リウムの飽和水溶液７００ｍ１で７β−フェノキシアセ
トアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルピ
ン酸を抽出しそしてこの水相を酢酸エチル４００ｄで２
回洗う。
シアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル−１β−オキシド
５３．４Ｊ７（９７，７ｍＭ）を塩化メチレン３２０ｍ
１とジメチルアセトアミド１５＋ｎｌとの混合物中に懸
濁して０℃に冷却しそして３塩化りん１７．３ ｒｎｌ
（１９，８ｍＭ）をゆりくシ加える。０〜５℃で２０分
間かきまぜた後にトリフルオル硫酸８９ｍ（１，０５ｍ
Ｍ ）を滴加する。この透明な＃液をさらに０〜５℃で
２０分間かきまぜてから、酢酸エチル１３００ｒｎｌで
希釈しそして２Ｍのシん酸ジカリウム溶液２４０ｍ１．
水ｌＯＯ＃Ｉ７！そして半分飽和した塩化ナトリウム水
溶液２５９ｍＡ！で洗う。この有機相から炭酸水素ナト
リウムの飽和水溶液７００ｍ１で７β−フェノキシアセ
トアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルピ
ン酸を抽出しそしてこの水相を酢酸エチル４００ｄで２
回洗う。
それら有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５（Ｉｔ
／と水１００ＩＩＬｌと飽和塩化ナトリウム水溶液１０
０ｍ／との混合液２５０１１１１で２回抽出する。それ
ら重炭酸塩抽出液を合わせて酢酸エチル１５００ｍ／で
覆いそして激しくかきまぜながら２０チりん酸を加えて
一約２．５に調整する。との水相を酢酸エチル５００Ｉ
ｎｌで２回抽出する。それら有機相を合わせて硫酸マグ
ネシウムで乾かし、ろ過しそして真空下で蒸発する。そ
の結晶性残分を酢酸エチル１３０ｒｎｌに溶かして一１
０℃で夜通し放置する。
／と水１００ＩＩＬｌと飽和塩化ナトリウム水溶液１０
０ｍ／との混合液２５０１１１１で２回抽出する。それ
ら重炭酸塩抽出液を合わせて酢酸エチル１５００ｍ／で
覆いそして激しくかきまぜながら２０チりん酸を加えて
一約２．５に調整する。との水相を酢酸エチル５００Ｉ
ｎｌで２回抽出する。それら有機相を合わせて硫酸マグ
ネシウムで乾かし、ろ過しそして真空下で蒸発する。そ
の結晶性残分を酢酸エチル１３０ｒｎｌに溶かして一１
０℃で夜通し放置する。
こうして得た７β−フェノキシアセトアミド−３−メド
キシーセフ−３−エム−４−カルボン酸の淡黄色結晶を
ろ別し、冷却した酢酸エチルで洗いそして一定重量にな
るまで高真空下で乾かす。
キシーセフ−３−エム−４−カルボン酸の淡黄色結晶を
ろ別し、冷却した酢酸エチルで洗いそして一定重量にな
るまで高真空下で乾かす。
（ｂｉｉｉ） 例５の０１０項で得た７β−フェノキシ
アセトアミド−３−メトキシ−七フー３−エムー４−カ
ルボン酸ジフェニルメチルエステル−１α−オキシド２
３９ｇを塩化メチレン１４０ゴとジメチルアセトアミド
７、２ ｒｎｌとの混合物中に溶解して０℃に冷却しそ
して３塩化シん７．８ｄをゆっくシ加えた後に０〜５℃
で２０分間かきまぜる。この反応溶液にトリフルオル酢
酸３６ｒＩＬｌを滴加しそして０〜５℃で２０分間さら
にかきまぜてから、前項（ｂ ｉｉ ）に記載したよう
に処理する。こうして７β−フェノキシアセトアミド−
３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸が淡黄
色結晶の形でイｑられる。
アセトアミド−３−メトキシ−七フー３−エムー４−カ
ルボン酸ジフェニルメチルエステル−１α−オキシド２
３９ｇを塩化メチレン１４０ゴとジメチルアセトアミド
７、２ ｒｎｌとの混合物中に溶解して０℃に冷却しそ
して３塩化シん７．８ｄをゆっくシ加えた後に０〜５℃
で２０分間かきまぜる。この反応溶液にトリフルオル酢
酸３６ｒＩＬｌを滴加しそして０〜５℃で２０分間さら
にかきまぜてから、前項（ｂ ｉｉ ）に記載したよう
に処理する。こうして７β−フェノキシアセトアミド−
３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸が淡黄
色結晶の形でイｑられる。
（ｅ） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−３−エム−４−カルビン酸２．５５ｇ（７ｍＭ
）とＮ、Ｎ−ジメチルアニリン２．９ｄ（２２，４ｍ
Ｍ）とを無水塩化メチレフ１１ゴ中に１賢濁し、これに
窒素ガス中で２０℃でジメチル−ジクロル−シラン０．
７ｍ１（５，７ｍＭ ）を加えてから、同温度で３０分
間かき寸ぜる。こうして生成した透明々溶液を一２０℃
に冷却し、固体の５塩化りん１．６ ＆ （７，７ｍＭ
）を加憂て３０分間力為負まぜる。Ｎ、Ｎ−ジメチル
アニリｙ ０．９ｒｎｌ（７ｍＭ）とれ−！タノール０
．９ｍＭとの予冷（−２０℃）した混合物を同温度で２
〜３分間で加えてから、予冷（−２０℃）したれ−ブタ
ノール１０ｒｎｌを早く加えそして一２０℃で２０分間
そして次に冷却せずに１０分間かきまぜる。これに約−
１０℃で水０．４ ｍｌを加え、水浴（０℃）中で１０
分間かきまぜてから、ジオキサン１１Ｉｎｌを加えそし
て０℃で１０分間かきまぜた後にトリーｎ−ブチルアミ
ン約４．５ｒｎｌ！を、水で希釈した試料が３５の一定
一゛１値であるように少しづつ加える。こうして０℃で
１時間かきまぜた後に沈殿をろ別し、ジオキサンで洗い
モして含水ジオキサンから再結晶する。こうして得た７
β−アミノ−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カル
ボン酸−ハイドロクロライド−ジオキソナートは融点が
３００℃以上である。
−セフ−３−エム−４−カルビン酸２．５５ｇ（７ｍＭ
）とＮ、Ｎ−ジメチルアニリン２．９ｄ（２２，４ｍ
Ｍ）とを無水塩化メチレフ１１ゴ中に１賢濁し、これに
窒素ガス中で２０℃でジメチル−ジクロル−シラン０．
７ｍ１（５，７ｍＭ ）を加えてから、同温度で３０分
間かき寸ぜる。こうして生成した透明々溶液を一２０℃
に冷却し、固体の５塩化りん１．６ ＆ （７，７ｍＭ
）を加憂て３０分間力為負まぜる。Ｎ、Ｎ−ジメチル
アニリｙ ０．９ｒｎｌ（７ｍＭ）とれ−！タノール０
．９ｍＭとの予冷（−２０℃）した混合物を同温度で２
〜３分間で加えてから、予冷（−２０℃）したれ−ブタ
ノール１０ｒｎｌを早く加えそして一２０℃で２０分間
そして次に冷却せずに１０分間かきまぜる。これに約−
１０℃で水０．４ ｍｌを加え、水浴（０℃）中で１０
分間かきまぜてから、ジオキサン１１Ｉｎｌを加えそし
て０℃で１０分間かきまぜた後にトリーｎ−ブチルアミ
ン約４．５ｒｎｌ！を、水で希釈した試料が３５の一定
一゛１値であるように少しづつ加える。こうして０℃で
１時間かきまぜた後に沈殿をろ別し、ジオキサンで洗い
モして含水ジオキサンから再結晶する。こうして得た７
β−アミノ−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カル
ボン酸−ハイドロクロライド−ジオキソナートは融点が
３００℃以上である。
薄層クロマトグラムのＲＩ値＝０．１７（シリカダル、
系’ ”−ブタノール・４塩化炭素・メタノール・ぎ酸
・水３０：４０：２０：５：、５）。
系’ ”−ブタノール・４塩化炭素・メタノール・ぎ酸
・水３０：４０：２０：５：、５）。
（ｃｉ）９３ｓの７β−フエノキシアセトアミドー３−
メトキシ−セフ−３−エム−４−カルメン酸１１．７５
ｇ（１００俤とすれば１０．９３＆）とＮ、Ｎ−ジメチ
ルアニリン１３．４ａＪ（１２，７３ｇ）とを無水塩化
メチレン（Ｐ２Ｏ３上で蒸留）４７ｄ様に）罫１蜀し、
これに＋２０℃で窒素ガス中でジメチルジクロルシラン
３．６ｍ／！（３，８７９）を加えてから同温度で３０
分間かきまぜる。こうして生成した透明な溶液を−１８
〜−１９℃に冷却して、これに固体の５塩化りん７．８
ｇを加える。こうして内温は一１０℃に上昇する。−２
０℃の浴中で３０分間かきまぜた後にこの透明な溶液を
ｎ−ブタノール（５ｉｋｋａｎ上で乾かした無水物）４
７ｄとジメチルアニリン４．４ｄ（４，１８，９）との
−２０℃に冷却した混合物に約７分間で滴加する。
メトキシ−セフ−３−エム−４−カルメン酸１１．７５
ｇ（１００俤とすれば１０．９３＆）とＮ、Ｎ−ジメチ
ルアニリン１３．４ａＪ（１２，７３ｇ）とを無水塩化
メチレン（Ｐ２Ｏ３上で蒸留）４７ｄ様に）罫１蜀し、
これに＋２０℃で窒素ガス中でジメチルジクロルシラン
３．６ｍ／！（３，８７９）を加えてから同温度で３０
分間かきまぜる。こうして生成した透明な溶液を−１８
〜−１９℃に冷却して、これに固体の５塩化りん７．８
ｇを加える。こうして内温は一１０℃に上昇する。−２
０℃の浴中で３０分間かきまぜた後にこの透明な溶液を
ｎ−ブタノール（５ｉｋｋａｎ上で乾かした無水物）４
７ｄとジメチルアニリン４．４ｄ（４，１８，９）との
−２０℃に冷却した混合物に約７分間で滴加する。
こうして内温は一８℃に上昇する。これを−２０℃の浴
温中で３０分間かきまぜてから、水浴（０℃）中で最終
の内温が一１０℃に達するまでかきまぜる。この温度で
ジオキサン４７ｍ１と水１．５ ｍｌ 、！：の混合物
を約５分間で滴加する。こうして生成物がゆっくり品出
する。さらに１０分間かきまぜた後にこの混合物に水浴
中でトリーｎ−ブチルアミン約９．５ ｒＩＬｌを約１
時間でｐｉ（２，２〜２．４に保持するように少しづつ
加える（最初の５分間のうちに初めの５ｄを加える）。
温中で３０分間かきまぜてから、水浴（０℃）中で最終
の内温が一１０℃に達するまでかきまぜる。この温度で
ジオキサン４７ｍ１と水１．５ ｍｌ 、！：の混合物
を約５分間で滴加する。こうして生成物がゆっくり品出
する。さらに１０分間かきまぜた後にこの混合物に水浴
中でトリーｎ−ブチルアミン約９．５ ｒＩＬｌを約１
時間でｐｉ（２，２〜２．４に保持するように少しづつ
加える（最初の５分間のうちに初めの５ｄを加える）。
次に、ろ過し、ジオキサン約３０１ｄそして次に塩化メ
チレン約１５ｒｎｌで少しづつ洗えば、結晶性の７β−
アミノ−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルデン
酸−ハイトロクロライドージオキソナートが得られる。
チレン約１５ｒｎｌで少しづつ洗えば、結晶性の７β−
アミノ−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルデン
酸−ハイトロクロライドージオキソナートが得られる。
融点３００℃以上、Ｕｖ−スペクトル（０，ＩＮの炭酸
水素ナトリウム溶液中）：λｍａＸ＝２７０ｍμ（ε＝
７６００）、ＩＲ−スペクトルにュジョール）： ５．
６２．５，８０．５．８８．６．２６．６．５５．７．
０３．７．４５．７．７２．７．９６．８．１４．８．
２６．８．４５．８．６４．８．９７．９．２９．１０
．４０．１１．４７ ｍｇ Ｋ％性バンド、〔α）ｏ
＝＋１３４ 。
水素ナトリウム溶液中）：λｍａＸ＝２７０ｍμ（ε＝
７６００）、ＩＲ−スペクトルにュジョール）： ５．
６２．５，８０．５．８８．６．２６．６．５５．７．
０３．７．４５．７．７２．７．９６．８．１４．８．
２６．８．４５．８．６４．８．９７．９．２９．１０
．４０．１１．４７ ｍｇ Ｋ％性バンド、〔α）ｏ
＝＋１３４ 。
±１０（ｃ ＝ １．０．５ Ｎの炭酸水素ナトリウム
溶液中）。
溶液中）。
こうして得たハイドロクロライド−ジオキソナートの２
０チ水溶液に２Ｎのかせいソーダ液をｐｉ−１値が４．
１（等畦点）になるまで加えれば、７β−アミノ−３−
メトキン−セフ−３−エム−４−カルボン酸の分子内塩
が得られる。これをろ別して乾かせば、その融点は３０
℃以上である。ＵＶ−スペクトル（０１Ｎの炭酸水素ナ
トリウム溶液）：λ、ｎ１ＬＸ＝２７０ ｎｍ （ε＝
７６００）、 薄層クロマトグラムのＲ５値はその塩酸
塩のＲＩ値と同じ（シリカケ゛ル、同じ系）、〔α〕１
０＝＋２３２０±１°（ｅ 〜１．０．５ Ｎの炭酸水
素ナトリウム溶液）。
０チ水溶液に２Ｎのかせいソーダ液をｐｉ−１値が４．
１（等畦点）になるまで加えれば、７β−アミノ−３−
メトキン−セフ−３−エム−４−カルボン酸の分子内塩
が得られる。これをろ別して乾かせば、その融点は３０
℃以上である。ＵＶ−スペクトル（０１Ｎの炭酸水素ナ
トリウム溶液）：λ、ｎ１ＬＸ＝２７０ ｎｍ （ε＝
７６００）、 薄層クロマトグラムのＲ５値はその塩酸
塩のＲＩ値と同じ（シリカケ゛ル、同じ系）、〔α〕１
０＝＋２３２０±１°（ｅ 〜１．０．５ Ｎの炭酸水
素ナトリウム溶液）。
（ｄ）７β−アミノ−３−メトキシ−セフ−３−エム−
４−カルピン酸−ハイドロクロライドージオキソナー）
ＩＪｉ’（２，８２ｍＭ） を乾いた塩化メチレン２Ｑ
ｒｎｌ中に懸濁し、これに窒素ガス中で室温でビス−（
トリメチルシリル）−１セトアミド１、６５ ａｔを加
える。４０分間後にこの透明な溶液を０℃に冷却しそし
てこれに固体のＤ−α−フェニルグリシル酸クりライド
−塩酸塩９００■（４，３７ｍＭ ） を加える。５分
間の後にプロピレンオキシド０．７ｍ／（１０ｍＭ ）
を加える。この懸濁体を窒素ガス中で０℃で１時世か
きまぜてから、メタノール０．５＃＋７！を加えると、
７β−（Ｄ−α−フェニルグリシルアミノ）−３−メト
キシ−セフ−３−エム−４−カルがン酸−塩酸塩が結晶
の形で析出する。この塩酸塩をろ別し、水９ｄに溶かし
そしてこの溶液をＩＮのかせいソーダ液で−１４，６に
調整する。こうして生成した７β−（Ｄ−α−フェニル
グリシルアミノ）−３−メトキシ−セフ−３−エム−４
−カルメン酸の分子内塩の２水和物をろ別し、アセトン
およびジエチルエーテルで洗ってから乾かす。融点１７
４〜１７６℃（分解）、〔α〕Ｌ０＝＋１３２０（ｃ＝
０．７１４．０゜ＩＮの塩酸中）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）二町値〜ｏ、１ｇ（系：ｔＩ−ブタノー
ル・酢酸・水６７：１０：２３）、ＵＶ−スペクトル（
０、ＩＮの炭酸水素ナトリウム溶液中）：λｍａｘ＝２
６９ｎｍ（ｇ＝７０００）、ｆＲ−スペクトル（鉱油）
：５．７２．５，９４．６．２３および６．６０μに特
性バンド。
４−カルピン酸−ハイドロクロライドージオキソナー）
ＩＪｉ’（２，８２ｍＭ） を乾いた塩化メチレン２Ｑ
ｒｎｌ中に懸濁し、これに窒素ガス中で室温でビス−（
トリメチルシリル）−１セトアミド１、６５ ａｔを加
える。４０分間後にこの透明な溶液を０℃に冷却しそし
てこれに固体のＤ−α−フェニルグリシル酸クりライド
−塩酸塩９００■（４，３７ｍＭ ） を加える。５分
間の後にプロピレンオキシド０．７ｍ／（１０ｍＭ ）
を加える。この懸濁体を窒素ガス中で０℃で１時世か
きまぜてから、メタノール０．５＃＋７！を加えると、
７β−（Ｄ−α−フェニルグリシルアミノ）−３−メト
キシ−セフ−３−エム−４−カルがン酸−塩酸塩が結晶
の形で析出する。この塩酸塩をろ別し、水９ｄに溶かし
そしてこの溶液をＩＮのかせいソーダ液で−１４，６に
調整する。こうして生成した７β−（Ｄ−α−フェニル
グリシルアミノ）−３−メトキシ−セフ−３−エム−４
−カルメン酸の分子内塩の２水和物をろ別し、アセトン
およびジエチルエーテルで洗ってから乾かす。融点１７
４〜１７６℃（分解）、〔α〕Ｌ０＝＋１３２０（ｃ＝
０．７１４．０゜ＩＮの塩酸中）、薄層クロマトグラム
（シリカゲル）二町値〜ｏ、１ｇ（系：ｔＩ−ブタノー
ル・酢酸・水６７：１０：２３）、ＵＶ−スペクトル（
０、ＩＮの炭酸水素ナトリウム溶液中）：λｍａｘ＝２
６９ｎｍ（ｇ＝７０００）、ｆＲ−スペクトル（鉱油）
：５．７２．５，９４．６．２３および６．６０μに特
性バンド。
（ｄｉ） ７β−アミノ−３−メトキシ−セフ−３−エ
ム−４−カルメン酸（分子内塩）９９３＃（４，３２ｍ
Ｍ ）を塩化メチレンｌ ０ｍｌ３中に懸濁し、これに
Ｎ、Ｎ−ビス−（トリメチルシリル）−７セトアミド１
．３７ｍ１（５，６ｍＭ ）を加えて、窒素ガス中で室
温で４５分間かきまぜる。この透明な溶液を０℃に冷却
しそしてＤ−α−フェニルグリシル酸クりライド−塩酸
塩１．１１１１ （５，４ｍＭ ）を加える。５分間後
にプロピレンオキシドｏ、４ｄ（５，６ｍＭ ）を加え
る。この懸濁液を窒素ガス中で０℃で１時間かきまぜて
からメタノール０．６Ｉｎｌ！を加える。こうして晶出
した７β−（Ｄ−α−フェニルグリシルアミド）−３−
メトキシ−セフ−３−エム−４−カルざン酸−塩酸塩を
ろ別し、０℃で水１５！ｎｌに溶かしそしてこの溶液に
ＩＮのかせいソーダ液５ｒｎｌを加えてｐｌ−１を約４
に調整する。
ム−４−カルメン酸（分子内塩）９９３＃（４，３２ｍ
Ｍ ）を塩化メチレンｌ ０ｍｌ３中に懸濁し、これに
Ｎ、Ｎ−ビス−（トリメチルシリル）−７セトアミド１
．３７ｍ１（５，６ｍＭ ）を加えて、窒素ガス中で室
温で４５分間かきまぜる。この透明な溶液を０℃に冷却
しそしてＤ−α−フェニルグリシル酸クりライド−塩酸
塩１．１１１１ （５，４ｍＭ ）を加える。５分間後
にプロピレンオキシドｏ、４ｄ（５，６ｍＭ ）を加え
る。この懸濁液を窒素ガス中で０℃で１時間かきまぜて
からメタノール０．６Ｉｎｌ！を加える。こうして晶出
した７β−（Ｄ−α−フェニルグリシルアミド）−３−
メトキシ−セフ−３−エム−４−カルざン酸−塩酸塩を
ろ別し、０℃で水１５！ｎｌに溶かしそしてこの溶液に
ＩＮのかせいソーダ液５ｒｎｌを加えてｐｌ−１を約４
に調整する。
この溶液を室温にもたらし、トリエチルアミンを加えて
ＰＨを約４．８にもたらすと、７β−（Ｄ−α−フェニ
ルグリシルアミド）−３−メトキシ−セフ−３−：ＬＬ
−４−カルボン酸が２水和物の形で晶出する。
ＰＨを約４．８にもたらすと、７β−（Ｄ−α−フェニ
ルグリシルアミド）−３−メトキシ−セフ−３−：ＬＬ
−４−カルボン酸が２水和物の形で晶出する。
以下忌日
例６
２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸ジフェニルメチル
エステルと相当するインクロトン酸ジフェニルメチルエ
ステルとから成る異性体混合物０．６９７ｇ（１，０ｍ
Ｍ） を乾いたテトラヒドロフラン４＃Ｉ／に溶かし、
これに１，５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ
−５−エン０．２２８＃（１，５ｍＭ）をテトラヒドロ
フラン１０ｒｎｌに溶かして加える。この混合物を室温
で４０分間かきまぜてからベンゼン２００ ｍｌで希釈
しそして希塩酸、炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗
う。有機相を硫酸ナトリウムで乾かして、溶媒を真空中
で除く。こうして得た粗生成物を酸洗いしたシリカゲル
３０ｇ上でクロマトグラフ処理する。トルエンと酢酸エ
ステルとの７：１の系で先ず２−メルカプトベンゾチア
ゾールを溶離してから、７β−フェノキシアセドア辷ド
ー３−メトキシ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフ
ェニルメチルエステルを溶離する。ＴＲ−スペクト＃
（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．６０．５．７４．５．９０
および８．２８μ。
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸ジフェニルメチル
エステルと相当するインクロトン酸ジフェニルメチルエ
ステルとから成る異性体混合物０．６９７ｇ（１，０ｍ
Ｍ） を乾いたテトラヒドロフラン４＃Ｉ／に溶かし、
これに１，５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ
−５−エン０．２２８＃（１，５ｍＭ）をテトラヒドロ
フラン１０ｒｎｌに溶かして加える。この混合物を室温
で４０分間かきまぜてからベンゼン２００ ｍｌで希釈
しそして希塩酸、炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗
う。有機相を硫酸ナトリウムで乾かして、溶媒を真空中
で除く。こうして得た粗生成物を酸洗いしたシリカゲル
３０ｇ上でクロマトグラフ処理する。トルエンと酢酸エ
ステルとの７：１の系で先ず２−メルカプトベンゾチア
ゾールを溶離してから、７β−フェノキシアセドア辷ド
ー３−メトキシ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフ
ェニルメチルエステルを溶離する。ＴＲ−スペクト＃
（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．６０．５．７４．５．９０
および８．２８μ。
こうして得たエステルを次のようにして遊離酸に変える
ことができる。
ことができる。
（１）７β−フェノキシア七ドアミドー３−メトキシ−
セフ−２−エム−４α−カルボン酸−シフェニルメチル
エステル５３ ｍ９ （０，１ｍＭ ） とトリフルオ
ル酢５Ｏ６０７ｒｎｌと７＝：／−ル０．０６ｍｌと塩
化メチレンｏ、５ＩｎＩ！との混合物を０℃で１５分間
かきまぜる。この混合物をペンタンとジエチルエーテル
との３＝１の混合物５ｒｎｌで希釈して徴しく振とりす
る。こうして析出した白色の無定形の７β−フエノキシ
アセトアミドー３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−
カルボン酸をろ別しそしてペンタンとジエチルエーテル
との３＝１の混合物で洗う。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２
Ｃｌ２） ： ５．６０゜５．９０．８．２７＃。
セフ−２−エム−４α−カルボン酸−シフェニルメチル
エステル５３ ｍ９ （０，１ｍＭ ） とトリフルオ
ル酢５Ｏ６０７ｒｎｌと７＝：／−ル０．０６ｍｌと塩
化メチレンｏ、５ＩｎＩ！との混合物を０℃で１５分間
かきまぜる。この混合物をペンタンとジエチルエーテル
との３＝１の混合物５ｒｎｌで希釈して徴しく振とりす
る。こうして析出した白色の無定形の７β−フエノキシ
アセトアミドー３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−
カルボン酸をろ別しそしてペンタンとジエチルエーテル
との３＝１の混合物で洗う。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２
Ｃｌ２） ： ５．６０゜５．９０．８．２７＃。
以下韮臼
前記の原料は次のようにして得られる。
（ａｌ 酢酸エステル３０ｄに溶がして一７０℃に冷却
Ｌ＆２．− ［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−アゼ
チジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチ
ルエステル６８１１９（１，０ｍＭ）の溶液中に１当量
のオゾンを酸素で希釈して導入する。反応溶液を加温し
て１０ｍ１に真空下で濃縮し、ジメチルサルファイド１
．０ ｄを加えて室温で１５時間かきまぜる。溶媒と余
分の反応体とを真空中で除き、残分を酸洗いしたシリカ
ゲル３０．９上でトルエンと酢酸エステルとの４＝１の
系でクロマトグラフ処理する（各区劃ｔ１５ｍ／とする
）０こうして２−（４−（ベンズチアゾール−２−イル
ジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−
アセチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジ
フェニルメチルエステルが固体の無定形物質として得ら
れる。〔α）、＝１３０’±１０（ＣＨＣｌ５ 、ｅ
＝ｏ、 ８ ） 、Ｉ Ｒ；スペクトル（ＣＨ２Ｃ４２
）：２．９５．５．６０ 、５．９２ 、６．０４ 。
Ｌ＆２．− ［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−アゼ
チジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチ
ルエステル６８１１９（１，０ｍＭ）の溶液中に１当量
のオゾンを酸素で希釈して導入する。反応溶液を加温し
て１０ｍ１に真空下で濃縮し、ジメチルサルファイド１
．０ ｄを加えて室温で１５時間かきまぜる。溶媒と余
分の反応体とを真空中で除き、残分を酸洗いしたシリカ
ゲル３０．９上でトルエンと酢酸エステルとの４＝１の
系でクロマトグラフ処理する（各区劃ｔ１５ｍ／とする
）０こうして２−（４−（ベンズチアゾール−２−イル
ジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−
アセチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジ
フェニルメチルエステルが固体の無定形物質として得ら
れる。〔α）、＝１３０’±１０（ＣＨＣｌ５ 、ｅ
＝ｏ、 ８ ） 、Ｉ Ｒ；スペクトル（ＣＨ２Ｃ４２
）：２．９５．５．６０ 、５．９２ 、６．０４ 。
８．１０μ。
（ｂ）２−１：４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−アゼ
チジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸ゾフェニルメチ
ルエステル６８１■（１，０ｍＭ）のオゾン化によって
得た粗製の２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジ
チオ）−２−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−ア
ゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフ
ェニルメチルエステルを塩化メチレン５−に溶かし、こ
れに蒸留したジアゾメタンのエーテル溶液（ジアゾメタ
ン１．３ ｍＭ ’に含む）を０℃で加える。この混合
物を０℃で１時間かきまぜ、水で洗いそして有機層を硫
酸ナトリウムで乾かす。次に真空中で溶媒を除きそして
残分を酸洗いしたシリカダル３５Ｉ上でトルエンと酢酸
エステルとの２＝１の糸でクロマトグラフ処理する。こ
うして２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチ
ルエステルとから成る異性体混合物が得られる。ＩＲ−
スＲクトル（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．６０ 。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−アゼ
チジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸ゾフェニルメチ
ルエステル６８１■（１，０ｍＭ）のオゾン化によって
得た粗製の２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジ
チオ）−２−フェノキシアセトアミド−２−オキソ−ア
ゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフ
ェニルメチルエステルを塩化メチレン５−に溶かし、こ
れに蒸留したジアゾメタンのエーテル溶液（ジアゾメタ
ン１．３ ｍＭ ’に含む）を０℃で加える。この混合
物を０℃で１時間かきまぜ、水で洗いそして有機層を硫
酸ナトリウムで乾かす。次に真空中で溶媒を除きそして
残分を酸洗いしたシリカダル３５Ｉ上でトルエンと酢酸
エステルとの２＝１の糸でクロマトグラフ処理する。こ
うして２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸ジフェニルメ
チルエステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチ
ルエステルとから成る異性体混合物が得られる。ＩＲ−
スＲクトル（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．６０ 。
５．８８．６．６７．９．１５．９．９２μ。
例７
例４の方法に従って、２−［４−（ｐ−）ルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ
アゼチジン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸−２
，２，２−）リクロルエチルエステルと相当するイソク
ロトン酸−２、，２、２−トリクロルエチルエステルと
から成る異性体混合物２０ ｏｍｙｃ ０．３０７ｍＭ
） と１．５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ
−５−エン０．０９ＴＩＬｌ（０，６ｍＭ ）とを１．
２−ジメトキシエタン３−中で室温で３０分間かきまぜ
ることにより、７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−２−エム−４−カルデン酸−２，２，２
−トリクロルエチルエステル、７β−フェノキシアセト
アミド−３−メトキシ−セフ−３，−エム−４−カルぎ
ン酸−２，２，２−）リクロルエチルエステルとの約１
：１の比から成る異性体混合物が得られる。Ｒｆ値＝０
．３６および０．１８（シリカゲル、トルエン・酢酸エ
チル３：１）。
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ
アゼチジン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸−２
，２，２−）リクロルエチルエステルと相当するイソク
ロトン酸−２、，２、２−トリクロルエチルエステルと
から成る異性体混合物２０ ｏｍｙｃ ０．３０７ｍＭ
） と１．５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ
−５−エン０．０９ＴＩＬｌ（０，６ｍＭ ）とを１．
２−ジメトキシエタン３−中で室温で３０分間かきまぜ
ることにより、７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−２−エム−４−カルデン酸−２，２，２
−トリクロルエチルエステル、７β−フェノキシアセト
アミド−３−メトキシ−セフ−３，−エム−４−カルぎ
ン酸−２，２，２−）リクロルエチルエステルとの約１
：１の比から成る異性体混合物が得られる。Ｒｆ値＝０
．３６および０．１８（シリカゲル、トルエン・酢酸エ
チル３：１）。
上記の原料は次のようにして得られる。
（ａ） 例１の（ｂ）項に従って、６−フエツキシアセ
トーｙミドーーｅニジラン酸−２ａ２＊２−トリクロル
エチルエステル４９８ｍｐ（１ｍＭ） と２−メルヵゾ
トペンズチアゾール２０ Ｑ、７り（１，２ｍＭ）とか
ら２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル］−３−メチレン酪酸−２，２，２−）リクロ
ルエチルエステルが得られる。融点１４４〜１４９℃（
塩化メチレンとペンタンとの混合物から）、Ｒｆ 値＝
０．５（シリカゲル、エーテルン。
トーｙミドーーｅニジラン酸−２ａ２＊２−トリクロル
エチルエステル４９８ｍｐ（１ｍＭ） と２−メルヵゾ
トペンズチアゾール２０ Ｑ、７り（１，２ｍＭ）とか
ら２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル］−３−メチレン酪酸−２，２，２−）リクロ
ルエチルエステルが得られる。融点１４４〜１４９℃（
塩化メチレンとペンタンとの混合物から）、Ｒｆ 値＝
０．５（シリカゲル、エーテルン。
（ｂ） 例６の（ａ）項に従りて、２− ［４−（へｙ
ｙｇ−アゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソ−アゼチジン−１−イル］−３
−メチレン酪酸−２，２，２−）リクロルエチルエステ
ル６４７■（１ｍＭ）と１．２当量のオゾンとを反応さ
せ、生成したオシニドをジメチルサルファイドで分裂す
れば、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸−２，２，
２−トリクロルエチルエステルが作られる。融点１２９
−１３０℃（エーテルと石油エーテルとの混合物から）
。
ｙｇ−アゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソ−アゼチジン−１−イル］−３
−メチレン酪酸−２，２，２−）リクロルエチルエステ
ル６４７■（１ｍＭ）と１．２当量のオゾンとを反応さ
せ、生成したオシニドをジメチルサルファイドで分裂す
れば、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸−２，２，
２−トリクロルエチルエステルが作られる。融点１２９
−１３０℃（エーテルと石油エーテルとの混合物から）
。
（ｃ） 例６の（ｂ）項に従って、２−［４−（ベンゾ
チアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル］−３−ヒド
ロキシクロトン！！−２，２，２−）リクロルエチルエ
ステル５１ （７，７１ｍＭ ） ト過剰のジアゾメタ
ンとから、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジ
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸−２，
２，２−）リクロルエチルエステルと相当するイソクロ
トン酸−２１２１２−） ＋７クロルエチルエステルと
の異性体混合物が得られる。融点１７０〜１７４℃（塩
化メチレンとエーテルとの混合物から）。
チアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル］−３−ヒド
ロキシクロトン！！−２，２，２−）リクロルエチルエ
ステル５１ （７，７１ｍＭ ） ト過剰のジアゾメタ
ンとから、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジ
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸−２，
２，２−）リクロルエチルエステルと相当するイソクロ
トン酸−２１２１２−） ＋７クロルエチルエステルと
の異性体混合物が得られる。融点１７０〜１７４℃（塩
化メチレンとエーテルとの混合物から）。
（ｄｌ 例１の（ｃ）項に従って、２−［４−（ベンズ
チアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシクロトン酸−２，２，２−）ジクロルエチルエステ
ルと相当するイソクロトン酸−２，２，２−）ジクロル
エチルエステルとの異性体混合物１．９１ （２，８７
ｍＭ ）をｐ−）ルエンスルフィン酸銀ｏ、ｓ ｇ （
４，０５Ｆ？ＩＭ ）と共にアセトニ） ＩＪルと酢酸
エチルとの３＝４の混合物３５ゴの中で室温で５時間か
きまぜることによって、２−（４−（ｐ−）ルエンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸
−２゜２ 、２− ） ＩＪジクロルチルエステルと相
当するイソクロトンｆｆ−２，２，２−トリクロルエチ
ルエステルとの異性体混合物が得られる。融点１５５〜
１５８℃（酢酸エチルとエーテルとの混合物から）。
チアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシクロトン酸−２，２，２−）ジクロルエチルエステ
ルと相当するイソクロトン酸−２，２，２−）ジクロル
エチルエステルとの異性体混合物１．９１ （２，８７
ｍＭ ）をｐ−）ルエンスルフィン酸銀ｏ、ｓ ｇ （
４，０５Ｆ？ＩＭ ）と共にアセトニ） ＩＪルと酢酸
エチルとの３＝４の混合物３５ゴの中で室温で５時間か
きまぜることによって、２−（４−（ｐ−）ルエンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸
−２゜２ 、２− ） ＩＪジクロルチルエステルと相
当するイソクロトンｆｆ−２，２，２−トリクロルエチ
ルエステルとの異性体混合物が得られる。融点１５５〜
１５８℃（酢酸エチルとエーテルとの混合物から）。
以下余白
例８
乾いた塩化メチレン２ｍｌに溶かした２−（４−（ベン
ズチアゾール−２−イ／Ｉ／ジチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３
−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステル１
００１ｎ９（０，１４６ｍＭ）の溶液に０℃でトリメチ
ルクロルシラン０．０ ’ｌ ｍｌ（０，１６ｍ Ｍ
）を加える。この溶液に窒素ガス中でかきまぜなから１
，５−ジアザビシクロ〔５゜４．０〕ウンデカ−５−二
ン０．０４７７ｍ／（０，３２ｍＭ）を加えて０℃で１
時間かきまぜる。酢酸Ｑ、 ２ ｍｌ ｆ加えてから塩
化メチレンで希釈する。その有機相を希硫酸、水および
炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、硫酸す）＋１ウムで
乾かしてから真空中で乾くまで濃縮する。
ズチアゾール−２−イ／Ｉ／ジチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３
−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチルエステル１
００１ｎ９（０，１４６ｍＭ）の溶液に０℃でトリメチ
ルクロルシラン０．０ ’ｌ ｍｌ（０，１６ｍ Ｍ
）を加える。この溶液に窒素ガス中でかきまぜなから１
，５−ジアザビシクロ〔５゜４．０〕ウンデカ−５−二
ン０．０４７７ｍ／（０，３２ｍＭ）を加えて０℃で１
時間かきまぜる。酢酸Ｑ、 ２ ｍｌ ｆ加えてから塩
化メチレンで希釈する。その有機相を希硫酸、水および
炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、硫酸す）＋１ウムで
乾かしてから真空中で乾くまで濃縮する。
こうして得た粗製の７β−フェノキシアセトアミド−３
−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カルビン酸−ジフ
ェニルメチルエステルをメタノールに溶かしそしてこれ
にジアゾメタンのエーテル溶液を０℃で加える。この溶
液を１０分間後に注意深く濃縮して、残分を高真空中で
乾かす。この残分を薄層クロマトグラフによって精製す
る（シリカゲル、トルエンと酢酸エチルとの３：１の系
）。
−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カルビン酸−ジフ
ェニルメチルエステルをメタノールに溶かしそしてこれ
にジアゾメタンのエーテル溶液を０℃で加える。この溶
液を１０分間後に注意深く濃縮して、残分を高真空中で
