[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS5969142A - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents

膜形成方法及び膜形成装置

Info

Publication number
JPS5969142A
JPS5969142A JP57179305A JP17930582A JPS5969142A JP S5969142 A JPS5969142 A JP S5969142A JP 57179305 A JP57179305 A JP 57179305A JP 17930582 A JP17930582 A JP 17930582A JP S5969142 A JPS5969142 A JP S5969142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film forming
chamber
film
reaction chamber
forming apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57179305A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideji Yoshizawa
吉澤　秀二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57179305A priority Critical patent/JPS5969142A/ja
Priority to DE3336064A priority patent/DE3336064C2/de
Priority to US06/541,308 priority patent/US4526805A/en
Publication of JPS5969142A publication Critical patent/JPS5969142A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は基体の表面上に膜を形成させる膜形成方法及
び膜形成装置、特に原料ガスを分解し、分解された原料
ガス中に含まれる元素を含む膜を基体の表面上に形成さ
せる膜形成方法及び膜形成装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に、低圧下において原料ガスをグロー放電により分
解し、分解された原料ガス中に含まれる元素を含む膜を
基体の表面上に形成させる膜形成装置として、誘導結合
形もしくは容量結合形のグラノ７　ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置
が知られている。このプラズマＣＶＤ装置においては、
減圧された反応室内に原料ガスが導入され、反応室を取
シ囲むように設けられた高周波コイルもしくは反応室内
に設けられた一対の対向電極に高周波電力が供給され、
もって反応室内の原料ガスからグロー放電によりグラズ
マが生成され、反応室内に載置された基体の表面上に原
料ガス中の元素を含む膜が形成されるＯこのようなプラ
ズマＣＶＤ装置を用い、例えば珪素を含む原料ガスを放
電分解して、広い面積の基体の表面に、膜を広く形成す
ることが、最近提案されている。このようにして成膜さ
れた基体は、アモルファス・シリコン感光体として使用
され得る。ここで、珪素を含む原料ガスとして、最も一
般的に用いられるのは７ラン（５ｔＨ４）である。この
シランを放電分解すると、プラズマ発光を伴って、種々
のラジカル・イオンが生成される。これら活性分子種が
基体の表面上に堆積され、このようにして水素を含むア
モルファス・シリコン膜が形成される。
しかしながら、このようなプラズマＣＶＤ装置によって
アモルファス・シリコン膜を形成する場合には、成膜時
間が長くかかるという欠点が指摘されている。特に広い
面積に渡って成膜しなければならない時には、かなシの
成膜時間が必要である。
このような成膜時間の長時間化による弊害を除去するた
めに、即ち、成膜速度を上げるために、グロー放電に使
用される高周波電力を増加させる事が考えられる。しか
しながら、単に高周波電力を増加しただけでは、均一な
膜厚を有しての膜形成が広い面積に渡ってなされないば
かシか、良質なアモルファス・シリコン膜を形成するこ
とはできない。
この良質なアモルファス・シリコン膜が形成されない理
由として、膜形成動作中に、プラズマから放射された光
が、基体の表面上で成長中の膜に照射されることによシ
、不安定で活性な膜の表面近傍の結合が切断され、この
結合の切断に基づく欠陥が形成されるからである。特に
