JPS5991717A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
- Publication number
- JPS5991717A JPS5991717A JP20271082A JP20271082A JPS5991717A JP S5991717 A JPS5991717 A JP S5991717A JP 20271082 A JP20271082 A JP 20271082A JP 20271082 A JP20271082 A JP 20271082A JP S5991717 A JPS5991717 A JP S5991717A
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- JP
- Japan
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- grounding
- narrow part
- output
- input
- protrusion
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロストリップ線路を用いたマイクロ波帯
でのＭＩＣ化増幅器などのマイクロ波回路装置に関する
。
でのＭＩＣ化増幅器などのマイクロ波回路装置に関する
。
従来例の構成とその問題点
近年、マイクロ波帯での増幅器としては、低雑音のガリ
ウムひ素ＦＩ汀またはシリコントランジスタを能動素子
として用い、マイクロストリップ線路を用いたＭＩＣ（
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）回路が一般的である。こ
の増幅器の回路植成は、第１図（ａ） （ｂ）に示すよ
うにＦＥＴ （４）ではソース端子（６）を接地し、ま
たトランジスタ（８）ではエミッタ端子０１を接地し、
それぞれ人出回路には整合スタブ（３） （，４）を付
ける方法がよ（用いられる。なお（ＩＪ （’１１は直
流阻止コンデンサ、 Ｌ２１ （ｉ）は商周波チョーク
、（５）はゲート端子。
ウムひ素ＦＩ汀またはシリコントランジスタを能動素子
として用い、マイクロストリップ線路を用いたＭＩＣ（
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）回路が一般的である。こ
の増幅器の回路植成は、第１図（ａ） （ｂ）に示すよ
うにＦＥＴ （４）ではソース端子（６）を接地し、ま
たトランジスタ（８）ではエミッタ端子０１を接地し、
それぞれ人出回路には整合スタブ（３） （，４）を付
ける方法がよ（用いられる。なお（ＩＪ （’１１は直
流阻止コンデンサ、 Ｌ２１ （ｉ）は商周波チョーク
、（５）はゲート端子。
（７）はドレイン端子、（９）はベース端子、ＯＩ）は
コレクタ端子である。
コレクタ端子である。
このようなマイクロ波回路では、接地を中途半端な形で
とると、いわゆる接地が浮いた状態となって、利得が減
少したり、回路動作が不安定となる。また、マイクロ波
帯においては、わずかなリード線でもインダクタンスと
なるため、実装に際しては接地すべき位置からできるだ
け近い位置で接地しなければならない。
とると、いわゆる接地が浮いた状態となって、利得が減
少したり、回路動作が不安定となる。また、マイクロ波
帯においては、わずかなリード線でもインダクタンスと
なるため、実装に際しては接地すべき位置からできるだ
け近い位置で接地しなければならない。
さ°Ｃ１現γＦ、主流となっているマイクロ波帯のＦＥ
Ｔのパッケージ構造は、第２図に示すように半導体デツ
プをル゛１小形セラミックパッケージａカに組み込Ａ７
だハーメチックシール構造のものである。
Ｔのパッケージ構造は、第２図に示すように半導体デツ
プをル゛１小形セラミックパッケージａカに組み込Ａ７
だハーメチックシール構造のものである。
このような半ｊｐｆ体素子を増幅能動素子として用いる
場合には、第８図（ａｔに示すように上面（Ｂ）に突出
部（１４ａ）（１４ｂ）をＡ％？けた接地等体Ｑ１が用
いられている。そして、半導体素子の接地等体（１３へ
の実装は。
場合には、第８図（ａｔに示すように上面（Ｂ）に突出