乾かす。この残分を薄層クロマトグラフによって精製す
る（シリカゲル、トルエンと酢酸エチルとの３：１の系
）。
Ｒｆ ＝０．１７の帯域のシリカダルを酢酸エステルで
溶離しそしてこの溶離液を回転蒸発器で濃縮すれば、７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルＭン酸ゾフェニルメチルエステルが得
られる。融点１２０℃（エーテルから）。
溶離しそしてこの溶離液を回転蒸発器で濃縮すれば、７
β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルＭン酸ゾフェニルメチルエステルが得
られる。融点１２０℃（エーテルから）。
例９
２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸クロライドと２−
（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ル〕−３−メトキシーイソクロトン酸クロライドとから
成る粗製の混合物２６６ ｍｌ （０，５ｍ Ｍ ）を
乾いた塩化メチレン５ｍ／に溶かし、これを乾いたｔ−
ブタノールＱ、５ｍｌと塩化メチレン３ｍｌとの混合物
に溶かしたトリエチルアミン０．１−の溶液に０℃でか
きまぜながら１５分間で滴加する。この反応混合物をさ
らに１５分間かきまぜた後に塩化メチレンで希釈し、水
、希塩酸そしてさらに水で洗い、硫酸ナトリウムで乾か
しそして真空中で蒸発する。その残分を酸洗いしたシリ
カダル１０Ｉ上で展開剤としてトルエンと酢酸エチルと
の４＝１の系を使ってクロマトグラフ処理する。こうし
て７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−２−エム−４−カルどン酸−ｔ−ブチルエステルカ得
られる。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．
６０ 。
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸クロライドと２−
（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フ
ェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ル〕−３−メトキシーイソクロトン酸クロライドとから
成る粗製の混合物２６６ ｍｌ （０，５ｍ Ｍ ）を
乾いた塩化メチレン５ｍ／に溶かし、これを乾いたｔ−
ブタノールＱ、５ｍｌと塩化メチレン３ｍｌとの混合物
に溶かしたトリエチルアミン０．１−の溶液に０℃でか
きまぜながら１５分間で滴加する。この反応混合物をさ
らに１５分間かきまぜた後に塩化メチレンで希釈し、水
、希塩酸そしてさらに水で洗い、硫酸ナトリウムで乾か
しそして真空中で蒸発する。その残分を酸洗いしたシリ
カダル１０Ｉ上で展開剤としてトルエンと酢酸エチルと
の４＝１の系を使ってクロマトグラフ処理する。こうし
て７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−２−エム−４−カルどン酸−ｔ−ブチルエステルカ得
られる。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．
６０ 。
５．７７．５．９０．８．２９μに特性バンド。
前記の原料は次のようにして得られる。
（＆）２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルと２−Ｃ４−（ベンズチアゾール−２
−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オ
キソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシ−イソクロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルとの混合物６９８■
（１ｍ Ｍ ） ’Ｉｆ’塩化メチレン１．５カに溶か
し、これにトリフルオル酢Ｎ７１０．７ ｔｎｌとアニ
ソール０．６ ｍｌと塩化メチレン２．５ ｍｌとの混
合物音ｏ℃でかきまぜながらゆっくり加える。反応混合
物を０℃で３時間かきまぜ、これにエーテルとペンタン
との１：３の混合物１００ｍ１を加えて振とうしそして
生成した沈殿をろ別する。この沈殿は２−［４−（ベン
ズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メ
トキシ−クロトン酸と２−（４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシ−イソク
ロトン酸とから成る。
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルと２−Ｃ４−（ベンズチアゾール−２
−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オ
キソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシ−イソクロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルとの混合物６９８■
（１ｍ Ｍ ） ’Ｉｆ’塩化メチレン１．５カに溶か
し、これにトリフルオル酢Ｎ７１０．７ ｔｎｌとアニ
ソール０．６ ｍｌと塩化メチレン２．５ ｍｌとの混
合物音ｏ℃でかきまぜながらゆっくり加える。反応混合
物を０℃で３時間かきまぜ、これにエーテルとペンタン
との１：３の混合物１００ｍ１を加えて振とうしそして
生成した沈殿をろ別する。この沈殿は２−［４−（ベン
ズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メ
トキシ−クロトン酸と２−（４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシ−イソク
ロトン酸とから成る。
これをエーテルとペンタンとの１：３の混合物２５ｍＡ
で洗ってから真空中で乾かす。ＩＲ−スにクトル（ＣＨ
２Ｃ６２） ：５．６０．５．８０ 、５．９４ 。
で洗ってから真空中で乾かす。ＩＲ−スにクトル（ＣＨ
２Ｃ６２） ：５．６０．５．８０ 、５．９４ 。
８．５５ 、９．９５μに特性バンド。
（ｂ）２−１１：４−（ベンズチアゾール−２−イルジ
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−３−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−メトキシクロトン酸と２−［
ｉ−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−３−オキソアセチノン−１−イル
〕−３−メトキシイソクロトン酸との混合物５３２ダ（
１、Ｏｍ Ｍ ） を塩化オキザリル１０係を含むジオ
キサン５ｄに溶かし、これを室温で１５時間かきまぜて
から真空中で蒸発する。こうして生成した非結晶性の固
体残分ハ２− （，４−（ベンズチアゾール−２−イル
ジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イルツー３−メりキシ−クロトン酸クロ
ライドと２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−７エノキシア七ドアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル］−３−メトキシーイソクロトン酸クロ
ライドとの混合物から成る。これを精製しないでさらに
反応させる。
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−３−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−メトキシクロトン酸と２−［
ｉ−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−３−オキソアセチノン−１−イル
〕−３−メトキシイソクロトン酸との混合物５３２ダ（
１、Ｏｍ Ｍ ） を塩化オキザリル１０係を含むジオ
キサン５ｄに溶かし、これを室温で１５時間かきまぜて
から真空中で蒸発する。こうして生成した非結晶性の固
体残分ハ２− （，４−（ベンズチアゾール−２−イル
ジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イルツー３−メりキシ−クロトン酸クロ
ライドと２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−７エノキシア七ドアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル］−３−メトキシーイソクロトン酸クロ
ライドとの混合物から成る。これを精製しないでさらに
反応させる。
ＩＲ−スペクトル（ｃＨ２Ｃｔ２） ：５．５８ 、
Ｊ、９０ 。
Ｊ、９０ 。
９．９５μに特性ノぐンド。
例１０
２−［４−（ｐ−二）ロベンゼンスルホニルチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸ジフェニルメチル
エステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチルエ
ステルとから成る混合物３６９η（０，５ｍＭ）と１．
５−ジアザビシクロ〔５゜４．０〕ウンデカ−５−エン
１５２１１１ｇ（１，０ｍＭ ）とを乾いたテトラヒド
ロフラン１０ｍ１に溶かして室温で４０分間かきまぜる
。この反応混合物全ベンゼンで希釈し、希塩酸、水そし
て希薄な炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリ
ウムで乾かしそして真空中で溶媒を除く。その残分を酸
洗−したシリカダル上でトルエンと酢酸エチルとの７：
１の系を展開剤として使ってクロマトグラフ処理する。
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸ジフェニルメチル
エステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチルエ
ステルとから成る混合物３６９η（０，５ｍＭ）と１．
５−ジアザビシクロ〔５゜４．０〕ウンデカ−５−エン
１５２１１１ｇ（１，０ｍＭ ）とを乾いたテトラヒド
ロフラン１０ｍ１に溶かして室温で４０分間かきまぜる
。この反応混合物全ベンゼンで希釈し、希塩酸、水そし
て希薄な炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリ
ウムで乾かしそして真空中で溶媒を除く。その残分を酸
洗−したシリカダル上でトルエンと酢酸エチルとの７：
１の系を展開剤として使ってクロマトグラフ処理する。
こうして純粋な７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−２−エム−４−カルボン腰ジフェニルエ
ステルカ得うれる。次に、トルエンと酢酸エチルとの２
：１の系で溶離すれば、７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−２−エム−４−カルゼン酸ジフ
ェニルエステルのほかに７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルＭン酸シフ
ェニルメチルエステルヲモ含む混合物が単離される。
トキシ−セフ−２−エム−４−カルボン腰ジフェニルエ
ステルカ得うれる。次に、トルエンと酢酸エチルとの２
：１の系で溶離すれば、７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−２−エム−４−カルゼン酸ジフ
ェニルエステルのほかに７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルＭン酸シフ
ェニルメチルエステルヲモ含む混合物が単離される。
上記の原料は次のようにして作られる。
（＆）例４の（ａｌ）項に従って、２−［：４−（ベン
ズチアゾール−２−イルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシークロトン酸−ジフェニルメチルエステルと相当す
るインクロトン酸−ジフェニルメチルエステルとから成
る異性体混合物３４８．５ｍ９ （０，５ｍＭ ） ｂ
よびｐ−ニトロベンゼンスルフィン酸銀２００ｔｒｒ９
（０，６８ｍＭ）から、アセトンと水との９＝１の混合
物１０ａ中で６０℃で１時間かきまぜることによって、
２−（４−（ｐ−二）ロベンゼンスルホニルチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸ジフェニルメチル
エステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチルエ
ステルとから成る混合物が得られる。
ズチアゾール−２−イルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシークロトン酸−ジフェニルメチルエステルと相当す
るインクロトン酸−ジフェニルメチルエステルとから成
る異性体混合物３４８．５ｍ９ （０，５ｍＭ ） ｂ
よびｐ−ニトロベンゼンスルフィン酸銀２００ｔｒｒ９
（０，６８ｍＭ）から、アセトンと水との９＝１の混合
物１０ａ中で６０℃で１時間かきまぜることによって、
２−（４−（ｐ−二）ロベンゼンスルホニルチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチジン−１
−イル〕−３−メトキシークロトン酸ジフェニルメチル
エステルと相当するイソクロトン酸ジフェニルメチルエ
ステルとから成る混合物が得られる。
なお、ｐ−二トロベンゼンスルフィン酸銀は硝酸銀とｐ
−二トロベンゼンスルフィン酸ナトリウムとの等モル量
の水溶液を混合することにょシ得られる。生成した沈殿
をろ別して真空中で５０〜６０℃で２４時間乾かす。
−二トロベンゼンスルフィン酸ナトリウムとの等モル量
の水溶液を混合することにょシ得られる。生成した沈殿
をろ別して真空中で５０〜６０℃で２４時間乾かす。
例１１
例１０の方法に従って、２−（４−（ｐ−メトキシベン
ゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシーク
ロトン酸ジフェニルメチルエステルと相当するインクロ
トン酸ジフェニルメチルエステルとから成る混合物３５
１．５１ｎｇ（０，５ｍＭ）と１．５−ジアザビシクロ
［５，４，０３ウンデカ−５−エン１５２ｍ９ （１，
０ｍＭ）とから、７β−フェノキシアセトアミド−３−
メトキシ−セフ−２−エム−４−カルｙｌ？ン酸ジフェ
ニルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−３−エム−カルはン酸ジフェニルメチル
エステルとから成る混合物が得られる。これをクロマト
グラフィによって両異性体に分けることができる。
ゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシーク
ロトン酸ジフェニルメチルエステルと相当するインクロ
トン酸ジフェニルメチルエステルとから成る混合物３５
１．５１ｎｇ（０，５ｍＭ）と１．５−ジアザビシクロ
［５，４，０３ウンデカ−５−エン１５２ｍ９ （１，
０ｍＭ）とから、７β−フェノキシアセトアミド−３−
メトキシ−セフ−２−エム−４−カルｙｌ？ン酸ジフェ
ニルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−３−エム−カルはン酸ジフェニルメチル
エステルとから成る混合物が得られる。これをクロマト
グラフィによって両異性体に分けることができる。
上記の原料は次のようにして作られる。
（ａ）例４の（ａｉ）項に従って、２−［４−（ベンズ
チアゾール−２−イルチオ）−３−フェノキシアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキ
シークロトン酸−ジフェニルメチルエステルと相当する
イソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルとから成る
異性体混合物６９７ｍ９（１ｍＭ）およびｐ−メトキシ
ベンゼンスルフィン酸銀３−６１１１１９（１，３ｍＭ
）から、アセトンと水トノ９＝１の混合物２０プ中で室
温で１時間かきまぜることによって、２−［４−（ｐ−
メトキシベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアセチジン−１−イル］−３−
メトキシークロトン酸ジフェニルメチルエステルと相当
するイソクロトン酸ジフェニルメチルエステルとから成
る混合物が得られる。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃ２２
） ：５．６０ 、 ５．８８ 、６．１８ 、 ８．
７６μに特性・９ンド。
チアゾール−２−イルチオ）−３−フェノキシアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキ
シークロトン酸−ジフェニルメチルエステルと相当する
イソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルとから成る
異性体混合物６９７ｍ９（１ｍＭ）およびｐ−メトキシ
ベンゼンスルフィン酸銀３−６１１１１９（１，３ｍＭ
）から、アセトンと水トノ９＝１の混合物２０プ中で室
温で１時間かきまぜることによって、２−［４−（ｐ−
メトキシベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアセチジン−１−イル］−３−
メトキシークロトン酸ジフェニルメチルエステルと相当
するイソクロトン酸ジフェニルメチルエステルとから成
る混合物が得られる。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃ２２
） ：５．６０ 、 ５．８８ 、６．１８ 、 ８．
７６μに特性・９ンド。
なお、ｐ−メトキシベンゼンスルフィン酸銀は硝酸銀と
ｐ−メトキシベンゼンスルフィン酸ナトリウムとの等モ
ル量の水溶液を混合することにより得られる。生成した
沈殿をろ別して真空中で５０〜６０℃で２４時間乾かす
。
ｐ−メトキシベンゼンスルフィン酸ナトリウムとの等モ
ル量の水溶液を混合することにより得られる。生成した
沈殿をろ別して真空中で５０〜６０℃で２４時間乾かす
。
例１２
例１０の方法に従って、２−（４−ベンゼンスルホニル
チオ−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル）−３−メトキシ−クロトン酸ジフェニ
ルメチルエステルと相当するインクロトン酸ジフェニル
メチルエステルとから成る混合物３３６．３ ｍ９ （
０，５ｍＭ ）と１，５−ジアザビシクロ［，４゜０〕
ウンデカ−５−エンＩ Ｆｌ ２ｍ？ （１，０ｍＭ
）とから、７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキ
シ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフェニルエステ
ルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セ
フ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエステ
ルとから成る混合物が得られる。これをクロマトグラフ
ィによって両異性体に分けることができる。
チオ−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル）−３−メトキシ−クロトン酸ジフェニ
ルメチルエステルと相当するインクロトン酸ジフェニル
メチルエステルとから成る混合物３３６．３ ｍ９ （
０，５ｍＭ ）と１，５−ジアザビシクロ［，４゜０〕
ウンデカ−５−エンＩ Ｆｌ ２ｍ？ （１，０ｍＭ
）とから、７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキ
シ−セフ−２−エム−４−カルボン酸ジフェニルエステ
ルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セ
フ−３−エム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエステ
ルとから成る混合物が得られる。これをクロマトグラフ
ィによって両異性体に分けることができる。
上記の原料は次のようにして作られる。
（ａｌ 例４の（ａｉ）項に従って、２−Ｃ４−（ベン
ズチアゾール−２−イルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシ−クロトン酸−ジフェニルメチルエステルと相当す
るイソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルとから成
る異性体混合物６９７ｍｇ（１ｍＭ ）およびベンゼン
スルフィン酸銀３．２４ｍ９ （１，３ｍＭ ）から、
アセトンと水との９＝１の混合物２Ｏｉ中で室温で９０
分間かきまぜることニヨっ”（，２−（４−ベンゼンス
ルホニルチオ−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル）−３−メトキシークトロトン
酸−ジフェニルメチルエステルと相当するインクロトン
酸ジフェニルメチルエステルとから成る混合物が得られ
る。ＩＲ−スにクトル（ＣＦ２Ｃｌ２）：５．６０ 、
５．８８ 、８．７４μに特性バンド。
ズチアゾール−２−イルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシ−クロトン酸−ジフェニルメチルエステルと相当す
るイソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルとから成
る異性体混合物６９７ｍｇ（１ｍＭ ）およびベンゼン
スルフィン酸銀３．２４ｍ９ （１，３ｍＭ ）から、
アセトンと水との９＝１の混合物２Ｏｉ中で室温で９０
分間かきまぜることニヨっ”（，２−（４−ベンゼンス
ルホニルチオ−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル）−３−メトキシークトロトン
酸−ジフェニルメチルエステルと相当するインクロトン
酸ジフェニルメチルエステルとから成る混合物が得られ
る。ＩＲ−スにクトル（ＣＦ２Ｃｌ２）：５．６０ 、
５．８８ 、８．７４μに特性バンド。
なお、ベンゼンスルフィン酸銀は硝酸銀トベンゼンスル
フィン酸ナトリウムとの等モル量の水溶液を混合するこ
とにより得られる。生成した沈殿をろ別して真空中で５
０〜６０℃で２４時間乾かすＯ 例１３ 例１に従って、２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキシアゼチ
ノンー１−イル〕−３−メトキシクロトン酸−ｐ−ニト
ロベンジルニステルト相当するイソクロトン酸エステル
との異性体混合物をテトラヒドロフラン中でテトラメチ
ルグアニジンと共に室温で１２〜１４時間かきまぜれば
、７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−３−エム−４−カル？ン酸−ｐ−ニトロベンジルエス
テルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メドキシー
セフ−２−エムーカルボンＲ−ｐ−ニトロベンジルエス
テルとから成る異性体混合物が得られる。
フィン酸ナトリウムとの等モル量の水溶液を混合するこ
とにより得られる。生成した沈殿をろ別して真空中で５
０〜６０℃で２４時間乾かすＯ 例１３ 例１に従って、２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキシアゼチ
ノンー１−イル〕−３−メトキシクロトン酸−ｐ−ニト
ロベンジルニステルト相当するイソクロトン酸エステル
との異性体混合物をテトラヒドロフラン中でテトラメチ
ルグアニジンと共に室温で１２〜１４時間かきまぜれば
、７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−３−エム−４−カル？ン酸−ｐ−ニトロベンジルエス
テルと７β−フェノキシアセトアミド−３−メドキシー
セフ−２−エムーカルボンＲ−ｐ−ニトロベンジルエス
テルとから成る異性体混合物が得られる。
例１４
２−Ｃ４−（ベンズチアゾール−２−イルチオ）−３−
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニルメチル
エステルと相当するイソクロトン酸−ジフェニルメチル
エステルとの異性体混合物１０４．５ダ（０，１５ｍＭ
）とｐ−）ルエンスルフィン酸３５り（０，２２５ｍＭ
） と１，５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデ
カ−５−エン８０■（０，５２５ｍＭ）と少ら成る混合
物を乾いたテトラヒドロフラン３ｍｌ中で室温で４０分
間かきまぜる。この混合物をベンゼンで希釈しそして希
塩酸、希薄な塩化ナトリウム水溶液、０．５ Ｎの水酸
化ナトリウム溶液そして再び希薄な塩化ナトリウム水溶
液で洗う。その有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして
真空中で溶媒を除く。その残分を酸洗いしたシリカダル
３．５Ｉ上でトルエンと酢酸エチルとの７：１の果合展
開剤として使ってクロマトグラフ処理する。こうして純
粋な７β−フェノキシアセトアミド−３−］］メトキシ
ーセフー２−エムー４−カル？ン酸ジフェニルエステが
得うれる。次に、トルエンと酢酸エチルとの２：１の系
で溶離すれば、７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸−ジフェニル
メチルエステルが得られる。
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニルメチル
エステルと相当するイソクロトン酸−ジフェニルメチル
エステルとの異性体混合物１０４．５ダ（０，１５ｍＭ
）とｐ−）ルエンスルフィン酸３５り（０，２２５ｍＭ
） と１，５−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデ
カ−５−エン８０■（０，５２５ｍＭ）と少ら成る混合
物を乾いたテトラヒドロフラン３ｍｌ中で室温で４０分
間かきまぜる。この混合物をベンゼンで希釈しそして希
塩酸、希薄な塩化ナトリウム水溶液、０．５ Ｎの水酸
化ナトリウム溶液そして再び希薄な塩化ナトリウム水溶
液で洗う。その有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして
真空中で溶媒を除く。その残分を酸洗いしたシリカダル
３．５Ｉ上でトルエンと酢酸エチルとの７：１の果合展
開剤として使ってクロマトグラフ処理する。こうして純
粋な７β−フェノキシアセトアミド−３−］］メトキシ
ーセフー２−エムー４−カル？ン酸ジフェニルエステが
得うれる。次に、トルエンと酢酸エチルとの２：１の系
で溶離すれば、７β−フェノキシアセトアミド−３−メ
トキシ−セフ−３−エム−４−カルボン酸−ジフェニル
メチルエステルが得られる。
以下余白
例１５
２−［４−（ｏ−メ）＊シペンゼンスルホニルチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニルメ
チルエステル１４１ダ（０，２ｍＭ）と１．４−ジアデ
ビシクａ［５，４，０］ウンデカ−５−エン６１■（０
，４ｍＭ）との混合物を乾りたテトラヒドロフラン４ｎ
ｌ中で室温で７０分間かきまぜる。これを例１０に従っ
て後処理すれば、７β−フェノキシアセトアミド−３−
メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸ジフェニ
ルメチルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３
−メトキシ−セフ−３−エム−４−カル］？ン酸ジフェ
ニルメチルエステルとの約４．４：１から成る粗製混合
物が得られる。これを例１ｏの方法によってシリカゲル
上でクロマトグラ−ｙ処ＴＩｉすることによシ両異性体
に分けることができる。
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニルメ
チルエステル１４１ダ（０，２ｍＭ）と１．４−ジアデ
ビシクａ［５，４，０］ウンデカ−５−エン６１■（０
，４ｍＭ）との混合物を乾りたテトラヒドロフラン４ｎ
ｌ中で室温で７０分間かきまぜる。これを例１０に従っ
て後処理すれば、７β−フェノキシアセトアミド−３−
メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸ジフェニ
ルメチルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３
−メトキシ−セフ−３−エム−４−カル］？ン酸ジフェ
ニルメチルエステルとの約４．４：１から成る粗製混合
物が得られる。これを例１ｏの方法によってシリカゲル
上でクロマトグラ−ｙ処ＴＩｉすることによシ両異性体
に分けることができる。
なお、２−［４−（ｏ−メトキシベンゼンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシーイソクロトン酸−ジ
フェニルメチルエステル１４１１（０，２ｍＭ ）を同
様に処理すれば、両方の化合物がほぼ同じ比率で生成す
る。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシーイソクロトン酸−ジ
フェニルメチルエステル１４１１（０，２ｍＭ ）を同
様に処理すれば、両方の化合物がほぼ同じ比率で生成す
る。
前記の原料の各異性体は次のようにして得られる。
（ａ）２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルと相当するインクロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルとの約４：１の比から成る異性体混合
物３．４９．９（５ｍＭ ）アセトンと水との９：１の
混合物１００ｄ中で０−メトキシベンゼンスルフィｙ酸
ｔＪＨ，ｓ２ｇ（６，５ｍＭ）と共に室温で１３０分間
かきまぜる。
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルと相当するインクロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルとの約４：１の比から成る異性体混合
物３．４９．９（５ｍＭ ）アセトンと水との９：１の
混合物１００ｄ中で０−メトキシベンゼンスルフィｙ酸
ｔＪＨ，ｓ２ｇ（６，５ｍＭ）と共に室温で１３０分間
かきまぜる。
この混合物をろ過して、ろ液を真空中で蒸発する。
その残分を酸洗いしたシリカダル１４０Ｉｉ上でトルエ
ンと酢酸エチルとの１：１の混合物を使りてクロマトグ
ラフ処理する。各区劃ｆ５０ｍｌとする。
ンと酢酸エチルとの１：１の混合物を使りてクロマトグ
ラフ処理する。各区劃ｆ５０ｍｌとする。
区劃を５０３から純粋な２− Ｃ４−（、ｏ−メトキシ
ベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキ７アモトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシ
イソクロトン酸ジフェニルメチルエステル（ＩＲスペク
トル（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．６０ 。
ベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキ７アモトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシ
イソクロトン酸ジフェニルメチルエステル（ＩＲスペク
トル（ＣＨ２Ｃｌ２） ： ５．６０ 。
５．９０ 、８．７２ 、９．１５μ〕が得られる。区
劃２５およびそれ以降から純粋な２−［４−（ｏ −メ
トキシベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−メ
トキシクロトン酸ジフェニルメチルエステル［ＩＲ−ス
ペクトル（ｃＨ２ｃｔ２） ５．６０ 。
劃２５およびそれ以降から純粋な２−［４−（ｏ −メ
トキシベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−メ
トキシクロトン酸ジフェニルメチルエステル［ＩＲ−ス
ペクトル（ｃＨ２ｃｔ２） ５．６０ 。
５．９０ 、８．２０ 、８．３０ 、８．７２ 、９
．８０μ〕を生成する。区ｉ１［１１４〜２４は両異性
体の混合物を含む。
．８０μ〕を生成する。区ｉ１［１１４〜２４は両異性
体の混合物を含む。
例１６
粗調の２−Ｃ４−（ｏ−メトキシベンゼンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシーイソクロトン酸クロ
ライド５７”９（０，１ｍＭ）と１．５−ジアザビシク
ロ（）、４．０）ウンデカ−５−エン４３ｍｐ（０，３
ｍＭ）との混合物を乾いた塩化メチレン２−中で室温で
８０分間かきまぜる。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシーイソクロトン酸クロ
ライド５７”９（０，１ｍＭ）と１．５−ジアザビシク
ロ（）、４．０）ウンデカ−５−エン４３ｍｐ（０，３
ｍＭ）との混合物を乾いた塩化メチレン２−中で室温で
８０分間かきまぜる。
この混合物を塩化メチレンで希釈し、希塩酸および水で
洗い、硫酸す） ＩＪウムで乾かシーすして真空中で溶
媒を除く。その残分を塩化メチレン０．５ ｍ、１に溶
かし、ペンタンとジエチルエーテルとの３：１の混合物
５ｍ１ｆ加えて振とうする。生成した沈殿をろ別してペ
ンタンとジエチルエーテルとの３＝１の混合物で洗う。
洗い、硫酸す） ＩＪウムで乾かシーすして真空中で溶
媒を除く。その残分を塩化メチレン０．５ ｍ、１に溶
かし、ペンタンとジエチルエーテルとの３：１の混合物
５ｍ１ｆ加えて振とうする。生成した沈殿をろ別してペ
ンタンとジエチルエーテルとの３＝１の混合物で洗う。
このものはかなり純粋な７β−フェノキシアセトアミド
−３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルボン酸カ
ラ成ル。
−３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルボン酸カ
ラ成ル。
前記の原料は次のようにして作られる。
（ａ） 純粋ｆｘ ２− Ｃ４−（ｏ−メトキシベンゼ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシ−イソ
クロトン酸ジフェニルメチルエステル７０３ ”９ （
１ｍＭ ）とトリフルオル酢酸０．７ ｍｌとアニソー
ル０．６６ ｍｌとを塩化メチレン４ｍｌ中で混合して
０℃で３時間かきまぜる。この混合物をペンタンとジエ
チルエーテルとの３：１の混合物５０ｍ／と混合して激
しく振とうする。、こうして生成した白色の沈殿は純粋
な２−［：４−（ｏ−メトキシベンゼンスルボニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−メトキシ−イソクロトン酸であっ
て、これをろ別してペンタンとジエチルエーテルとの３
：１の混合物で洗う。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２
）５．６０ 、 ５．９３ 、 ６．２５ 、 ８．７
２μ。
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシ−イソ
クロトン酸ジフェニルメチルエステル７０３ ”９ （
１ｍＭ ）とトリフルオル酢酸０．７ ｍｌとアニソー
ル０．６６ ｍｌとを塩化メチレン４ｍｌ中で混合して
０℃で３時間かきまぜる。この混合物をペンタンとジエ
チルエーテルとの３：１の混合物５０ｍ／と混合して激
しく振とうする。、こうして生成した白色の沈殿は純粋
な２−［：４−（ｏ−メトキシベンゼンスルボニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−メトキシ−イソクロトン酸であっ
て、これをろ別してペンタンとジエチルエーテルとの３
：１の混合物で洗う。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２
）５．６０ 、 ５．９３ 、 ６．２５ 、 ８．７
２μ。
（ｂ） ２−Ｃ４−（ｏ −Ｊ ）キシベンゼンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ
アゼチジン−１−イル〕−３−メトキシ−イソクロトン
酸５４ｒｎ９（０，１ｍＭ）ｅ塩化オキザリルの１０係
ノオキサン溶液０．５ ｍｌに溶かし、これにジメチル
ホルムアミド１滴をジオキサンに溶がして加える。直ち
にガスが発生する。この混合物を室温で２時間かきまぜ
てから溶媒と余分な塩化オキザリルと′ｆ、真空中で蒸
発する。残分を真空中で乾カせば２−Ｃ４−（ｏ−メト
キシベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミＰ−２−オキソアゼチノン−１−イルツー３−メり
キシーインクａトン酸クロライドが淡橙色の海綿状で生
成する。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２） ：５．６
０ 、５．９０ 、８．７０μ。
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソ
アゼチジン−１−イル〕−３−メトキシ−イソクロトン
酸５４ｒｎ９（０，１ｍＭ）ｅ塩化オキザリルの１０係
ノオキサン溶液０．５ ｍｌに溶かし、これにジメチル
ホルムアミド１滴をジオキサンに溶がして加える。直ち
にガスが発生する。この混合物を室温で２時間かきまぜ
てから溶媒と余分な塩化オキザリルと′ｆ、真空中で蒸
発する。残分を真空中で乾カせば２−Ｃ４−（ｏ−メト
キシベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミＰ−２−オキソアゼチノン−１−イルツー３−メり
キシーインクａトン酸クロライドが淡橙色の海綿状で生
成する。ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２） ：５．６