、プラズマから放射される光のうち、紫外線は高いエネ
ルギーを有し、膜中にフリーラジカルを多数形成させ易
い。
このようにして、単に高周波電力を増加するだけでは、
放射される光強度も強くなシ、良質な膜が形成されなく
なる。この良質ｉ膜が形成されない事は以下のようにし
て検証される。即ち、一般に、強い光強度を有する光の
照射による光伝導度や暗伝導度の減少は、５ｔｅａｂｌ
ｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｆ効果として知られている。これら
の現象は光照射によシ欠陥が増加することに起因してお
υ、定量的には、ダングリングボンドによるフォトルミ
ネッセンスの減少やＥＳＲ（電子スピン共鳴）のスピン
密度の増加によって理解される。
従って、従来のプラズマＣＶＤ装置では、特性の良い膜
を形成するためには、電力は低く押えられなければなら
ず、この条件で早い成膜速度を達成することは不可能で
あった。
〔発明の目的〕
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、この
発明の目的は、特性の良い、均一な膜厚を有しての膜形
成を、短い成膜時間で行なうことのできる膜形成方法及
び膜形成装置を提供することである。
〔発明の概要〕
この発明に係る膜形成方法は、原料ガスを分解して活性
分子種を生成し、生成された活性分子種を反応させて成
膜室内に支持されている基体上に膜を形成する膜形成方
法において、上記成膜室内における膜形成に先立って、
原料ガスを予め分解して活性分子種を生成し、この生成
された活性分子種を上記成膜室内に導入することを特徴
としている。
この発明に係る膜形成装置は、反応室と、基体が載置さ
れる成膜室と、反応室と成膜室とを互いに連通せしめる
連通手段と、反応室に接続された原料ガス供給手段と、
成膜室に接続された減圧手段と、反応室内に設けられ、
ここに原料ガス供給手段から供給された原料ガスを分解
して活性分子種を生成せしめる生成手段と全具備し、前
記連通手段は、反応室で生成された活性分子種を成膜室
にもたらすと共に、分解の際に放射された光の成膜室へ
の到達を阻止する事を特徴としている。従って、この発
明によれば、原料ガスの分解の際に放射された光の、成
膜中の膜への悪影響を除去することができ、特性のよし
・、均一な膜厚を有しての膜形成を、短い成膜時間で行
なうことが実現される。
成膜中の膜表面は、不安定で活性であるので、もし、原
料ガスの分解に伴う光がこの膜表面に照射されると、膜
表面近傍の結合が切断され、ダングリングボンドが生成
される。このダングリングボンドは、膜中に欠陥を作シ
出し、膜の特性が大幅に劣下する。この発明では、原料
ガスの分解を基体が載置される成膜室とは別個に設けら
れた反応室で行い、且つ、成膜室と反応室との間に１分
解された活性分子種＃−ｉ通過させるが分解に伴って放
射された光の通過を阻止する連通手段を設けている。従
って、欠陥の少ない良質の膜がこの発明に係る膜形成方
法及び膜形成装置によって形成される。また、この発明
に係る膜形成方法及び膜形成装置によれば、光の影響を
除去しているので、光の強度の増大を伴う生成手段にお
ける分解反応を促進でき、もって、活性分子種の濃度を
高めて、成膜速度を早めることができる。
〔発明の実施例〕
以下に、この発明に係る膜形成装置の第１の実施例を、
添付図面の第１図及び第２図を参照して、詳細に説明す
る。
第１図に示すように、第１の実施例の膜形成装置１０は
、反応装置１２と、成膜装置１４と、反応装置１２と成
膜装置１４とを互いに連通せしめる連通装置１６とを備
えている。
反応装置１２は第１の基台１８とこの第１の基台１８上
に固定して設けられた第１のケーシング２０とを備えて
いる。この第１の基台１８と第１のケーシング２ｏとに
ょシ囲まれる空間は反応室２２として規定される。この
反応室２２内には一対の対向電極２４．２６が所定間隔
だけ互いに離間して配設されている。一方の電極２４は
高周波電源２８に接続され、他方の電極２６は接地され
ている。
第１のケーシング２ｏには、ガス導入管３゜の一端が接
続され、反応室２２内に開口している。このガス導入’
ｆｌｓｏには、第１．第２並びに第３ツバｐｖフ３２　
、３４　、３６をそれぞれ介して第１．第２釜びに第３
のボンベ３８，４０゜４２が接続されている。第１のボ
ンベ３８には、原料ガスとして、アモルファス・シリコ
ン膜ヲ形成するために、シラン（５ＩＨ４）が収容され
ている。このガス導入管３０．第１のバルブ３２、第１
のボンベ３８によって、原料ガス導入手段が構成される
。
第２のボンベ４ｏには、原料ガスに、必要に応じて混合
される添加物ガスが収容されている。
この添加物ガスとしては、例えば、ＧｅＨ４ｅｓｎｃ１
