JPS5994596A - レ−ザによるヒユ−ズ溶断装置 - Google Patents
レ−ザによるヒユ−ズ溶断装置Info
- Publication number
- JPS5994596A JPS5994596A JP57205043A JP20504382A JPS5994596A JP S5994596 A JPS5994596 A JP S5994596A JP 57205043 A JP57205043 A JP 57205043A JP 20504382 A JP20504382 A JP 20504382A JP S5994596 A JPS5994596 A JP S5994596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- objective optical
- objective
- intensity distribution
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ウェハ上の不良エレメントと予備エレ
メントとをヒユーズの溶断によって切り替えるレーデに
よるヒユーズ溶断装置に関する。
メントとをヒユーズの溶断によって切り替えるレーデに
よるヒユーズ溶断装置に関する。
チップに冗長性を持たせる手段としてウェハ上に予備エ
レメントを設け、不良エレメントと予備エレメントとを
ヒユーズの溶断によって切シ替える技術が知られている
。上記ヒユーズを溶断する手段としては電気的溶断方式
とレーデ溶断方式とがあるが、前者は1本のヒユーズに
付、?ンデイングパットを2個必要とするが、後者はギ
れが不要となシ、はるかに小さなチップサイズが実現で
きることがら多用されている。
レメントを設け、不良エレメントと予備エレメントとを
ヒユーズの溶断によって切シ替える技術が知られている
。上記ヒユーズを溶断する手段としては電気的溶断方式
とレーデ溶断方式とがあるが、前者は1本のヒユーズに
付、?ンデイングパットを2個必要とするが、後者はギ
れが不要となシ、はるかに小さなチップサイズが実現で
きることがら多用されている。
第1図および第2図は従来のレーデによるヒユーズ溶断
装置を示すもので、1はペースである。このペース1上
にはXYテーブル2が設ケられている。このXYテーブ
ル2のXテーブル3はX方向リニアモータ4に連結され
、Yテーブル5は接続テーブル6を介してY方向リニア
モータ7に連結されている。一方、8はYAGレーデヘ
ッドで、このYAGレーデヘッド8がら発振されたレー
デビームLはコリメータ9によって平行光束化され、ミ
ラー1oによって直角に曲げられて上記Xテーブル3上
に設置されたミラー1ノに入射するようになっている。
装置を示すもので、1はペースである。このペース1上
にはXYテーブル2が設ケられている。このXYテーブ
ル2のXテーブル3はX方向リニアモータ4に連結され
、Yテーブル5は接続テーブル6を介してY方向リニア
モータ7に連結されている。一方、8はYAGレーデヘ
ッドで、このYAGレーデヘッド8がら発振されたレー
デビームLはコリメータ9によって平行光束化され、ミ
ラー1oによって直角に曲げられて上記Xテーブル3上
に設置されたミラー1ノに入射するようになっている。
このミラー11によって反射されたレーデビームLは上
記Yテーブル5の先端に設置されたミラー12によって
折曲され対物レンズ13に導びかれるようになっている
。この対物レンズ13によって集光された光は焦点にお
いて10μm以下の直径に絞られ、ウエノ・14上の各
チップ内に配置された微小なヒユーズを溶断するように
なっている。このウェハ14はXYθテーブル15上に
載置され、チップ内の所定のヒユーズの溶断が終るごと
にXYθテーブル15が1チップ分のステップとリピー
ト動作を行ない、つぎのチップ内のヒユーズの処理は、
対物レンズ13を駆動する上部のXYテーブル2が高速
。
記Yテーブル5の先端に設置されたミラー12によって
折曲され対物レンズ13に導びかれるようになっている
。この対物レンズ13によって集光された光は焦点にお
いて10μm以下の直径に絞られ、ウエノ・14上の各
チップ内に配置された微小なヒユーズを溶断するように
なっている。このウェハ14はXYθテーブル15上に
載置され、チップ内の所定のヒユーズの溶断が終るごと
にXYθテーブル15が1チップ分のステップとリピー
ト動作を行ない、つぎのチップ内のヒユーズの処理は、
対物レンズ13を駆動する上部のXYテーブル2が高速
。
高精度に移動するようになっている。
ところで、従来のヒユーズ溶断装置は、対物レンズ13
の光軸をxyの任意の座標に高速。
の光軸をxyの任意の座標に高速。
高精度で位置決めするためには、ミラー11゜12およ
び対物レンズ13を同時に同距離動作させなければなら
ず、また、Y方向の移動にミラー12と対物レンズ13
を同時に同距離動作させなければ人らない。したがって
、これら光学系を高速、高精度に動かすためにはこれら
を載置するテーブルすなわちXYテーブル2はかなシの
剛性を必要とし、l軸車シの可動部の重量はアルミ化し
ても10Kf前後になっている。
び対物レンズ13を同時に同距離動作させなければなら