０ 、５．９０ 、８．７０μ。
例１７
ジメチルホルムアミド２所ノに溶がした２−〔４−（ｐ
−）ルエンスルホニルチオ）−３−（Ｄ−α−ｔ−ブチ
ルオキシカルがニルアミノ−α−フェニルアセチルアミ
ノ）−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキ
シクロトン酸ジフェニルメチルエステル２０（ＩＩ（０
，２５４ｍＭ）の溶液を１，５−ジアザビシクロ［５，
４，０）ウンデカ−５−エン５７μＡ（０，３８ｍＭ）
と共に室温で３０分間かきまぜてから、酢酸エチルを加
えそして水および２Ｎの塩酸で酸性になるまで洗−そし
て次に飽和塩化ナトリウム水溶液で中性になるまで洗う
。有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして真壁中で蒸発
する。残分をシリカダル薄層板上で展開剤としてトルエ
ンと酢酸エチルとの１＝１の系でクロマトグラフ処理す
る。こうして７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルビ
ニルアミノ−α−フェニルアセチルアミノ） −３＋、
メトキシーセフー２−エムー４α−カルボン酸ジフェニ
ルメチルエステル〔融点１６６−１６８℃（塩化メチレ
ンとペンタンとの混合物から）、薄層クロマトグラム（
シリカゲル、ジエチルエーテル）：Ｒｆ〜０．５１、Ｕ
Ｖ−スペクトル（エタノール）：λ ＝２５７ｍμ（ｇ
＝３５００）、ＩＲ−スベａｘ クトル（塩化メチレン） ： ２．９６ 、５．６３
、５．７４゜５．８５（肩）、５．９２ 、６．１６
、６．６４および６．７２μニ特性バンド〕および７β
−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルビニルアミノ−α−
フェニル−アセチルアミノ）−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルゼン酸ジフェニルメチルエステル〔融
点１６２〜１６３℃（ジエチルエーテル）、薄層クロマ
トグラムのＲｆ〜０３３（シリカダル、ジエチルエーテ
ル）、ＵＶ−スペクトル（エタノール）；λｍａｘ ＝
２６５ ｍμ（ε−６２００）、２８０ｍμ（肩）（ε
−６２００）、ＩＲ−スペクトル〔塩化メチレン）：２
．９２，５．５８．５．６４（肩）、５．８２．６．２
２および６．６７μ〕が得られる。
−）ルエンスルホニルチオ）−３−（Ｄ−α−ｔ−ブチ
ルオキシカルがニルアミノ−α−フェニルアセチルアミ
ノ）−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキ
シクロトン酸ジフェニルメチルエステル２０（ＩＩ（０
，２５４ｍＭ）の溶液を１，５−ジアザビシクロ［５，
４，０）ウンデカ−５−エン５７μＡ（０，３８ｍＭ）
と共に室温で３０分間かきまぜてから、酢酸エチルを加
えそして水および２Ｎの塩酸で酸性になるまで洗−そし
て次に飽和塩化ナトリウム水溶液で中性になるまで洗う
。有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして真壁中で蒸発
する。残分をシリカダル薄層板上で展開剤としてトルエ
ンと酢酸エチルとの１＝１の系でクロマトグラフ処理す
る。こうして７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルビ
ニルアミノ−α−フェニルアセチルアミノ） −３＋、
メトキシーセフー２−エムー４α−カルボン酸ジフェニ
ルメチルエステル〔融点１６６−１６８℃（塩化メチレ
ンとペンタンとの混合物から）、薄層クロマトグラム（
シリカゲル、ジエチルエーテル）：Ｒｆ〜０．５１、Ｕ
Ｖ−スペクトル（エタノール）：λ ＝２５７ｍμ（ｇ
＝３５００）、ＩＲ−スベａｘ クトル（塩化メチレン） ： ２．９６ 、５．６３
、５．７４゜５．８５（肩）、５．９２ 、６．１６
、６．６４および６．７２μニ特性バンド〕および７β
−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルビニルアミノ−α−
フェニル−アセチルアミノ）−３−メトキシ−セフ−３
−エム−４−カルゼン酸ジフェニルメチルエステル〔融
点１６２〜１６３℃（ジエチルエーテル）、薄層クロマ
トグラムのＲｆ〜０３３（シリカダル、ジエチルエーテ
ル）、ＵＶ−スペクトル（エタノール）；λｍａｘ ＝
２６５ ｍμ（ε−６２００）、２８０ｍμ（肩）（ε
−６２００）、ＩＲ−スペクトル〔塩化メチレン）：２
．９２，５．５８．５．６４（肩）、５．８２．６．２
２および６．６７μ〕が得られる。
こうして得た化合物ヲ茨のようにさらに処理することが
できる。
できる。
（ａ） ７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルぎニル
アミノ−α−フェニル−アセチルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフェム−４−カル？ン′Ｒジフェニルメチル
エステル８．８ｇと７二７− ル８．６ ｍｌとトリフ
ルオル酢酸１４５１ｎｌ！との混合物を０℃で１５分間
かきまぜてから、これに予冷したトルエン４００ｍ１を
加えて減圧下で蒸発する。残分を高真空下で乾かし、ジ
エチルエーテルを加えてすシまぜそしてろ過する。こう
して７β−（Ｄ−α−フェニルグリシルアミノ）−３−
メトキシ−３−セフェム−４−カルボン酸のトリフルオ
ル酢酸塩が粉末として得られる。これを水２０−に溶か
し、酢酸エチ／Ｉ／２５ｍｔづつで２回洗いそしてトリ
エチルアミンの２０係メタノール溶液を加えてｐＨを約
５に調整する。こうして無色の沈殿が生成する。
アミノ−α−フェニル−アセチルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフェム−４−カル？ン′Ｒジフェニルメチル
エステル８．８ｇと７二７− ル８．６ ｍｌとトリフ
ルオル酢酸１４５１ｎｌ！との混合物を０℃で１５分間
かきまぜてから、これに予冷したトルエン４００ｍ１を
加えて減圧下で蒸発する。残分を高真空下で乾かし、ジ
エチルエーテルを加えてすシまぜそしてろ過する。こう
して７β−（Ｄ−α−フェニルグリシルアミノ）−３−
メトキシ−３−セフェム−４−カルボン酸のトリフルオ
ル酢酸塩が粉末として得られる。これを水２０−に溶か
し、酢酸エチ／Ｉ／２５ｍｔづつで２回洗いそしてトリ
エチルアミンの２０係メタノール溶液を加えてｐＨを約
５に調整する。こうして無色の沈殿が生成する。
これを水浴中で１時間かきまぜてから、アセトン２０ｄ
を加えそして約４℃で１６時間放置する。
を加えそして約４℃で１６時間放置する。
この無色の沈殿をろ別し、アセトンとジエチルエーテル
との混合物で洗いそして減圧下で乾かす。
との混合物で洗いそして減圧下で乾かす。
こうして微結晶粉末の形で７β−（Ｄ−α−フェニルグ
リシルアミノ）−３−メトキシ−３−セフェム−４−カ
ルビン酸が分子内塩として得られる。
リシルアミノ）−３−メトキシ−３−セフェム−４−カ
ルビン酸が分子内塩として得られる。
このものは水和物の形で存在する。融点１７４−１７６
℃（分解）、〔α〕二〇＝＋１４９°（ｃ＝１．０３，
０、ＩＮの塩酸）、薄層クロマトグラム（シリカダル、
よう素で顕色）：Ｒｆ〜０．３６（ｎ−ブタノール・ピ
リジン・酢酸・水４０：２４：６二３０）、紫外吸収ス
ペクトル（炭酸水素ナトリウムの０．ＩＮ水溶液）：λ
ｍａｘ ”２６７ ｍμ（ｇ＝６２ＱＯ）、赤外吸収ス
ペクトル（鉱油）二とりわけ５．７２μ、５゜９４μ、
６．２３および６，６０μに特性バンド）。
℃（分解）、〔α〕二〇＝＋１４９°（ｃ＝１．０３，
０、ＩＮの塩酸）、薄層クロマトグラム（シリカダル、
よう素で顕色）：Ｒｆ〜０．３６（ｎ−ブタノール・ピ
リジン・酢酸・水４０：２４：６二３０）、紫外吸収ス
ペクトル（炭酸水素ナトリウムの０．ＩＮ水溶液）：λ
ｍａｘ ”２６７ ｍμ（ｇ＝６２ＱＯ）、赤外吸収ス
ペクトル（鉱油）二とりわけ５．７２μ、５゜９４μ、
６．２３および６，６０μに特性バンド）。
（ｂ）７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルビニルア
ミノ−α−フェニル−アセチルアミノ）−３−メトキシ
−２−セフェム−４α−カル？ン酸ジフェニルメチルエ
ステルＱ、０６３Ｆと７ニソール０．１Ｔｎｌとトリフ
ルオル酢酸１．５ ｍ／との混合物を０℃で１５分間か
きまぜてから、減圧下で蒸発する。
ミノ−α−フェニル−アセチルアミノ）−３−メトキシ
−２−セフェム−４α−カル？ン酸ジフェニルメチルエ
ステルＱ、０６３Ｆと７ニソール０．１Ｔｎｌとトリフ
ルオル酢酸１．５ ｍ／との混合物を０℃で１５分間か
きまぜてから、減圧下で蒸発する。
矛箇別４歩と？−Ｆ、ジエチルエーテルを加エテ浸出し
、ろ過しそして乾かす。こうして得た７β−（Ｄ−α−
フェニル−グリシルアミン）−３−メトキシ−２−セフ
ェム−４α−カルビン酸の無色粉末状トリフルオル酢酸
塩を水Ｑ、 ５ ｍｌに溶かし、酢酸エチル２５ｍ１づ
つで２回洗いそしてトリエチルアミンの１０係メタノー
ル溶液を加えてＰｌｌを約５に調整する。これを水浴中
で１時間かきまぜてから、その無色沈殿をろ別しそして
高真空中で乾かす。こうして７β−（Ｄ−α−フェニル
−グリシルアミン）−３−メトキシ−２−セフェム−４
α−カルビン酸が分子内塩として得られる。薄層クロマ
トグラム（シリカゲル、よう素で発色）：Ｒｆ値〜ｏ、
４４（ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水４０：２４
：６：３０）、紫外吸収スペクトル（０，Ｉ Ｎの炭酸
水素ナトリウム水溶液）：λ＝２６０μ（肩）。
、ろ過しそして乾かす。こうして得た７β−（Ｄ−α−
フェニル−グリシルアミン）−３−メトキシ−２−セフ
ェム−４α−カルビン酸の無色粉末状トリフルオル酢酸
塩を水Ｑ、 ５ ｍｌに溶かし、酢酸エチル２５ｍ１づ
つで２回洗いそしてトリエチルアミンの１０係メタノー
ル溶液を加えてＰｌｌを約５に調整する。これを水浴中
で１時間かきまぜてから、その無色沈殿をろ別しそして
高真空中で乾かす。こうして７β−（Ｄ−α−フェニル
−グリシルアミン）−３−メトキシ−２−セフェム−４
α−カルビン酸が分子内塩として得られる。薄層クロマ
トグラム（シリカゲル、よう素で発色）：Ｒｆ値〜ｏ、
４４（ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水４０：２４
：６：３０）、紫外吸収スペクトル（０，Ｉ Ｎの炭酸
水素ナトリウム水溶液）：λ＝２６０μ（肩）。
（ｃ） 塩化メチレン２５ｒｒＬｌに溶かして０℃に冷
却した７β−（Ｄ−α−フェニル−ｔ−ブチルオキシカ
ルゼニルアミノーα−フェニル−アセチルアミノ）−３
−メトキシ−２−セフェム−４α−カル７］ソン酸ジフ
エニルメチルエステル０．６３ｇの溶液に、塩化メチレ
ン５ｍｉに溶かした３−クロル過安息香酸０２０ｇの溶
液を加える。この混合物を０℃で３０分間かきまぜてか
ら、塩化メチレン５０ｍ１ ｆ加えそして飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液の各
２５ｍＡで洗う。
却した７β−（Ｄ−α−フェニル−ｔ−ブチルオキシカ
ルゼニルアミノーα−フェニル−アセチルアミノ）−３
−メトキシ−２−セフェム−４α−カル７］ソン酸ジフ
エニルメチルエステル０．６３ｇの溶液に、塩化メチレ
ン５ｍｉに溶かした３−クロル過安息香酸０２０ｇの溶
液を加える。この混合物を０℃で３０分間かきまぜてか
ら、塩化メチレン５０ｍ１ ｆ加えそして飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液の各
２５ｍＡで洗う。
有機相を硫酸ナトリウムで乾かしてから減圧下で蒸発す
る。その残分を塩化メチレンとジエチルエーテルとの混
合物から結晶として取シ出す。こうして７β−（Ｄ−α
−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フェニル−
アセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフェム−４−
カルーｒン酸−ジフェニルメチルエステル−１−オキシ
ドが無色の針状の形で得られる。融点１７２〜１７５℃
、薄層クロマトグラム（シリカダル）：Ｒｆ〜０．４４
（系：酢酸エチル、よう素で発色）、紫外吸収スにクト
ル（エタノール）：λｍ、Ｘ＝２７７ｍμ（ε＝７２０
０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン）：２．９６
μ、５．５６μ、５．７１μ、 ５．８３μ、５９０μ
、６．２７μおよび６．６７μに特性バンド。
る。その残分を塩化メチレンとジエチルエーテルとの混
合物から結晶として取シ出す。こうして７β−（Ｄ−α
−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フェニル−
アセチルアミノ）−３−メトキシ−３−セフェム−４−
カルーｒン酸−ジフェニルメチルエステル−１−オキシ
ドが無色の針状の形で得られる。融点１７２〜１７５℃
、薄層クロマトグラム（シリカダル）：Ｒｆ〜０．４４
（系：酢酸エチル、よう素で発色）、紫外吸収スにクト
ル（エタノール）：λｍ、Ｘ＝２７７ｍμ（ε＝７２０
０）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン）：２．９６
μ、５．５６μ、５．７１μ、 ５．８３μ、５９０μ
、６．２７μおよび６．６７μに特性バンド。
（ａ） ジメチルホルムアミド３０ＴｒＬｌに溶かして
一１０℃に冷却した７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ）−
３−メトキシ−３−セフェム−４−カルぎン酸−ジフェ
ニルメチルエステル−１−オキシド１．３０１９の溶液
に空気を避けて３塩化りん２．８０Ｊｌ：加える。この
反応混合物を１５分間放置した後に氷とシん酸水素ジカ
リウム水溶液との混合物中に注ぎ入れ、その水相を酢酸
エチル１００ゴづつで２回抽出する。有機抽出液を飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸す） ＩＪウムで乾
かした蒸発する。残分をシリカダル上でクロマトグラフ
処理する。ジエチルエーテルによって、無定形の７β−
（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フ
ェニル−アセチルアミン）−３−メトキシ−３−セフェ
ム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルが薄層
クロマトグラフ的に純粋な物質として溶離される。Ｒｆ
〜０．３９（系ニジエチルエーテル、よう素蒸気で発色
・）、〔α〕０＝１０±１０（クロロホルム中でＣ＝０
．９８１）、紫外吸収スペクトル（エタノール）：λい
工＝２６４ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル
（塩化メチレン）：２．９４μ、５．６２μ、５．８４
μ。
一１０℃に冷却した７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ）−
３−メトキシ−３−セフェム−４−カルぎン酸−ジフェ
ニルメチルエステル−１−オキシド１．３０１９の溶液
に空気を避けて３塩化りん２．８０Ｊｌ：加える。この
反応混合物を１５分間放置した後に氷とシん酸水素ジカ
リウム水溶液との混合物中に注ぎ入れ、その水相を酢酸
エチル１００ゴづつで２回抽出する。有機抽出液を飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸す） ＩＪウムで乾
かした蒸発する。残分をシリカダル上でクロマトグラフ
処理する。ジエチルエーテルによって、無定形の７β−
（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−α−フ
ェニル−アセチルアミン）−３−メトキシ−３−セフェ
ム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルが薄層
クロマトグラフ的に純粋な物質として溶離される。Ｒｆ
〜０．３９（系ニジエチルエーテル、よう素蒸気で発色
・）、〔α〕０＝１０±１０（クロロホルム中でＣ＝０
．９８１）、紫外吸収スペクトル（エタノール）：λい
工＝２６４ｍμ（ε＝６３００）、赤外吸収スペクトル
（塩化メチレン）：２．９４μ、５．６２μ、５．８４
μ。
５．８８μ、６．２５μおよび６７０μに特性バンド。
前記の原料は次のようにして得られる。
（ｅ）Ｄ−Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルビニル−フェニル
グリシン３１．２．９ （０，１２ｍＭ）とトリエチル
アミン１６．７ｍ１（０，１２ｍＭ）とをテトラヒドロ
フラン３００＋＋＋ｌに溶かして一１５℃に冷却し、コ
レニクロルぎ酸イソブチル１ ｅ、５ｍ（０，１２ｍＭ
）ｆ加えて一１０℃で３０分間かきまぜる。次に、テト
ラヒドロフランと水との２＝１の混合物３００Ｍに溶か
した６−アミノ−ペニシラン酸２１．６９（０，１０ｍ
Ｍ）とトリエチルアミン１５．４ｍｌ （０，１１ｍＭ
）との溶液を加える。この反応混合物音０℃で１時間
そして室温で２時間かきまぜ、この際にトリエチルアミ
ンを加えてＰＨ値を約６．９に一定に保持しておく。反
応混合物にりん酸を５℃で加えてＰｌｌ ２．０に調整
し、塩化ナトリウムで飽和しそして酢酸エチル５００ｍ
１づつで３回抽出する。有機相を飽和塩化ナトリウム水
溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。
グリシン３１．２．９ （０，１２ｍＭ）とトリエチル
アミン１６．７ｍ１（０，１２ｍＭ）とをテトラヒドロ
フラン３００＋＋＋ｌに溶かして一１５℃に冷却し、コ
レニクロルぎ酸イソブチル１ ｅ、５ｍ（０，１２ｍＭ
）ｆ加えて一１０℃で３０分間かきまぜる。次に、テト
ラヒドロフランと水との２＝１の混合物３００Ｍに溶か
した６−アミノ−ペニシラン酸２１．６９（０，１０ｍ
Ｍ）とトリエチルアミン１５．４ｍｌ （０，１１ｍＭ
）との溶液を加える。この反応混合物音０℃で１時間
そして室温で２時間かきまぜ、この際にトリエチルアミ
ンを加えてＰＨ値を約６．９に一定に保持しておく。反
応混合物にりん酸を５℃で加えてＰｌｌ ２．０に調整
し、塩化ナトリウムで飽和しそして酢酸エチル５００ｍ
１づつで３回抽出する。有機相を飽和塩化ナトリウム水
溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。
こうして淡黄色海綿状の形で得られた粗製のＮ−ｔ−ブ
チルオキシカル１ｆニル−アンピシリンは薄層クロマト
グラムにおいてｎｆ値〜０．６５（シリカダル、酢酸エ
チル・ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水４２：２１
：２１：６：１０）である。
チルオキシカル１ｆニル−アンピシリンは薄層クロマト
グラムにおいてｎｆ値〜０．６５（シリカダル、酢酸エ
チル・ｎ−ブタノール・ピリジン・酢酸・水４２：２１
：２１：６：１０）である。
（ｆ） 氷酢酸１００ｍ１に溶かした粗製のＮ−ｔ−ブ
チルオキシカルボニル−アンピシリン５７．２２ｇの溶
液に１０分間で３０係過酸化水素２１．（１１／（０，
２５Ｍ）’ｉ加えて、室温で２．５時間がきまぜる。次
に反応混合物を氷水２！中に注ぎ入れ、こうしてかさ高
い沈殿の形で析出したＮ−ｔ−ブチルオキシカルビニル
−アンピシリン−１−オキシドをろ別し、水で十分に洗
いそして真空中で乾かす。上記のる液を酢酸エチルで抽
出することによす、粗製のＮ−ｔ−ブチルオキシカルは
ニル−アンピシリン−１−オキシドがさらに得られる。
チルオキシカルボニル−アンピシリン５７．２２ｇの溶
液に１０分間で３０係過酸化水素２１．（１１／（０，
２５Ｍ）’ｉ加えて、室温で２．５時間がきまぜる。次
に反応混合物を氷水２！中に注ぎ入れ、こうしてかさ高
い沈殿の形で析出したＮ−ｔ−ブチルオキシカルビニル
−アンピシリン−１−オキシドをろ別し、水で十分に洗
いそして真空中で乾かす。上記のる液を酢酸エチルで抽
出することによす、粗製のＮ−ｔ−ブチルオキシカルは
ニル−アンピシリン−１−オキシドがさらに得られる。
薄層クロマトグラム（シリカダル、酢酸エチル・ｎ−シ
タノール・ピリシン・酢酸・水４２ ：２１ ：２１：
６： １０）：Ｒｆ〜０３０゜ （ｇ） 粗ｆ１４のＮ−ｔ−ブチルオキシカルぎニル−
アンピシリン−１−オキシド６７．７１１とジオキサン
３８（１＋／との混合物にジフェニルジアゾメタン４２
．９（０，２３Ｍ）をジオキサン１３０Ｍに溶かして加
えそして室温で２．５時間かきまぜる。これに氷酢酸５
ｍ１ｆ加えて真空中で蒸発する。その残分に石油エーテ
ルを加えてすりまぜ、石油エーテル抽出液を棄て、残分
を塩化メチレンとエーテルとヘキサンとの混合物から結
晶として取シ出す。
タノール・ピリシン・酢酸・水４２ ：２１ ：２１：
６： １０）：Ｒｆ〜０３０゜ （ｇ） 粗ｆ１４のＮ−ｔ−ブチルオキシカルぎニル−
アンピシリン−１−オキシド６７．７１１とジオキサン
３８（１＋／との混合物にジフェニルジアゾメタン４２
．９（０，２３Ｍ）をジオキサン１３０Ｍに溶かして加
えそして室温で２．５時間かきまぜる。これに氷酢酸５
ｍ１ｆ加えて真空中で蒸発する。その残分に石油エーテ
ルを加えてすりまぜ、石油エーテル抽出液を棄て、残分
を塩化メチレンとエーテルとヘキサンとの混合物から結
晶として取シ出す。
こうして融点１６４〜１６６℃のＮ−ｔ−ブチルオキシ
カルがニル−アンピシリン−１−オキシド−ジフェニル
メチルエステ／ｌ／が得られる。〔α〕。
カルがニル−アンピシリン−１−オキシド−ジフェニル
メチルエステ／ｌ／が得られる。〔α〕。
＝＋１１７°±１°（ｃ＝１．ｃＨｃｚ３ン、Ｉ１１ス
ペクトル（塩化メチレン） ：２．９１ 、２．９４
、５．５４゜５．６９．５．８２（肩）、５．８８ 、
６．６０ 、６．６８μに特性バンド、薄層クロマトグ
ラム二Ｒｆ〜０．２３（シリカゲル、トルエン・酢酸エ
ステル３：１）。
ペクトル（塩化メチレン） ：２．９１ 、２．９４
、５．５４゜５．６９．５．８２（肩）、５．８８ 、
６．６０ 、６．６８μに特性バンド、薄層クロマトグ
ラム二Ｒｆ〜０．２３（シリカゲル、トルエン・酢酸エ
ステル３：１）。
（ｈ）トルエン１７０１中でＮ−ｔ−ブチルオキシカル
？ニルーアンピシリン−１−オキシド−ジフェニルメチ
ルエステル１１．２１１ （１７，７ｍＭ）とメルカプ
トベンズチアゾール３゜２６．９（１９，５ｍＭ）との
混合物を水分離器を備えた還流装置内で３時間煮沸して
から蒸発する。残分をシリカダル上で溶離剤としてトル
エンと酢酸エチルとの３：１の系を使ってクロマトグラ
フ処理すれば、無定形の２−［４−（ベンズチアゾール
−２−イルジチオ）−３−Ｃα−ｔ−ブチルオキシカル
ぎニルアミノ−α−フェニルアセチルアミン）−２−オ
キソアゼチジン−１−イルツー３−メチレン酪酸−ジフ
ェニルメチルエステルを生成する。薄層クロマトグラム
：Ｒｆ値−４−０，３７（シリカゲル、トルエン・酢酸
エステル３：１）、ＩＲ−ス（クトル（塩化メチレン）
：２．９４．５．６４，５．７６゜５、８６０％Ｉ）、
５．９１および６．７１μに特性バンド。
？ニルーアンピシリン−１−オキシド−ジフェニルメチ
ルエステル１１．２１１ （１７，７ｍＭ）とメルカプ
トベンズチアゾール３゜２６．９（１９，５ｍＭ）との
混合物を水分離器を備えた還流装置内で３時間煮沸して
から蒸発する。残分をシリカダル上で溶離剤としてトル
エンと酢酸エチルとの３：１の系を使ってクロマトグラ
フ処理すれば、無定形の２−［４−（ベンズチアゾール
−２−イルジチオ）−３−Ｃα−ｔ−ブチルオキシカル
ぎニルアミノ−α−フェニルアセチルアミン）−２−オ
キソアゼチジン−１−イルツー３−メチレン酪酸−ジフ
ェニルメチルエステルを生成する。薄層クロマトグラム
：Ｒｆ値−４−０，３７（シリカゲル、トルエン・酢酸
エステル３：１）、ＩＲ−ス（クトル（塩化メチレン）
：２．９４．５．６４，５．７６゜５、８６０％Ｉ）、
５．９１および６．７１μに特性バンド。
（１） アセトンと水との９：１の混合物３０ｍ１に２
−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−
（α−１−ブチルオキシカルが二゛ルアミノーα−フェ
ニルーアセチルアミノ）−２−オキソアゼチジン−１−
イルツー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエステル
２．３４１ （３，０ｍＭ ）を溶カシ、これにトルエ
ンスルフィン酸１１０．８６８１ （３，４６ｍＭ ）
を０℃で加えて水浴中で１時間かきまぜる。こうして析
出した沈殿をろ去する。
−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−
（α−１−ブチルオキシカルが二゛ルアミノーα−フェ
ニルーアセチルアミノ）−２−オキソアゼチジン−１−
イルツー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエステル
２．３４１ （３，０ｍＭ ）を溶カシ、これにトルエ
ンスルフィン酸１１０．８６８１ （３，４６ｍＭ ）
を０℃で加えて水浴中で１時間かきまぜる。こうして析
出した沈殿をろ去する。
ろ液をトルエンで希釈して飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗う。有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発すれ
ば、無定形の２−１：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−（α−ｔ−ブチルオキシカルビニルアミノ−
α−フェニルアセチルアミノ）−２−オキソアゼチジン
−１−イルツー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエ
ステルを生成する。薄層クロマトグラム：Ｒｆ値〜０．
３３（シリカゲル、トルエン・酢酸エチル３：１）、Ｉ
Ｒ−スペクトル（塩化メチレン）：２．９３゜５．５７
．５．７０，５．８２．６．２１，６．６５μに特性バ
ンド。
洗う。有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発すれ
ば、無定形の２−１：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−（α−ｔ−ブチルオキシカルビニルアミノ−
α−フェニルアセチルアミノ）−２−オキソアゼチジン
−１−イルツー３−メチレン酪酸−ジフェニルメチルエ
ステルを生成する。薄層クロマトグラム：Ｒｆ値〜０．
３３（シリカゲル、トルエン・酢酸エチル３：１）、Ｉ
Ｒ−スペクトル（塩化メチレン）：２．９３゜５．５７
．５．７０，５．８２．６．２１，６．６５μに特性バ
ンド。
０１ 塩化メチレン２３０１ＩＩｌに溶かして一７０℃
に冷却Ｌり２− Ｃ４−（ｐ −）ルエンスルホニルチ
オ）−３−（α−１−ブチルオキシカルデニルアミノー
α−フェニルアセチルアミノ）−２−オキソアゼチジン
−１−イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチルエス
テル２．３ＯＮの溶液中にオゾン−酸素気流′ｔ７分間
導入する（毎分オゾン０．５ｍＭを導入）。次に、ジメ
チルサルファイド１１ｎ／を加えてからこの溶液を冷却
せずに１時間かきまぜそして真空中で蒸発する。その残
分を塩化メチレンとエーテルとへキサンとの混合物から
再結晶すれば、融点１８２〜１８４℃の２−Ｃ４−（ｐ
−トルエンスルホニルチオ）−３−（α−ｔ−ブチルオ
キシカルビニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ
）−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−ヒドロキ
シクロトン酸−ジフェニルメチルエステルを生成する。
に冷却Ｌり２− Ｃ４−（ｐ −）ルエンスルホニルチ
オ）−３−（α−１−ブチルオキシカルデニルアミノー
α−フェニルアセチルアミノ）−２−オキソアゼチジン
−１−イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチルエス
テル２．３ＯＮの溶液中にオゾン−酸素気流′ｔ７分間
導入する（毎分オゾン０．５ｍＭを導入）。次に、ジメ
チルサルファイド１１ｎ／を加えてからこの溶液を冷却
せずに１時間かきまぜそして真空中で蒸発する。その残
分を塩化メチレンとエーテルとへキサンとの混合物から
再結晶すれば、融点１８２〜１８４℃の２−Ｃ４−（ｐ
−トルエンスルホニルチオ）−３−（α−ｔ−ブチルオ
キシカルビニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ
）−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−ヒドロキ
シクロトン酸−ジフェニルメチルエステルを生成する。
ＵＶ−スペクトル（エタノール）：λｍ、Ｌ！＝２５９
ｆｎμ（ε＝１３４００ ）、ＩＲ−スペクトル（塩化
メチレン）：２．９２゜５．５９ 、５．８３ 、５．
９２ 、６．０３ （肩）、６．１８゜６．６８μに特
性バンド、薄層クロマトダラム＝Ｒｆ値〜０．５５（シ
リカゲル、トルエン・酢酸エチル１：１）。
ｆｎμ（ε＝１３４００ ）、ＩＲ−スペクトル（塩化
メチレン）：２．９２゜５．５９ 、５．８３ 、５．
９２ 、６．０３ （肩）、６．１８゜６．６８μに特
性バンド、薄層クロマトダラム＝Ｒｆ値〜０．５５（シ
リカゲル、トルエン・酢酸エチル１：１）。
（ｋｌ 塩化メチレンとメタノールとの１＝１の混合物
２０ｍ１に溶かした２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニ
ルチオ） −３−（α−ｔ−ブチルオキシカル−？ニル
アミノーα−フェニルアセチルアミノ）−２−オキソア
ゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフ
ェニルメチルエステル０．５４１１ （０，７ｍＭ ）
の溶液に過剰量のジアゾメタンのエーテル溶液を加えて
０℃で１５分間かきまぜてから真空中で蒸発する。その
残分をシリカゲル上で展開剤としてトルエンと酢酸エチ
ルとの１：１の系を使って分取薄層クロマトグラフ処理
しそしてＵＶ−光中で見える帯域を溶離すれば、２−Ｃ
４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−（α−ｔ−
ブヅルオキシカル？ニルアミノ−α−フェニル−アセチ
ルアミノ）−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−
メトキシークロトン酸ジフェニルメチルエステルを生成
する。これを塩化メチレンとジエチルエーテルとヘキサ
ンとの混合物から再結晶する。融点２０４〜２０６℃、
ＵＶ−ス（クトル（エタノール）＝λｍ□＝ ２５９
ｍμ（ε＝１６０００）、ＩＲ−スペクトルにュジョー
ル） ： ２．９３ 、５．５８ 、５．８０ 、５．
８４ 。
２０ｍ１に溶かした２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニ
ルチオ） −３−（α−ｔ−ブチルオキシカル−？ニル
アミノーα−フェニルアセチルアミノ）−２−オキソア
ゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ジフ
ェニルメチルエステル０．５４１１ （０，７ｍＭ ）
の溶液に過剰量のジアゾメタンのエーテル溶液を加えて
０℃で１５分間かきまぜてから真空中で蒸発する。その
残分をシリカゲル上で展開剤としてトルエンと酢酸エチ
ルとの１：１の系を使って分取薄層クロマトグラフ処理
しそしてＵＶ−光中で見える帯域を溶離すれば、２−Ｃ
４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−（α−ｔ−
ブヅルオキシカル？ニルアミノ−α−フェニル−アセチ
ルアミノ）−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−
メトキシークロトン酸ジフェニルメチルエステルを生成
する。これを塩化メチレンとジエチルエーテルとヘキサ
ンとの混合物から再結晶する。融点２０４〜２０６℃、
ＵＶ−ス（クトル（エタノール）＝λｍ□＝ ２５９
ｍμ（ε＝１６０００）、ＩＲ−スペクトルにュジョー
ル） ： ２．９３ 、５．５８ 、５．８０ 、５．
８４ 。
５．９３ 、６．２４ 、６．５７μに特性バンド、薄
層クロマトグラム：Ｒｆ値〜０．３３（シリカダル、ト
ルエン・酢酸エチル１：１）。
層クロマトグラム：Ｒｆ値〜０．３３（シリカダル、ト
ルエン・酢酸エチル１：１）。
例１８
２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−メトキシークロトン酸−ジフェニルメチルエステ
ル６７０Ｗ９（１ｍＭ）と１．２−ジメトキシエタン６
．７フと１．５−ジアザビシクロ（Ｓ、４．Ｏ）ウンデ
カ−５−エン０．２２ｄとの混合物を室温で２５分間窒
素ガス中でかきまぜる。反応混合物をトルエンで希釈し
そして２Ｎの塩酸、飽和炭酸水素す） ＩＪウム水溶液
および飽和塩化す） ＩＪウム水溶液で洗い、硫酸ナト
リウムで乾かしそして真空中で蒸発する。その残分をシ
リカダル上でトルエンと酢酸エチルとの１：１の系を使
って分取薄層クロマトグラフ処理すれば、７β−フェニ
ルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−２−エム−４α
−カルピン酸ジフェニルメチルエステル〔融点１６６〜
１６９℃（塩化メチレンとヘキサンとの混合物から）、
ＵＶ−スペクトル（エタノール）：λｍ３ｘ＝２５８ｍ
μ（ε＝４５００）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン
）：２．９３．５．６２，５．７３，５．９３，６．６
６μに特性バンド、 Ｒ４値〜０．５４（シリカダル、
トルエン・酢酸エチル１：１））および無定形の７β−
フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム
−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステル〔Ｕｖ−
スペクトル（エタノール）：λｍａｘ＝２５８ｍμ（ε
＝６３５０）、２６４ｍμ（ε＝６３５０）および２８
２ｍμ（ε＝５６００）（７ｒ？ ）、ＩＲ−スペクト
ル（塩化メチレン）＝２．９４ 、５．６３ 、５．８
３ 、５．９４ 、６．２６ 、６．６６μ特性バンド
、 Ｒｆ値〜０．３７（シリカゲル、トルエン・酢酸エ
チル１：１）：［８：１の比率で生成する。
ニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−メトキシークロトン酸−ジフェニルメチルエステ
ル６７０Ｗ９（１ｍＭ）と１．２−ジメトキシエタン６
．７フと１．５−ジアザビシクロ（Ｓ、４．Ｏ）ウンデ
カ−５−エン０．２２ｄとの混合物を室温で２５分間窒
素ガス中でかきまぜる。反応混合物をトルエンで希釈し
そして２Ｎの塩酸、飽和炭酸水素す） ＩＪウム水溶液
および飽和塩化す） ＩＪウム水溶液で洗い、硫酸ナト
リウムで乾かしそして真空中で蒸発する。その残分をシ
リカダル上でトルエンと酢酸エチルとの１：１の系を使
って分取薄層クロマトグラフ処理すれば、７β−フェニ
ルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−２−エム−４α
−カルピン酸ジフェニルメチルエステル〔融点１６６〜
１６９℃（塩化メチレンとヘキサンとの混合物から）、
ＵＶ−スペクトル（エタノール）：λｍ３ｘ＝２５８ｍ
μ（ε＝４５００）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン
）：２．９３．５．６２，５．７３，５．９３，６．６
６μに特性バンド、 Ｒ４値〜０．５４（シリカダル、
トルエン・酢酸エチル１：１））および無定形の７β−
フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム
−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステル〔Ｕｖ−
スペクトル（エタノール）：λｍａｘ＝２５８ｍμ（ε
＝６３５０）、２６４ｍμ（ε＝６３５０）および２８
２ｍμ（ε＝５６００）（７ｒ？ ）、ＩＲ−スペクト
ル（塩化メチレン）＝２．９４ 、５．６３ 、５．８
３ 、５．９４ 、６．２６ 、６．６６μ特性バンド
、 Ｒｆ値〜０．３７（シリカゲル、トルエン・酢酸エ
チル１：１）：［８：１の比率で生成する。
これらを次のようにはらに処理することができる。
７β−フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−２
−エム−４α−カルピン酸ジフェニルメチルエステルを
例１７の（ｅ）項に従って７β−フェニルアセトアミド
ー３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルピン酸ジフ
ェニルメチルエステル−１−オキシドに変えることがで
きる。融点１５２〜１５５℃（アセトンとジエチルエー
テルとの混合物から）、Ｒｆ値＝０．３１（シリカダル
、酢酸エチル）、ＵＶ−スペクトル（９５％エタノール
）：λｍａｘ＝２８８ｍμ（ε＝３６１０）および２４
７ｍμ（肩）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：２
．９４ 、５．５９ 、５．８１ 、５．９５ 、６．
２２および６．６１μに特性バンド。
−エム−４α−カルピン酸ジフェニルメチルエステルを
例１７の（ｅ）項に従って７β−フェニルアセトアミド
ー３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルピン酸ジフ
ェニルメチルエステル−１−オキシドに変えることがで
きる。融点１５２〜１５５℃（アセトンとジエチルエー
テルとの混合物から）、Ｒｆ値＝０．３１（シリカダル
、酢酸エチル）、ＵＶ−スペクトル（９５％エタノール
）：λｍａｘ＝２８８ｍμ（ε＝３６１０）および２４
７ｍμ（肩）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：２
．９４ 、５．５９ 、５．８１ 、５．９５ 、６．
２２および６．６１μに特性バンド。
なお、７β−フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セ