４゜ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ６，Ｎ２．　ＮＨ３，Ｎ
２０　、０２等のガスが用いられる。ここで、ＧｅＨ４
ｚ　５ｎＣＺ４は、形成されたＳｉを含む膜において、
Ｓｆの一部をＧｅあるいはＳｎに置換する目的で原料ガ
スに混入される。このように一部ＧｅあるいはＳｎで置
換されたＳｉを含む膜は、長波長光に対して増大した感
度を有するようになり、例えばレーデ光に対処し得る電
子複写装置用の感光体に好適する。ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，
Ｃ２Ｈ６，Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２０゜０２は、形成された
Ｓｉを含む膜において、ＳＩの一部をＣ，Ｎ、又はＯで
置換する目的で原料ガスに混入される。このように一部
Ｃ，Ｎ又はＯで置換されたＳｉを含む膜は、大きな光エ
ネルギーギャップを有するようＫなる。
第３のぎンペ４２には、形成される膜にドーピングされ
るべき不純物ガスが収容されている。
この不純物ガスとしては例えばＢ２Ｈ６，ＰＨ３゜Ａｇ
、Ｈ３等のガスが用いられる。ここでＢ２Ｈ６は、形成
されたＳｔを含む膜にＢを不純物としてドーピングする
目的で原料ガスに混入される。このようにＢがドーピン
グされたＳｔを含む膜では、Ｎ型半導体に近いアモルフ
ァス・シリコン力、みかけ上、真性半導体となる。また
、ＰＨ３，ＡｓＨ３は、形成されたＳｔを含む膜にＰあ
るいはＡｌ１を不純物としてドーピングする目的で原料
ガスに混入される。このようにＰあるいはＡｓがドーピ
ングされたＳｔを含む膜はＮ型半導体となる。
尚、原料ガスとして、７ラン（５ＩＨ４）を用いたが、
アモルファス・シリコン膜を形成するためには、このシ
ランに限定されることなく、例えば、ジシラン（ＳＩ２
Ｈ６）、トリシラン（Ｓｌ、Ｈ８）等の高次シランを用
いることもできる。
このようにして、反応装置１２は、容量結合形のプラズ
マＣＶＤ装置を構成することになる。
ここで、この反応装置１２は、グロー放電によって原料
ガ弯、添加物ガス、ドーピングガスヲ分解して励起する
ものであるが、原料ガス、添加物ガス、ドーピングガス
の分解、励起のためには、グロー放電による他に、マイ
クロ波放電、熱分解、光分解等によっても良い。
前述した成膜装置１４は、反応装置１２と所定間隔を置
いて離間して配設され、第２の基台４４と、この第２の
基台４４上に、取シ外し町能に設けられた第２のケーシ
ング４６とを備えている。この第２の基体４４と第２の
ケーシング４６とによって囲まれる空間は、成膜室４８
として規定される。
この成膜室４８内には１個の基体５０が保持されている
。この基体５０は、例えばアルミニウムから中空円筒状
に形成され、直径１３０韮、軸長２８９ｕを有している
。この基体５０は、回転自在な保持台５２上に載置され
ている。この保持台５２上の略中央部には、ここに載置
される基体５０を所定温度に加熱するためのヒータ５４
が設けられている。
この保持台５２には、これを中心軸回シに回転駆動する
ための、駆動機構５６が取シ付けられている。この駆動
機構５５は、保持台５２の下面の中央部に、下方に突出
して設けられた駆動軸５６を備えている。この駆動軸５
６の下端は、第２の基台４４を貫通し、第２の基台４４
の下方に延出している。この駆動軸５６の中間部は、第
２の基台４４にベアリング５８を介して回転自在に支持
されている。尚、ベアリング５８は、成膜室４８を気密
に保持している。
この駆動軸５６の下端部には、従動歯車６０が、これと
同軸に固定されている。この従動歯車６０に噛合した状
態で、駆動歯車６２が設けられている。この駆動歯車６
２は、モータ６４の回転軸の一端に、これに同軸に固定
されている。従って、モータ６４が起動することによシ
、保持台５２は回転駆動される。
第２の基台４４には複数の連通孔６６が形成されている
。各連通孔６６には、排気枝管６８がそれぞれ接続され
、各排気枝管６８は共通の排気本管７０にまとめられて
いる。この排気本管７０は減圧手段としての排気ポンプ
７２に接続されている。従って排気ポンプ７２の起動に
伴って、成膜室４８内は減圧され、この中のガスは排気
される。尚、図示していないが、排気ボングア２は空気
清浄装置に接続されていて、排気ポンプ７２を介して排
出ばれたガスは、ここで清浄化されて大気に放出される
。
前述しだ連通装置１６は、第１のケーシング；ｚｏとｍ
２のケーシング４６との互いに対向する側面の略中央部
にそれぞれ接続されたストレートな連通管７４を備えて
いる。この連通管７４を介して反応室２２と成膜室４８
とは互いに連通状態にもたらされる。即ち、この連通管
７４を介して、反応室２２で分解された原料ガス、添加
