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JPS5995538A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

Info

Publication number
JPS5995538A
JPS5995538A JP57205868A JP20586882A JPS5995538A JP S5995538 A JPS5995538 A JP S5995538A JP 57205868 A JP57205868 A JP 57205868A JP 20586882 A JP20586882 A JP 20586882A JP S5995538 A JPS5995538 A JP S5995538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
photoconductive layer
support
electrostatic latent
support electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57205868A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Mimura
三村　義行
Takao Okada
孝夫 岡田
Akitoshi Toda
戸田　明敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp, Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Corp
Priority to JP57205868A priority Critical patent/JPS5995538A/ja
Priority to US06/546,953 priority patent/US4492745A/en
Priority to FR8318460A priority patent/FR2536550A1/fr
Priority to DE3342311A priority patent/DE3342311C2/de
Priority to GB08331218A priority patent/GB2131191B/en
Publication of JPS5995538A publication Critical patent/JPS5995538A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は支持体電極、光導電層および透明絶縁層を有
する′４子写真感光体（こ関する。
従来、この種感光体を用いて複写するには、−次コロナ
帯電同時光＠露光、二次コロナ帯電、全面光照射と云う
プロセスによって静電潜像を形成する方法が知られてい
る。
第１図は、この静電潜像工程を示したもので、（ａ）は
−次コロナ帯電同時光像露光、（ｂ）はその後、キャリ
アが移動した時の状態、（Ｃ）は暗中での二次コロナ帯
電、（ｄ）は全面光照射、（ｅ）はその後、キャリアが
移動し、最終的な静１潜像ができた状態を示すものせあ
る。なお、Ｐは透明絶縁層１．光導電層２および支持体
電極３よりなる感光体で４はコロナ帯電器ｈ５は原稿で
ある。
上記原稿５を介して露光し、静電潜像を感光体上に形成
するプロセスが第１図であるが、この状態は理想的な場
合であり、実際には暗中に２いても。
支持体ｇ　ＧＸから光導電層へのキャリアの注入または
光導シ層から支持体磁極への注入、光導電層の暗減衰な
どｌこより、第１図に示す形態とは異る形をとっている
。
実際の形態ｌこおいて、暗中でのキャリアの注入が多い
と、最終的に得られる静電潜像の明部と暗部の表面α位
の差、即ちコントラスト電位が小さくなり十分な濃度を
もつ画像が得られなくなる。そこで、従来１等閑されて
いた支持体電極と光導電層との界面に注目し、支持体電
極の表面形状について調べた所、コントラスト：ｔ＋Ｑ
が大きくとれなかった感光体の支持体１極表ヴは、かな
り凸凹しており、この凸凹がコントラスト１位（こ煤影
響をおよぼしていると云う問題を有していた。
この発明は上記の問題に鑑みて、支持体電極の光導電層
側の表面を４面にすることにより、静電潜像のコントラ
スト電位を充分高めることができ。
良質の画像を得る湛のできるシ子写真帳光体を提供する
ことを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する
。第２図は感光体の基本的構造を示すもので、支持体電
憧７の上に光導電層８を形成し。
この光導′電層８を覆うように、透明絶縁層９を設けた
ものである。
上記支持体電極８は、　ＡＩ！、Ｎｉ、　Ｍｏ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ　。
Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｉｒ
、　ステンレス。
その他の金属や合金あるいは金属１合金、　　ＩＴＯ等
で導′シ処理を施したガラス、セラミック、合成樹脂フ
ィルム等の材料で形成され、形状はドラム状。
ベルト状あるいは平板状など複写装置の形状に応じて形
成される。
光導電層８としては、　　ｃｄｓ、Ｚｎｃｄｓ　、Ｚｎ
Ｏ等バインダー系の光導電性物質や、　ＰＶＫ、ＴＮＦ
またはＳｅ。
５ｅＴｅ　、　５ｅＡｓ等の有機光導電性物質などがあ
げられる。
透明絶縁層９としては、抵抗の高い（１０１４Ωｃｍ以
上）ポリエチレンテレフタートフィルム、テフロンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ホｌＪ弗化ビニルフィ
ルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム等で
成膜したものや、バラキシリレン等を気相蒸着によって
形成したもの、あるいは塩化ビニルさ酢酸ビニルの共重
合樹脂、メタアクリル樹脂、ポリエステル１対脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビニソ
デン樹脂等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、アルキッ
ド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹Ｉ
（旨等の熱硬化性樹脂があげられる。
このような基本構造を基に形成した電子写真感光体の実
験例により、以下に詳しく説明する。
実施例 ＄１２８ｘ２（’１４のＡｊ？ドラムをダイアモンド加
工により６表面粗さ０．ＩＳ以下に鏡面加工した後、真
空蒸着により、　Ｓｅ戒荷輸送層および５ｅＴｅ磁荷発
生層を順に積層する。
この真空蒸着は、まず真空蒸着装置内を１０　’　ｔｏ
ｒｒ程度まで真空にし、同時にＡｒドラムを５５℃ｌこ
基板加熱する。ＡＩ！ドラムの温度が安定した所で、ボ
ート加熱により９９．９９％のＳｅを１７０分蒸着し、
その後Ｔｅを８優を含有する５ｅＴｅを７７）３０沙蒸
着して膜４５０μｍの光導成ｆｊを得、Ｊ麦１′安（こ
光導１注１の上に１６μｍの透明絶縁層を形成して感光
体のサンプルを得た。
実施例 実験例１と同様に０．１Ｓ以下に鏡面加工したｆ１２８
Ｘ２０４のＡＩ！ドラムを、Ｉゾロ１００のサンドペー
パーにより粗面に加工し、その上に形成する光導電層な
どは実験例１と同様にして感光体を形成してサンプルと
した。
実施例 Ｎ０２４０　のサンドペーパーでＡ７　　ドラム表面を
粗面加工し、その上に実験例１と同様にして光導シ体層
などを積１−シた感光体をサンプルとした。
実施例 Ｎｏ６ＱＯのサンドペーパーによりＡ／　　ドラム表１
を粗面〃ロエし、実験例１と同５．填にして形成した感
光体をサンプルとした。
以上の、柵＜作製したサンプルは蒸着前に触針式の表面
粗さ計；こよって１表面を測老した所、その徂ざは次の
ようであった。
以上のサンプルを用いて、静電替像形成の実験を行った
。作ｉ象プロセスとしては、−次コロナ帯電としてコロ
トロンによりワイヤー電圧＋６ＫＶをかけながら、同時
にハロゲンランプにより光像を露光する。ついで二次コ
ロナ帯電としてスコロトロンによりワイヤー電圧−７，
５ｉ（Ｖ、グリッド電圧−１，５ＫＶで逆帯電させたの
ち、１５Ｗの螢光灯により全面照射を行った。
この時のコントラスト電位は、以下のようであった。
この表からも解るように１表面粗さはコントラスト電位
に大きな影響を与えていることがわかる。
また、別の実験で一次帯亀、二次ＡＣ除電同時光像露光
、全面光照射と云う、所謂ＮＰ方式を用いて静電潜像を
形成した。
この作像プロセスは、−次帯電時キャリアの注入性がよ
いもの程、高いコントラスト電位が得られるようなプロ
セスであり、上記夷１験例１〜４に。
このプロセスを用いた時、上記表とは逆に、実験例２〜
４は実用上問題のない５００Ｖ近いコントラスト電位が
得ら’ｔ％だのに対し、実験例１では１２０Ｖ程度の低
いコントラスト電位しか得られなかった。
以上の具から明らかなよう１こ、支持体電甑の表面を境
面加工して形【戊した電子写真感光体は１作１象プロセ
ス依存性を持ち、−次コロナ帯電同時光鍛露光、二次コ
ロナ帝覗および全面光照射と云うプロセスに対して極め
て有効である事が解った。
なお、支持体電極表面の粗さが、少なくとも１５８以上
の阻さでは高いコントラスト電位が得られないので、鏡
面加工の粗さは］、５８以下である事が必要である。
以上詳述したように、この発明によると、光導電層側の
支持体電極表面を鏡面（＝加工した感光体を用いる事に
より、高いコントラスト電位を得る事ができ、良好な画
像を得る事のできる電子写真感光体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａｌ　（ｂ）　ｆｃ）　（ｄ）　（ｅｌは、こ
の発明を説明するための各工程を説明するための図、第
２図は、この発明の一実施例を示す構造図である。 １．９・・・透明絶縁層 ２．８・・・光導電層 ３．７・・・支持体電極 一２１’。 （ａ）　　　　　第１図 （ｄ） 第２図 （Ｃ） 特許庁長官若杉和夫　　殿 １、事件の表示 特願昭５７−２０５８６８号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社５、自発補正 の内容 願明細書中第３頁第１８行目に記載の「あるいは金属６
合金、」を「あるいは金属合金、」と訂正する。 （２）同Ｊ桓明、泪書中第４頁第３行目に記載のｌ’−
ｃｄｓ。 Ｚｎｃｄｓ、　Ｊをｒｃｄｓ　、　ＺｎＣｄ５．Ｊと訂
正する。 （３）同願明細書中第４頁第４行乃至第６行目に記載の
ｒＰＶＫＴＮＦまたは〜などがあげられる。」をｒ　Ｓ
ｅ、　５ｅＴｅ　、５ｅＡｓ等の無機光導電性物質や、
ＰＶＫ　、　ＴＮＦ’等の有機光導電性物質などがあげ
られる。」と訂正する。 ｆａｔ　　口頚明細書中第５頁第２行目に記載のｒ、（
１２８０４」を「φ１２８Ｘ２０４　Ｊ々訂正する。 明明細書中第７頁第３行目に記載の「１５Ｗを抹消する
。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）−次コロナ帯電同時光像露光、二次コロナ帯電お
    よび全面光照射と云う静電潜像形成プロセスに用いる電
    子写真感光体において、上記電子写真感光体の基本的構
    成が、支持体電極の上ｆこ光導電層および透明絶縁層を
    順次形成し、上記支持体電極の光導電層側の表面を鏡面
    にした事を特徴とする電子写真感光体。
  2. （２）　　上記支持体電罹表面の粗さが１．５Ｓ以下で
    ある事を特徴とする特許請求の範囲第１項の１子写真感
    光体。
JP57205868A 1982-11-24 1982-11-24 電子写真感光体 Pending JPS5995538A (ja)

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US06/546,953 US4492745A (en) 1982-11-24 1983-10-31 Photosensitive member for electrophotography with mirror finished support
FR8318460A FR2536550A1 (fr) 1982-11-24 1983-11-21 Dispositif photosensible pour electrophotographie
DE3342311A DE3342311C2 (de) 1982-11-24 1983-11-23 Verwendung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials
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