フ−３−エム−４−カルビン酸−ジフェニルメチルエス
テル−１β−オキシドから主トシて成る一層純粋な生成
物は次のようにして得られる。
フ−３−エム−４−カルビン酸−ジフェニルメチルエス
テル−１β−オキシドから主トシて成る一層純粋な生成
物は次のようにして得られる。
無水テトラヒドロフラン６７１ｔＬＩＫ溶かした２−（
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フエールア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−
メトキシ−イソクロトン酸−ジフェニルメチルエステル
６．７９ （１０ｍＭ ）の溶液をこれに１，５−ジア
ゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−５−エン２．２８
ＷＬｌ （１５ｍＭ ）を加えて２０℃で１５分間かき
まぜてから、氷酢酸０．７ ｔｎｌを加えそして真空中
で蒸発する。油状の暗色残分を塩化メチレン３０ｍ１に
溶かしそして水１５Ｎ。
４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フエールア
セトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−
メトキシ−イソクロトン酸−ジフェニルメチルエステル
６．７９ （１０ｍＭ ）の溶液をこれに１，５−ジア
ゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−５−エン２．２８
ＷＬｌ （１５ｍＭ ）を加えて２０℃で１５分間かき
まぜてから、氷酢酸０．７ ｔｎｌを加えそして真空中
で蒸発する。油状の暗色残分を塩化メチレン３０ｍ１に
溶かしそして水１５Ｎ。
０．５Ｎ塩酸１０ｄ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１
０ＩＩＩｌそして水１０ゴで洗う。それら水相を塩化メ
チレン１．Ｏｍｌで抽出し、有機抽出液を合わせそして
これに４０嗟過酢酸２．２４ ｔｎｔを０℃で加えて水
浴中で１５分間かきまぜる。この反応混合物を水２０ｒ
ｎｌに溶かしたチオ硫酸ナトリウム・５水和物１．５０
．Ｉｉ’（６ｍＭ）の溶液と混合して１０分間かきまぜ
そして水相を分ける。有機相をさらに水１０ｄで洗い、
硫酸す） ＩＪウムで乾かしそして真空中で蒸発する。
０ＩＩＩｌそして水１０ゴで洗う。それら水相を塩化メ
チレン１．Ｏｍｌで抽出し、有機抽出液を合わせそして
これに４０嗟過酢酸２．２４ ｔｎｔを０℃で加えて水
浴中で１５分間かきまぜる。この反応混合物を水２０ｒ
ｎｌに溶かしたチオ硫酸ナトリウム・５水和物１．５０
．Ｉｉ’（６ｍＭ）の溶液と混合して１０分間かきまぜ
そして水相を分ける。有機相をさらに水１０ｄで洗い、
硫酸す） ＩＪウムで乾かしそして真空中で蒸発する。
その固体残分を塩化メチレンと石油エーテルとの混合物
から結晶化すれば、融点１７５〜１７６℃の７β−フェ
ニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４
−カルデン酸−ジフェニルメチルエステル−１β−オキ
シドを生成する。薄層クロマトグラム（シリカゲル）：
Ｒｆ値〜０．１（）ルエン・酢酸エチル１：１）、ＵＶ
−スペクトル（エタノール）：λｍ＆工＝２７９ｍμ（
ｇ＝７３００）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）
： ２．９４ 、５．５６ 、５．７Ｂ 、 ５．９１
。
から結晶化すれば、融点１７５〜１７６℃の７β−フェ
ニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４
−カルデン酸−ジフェニルメチルエステル−１β−オキ
シドを生成する。薄層クロマトグラム（シリカゲル）：
Ｒｆ値〜０．１（）ルエン・酢酸エチル１：１）、ＵＶ
−スペクトル（エタノール）：λｍ＆工＝２７９ｍμ（
ｇ＝７３００）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）
： ２．９４ 、５．５６ 、５．７Ｂ 、 ５．９１
。
６．２０ 、６．６７μに特性バンド。
この１−オキシドから例１７の（ｓ）項に従って７β−
フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム
ーカルデン酸ジフェニルメチルエステルが得られる。
フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム
ーカルデン酸ジフェニルメチルエステルが得られる。
この化合物を例１７の（ａ）項に従ってけん化すれば粗
製の７β−フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−３−エム−４−カルゼン酸が得うレる。これをアセト
ン３０〜５０係を含む塩化メチレンでシリカゲル（水５
チを含む）上でクロマトグラフ処理しそしてジオキサン
から真空凍結乾燥して精製することができる。ＵＶ−ス
ペクトル（９５係エタノール）：λｆｎ＠ｘ ＝＝ ２
６５ ｍμ（ε＝Ｆ）８００）、ＩＲ−スペクトル（塩
化メチレン）：３、（１３、５，６０、５，７４、５，
９２、６，２４および６６７μに特性バンド。
製の７β−フェニルアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−３−エム−４−カルゼン酸が得うレる。これをアセト
ン３０〜５０係を含む塩化メチレンでシリカゲル（水５
チを含む）上でクロマトグラフ処理しそしてジオキサン
から真空凍結乾燥して精製することができる。ＵＶ−ス
ペクトル（９５係エタノール）：λｆｎ＠ｘ ＝＝ ２
６５ ｍμ（ε＝Ｆ）８００）、ＩＲ−スペクトル（塩
化メチレン）：３、（１３、５，６０、５，７４、５，
９２、６，２４および６６７μに特性バンド。
前記の原料および中間生成物は次のようにして作られる
。
。
（ａ） 水９０扉１とアセトン７．３ ｍｌとクロロホ
ルム１５０ｍ１との混合物中にペニシリン−Ｇ−カリウ
ム塩３７．２４１Ｃｏ、ＩＭ）ｆｔ混合し、これにかき
まぜ々がら０℃で４０係の過酢酸１９．４ ｍｌを４０
分間で加える。さらに１５分間後に同温度でペッツフェ
ノンヒドラゾン２８．９（０，１５Ｍ）’ｅ少しづつ加
え、１９！＋よう化カリウム水溶液６．３ ｍｌ ｆ加
えそして１０チ硫酸３２．５ＩＩＩｊと４０係過酢酸２
８〃Ｉｅとの混合物を１．５時間で満願する。加え終っ
たら０℃でさらに３０分間かきまぜ、１５℃に加温しそ
してクロロホルム４００ｍ１で希釈する。水相を分けそ
して有機相を５憾の亜硫酸水素す）ＩＪウム水溶液３０
０ｍ／、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍ／そし
て飽和塩化す） ＩＪウム水溶液３００ｍ１で洗い、硫
酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発する。蒸発残
分を酢酸エチルと石油エーテルとの混合物から再結晶す
れば、６−フェニルアセトアミドペニシラン酸ジフェニ
ルメチルエステル−１β−オキシドを生成する。融点１
３９℃、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ値〜
０．４０（トルエン・酢酸エチル１：１）、Ｉｎ−スペ
クトル（塩化メチレン） ： ２．９４ 、５．５６
。
ルム１５０ｍ１との混合物中にペニシリン−Ｇ−カリウ
ム塩３７．２４１Ｃｏ、ＩＭ）ｆｔ混合し、これにかき
まぜ々がら０℃で４０係の過酢酸１９．４ ｍｌを４０
分間で加える。さらに１５分間後に同温度でペッツフェ
ノンヒドラゾン２８．９（０，１５Ｍ）’ｅ少しづつ加
え、１９！＋よう化カリウム水溶液６．３ ｍｌ ｆ加
えそして１０チ硫酸３２．５ＩＩＩｊと４０係過酢酸２
８〃Ｉｅとの混合物を１．５時間で満願する。加え終っ
たら０℃でさらに３０分間かきまぜ、１５℃に加温しそ
してクロロホルム４００ｍ１で希釈する。水相を分けそ
して有機相を５憾の亜硫酸水素す）ＩＪウム水溶液３０
０ｍ／、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍ／そし
て飽和塩化す） ＩＪウム水溶液３００ｍ１で洗い、硫
酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発する。蒸発残
分を酢酸エチルと石油エーテルとの混合物から再結晶す
れば、６−フェニルアセトアミドペニシラン酸ジフェニ
ルメチルエステル−１β−オキシドを生成する。融点１
３９℃、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ値〜
０．４０（トルエン・酢酸エチル１：１）、Ｉｎ−スペ
クトル（塩化メチレン） ： ２．９４ 、５．５６
。
５．７０，５．９２および６．５７μに特性バンド。
（ｂ）トルエン５０ｍ１と氷酢酸Ｑ、 ５ ｒｕｅとの
混合物に６−フェニルアセトアミドペニシラン酸ジフェ
ニルメチルエステル−１β−オキシド５．１６５Ｉｉ（
１０ｍＭ）？混合し、これに２−メルカプトベンズチア
ゾール１．８３１！（１１ｍＭ）を加えて、水分離器を
備えた還流装置内で２時間煮沸する。
混合物に６−フェニルアセトアミドペニシラン酸ジフェ
ニルメチルエステル−１β−オキシド５．１６５Ｉｉ（
１０ｍＭ）？混合し、これに２−メルカプトベンズチア
ゾール１．８３１！（１１ｍＭ）を加えて、水分離器を
備えた還流装置内で２時間煮沸する。
冷却すれば、２−［４−（ベンズチアゾール−２−イル
ジチオ）−３−フェニルアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチ
ルエステルが自然に晶出する。
ジチオ）−３−フェニルアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチ
ルエステルが自然に晶出する。
塩化メチレンとジエチルエーテルとの混合物から１回再
結晶すれば、融点１３４〜１３６℃の結晶が得られる。
結晶すれば、融点１３４〜１３６℃の結晶が得られる。
薄層クロマトグラム（シリカダル）＝Ｒｆ値〜０．５２
（）ルエン・酢酸エチル１：１）、ＵＶ−ス（クトル（
エタノール）：λｎｌ、、 ＝ ２６９ｍｔｔ（ｔ＝１
２７００）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン） ：
２．９０ 、５．６０ 、５．７２ 、５．９２および
６．６１μに特性バンド。
（）ルエン・酢酸エチル１：１）、ＵＶ−ス（クトル（
エタノール）：λｎｌ、、 ＝ ２６９ｍｔｔ（ｔ＝１
２７００）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン） ：
２．９０ 、５．６０ 、５．７２ 、５．９２および
６．６１μに特性バンド。
（ｃ）前項（ｂ）で得た生成物を単離せずにさらに処理
することができる。すなわち、冷却した後に反応混合物
をトルエン３０ｍ１で希釈し、ｐ−）ルエンスルフィン
酸銀３．９５Ｉ（１５ｍＭ）を加えて室温で２時間かき
まぜる。こうして析出した黄色の沈殿全ハイクロ上でろ
別しそしてトルエンで洗う。
することができる。すなわち、冷却した後に反応混合物
をトルエン３０ｍ１で希釈し、ｐ−）ルエンスルフィン
酸銀３．９５Ｉ（１５ｍＭ）を加えて室温で２時間かき
まぜる。こうして析出した黄色の沈殿全ハイクロ上でろ
別しそしてトルエンで洗う。
ろ液を飽和塩化す） ＩＪウム水溶液で洗い、硫酸ナト
リウムで乾かしそして真空中で蒸発する。蒸発残分をト
ルエンに溶かしそして石油エーテルを加える。生成した
沈殿をろ別して、酢酸エチルと石油エーテルとの混合物
から再結晶する。こうして得た２−［４−（ｐ−）、ｕ
エンスルホニルチオ）−３−フェニルアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メチレン酪俄ジ
フェニルメチルエステルは融点７５℃である。薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｔ値〜０．４７（）ルエ
ン・酢酸エチル１ ： １ ）、ＵＶ−；ｔベクトル（
エタノール）：λｍａｘ＝２５９ｍμ（ε＝４３００）
、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：２．９２゜５．
６２ 、５．７４ 、５．９４および６．６３μに特性
バンド。
リウムで乾かしそして真空中で蒸発する。蒸発残分をト
ルエンに溶かしそして石油エーテルを加える。生成した
沈殿をろ別して、酢酸エチルと石油エーテルとの混合物
から再結晶する。こうして得た２−［４−（ｐ−）、ｕ
エンスルホニルチオ）−３−フェニルアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メチレン酪俄ジ
フェニルメチルエステルは融点７５℃である。薄層クロ
マトグラム（シリカゲル）：Ｒｔ値〜０．４７（）ルエ
ン・酢酸エチル１ ： １ ）、ＵＶ−；ｔベクトル（
エタノール）：λｍａｘ＝２５９ｍμ（ε＝４３００）
、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：２．９２゜５．
６２ 、５．７４ 、５．９４および６．６３μに特性
バンド。
（ｄ） 塩化メチレフ６５ｍ１に溶かした２−（４−（
ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェニルアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メチレ
ン酪酸−ジフェニルメチルエゑテルロ５５ダ（１ｍＭ）
の溶液を一６５℃でオゾン・酵素混合物で淡い青に着色
するまで処理する。ジメチルサルファイド０．５ｄを加
えた後に室温に加温してそして真空中で蒸発する。こう
して得た粗製の２−（４−（ｐ−トルエンスルホニルチ
オ）−３−フェニルアセトアミドー２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステルＣＲｒ値〜０．４．６ （シ！Ｊ カグ
ル、トルエン・酢酸エチル１：１）、ＩＲ−スペクトル
（塩化メチレン）：２．９５，５．６０゜５．９８，６
．１８．６．６１μに特性バンド〕を精製せずにさらに
処理することができる。
ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェニルアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メチレ
ン酪酸−ジフェニルメチルエゑテルロ５５ダ（１ｍＭ）
の溶液を一６５℃でオゾン・酵素混合物で淡い青に着色
するまで処理する。ジメチルサルファイド０．５ｄを加
えた後に室温に加温してそして真空中で蒸発する。こう
して得た粗製の２−（４−（ｐ−トルエンスルホニルチ
オ）−３−フェニルアセトアミドー２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸ジフェニル
メチルエステルＣＲｒ値〜０．４．６ （シ！Ｊ カグ
ル、トルエン・酢酸エチル１：１）、ＩＲ−スペクトル
（塩化メチレン）：２．９５，５．６０゜５．９８，６
．１８．６．６１μに特性バンド〕を精製せずにさらに
処理することができる。
（ｅ） 前項（ｄ）で得た粗生成物をメタノール２０ｄ
に溶かしそしてこれに０℃でジアゾメタンのエーテル溶
液を黄色が消えなく々るまで加える。溶媒を真空中で蒸
発し、残分をシリカゲル上で展開剤としてトルエンと酢
酸エチルとの１：１のｊｌ使って分取りロマトグラフ処
理して精製する。こうして２−［４−（ｐ−トルエンス
ルホニルチオ）−３−フェニルアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸
−ジフェニルメチルエステル［Ｒｆ（ｉ〜０．２（シリ
カダル、トルエン・酢酸エチル１：１）、ＩＲ−スペク
トル（塩化メチレン） ： ２．９４ 、５．６１ 、
５．９６゜６．２４ 、６．６２μに特性バンド〕が少
量の２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−
フェニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ル〕−３−メトキシーイソクロトン酸−ジフ例１９ ２−Ｃ４−Ｃｎ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−メトキシクロトン酸ベンジルエステルと相当す
るイソクロトン酸ベンジルエステルとの３＝１の混合物
６．０６１ （１０ｍＭ）とｐ−）ルエンスルフィン酸
２．３３１１ （１５ｍＭ）とを無水テトラヒドロフラ
ン２００ｄに溶かし、これに室温でかきまぜながら、１
．５−ジアザビシクロ［５，４，０”ｌウンデカ−５−
エン５．２０Ｉｎ！（３５ｍＭ）を加える。この混合物
を室温でさらに４０分間かきまぜてから、塩化メチレン
５００ｄｔ−加えそして０．５Ｎ＋７）塩＊２００ｍＡ
！、水２００ｍ、０．５Ｎの炭酸水素ナトリウム水溶液
２００ｍ１そして水２００ｍＪで洗う。塩化メチレン相
を硫酸す）ＩＪウムで乾かしそして真空中で蒸発する。
に溶かしそしてこれに０℃でジアゾメタンのエーテル溶
液を黄色が消えなく々るまで加える。溶媒を真空中で蒸
発し、残分をシリカゲル上で展開剤としてトルエンと酢
酸エチルとの１：１のｊｌ使って分取りロマトグラフ処
理して精製する。こうして２−［４−（ｐ−トルエンス
ルホニルチオ）−３−フェニルアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシークロトン酸
−ジフェニルメチルエステル［Ｒｆ（ｉ〜０．２（シリ
カダル、トルエン・酢酸エチル１：１）、ＩＲ−スペク
トル（塩化メチレン） ： ２．９４ 、５．６１ 、
５．９６゜６．２４ 、６．６２μに特性バンド〕が少
量の２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−
フェニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イ
ル〕−３−メトキシーイソクロトン酸−ジフ例１９ ２−Ｃ４−Ｃｎ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−メトキシクロトン酸ベンジルエステルと相当す
るイソクロトン酸ベンジルエステルとの３＝１の混合物
６．０６１ （１０ｍＭ）とｐ−）ルエンスルフィン酸
２．３３１１ （１５ｍＭ）とを無水テトラヒドロフラ
ン２００ｄに溶かし、これに室温でかきまぜながら、１
．５−ジアザビシクロ［５，４，０”ｌウンデカ−５−
エン５．２０Ｉｎ！（３５ｍＭ）を加える。この混合物
を室温でさらに４０分間かきまぜてから、塩化メチレン
５００ｄｔ−加えそして０．５Ｎ＋７）塩＊２００ｍＡ
！、水２００ｍ、０．５Ｎの炭酸水素ナトリウム水溶液
２００ｍ１そして水２００ｍＪで洗う。塩化メチレン相
を硫酸す）ＩＪウムで乾かしそして真空中で蒸発する。
その残分を酸洗込したシリカゲル２００．９上でトルエ
ンと酢酸エチルとの３＝１の系でクロマトグラフ処理し
、得られた区劃にジエチルエーテル全加アセトアミド−
３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カル＋Ｎン酸ベ
ンジルエステルが得うれる。
ンと酢酸エチルとの３＝１の系でクロマトグラフ処理し
、得られた区劃にジエチルエーテル全加アセトアミド−
３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カル＋Ｎン酸ベ
ンジルエステルが得うれる。
ＩＲ−ス（クトル（塩化メチレン）：５．６０゜５．７
５．５．９０．８．２５μに特性バンド、〔α〕。
５．５．９０．８．２５μに特性バンド、〔α〕。
＝＋２８４°±１’（Ｃ＝１、クロロホルム）。
また、トルエンと酢酸エチルとの２：１の系を使って、
同じくジエチルエーテルで沈殿できる融点８９〜９１℃
の７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−３−エム−４−カルゼン酸ベンジルエステルが溶離さ
れる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン） ：５．６０
、５．８５ 、５．９０μに特性バンド、〔α発’＝
＋４７°±１° （Ｃ＝１、クロロホルム）。
同じくジエチルエーテルで沈殿できる融点８９〜９１℃
の７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ
−３−エム−４−カルゼン酸ベンジルエステルが溶離さ
れる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン） ：５．６０
、５．８５ 、５．９０μに特性バンド、〔α発’＝
＋４７°±１° （Ｃ＝１、クロロホルム）。
これらセフ−２−エム化合物対セフー３−エム化合物の
比は約３：１である。
比は約３：１である。
これら化合物をさらに次のように処理することができる
。
。
７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−
２−エム−４α−カルゼン酸−ペンゾルエステルと７β
−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−
エム−４−カルデン酸−ペンジルエステルとの約３：１
から成る混合物４５４ｍｐ（１ｍＭ）のテトラヒドロフ
ラン３０ｍＪに０℃で溶かして１１８１！シた溶液を、
予じめ冷却した０、ＩＮの水酸化カリウム溶液１５ｄと
かきまぜながら混合する。この混合物′Ｉ！−Ｏ℃で５
分間かきまぜてから、氷水１０（１＋７と予じめ冷却し
た塩化メチレン１００ｄとを加えて短時間かきまぜる。
２−エム−４α−カルゼン酸−ペンゾルエステルと７β
−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−３−
エム−４−カルデン酸−ペンジルエステルとの約３：１
から成る混合物４５４ｍｐ（１ｍＭ）のテトラヒドロフ
ラン３０ｍＪに０℃で溶かして１１８１！シた溶液を、
予じめ冷却した０、ＩＮの水酸化カリウム溶液１５ｄと
かきまぜながら混合する。この混合物′Ｉ！−Ｏ℃で５
分間かきまぜてから、氷水１０（１＋７と予じめ冷却し
た塩化メチレン１００ｄとを加えて短時間かきまぜる。
これに少量の飽和塩化ナトリウム水溶液を加えて２相に
分離させる。有機相を分け、水相を塩化メチレン３０ｍ
で再び洗う。この水相を塩化メチレン５０ゴで覆いそし
て２Ｎの塩酸１０ｗ／ｉ加えそして振とりする。その有
機相を分けそして水相を塩化メチレン３０＋ｕｊづつで
さらに２回抽出する。塩化メチレン抽出液を合わせて硫
酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発する。こうし
て得た白色の海綿状物質はこれにクロロホルムおよびジ
エチルエーテルを加えると結晶化して、融点１４２℃（
分解）の７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−２−エム−４α−カルＭン酸ｆｆｉ与、する。
分離させる。有機相を分け、水相を塩化メチレン３０ｍ
で再び洗う。この水相を塩化メチレン５０ゴで覆いそし
て２Ｎの塩酸１０ｗ／ｉ加えそして振とりする。その有
機相を分けそして水相を塩化メチレン３０＋ｕｊづつで
さらに２回抽出する。塩化メチレン抽出液を合わせて硫
酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発する。こうし
て得た白色の海綿状物質はこれにクロロホルムおよびジ
エチルエーテルを加えると結晶化して、融点１４２℃（
分解）の７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−２−エム−４α−カルＭン酸ｆｆｉ与、する。
ＩＲ−スペクトル（ＫＢｒ） ： ５．６５ 、５．７
５゜５．９５μに特性バンド。
５゜５．９５μに特性バンド。
上記の原料は次のようにして作られる。
（ａ） 乾いたジメチルホルムアミド１５０−に溶かし
九６−フニノキシアセトアミドーペニシラン酸−１β−
オキシド３６．６１！（ｏ、ｔＭ）の溶液に流水で冷却
しながらトリエチルアミン２０ｍｊ （１４，６ｉ０．
１４５Ｍ）と臭化ベンジル１７ｍ１（２４，５，９，０
，１４３Ｍ）とを加える。この混合物を室温で２０時間
かきまぜてから、氷水に注ぎ入れる。
九６−フニノキシアセトアミドーペニシラン酸−１β−
オキシド３６．６１！（ｏ、ｔＭ）の溶液に流水で冷却
しながらトリエチルアミン２０ｍｊ （１４，６ｉ０．
１４５Ｍ）と臭化ベンジル１７ｍ１（２４，５，９，０
，１４３Ｍ）とを加える。この混合物を室温で２０時間
かきまぜてから、氷水に注ぎ入れる。
こうして生成した沈殿を吸収ろ別し、水約１０１００Ｏ
で洗い、４０℃で真空中で２日間乾かしてから、塩化メ
チレン２００１に溶かしそしてさらに硫酸ナトリウムで
乾かす。溶媒を真空中で蒸発し、残った白色の海綿状物
質を酢酸エチル１５０ｍ／に溶かしそして初めに室温で
そしてさらに一２０℃で放置すれば、純粋な６−フエツ
キシアセトアミドーイニシラン酸ベンジルエステル−１
β−オキシドが結晶化する。融点１３９〜１４０℃、Ｉ
Ｒ−ズＡ！力しル（４４ｔｌｋ４φ１ノソ）・ζちζ
ζ７ζ５．９０μに特性バンド、〔α発’＝＋１７４°
±１゜（ｃ＝ｉ、クロロホルム）。
で洗い、４０℃で真空中で２日間乾かしてから、塩化メ
チレン２００１に溶かしそしてさらに硫酸ナトリウムで
乾かす。溶媒を真空中で蒸発し、残った白色の海綿状物
質を酢酸エチル１５０ｍ／に溶かしそして初めに室温で
そしてさらに一２０℃で放置すれば、純粋な６−フエツ
キシアセトアミドーイニシラン酸ベンジルエステル−１
β−オキシドが結晶化する。融点１３９〜１４０℃、Ｉ
Ｒ−ズＡ！力しル（４４ｔｌｋ４φ１ノソ）・ζちζ
ζ７ζ５．９０μに特性バンド、〔α発’＝＋１７４°
±１゜（ｃ＝ｉ、クロロホルム）。
上記の母液からは、酸洗いしたシリカゲル２５０ｇ上で
トルエンと酢酸エチルとの１：１の系でクロマトグラフ
処理することによシ、上記の結晶性ベンジルエステル−
１β−オキシドがさらに得うれる。
トルエンと酢酸エチルとの１：１の系でクロマトグラフ
処理することによシ、上記の結晶性ベンジルエステル−
１β−オキシドがさらに得うれる。
（ｂ）６−フェノキシアセトアミド−４ニジラン酸ベン
ジルエステル−１β−オキシド４．５６ｇ（１０ｍＭ
）と２−メルカゾトペンズチアゾール１．８４Ｊｉ’（
１１ｍＭ）とをトルエン１００ｍＡ！中で還流（浴温１
３５℃）の下で５時間加熱する。この混合物を放置する
と２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル）−３−メチレン酪酸ベンジルエステルが晶出
する。この結晶を吸収ろ別し、トルエン５０ｔｎｌで洗
いそして高真空中で乾かす。また、母液を酸洗いしたシ
リカゲル７０Ｉ上でトルエンと酢酸エチルとの３＝１の
３８−ｒ−クロマトグラフ処理すれば、この結晶性生成
物がさらに得られる。純粋な生成物の融点１５０−１５
３℃、ＩＲ−スにクトル（塩化メチレゾ）：５．６０．
５．７５，５．９０μに特性バンド、［α］：’＝−１
１２°±１’（Ｃ＝１． クロロホルム）。
ジルエステル−１β−オキシド４．５６ｇ（１０ｍＭ
）と２−メルカゾトペンズチアゾール１．８４Ｊｉ’（
１１ｍＭ）とをトルエン１００ｍＡ！中で還流（浴温１
３５℃）の下で５時間加熱する。この混合物を放置する
と２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル）−３−メチレン酪酸ベンジルエステルが晶出
する。この結晶を吸収ろ別し、トルエン５０ｔｎｌで洗
いそして高真空中で乾かす。また、母液を酸洗いしたシ
リカゲル７０Ｉ上でトルエンと酢酸エチルとの３＝１の
３８−ｒ−クロマトグラフ処理すれば、この結晶性生成
物がさらに得られる。純粋な生成物の融点１５０−１５
３℃、ＩＲ−スにクトル（塩化メチレゾ）：５．６０．
５．７５，５．９０μに特性バンド、［α］：’＝−１
１２°±１’（Ｃ＝１． クロロホルム）。
（ｃ）塩化メチレン３００ｍ１ＶＣ溶かした２−［４−
（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキ
シアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー
３−メチレン酪酸ベンジルエステル６．０６ｇ（１０ｍ
Ｍ）の溶液中に一２０℃で酸素・オゾン混合物を原料が
完全にオゾン化されるまで導入する（薄層クロマトグラ
フィで検出、シリカゲル、トルエン・酢酸エチル１：１
）。この混合物に１０係の亜硫酸水素ナトリウム水溶液
５０＋ｎ／を加えて、よう化カリウム・でんぷんを使っ
てオシニドが検出されなくなるまでかきまぜる（５分間
）。この混合物に水３０（１ｍｌ！ｉ加えて、生成物を
２相間に分配する。有機相を硫酸ナトリウムで乾かして
から溶媒を除く。残分のエーテルとペンタンとの１：１
の混合物１００ｄ中で０℃ですシまぜると、２−［４−
（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキ
シアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−
３−ヒドロキシークロトン酸ペン・ゾルエステルが晶出
する。融点５８〜６２℃、ＩＲ−スペクトル（塩化メチ
レン）：５．６０，５．９０，６．００μに特性バンド
、〔α〕二’＝−９２°±１°（Ｃ＝１、クロロホルム
）。
（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキ
シアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー
３−メチレン酪酸ベンジルエステル６．０６ｇ（１０ｍ
Ｍ）の溶液中に一２０℃で酸素・オゾン混合物を原料が
完全にオゾン化されるまで導入する（薄層クロマトグラ
フィで検出、シリカゲル、トルエン・酢酸エチル１：１
）。この混合物に１０係の亜硫酸水素ナトリウム水溶液
５０＋ｎ／を加えて、よう化カリウム・でんぷんを使っ
てオシニドが検出されなくなるまでかきまぜる（５分間
）。この混合物に水３０（１ｍｌ！ｉ加えて、生成物を
２相間に分配する。有機相を硫酸ナトリウムで乾かして
から溶媒を除く。残分のエーテルとペンタンとの１：１
の混合物１００ｄ中で０℃ですシまぜると、２−［４−
（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキ
シアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−
３−ヒドロキシークロトン酸ペン・ゾルエステルが晶出
する。融点５８〜６２℃、ＩＲ−スペクトル（塩化メチ
レン）：５．６０，５．９０，６．００μに特性バンド
、〔α〕二’＝−９２°±１°（Ｃ＝１、クロロホルム
）。
（ｄ） アセトンと水との９＝１の混合物２００ｍ１中
で２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ベンジルエステ
ル６．０８．９（０，０１Ｍ）とｐ−トルエンスルフィ
ン酸銀３．５０＃（０，０１３Ｍ）とを室温で６０分間
かきまぜる。こうして生成した員色の沈殿をセライト上
でろ去し、この残分をアセトンで洗込そしてろ液を真空
中で約２０ｍ１に濃縮する。この生成物を塩化メチレン
と希薄な硫酸ナトリウム水溶液との間に分配する。有機
相を硫酸ナトリウムで乾かしそして溶媒を真空中で蒸発
する。その残分を酢酸エチル７０ｍ１に必要ならば加熱
して溶かし、若干の不溶物をろ去して再び蒸発する。エ
ーテルとペンタンとの混合物１００ｍ１ｆｏ℃で加える
ことによシ、融点１５１〜１５２℃の２−（４−（ｐ−
）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミ
ド−２−オキシアゼチジンー１−イル）−３−ヒドロキ
シクロトン酸ベンジルエステルが晶出する。ＩＲ−ス−
ｅ り） Ａ／−（塩化メチレン’）：５．６０，５．
９０，６．００゜８．７５μに特性バンド、〔α〕ゎｍ
−１６０±１゜（Ｃ＝１、クロロホルム）。
で２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸ベンジルエステ
ル６．０８．９（０，０１Ｍ）とｐ−トルエンスルフィ
ン酸銀３．５０＃（０，０１３Ｍ）とを室温で６０分間
かきまぜる。こうして生成した員色の沈殿をセライト上
でろ去し、この残分をアセトンで洗込そしてろ液を真空
中で約２０ｍ１に濃縮する。この生成物を塩化メチレン
と希薄な硫酸ナトリウム水溶液との間に分配する。有機
相を硫酸ナトリウムで乾かしそして溶媒を真空中で蒸発
する。その残分を酢酸エチル７０ｍ１に必要ならば加熱
して溶かし、若干の不溶物をろ去して再び蒸発する。エ
ーテルとペンタンとの混合物１００ｍ１ｆｏ℃で加える
ことによシ、融点１５１〜１５２℃の２−（４−（ｐ−
）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミ
ド−２−オキシアゼチジンー１−イル）−３−ヒドロキ
シクロトン酸ベンジルエステルが晶出する。ＩＲ−ス−
ｅ り） Ａ／−（塩化メチレン’）：５．６０，５．
９０，６．００゜８．７５μに特性バンド、〔α〕ゎｍ
−１６０±１゜（Ｃ＝１、クロロホルム）。
（ｅ） 塩化メチレン５０ｍ／に溶かした純粋な２−［
４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３
−ヒドロキシクロトン酸ベンジルエステル５．９７Ｉｉ
（０，０１Ｍ）の溶液に０℃でかきまぜ々がらジアゾメ
タンのエーテル溶液を原料が完全にメチル化されるまで
満願する（シリカゲル上での薄層クロマトグラフィによ
りて検査、トルエン・酢酸エチル１：１）。次の余分の
ジアゾメタンを２滴の氷酢酸を加えて中和する（余分に
木酢ｅを加えない）。次にこの混合物を真空中で蒸発す
る。その黄色の海綿状残分をジエチルエーテルと（メタ
ンとの１＝１の混合物から結晶化さセｔＬｔｄ、２−
（４−（ｐ −トルエンスルホニルチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−メトキシクロトン酸ペン・ジルエステル、！：２
−１：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−メトキシイソクロトン酸ベンジルエステルとの
約３：１の比から成る異性体混合物が得られる。
４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３
−ヒドロキシクロトン酸ベンジルエステル５．９７Ｉｉ
（０，０１Ｍ）の溶液に０℃でかきまぜ々がらジアゾメ
タンのエーテル溶液を原料が完全にメチル化されるまで
満願する（シリカゲル上での薄層クロマトグラフィによ
りて検査、トルエン・酢酸エチル１：１）。次の余分の
ジアゾメタンを２滴の氷酢酸を加えて中和する（余分に
木酢ｅを加えない）。次にこの混合物を真空中で蒸発す
る。その黄色の海綿状残分をジエチルエーテルと（メタ
ンとの１＝１の混合物から結晶化さセｔＬｔｄ、２−
（４−（ｐ −トルエンスルホニルチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−メトキシクロトン酸ペン・ジルエステル、！：２
−１：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−メトキシイソクロトン酸ベンジルエステルとの
約３：１の比から成る異性体混合物が得られる。
この混合物をシリカダル上でトルエンと酢酸エチルとの
１：１の系を使って再びクロマトグラフ処理することに
より分解することができる。こうして得た２−［４−（
ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシークロトン酸ベンジルエステルＧ’！、融点１６６
〜１６８℃、〔α〕二’＝−３６°±１°（Ｃ＝１、ク
ロロホルム）、ＩＲ−ス（クトル（塩化メチレン）：、
５．６０゜５．８０ 、５．９０ 、８．７２μに特性
ノぐンド、ＮＭＲ−スーｓクトル（クロロホルム）：２
．１２（ｓ）、 ５．００（ｄｄ） 、 ５．９０（ｄ
）ｐｐｍＫ特性シグナル、薄層クロマトグラム：Ｒｆ値
〜０１０（シリカゲル、トルエン・酢酸エチル１：１）
である。また、得られた２−［４−（ｐ−）ルエンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イルクー３−メトキシ−イソクロト
ン酸ベンジルエステル＆’ｉ融点ｆｉ９〜６３℃、〔α
〕１０＝−１°±１’（Ｃ＝１、クロロホルム）、ＺＲ
−スペクトル（塩化メチルｙ） ： ５．６０ 、５．
８７ （Ｊｌ）、う、９０，８．７２μに特性バンド、
ＮＭＲ−スペクトル（クロロホルム） ： ２．３２（
ｓ）、 ５．４５ （ｄ、ｄ）。
１：１の系を使って再びクロマトグラフ処理することに
より分解することができる。こうして得た２−［４−（
ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メト
キシークロトン酸ベンジルエステルＧ’！、融点１６６
〜１６８℃、〔α〕二’＝−３６°±１°（Ｃ＝１、ク
ロロホルム）、ＩＲ−ス（クトル（塩化メチレン）：、
５．６０゜５．８０ 、５．９０ 、８．７２μに特性
ノぐンド、ＮＭＲ−スーｓクトル（クロロホルム）：２
．１２（ｓ）、 ５．００（ｄｄ） 、 ５．９０（ｄ
）ｐｐｍＫ特性シグナル、薄層クロマトグラム：Ｒｆ値
〜０１０（シリカゲル、トルエン・酢酸エチル１：１）
である。また、得られた２−［４−（ｐ−）ルエンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イルクー３−メトキシ−イソクロト
ン酸ベンジルエステル＆’ｉ融点ｆｉ９〜６３℃、〔α
〕１０＝−１°±１’（Ｃ＝１、クロロホルム）、ＺＲ
−スペクトル（塩化メチルｙ） ： ５．６０ 、５．
８７ （Ｊｌ）、う、９０，８．７２μに特性バンド、
ＮＭＲ−スペクトル（クロロホルム） ： ２．３２（
ｓ）、 ５．４５ （ｄ、ｄ）。
５．７．２ （ｄ ） ｐｐｍに特性シグナル、薄層ク
ロマトグラムｎ Ｒｆ 値〜ｏ、 １３ （シリカゲル
、トルエン・酢酸エチル１：ｌ）である。
ロマトグラムｎ Ｒｆ 値〜ｏ、 １３ （シリカゲル
、トルエン・酢酸エチル１：ｌ）である。
鳳Ｔ余自
例２０
２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
クー３−メトキシ−イソクロトン酸メチル、！：２−（
４−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３
