JPS6011704B2 - 5−フルオルウラシル誘導体の製造法 - Google Patents
5−フルオルウラシル誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS6011704B2 JPS6011704B2 JP51091899A JP9189976A JPS6011704B2 JP S6011704 B2 JPS6011704 B2 JP S6011704B2 JP 51091899 A JP51091899 A JP 51091899A JP 9189976 A JP9189976 A JP 9189976A JP S6011704 B2 JPS6011704 B2 JP S6011704B2
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- JP
- Japan
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- fluorouracil
- parts
- reaction
- bis
- group
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は5ーフルオノレゥラシル譲導体の新規な製造法
に関する。
に関する。
本発明の5−フルオルゥラシル誘導体は一般式(式中R
は水素原子又は−CH20R′基を示す。
は水素原子又は−CH20R′基を示す。
Rはアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルケニル
基、アラルキル基またはフェニル基を示す。ただし2つ
のRは同時に水素原子であることはなく、また上記R′
がアルキル基の場合は2つのRは共にmCH20R′基
を示すものとする)で表わされる化合物である。本発明
化合物か抗ビールス剤、抗腫傷剤として有用な化合物で
あり、各種の製造法が開発されている。
基、アラルキル基またはフェニル基を示す。ただし2つ
のRは同時に水素原子であることはなく、また上記R′
がアルキル基の場合は2つのRは共にmCH20R′基
を示すものとする)で表わされる化合物である。本発明
化合物か抗ビールス剤、抗腫傷剤として有用な化合物で
あり、各種の製造法が開発されている。
たとえば特関昭50一37787号及び特開昭51一1
9778号に記載の方法がある。しかしながら之等の方
法はいずれも塩基の存在下に5ーフルオルゥラシルとハ
ロゲン化物とを反応させる方法であり、いずれの方法に
於ても目的化合物を高収率且っ高純度で得られないとい
う欠点がある。本発明者らは上記の欠点を解消し得る5
ーフルオルウラシル誘導体の製造法を開発すべく数多の
努力を重ねて釆た。
9778号に記載の方法がある。しかしながら之等の方
法はいずれも塩基の存在下に5ーフルオルゥラシルとハ
ロゲン化物とを反応させる方法であり、いずれの方法に
於ても目的化合物を高収率且っ高純度で得られないとい
う欠点がある。本発明者らは上記の欠点を解消し得る5
ーフルオルウラシル誘導体の製造法を開発すべく数多の
努力を重ねて釆た。
その結果2・4−ビス(トリメチルシリル)−5ーフル
オルウラシル及び下記一般式‘2}で表わされるアセタ
ール化合物とを出発原料として用いることにより上記の
欠点を全て解消し得ることを発見して本発明を完成する
に至った。即ち本発明は2・4−ビス(トリメチルシリ
ル)−5−フルオノレゥラシルと一般式(式中R′は上
記に同じ意味を有する)で表わされるアセタール化合物
を反応させることを特徴とする一般式(式中Rは上記と
同じ意味を有する)で表わされる5−フルオルウラシル
譲導体の製造法に係る。
オルウラシル及び下記一般式‘2}で表わされるアセタ
ール化合物とを出発原料として用いることにより上記の
欠点を全て解消し得ることを発見して本発明を完成する
に至った。即ち本発明は2・4−ビス(トリメチルシリ
ル)−5−フルオノレゥラシルと一般式(式中R′は上
記に同じ意味を有する)で表わされるアセタール化合物
を反応させることを特徴とする一般式(式中Rは上記と
同じ意味を有する)で表わされる5−フルオルウラシル
譲導体の製造法に係る。
本発明に製造法に依れば、目的とする一般式‘11で表
わされる化合物を高純度且つ高収率で製造し得る。しか
も後述する如く出発原料の配合割合を変えることにより
N,−モノ置換−5−フルオルウラシル誘導体のみを、
あるいはN.・N3ージ置換−5−フルオルウラシル誘
導体のみを選択的に得ることができる。本発明の出発原
料である2・4−ビス(トリメチルシリル)−5−フル
オルウラシルは公知の化合物であり通常公知の方法によ
り容易に入手可能な化合物である。
わされる化合物を高純度且つ高収率で製造し得る。しか
も後述する如く出発原料の配合割合を変えることにより
N,−モノ置換−5−フルオルウラシル誘導体のみを、