部（１４ａ）（１４ｂ）をＡ％？けた接地等体Ｑ１が用
いられている。そして、半導体素子の接地等体（１３へ
の実装は。
第８１’＜ｌ （ｄ） （ｅｌに示すように、セラミッ
クパッケージ０擾から延びる接地側１°１韮極としての
２本のソース幼子（６ａ）（６ｂ）がそれぞれ接地導体
α３の前記突出部゛（１４ａ）（１４ｂ）に平日」付は
接続され、ケート端子（５）とドレイン卯１子（７）は
、突出部（１４ａ）（１４ｂ）のｊｌｆｌ伸で前記上面
［Ｆ］）」−に配設された誘体基板（１５ａ）（１５ｂ
）のマイクロストリップ線路（１６ａ）（１６ｂ）に半
田付は接続さ第１．ている。
クパッケージ０擾から延びる接地側１°１韮極としての
２本のソース幼子（６ａ）（６ｂ）がそれぞれ接地導体
α３の前記突出部゛（１４ａ）（１４ｂ）に平日」付は
接続され、ケート端子（５）とドレイン卯１子（７）は
、突出部（１４ａ）（１４ｂ）のｊｌｆｌ伸で前記上面
［Ｆ］）」−に配設された誘体基板（１５ａ）（１５ｂ
）のマイクロストリップ線路（１６ａ）（１６ｂ）に半
田付は接続さ第１．ている。
しかしながら、このような従来のマイクロ波回路装置で
は、使用周波数が数ＧＨｚ程度までは実用に供するが１
０ＧＩＩｚ程度をこえる周波数帯になると。
は、使用周波数が数ＧＨｚ程度までは実用に供するが１
０ＧＩＩｚ程度をこえる周波数帯になると。
半導体素子の入出力間のフィードバック容量が無視でき
なくなり１回路が発振状態になったり、利得が低下する
などの現象が起こり１回路側作が不安定になるという欠
点がある。
なくなり１回路が発振状態になったり、利得が低下する
などの現象が起こり１回路側作が不安定になるという欠
点がある。
発明の目的
本発明は入出力間のシールド効果を向上させて、高い周
波数（１）においても安定７ｊ １ｌＬＩ作を期待でき
るマイクロ波回路装置を提供することを目的とする。
波数（１）においても安定７ｊ １ｌＬＩ作を期待でき
るマイクロ波回路装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明のマイクロがζ回路装ｆ＋”ｊ ＩＪ、 、中間
部に幅Ｊノζ８１へを有する接地用突出部を接地導体の
上面に設け。
部に幅Ｊノζ８１へを有する接地用突出部を接地導体の
上面に設け。
この接地用突出部の両側でＯｉ」配接地導体の上面に一
端がそれぞれ前記幅狭部の近傍にｊ＋Ｌ：びるマイクロ
ストリップ線路を有する誘電体基板を設け、自σ記幅狭
部の上に半導体素子を配設してこの半導体素子の２つの
接地側電極を幅狭部で互いに接続される前記接地用突出
部のうちのＩＩ＋１４広部にそれぞれ接続し、半導体パ
ッケージの入出力側電極をそれぞれ銹電体娘板の＠Ｉ記
マイクロストリップ線路に接続し、接地用突出部の２つ
の幅広部を幅狭部で接続した一体の突出部とすることに
よってシールド効果をとｊｌめたことを特徴とする。
端がそれぞれ前記幅狭部の近傍にｊ＋Ｌ：びるマイクロ
ストリップ線路を有する誘電体基板を設け、自σ記幅狭
部の上に半導体素子を配設してこの半導体素子の２つの
接地側電極を幅狭部で互いに接続される前記接地用突出
部のうちのＩＩ＋１４広部にそれぞれ接続し、半導体パ
ッケージの入出力側電極をそれぞれ銹電体娘板の＠Ｉ記
マイクロストリップ線路に接続し、接地用突出部の２つ
の幅広部を幅狭部で接続した一体の突出部とすることに
よってシールド効果をとｊｌめたことを特徴とする。
実施例のρ２．明
以下本発明の実施例な第４Ｎ−第６図番こ基づｔ）で説
明する。なお、従来とｈ１１様の作用を成すものには同
−句号をＩＪけてその説明を省く。
明する。なお、従来とｈ１１様の作用を成すものには同
−句号をＩＪけてその説明を省く。
第４図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発明によるマイクロ
波回路装置ｉ’ｔの接地入り体０：ｊ −’ｇ ＄す。
波回路装置ｉ’ｔの接地入り体０：ｊ −’ｇ ＄す。
接地等体＾の上面（１３）の中央には、中間部が幅狭と
なった幅狭部Ｏηと、この１１１、口“、１４Ｆ４ｒ；
０７１まりも幅広で幅狭部ａ屑こよって（４続される
幅ム部（１８ａ）（１８ｂ）とから成る接地用突出部ａ
ｒｅ力（一体に形成さ１ｔでいる。