物ガス、不純物ガスの活性分子種は、成膜室４８内にも
たらされる。
この連通管７４内には、複数のノぐツフル板７６が互い
に所定間隔を有して設けられている。
これらバックル板７６は、前述した活性分子種の通過は
許容するが、グロー放電に際して放射された反応室２２
からの光の通過を阻止するように配設されている。即ち
、この連通装置１６は、反応室２２で生成された活性分
子種のみを成膜室４８に移動せしめ、光が成膜室４８内
に到達しないようにしている。
以上のように構成される膜形成装置１０における膜形成
方法について以下に説明する。
まず、排気ポンシフ２によって成膜室４８内を所定圧力
まで減圧する。次いで、各ノ４ルプ３２．３４．３６を
開放して、ガス導入管３０を介して反応室２２中に原料
ガス、添カロ物ガス。
不純物ガスを導入する。そして、対向電極２４゜２６間
に高周波電源２８力・ら所定電圧を有する電力を印加し
、対向電極２４．２６間にグロー放電を生じせしめる。
この結果、反応室２２内でプラズマが発生し、このプラ
ズマは反応室２２内の原料ガス、添加物ガス、不純物ガ
スを分解して、種々の活性分子種になすとともに、強度
の光を放出する。
反応室２２で生成された種々の活性分子種は、連通装置
１６の・９ツフル板７６の間を通って、連通管７４を介
して成膜室４８内にもたらされ、ここでヒータ５４によ
って加熱された基体５０の表面上に堆積する。尚、この
基体５０は駆動機構５５によって、回転駆動されている
。従って、基体５０の表面上には、均一な膜厚を有して
アモルファス・シリコン膜〃；形成される。
一方、反応室２２内で発生したプラズマから放出された
光は、連通装置１６のバッフル板７６によって遮蔽され
、成膜室４８内には到達しない。従って、成膜されたア
モルファス・シリコン膜には、光が照射されずに、良質
々膜となる。
尚、種々の活性分子種の濃度を濃くして、成膜速度を向
上させる目的で、高周波電源２８の電力を上げたとして
も、成膜されたアモルファス・シリコン膜は劣下しない
。即ち、高周波電源２８の電力を上げることによりプラ
ズマから放出される光の強度も増大するが、この光の成
膜室４８への到達は、連通装置１６のバッフル板７６に
よって阻止されているので、成膜中のアモルファス・シ
リコン膜に、光の照射による悪影響が及ぼされることは
ない。従って、この第１の実施例によれば、高周波電源
２８の電力を上げることによシ、膜の特性を損うことな
く、成膜速度を上げることが可能になる。
このようにこの第１の実施例の膜形成装置１０及び膜形
成方法を用い、原料ガスとして珪素を含むガス、例えば
シランガスを用い、適当々添加物ガスや不純物ガスを混
入させることによシ基体の表面上に形成されたアモルフ
ァス・シリコン膜は、電子複写装置の感光体や太陽電池
等への利用が可能となる。
以下に、第１図に示す第１の実施例の膜形成装置ｌＯを
用いて、下記の条件で膜形成方法を実行した場合の実験
例について、第２図を参照して説明する。
実験条件 原料ガス・・・シラン（ＳｉＨ４） 原料ガスの流量・・・１５０〜１０’ＯＯ（ＳＣＣＭ）
基体の温度・・２５０℃ 高周波電力・・・０〜６００　（Ｗ） （周波数１３．５６　ＭＨｚ　） 第２図において、実線Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ原料ガス
の流量を１５０，５００．１０１０００（ＳＣＣと設定
した場合の供給電力と成膜速度との関係をそれぞれ示し
ている。これらの関係から、高周波電力とガスの流量と
を増大することにょシ、成膜速度が向上することが理解
される。
一方、一点鎖線Ｅは原料ガスの流量を５００ｓｃｃｙｒ
に設定した場合の、従来の膜形成装置によって成膜され
たアモルファス・シリコン膜のスピン密度と供給電力と
の関係を示しておフ、破線Ｆは原料ガスの流量を５ｏｏ
ｓｃｏＭに設定した場合の、この第１の実施例の膜形成
装置及び膜形成方法によって成膜されたアモルファス・
シリコン族のスピン密度と供給電力との関係を示してい
る。一点鎖線Ｅと破ｉＦとで示されたそれぞれの関係か
ら、この第１の実施例の膜形成装置及び膜形成方法を用
いることにょシ、スピン密度の少ないアモルファス・シ
リコン膜を形成することができるようになる。換言すれ
ば、プラズマから放出された光が成膜中の膜に、直接照
射されないようにしたので、ダングリングボンドに基づ
く欠陥状態の少ない、良質な膜が形成されるようになる
。
この発明は上述した第１の実施例の構成に限定されるこ
となく、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可
能である。以下に、この発明の他の実施例を説明する。
尚、以下の説明の中で、第１の実施例と同一の部分には
、同一符号を付してその説明を省略する。