あるいはN.・N3ージ置換−5−フルオルウラシル誘
導体のみを選択的に得ることができる。本発明の出発原
料である2・4−ビス(トリメチルシリル)−5−フル
オルウラシルは公知の化合物であり通常公知の方法によ
り容易に入手可能な化合物である。
本発明のもう一方の原料である一般式■のアセタール化
合物も入手容易な公知の化合物である。本反応において
上記2種の出発原料は溶媒中又は鍵客煤で反応させるこ
とが出釆るが反応時間、収率の点で一般に溶媒を用いて
反応させることが望ましい。
合物も入手容易な公知の化合物である。本反応において
上記2種の出発原料は溶媒中又は鍵客煤で反応させるこ
とが出釆るが反応時間、収率の点で一般に溶媒を用いて
反応させることが望ましい。
反応溶媒としては無水の非プロトン性溶媒例えばジクロ
ルメタン、ジクロルェタン、ァセトニトリル、ニトロメ
タン等が有利に用いられる。本反応は不活性ガス気流中
で行なうことが望ましい。また本反応は触媒の存在下に
行なうのが好ましく、触媒としてはルイス酸または沃化
ナトリウムが使用できる。ルイス酸としては例えば塩化
第二スズ、四塩化ケイ素、四塩化チタン、フッ化ホウ素
エチルエーテル等が好ましい。触媒の使用量は2・4−
ビス(トリメチルシリル)−5−フルオルウラシルにに
対してかなり広範囲に亘つて使用出来るが、工業的には
約0.1〜3当量比で使用することが望ましい。反応温
度は触媒としてルイス酸を使用する場合には通常−20
〜100qoで行なうことができるが室温〜50qoで
反応させることが好ましい。又沃化ナトリウムを使用す
る場合には通常室温〜150qo、好ましくは50〜1
0000で行なうのが望ましい。本反応において一般式
‘2)のアセタール化合物を204ービス(トリメチル
シリル)−5ーフルオルウラシルに対して1当量比使用
するれば生成物として主にN,一モノ置換−5−フルオ
ルウラシル譲導体が得られるが、2当量比以上使用すれ
ばN.・N3ージ置換−5−フルオルゥラシル誘導体が
得られる。反応の経過は薄層クロマトグラフィーにより
確認することが出来る。なおN,一モノ置換−N3−ト
リメチルシリル基置換−5−フルオルゥラシル誘導体は
不安定で、容易にトリメチルシリル基が水素原子で置換
される。本発明化合物は通常公知の方法により容易に精
製可能で、例えば反応終了後、反応溶媒を留去し残澄に
少量の水を加え、生成物をクロロホルム、メチレンクロ
ラィド等で数回抽出し、得られた抽出液を乾燥剤、例え
ば硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮して
粗生成物を得る。
ルメタン、ジクロルェタン、ァセトニトリル、ニトロメ
タン等が有利に用いられる。本反応は不活性ガス気流中
で行なうことが望ましい。また本反応は触媒の存在下に
行なうのが好ましく、触媒としてはルイス酸または沃化
ナトリウムが使用できる。ルイス酸としては例えば塩化
第二スズ、四塩化ケイ素、四塩化チタン、フッ化ホウ素
エチルエーテル等が好ましい。触媒の使用量は2・4−
ビス(トリメチルシリル)−5−フルオルウラシルにに
対してかなり広範囲に亘つて使用出来るが、工業的には
約0.1〜3当量比で使用することが望ましい。反応温
度は触媒としてルイス酸を使用する場合には通常−20
〜100qoで行なうことができるが室温〜50qoで
反応させることが好ましい。又沃化ナトリウムを使用す
る場合には通常室温〜150qo、好ましくは50〜1
0000で行なうのが望ましい。本反応において一般式
‘2)のアセタール化合物を204ービス(トリメチル
シリル)−5ーフルオルウラシルに対して1当量比使用
するれば生成物として主にN,一モノ置換−5−フルオ
ルウラシル譲導体が得られるが、2当量比以上使用すれ
ばN.・N3ージ置換−5−フルオルゥラシル誘導体が
得られる。反応の経過は薄層クロマトグラフィーにより
確認することが出来る。なおN,一モノ置換−N3−ト
リメチルシリル基置換−5−フルオルゥラシル誘導体は
不安定で、容易にトリメチルシリル基が水素原子で置換
される。本発明化合物は通常公知の方法により容易に精
製可能で、例えば反応終了後、反応溶媒を留去し残澄に
少量の水を加え、生成物をクロロホルム、メチレンクロ
ラィド等で数回抽出し、得られた抽出液を乾燥剤、例え
ば硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮して
粗生成物を得る。
この粗生成物は更に常法例えば再結晶、カラウクロマト
グラフィーにて精製することが出釆る。次に実施例及び
比較例を挙げて本発明を詳細に説明する。
グラフィーにて精製することが出釆る。次に実施例及び
比較例を挙げて本発明を詳細に説明する。
比較例 1
持関昭50一37787号に記載の方法に従った。
即ち5−フルオルウラシル5.0夕、炭酸カリウム5.