−メトキシ−クロトン酸メチルとの約４：１の比から成
る混合物５３４Ｉｖ（１ｍＭ）をテトラヒトｏ７．ｙｙ
２０ｍに溶かし、これにかきまぜながら１，５−ジアデ
ビシク畦５．４．０］ウンデカ−５−エン３０２ダ（２
ｍＭ ）を加えて４０分間かきまぜる。この混合物を塩
化メチレン７０ｍで希釈しそして希塩酸、水、希薄な炭
酸水素ナトリウム水溶液そしてさらに水で洗う。有機相
を硫酸ナトリウムで乾燥しそして真空中で蒸発する。そ
の残分を敵洗いしたシリカゲル１５ＩＩ上でトルエンと
酢酸エチルとの２：１０糸そし【次にｌ：ｌの系を使っ
てクロマトグラフ処理すれは、初めに純粋な７β−フェ
ノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−２−エム−
４α−カルボン酸メチル［ＩＲ−スペクトル（塩化メチ
レン）：５．６０．５．７０．５．９０．８．２５μに
特性バンド〕、そして次に純粋な７β−フェノキシアセ
トアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボ
ン酸メチル（ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．
６０．５．８５．５．９０゜７．１０μに特性バンド〕
が無色の海綿状で俗離される。
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
クー３−メトキシ−イソクロトン酸メチル、！：２−（
４−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシ
アセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３
−メトキシ−クロトン酸メチルとの約４：１の比から成
る混合物５３４Ｉｖ（１ｍＭ）をテトラヒトｏ７．ｙｙ
２０ｍに溶かし、これにかきまぜながら１，５−ジアデ
ビシク畦５．４．０］ウンデカ−５−エン３０２ダ（２
ｍＭ ）を加えて４０分間かきまぜる。この混合物を塩
化メチレン７０ｍで希釈しそして希塩酸、水、希薄な炭
酸水素ナトリウム水溶液そしてさらに水で洗う。有機相
を硫酸ナトリウムで乾燥しそして真空中で蒸発する。そ
の残分を敵洗いしたシリカゲル１５ＩＩ上でトルエンと
酢酸エチルとの２：１０糸そし【次にｌ：ｌの系を使っ
てクロマトグラフ処理すれは、初めに純粋な７β−フェ
ノキシアセトアミド−３−メトキシ−セフ−２−エム−
４α−カルボン酸メチル［ＩＲ−スペクトル（塩化メチ
レン）：５．６０．５．７０．５．９０．８．２５μに
特性バンド〕、そして次に純粋な７β−フェノキシアセ
トアミド−３−メトキシ−セフ−３−エム−４−カルボ
ン酸メチル（ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．
６０．５．８５．５．９０゜７．１０μに特性バンド〕
が無色の海綿状で俗離される。
こうして得た化合物を次のようにさらに処理することが
できる。
できる。
テトラヒドロフラン３０−に７β−フェノキシアセトア
ミド−３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン
酸メチル３８２ダを溶かして水浴中で冷却し、これに冷
却した０、ＩＮの水酸化カリウム水溶液１５−を加える
。５分間の後に水ｌＯ〇−と塩化メチレン７０−とを加
えそしてこの混合物にＩＮの塩酸１０−を加えて敵性に
する。塩化メチレン相を分はセして水相を塩化メチレン
３〇−で抽出する。有機相を合わせて硫酸ナトリウムｆ
１１； ｈ）ｌ ｋ １ イ會ｔｌ ｃｂ ｆ’ｌＩ
Ｅ益−ｒ 入−ｋ ノ１ｍ心＊ ／）ロホルムとジエチ
ルエーテルとの混合物から結晶化させる。こうして融点
１４２℃（分解）の７β−フェノキシアセトアミド−３
−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸を生成
する。
ミド−３−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン
酸メチル３８２ダを溶かして水浴中で冷却し、これに冷
却した０、ＩＮの水酸化カリウム水溶液１５−を加える
。５分間の後に水ｌＯ〇−と塩化メチレン７０−とを加
えそしてこの混合物にＩＮの塩酸１０−を加えて敵性に
する。塩化メチレン相を分はセして水相を塩化メチレン
３〇−で抽出する。有機相を合わせて硫酸ナトリウムｆ
１１； ｈ）ｌ ｋ １ イ會ｔｌ ｃｂ ｆ’ｌＩ
Ｅ益−ｒ 入−ｋ ノ１ｍ心＊ ／）ロホルムとジエチ
ルエーテルとの混合物から結晶化させる。こうして融点
１４２℃（分解）の７β−フェノキシアセトアミド−３
−メトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸を生成
する。
また、７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルボン酸メチルを上記のように
０．ＩＮの水酸化カリウム水溶液でけん化すれば、融点
１４２℃（分解）の同じ化合物が得られる。
セフ−３−エム−４−カルボン酸メチルを上記のように
０．ＩＮの水酸化カリウム水溶液でけん化すれば、融点
１４２℃（分解）の同じ化合物が得られる。
上記の原料は次のようにして作られる。
（ａ） 乾いたトルエン５００ｄ中に６−フエツキシア
セトアミドーペニシラン酸メチル−１β−オキシド１９
．２５Ｊｉ’ （５０ｍＭ）と２−メルカプトベンズチ
アゾール９．４Ｊｉ’（５５ｍＭ）とを溶かして還流の
下で８時間煮沸してから、真空中で鎖線する。
セトアミドーペニシラン酸メチル−１β−オキシド１９
．２５Ｊｉ’ （５０ｍＭ）と２−メルカプトベンズチ
アゾール９．４Ｊｉ’（５５ｍＭ）とを溶かして還流の
下で８時間煮沸してから、真空中で鎖線する。
その残分を加熱（約８０℃）しながら酢酸エチル４００
−に溶かし、活性炭０．２９で処理しそして電気的に加
熱したガラスフィルターで吸引ろ過する。冷却すれば融
点１３２〜１３４℃の２−〔４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸メチ
ルが析出する。また、母液からは、・同じ化合物（融点
１３５〜１３７℃）がさらに得られる。
−に溶かし、活性炭０．２９で処理しそして電気的に加
熱したガラスフィルターで吸引ろ過する。冷却すれば融
点１３２〜１３４℃の２−〔４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メチレン酪酸メチ
ルが析出する。また、母液からは、・同じ化合物（融点
１３５〜１３７℃）がさらに得られる。
（ｂ） アセトン４００−に溶かした２−［４−（ベン
ズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３−メ
チレン酪酸メチル２０．６９（４０ｍＶ ）の溶液中に
一２０℃でオゾン・酸素混合物を、原料が薄層クロマト
グラフ（シリカダル、トルエン・酢酸エチル１：１）で
検出されなくなるまで導入する。この混合物にジメチル
サルファイド４０−を加えそして室温で、よう化カリウ
ム・でんぷんを使っ【オゾンが検出されなくなるまで３
日間かきまぜる。仁の混合物１１Ｒｋ空中で濃縮しそし
て流動性残分を氷水４００−に注ぎ入れる。
ズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３−メ
チレン酪酸メチル２０．６９（４０ｍＶ ）の溶液中に
一２０℃でオゾン・酸素混合物を、原料が薄層クロマト
グラフ（シリカダル、トルエン・酢酸エチル１：１）で
検出されなくなるまで導入する。この混合物にジメチル
サルファイド４０−を加えそして室温で、よう化カリウ
ム・でんぷんを使っ【オゾンが検出されなくなるまで３
日間かきまぜる。仁の混合物１１Ｒｋ空中で濃縮しそし
て流動性残分を氷水４００−に注ぎ入れる。
こうして生じた沈殿をろ別し、氷水２００ｍで洗い、真
空中で乾かしそしてジエチルエーテルとペンタンとの混
合物から０℃で結晶化させる。こうして得た２−（４−
（ベンズチアゾール−２−イル−ジチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−ヒドロキシクロトン酸メチルは融点１２７〜１３
００である。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．
６０．５．９０．６．００．８．１０／ｊに特性バンド
。母液をシリカダル上でトルエンと酢酸エチルとの３：
ｌの混合物でクロマトグラフ処理すれは、この生成物が
さらに得られる。
空中で乾かしそしてジエチルエーテルとペンタンとの混
合物から０℃で結晶化させる。こうして得た２−（４−
（ベンズチアゾール−２−イル−ジチオ）−３−フェノ
キシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕
−３−ヒドロキシクロトン酸メチルは融点１２７〜１３
００である。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．
６０．５．９０．６．００．８．１０／ｊに特性バンド
。母液をシリカダル上でトルエンと酢酸エチルとの３：
ｌの混合物でクロマトグラフ処理すれは、この生成物が
さらに得られる。
（ｅ） 塩化メチレン５０−に浴がした２−（４−（ベ
ンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−
ヒドロキシ−クロトン酸メチル４．８５＆（０，ＯＩＭ
）の溶液に０℃でかきまぜながらジアゾメタンのエーテ
ル溶液を、１５分間かきまぜた後に原料が薄層クロマト
グラフ（シリカダル、トルエン・酢酸エチル１：ｌ）で
検出されなくなるように加える。次になるべく少量の酢
酸を加え【余分のジアゾメタンを中和しそして真空中で
蒸発する。その残分は２− （４、＋ （ベンズチアゾ
ール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド
−２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−メトキシ−
イソクロトン酸メチルと２−［４−（ベンズチアゾール
−２−イルジチオ−）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−メトキシ−ク
ロトン酸メチルとの約４：１の比から成る混合物である
。
ンズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシア
セトアミド−２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−
ヒドロキシ−クロトン酸メチル４．８５＆（０，ＯＩＭ
）の溶液に０℃でかきまぜながらジアゾメタンのエーテ
ル溶液を、１５分間かきまぜた後に原料が薄層クロマト
グラフ（シリカダル、トルエン・酢酸エチル１：ｌ）で
検出されなくなるように加える。次になるべく少量の酢
酸を加え【余分のジアゾメタンを中和しそして真空中で
蒸発する。その残分は２− （４、＋ （ベンズチアゾ
ール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド
−２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−メトキシ−
イソクロトン酸メチルと２−［４−（ベンズチアゾール
−２−イルジチオ−）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアセチノン−１−イル〕−３−メトキシ−ク
ロトン酸メチルとの約４：１の比から成る混合物である
。
ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６０．５．８
５．５．９０．９．０５．１０．００βに特性バンド。
５．５．９０．９．０５．１０．００βに特性バンド。
（ｄ）２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジテオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルツー３−メトキシ−イソクロトン酸メチル
と相当するクロトン識メチルとの約４：１の混合物５．
０３１０．０１Ｍ）とｐ−） ルｘ ンｙ、ルア ４
ン醸銀３．５０１１（０，０１３Ｍ）とアセトンと水と
の９：１の混合物２００−とから成る混合物を室温で４
０分間かきまぜてから、セライトでろ過する。そのフィ
ルター残分をアセトンで洗いそしてろ液を真空中で約２
０−に濃縮する。塩イにメチレン１００−、Ｌ−盃蒲た
壷酸ナト１１クム水溶液１００−とを加えて振とうし、
水相を分けそして塩化メチレン相を硫散ナトリウムで乾
かしてから真空中で蒸発する。その残分を精製する丸め
にジエチルエーテルとペンタンとの混合物中で０℃でナ
シまぜそしてろ過する。こうして２−（４−（ｐ−）ル
エンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシーイ
ソクロトン酸メチルト２− （４−（ｐ −’ ）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼテノン−１−イルクー３−メトキシ−クロ
トン酸メチルとの約４＝１の混合物が白色の粉末の形で
得られる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６
０．５．８５．５．９０．８．７５μに特性バンド。
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルツー３−メトキシ−イソクロトン酸メチル
と相当するクロトン識メチルとの約４：１の混合物５．
０３１０．０１Ｍ）とｐ−） ルｘ ンｙ、ルア ４
ン醸銀３．５０１１（０，０１３Ｍ）とアセトンと水と
の９：１の混合物２００−とから成る混合物を室温で４
０分間かきまぜてから、セライトでろ過する。そのフィ
ルター残分をアセトンで洗いそしてろ液を真空中で約２
０−に濃縮する。塩イにメチレン１００−、Ｌ−盃蒲た
壷酸ナト１１クム水溶液１００−とを加えて振とうし、
水相を分けそして塩化メチレン相を硫散ナトリウムで乾
かしてから真空中で蒸発する。その残分を精製する丸め
にジエチルエーテルとペンタンとの混合物中で０℃でナ
シまぜそしてろ過する。こうして２−（４−（ｐ−）ル
エンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−
２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシーイ
ソクロトン酸メチルト２− （４−（ｐ −’ ）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼテノン−１−イルクー３−メトキシ−クロ
トン酸メチルとの約４＝１の混合物が白色の粉末の形で
得られる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６
０．５．８５．５．９０．８．７５μに特性バンド。
例２１
２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
クー３−ベンジルオキシ−クロトンＩＩ−ｐ−ニトロベ
ンジルエステルと相当するイソクロトン酸エステルとの
１：１の氾春物７１１１１（ｌ ｍＭ）を１．５−ジア
ザビシフ０ ［：５．４．０：］］ウンデカー５−エン
０．１８５ｄ（１，２ｍＭ）を含む乾いたテトラヒドロ
フラン２０−の中で室温で３５分間かきまぜる。この混
合物に塩化メチレン５０−を加えそして希塩酸、水およ
び希薄な炭酸水素す） ＩＪウム水溶液で洗う。有機相
を硫酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発する。そ
の残分を酸洗いしたシリカゲル２５１１Ｍ１上でトルエ
ンと酢酸エチルとの３：１の系でクロマトグラフ処理す
る。こうしてセフ−２−エム化合物とセフ−３−エム化
合物との約３：１の混合物が得られる。
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
クー３−ベンジルオキシ−クロトンＩＩ−ｐ−ニトロベ
ンジルエステルと相当するイソクロトン酸エステルとの
１：１の氾春物７１１１１（ｌ ｍＭ）を１．５−ジア
ザビシフ０ ［：５．４．０：］］ウンデカー５−エン
０．１８５ｄ（１，２ｍＭ）を含む乾いたテトラヒドロ
フラン２０−の中で室温で３５分間かきまぜる。この混
合物に塩化メチレン５０−を加えそして希塩酸、水およ
び希薄な炭酸水素す） ＩＪウム水溶液で洗う。有機相
を硫酸ナトリウムで乾かしそして真空中で蒸発する。そ
の残分を酸洗いしたシリカゲル２５１１Ｍ１上でトルエ
ンと酢酸エチルとの３：１の系でクロマトグラフ処理す
る。こうしてセフ−２−エム化合物とセフ−３−エム化
合物との約３：１の混合物が得られる。
これをさらにクロマトグラフ処理して純異性体に分ける
ことができる。こうして７β−フェノキシアセトアミド
−３−ベンジルオキシ−セフ−２−ニムー４α−カルが
ン酸−Ｐ−ニトロベンジルエステルＩＪ１１点１６０−
１６２℃（ジエチルエーテルとぺメタンとの混合物から
）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６．５．
７．５．９．７．４μに特性バンド〕および７β−フェ
ノキシアセトアミド−３−ベンジルオキシ−セフ−３−
エム−４カル？ン酸−ｐ−ニトロベンジルエステル［Ｉ
Ｒ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６．５．８（Ｊ
り、５．９．７，９．８．４μに特性バンド〕が無色海
綿状の形で得られる。
ことができる。こうして７β−フェノキシアセトアミド
−３−ベンジルオキシ−セフ−２−ニムー４α−カルが
ン酸−Ｐ−ニトロベンジルエステルＩＪ１１点１６０−
１６２℃（ジエチルエーテルとぺメタンとの混合物から
）、ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６．５．
７．５．９．７．４μに特性バンド〕および７β−フェ
ノキシアセトアミド−３−ベンジルオキシ−セフ−３−
エム−４カル？ン酸−ｐ−ニトロベンジルエステル［Ｉ
Ｒ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６．５．８（Ｊ
り、５．９．７，９．８．４μに特性バンド〕が無色海
綿状の形で得られる。
こうして得た異性体混合物を次のように処理することが
できる。
できる。
７β−フェノキシアセトアミド−３−ベンジルオキシ−
セフ−２−エム−４α−カルデン［１−ｐ−ニトロベン
ジルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３−ベ
ンジルオキシ−セフ−３−エム−４−カルがン酸−ｐ−
ニトロベンジルエステルとの約３：１から成る得られた
上記異性体混合物をトリフルオル酢酸８−に浴かして室
温で９０分間かきまぜる。反応混合物を真空中で蒸発し
そしてトルエンを使ってトリフルオル酢酸の残分を繰返
し除く。ζうして得た残分を酸洗いしたシリカダル２１
上でトルエンと酢酸エチルとの３＝１の系でクロマトグ
ラフ処理する。こうして７β−フェノキシアセト７ミド
ー３−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カル？ン酸−
ｐ−ニトロベンジルエステルが無色の１１４ｍ状で得ら
れる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン） ： ２．９
５．３．３゜５．６．５．７５（屑）、５．９．５．９
５（肩）、６．５５．７．４５．８．１５．８．３μに
特性バンド、ＮＭＲ−スペクトル（重クロロホルム）：
３．４（２Ｈ１ＡＢｑ、Ｊ ＝ １７ Ｈｚ ）、４．
５７（２１，ｓ）、５．０６（ＩＨ。
セフ−２−エム−４α−カルデン［１−ｐ−ニトロベン
ジルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３−ベ
ンジルオキシ−セフ−３−エム−４−カルがン酸−ｐ−
ニトロベンジルエステルとの約３：１から成る得られた
上記異性体混合物をトリフルオル酢酸８−に浴かして室
温で９０分間かきまぜる。反応混合物を真空中で蒸発し
そしてトルエンを使ってトリフルオル酢酸の残分を繰返
し除く。ζうして得た残分を酸洗いしたシリカダル２１
上でトルエンと酢酸エチルとの３＝１の系でクロマトグ
ラフ処理する。こうして７β−フェノキシアセト７ミド
ー３−ヒドロキシ−セフ−３−エム−４−カル？ン酸−
ｐ−ニトロベンジルエステルが無色の１１４ｍ状で得ら
れる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン） ： ２．９
５．３．３゜５．６．５．７５（屑）、５．９．５．９
５（肩）、６．５５．７．４５．８．１５．８．３μに
特性バンド、ＮＭＲ−スペクトル（重クロロホルム）：
３．４（２Ｈ１ＡＢｑ、Ｊ ＝ １７ Ｈｚ ）、４．
５７（２１，ｓ）、５．０６（ＩＨ。
ｄ、 Ｊ＝５ Ｈｚ ）、５．３５ （２Ｈ，ＡＢｑ、
Ｊ ＝１４Ｈｚ ）、５．７ （Ｉ Ｈ，ｄｄ、 Ｊ
＝５．１０Ｈｚ）、６．８〜８．４ （１０Ｈ，ｃ ）
、１１．４（１）Ｉ、ブロードなｓ ） ｐｐｍに特性
シグナル。
Ｊ ＝１４Ｈｚ ）、５．７ （Ｉ Ｈ，ｄｄ、 Ｊ
＝５．１０Ｈｚ）、６．８〜８．４ （１０Ｈ，ｃ ）
、１１．４（１）Ｉ、ブロードなｓ ） ｐｐｍに特性
シグナル。
前記の原料に次のようにして作られる。
蒸留したジオキサン４−に溶がしｆｃ２−（４−（ｐ−
トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキ
シ−クロトン酸−ｐ−二トロペンジルエステル１．２８
２９（２ｍＭ）の溶液に、フェニルジアゾメタン１．２
Ｊｌ （約１０ｎＪｉｌ）（１）エーテル溶液（仁れは
Ｎ−ベンジル−Ｎ−ニトロ−トルエンスルホンアミドか
ら作りた）３０ｄｆｔｆｉ温で加える。仁の混合物を４
５℃の浴温で還流下で６時間煮沸し、塩化メチレン１０
０ｍで希釈しそして水１００ｍで洗う。有機相を硫酸ナ
トリウムで乾かし、真空中で蒸発しそして真空中で乾か
す。
トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロキ
シ−クロトン酸−ｐ−二トロペンジルエステル１．２８
２９（２ｍＭ）の溶液に、フェニルジアゾメタン１．２
Ｊｌ （約１０ｎＪｉｌ）（１）エーテル溶液（仁れは
Ｎ−ベンジル−Ｎ−ニトロ−トルエンスルホンアミドか
ら作りた）３０ｄｆｔｆｉ温で加える。仁の混合物を４
５℃の浴温で還流下で６時間煮沸し、塩化メチレン１０
０ｍで希釈しそして水１００ｍで洗う。有機相を硫酸ナ
トリウムで乾かし、真空中で蒸発しそして真空中で乾か
す。
こうして得た黄色の油を酸洗いしたシリカダル１００．
９上でトルエンと酢酸エチルとの３＝１および２：１の
系を展開剤として使ってクロマトグラフ処理する。こう
して２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルテオ）−３−
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イル） −３−ヘンシルオキシ−クロトン酸−ｐ−ニト
ロベンジルエステルと２−（４−（ｐ−）ルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキシ
アゼチノンー１−イル〕−３−ベンジルオキシ−イノク
ロトン１ｌ−ｐ−二トロペンジルエステルとの約１：１
の異性体混合物が得られる。これを前記のようにしてさ
らにクロマトグラフ処理して各異性体に分ける仁とがで
きる。早く移動するクロトン酸銹導体のＩＲ−スペクト
ル（塩化メチレン）：５．６．５．８０，５．９０．８
．７５μに特性バンド、鳩侃−スベクトル（重りｉロホ
ルム）：２．２（ｓ）、５．０５（ｄｄ）、５．９３（
ｄ）ｐｐｍに特性シグナル、薄層クロマトグラムニＲｆ
値〜０．３（シリカダル、トルエン・酢酸エチル２：１
）である。遅く移動するインクロトン酸誘導体のＩＲ−
スペクトル（塩化メチレン）：５．６．５．８５（肩）
、５．９０．８．７５μに特性バンド、喝侃−スベクト
ル（重クロロホルム）：２．５（ｓ）、５．４ｘ（ｄｄ
）、５．７７（ｄ）ｐｐｍに特性シグナル、薄層クロマ
トグラムニＲｆ値〜０．２５（シリカゲル、トルエン・
酢酸エチル２：１）である。
９上でトルエンと酢酸エチルとの３＝１および２：１の
系を展開剤として使ってクロマトグラフ処理する。こう
して２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルテオ）−３−
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イル） −３−ヘンシルオキシ−クロトン酸−ｐ−ニト
ロベンジルエステルと２−（４−（ｐ−）ルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキシ
アゼチノンー１−イル〕−３−ベンジルオキシ−イノク
ロトン１ｌ−ｐ−二トロペンジルエステルとの約１：１
の異性体混合物が得られる。これを前記のようにしてさ
らにクロマトグラフ処理して各異性体に分ける仁とがで
きる。早く移動するクロトン酸銹導体のＩＲ−スペクト
ル（塩化メチレン）：５．６．５．８０，５．９０．８
．７５μに特性バンド、鳩侃−スベクトル（重りｉロホ
ルム）：２．２（ｓ）、５．０５（ｄｄ）、５．９３（
ｄ）ｐｐｍに特性シグナル、薄層クロマトグラムニＲｆ
値〜０．３（シリカダル、トルエン・酢酸エチル２：１
）である。遅く移動するインクロトン酸誘導体のＩＲ−
スペクトル（塩化メチレン）：５．６．５．８５（肩）
、５．９０．８．７５μに特性バンド、喝侃−スベクト
ル（重クロロホルム）：２．５（ｓ）、５．４ｘ（ｄｄ
）、５．７７（ｄ）ｐｐｍに特性シグナル、薄層クロマ
トグラムニＲｆ値〜０．２５（シリカゲル、トルエン・
酢酸エチル２：１）である。
例２２
２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−フェ
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−ジフェニルメトキシークロトン酸−ｐ−ニトロ
ペンシルエステルと相ａするイソクロトン酸エステルと
から成る異性体混合物４０５＃ （０，５ｍＭ）を、１
，５−ジアゾビシクロ（５，４，０）ウンデカ−５−二
７０．９ｍｇ（０゜６蛎）を含む乾いたテトラヒドロフ
ラン８−の中で室温で４５分間かきまぜる。この黄色混
合物に塩化メチレン２５−を加えそして０．５Ｎ塩酸、
水および希薄な炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う。その
有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。
ノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル
〕−３−ジフェニルメトキシークロトン酸−ｐ−ニトロ
ペンシルエステルと相ａするイソクロトン酸エステルと
から成る異性体混合物４０５＃ （０，５ｍＭ）を、１
，５−ジアゾビシクロ（５，４，０）ウンデカ−５−二
７０．９ｍｇ（０゜６蛎）を含む乾いたテトラヒドロフ
ラン８−の中で室温で４５分間かきまぜる。この黄色混
合物に塩化メチレン２５−を加えそして０．５Ｎ塩酸、
水および希薄な炭酸水素ナトリウム水溶液で洗う。その
有機相を硫酸ナトリウムで乾かしそして蒸発する。
こうして７β−フェノキシアセトアミド−３−ジフェニ
ルメトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸−ｐ−
ニトロベンジルエステルと７β−フェノキシアセトアミ
ド−３−ジフェニルメトキシ−セフ−３−エム−４−カ
ルがン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルとの混合物が得
られる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６０
．５．７０．５．９０．６．５５．７．４０μに特性バ
ンド。
ルメトキシ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸−ｐ−
ニトロベンジルエステルと７β−フェノキシアセトアミ
ド−３−ジフェニルメトキシ−セフ−３−エム−４−カ
ルがン酸−ｐ−ニトロベンジルエステルとの混合物が得
られる。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６０
．５．７０．５．９０．６．５５．７．４０μに特性バ
ンド。
この異性体混合物を次のようにさらに処理することがで
きる。
きる。
７β−フェノキシアセトアミド−３−ジフェニルメトキ
シ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸−ｐ−ニトロベ
ンジルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３−
ジフェニルメトキシ−セフ−３−エム−４−カルがン＆
−ｐ−ニトロベンジルエステルとの上記異性体混合物３
４０＃Ｉｐｌ）ＩＪフルオル酢酸０．５ｍと塩化メチレ
ン９．５−との混合物に溶かして室温で４０分間かきま
ぜる。この混合物を真空中で蒸発し、残分管トルエンと
混合して再び蒸発する。こうして得た残分（トリフルオ
ル酢酸をまだ含む）を酸洗いしたシリカゲル１５ｇ上で
トルエンと酢酸エチルとの３：１の系でクロマトグラフ
処理すれば、７β−フェノ中ジアセトアミドー３−ヒド
ロキシ−セフ−３−エム−４−カルデン酸−ｐ−ニトロ
ベンジルエステルが得られる。ＩＲ−スペクトル（塩化
メチレン）：２．９５．３．３．５，６．５．７５（肩
）、５．９．５．９５（肩）、６．５５，７．４５．８
．１５．８．３μに特性バンド、陥恨−スベクトル（重
クロロホルム） ： ３．４ （２Ｈ１ＡＢｑ、 Ｊ＝
１７ Ｈｚ）、４．５７（２Ｈ１ｓ）、５．０６ （Ｉ
Ｈ，ｄ 、 Ｊ＝５Ｈｚ ）、５．３５ （２）１．
ＡＢｑ、 Ｊ＝１４Ｈｚ ）、５．７（ＩＨ。
シ−セフ−２−エム−４α−カルがン酸−ｐ−ニトロベ
ンジルエステルと７β−フェノキシアセトアミド−３−
ジフェニルメトキシ−セフ−３−エム−４−カルがン＆
−ｐ−ニトロベンジルエステルとの上記異性体混合物３
４０＃Ｉｐｌ）ＩＪフルオル酢酸０．５ｍと塩化メチレ
ン９．５−との混合物に溶かして室温で４０分間かきま
ぜる。この混合物を真空中で蒸発し、残分管トルエンと
混合して再び蒸発する。こうして得た残分（トリフルオ
ル酢酸をまだ含む）を酸洗いしたシリカゲル１５ｇ上で
トルエンと酢酸エチルとの３：１の系でクロマトグラフ
処理すれば、７β−フェノ中ジアセトアミドー３−ヒド
ロキシ−セフ−３−エム−４−カルデン酸−ｐ−ニトロ
ベンジルエステルが得られる。ＩＲ−スペクトル（塩化
メチレン）：２．９５．３．３．５，６．５．７５（肩
）、５．９．５．９５（肩）、６．５５，７．４５．８
．１５．８．３μに特性バンド、陥恨−スベクトル（重
クロロホルム） ： ３．４ （２Ｈ１ＡＢｑ、 Ｊ＝
１７ Ｈｚ）、４．５７（２Ｈ１ｓ）、５．０６ （Ｉ
Ｈ，ｄ 、 Ｊ＝５Ｈｚ ）、５．３５ （２）１．
ＡＢｑ、 Ｊ＝１４Ｈｚ ）、５．７（ＩＨ。
ｄｄ、 Ｊ＝５．１０Ｈｚ ）、 ６．８〜８．４ （
１０■、Ｃ）、１１．４（ＩＨ、プμｍドなａ）ｐｐｍ
に特性シグナル。
１０■、Ｃ）、１１．４（ＩＨ、プμｍドなａ）ｐｐｍ
に特性シグナル。
前記の原料は次のようにして得られる。
蒸留したジオキサン０．５−に溶かした２−〔４−（ｐ
−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロ
キシ−クロト７ＷＲ−ｐ−ニトロペンシルエステル６４
１〜（１ｍＭ ） ０ＩＴｉＦｔＫジオキサン０．３ｓ
Ｉｇに溶かしたジフェニルジアゾメタン３５０ダ（１，
７５ｍＭ）の溶液を加えて、かきまぜることなく５０℃
に３６時間加熱する。この混合物を真空中で蒸発し、残
ったジオキサンはトルエンを加えて再度蒸発して除きモ
して残分を酸洗いしたシリカゲル２０ｇ上でドルエンド
酢酸エチルとの７：ｌおよび３：１の系を使ってクロマ
トグラフ処理する。
−トルエンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトア
ミド−２−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−ヒドロ
キシ−クロト７ＷＲ−ｐ−ニトロペンシルエステル６４
１〜（１ｍＭ ） ０ＩＴｉＦｔＫジオキサン０．３ｓ
Ｉｇに溶かしたジフェニルジアゾメタン３５０ダ（１，
７５ｍＭ）の溶液を加えて、かきまぜることなく５０℃
に３６時間加熱する。この混合物を真空中で蒸発し、残
ったジオキサンはトルエンを加えて再度蒸発して除きモ
して残分を酸洗いしたシリカゲル２０ｇ上でドルエンド
酢酸エチルとの７：ｌおよび３：１の系を使ってクロマ
トグラフ処理する。
コラし”Ｃ２−（４−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イル〕−３−ジフェニルメトキシ−クロトン酸−
ｐ−ニトロベンジルエステルと２−（４−（ｐ−）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−ジフェニルメト
キシ−イソクロトンａｌｌ−ｐ−ニトロベンジルエステ
ルとの異性体混合物が得られる。ＩＲ−スペクトル（塩
化メチレン） ： ５．６，５．８５ （肩）、５．９
．６．２５．６．５５．７．４３．８．７５μに特性バ
ンド。
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イル〕−３−ジフェニルメトキシ−クロトン酸−
ｐ−ニトロベンジルエステルと２−（４−（ｐ−）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−ジフェニルメト
キシ−イソクロトンａｌｌ−ｐ−ニトロベンジルエステ
ルとの異性体混合物が得られる。ＩＲ−スペクトル（塩
化メチレン） ： ５．６，５．８５ （肩）、５．９
．６．２５．６．５５．７．４３．８．７５μに特性バ
ンド。
例２３
２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イルツー３−ベンジルオキシ−クロトン酸メチルと相
当するイソクロトン酸メチルとの約１：１の異性体混合
物９３３■（１，５ｍＭ）とｐ−）ルエンスルフィン酸
３５０１Ｒ？（２，２５ｍＭ）とを乾いたテトラヒドロ
フラン３０−に溶かし、これに１，５−ジアザシクロＬ
５．４．０）ウンデカ−５−エン８００ Ｉｌｌ （５
，２５ｍＭ）を加えて室温で４０分間かきまぜる。この
反応混合物をペンゼざ１００−で希釈しそして希塩酸、
水１．希薄なかせいソーダ水溶液そして再び水で洗う。
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イルツー３−ベンジルオキシ−クロトン酸メチルと相
当するイソクロトン酸メチルとの約１：１の異性体混合
物９３３■（１，５ｍＭ）とｐ−）ルエンスルフィン酸
３５０１Ｒ？（２，２５ｍＭ）とを乾いたテトラヒドロ
フラン３０−に溶かし、これに１，５−ジアザシクロＬ
５．４．０）ウンデカ−５−エン８００ Ｉｌｌ （５
，２５ｍＭ）を加えて室温で４０分間かきまぜる。この
反応混合物をペンゼざ１００−で希釈しそして希塩酸、
水１．希薄なかせいソーダ水溶液そして再び水で洗う。
このベンゼン相を硫酸ナトリウムで乾かしそして真を中
で蒸発する。シリカグル上でトルエンと酢酸エチルとの
（５：１）の系でクロマトグラフ処理すれば。
で蒸発する。シリカグル上でトルエンと酢酸エチルとの
（５：１）の系でクロマトグラフ処理すれば。
７β−フェノキシアセトアミド−３−ベンジルオキシ−
セフ−３−エム−４−カルボン酸メチルと７β−フェノ
キシアセトアミド−３−ベンジルオキシ−セフ−２−エ
ム−４−カルぎン酸メチルとの異性体混合物が得られる
。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６０．５．
７２．５．８５（屑）、５．９０μに特性バンド。上記
の原料は次のようにし【作られる。
セフ−３−エム−４−カルボン酸メチルと７β−フェノ
キシアセトアミド−３−ベンジルオキシ−セフ−２−エ
ム−４−カルぎン酸メチルとの異性体混合物が得られる
。ＩＲ−スペクトル（塩化メチレン）：５．６０．５．
７２．５．８５（屑）、５．９０μに特性バンド。上記
の原料は次のようにし【作られる。
塩化メチレンとジエチルエーテルとの混合物１．５−に
溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−ヒドロキシ−クロトン酸メチル
４８３１１１９ （１ｍＦｉ！ ）の溶液を新らしく蒸
留したフェニルジアゾメタン９６０■（約８ｍＭ）と混
合して０℃で２０時間かきまぜる。この反応混合物を塩
化メチレンで希釈しそして水で洗う。有機相を硫酸ナト
リウムで乾かし、真空中で蒸発しそして高真空で乾かす
。
溶かした２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−ヒドロキシ−クロトン酸メチル
４８３１１１９ （１ｍＦｉ！ ）の溶液を新らしく蒸
留したフェニルジアゾメタン９６０■（約８ｍＭ）と混
合して０℃で２０時間かきまぜる。この反応混合物を塩
化メチレンで希釈しそして水で洗う。有機相を硫酸ナト
リウムで乾かし、真空中で蒸発しそして高真空で乾かす
。
その残分を酸洗いしたシリカゲル１０ｐ上でトルエンと
酢酸エチルとの２＝１の系でり、ロマトグラフ処理すれ
ば、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−゛１−イル〕−３−ベンジルオキシ−クロトン酸メチ
ルと相当するインク日トン酸メチルとの約１＝１の異性
体混合物が得られる。ＩＲ−ス４クトル（塩化メチレン
）＝５．６．５．８５（肩）、５，９．９．９μに特性
バンド。
酢酸エチルとの２＝１の系でり、ロマトグラフ処理すれ
ば、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−゛１−イル〕−３−ベンジルオキシ−クロトン酸メチ
ルと相当するインク日トン酸メチルとの約１＝１の異性
体混合物が得られる。ＩＲ−ス４クトル（塩化メチレン
）＝５．６．５．８５（肩）、５，９．９．９μに特性
バンド。
例２４
本発明方法によって得た７β−アミノ−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルデン酸−ハイドロクロライド