なった幅狭部Ｏηと、この１１１、口“、１４Ｆ４ｒ；
０７１まりも幅広で幅狭部ａ屑こよって（４続される
幅ム部（１８ａ）（１８ｂ）とから成る接地用突出部ａ
ｒｅ力（一体に形成さ１ｔでいる。
この接地等体６９への半導体素子の実装は、Ｑ’ｔ４図
（（］） （ｅ）に＞Ｊ＼すように、セラミックバツク
ージθ４から延びる接地側喧拘（としての２本のソース
ｇＩ１１子（６ａ）（６ｂ）がそれぞれ幅広部（１８ａ
）（１８ｂ）に半田付は接続され、ケート端子（５）と
ドレイン端子（７）は、接地用突出８（ζ（ｒυの両側
で前記」二面（Ｉ３）上に配設されたＡＩＪＮＫｈｓ板
（１５ａ）（１５ｂ）のマイクロストリップ線路（１６
ａ）（１６ｂ）に半田付は接続されている。
（（］） （ｅ）に＞Ｊ＼すように、セラミックバツク
ージθ４から延びる接地側喧拘（としての２本のソース
ｇＩ１１子（６ａ）（６ｂ）がそれぞれ幅広部（１８ａ
）（１８ｂ）に半田付は接続され、ケート端子（５）と
ドレイン端子（７）は、接地用突出８（ζ（ｒυの両側
で前記」二面（Ｉ３）上に配設されたＡＩＪＮＫｈｓ板
（１５ａ）（１５ｂ）のマイクロストリップ線路（１６
ａ）（１６ｂ）に半田付は接続されている。
θ（に第４図の作用を従来例の場合と比較して説明する
。
。
第５／（ａｔは従来の実装状ｋＴ、、を表わす第８図（
ｅｌの拡大図を示す。従来では接地導体時の上面［Ｆ］
）に設けられた突出部Ｂ４ａ）とＢ４ｂ）とは、マイク
ロストリップ線路（１６ａ）と（１６ｂ）との対向部分
において切り欠かれて墾隙と、なっているため、入出力
回路の間にストレートの結合＄＠０１が発生して入出力
間のフィードバック容量として作用する。そしてこの結
合谷な四は周波数が高くなるに従って増加して行く。
ｅｌの拡大図を示す。従来では接地導体時の上面［Ｆ］
）に設けられた突出部Ｂ４ａ）とＢ４ｂ）とは、マイク
ロストリップ線路（１６ａ）と（１６ｂ）との対向部分
において切り欠かれて墾隙と、なっているため、入出力
回路の間にストレートの結合＄＠０１が発生して入出力
間のフィードバック容量として作用する。そしてこの結
合谷な四は周波数が高くなるに従って増加して行く。
これに対して第５図（ｂ）は本発明による第４図（ｅ）
の拡大図を示し、突出部（１４ａ）（１４ｂ月ζ相当す
る幅広部（１８ａＨ１８ｂ）は幅狭部αηによって接続
されているため、この場合、接地面側の人出力回路間に
は。
の拡大図を示し、突出部（１４ａ）（１４ｂ月ζ相当す
る幅広部（１８ａＨ１８ｂ）は幅狭部αηによって接続
されているため、この場合、接地面側の人出力回路間に
は。
従茫のような入出力間の結合谷ｐμはほとんど発生しな
い。なお、この場合には、入力回路と幅狭部αηとの間
、および出力回路と幅狭部Ｑηとの間にそれぞれ結合谷
間ω）ｃ２υが発生するが、これは入出力間のフィード
バック容量として作用しないため。
い。なお、この場合には、入力回路と幅狭部αηとの間
、および出力回路と幅狭部Ｑηとの間にそれぞれ結合谷
間ω）ｃ２υが発生するが、これは入出力間のフィード
バック容量として作用しないため。
従来に比べて安定な動作が期待できる。
更に、第４図では入出力間のフィード／＜ツク容量とな
る結合′８量Ｑ１を減少させるために幅広部（１８ａ）
（１８ｂ）を接続しｔコにもかかわらず、その接続部分
は幅広部Ｃｌ８ａ）（１８ｂ）よりも幅が狭い幅狭部（
＋７）としたため、セラミックパッケージ０埠から延び
るゲート端子（５）およびドレイン端子（７）が接地用
突出部（＋２）にショートすることがない。
る結合′８量Ｑ１を減少させるために幅広部（１８ａ）
（１８ｂ）を接続しｔコにもかかわらず、その接続部分
は幅広部Ｃｌ８ａ）（１８ｂ）よりも幅が狭い幅狭部（
＋７）としたため、セラミックパッケージ０埠から延び
るゲート端子（５）およびドレイン端子（７）が接地用
突出部（＋２）にショートすることがない。
上記実施例では、接地導体＾の中央に接地導体（１；ｉ
の全幅りにわＴコって接ｊｌｌｔ用突出部必が設けられ
ていたが、これは第６図のように１幅りよりも短い場合
でも同様である。
の全幅りにわＴコって接ｊｌｌｔ用突出部必が設けられ
ていたが、これは第６図のように１幅りよりも短い場合
でも同様である。
発明の詳細