3夕及び沃化ナトリウム1.8夕をジメチルスルホキシ
ド30の‘に懸濁させ、メトキシクロルメタン2.1夕
のジメチルスルホキシド20の【溶液を加え、蝿梓下2
0qoで1幼時間反応させる。反応終了後水50泌を加
え、次いで塩酸を加えて反応液のpHを2.0に調整す
る。生成物をクロロホルムで数回抽出した後クロロホル
ムを蟹去し、得られる組成物を8Mのシリカゲルを用い
てカラムクロマトグラフで分離精製して(溶離液にベン
ゼン−酢酸エチル(1:1)を使用)、1・3ービス(
メトキシメチル)−5ーフルオルウラシル1.57夕を
得る。収率24%この方法では1−メトキシメチル−5
ーフルオルウラシル及び3−メトキシメチルー5−フル
オルウラシルを合成し得なかった。比較例 2 5−フルオルウラシル2.6夕をジメチルアセトアミド
の20羽溶液に炭酸カリウム1.40夕を加え、次いで
クロロメチルメチルェーテル1.72をジメチルアセト
アミド10の【溶液を30ooに維持しつつ滴下する。
3夕及び沃化ナトリウム1.8夕をジメチルスルホキシ
ド30の‘に懸濁させ、メトキシクロルメタン2.1夕
のジメチルスルホキシド20の【溶液を加え、蝿梓下2
0qoで1幼時間反応させる。反応終了後水50泌を加
え、次いで塩酸を加えて反応液のpHを2.0に調整す
る。生成物をクロロホルムで数回抽出した後クロロホル
ムを蟹去し、得られる組成物を8Mのシリカゲルを用い
てカラムクロマトグラフで分離精製して(溶離液にベン
ゼン−酢酸エチル(1:1)を使用)、1・3ービス(
メトキシメチル)−5ーフルオルウラシル1.57夕を
得る。収率24%この方法では1−メトキシメチル−5
ーフルオルウラシル及び3−メトキシメチルー5−フル
オルウラシルを合成し得なかった。比較例 2 5−フルオルウラシル2.6夕をジメチルアセトアミド
の20羽溶液に炭酸カリウム1.40夕を加え、次いで
クロロメチルメチルェーテル1.72をジメチルアセト
アミド10の【溶液を30ooに維持しつつ滴下する。
滴下終了後蝿伴下に30ooで4時間反応させる。減圧
下にジメチルアセトアミドを回収した後、残分を酢酸エ
チルで抽出する。酢酸エチル可溶分の薄層クロマトから
1・3ービス(メトキシメチル)−5−フルオルウラシ
ルの副生が認められた。シリカゲルを充填したカラムク
ロマトグラフイーを用いて1−メトキシメチルー5ーフ
ルオルゥラシル1.75夕を得る。収率50%実施例
1 2・4ービス(トリメチルシリル)一5ーフルオルウラ
シル5.5夕、沃化ナトリウム3夕及びジベンジルオキ
シメタン4.6夕をアセトニトリル30の【中に加え、
8時間還流する。
下にジメチルアセトアミドを回収した後、残分を酢酸エ
チルで抽出する。酢酸エチル可溶分の薄層クロマトから
1・3ービス(メトキシメチル)−5−フルオルウラシ
ルの副生が認められた。シリカゲルを充填したカラムク
ロマトグラフイーを用いて1−メトキシメチルー5ーフ
ルオルゥラシル1.75夕を得る。収率50%実施例
1 2・4ービス(トリメチルシリル)一5ーフルオルウラ
シル5.5夕、沃化ナトリウム3夕及びジベンジルオキ
シメタン4.6夕をアセトニトリル30の【中に加え、
8時間還流する。
反応終了後水20の‘を加えてクロロホルム20柵で3
回抽出する。クロロホルム層を無水硫酸ナトIJウムで
乾燥後濃縮する。残笹をクロロホルム:エタノール=1
0:1(V/V)の展開溶媒でシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーを行ない、1ーベンジロキシメチル一5ー
フルオルゥラシル2.5夕(収率50%)を得る。融点
152〜153q○元素分析値(C,2日,.FN20
3として)HC N計算値(%) 4.43 57.6
0 11.20測定値(%) 4.55 57.62
11.25実施例 22・4−ビス(トリメチルシリル
)−5−フルオルウラシル5.5夕、沃化ナトリウム3
夕及びジフエノキシメタン4.8夕をアセトニトリル3
0汎上中に加え「封管中140℃で10時間反応を行な
う。
回抽出する。クロロホルム層を無水硫酸ナトIJウムで
乾燥後濃縮する。残笹をクロロホルム:エタノール=1
0:1(V/V)の展開溶媒でシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーを行ない、1ーベンジロキシメチル一5ー
フルオルゥラシル2.5夕(収率50%)を得る。融点
152〜153q○元素分析値(C,2日,.FN20
3として)HC N計算値(%) 4.43 57.6
0 11.20測定値(%) 4.55 57.62
11.25実施例 22・4−ビス(トリメチルシリル
)−5−フルオルウラシル5.5夕、沃化ナトリウム3
夕及びジフエノキシメタン4.8夕をアセトニトリル3
0汎上中に加え「封管中140℃で10時間反応を行な
う。
反応終了後減圧濃縮し、残澄に水20泌を加えてクロロ
ホルム20肌で3回抽出する。クロロホルム層を濃縮し