ージオキサナー） １．１６９ （３ｍＭ）を例５の（
ｄ）項に従ってビス−（トリメチルシリル）−アセトア
ミド１．５ ｍｌ （６，２ｍＭ）と反応させてから、 （ａ） Ｄ−α−アミノ−（２−チェニル）−酢酸クロ
ライド−塩酸塩７６５〜（３，６□）と反応させれば、
７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−チェニル）−アセ
チルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４−カル
がン酸が分子内塩の形で得られる。融点１４０℃（分層
を伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で
同定）：Ｒｆ〜０．２２（ｎ−ブタノール・酢酸・水６
７：１０：２３）およびＲｆ二０．５３（インゾロノリ
ール・ぎ酸・水７７：４：１９）、紫外吸収スイクトル
二λｍ、Ｘ＝２３５ｍμ（ｊ＝１１４００） およびλ
＝２７２ｍμ（ｇ＝６１００）（肩）（０，ＩＮの塩酸
溶１ｆＬ）、そしてλｍａｘ＝２３８ｍμ（ｇ＝１１８
００）およびλ＝ ２６７ ｍμ（ｇ＝６５００）（屑
）（０，ＩＮの炭酸水素ナトリウム水溶液）。
セフ−３−エム−４−カルデン酸−ハイドロクロライド
ージオキサナー） １．１６９ （３ｍＭ）を例５の（
ｄ）項に従ってビス−（トリメチルシリル）−アセトア
ミド１．５ ｍｌ （６，２ｍＭ）と反応させてから、 （ａ） Ｄ−α−アミノ−（２−チェニル）−酢酸クロ
ライド−塩酸塩７６５〜（３，６□）と反応させれば、
７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−チェニル）−アセ
チルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４−カル
がン酸が分子内塩の形で得られる。融点１４０℃（分層
を伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう素で
同定）：Ｒｆ〜０．２２（ｎ−ブタノール・酢酸・水６
７：１０：２３）およびＲｆ二０．５３（インゾロノリ
ール・ぎ酸・水７７：４：１９）、紫外吸収スイクトル
二λｍ、Ｘ＝２３５ｍμ（ｊ＝１１４００） およびλ
＝２７２ｍμ（ｇ＝６１００）（肩）（０，ＩＮの塩酸
溶１ｆＬ）、そしてλｍａｘ＝２３８ｍμ（ｇ＝１１８
００）およびλ＝ ２６７ ｍμ（ｇ＝６５００）（屑
）（０，ＩＮの炭酸水素ナトリウム水溶液）。
（ｂ） Ｄ−α−アミノ−（１，４−シクロヘキサジェ
ニル）−酢酸クロライドー塩酸塩９４０〜（４，５ｍＭ
）と反応させれは、７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（
１，４−シクロヘキサジェニル）−アセチルアミノコ−
３−メトキシ−３−セフェム−４−カルがン酸が分子内
塩の形で得られる。融点１７０℃（分解を伴う）、薄層
クロ賃トゲラム（シリカゲル、よう素で同定） ： Ｒ
ｆ〜０．１９（ｎ−ゾタノール・酢酸・水６７：１０：
２３）そしてＲｆ〜０．５８（イソ７’０パノール・ぎ
酸・水７７：４：１９）紫外吸収長ベクトル：λ−、！
＝２６７ｍｓ（ｇ＝−６３００）（０，１ＮＯ塩酸中）
、オｘｒｉλｍａｘ＝２６８ ｍμ（ε＝６６００）（
０，ＩＮの炭酸水素ナトリウム水溶液中）、〔α）ｊ０
＝＋８８°±７゜（Ｃ＝１．０６．０．ＩＮの塩酸）。
ニル）−酢酸クロライドー塩酸塩９４０〜（４，５ｍＭ
）と反応させれは、７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（
１，４−シクロヘキサジェニル）−アセチルアミノコ−
３−メトキシ−３−セフェム−４−カルがン酸が分子内
塩の形で得られる。融点１７０℃（分解を伴う）、薄層
クロ賃トゲラム（シリカゲル、よう素で同定） ： Ｒ
ｆ〜０．１９（ｎ−ゾタノール・酢酸・水６７：１０：
２３）そしてＲｆ〜０．５８（イソ７’０パノール・ぎ
酸・水７７：４：１９）紫外吸収長ベクトル：λ−、！
＝２６７ｍｓ（ｇ＝−６３００）（０，１ＮＯ塩酸中）
、オｘｒｉλｍａｘ＝２６８ ｍμ（ε＝６６００）（
０，ＩＮの炭酸水素ナトリウム水溶液中）、〔α）ｊ０
＝＋８８°±７゜（Ｃ＝１．０６．０．ＩＮの塩酸）。
（ｅ） Ｄ−α−アミノ−４−ヒドロキシフェニル酢酸
クロライド−塩酸塩８００ダ（３，６ｍＭ ）と反応さ
せれば、７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（４−ヒドロキ
シフェニル）−アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−
セフェム−４−カルボン酸が分子内塩の形で得られる。
クロライド−塩酸塩８００ダ（３，６ｍＭ ）と反応さ
せれば、７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（４−ヒドロキ
シフェニル）−アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−
セフェム−４−カルボン酸が分子内塩の形で得られる。
融点２４３〜２４４．５℃（２３１℃以下で半融し始め
る）（分解を伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル
、よう素で同定）： Ｒｆ 〜０．２４ （ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水６７：１０：２３）およびＲｆ〜０．５
７（イングロノぐノール・ぎ酸・水７７：４：１９）、
紫外吸収スペクトルニーａ！＝２２８ｍμ（ε＝１２０
００） および２７１ｍμ（ｇ＝６９００）（０，ＩＮ
の塩酸中）、およびλｍ、ＬＸ＝２２７ｍμ（ｇ＝１０
５００およびλ＝２６２ｍμ（ｇ＝８０００）（肩）（
０，ＩＮの炭酸水素ナトリウム水溶液）、〔α〕ｏ＝＋
・１６’ ５”±１°（ｅ＝１．３．０．ＩＮの塩酸）
。
る）（分解を伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル
、よう素で同定）： Ｒｆ 〜０．２４ （ｎ−ブタノ
ール・酢酸・水６７：１０：２３）およびＲｆ〜０．５
７（イングロノぐノール・ぎ酸・水７７：４：１９）、
紫外吸収スペクトルニーａ！＝２２８ｍμ（ε＝１２０
００） および２７１ｍμ（ｇ＝６９００）（０，ＩＮ
の塩酸中）、およびλｍ、ＬＸ＝２２７ｍμ（ｇ＝１０
５００およびλ＝２６２ｍμ（ｇ＝８０００）（肩）（
０，ＩＮの炭酸水素ナトリウム水溶液）、〔α〕ｏ＝＋
・１６’ ５”±１°（ｅ＝１．３．０．ＩＮの塩酸）
。
例２５
同様の方法によって、本発萌方法によって得られる適当
な中間生成物から次の化合物を作ることができる。
な中間生成物から次の化合物を作ることができる。
７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフェム−４−カル
がン酸ジフェニルメチルエステルまたはその塩、 ３−ｎ−ブチルオキシ−７β−フェニルアセチルアミノ
ー３−セフェム−４−カルがン酸ジフェニルメチルエス
テル、 ３−ｎ−ブチルオキシ−７β−（Ｄ−α−１−ブチルオ
キシカル−ニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ
）−３−セフェム−４−カルボンＷｉｔ Ｊ ｙエニル
メチルエステル、３−ｎ−ブチルオキシ−７β−（Ｄ−
α−フェニル−グリシルアミノ）−３−セフェム−４−
カルボン酸またそれの塩、 ３−メトキシ−７β−フェニルアセチルアミノ−３−セ
フェム−４−カルがン酸メチルエステル、３−エトキシ
−７β−（Ｄ−α−１−ブチルオキシカル号？ニルアミ
ノ−α−フェニル−アセチルアミノ）−３−セフェム−
４−カル？ン酸−ゾフェニルメチルエステル、 ３−エトキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルーグリシルア
ミノ）−３−セフェム−４−カルがン酸またはその塩、 ３−ベンジルオキシ−７β−（Ｄ−α−１−ブチルオキ
シカル−ニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ）
−３−セフェム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエ
ステル、 ３−ベンジルオキシ−７β−（Ｄ−α−フェニル−グリ
シルアミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸またはそ
の塩、 ７β−（５−ベンゾイルアミノ−５−ジフェニルメトキ
シカルボニル−バレリルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフェム−４−カル？ンＩｌ−ジフェニルメチルエステ
ル、 ７β−（Ｄ−α−ｔ−ｆｆルオキシヵルがニルアミノ−
α−フェニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフェム−４−カルがン酸またはその塩、 ７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α−（２−チェニル）−７セチルアミノ〕−３−メトキ
シ−３−セフェム−４−カルがン酸−シフェニルメチル
エステル、 ７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α−（１，４−シクロヘキサジェニル）−アセチルアミ
ノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４−カルがン酸−
ジフェニルメチルエステル、７β−〔Ｄ−α−（１−シ
クロヘキセン−１−イル）−アセチルアミノコ−３−メ
トキシ−３−セフェム−４−カルがン酸またはその塩、
７β−［Ｄ−α−ｔ−＋”チルオキシカル？ニルアミノ
−α−（４−ヒドロキシフェニル）−アセチルアミノコ
−３−メトキシ−３−セフェム−４−カルｅン酸−ジフ
ェニルメチルエステル、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオ
キシカルがニルアミノ−α−（４−イソチアゾリル）−
アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４−
カル？ンＨ−？フェニルメチルエステル、７β−（Ｄ−
α−ｔ−ブチルオキシカル？ニルアミノ−α−フェニル
−アセチルアミノ）−３−メトキシカルブニルオキシ−
３−セフェム−４−カル？ン酸−ジフェニルメチルエス
テル、ならびに 相当するセフ−２−エム化合物、およびセフ−３−エム
化合物とセフ−２−エム化合物とから成る異性体混合物
、および相当するセフ−３−エム化合物の１−オキシド
。
がン酸ジフェニルメチルエステルまたはその塩、 ３−ｎ−ブチルオキシ−７β−フェニルアセチルアミノ
ー３−セフェム−４−カルがン酸ジフェニルメチルエス
テル、 ３−ｎ−ブチルオキシ−７β−（Ｄ−α−１−ブチルオ
キシカル−ニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ
）−３−セフェム−４−カルボンＷｉｔ Ｊ ｙエニル
メチルエステル、３−ｎ−ブチルオキシ−７β−（Ｄ−
α−フェニル−グリシルアミノ）−３−セフェム−４−
カルボン酸またそれの塩、 ３−メトキシ−７β−フェニルアセチルアミノ−３−セ
フェム−４−カルがン酸メチルエステル、３−エトキシ
−７β−（Ｄ−α−１−ブチルオキシカル号？ニルアミ
ノ−α−フェニル−アセチルアミノ）−３−セフェム−
４−カル？ン酸−ゾフェニルメチルエステル、 ３−エトキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルーグリシルア
ミノ）−３−セフェム−４−カルがン酸またはその塩、 ３−ベンジルオキシ−７β−（Ｄ−α−１−ブチルオキ
シカル−ニルアミノ−α−フェニルーアセチルアミノ）
−３−セフェム−４−カルボン酸−ジフェニルメチルエ
ステル、 ３−ベンジルオキシ−７β−（Ｄ−α−フェニル−グリ
シルアミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸またはそ
の塩、 ７β−（５−ベンゾイルアミノ−５−ジフェニルメトキ
シカルボニル−バレリルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフェム−４−カル？ンＩｌ−ジフェニルメチルエステ
ル、 ７β−（Ｄ−α−ｔ−ｆｆルオキシヵルがニルアミノ−
α−フェニルーアセチルアミノ）−３−メトキシ−３−
セフェム−４−カルがン酸またはその塩、 ７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α−（２−チェニル）−７セチルアミノ〕−３−メトキ
シ−３−セフェム−４−カルがン酸−シフェニルメチル
エステル、 ７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ−
α−（１，４−シクロヘキサジェニル）−アセチルアミ
ノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４−カルがン酸−
ジフェニルメチルエステル、７β−〔Ｄ−α−（１−シ
クロヘキセン−１−イル）−アセチルアミノコ−３−メ
トキシ−３−セフェム−４−カルがン酸またはその塩、
７β−［Ｄ−α−ｔ−＋”チルオキシカル？ニルアミノ
−α−（４−ヒドロキシフェニル）−アセチルアミノコ
−３−メトキシ−３−セフェム−４−カルｅン酸−ジフ
ェニルメチルエステル、７β−（Ｄ−α−ｔ−ブチルオ
キシカルがニルアミノ−α−（４−イソチアゾリル）−
アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４−
カル？ンＨ−？フェニルメチルエステル、７β−（Ｄ−
α−ｔ−ブチルオキシカル？ニルアミノ−α−フェニル
−アセチルアミノ）−３−メトキシカルブニルオキシ−
３−セフェム−４−カル？ン酸−ジフェニルメチルエス
テル、ならびに 相当するセフ−２−エム化合物、およびセフ−３−エム
化合物とセフ−２−エム化合物とから成る異性体混合物
、および相当するセフ−３−エム化合物の１−オキシド
。
以上、本発明の詳細な説明したが本発明の構成の具体例
を要約すれば次のようである。
を要約すれば次のようである。
（リ 式（Ｉｌ）の原料として、Ｒ１がアミノ保護基Ｒ
４としてのアシル基Ａｃ（この基中に存在する場合のあ
る遊離官能基は保護され℃いるこができる）であシ、Ｒ
７が水素原子であり、Ｒ２がノ・ロダン原子または式中
の基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょにエステル化されたカル
がキシル基を形成しているエーテル化されたヒドロキシ
ル基でアシ、エステル化されたカルがキシル基−Ｃ（＝
０）−Ｒ２中に存在する場合のある官能基祉保饅されて
いることができるものとし、Ｒ３が低級アルキル基また
はヒドロキシ保護基でありそしてＹが基−８−８４、式
中のいおう原子にチオ基−８−を介して結合している基
−８０２−Ｒ５または基−８−８ｏ２−Ｒ５であるもの
を使う前記特許請求の範囲（１）に記載の方法。
４としてのアシル基Ａｃ（この基中に存在する場合のあ
る遊離官能基は保護され℃いるこができる）であシ、Ｒ
７が水素原子であり、Ｒ２がノ・ロダン原子または式中
の基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょにエステル化されたカル
がキシル基を形成しているエーテル化されたヒドロキシ
ル基でアシ、エステル化されたカルがキシル基−Ｃ（＝
０）−Ｒ２中に存在する場合のある官能基祉保饅されて
いることができるものとし、Ｒ３が低級アルキル基また
はヒドロキシ保護基でありそしてＹが基−８−８４、式
中のいおう原子にチオ基−８−を介して結合している基
−８０２−Ｒ５または基−８−８ｏ２−Ｒ５であるもの
を使う前記特許請求の範囲（１）に記載の方法。
（２） Ｒ２としてベンジルオキシ基、ｐ−ニトロペン
ノルオキシ基またはジフェニルメトキシ基のような置換
されたもしくは未置換の１−フェニル低級アルコキシ基
、ハロダン置換されている場合のある低級アルコキシ基
例えばメトキシ基、α−位置で高度に分枝した低級アル
コキシ基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロゲン低級アル
コキシ基例えは２，２．２−）リクロルエトキシ基また
は塩素原子のようなハロゲン原子を使う前項（１ンに記
載の方法。
ノルオキシ基またはジフェニルメトキシ基のような置換
されたもしくは未置換の１−フェニル低級アルコキシ基
、ハロダン置換されている場合のある低級アルコキシ基
例えばメトキシ基、α−位置で高度に分枝した低級アル
コキシ基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロゲン低級アル
コキシ基例えは２，２．２−）リクロルエトキシ基また
は塩素原子のようなハロゲン原子を使う前項（１ンに記
載の方法。
（３） Ｒ３としてメチル基のような低級アルキル基ま
たはトリメチルシリル基のような置換されたシリル基を
使う前記特許請求の範囲および前項（１）のいずれかに
記載の方法。
たはトリメチルシリル基のような置換されたシリル基を
使う前記特許請求の範囲および前項（１）のいずれかに
記載の方法。
（４）Ｙとして、式
％式％
（この式でＲ４は炭素原子を１５個まで、好ましくは９
個までもつ置換されたししく１工未Ｖのめる芳香族複累
猿式基であって、この基は猿窒素原子少くとも１個と場
合によっては酸素またはいおう原子のような他の猿へテ
ロ原子１個とをもちそしてこの基はその婁窒素原子に２
１結合している環炭素原子において式中のチオ基−８−
に結合しているものとする） で示される基を使う前記特許請求の範囲（１）および前
項（りのいずれかに記載の方法。
個までもつ置換されたししく１工未Ｖのめる芳香族複累
猿式基であって、この基は猿窒素原子少くとも１個と場
合によっては酸素またはいおう原子のような他の猿へテ
ロ原子１個とをもちそしてこの基はその婁窒素原子に２
１結合している環炭素原子において式中のチオ基−８−
に結合しているものとする） で示される基を使う前記特許請求の範囲（１）および前
項（りのいずれかに記載の方法。
（５） Ｒ４として１−メチル−イミダゾール−２−イ
ル基、１．３−チアゾール−２−イル基、１゜３．４−
チアジアゾール−２−イル基、１，３゜４．５−チアト
リアゾール−２−イル基、１．３−オキサゾール−２−
イル基、１，３．４−オキサジアゾール−２−イル基、
１，３，４．５−オキサトリアゾール−２−イル基、２
−キノリル基、１−メチル−ベンズイミダゾール−２−
イル基、ベンズオキサゾール−２−イル基、および殊に
ベンズチアゾール−２−イル基を使う前記特許請求の範
囲（１）および前項（り童たは（４）のいずれかに記載
の方法。
ル基、１．３−チアゾール−２−イル基、１゜３．４−
チアジアゾール−２−イル基、１，３゜４．５−チアト
リアゾール−２−イル基、１．３−オキサゾール−２−
イル基、１，３．４−オキサジアゾール−２−イル基、
１，３，４．５−オキサトリアゾール−２−イル基、２
−キノリル基、１−メチル−ベンズイミダゾール−２−
イル基、ベンズオキサゾール−２−イル基、および殊に
ベンズチアゾール−２−イル基を使う前記特許請求の範
囲（１）および前項（り童たは（４）のいずれかに記載
の方法。
（６） Ｒ４として、炭素原子１８個まで、好ましくは
１０個までをもつ置換されていることのできる脂肪族、
脂環式、芳香脂肪族または芳香族のアシル基またはチオ
アシル基、例えばアセチル基やプロピオニル基のような
低級アルカノイル基、チオアセチル基やチオプロピオニ
ル基のような低級チオアルカノイル基、シクロヘキサン
カルブニル基のようなシクロアルカンカルボニル基、シ
クロヘキサンチオカルボニル基のようなシクロアルカン
チオカルブニル基、ベンゾイル基、チオベンゾイル基、
ナフチル力ルゲニル基、す７チルチオカルボニル基、複
素環式カルボニル基またはチオカルがニル基例えは２−
．３−４たれ４−ピリジルチルＩニル基、２−または３
−テノイル基、２−また社３−フロイル基、２−１３−
または４−ピリジルチオカルがニル基、２−ま夷は３−
チオテノイル基、２−または３−チオ７０イル基、また
は置換基例えばメチル基のような低級アルキル基、ふっ
素原子や塩素原子のようなノ・ロダン原子、メトキシ基
のような低級アルコキシ基、フェニル基のようなアリー
ル基またはフェニルオキシ基のようなアリールオキシ基
によってモノ−ｔｉはポリ置換された相当するアシル基
またはチオアシル基を使う前記特許請求の範囲（すおよ
び前項（１）の〜・ずれかに記載の方法。
１０個までをもつ置換されていることのできる脂肪族、
脂環式、芳香脂肪族または芳香族のアシル基またはチオ
アシル基、例えばアセチル基やプロピオニル基のような
低級アルカノイル基、チオアセチル基やチオプロピオニ
ル基のような低級チオアルカノイル基、シクロヘキサン
カルブニル基のようなシクロアルカンカルボニル基、シ
クロヘキサンチオカルボニル基のようなシクロアルカン
チオカルブニル基、ベンゾイル基、チオベンゾイル基、
ナフチル力ルゲニル基、す７チルチオカルボニル基、複
素環式カルボニル基またはチオカルがニル基例えは２−
．３−４たれ４−ピリジルチルＩニル基、２−または３
−テノイル基、２−また社３−フロイル基、２−１３−
または４−ピリジルチオカルがニル基、２−ま夷は３−
チオテノイル基、２−または３−チオ７０イル基、また
は置換基例えばメチル基のような低級アルキル基、ふっ
素原子や塩素原子のようなノ・ロダン原子、メトキシ基
のような低級アルコキシ基、フェニル基のようなアリー
ル基またはフェニルオキシ基のようなアリールオキシ基
によってモノ−ｔｉはポリ置換された相当するアシル基
またはチオアシル基を使う前記特許請求の範囲（すおよ
び前項（１）の〜・ずれかに記載の方法。
（７） Ｒ４としてベンズチアゾール−２−イル基を使
う前記特許請求の範囲（１）および前項（１）、（４）
または（５）のいずれかに記載の方法。
う前記特許請求の範囲（１）および前項（１）、（４）
または（５）のいずれかに記載の方法。
（８） Ｒ４としてベンズオキサゾール−２−イル基を
使う前記特許請求の範囲（１）および前項（１）、（４
）または（５ンのいずれかに記載の方法。
使う前記特許請求の範囲（１）および前項（１）、（４
）または（５ンのいずれかに記載の方法。
（９）Ｙとして式
％式％
（この式でＲ５は炭素原子１８個まで、好ましくは１０
個までをもつ置換されら屯しｗｆＩＪｌ＝のある脂肪族
、脂環式、芳香脂肪族または芳香原炭４ヒ水素基である
） で示される基を使う前記特許請求の範囲（１）および前
項（１）のいずれかに記載の方法。
個までをもつ置換されら屯しｗｆＩＪｌ＝のある脂肪族
、脂環式、芳香脂肪族または芳香原炭４ヒ水素基である
） で示される基を使う前記特許請求の範囲（１）および前
項（１）のいずれかに記載の方法。
（１０Ｙとして式
％式％
（この式でＲ５は炭素原子１８個まで、好ましくは１０
個までをもつ置換され、ｆＣ彩区１言［Ｔｈのある脂肪
族、脂環式、芳香脂肪族または芳香族炭化水素基である
） で示される基を使う前記特許請求の範囲（１）および前
項（１）のいずれかに記載の方法。
個までをもつ置換され、ｆＣ彩区１言［Ｔｈのある脂肪
族、脂環式、芳香脂肪族または芳香族炭化水素基である
） で示される基を使う前記特許請求の範囲（１）および前
項（１）のいずれかに記載の方法。
Ｃ１ＩＲ５として置換基例えばメトキシ基のような低級
アルコキシ基、ふっ素、塩素または臭素のようなハロゲ
ン原子、フェニル基のようなアリール基、フェニルオキ
シ基のようなアリールオキシ基によってモノ−またはポ
リ−置換されていることのできるアルキル基殊にメチル
基、エチル基またはブチル基のような低級アルキル基、
アリル基やゾテニル基のようなアルケニル基、シクロペ
ンチル基やシクロヘキシル基のようなシクロアルキル基
、または置換基すなわちメチル基のような低級アルキル
基、メトキシ基のような低級アルコキシ基、ふっ素、塩
素または臭素のようなハロゲン原子、フェニル基のよう
なアリール基、フェニルオキシ基のようなアリールオキ
シ基またはニトロ基によってモノ−またはポリ−置換さ
れていることのできるナフチル基または殊にフェニル基
、例えはフェニル基、ｏ−ｌｍ−または好ましくはｐ−
トリル基、０−ｌｍ−または好ましくはｐ−メトキシフ
ェニル基、ｏ−ｌｍ−またはｐ−クロルフェニル基、ｐ
−ビフェニリル基、ｐ−フェノキシフェニル基、ｐ−ニ
トロフェニル基ろるいは１−または２−ナフチル基を使
う前記特許請求の範囲（すおよび前項（す、（９）また
は０りのいずれかに記載の方法。
アルコキシ基、ふっ素、塩素または臭素のようなハロゲ
ン原子、フェニル基のようなアリール基、フェニルオキ
シ基のようなアリールオキシ基によってモノ−またはポ
リ−置換されていることのできるアルキル基殊にメチル
基、エチル基またはブチル基のような低級アルキル基、
アリル基やゾテニル基のようなアルケニル基、シクロペ
ンチル基やシクロヘキシル基のようなシクロアルキル基
、または置換基すなわちメチル基のような低級アルキル
基、メトキシ基のような低級アルコキシ基、ふっ素、塩
素または臭素のようなハロゲン原子、フェニル基のよう
なアリール基、フェニルオキシ基のようなアリールオキ
シ基またはニトロ基によってモノ−またはポリ−置換さ
れていることのできるナフチル基または殊にフェニル基
、例えはフェニル基、ｏ−ｌｍ−または好ましくはｐ−
トリル基、０−ｌｍ−または好ましくはｐ−メトキシフ
ェニル基、ｏ−ｌｍ−またはｐ−クロルフェニル基、ｐ
−ビフェニリル基、ｐ−フェノキシフェニル基、ｐ−ニ
トロフェニル基ろるいは１−または２−ナフチル基を使
う前記特許請求の範囲（すおよび前項（す、（９）また
は０りのいずれかに記載の方法。
（２）Ｙとして、基−８Ｏ２−Ｒ５（Ｒ５紘フェニル基
、ｐ−）リル基、ｐ−メトキシフェニル基またはｐ−ニ
トロフェニル基とする）を使う前記特許請求の範囲（１
）および前項（１）（９）〜αカのいずれかに記載の方
法Ｏ α→ 塩基として２３Ｊ式アミンを使う前記特許請求の
範囲（１）および前項（１）〜（６）のいずれかに記載
の方法。
、ｐ−）リル基、ｐ−メトキシフェニル基またはｐ−ニ
トロフェニル基とする）を使う前記特許請求の範囲（１
）および前項（１）（９）〜αカのいずれかに記載の方
法Ｏ α→ 塩基として２３Ｊ式アミンを使う前記特許請求の
範囲（１）および前項（１）〜（６）のいずれかに記載
の方法。
（１４塩基４Ｌ”ＣＩ 、 ５−シフｆヒシ／Ｃ１（４
。
。
３．０〕ノナ−５−エンまたは１．５−ジアザビシクロ
［５，４，０）ノナ−５−エンのようなジアゾビシクロ
アルケンを使う前記特許請求の範囲（りおよび前項（１
）〜（６）のいずれかに記載の方法。
［５，４，０）ノナ−５−エンのようなジアゾビシクロ
アルケンを使う前記特許請求の範囲（りおよび前項（１
）〜（６）のいずれかに記載の方法。
（イ）塩基としてテトラメチルグアニジンのような置換
例えは低級アルキル基でポリ置換されたグアニジンまた
はトリエチルアミンのようなトリ低級アルキルアミンを
使う前記特許請求の範囲（りおよび前項（υ〜（６）の
いずれかに記載の方法。
例えは低級アルキル基でポリ置換されたグアニジンまた
はトリエチルアミンのようなトリ低級アルキルアミンを
使う前記特許請求の範囲（りおよび前項（υ〜（６）の
いずれかに記載の方法。
ｑ・ 得られた化合物においてヒドロキシ保獲基Ｒ３を
分裂して水素原子で置換する前記特許請求の範囲（１）
および前項（す〜αＱのいずれかに記載の方法。
分裂して水素原子で置換する前記特許請求の範囲（１）
および前項（す〜αＱのいずれかに記載の方法。
αη ２−オキサ−または２−チア−脂肪族または一脂
環式炭化水素基Ｒ６を酸性加水分解によシそしてシリル
基またはスタニル基Ｒ５を加水分解、アルコーリシスま
たはアシドリシスによル分裂する前項αＱに記載の方法
。
環式炭化水素基Ｒ６を酸性加水分解によシそしてシリル
基またはスタニル基Ｒ５を加水分解、アルコーリシスま
たはアシドリシスによル分裂する前項αＱに記載の方法
。
（１１Ｒ，が水素原子である得られた化合物をエーテル
化してＲ３が低級アルキル基である化合物に変える前記
特許請求の範囲（すおよび前項（す〜αカのいずれかに
記載の方法。
化してＲ３が低級アルキル基である化合物に変える前記
特許請求の範囲（すおよび前項（す〜αカのいずれかに
記載の方法。
０１ Ｒ，が水素原子である得られた化合物をエーテル
化してＲ３がメチル基である化合物に変える前記特許請
求の範囲（りおよび前項（１）〜四のいずれかに記載の
方法。
化してＲ３がメチル基である化合物に変える前記特許請
求の範囲（りおよび前項（１）〜四のいずれかに記載の
方法。
■ ジアゾメタンの工うなジアゾ低級アルカ／Ｒ，＋
Ｎ２でエーテル化する前項Ｏ榎または（至）に記載の方
法。
Ｎ２でエーテル化する前項Ｏ榎または（至）に記載の方
法。
シυ 低級アルカノールＲ，−０）Ｉの反応性エステル
で処理してエーテル化する前項０１４たはα場に記載の
方法。
で処理してエーテル化する前項０１４たはα場に記載の
方法。
＠Ｒ７またはＲ１がアシル基である得られた化合物にお
いて、これを例えはイミドノ・ライド形成剤で処理し、
生成したイミドノ１ライドをアルコールと反応させそし
て生成したイミノエーテルを分裂させて、アミル基を水
素原子で置換する前記特許請求の範囲（１）および前項
（１）〜Ｑ）のいずれかに記載の方法。
いて、これを例えはイミドノ・ライド形成剤で処理し、
生成したイミドノ１ライドをアルコールと反応させそし
て生成したイミノエーテルを分裂させて、アミル基を水
素原子で置換する前記特許請求の範囲（１）および前項
（１）〜Ｑ）のいずれかに記載の方法。
（２）得られた化合物におい【遊離アミン基を保護例え
はアシル化する前記特許請求の範囲（１）および前項（
１）〜に）のいずれかに記載の方法。
はアシル化する前記特許請求の範囲（１）および前項（
１）〜に）のいずれかに記載の方法。
（ハ）原料または得られた化合物において当該反応に関
与しない遊離官能基を一時的に保護しそして反応後に所
望ならば遊離させる前記特許請求の範囲（１ンおよび前
項（１）〜勾のいずれかに記載の方法。
与しない遊離官能基を一時的に保護しそして反応後に所
望ならば遊離させる前記特許請求の範囲（１ンおよび前
項（１）〜勾のいずれかに記載の方法。
（ハ）得られた化合物において、保護されたカルブキシ
ル基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２をアルカリ性または酸性加水分
解、アルコーリシスまたはアシドリシスによってまたは
化学的還元剤で処理するかまたは光照射によって遊離カ
ル？キシル基に変える前記特許請求の範囲（りお↓び前
項（１）〜（ハ）のいずれかに記載の方法。
ル基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ２をアルカリ性または酸性加水分
解、アルコーリシスまたはアシドリシスによってまたは
化学的還元剤で処理するかまたは光照射によって遊離カ
ル？キシル基に変える前記特許請求の範囲（りお↓び前
項（１）〜（ハ）のいずれかに記載の方法。
（ハ）得られた式（ＩＢ）の化合物、また線式（ＩＢ）
の化合物と式（ＩＡ）の化合物との混合物を式（ＩＡ）
の化合物の１−オキシドに変える前記特許請求の範囲（
１）および前項（υ〜（ハ）のいずれかに記載の方法。
の化合物と式（ＩＡ）の化合物との混合物を式（ＩＡ）
の化合物の１−オキシドに変える前記特許請求の範囲（
１）および前項（υ〜（ハ）のいずれかに記載の方法。
■ 得られた式（ＩＡ）の化合物の１−オキシドを還元
して式（ＩＡ）の化合物となす前記特許請求の範囲（１
）および前項（υ〜に）のいずれかに記載の方法。
して式（ＩＡ）の化合物となす前記特許請求の範囲（１
）および前項（υ〜に）のいずれかに記載の方法。
弼 中間体として得られた化合物を原料として使いそし
て残シの工程段階を行うかまたは工程を任意段階で中断
する前記特許請求の範囲（１）および前項（す〜■のい
ずれかに記載の方法。
て残シの工程段階を行うかまたは工程を任意段階で中断
する前記特許請求の範囲（１）および前項（す〜■のい
ずれかに記載の方法。
に）原料を誘導体の形で使うかまたは当該反応中に生成
させる前記特許請求の範囲（１）および前項（υ〜（ハ
）のいずれかに記載の方法。
させる前記特許請求の範囲（１）および前項（υ〜（ハ
）のいずれかに記載の方法。
ＯＩＲ，が水素原子または６β−アミノ−ペナム−３−
カルがン酸化合物または７β−アミノ−３−セフェム−
４−カルボン酸化合物の醗酵的にまたは生合成、半合成
または全合成的に製造できる換されている場合のあるア
ルコキシ基、アシルオキシ基、トリ低級アルキルシリル
オキシ基または置換されている場合のあるアミノ基また
はヒドラジノ基でちりモしてＲ３が水素原子、低級アル
キル基またはヒドロキシ保護基である式（［Ａ）の３−
セフェム化合物またはその１−オキシド、あるいは式（
ＩＢ）の相幽する２−セフェム化合物、または塩形成基
をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求の範囲（１
ンおよび前項（１）〜■のいずれかに記載の方法。
カルがン酸化合物または７β−アミノ−３−セフェム−
４−カルボン酸化合物の醗酵的にまたは生合成、半合成
または全合成的に製造できる換されている場合のあるア
ルコキシ基、アシルオキシ基、トリ低級アルキルシリル
オキシ基または置換されている場合のあるアミノ基また
はヒドラジノ基でちりモしてＲ３が水素原子、低級アル
キル基またはヒドロキシ保護基である式（［Ａ）の３−
セフェム化合物またはその１−オキシド、あるいは式（
ＩＢ）の相幽する２−セフェム化合物、または塩形成基
をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求の範囲（１
ンおよび前項（１）〜■のいずれかに記載の方法。
０１） Ｒ〒が水素原子、６β−アミノ−ペナム−３−
カルがン酸化合物または７β−アミノ−３−セフェム−
４−カルがン酸化合物の醗酵また社主合成によシ製造で
きるＮ−アシル酵導体中に存在するアシル基、または６
β−アミノ−ペナム−３−カルボン酸化合物または７β
−アミノ−３−セフェム−４−カルボン酸化合物の高活
性Ｎ−７シル誘導体中に存在するアシル基でＬ？、Ｒ４
が水素原子であシ、Ｒ２がヒドロキシル基、低級アルコ
キシ基、２−ハロゲン低級アルコキシ基、フェナシルオ
キシ基、低級アルコキシ置換またはニトロ置換されてい
ることのできる７：ｔ、ニル基１〜３個をもつ１−フェ
ニル低級アルコキシ基、低級アルカノイルオキシメトキ
シ基、低級アルコキシ力ルポニル・オキシ基または低級
アルカノイルオキシ基で６９そしてＲ３が水素原子、低
級アルキル基またはヒドロキシ保護基であるか、または
Ｒ２とＲｓとが上記の意味をもちモしてＲ１とＲ４とが
その両方で置換されている場合のあるフェニル基で２−
位置が置換されている１−オキソ−３−アザ−１，４−
ブチレン基（これは４−位置に低級アルキル基２個をも
っていることができる）である式（ＩＡ）の３−セフェ
ム化合物またはその１−オキシド、式（ＩＢ）の相当す
る２−セフェム化合物また紘塩形成塩をもつこれら化合
物の塩を作る前記特許請求の範囲（１）および前項（１
）〜に）のいずれかに記載の方法Ｏ Ｏ■ Ｒ１とＲ１とが前項０すで与えた意味をもち、Ｒ
２がヒドロキシル基、低級アルコキシ基、２−ハロゲン
低級アルコキシ基、フェナシルオキシ基、低級アルコキ
シ置換またはニトロ置換されていることのできるフェニ
ル基１〜３個をもつ１−フェニル低級アルコキシ基、低
級アルカノイルオキシメトキシ基、α−アミノ低級アル
カノイルオキシメトキシ基、低級アルコキシカルブニル
オキシ基または低級アルカノイルオキシ基で１そしてＲ
３が低級アルキル基またはトリ低級アルキルシリル基の
ようなヒドロキシ保！！革であるか、またはＲ２ｂ とＢ、とが上記の意味をもちモしてＲ１とＲ１とがその
両方で置換されている場合のあるフェニル基で２−位置
が置換されている１−オキソ−３−アザ−１，４−ブチ
レン基（これは４−位置に低級アルキル基２個をもって
いることができる）である式ＣＩＡ）の３−セフェム化
合物またはその１−オキシド、式（ＩＢ）の相当する２
−セフェム化合物または塩形成基をもつこれら化合物の
塩を作る前記特許請求の範囲（すおよび前記（１）〜０
）のいずれかに記載の方法。
カルがン酸化合物または７β−アミノ−３−セフェム−
４−カルがン酸化合物の醗酵また社主合成によシ製造で
きるＮ−アシル酵導体中に存在するアシル基、または６
β−アミノ−ペナム−３−カルボン酸化合物または７β
−アミノ−３−セフェム−４−カルボン酸化合物の高活
性Ｎ−７シル誘導体中に存在するアシル基でＬ？、Ｒ４
が水素原子であシ、Ｒ２がヒドロキシル基、低級アルコ
キシ基、２−ハロゲン低級アルコキシ基、フェナシルオ
キシ基、低級アルコキシ置換またはニトロ置換されてい
ることのできる７：ｔ、ニル基１〜３個をもつ１−フェ
ニル低級アルコキシ基、低級アルカノイルオキシメトキ
シ基、低級アルコキシ力ルポニル・オキシ基または低級
アルカノイルオキシ基で６９そしてＲ３が水素原子、低
級アルキル基またはヒドロキシ保護基であるか、または
Ｒ２とＲｓとが上記の意味をもちモしてＲ１とＲ４とが
その両方で置換されている場合のあるフェニル基で２−
位置が置換されている１−オキソ−３−アザ−１，４−
ブチレン基（これは４−位置に低級アルキル基２個をも
っていることができる）である式（ＩＡ）の３−セフェ
ム化合物またはその１−オキシド、式（ＩＢ）の相当す
る２−セフェム化合物また紘塩形成塩をもつこれら化合
物の塩を作る前記特許請求の範囲（１）および前項（１
）〜に）のいずれかに記載の方法Ｏ Ｏ■ Ｒ１とＲ１とが前項０すで与えた意味をもち、Ｒ
２がヒドロキシル基、低級アルコキシ基、２−ハロゲン
低級アルコキシ基、フェナシルオキシ基、低級アルコキ
シ置換またはニトロ置換されていることのできるフェニ
ル基１〜３個をもつ１−フェニル低級アルコキシ基、低
級アルカノイルオキシメトキシ基、α−アミノ低級アル
カノイルオキシメトキシ基、低級アルコキシカルブニル
オキシ基または低級アルカノイルオキシ基で１そしてＲ
３が低級アルキル基またはトリ低級アルキルシリル基の
ようなヒドロキシ保！！革であるか、またはＲ２ｂ とＢ、とが上記の意味をもちモしてＲ１とＲ１とがその
両方で置換されている場合のあるフェニル基で２−位置
が置換されている１−オキソ−３−アザ−１，４−ブチ
レン基（これは４−位置に低級アルキル基２個をもって
いることができる）である式ＣＩＡ）の３−セフェム化
合物またはその１−オキシド、式（ＩＢ）の相当する２
−セフェム化合物または塩形成基をもつこれら化合物の
塩を作る前記特許請求の範囲（すおよび前記（１）〜０
