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JPS60154652A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60154652A
JPS60154652A JP59010178A JP1017884A JPS60154652A JP S60154652 A JPS60154652 A JP S60154652A JP 59010178 A JP59010178 A JP 59010178A JP 1017884 A JP1017884 A JP 1017884A JP S60154652 A JPS60154652 A JP S60154652A
Authority
JP
Japan
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pad
semiconductor device
bonding
pads
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59010178A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Okinaga
隆幸 沖永
Hiroshi Tate
宏 舘
Kanji Otsuka
寛治 大塚
Masayuki Shirai
優之 白井
Ken Okuya
謙 奥谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59010178A priority Critical patent/JPS60154652A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し技術分野〕 本発明は、ベレットと外部端子との電気的接続をワイヤ
ボンディングにて行なう半導体装置の性能向上に適用し
て有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕　“ ワイヤボンディングによりベレットと外部端子との電気
的接続を行なう半導体装置におい（は、ベレットの高集
積化に伴ないポンディングパッドをベレットの端部に沿
って一列に形ｂｙシただけでは対応できないため、２列
以上で形成することが必要になると考えられる。
このようなベレットでは、隣接してボンディングされる
ワイヤどうしの接触を避けるために、千鳥状にポンディ
ングパッド（以下千鳥パッドと言う）を配列し℃形成す
ることか考えられる。
ところが、前記ポンディングパッドではその形状をほぼ
四角形で形成する場合、ポンディングパッド形成帯とし
て、少なくとも該ポンディングパッド巾の２倍より大き
な巾乞ベレットの回路形成部周囲に確保する必要がある
ため、ベレット端部きくしなければならなくなり、コス
ト上および半導体装置の小型化の観点からも問題である
ことが本発明者によって見い出された。
し発明の目的〕 本発明の目的は、高集積度のベレットの小型化に適用し
て有効な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明丁ねば、次の通りである。
すなわち、ベレットの端部に沿っＣ２またはそれ以上の
列で形成されている所定の形状からなる千鳥パッドにお
いて、任意列のポンディングパッドの外側端部を、該列
に隣接する外側列のポンディングパッドの内側端部より
外側に位置せしめることにより、ボンディング機能ケ害
することなくホンティングパッド形成帯の巾を縮小する
ことができろことにより、ベレットの小型−化を達成す
るものである。
し実施例１〕 第１図は、本発明による実施例１である樹脂封止型半導
体装置を、そのほぼ中心部における断面図で示したもの
である。
本実施例１０半導体装置は、／Ｉ２アロイまたはコバー
ル等の金属からなるリードフレームのタブ１にろう材２
ヶ介して取り付けられたシリコン等から１工ろベレット
３および該ベレット３のポンディングパッド４とリード
フレームの内部リード５とを電気的に接続しているワイ
ヤ６を、エポキシ樹脂等でモールドした後、外部リード
７を切断し、折曲げ成形してなるものである。
第２図は、本実施例１０半導体装置の特徴であるベレッ
ト３の一部をワイヤ６を省略して示した拡大平面図であ
る。本図では、ベレット３の端部８に沿って２列に形成
きれている千鳥パッドを示してあり、該千鳥パッドは互
いに近接する側のコーナーを切除した六角形状で形成す
ることにより、内側パッド４ａの外側端部５を外側パッ
ド４ｂの内側端部５ａより外側の位置に形成し得たもの
である。
第２図に示すように、同列で隣接しているパッド間の距
離が該パッド巾より狭く配列形成された千鳥パッドの場
合は、パッド長さの２倍ン超える巾のポンディングパッ
ド形成帯が必要とされる、ただし、ペレット端部８に沿
っｆこ方向のパッド寸法をパッド巾、ペレット端部８に
垂直な方向のそれをパッド長とする。
一部、超音波ボンディングによるワイヤボンディングで
は、パッド上にワイヤの一部が押しつぶされた状態でボ
ンディングされるため、ボンディング領域としては所定
長さの中央部に一定の巾を有するものであれば、全体を
同じ巾で形成することは必要でない。
そこで、四角形状のホンディングパッドの不要部である
コーナ部を除去し、末端中が縮小された形状にすること
により、内側列のパッド間の距離がパッド巾より狭い状
態で配列されている千鳥パッドであつ又も、第２図に示
すように互いにパッドの端部な隣接する列の内部まで食
い込ませることができることにより、ポンディングパッ
ドと１２での機能ヶ維持した状態で該パッド形成帯の巾
を縮小させることができるものである。
従って、本実施例１０半導体装置では、高集積度のベレ
ットを搭載しても、通常の機能を害することなく小型化
を達成することができるものである。
なお、本実施例１に示す千鳥パッドはアルミニウムの蒸
着等の通常の方法により容易に形成することができるも
のである。
し実施例２］ 第３図は、本発明による実施例２である半導体装置のベ
レットを示−ｒ概略部分平面図である。
本実施例２０半導体装置は、前記実施例］と同様のもの