、残澄をエタノールより再結晶して、1−フエノキシメ
チルー5ーフルオルウラシル2.4夕(収率50.6%
)を得る。融点151.5〜1520 元素分析値(C,.日9FN203として)HC N計
算値(%) 3.84 55.94 11.86測定値
(%) 3.61 55.64 11.54実施例 3
2・4ービス(トリメチルシリル)一5−フルオルウラ
シル5.5夕、沃化ナトリウム3夕及びジアリルオキシ
メタン3.19をアセトニトリル30のZに加えて3時
間還流する。
ホルム20肌で3回抽出する。クロロホルム層を濃縮し
、残澄をエタノールより再結晶して、1−フエノキシメ
チルー5ーフルオルウラシル2.4夕(収率50.6%
)を得る。融点151.5〜1520 元素分析値(C,.日9FN203として)HC N計
算値(%) 3.84 55.94 11.86測定値
(%) 3.61 55.64 11.54実施例 3
2・4ービス(トリメチルシリル)一5−フルオルウラ
シル5.5夕、沃化ナトリウム3夕及びジアリルオキシ
メタン3.19をアセトニトリル30のZに加えて3時
間還流する。
反応終了後減圧濃縮し、残笹に水20羽を加えてクロロ
ホルム20の‘で3回抽出する。クロロホルム層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥後濃縮する。残造をクロロホルム
:エタノール=10:1(V/V)の展開溶媒でシリカ
ゲルカラムクロ・マトグラフィーを行ない、油状の1ー
アリルオキシメチル一5ーフルオルウラシル3.4夕(
収率84.8%)を得る。元素分析値(C8比FN20
3として) HC N 計算値(%) 4.53 48.00 14.00測
定値(%) 4.71 47.69 13.80実施
例 42・4−ビス(トリメチルシリル)−5ーフルオ
ルウラシル332、沃化ナトリウム18夕及びジェトキ
シメタン30夕をアセトニトリル190の【中に加えて
6.虫時間還流する。
ホルム20の‘で3回抽出する。クロロホルム層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥後濃縮する。残造をクロロホルム
:エタノール=10:1(V/V)の展開溶媒でシリカ
ゲルカラムクロ・マトグラフィーを行ない、油状の1ー
アリルオキシメチル一5ーフルオルウラシル3.4夕(
収率84.8%)を得る。元素分析値(C8比FN20
3として) HC N 計算値(%) 4.53 48.00 14.00測
定値(%) 4.71 47.69 13.80実施
例 42・4−ビス(トリメチルシリル)−5ーフルオ
ルウラシル332、沃化ナトリウム18夕及びジェトキ
シメタン30夕をアセトニトリル190の【中に加えて
6.虫時間還流する。
反応終了後減圧濃縮し、残騰に水50仇‘を加えクロロ
ホルム50Mで3回抽出する。クロロホルム層を濃縮し
、残澄を水ーェタノール混合溶媒で再結晶して、113
ービス(ェトキシメチル)一5ーフルオルウラシル20
.7夕(収率83%)を得る。融点54qo元素分析値
(C,忍,よN204として)HC N 計算値(%) 6.14 48.74 11.38測定
値(%) 6.54 48.53 11.21実施例
52・4ーピス(トリメチルシリル)一5−フルオル
ウラシル5.5夕、沃化ナトリウム3夕及びジアリルオ
キシメタン7.7夕をアセトニトリル40の【中に加え
て5時間還流する。
ホルム50Mで3回抽出する。クロロホルム層を濃縮し
、残澄を水ーェタノール混合溶媒で再結晶して、113
ービス(ェトキシメチル)一5ーフルオルウラシル20
.7夕(収率83%)を得る。融点54qo元素分析値
(C,忍,よN204として)HC N 計算値(%) 6.14 48.74 11.38測定
値(%) 6.54 48.53 11.21実施例
52・4ーピス(トリメチルシリル)一5−フルオル
ウラシル5.5夕、沃化ナトリウム3夕及びジアリルオ
キシメタン7.7夕をアセトニトリル40の【中に加え
て5時間還流する。
反応終了後減圧濃縮し、残笹に水25の‘を加えてクロ
ロホルム20泌で3回抽出する。クロロホルム層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥後濃縮する。残澄をクロロホルム
:エタノール=10:1(V/V)の展開溶媒でシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを行ない、油状の1.3
ービス(アリルオキシメチル)一5ーフルオルウラシル
3.8夕(収率70.1%)を得る。元素分析値(C,
2日,5FN204として)HC N計算値(%) 5
.59 53.33 10.37測定値(%) 5.
80 53.34 10.22実施例 62・4ービス
(トリメチルシリル)一5−フルオルウラシル5.5夕
、メチレングリコールビス(2・3ージブロムプロピル
)エーテル11.7夕及び沃化ナトリウム3.0夕をア