）のいずれかに記載の方法。
（イ） Ｒ４とＲ２とＲ３とが前項（イ）で与えた意味
をもちモしてＲ？が水素原子または式 〔この式でｎはＯであシそしてＲＩは水素原子または置
換されたもしくは未置換の脂環式または芳香族炭化水素
基、置換されたもしくは未置換のそして好ましくは芳香
族性をもつ複素環式基、官能的に変形例えはエステル化
またはエーテル化されているヒドロキシル基またはメル
カプト基あるいは置換されたもしくは未置換のアミノ基
であるか、またはｎは１であり、Ｒ１は水素原子または
置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂
肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水素基、その複素
環式基が好ましくは芳香族性をもちそして（または）第
４級窒素原子をもっている置換されたもしくは未置換の
複素環式基または複素環−脂肪族基、官能的に変形（好
ましくはエーテル化またはエステル化）されている場合
のあるヒドロキシル基またはメルカプト基、官能的に変
形されている場合のあるカルボキシル基、アシル基、置
換されたもしくは未置換のアミノ基またはアチド基であ
りそい基、…とＲｍトが１、ずれも水素原子アあるか、
またはｎは１であり、ＲＩは置換されたもしくは未置換
の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、Ｉ芳香族゛または芳
香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましく
は芳香族性を有する置換されたもしくは未置換の複素環
式または複素環−脂肪族基でアシ、Ｒ■は官能的に変形
例えはエステル化またはエーテル化されている場合のあ
るとドロキシル基またはメルカプト基、例えはハロゲン
原子、置換されたもしくは未置換のアミノ基、官能的に
変形されている場合のあるカルボキシル基またはスルホ
基、０−モノ置換またはｏ 、 ｏ’−ジ置換されたわ
Ｖ：、１まキ１喪のあるホスホノ基またはアチド基でち
ゃそしてＲ１は水素原子であるか、またはれは１でｓｂ
、基ＢＩとＲ■とがそれぞれ官能的に変形（好ましくは
エーテル化またはエステル化）されたヒドロキシル基ま
たは官能的に変形されている場合のあるカルボキシル基
でありそしてＲＩＩＩは水素原子であるか、またはｎは
１でちゃ、Ｒは水素原子または置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族亥たは芳香
脂肪族の炭化水素基でｌ）モしてＲＩｌ、！：Ｒｎｌと
はその両方で置換されたもしくは未置換のそして２重結
合によって式中の炭素原子と結合している脂肪族、脂環
式、脂環−脂肪族または芳香脂肪族の炭化水素基である
か、またはｎは１であり、ＲＩは置換されたもしくは未
置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳
香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましく
は芳香族性を有する置換されたもしくは未置換の複素環
式または複素環−脂肪族基であり、ｎｎ ｕ ＊換され
たもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基であシそしてｆＬＩ
Ｉｌは水素原子または置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の
炭化水素基である〕 で示される基であるか、またはＲ２とＲ３とが前にｂ 与えた意味をもちそしてＲ１とＲ４とがその両方で、置
換されたもしくは未置換のフェニル基を２−位置にもち
そして４−位置に低級アルキル基２個をもっていること
のできる１−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基で
ある式（ＩＡ）の３−セフェム化合物またはその１−オ
キシド、式（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物また
は塩形成基をもつこれら化合物を作る前記特許請求の範
囲（１）お工び前項（υ〜０埠のいずれかに記載の方法
。
をもちモしてＲ？が水素原子または式 〔この式でｎはＯであシそしてＲＩは水素原子または置
換されたもしくは未置換の脂環式または芳香族炭化水素
基、置換されたもしくは未置換のそして好ましくは芳香
族性をもつ複素環式基、官能的に変形例えはエステル化
またはエーテル化されているヒドロキシル基またはメル
カプト基あるいは置換されたもしくは未置換のアミノ基
であるか、またはｎは１であり、Ｒ１は水素原子または
置換されたもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂
肪族、芳香族または芳香脂肪族の炭化水素基、その複素
環式基が好ましくは芳香族性をもちそして（または）第
４級窒素原子をもっている置換されたもしくは未置換の
複素環式基または複素環−脂肪族基、官能的に変形（好
ましくはエーテル化またはエステル化）されている場合
のあるヒドロキシル基またはメルカプト基、官能的に変
形されている場合のあるカルボキシル基、アシル基、置
換されたもしくは未置換のアミノ基またはアチド基であ
りそい基、…とＲｍトが１、ずれも水素原子アあるか、
またはｎは１であり、ＲＩは置換されたもしくは未置換
の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、Ｉ芳香族゛または芳
香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましく
は芳香族性を有する置換されたもしくは未置換の複素環
式または複素環−脂肪族基でアシ、Ｒ■は官能的に変形
例えはエステル化またはエーテル化されている場合のあ
るとドロキシル基またはメルカプト基、例えはハロゲン
原子、置換されたもしくは未置換のアミノ基、官能的に
変形されている場合のあるカルボキシル基またはスルホ
基、０−モノ置換またはｏ 、 ｏ’−ジ置換されたわ
Ｖ：、１まキ１喪のあるホスホノ基またはアチド基でち
ゃそしてＲ１は水素原子であるか、またはれは１でｓｂ
、基ＢＩとＲ■とがそれぞれ官能的に変形（好ましくは
エーテル化またはエステル化）されたヒドロキシル基ま
たは官能的に変形されている場合のあるカルボキシル基
でありそしてＲＩＩＩは水素原子であるか、またはｎは
１でちゃ、Ｒは水素原子または置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族亥たは芳香
脂肪族の炭化水素基でｌ）モしてＲＩｌ、！：Ｒｎｌと
はその両方で置換されたもしくは未置換のそして２重結
合によって式中の炭素原子と結合している脂肪族、脂環
式、脂環−脂肪族または芳香脂肪族の炭化水素基である
か、またはｎは１であり、ＲＩは置換されたもしくは未
置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳
香脂肪族の炭化水素基またはその複素環式基が好ましく
は芳香族性を有する置換されたもしくは未置換の複素環
式または複素環−脂肪族基であり、ｎｎ ｕ ＊換され
たもしくは未置換の脂肪族、脂環式、脂環−脂肪族、芳
香族または芳香脂肪族の炭化水素基であシそしてｆＬＩ
Ｉｌは水素原子または置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、脂環−脂肪族、芳香族または芳香脂肪族の
炭化水素基である〕 で示される基であるか、またはＲ２とＲ３とが前にｂ 与えた意味をもちそしてＲ１とＲ４とがその両方で、置
換されたもしくは未置換のフェニル基を２−位置にもち
そして４−位置に低級アルキル基２個をもっていること
のできる１−オキソ−３−アザ−１，４−ブチレン基で
ある式（ＩＡ）の３−セフェム化合物またはその１−オ
キシド、式（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物また
は塩形成基をもつこれら化合物を作る前記特許請求の範
囲（１）お工び前項（υ〜０埠のいずれかに記載の方法
。
０４Ｒ１が水Ｘ原子であシ、Ｒ↑が水素原子、式％式％
（） （この式でＲ１はフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
ヒドロキシ−クロルフェニル基、チェニル基、ピリジル
基、アミンピリジニウム基、フリル基、イソチアジル基
、テトラゾリル基または１．４−シクロへキサジェニル
基であって、これらの基にあるヒドロキシル基はアシル
基で保護されていることができるものとし、Ｘは酸素ま
たはいおう原子でおシ、ｍはＯまたは１であシそしてＲ
１は水素原子またはｍがＯである場合には保護されてい
ることもできるアミノ基、カルがキシ千基、スルホ基ま
九はヒドロキシル基、〇−低級アルキルホスホノ基また
は０，０′−ジ低級アルキルホスホノ基でめる） で示されるアシル基または５−アミノ−５−カルデキシ
ーパレリル基（そのアミノ基およびカルボキシル基は場
合によシ保腹されていることができる）であシそしてＲ
２とＲ５とが前項０″４で与えた意味をもつ式（ＩＡ）
ｔたは（ＩＢ）の３−または２−セフェム化合物また
紘塩形成基をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求
の範囲（１）および前項（１）〜に）のいずれかに記載
の方法。
（） （この式でＲ１はフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
ヒドロキシ−クロルフェニル基、チェニル基、ピリジル
基、アミンピリジニウム基、フリル基、イソチアジル基
、テトラゾリル基または１．４−シクロへキサジェニル
基であって、これらの基にあるヒドロキシル基はアシル
基で保護されていることができるものとし、Ｘは酸素ま
たはいおう原子でおシ、ｍはＯまたは１であシそしてＲ
１は水素原子またはｍがＯである場合には保護されてい
ることもできるアミノ基、カルがキシ千基、スルホ基ま
九はヒドロキシル基、〇−低級アルキルホスホノ基また
は０，０′−ジ低級アルキルホスホノ基でめる） で示されるアシル基または５−アミノ−５−カルデキシ
ーパレリル基（そのアミノ基およびカルボキシル基は場
合によシ保腹されていることができる）であシそしてＲ
２とＲ５とが前項０″４で与えた意味をもつ式（ＩＡ）
ｔたは（ＩＢ）の３−または２−セフェム化合物また
紘塩形成基をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求
の範囲（１）および前項（１）〜に）のいずれかに記載
の方法。
（イ） Ｒ↑が水素原子または式（Ｊ３）のアシル基（
この式で８１はフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基
のようなヒドロキシフェニル基、２−または３−チェニ
ル基のようなチェニル基、４−インチアゾリル基または
１，４−シクロヘキサジェニル基ま７’ｊｉ！１．４−
シクロヘキサジェニル基であシ、Ｘは酸素原子であシ、
ｍは０または１でめりそしてＲ１は水素原子ｔたはｍが
Ｏの場合にはアミノ基、アシルアミノ基の工うな保議さ
れたアミノ基例えはｔ−プトキシカルメニルアミノ基の
ようなα−位ｔで高度に分枝した低級アルコキシカルゲ
ニルアミノ基、２，２．２−トリクロルエトキシカルゲ
ニルアミノ基、２−ヨードエトキシカルブニルアミノ基
または２−プロムエトキシ力ルゲニルアミノ基のような
２−ハロダン低級アルコキシカルゴニルアミノ基、低級
アルコキシ置換またはニトロ置換されていることのでき
るフェニル低級アルコキシカル？ニルアミノ基例えば４
−メトキシベンジルオキシカルがニルアミノ基、ヒドロ
キシル基、保護されたヒドロキシル基例えばアシルオキ
シ基例えばｔ−ブトキンカル？ニルオキ７基のよりなα
−位置で高度に分枝した低級アルコキシカルブニルオキ
シ基、２，２．２−トリクロルエトキシカルゲニルオキ
シ基、２−ヨードエトキシカルがニルオキシ基または２
−ブロムエトキシカルゲニルオキシ基のような２−）・
ロダン低級アルコキシカルがニルオキシ基、ｔｆｃはホ
ルミルオキシ基である）または５−アミノ−５−カルブ
キシ−バレリル基（そのアミノ基およびカルブキシル基
は保護されていることもでき、例えばアシルアミノ基例
えばアセチルアミノ基のような低級アルカノイルアミノ
基、ジクロルアセチルアミノ基のようなハロダン低級ア
ルカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基またはフタロ
イルアミノ基として、ならびにエステル化されたカルが
キシル基例えばジフェニルメトキシカルボニル基のよウ
ナフェニル低級アルコキシカルがニル基としであること
もできる）であり′、Ｒａがフェニル基またはヒドロキ
シフェニル基である場合にはｍは好ましくは１であり、
Ｒ１は水素原子であり、Ｒ２がヒドロキシル基、２−位
置でハロゲン（例えば塩素、臭素またはよう素）置換さ
れている場合のある低級アルコキシ基殊にα−位置で高
度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基ま
たは２，２．２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエ
トキシ基または２−ブロムエトキシ基のような２−ハロ
ゲン低級アルコキシ基、低級アルコキシ（例えばメトキ
シ）置換されていることのできるジフェニルメトキシ基
例えばジフェニルメトキシ基または４゜４′−ジメトキ
シジフェニルメトキシ基、ｐ−ニトロベンジルオキシ基
またはトリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アル
キルシリル基であシ、そしてＲ５が水素原子、低級アル
キル基殊にメチル基またはトリ低級アルキルシリル基で
ある式（ＩＡ）の３−セフェム化合物またはその１−オ
キシド、式（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物また
は塩形成基をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求
の範囲（１）および前項（υ〜（ロ）のいずれかに記載
の方法。
この式で８１はフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基
のようなヒドロキシフェニル基、２−または３−チェニ
ル基のようなチェニル基、４−インチアゾリル基または
１，４−シクロヘキサジェニル基ま７’ｊｉ！１．４−
シクロヘキサジェニル基であシ、Ｘは酸素原子であシ、
ｍは０または１でめりそしてＲ１は水素原子ｔたはｍが
Ｏの場合にはアミノ基、アシルアミノ基の工うな保議さ
れたアミノ基例えはｔ−プトキシカルメニルアミノ基の
ようなα−位ｔで高度に分枝した低級アルコキシカルゲ
ニルアミノ基、２，２．２−トリクロルエトキシカルゲ
ニルアミノ基、２−ヨードエトキシカルブニルアミノ基
または２−プロムエトキシ力ルゲニルアミノ基のような
２−ハロダン低級アルコキシカルゴニルアミノ基、低級
アルコキシ置換またはニトロ置換されていることのでき
るフェニル低級アルコキシカル？ニルアミノ基例えば４
−メトキシベンジルオキシカルがニルアミノ基、ヒドロ
キシル基、保護されたヒドロキシル基例えばアシルオキ
シ基例えばｔ−ブトキンカル？ニルオキ７基のよりなα
−位置で高度に分枝した低級アルコキシカルブニルオキ
シ基、２，２．２−トリクロルエトキシカルゲニルオキ
シ基、２−ヨードエトキシカルがニルオキシ基または２
−ブロムエトキシカルゲニルオキシ基のような２−）・
ロダン低級アルコキシカルがニルオキシ基、ｔｆｃはホ
ルミルオキシ基である）または５−アミノ−５−カルブ
キシ−バレリル基（そのアミノ基およびカルブキシル基
は保護されていることもでき、例えばアシルアミノ基例
えばアセチルアミノ基のような低級アルカノイルアミノ
基、ジクロルアセチルアミノ基のようなハロダン低級ア
ルカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基またはフタロ
イルアミノ基として、ならびにエステル化されたカルが
キシル基例えばジフェニルメトキシカルボニル基のよウ
ナフェニル低級アルコキシカルがニル基としであること
もできる）であり′、Ｒａがフェニル基またはヒドロキ
シフェニル基である場合にはｍは好ましくは１であり、
Ｒ１は水素原子であり、Ｒ２がヒドロキシル基、２−位
置でハロゲン（例えば塩素、臭素またはよう素）置換さ
れている場合のある低級アルコキシ基殊にα−位置で高
度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ基ま
たは２，２．２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエ
トキシ基または２−ブロムエトキシ基のような２−ハロ
ゲン低級アルコキシ基、低級アルコキシ（例えばメトキ
シ）置換されていることのできるジフェニルメトキシ基
例えばジフェニルメトキシ基または４゜４′−ジメトキ
シジフェニルメトキシ基、ｐ−ニトロベンジルオキシ基
またはトリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アル
キルシリル基であシ、そしてＲ５が水素原子、低級アル
キル基殊にメチル基またはトリ低級アルキルシリル基で
ある式（ＩＡ）の３−セフェム化合物またはその１−オ
キシド、式（ＩＢ）の相当する２−セフェム化合物また
は塩形成基をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求
の範囲（１）および前項（υ〜（ロ）のいずれかに記載
の方法。
（２） ７β−（Ｄ−α−アミノ−α−Ｒ１−アセチル
アミノ）−３−低級アルコキシ−３−セフェム−４−カ
ルボン酸（Ｒ，Ｌはフェニル基、４−ヒドロキシフェニ
ル基、２−チェニル基または１．４−ジクロヘキサジェ
ニル基で１そして低級アルコキシは炭素原子を４個まで
もつものとする）またはその分子内塩を作る前記特許請
求の範囲（１）および前項（１）〜（ハ）のいずれかに
記載の方法。
アミノ）−３−低級アルコキシ−３−セフェム−４−カ
ルボン酸（Ｒ，Ｌはフェニル基、４−ヒドロキシフェニ
ル基、２−チェニル基または１．４−ジクロヘキサジェ
ニル基で１そして低級アルコキシは炭素原子を４個まで
もつものとする）またはその分子内塩を作る前記特許請
求の範囲（１）および前項（１）〜（ハ）のいずれかに
記載の方法。
（ロ） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−３−エム−４−カルピン酸−ｐ−ニトロベンジ
ルエステルを作る前記特許請求の範囲（１）および前項
（す〜（２）のいずれかに記載の方法。
−セフ−３−エム−４−カルピン酸−ｐ−ニトロベンジ
ルエステルを作る前記特許請求の範囲（１）および前項
（す〜（２）のいずれかに記載の方法。
（至） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−２−エム−４−カルーーン酸−ｐ−二トロペン
ジルエステルを作る前記特許請求の範囲（１）および前
項（１２〜（２）のいずれかに記載の方法。
−セフ−２−エム−４−カルーーン酸−ｐ−二トロペン
ジルエステルを作る前記特許請求の範囲（１）および前
項（１２〜（２）のいずれかに記載の方法。
ＯＩ ７β−フェノキシアセトアミド−３−ヒドロキシ
−セフ−３−エム−４−カルボン酸−ジフェニルメチル
エステルを作る前記特許請求の範囲（りおよび前項（１
）〜（２）のいずれかに記載の方法。
−セフ−３−エム−４−カルボン酸−ジフェニルメチル
エステルを作る前記特許請求の範囲（りおよび前項（１
）〜（２）のいずれかに記載の方法。
（６） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−３−エム−４−カルゲン酸−ジフェニルメチル
エステルを作る前記特許請求の範囲（りまたは前項（１
）〜（至）に記載の方法。
−セフ−３−エム−４−カルゲン酸−ジフェニルメチル
エステルを作る前記特許請求の範囲（りまたは前項（１
）〜（至）に記載の方法。
０υ ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−２−エム−４−カルｚｙ酸−ジフェニルメチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲（すまたは前項（１）
〜（２）に記載の方法。
セフ−２−エム−４−カルｚｙ酸−ジフェニルメチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲（すまたは前項（１）
〜（２）に記載の方法。
（４２７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−
セフ−３−エム−４−カルゲン酸−ジフェニルメチルエ
ステル−１−オキシドを作る前記特許請求の範囲（１）
または前項（１）〜（２）に記載の方法。
セフ−３−エム−４−カルゲン酸−ジフェニルメチルエ
ステル−１−オキシドを作る前記特許請求の範囲（１）
または前項（１）〜（２）に記載の方法。
０３７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ−セ
フ−３−エム−４−カルピン酸−２，２゜２−トリクロ
ルエチルエステルを作る前記特許請求の範囲（υまたは
前項（υ〜（２）に記載の方法。
フ−３−エム−４−カルピン酸−２，２゜２−トリクロ
ルエチルエステルを作る前記特許請求の範囲（υまたは
前項（υ〜（２）に記載の方法。
（４４） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキ
シ−セフ−２−エム−４−カルビン酸−２，２゜２−ト
リクロルエチルエステルを作る前記特許請求の範囲（１
）または前項（１）〜（至）に記載の方法。
シ−セフ−２−エム−４−カルビン酸−２，２゜２−ト
リクロルエチルエステルを作る前記特許請求の範囲（１
）または前項（１）〜（至）に記載の方法。
（ハ） ７β−フェノキシアセトアミド−３−メトキシ
−セフ−２−エム−４−カルピン酸−１−ゾチルエステ
ルを作る前記特許請求の範囲（りまたは前項（１）〜０
！９に記載の方法。
−セフ−２−エム−４−カルピン酸−１−ゾチルエステ
ルを作る前記特許請求の範囲（りまたは前項（１）〜０
！９に記載の方法。
＠ｅ ３−メトキシ−７β−フェニルアセチルアミノー
３−セフェム−４−カルピン酸またはその塩を作る前記
特許請求の範囲（すまたは前項（υ〜（至）に記載の方
法。
３−セフェム−４−カルピン酸またはその塩を作る前記
特許請求の範囲（すまたは前項（υ〜（至）に記載の方
法。
Ｏη ３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカ
ルがニルアミノ−α−フェニルアセチルアミノ）−３−
セフェム−４−カル一ン酸−ジフェニルメチルエステル
を作る前記特許請求の範囲または前項（１）〜（ロ）に
記載の方法。
ルがニルアミノ−α−フェニルアセチルアミノ）−３−
セフェム−４−カル一ン酸−ジフェニルメチルエステル
を作る前記特許請求の範囲または前項（１）〜（ロ）に
記載の方法。
囮 ３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルグリシル
アミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸またはその塩
を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）〜（
２）に記載の方法。
アミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸またはその塩
を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）〜（
２）に記載の方法。
ｔ４１ ３−メトキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルグリ
シルアミン）−３−セフェム−４−カルボン酸の分子内
塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（υ〜（
２）に記載の方法。
シルアミン）−３−セフェム−４−カルボン酸の分子内
塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（υ〜（
２）に記載の方法。
５１３−ｎ−ブチルオキシ−７β−（Ｄ−α−フェニル
グリシルアミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸また
はその塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（
１）〜（至）に記載の方法。
グリシルアミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸また
はその塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（
１）〜（至）に記載の方法。
Ｉ５υ ７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフェム−
４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルまたはその
塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）〜
（ト）に記載の方法。
４−カルボン酸−ジフェニルメチルエステルまたはその
塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）〜
（ト）に記載の方法。
ｌ５２７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（２−チェニル）
−アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４
−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲（
１）または前項（１）〜（ト）に記載の方法。
−アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−４
−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲（
１）または前項（１）〜（ト）に記載の方法。
［７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（ヒドロキシフェニル
）−アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−
４−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲
（１）または前項（１）〜（２）に記載の方法。
）−アセチルアミノコ−３−メトキシ−３−セフェム−
４−カルボン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲
（１）または前項（１）〜（２）に記載の方法。
ｅｉ荀 ３−エトキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルグリ
シルアミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸またはそ
の塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）
〜競に記載の鳩 ６暖３−ペンツルオキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルグ
リシルアミン）−３−セフェム−４−カルボン酸または
その塩を作る前記特許請求の範囲（りまたは前項（υ〜
（２）に記載の方法。
シルアミノ）−３−セフェム−４−カルボン酸またはそ
の塩を作る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）
〜競に記載の鳩 ６暖３−ペンツルオキシ−７β−（Ｄ−α−フェニルグ
リシルアミン）−３−セフェム−４−カルボン酸または
その塩を作る前記特許請求の範囲（りまたは前項（υ〜
（２）に記載の方法。
ＦＩＥ９７β−〔Ｄ−α−アミノ−α−（１，４−シク
ロヘキサジェニル）−アセチルアミノコ−３−メトキシ
−３−セフェム−４−力Ｊ！／カン酸またはその塩を作
る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）〜（ロ）
に記載の方法。
ロヘキサジェニル）−アセチルアミノコ−３−メトキシ
−３−セフェム−４−力Ｊ！／カン酸またはその塩を作
る前記特許請求の範囲（１）または前項（１）〜（ロ）
に記載の方法。
６η ７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフェム−４
−カルがン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲（
１）および前項（１）〜輪のいずれかに記載の方法。
−カルがン酸またはその塩を作る前記特許請求の範囲（
１）および前項（１）〜輪のいずれかに記載の方法。
（ト） ７β−（５−ベンゾイルアミノ−５−ジフェニ
ルメトキシカルデニルーパレリルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフェム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲（１）および前項（１
）〜（ハ）のいずれかに記載の方法。
ルメトキシカルデニルーパレリルアミノ）−３−メトキ
シ−３−セフェム−４−カルボン酸ジフェニルメチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲（１）および前項（１
）〜（ハ）のいずれかに記載の方法。
６Ｉ 前記特許請求の範囲（１）に記載の化合物を作る
ための実施例１〜１３に記載の方法。
ための実施例１〜１３に記載の方法。
−式（１０におけるＹが基−８−Ｒ４であシ、Ｒ１が水
素原子またはアミノ保護基Ｒ４であシそしてＲ２が水素
原子またはアシル基ＡｃであるかまたはＲ↑とＲ４とが
その両方で２価のアミノ保護基を表わし、Ｒ２が式中の
基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょに保農されたカルブキシル
基を形成している基であり、Ｒ：が低級アルキル基また
はヒドロキシ保護基で１）そしてＲ４が前項（４）〜（
８）で与えた意味をもつ化合物をスルフィン酸Ｈ８Ｏ□
−Ｒ５の存在下で塩基で処理する前記特許請求の範囲（
１）および前項（１）〜（８）または（２）〜岐のいず
れかに記載の方法。
素原子またはアミノ保護基Ｒ４であシそしてＲ２が水素
原子またはアシル基ＡｃであるかまたはＲ↑とＲ４とが
その両方で２価のアミノ保護基を表わし、Ｒ２が式中の
基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょに保農されたカルブキシル
基を形成している基であり、Ｒ：が低級アルキル基また
はヒドロキシ保護基で１）そしてＲ４が前項（４）〜（
８）で与えた意味をもつ化合物をスルフィン酸Ｈ８Ｏ□
−Ｒ５の存在下で塩基で処理する前記特許請求の範囲（
１）および前項（１）〜（８）または（２）〜岐のいず
れかに記載の方法。
１１） Ｒ４としてベンズチアゾール−２−イル基を使
う前項−に記載の方法。
う前項−に記載の方法。
１２ Ｒ５としてフェニル基、Ｐ−）リル基、０−また
はｐ−メトキシフェニル基またはｐ−ニトロフェニル基
を使う前項−または旬に記載の方法。
はｐ−メトキシフェニル基またはｐ−ニトロフェニル基
を使う前項−または旬に記載の方法。
關 塩基として２９式アミンを使う前項１ｔｌ−１３に
記載の方法。
記載の方法。
（財）塩基として１，５−ジアザビシクロ〔４゜３．０
〕ノナ−５−エンまたは１，５−ジアザビシクロ（５，
４，０）ノナ−５−エンを使う前項−〜−に記載の方法
。
〕ノナ−５−エンまたは１，５−ジアザビシクロ（５，
４，０）ノナ−５−エンを使う前項−〜−に記載の方法
。
（へ）前記特許請求の範囲（１）に記載の化合物を作る
ための実施例６．５１．５１１．５ａｉ、 ５ｂｊ 、
５ｃ。
ための実施例６．５１．５１１．５ａｉ、 ５ｂｊ 、
５ｃ。
５ｄおよび１４〜１８に記載の方法。
＠ Ｒ１が式（Ｂ）のアシル基でありて、この式中のＲ
１が１−シクロヘキセニル基である式（ＩＡ）の３−セ
フェム化合物を作る前記特許請求の範囲（１）および前
項（１）〜ＯＩまたは−〜（へ）のいずれかに記載の方
法。
１が１−シクロヘキセニル基である式（ＩＡ）の３−セ
フェム化合物を作る前記特許請求の範囲（１）および前
項（１）〜ＯＩまたは−〜（へ）のいずれかに記載の方
法。
旬 前記特許請求の範囲に記載の化合物を作るための実
施例１．４１、ｓ ｉｉｉ、５ ｂ ｉｉｉ、５ｅｉ、
１９および２０に記載の方法。
施例１．４１、ｓ ｉｉｉ、５ ｂ ｉｉｉ、５ｅｉ、
１９および２０に記載の方法。
Ｑｉｌ Ｒ３が容易に分裂できる置換され【いる場合の
あるα−フェニル低級アルキル基である式（ＩＡ）の化
合物マタはその１−オキシド、式（ＩＢ）の化合物また
は塩形成基をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求
の範囲（１）および前項（υ〜（ロ）、■、（２）〜（
ロ）、−１（へ）または旬のいずれかに記載の方法。
あるα−フェニル低級アルキル基である式（ＩＡ）の化
合物マタはその１−オキシド、式（ＩＢ）の化合物また
は塩形成基をもつこれら化合物の塩を作る前記特許請求
の範囲（１）および前項（υ〜（ロ）、■、（２）〜（
ロ）、−１（へ）または旬のいずれかに記載の方法。
ＩＩ Ｒ３が置換されている場合のあるベンジル基また
はジフェニルメチル基である前項−に記載の方法。
はジフェニルメチル基である前項−に記載の方法。
σＱ 前記特許請求の範囲（りに記載の化合物を作るた
めの実施例５１ｖ、２１．２２および２３に記載の方法
。
めの実施例５１ｖ、２１．２２および２３に記載の方法
。
συ ２−［４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−メチレンＫＡ酸−ｐ−ニトロベンジルエステ
ル、２−（４−（Ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチルエステル、
２−（４，−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−（
Ｄ−α−１−ブトキシカル？ニルアミノーα−フェニル
アセトアミド）−２−オキソアゼチジン−１−イｋ〕−
３−メｆレン酪酸ゾフェニルメチルエステ＃ｔ７’ｃハ
２− （４−（Ｐ −）ルエンスルホニルチオ） −３
−、フェニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メチレン酪酸ゾフェニルメチルエステル
を作る前記特許請求の範囲（２）に記載の方法。
−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−メチレンＫＡ酸−ｐ−ニトロベンジルエステ
ル、２−（４−（Ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イル〕−３−メチレン酪酸ジフェニルメチルエステル、
２−（４，−（ｐ−トルエンスルホニルチオ）−３−（
Ｄ−α−１−ブトキシカル？ニルアミノーα−フェニル
アセトアミド）−２−オキソアゼチジン−１−イｋ〕−
３−メｆレン酪酸ゾフェニルメチルエステ＃ｔ７’ｃハ
２− （４−（Ｐ −）ルエンスルホニルチオ） −３
−、フェニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１
−イル〕−３−メチレン酪酸ゾフェニルメチルエステル
を作る前記特許請求の範囲（２）に記載の方法。
σり メチレン基をオゾンで酸化分裂しそして中間体と
して得られる式 〔この式で８１ は水素原子またはアミノ保護基Ｒ１で
あシそしてＲ１は水素原子またはアシル基Ａｃでるかま
たはこれらＲ１とＲ１とはその両方で２価のアミノ保護
基を表わし、Ｒ２は式中の基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょ
に保護されたカル？キシル基を形成している基であシそ
してＹは分裂可能な基である〕で表わされるオシニドに
おいて、Ｙが式（この式でＲ４は炭素原子を１５個まで
、好ましくは９個までもつ置換されたもしくは未置換の
芳香族被素猿式基であって、この基は猿窒素原子少くと
も１個と場合によっては酸素またはいおう原子のような
他の環へテロ原子１個とをもちそしてこの基はその環蟹
素原子に２重結合している環炭素原子において式中のチ
オ基−８−に結合しているものとし、またはＲ４は炭素
原子を１８個までもつ置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、芳香脂肪族または芳香族アシル基またはチ
オアシル基である） で表わされる基である場合に所要ならば基−８−Ｒ４を
基−８Ｏ□−Ｒ５または−８−８ｏ２−Ｒ５（この式で
Ｒ５は炭＃ｉ原子１８個までをもつ置換されたもしくは
未置換の脂肪族、脂環式、芳香脂肪族または芳香族炭化
水素基である）に変えそして得られた式（Ｖ）のオシニ
ドを還元分裂する前記特許請求の範囲（３）に記載の方
法。
して得られる式 〔この式で８１ は水素原子またはアミノ保護基Ｒ１で
あシそしてＲ１は水素原子またはアシル基Ａｃでるかま
たはこれらＲ１とＲ１とはその両方で２価のアミノ保護
基を表わし、Ｒ２は式中の基−Ｃ（＝Ｏ）−といっしょ
に保護されたカル？キシル基を形成している基であシそ
してＹは分裂可能な基である〕で表わされるオシニドに
おいて、Ｙが式（この式でＲ４は炭素原子を１５個まで
、好ましくは９個までもつ置換されたもしくは未置換の
芳香族被素猿式基であって、この基は猿窒素原子少くと
も１個と場合によっては酸素またはいおう原子のような
他の環へテロ原子１個とをもちそしてこの基はその環蟹
素原子に２重結合している環炭素原子において式中のチ
オ基−８−に結合しているものとし、またはＲ４は炭素
原子を１８個までもつ置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、芳香脂肪族または芳香族アシル基またはチ
オアシル基である） で表わされる基である場合に所要ならば基−８−Ｒ４を
基−８Ｏ□−Ｒ５または−８−８ｏ２−Ｒ５（この式で
Ｒ５は炭＃ｉ原子１８個までをもつ置換されたもしくは