ず、また、Y方向の移動にミラー12と対物レンズ13
を同時に同距離動作させなければ人らない。したがって
、これら光学系を高速、高精度に動かすためにはこれら
を載置するテーブルすなわちXYテーブル2はかなシの
剛性を必要とし、l軸車シの可動部の重量はアルミ化し
ても10Kf前後になっている。
このため、リニアモータ4,7を採用しても高速化に限
度があシ、高精度化という点でもその大きさは環境の変
化すなわち振動や温度変化を受けやすく、また、スケー
ルなどの取付位置に制約を受けるなどの問題があった。
度があシ、高精度化という点でもその大きさは環境の変
化すなわち振動や温度変化を受けやすく、また、スケー
ルなどの取付位置に制約を受けるなどの問題があった。
この発明は上記事情にもとづきなされたもので、その目
的とするところは、ウェハの所定位置に光軸を高速、高
精度に位置決めすることができるとともに、装置の小形
、軽量化を図ることができるレーザによるヒユーズ溶断
装置を提供しようとするものである。
的とするところは、ウェハの所定位置に光軸を高速、高
精度に位置決めすることができるとともに、装置の小形
、軽量化を図ることができるレーザによるヒユーズ溶断
装置を提供しようとするものである。
この発明は光軸をXY座標に位置決めするxyYテーブ
ルア・ぐ−チャーと対物レンズとからなる対物光学系だ
けを搭載し、XYテーブルへの搭載重量を大幅に軽減し
、XYテーブルの小形。
ルア・ぐ−チャーと対物レンズとからなる対物光学系だ
けを搭載し、XYテーブルへの搭載重量を大幅に軽減し
、XYテーブルの小形。
軽量化を図9、高速、高精度に動作させることができる
ようにしたことにある。
ようにしたことにある。
以下、この発明を図面に示す一実施例にもとづいて説明
する。第3図中21はYAGレーデヘッドからなるレー
ザ発振器で、このレーザ発振器21から発振されたレー
ザビームしはコリメータ22によって大口径の平行光束
化されたのちフィルタ23を透過するようになっている
。
する。第3図中21はYAGレーデヘッドからなるレー
ザ発振器で、このレーザ発振器21から発振されたレー
ザビームしはコリメータ22によって大口径の平行光束
化されたのちフィルタ23を透過するようになっている
。
このフィルタ23はその濃度分布がレーデビームLの出
力分布に対応しており、透過したレーザビームLは強度
分布が均一化する。この強度分布が均一化された平行光
束はミラー24によって直角に反射され、後述する対物
光学系25に落射されるようになっている。この、対物
光学系25はアパーチャー26と対物レンズ27とから
なり、これらは第1図に示した従来のヒユーズ溶断装置
と同様にXYテーブル2に取付けられ、XY座標に位置
決めされるようになっている。そして、上記ミラー24
から落射された強度分布の均一な平行光束の一部がア・
母−チャー26を介して対物レンズ27に導びがれ、こ
の対物レンズ27によって10μm以下に絞られるよう
になっている。この対物レンズ27によって絞られたレ
ーデビームLは光エネルギーが常に一定で、安定したヒ
ユーズ溶断が可能である。なお、ウェハ28は従来と同
様にXYθテーブル29に載置され、チップ間の移動が
なされるようになっている。
力分布に対応しており、透過したレーザビームLは強度
分布が均一化する。この強度分布が均一化された平行光
束はミラー24によって直角に反射され、後述する対物
光学系25に落射されるようになっている。この、対物
光学系25はアパーチャー26と対物レンズ27とから
なり、これらは第1図に示した従来のヒユーズ溶断装置
と同様にXYテーブル2に取付けられ、XY座標に位置
決めされるようになっている。そして、上記ミラー24
から落射された強度分布の均一な平行光束の一部がア・
母−チャー26を介して対物レンズ27に導びがれ、こ
の対物レンズ27によって10μm以下に絞られるよう
になっている。この対物レンズ27によって絞られたレ
ーデビームLは光エネルギーが常に一定で、安定したヒ
ユーズ溶断が可能である。なお、ウェハ28は従来と同
様にXYθテーブル29に載置され、チップ間の移動が
なされるようになっている。
このように、XYテーブルに取付けられる対物光学系2
5はア・ぐ−チャ−26と対物レンズ27の2部品であ
シ、1軸当シの移動重量は2Kq以内で製作が可能とな
る。
5はア・ぐ−チャ−26と対物レンズ27の2部品であ
シ、1軸当シの移動重量は2Kq以内で製作が可能とな
る。
この発明は以上説明したように、対物光学系のみをXY
テーブルに搭載し、XY座標の位置決めをするように構
成しだから、XYテーブルへの搭載重量を大幅に軽減す
ることができ、XYテーブルの小形、軽量化を図ること
ができる。
テーブルに搭載し、XY座標の位置決めをするように構
成しだから、XYテーブルへの搭載重量を大幅に軽減す
ることができ、XYテーブルの小形、軽量化を図ること
ができる。
したがって、XY方向動作の高速、高精度化カン可能に
なるという効果を奏する。
なるという効果を奏する。
第1図は従来のヒユーズ溶断装置の斜視図、第2図は同
じく光学系を示す斜視図、第3図はこの発明の一実施例
を示す斜視図である。 21・・・レーデ発振器、25・・・対物光学系、28