な説明のように本発明のマイクロ波回路装置ａによると
１次のような効果が冴られる。
１次のような効果が冴られる。
○ 入出力端子間のフィードバック容量は、使用する素
子のパッケージング構造によっても影響を受けるが本発
明は接地用突出部が連続しているため、入出力回路がこ
れによってシールドされ、接地面側の入出力回路間の結
合谷咀が減少し、同一のパッケージングされた素子を用
いた場合には従来に比べて高い周波数帯まで安定した回
路動作が期待できる。
子のパッケージング構造によっても影響を受けるが本発
明は接地用突出部が連続しているため、入出力回路がこ
れによってシールドされ、接地面側の入出力回路間の結
合谷咀が減少し、同一のパッケージングされた素子を用
いた場合には従来に比べて高い周波数帯まで安定した回
路動作が期待できる。
０ 接地用突出部は中間部が幅狭に形成されているため
、この上に配設される半導体パッケージから廷びる入出
力電極が接地用突出部とショートすることがない。
、この上に配設される半導体パッケージから廷びる入出
力電極が接地用突出部とショートすることがない。
第１図（ａ） （ｂ）はマイクロ波帯増幅器の一般的な
回路図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ）はそれぞれマイ
クロ波帯用ＦＥＴの外観、斜視図、底面図、側面図、第
８図（ａ）〜（ｅｌは従来の接地導体の外観斜視図、平
面図、同図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図、実装状態の平面図
、同図（ｄ）のＡ−Ａ’断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）
は本発明の一実施例の接地導体の外観斜視、図、平面図
、同図（ｂｌのＡ−Ａ’ ｌｆｉ面゛図、実装状態の平
面図、同図（ΦのＡ−Ａ’断面図。 第６図＜ａ） （ｂ）はそれぞれ従来の実装状１郡と本
発明による実装状態の動作説明図、第６図（ａ＞（ｂ）
は他の実施例の接地導体の外観斜視図と平面図である。 （５） ・・・ゲート端子、 （６１（６ａ）（６ｂ）
−ソース端子、（７）・・・ドレイン端子、（６）・・
・セラミックパッケージ、ａｊ・・・接地〃メ体 、４
・・・接Ｊｌｔ２用突出部、 （１５ａ）（１５ｂ）・
・・誘ｍ体基析、 （１６ａ）（１６ｂＪ・・・マイク
ロストリップ線路、０η°°°幅狭部、 （１８ａ）（
１８ｂ）−幅広部代理人 森本義弘 １０１ 第１図 （む （障 第２図 （々） （め （Ｃλ 第３図 第４図 □］ 第５図 δ ｌ島 一／６１ ｉ′ 。ト。
回路図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ）はそれぞれマイ
クロ波帯用ＦＥＴの外観、斜視図、底面図、側面図、第
８図（ａ）〜（ｅｌは従来の接地導体の外観斜視図、平
面図、同図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図、実装状態の平面図
、同図（ｄ）のＡ−Ａ’断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）
は本発明の一実施例の接地導体の外観斜視、図、平面図
、同図（ｂｌのＡ−Ａ’ ｌｆｉ面゛図、実装状態の平
面図、同図（ΦのＡ−Ａ’断面図。 第６図＜ａ） （ｂ）はそれぞれ従来の実装状１郡と本
発明による実装状態の動作説明図、第６図（ａ＞（ｂ）
は他の実施例の接地導体の外観斜視図と平面図である。 （５） ・・・ゲート端子、 （６１（６ａ）（６ｂ）
−ソース端子、（７）・・・ドレイン端子、（６）・・
・セラミックパッケージ、ａｊ・・・接地〃メ体 、４
・・・接Ｊｌｔ２用突出部、 （１５ａ）（１５ｂ）・
・・誘ｍ体基析、 （１６ａ）（１６ｂＪ・・・マイク
ロストリップ線路、０η°°°幅狭部、 （１８ａ）（
１８ｂ）−幅広部代理人 森本義弘 １０１ 第１図 （む （障 第２図 （々） （め （Ｃλ 第３図 第４図 □］ 第５図 δ ｌ島 一／６１ ｉ′ 。ト。
Claims (1)
- １、 中間部に幅狭部を有する接地用突出部を接地導体
の上面に設け、この接地用突出部の両側で前記接地導体