で、ベレット３のポンディングパッドのみが僅かに異な
るものである。
すなわち、本実施例２における千鳥パッドは前記実施例
１に示した千鳥パッドを、ベレット端部（辺）８に対し
て所定の角度に傾斜させて形成したもので、パッドも六
角形の類似した形状からなるものである。
本実施例２に示す千鳥パッドは、前記実施例１に示した
ものと同様の効果を有するものであるか、加えて、該パ
ッドから離れているリードと超音波ボンディングする場
合′Ｋ特に有効なものである。
〔実施例３〕 第４図は、本廃明による実施例３である半導体装置のペ
レットを示す概略部分平面図である。
本実施例３０半導体装置は、第４図に示すようにペレッ
ト３の千鳥パッド７３列で形成したところに特徴がある
もので、他は全て前記実施例１０半導体装置と同一のも
のである。
本実施例３における千鳥パッドの形状は、実施例１に示
したパッドの残っているコーナーＹ　も切除し、六角形
状にすることにより３列又はそれ以上の千鳥パッドであ
ってもポンディングパッド形成帯の巾を縮小可能にした
ものである。従って、ポンディングパッドが２列配列で
も足りない、高集積度のペレットに適用して有効なもの
である。
し実施例４］ 第５図は、本発明による実施例４である半導体装置のベ
レツトの一部を示−ｆ概略平面図であ２）。
本実施例４０半導体装置は、第５図に示てようにペレッ
ト３の千鳥パッドが円形状で形成さｉｌてなるもので、
その他はほとんど前記実施例１０半導体装置と同一のも
のである。
すなわち、前記実施例１より実施例４までは、超音波ボ
ンディングに適用して有効な千鳥パッド１であるに対し
、本実施例４に示すものはネイルヘッドボンディングに
適用して有効な形状のポンディングパッドからなる千鳥
パッドを有するものである。
〔効果〕
（１）、ワイヤボンディングにて電気的接続してなる半
導体装置について、そのペレットに２列以上で形成され
ている千鳥パッドにおいて、任意列のポンディングパッ
ドの外側端部を該列に隣接する外側列のボンデインクパ
ッドの内側端部より外側に位置するように形成すること
により、ホンディングパッド形成帯の巾を縮めることが
できる。
（２）、ポンディングパッドを末端中が縮小された形状
で形成することにより、超音波ボンディング用のポンデ
ィングパッドとしての機能を維持したまま、前記（１１
の効果を得ることができる。
（３）、ポンディングパッドをほぼ円形状で形成するこ
とにより、ネイルヘッドボンディングに適したポンディ
ングパッドとしての機能を維持したまま、前記（１）の
効果を得ることができる。
（４）、前記（１）および（２）、または（１）および
（３）より、ワイヤボンディングの信頼性が高い、高集
積度の小型ペレットを形成することができるので、半導
体の小型化を行なうことができる。
（５）、前記（１）または（２）において、ボンデイン
クパッドを所定の角度で傾斜させて形成することにより
、離れているパッドとリードとをボンディングする場合
の千鳥パッドとすることができる。
以上本発明者によっ壬なされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもなしＳ。
たとえば、実施例では、六角形、六角形および円形のポ
ンディングパッドのものについて説明したが、それに限
るものでなく、本発明の目的に合致する形状からなるも
のであれば、如何なるものであってもよく、特に、ネイ
ルヘッドボンディング用のポンディングパッドとしては
、はぼ正六角形または正八角形等の形状であってもよい
ことは言うまでもない。
〔利用分野〕
以上の説明では王として本発明者によってな畜れた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止型半導体装
置に適用した場合について説明ｌ〜たが、それに限定さ
れるものでは１ｒ　＜、たとえば、セラミックパッケー
ジからなる半導体装置等の、ワイヤボンディングで電気
的接続を行ＩＩっている半導体装置であれば、如何なる
ものについても適用して有効な技術である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による実施例１である樹脂封正型半導
体装置ヶ示す断面図、 第２図は、実施例】の半導体装置におけるべ１ノツトの
一部を示す概略平面図、 第３図は、本発明による実施例２である半導体装置にお
けるベレットの一部暑示す概略平面図、第４図は、本発
明による実施例３である半導体装置におけるベレットの
一部な示す概略平面図、第５図は、本発明による実施例
４である半導体装置におけるベレットの一部を示す概略
平面図である。 １・・・タブ、２・・・ろう、ｋ、３・・・ベレット、
４・・・ポンディングパッド、４ａ・・・内側パッド、
４ｂ・・・外側パッド、５・・・外側端部、５ａ・・・
内側端部、６・・・ワイヤ、７・・・外部リード、８・
・・端部。 第　１　図 第　２　図 ２、プ 第　３　図　７−３ 第　４　図 す 第　５　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　ポンディングパッドがベレット端部に沿ってほぼ
    平行に２またはそれ以上の列で千鳥状に配列して形成さ
    れてなる半導体装置において、任意列のポンディングパ
    ッドの外側端部が、該列に隣接する外側列のボンディン
    グバンドの内側端部より外側に位蓋して形成されでいる
    ことを特徴とする半導体装置。 ２、ポンディングパッドが、末端の巾が縮小された形状
    で形成され℃いることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の半導体装置。 ３、　ポンディングパッドが、はぼ円形状で形成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
    体装置。 ４、ポンディングパッドが、その全部または一部を所定
    の角度に傾斜させて形成されていることを特徴とする特
    許請求の範囲第２項記載の半導体装ｆ、。
JP59010178A 1984-01-25 1984-01-25 半導体装置 Pending JPS60154652A (ja)