・・・ウェハ、29・・・XYθテーブル。
じく光学系を示す斜視図、第3図はこの発明の一実施例
を示す斜視図である。 21・・・レーデ発振器、25・・・対物光学系、28
・・・ウェハ、29・・・XYθテーブル。
Claims (1)
- ウェハ上の不良エレメントと予備エレメントトラヒユー
ズの溶断によって切り替えるレーデによるヒユーズ溶断
装置において、レーデ発振器から発振されだレーデビー
ムを平行光束化したのち強度分布を平坦化する光学系と
、この光学系と光学的に接続する対物光学系を搭載しそ
の対物光学系の光軸をXY座標に位置決めするXYテー
ブルと、上記対物光学系と対向して設けられ上記ウェハ
を載置するXYθYテーブル5備したことを特徴とする
レーデによるヒユーズ溶断装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57205043A JPS5994596A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | レ−ザによるヒユ−ズ溶断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57205043A JPS5994596A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | レ−ザによるヒユ−ズ溶断装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5994596A true JPS5994596A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16500497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57205043A Pending JPS5994596A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | レ−ザによるヒユ−ズ溶断装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5994596A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006090949A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Eo Technics Co., Ltd. | Oxygen blocking device, and laser processing apparatus and method using the same |
CN102176085A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-09-07 | 清华大学 | 使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239893A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-28 | Nec Corp | Device for irradiating a laser beam |
JPS57118881A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Nec Corp | Laser scanning device |
-
1982
- 1982-11-22 JP JP57205043A patent/JPS5994596A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239893A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-28 | Nec Corp | Device for irradiating a laser beam |
JPS57118881A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Nec Corp | Laser scanning device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006090949A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Eo Technics Co., Ltd. | Oxygen blocking device, and laser processing apparatus and method using the same |
CN102176085A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-09-07 | 清华大学 | 使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构 |
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