の上面に一端がそれぞれ前記幅狭部の近傍に延びるマイ
クロストリップ線路を有する誘電体基板を設け、 Ｏｉ
ｌ記！ｂ＋狭部の上に半導体素子を配設してこの半導体
素子の２つの接Ｊ′ｌｌＪ側電極を幅狭部で互いに接続
されるｎｉＩ記接地用突出部のうちの幅広部にそれぞれ
接続し、半導体素子の入出力４＋！！＋電極をそれぞれ
誘電体基板のＯｉｌ記マイクロストリップ線路に接続し
たマイクロ波回ｌｌ！Ｍ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20271082A JPS5991717A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20271082A JPS5991717A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991717A true JPS5991717A (ja) | 1984-05-26 |
| JPS6256684B2 JPS6256684B2 (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=16461865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20271082A Granted JPS5991717A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991717A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625179A (en) * | 1985-10-07 | 1986-11-25 | Rockwell International Corporation | Space feedback apparatus for field effect transistors |
| WO2003094202A2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-13 | Bridgewave Communications, Inc. | Micro circuits with a sculpted ground plane |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP20271082A patent/JPS5991717A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625179A (en) * | 1985-10-07 | 1986-11-25 | Rockwell International Corporation | Space feedback apparatus for field effect transistors |
| WO2003094202A2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-13 | Bridgewave Communications, Inc. | Micro circuits with a sculpted ground plane |
| US6667549B2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-12-23 | Bridgewave Communications, Inc. | Micro circuits with a sculpted ground plane |
| WO2003094202A3 (en) * | 2002-05-01 | 2004-04-01 | Bridgewave Communications Inc | Micro circuits with a sculpted ground plane |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6256684B2 (ja) | 1987-11-26 |
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