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JP59010178A JPS60154652A (ja) 1984-01-25 1984-01-25 半導体装置

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JP59010178A JPS60154652A (ja) 1984-01-25 1984-01-25 半導体装置

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01107549A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JPH04214987A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Daikin Ind Ltd 連結型圧縮装置
US5300815A (en) * 1992-07-17 1994-04-05 Lsi Logic Corporation Technique of increasing bond pad density on a semiconductor die
US6590296B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device with staggered hexagonal electrodes and increased wiring width
EP3246940A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-22 MediaTek Inc. Semiconductor package assembly

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01107549A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JPH04214987A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Daikin Ind Ltd 連結型圧縮装置
US5300815A (en) * 1992-07-17 1994-04-05 Lsi Logic Corporation Technique of increasing bond pad density on a semiconductor die
US6590296B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device with staggered hexagonal electrodes and increased wiring width
US6798077B2 (en) 2000-12-04 2004-09-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device with staggered octagonal electrodes and increased wiring width
EP3246940A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-22 MediaTek Inc. Semiconductor package assembly
US10199318B2 (en) 2016-05-19 2019-02-05 Mediatek Inc. Semiconductor package assembly
US10468341B2 (en) 2016-05-19 2019-11-05 Mediatek Inc. Semiconductor package assembly

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