未置換の脂肪族、脂環式、芳香脂肪族または芳香族炭化
水素基である）に変えそして得られた式（Ｖ）のオシニ
ドを還元分裂する前記特許請求の範囲（３）に記載の方
法。
σｌ ２−［：４−（ｐ−トルエンスルホニルチオン−
３−〕〕王ツキジアセトアミドー２−オキソアゼチジン
１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ｐ−ニトロベ
ンジルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）または
前項ＣＩ４に記載の方法。
３−〕〕王ツキジアセトアミドー２−オキソアゼチジン
１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ｐ−ニトロベ
ンジルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）または
前項ＣＩ４に記載の方法。
ＣＩＩＪ ２− （４＋−（ｐ−トルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）ま
たは前項σ２に記載の方法。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）ま
たは前項σ２に記載の方法。
σ暖 ２−［：４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−ヒドロキシクロ）７酸−ジフェ
ニルメチルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）ま
たは前項６りに記載の方法。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−ヒドロキシクロ）７酸−ジフェ
ニルメチルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）ま
たは前項６りに記載の方法。
（／（ｉ１２−［：４−（ベンズチアゾール−２−イル
ジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−２
，２，２−）リクロルエチルエステルを作る前記特許請
求の範囲（３）または前項σ４に記載の方法。
ジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソア
ゼチジン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−２
，２，２−）リクロルエチルエステルを作る前記特許請
求の範囲（３）または前項σ４に記載の方法。
（／７） ２−（：４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ
ン−３−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−α
−フェニルアセトアミド）−２−オキソアゼチジン−１
−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチ
ルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）または前項
＠に記載の方法。
ン−３−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−α
−フェニルアセトアミド）−２−オキソアゼチジン−１
−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチ
ルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）または前項
＠に記載の方法。
σ榎 ２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３
−フェニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチル
エステルを作る前記特許請求の範囲（３ンまたは前項υ
４に記載の方法。
−フェニルアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニルメチル
エステルを作る前記特許請求の範囲（３ンまたは前項υ
４に記載の方法。
（ｌ鳴 ２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸メチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲（３）ま゛たは前項（
１１２に記載の方法。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−ヒドロキシクロトン酸メチルエ
ステルを作る前記特許請求の範囲（３）ま゛たは前項（
１１２に記載の方法。
■ ２−（４−（ベンズオキサゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセドアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）また
は前項ＣＩりに記載の方法。
）−３−フェノキシアセドアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イルクー３−ヒドロキシクロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルを作る前記特許請求の範囲（３）また
は前項ＣＩりに記載の方法。
侶υ 基Ｒ３に相当するジアゾ低級アルカンでエーテル
化する前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
化する前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
■ ジアゾメタンを使う前記特許請求の範囲（４）およ
び前項部υのいずれかに記載の方法。
び前項部υのいずれかに記載の方法。
０１３ Ｒ，に相当する置換されたもしくは未置換のα
−フェニルジアゾ低級アルカンでエーテル化スる前記特
許請求の範囲（４）に記載の方法。
−フェニルジアゾ低級アルカンでエーテル化スる前記特
許請求の範囲（４）に記載の方法。
（財）フェニル−またはジフェニル−ジアゾメタンを使
う前記特許請求の範囲（４）および前項−のいずれかに
記載の方法。
う前記特許請求の範囲（４）および前項−のいずれかに
記載の方法。
（へ）アルコールＲ３−ＯＨの反応性工そチルでエーテ
ル化する前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
ル化する前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
輸 硫酸ジ低級アルキルを使う前記特許請求の範囲（４
）および前項−のいずれかに記載の方法。
）および前項−のいずれかに記載の方法。
侶η 硫酸ジメチルを使う前記特許請求の範囲（４ンお
よび前項１８５１または弼のいずれかに記載の方法。
よび前項１８５１または弼のいずれかに記載の方法。
岐 α−フェニル低級アルカノールの反応性エステルを
使う前記特許請求の範囲（４）および前項（ハ）のいず
れかに記載の方法。
使う前記特許請求の範囲（４）および前項（ハ）のいず
れかに記載の方法。
１８１ ハロゲン化ベンジルまたはジフェニルメチルハ
ライドを使う前記特許請求の範囲（４）および前項＠！
９または−のいずれかに記載の方法。
ライドを使う前記特許請求の範囲（４）および前項＠！
９または−のいずれかに記載の方法。
翰 相移動型触媒を使ってエーテル化反応を促進する前
記特許請求の範囲（４）および前項部υ〜−のいずれか
に記載の方法。
記特許請求の範囲（４）および前項部υ〜−のいずれか
に記載の方法。
ｅｌＤ ２−（４−（ｐ−）ルｚンスルホニルチオンー
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチノン−
１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸−ｐ−ニトロベ
ンジルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンスルホニル
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル］−３−メトキシイソクロトン酸−ｐ
−ニトロベンジルエステルまたはそれらの異性体混合物
を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチノン−
１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸−ｐ−ニトロベ
ンジルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンスルホニル
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル］−３−メトキシイソクロトン酸−ｐ
−ニトロベンジルエステルまたはそれらの異性体混合物
を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
■ ２−［４−（Ｐ−）ルエンスルホニルチオ）−３−
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イル）−３−）リメチルシリルオキシークロトン酸−ジ
フェニルメチルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンス
ルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オ
キソアゼチジン−１−イル］−３−）リメチルシリルオ
キシイソクシトン酸−ジフェニルメチルエステルまたは
それらの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）
に記載の方法。
フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−１−
イル）−３−）リメチルシリルオキシークロトン酸−ジ
フェニルメチルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンス
ルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オ
キソアゼチジン−１−イル］−３−）リメチルシリルオ
キシイソクシトン酸−ジフェニルメチルエステルまたは
それらの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）
に記載の方法。
（財） ２−（４−（Ｐ−）ルエンスルポニルチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−メトキシークロトン酸−ジフェニルメ
チルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシイソクロトン酵−ジフ
ェニルメチルエステルまたはそれらの異性体混合物を作
る前記特許請求の範囲（４）に記載ρ方法。
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−メトキシークロトン酸−ジフェニルメ
チルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシイソクロトン酵−ジフ
ェニルメチルエステルまたはそれらの異性体混合物を作
る前記特許請求の範囲（４）に記載ρ方法。
（９４１２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、２−（４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３←フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシイソクロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれらの異性
体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方法
。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、２−（４−（ベンズチアゾール−
２−イルジチオ）−３←フェノキシアセトアミド−２−
オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシイソクロ
トン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれらの異性
体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方法
。
輸 ２−（：４− （ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルクー３−メトキシ−クロトンｇ−２，２
，２−トリクロルエチルエステル、２−（４−（ベンズ
チアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メト
キシインクロトン［−２，２，２−トリクロルエチルエ
ステルまたはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求
の範囲（４）に記載の方法。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルクー３−メトキシ−クロトンｇ−２，２
，２−トリクロルエチルエステル、２−（４−（ベンズ
チアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メト
キシインクロトン［−２，２，２−トリクロルエチルエ
ステルまたはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求
の範囲（４）に記載の方法。
（２） ２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ、＋）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−２，２，２
−）ジクロルエチルエステル、２−（４−（ｐ−）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシインク
ロトン酸−２゜２ 、２− ） ＩＪジクロルチルエス
テルまたはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求の
範囲（４）に記載の方法。
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−２，２，２
−）ジクロルエチルエステル、２−（４−（ｐ−）ルエ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イルツー３−メトキシインク
ロトン酸−２゜２ 、２− ） ＩＪジクロルチルエス
テルまたはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求の
範囲（４）に記載の方法。
１７）２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル）−３−）リメチルシリルオキシークロト
ン酸−・ジフェニルメチルエステル、２−（４−（ベン
ズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル）−３−）
リメチルシリルオキシイソクロトン酸−ジフェニルメチ
ルエステルまたはそれらの異性体混合物舎作る前記特許
請求の範囲（４）に記載の方法。
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジ
ン−１−イル）−３−）リメチルシリルオキシークロト
ン酸−・ジフェニルメチルエステル、２−（４−（ベン
ズチアゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキシアセ
トアミド−２−オキソアゼチジン−１−イル）−３−）
リメチルシリルオキシイソクロトン酸−ジフェニルメチ
ルエステルまたはそれらの異性体混合物舎作る前記特許
請求の範囲（４）に記載の方法。
輸 ２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−クロライド
、２−〔４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−メトキシインクロトン酸クロライドま
たはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（
４）に記載の方法。
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−クロライド
、２−〔４−（ベンズチアゾール−２−イルジチオ）−
３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン−
１−イル〕−３−メトキシインクロトン酸クロライドま
たはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（
４）に記載の方法。
（イ） ２−［４−（ｐ−ニトロベンゼンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、 ２−［４−（ｐ−ニトロベンゼ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシインク
四トン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれらの異
性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方
法。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、 ２−［４−（ｐ−ニトロベンゼ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシインク
四トン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれらの異
性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方
法。
００１２−（４−（ｐ−メトキシベンゼンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、２−（４−（ｐ−メトキシベンゼ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシイソク
ロトン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれらの異
性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方
法。
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチ
ジン−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、２−（４−（ｐ−メトキシベンゼ
ンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２
−オキソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシイソク
ロトン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれらの異
性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方
法。
（１０１） ２− （４−（ベンゼンスルホニルチオ）
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニル
メチルエステル、２−（４−（ベンゼンスルホニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチノ
ン−１−イル〕−３−メトキシイソクロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステルまたはそれらの異性体混合物を作る
前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼチジン
−１−イルクー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニル
メチルエステル、２−（４−（ベンゼンスルホニルチオ
）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチノ
ン−１−イル〕−３−メトキシイソクロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステルまたはそれらの異性体混合物を作る
前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
（１０２） ２− （４−（ｏ−メトキシベンゼンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシ−りｏトンｒ
Ｒ−Ｊフェニルメチルエステル、２−（４−（ｏ−メ）
＊シベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３−メト
キシイソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルまた社
それらの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）
に記載の方法０ （１０３） ２− （４−（ｏ−メトキシベンゼンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシーインクロト
ン酸または相当するインクロトン酸クロライドを作る前
記特許請求の範ａ（４）に記載の方法。
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシ−りｏトンｒ
Ｒ−Ｊフェニルメチルエステル、２−（４−（ｏ−メ）
＊シベンゼンスルホニルチオ）−３−フェノキシアセト
アミド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３−メト
キシイソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルまた社
それらの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）
に記載の方法０ （１０３） ２− （４−（ｏ−メトキシベンゼンスル
ホニルチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアゼチジン−１−イル〕−３−メトキシーインクロト
ン酸または相当するインクロトン酸クロライドを作る前
記特許請求の範ａ（４）に記載の方法。
（１０４） ２− （４−Ｃｐ −、）ルエンスルホニ
ルチオ）−３−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカル？ニルアミ
ノ−α−フェニルアセトアミド）−２−オキダアゼチジ
ンー１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルを作る前記叫許請求の範囲（４）に記
載の方法。
ルチオ）−３−（Ｄ−α−ｔ−ブトキシカル？ニルアミ
ノ−α−フェニルアセトアミド）−２−オキダアゼチジ
ンー１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸−ジフェニ
ルメチルエステルを作る前記叫許請求の範囲（４）に記
載の方法。
（１０５） ２− （４−・（ｐ−）ルエンスルホニル
チオ）−３−フェニルアセトアミドー２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェニルアセトアミドー２−オキソア
ゼチジン−１−イルクー３−メトキシイソクロトン酸−
ジフェニルメチルエステルま′ｆｃ轄それらの異性体混
合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
チオ）−３−フェニルアセトアミドー２−オキソアゼチ
ジン−１−イルツー３−メトキシ−クロトン酸−ジフェ
ニルメチルエステル、２−［４−（ｐ−トルエンスルホ
ニルチオ）−３−フェニルアセトアミドー２−オキソア
ゼチジン−１−イルクー３−メトキシイソクロトン酸−
ジフェニルメチルエステルま′ｆｃ轄それらの異性体混
合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記載の方法。
（１０６）２−［４−（ベンズチアゾール−２−イルジ
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸メチルエ
ステル、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキシアゼチ
ンーｌ−イル〕−３−メトキシインクロトン酸メチルエ
ステルまたはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求
の範囲（４）に記載の方法。
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イル〕−３−メトキシクロトン酸メチルエ
ステル、２−（４−（ベンズチアゾール−２−イルジチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキシアゼチ
ンーｌ−イル〕−３−メトキシインクロトン酸メチルエ
ステルまたはそれらの異性体混合物を作る前記特許請求
の範囲（４）に記載の方法。
（１０７） ２− （４−（ｐ −）ルエンスルホニル
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−メトキシ−クロトン酸−メチ
ルエステル、 ２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチ
ノン−１−イｋ〕−３−メトキシインクロトン酸メチル
エステルまｆＣハそれらの異性体混合物を作る前記特許
請求の＠Ｗ（４）に記載の方法。
チオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアゼ
チジン−１−イルツー３−メトキシ−クロトン酸−メチ
ルエステル、 ２−（４−（ｐ−）ルエンスルホニルチ
オ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキソアセチ
ノン−１−イｋ〕−３−メトキシインクロトン酸メチル
エステルまｆＣハそれらの異性体混合物を作る前記特許
請求の＠Ｗ（４）に記載の方法。
（１０８） ２− ［４−（ベンズオキサゾール−２−
イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアセチノン−１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸
−ジフェニルメチルエステル、２−〔４−（ベンズオキ
サゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキアセトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３−メトキシ
イソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれ
らの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記
載の方法。
イルジチオ）−３−フェノキシアセトアミド−２−オキ
ソアセチノン−１−イル〕−３−メトキシ−クロトン酸
−ジフェニルメチルエステル、２−〔４−（ベンズオキ
サゾール−２−イルジチオ）−３−フェノキアセトアミ
ド−２−オキソアゼチジン−１−イルクー３−メトキシ
イソクロトン酸−ジフェニルメチルエステルまたはそれ
らの異性体混合物を作る前記特許請求の範囲（４）に記
載の方法。
以下余白
第１頁の続き
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式（ＩＶｂ ）または（ＩＶｃ） 〔式中、畔が水素原子もしくはアミノ保護基ｕＦであり
且つＲ１が水素原子もしくはアシル基Ａｃであるかまた
はＲ４とＲ１とが一緒になって２価のアミノ保諜基を表
わし、Ｒ：は式中のカルボニル基−Ｃ（＝０ ）−と−
緒になって保護されたカルボキシル基を形成する基であ
シ、セしてＹは硫黄原子によってチオ基−８−に結合し
ている式−８ｏ、−Ｒ５または−８−８０２−Ｒ５の基
を表わし、該Ｒ５は炭素数１８以下の置換されたもしく
は未置換の脂肪族、脂環式、芳香脂肪族もしくは芳香族
炭化水素基°を・表わす〕 の化合物またはそれらの塩の製造方法であって、（Ｒ１
式（ｍ） 〔式中、 Ｒ３，Ｒ１及びＲ夕は前述の意味を有する〕 の化合物を弐Ｈ３Ｏ２−Ｒ５のスルフィン酸、式Ｎ：
Ｃ−８ｏ２−Ｒ５のスルホニルシアナイドまたは弐Ｈ−
８−８０２−Ｒ５のチオスルホン酸〔これらの式中、Ｒ
５は前述の意味を有する〕と反応せしめ、または （ｂｌ 式（ＩＶａ ） 以下余白 〔式中、Ｒ、Ｒ１？及びＲｉは前述の意味を有し。 セしてＲ４は１５個以下、好ましくは９個以下の炭素原
子ならびに少なくとも１個の環窒素原子及び場合によっ
てはさらに１個の酸素もしくは硫黄のような環へテロ原
子を有する置換されたもしくは未置換の芳香族複素環式
基（該芳香族複素環式基は、二重結合によって環窒素原
子に結合した環炭素原子の１つによってチオ基−８−に
結合する）であるか、またはＲ４は炭素数１８以下の置
換されたもしくは未置換族の脂肪族、脂環式、芳香脂肪
族もしくは芳香族アシルもしくはチオアシル基を表わす
〕 の化合物を式Ｍ”（−８ｏ２−Ｒ５）ｎのスルフィン酸
の重金属塩または式Ｍ”（−８−８０２−Ｒ５）ｎのチ
オスルホン酸の重金属塩〔これらの式中、Ｒ５は前述の
意味を有し１Ｍは重金属陽イオンであり、そしてｎは紋
゛ｉイ′オンの原子価である〕と反応せしめ、そして 所望ならば、式（ｌＶｂ ’）もしくは（ｌＶｃ ）の
得られた化合物において式−〇（＝ｏ）−吋の保護され
たカル？キシル基を別の保護されたカルメキシル基に変
換し、そして／または 所望ならば、得られた化合物を、最終生成物の定義の範
囲内で別の化合物に変換し、そして／または 所望ならば、塩形成基を有する得られた化合物を塩に変
換し、または得られた塩を遊離化合物もしくは別の塩に
変換し、そして／または所望ならば、得られた異性体混
合物を個々の異性体に分離する ことを特徴とする製造方法。 ２、式（Ｖｌ） 以下余白 〔式中、Ｒｆが水素原子もしくはアミノ保賎基Ｒ２であ
シ且つＲ￥が水素原生もしくはアシル基Ａｃであるかま
たはＢ？と１％）とが−緒になって２価のアミノ保膜基
を表わし、Ｒｆは式中のカルがニル基−Ｃ（＝０）−と
−緒になって保護されたカルがキシル基を形成する基で
あシ、セしてＹは脱離される基を表わす〕 の化合物またはそれらの塩の製造方法であって。 式（ｍＶ） 以下余白 〔式中、ＲＰ ＊ ＲＰ ＋ Ｒ２及びＹは前述の意味
を有する〕 の°イヒを物においてメチレン基を酸化裂開によってオ
キソ基に変換し、そして 所望ならば％Ｙが式−８−１４（式中、Ｒ４は１５個以
下、好ましくは９個以下の炭素原子ならびに少なくとも
１個の環窒素原子及び場合によりてはさら！／ｃ１個の
酸素もしくは硫黄のような環へテロ原子を有する置換さ
れたもしくは未置換の芳香族複素環式基（該芳香族複素
環式基は、二重結合によって環窒素原子に結合した環炭
素原子の１りＫよってチオ基−８−に結合する）である
か、またはＲ４は炭素数１８以下の置換されたもしくは
未置換の脂肪族、脂環式、放香脂肪族もしくは芳香族ア
シルもしくはチオアシル基を表わす〕の基を表わす式（
■ａ）の得られた化合物において、鉄基−８−Ｒ４を式
−８０２−１５もしく ）ｔ −８−８０２−Ｒ５（式
中。 Ｒ５は炭素数１８以下の置換されたもしくは未置換の脂
肪族、脂環式、芳香脂肪族も−シ〈、は芳香族炭化水素
基を表わす〕の基に変換し、セして／または所望ならば
、得られた化合物を、最終生成物の定義の範囲内で別の
化合物に変換し、セして／または 所望ならば、塩形成基を有する得られた化合物を塩に変
換し、または得られた塩を遊離化合物もしくは別の塩に
変換し、そして／または所望ならば、得られた異性体混
合物を個々の異性体に分離する ことを特徴とする製造方法。 ３、式（Ｉｌｌ 〔式中 ＢＴが水素原子もしくはアミノ保護基ＲＰであ
り且つＲ１が水素原子もしくはアシル基Ａｃであるかま
たはＲ４とＲ１とが一緒になって２価のアミノ保護基を
表わし、Ｒ：は式中のカルブニル基−Ｃ（＝Ｏ）−と−
緒になって保護されたカルブキシル基を形成する基であ
シ、Ｙは脱離される基であシ、そして弓は低級アルキル
基またはヒ）％ｔｌ”キシル保護基である〕 の化合物またはそれらの塩の製造方法であって、式（Ｖ
ｌ） Ｐ 〔式中、Ｒ？ ｌ ＢＴ 、 Ｒ夕及びＹは前述の意味
を有する〕 の化合物において、エノール基をエーテｙ化ｔ、、テ式
−ＯＲ：（式中、ＢＥは前述の意味を有する〕の基に変
換し、そして 所望ならば、Ｙが式−８−Ｒ４［式中、Ｒ４は１５個以
下、好ましくは９個以下の炭素原子ならびに少なくとも
１個の環窒素原子及び場合によってはさらに１個の酸素
もしくは硫黄のような環へテロ原子を有する置換された
もしくけ未置換の芳香族複素環式基（該芳香族複素環式
基は、二重結合によって環窒素原子に結合した環炭素原
子の１つによってチオ基−８−に結合する）であるか、
またはＲ４は炭素数１８以下の置換されたもしくは未置
換の脂肪族、脂環式、芳香脂肪族もしくは芳香族アシル
もしくはチオアシル基を表わす〕の基を表わす式ＣＩｌ
＆）の得られた化合物において、鉄基−８−Ｒ４を式−
８０２−Ｒ５もしくは−ｓ −５ｏ２−Ｒ５Ｃ式中、Ｒ
５は炭素数１８以下の置換されたもしくは未置換の脂肪
族、脂環式、芳香脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表
わす〕の基に変換し、そして／または所望ならば、得ら
れ九化合物を、最終生成物の定義の範囲内で別の化合物
に変換し、そして／または所望ならば、塩形成基を有す
る得られた化合物を塩に変換し、または得られた塩を遊
離化合物もしくは別の塩に変換し、そして／または所望
ならば、得られた異性体混合物を個々の異性体に分離す
る ことを特徴とする製造方法。 ４、次式： Ｃ式中、Ｒ，Ｈフェニル、ヒドロキシフェニル、チェニ
ルモジくはシクロヘキサジェニルを表わし、ｍはＯ又は
１′ｊｋ表わし、Ｒ１は水素を表わすか、又はｍが０を
表わす場合、Ｒ５はまたアミノ、低級アルコキシカルビ
ニルによって保護されたアミン、又はヒドロキシを表わ
し、Ｒ２はハロダン、基ｏ＝ｂ−と共に保護されたカル
ぎキシル基を形成する低級アルコキシ、アリール−低級
アルコキシもしくはハロゲン−低級アルコキシ基Ｒ；ｉ
表わす〕 で表わされるｏ−置換７−β−アミノ−３−セフェム−
３−オール−４−カルぎン酸化合物、相当する異性体の
２−セフェム−３−オール−４−カルデン酸化合物、又
は対応する３−および２−セフェム化合物の混合物又は
塩形成基を有するこのような化合物の塩の製法であって
、次式Ｉｌ：〔式中、ｍ 、 ＲｌＬ、 Ｒ，およびＲ
２は式ｌで定義された意味を有し、更に弓はフェニル−
低級アルキル、又はトリー低級アルキルシリルヒドロキ
シル保護基金表わす〕 で表わされる化合物において、保護されたヒドロキシル
基−ｏＲ： ｅ遊離ヒドロキシルに変換し、次いで所望
により塩形成能を有する生成化合物を塩に変換するか又
は生成した塩を遊離化合物に変換し、更に／又は、所望
によシ生成異性体混合物を個々の異性体に分離すること
を特徴とする。前記方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH2693/74 | 1974-02-26 | ||
| CH269374A CH601310A5 (en) | 1974-02-26 | 1974-02-26 | 7-Amino-3-hydroxy-2(or 3)-cephem-4-carboxylic acid derivs prepn |
| CH7766/74 | 1974-06-05 | ||
| CH11000/74 | 1974-08-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214772A true JPS60214772A (ja) | 1985-10-28 |
Family
ID=4239448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60048493A Pending JPS60214772A (ja) | 1974-02-26 | 1985-03-13 | ７β‐アミノ‐３（または‐２）‐セフエム‐３‐オール‐４‐カルボン酸化合物または２‐オキソアゼチジン化合物の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214772A (ja) |
| CH (1) | CH601310A5 (ja) |
| SU (1) | SU655316A3 (ja) |
| ZA (1) | ZA751154B (ja) |
-
1974
- 1974-02-26 CH CH269374A patent/CH601310A5/de not_active IP Right Cessation
-
1975
- 1975-02-24 SU SU752106955A patent/SU655316A3/ru active
- 1975-02-25 ZA ZA00751154A patent/ZA751154B/xx unknown
-
1985
- 1985-03-13 JP JP60048493A patent/JPS60214772A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA751154B (en) | 1976-02-25 |
| SU655316A3 (ru) | 1979-03-30 |
| CH601310A5 (en) | 1978-07-14 |
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