セトニトリル30の‘中に加え窒素気流中6時間蝿梓還
流する。
ロホルム20泌で3回抽出する。クロロホルム層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥後濃縮する。残澄をクロロホルム
:エタノール=10:1(V/V)の展開溶媒でシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを行ない、油状の1.3
ービス(アリルオキシメチル)一5ーフルオルウラシル
3.8夕(収率70.1%)を得る。元素分析値(C,
2日,5FN204として)HC N計算値(%) 5
.59 53.33 10.37測定値(%) 5.
80 53.34 10.22実施例 62・4ービス
(トリメチルシリル)一5−フルオルウラシル5.5夕
、メチレングリコールビス(2・3ージブロムプロピル
)エーテル11.7夕及び沃化ナトリウム3.0夕をア
セトニトリル30の‘中に加え窒素気流中6時間蝿梓還
流する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 2・4−ビス(トリメチルシリル)−5−フルオル
ウラシルと一般式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R′はアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、ア
ルケニル基、アラルキル基またはフエニル基を示す)で
表わされるアセタール化合物とを反応させることを特徴
とする一般式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Rは水素原子又は−CH_2OR′(R′は上記
に同じ)を示す。 ただし2つのRが同時に水素原子であることはなく、ま
た上記R′がアルキル基の場合は2つのRは共に−CH
_2OR′基を示すものとする)で表わされる5−フル
オロウラシル誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51091899A JPS6011704B2 (ja) | 1976-07-30 | 1976-07-30 | 5−フルオルウラシル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51091899A JPS6011704B2 (ja) | 1976-07-30 | 1976-07-30 | 5−フルオルウラシル誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5318585A JPS5318585A (en) | 1978-02-20 |
JPS6011704B2 true JPS6011704B2 (ja) | 1985-03-27 |
Family
ID=14039404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51091899A Expired JPS6011704B2 (ja) | 1976-07-30 | 1976-07-30 | 5−フルオルウラシル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6011704B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5583760A (en) * | 1978-12-21 | 1980-06-24 | Ono Pharmaceut Co Ltd | Preparation of 5-fluorouracil derivative |
JPS5738774A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-03 | Chugai Pharmaceut Co Ltd | Uracil derivative and its preparation |
JPS5839672A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-08 | Chugai Pharmaceut Co Ltd | ウラシル誘導体 |
DE3786834T2 (de) * | 1986-04-30 | 1994-03-03 | Otsuka Pharma Co Ltd | 5-Fluoro-Uracil-Derivate. |
-
1976
- 1976-07-30 JP JP51091899A patent/JPS6011704B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5318585A (en) | 1978-02-20 |
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