第３図は、この発明に係る膜形成装置の第２の実施例を
示している。第１の実施例においては、連通装置１６は
、第１のケーシング２０と第２のケーシング４６との相
互対向部の略中央部分を互いに連結するストレートな連
通管７４と、この連通管７４中に設けられたバッフル板
７６とを備えている。しかしながら、この連通装置は、
このような構成に限定されることなく、第３図に示すよ
うに構成してもよい。即ち、第２の実施例の連通装置８
０は、第１のケーシング２０と第２のケーシング４６と
の相互対向部の上端部を互いに連結するストレートな連
通管８２を備えている。この連通管８２は、反応室２２
の上端部と成膜室４８の上端部とを互いに連通状態にし
ている。連通装置８０をこのように構成したので、反応
室２２で生成された種々の活性分子棟は、この上方に配
置された連通管８２を介して成膜室４８にもたらされ、
反応室２２内でプラズマから放出された光は、第１のケ
ーシング２０の側壁に遮げられて、成膜室４８に至るこ
とはない。このように連通装置８０を構成することによ
り、第２の実施例は第１の実施例と同様な作用・効果を
奏することができる。
尚、この連通管８２は第１のケーシング２゜と第２のケ
ーシング４６との相互対向部の上端部を互いに連結する
ものでなくとも良く、下端部を互いに連結するようにし
ても良い。要は、この連通ｖ８２の取シ付は位置は、こ
れを介してプラズマから射出された光が成膜室４８に至
らないように設定されていれば良い。
第４図はこの発明に係る膜形成装置の第３の実施例を示
している。この第３の実施例の連通装＠８４Ｆｉ、途中
が屈曲した連通管８６を備えている。この連通管８６は
、第１のケーシング２０と第２のケーシング４６との相
互対向部の略中央部に、それぞれ連結されている。この
連通管８６は、反応室２２のプラズマから射出された光
が直接ここを通って成膜室４８に至らない程度に屈曲さ
れている。このように連通装置８４を構成することによ
り、第３の実施例は第１の実施例と同様の作用・効果を
奏することができる。
第５図は、この発明に係る膜形成装置の第４の実施例を
示している。第１の実施例においては、反応室２２は第
１のケーシング２０．！：第１の基台１８と釦よシ、ま
た成膜室４８は第２のケーシング４６と第２の基台４４
とによシ、それぞれ規定され、且つ反応室２２と成膜室
４８とは互いに連通装置１６によって連通されていた。
しかし、この発明は、このような構成に限定されること
なく、第５図に示すように構成しても良い。即ち、第４
の実施例の膜形成装置８８は、共通の基台９０と、この
共通な基台９０上に取シ外し自在に設けられた共通のケ
ーシング９２とを備えている。このケーシング９２内の
略中程には、ケーシング９２の内部空間を左右に２分割
すると共に両者を連通せしめる連通装置９４が配設され
ている。この連通装置９４によって、ケーシング９２の
内部空間は、左方の反応室２２と右方の成膜室４８とに
分割される。換言すれば、反応室２２と成膜室４８とは
連通装置９４を介して互いに連通している。
この連通装置９４は第１列として上下方向に延出し、所
定空間を有して互いに隣接する複数の第１の仕切板９６
と、第２列として第１列の側方で上下方向に延出し、所
定間隔を有して互いに隣接する複数の第２の仕切板９８
とを備えている。第１の仕切板９６及び第２の仕切板９
８は千鳥状に配設されている。即ち、第１列の各空間の
直側方に、第２列の各仕切板７８が位置するように配設
されている。尚、各空間の大きさは仕切板９８より小さ
く形成され、もってこの空間を介して反応室２２のプラ
ズマから放射された光が成膜室４８に到達しないように
なされている。膜形成装置８８をこのように構成するこ
とにより、第４の実施例は第１の実施例と同様の作用・
効果を奏することができるようになる。
尚、上述した種々の実施例の説明の中で、基体５０は中
空円筒状であると説明したが、形状はこれに限定される
ことなく、例えば平板状であっても良い。また、基体５
０は成膜室４８内に１個配設されるように説明したが、
個数は限定されず、任意の複数個であっても良い。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、この発明によれば、特性の良い、
均一な膜厚を有しての膜形成を、短い成膜時間で行なう
ことのできる膜形成方法及び膜形成装置が提供される。
特に、原料ガスとして珪素及び水素を含むガスを用いた
場合、水素は珪素のダングリングボンドと効率よく結合
し、ＥＳＲ測定によるスピン密度が少ない、特性の良い
アモルファス・シリコン膜が成膜される。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る膜形成方法が適用される膜形成
装置の第１の実施例を概略的に示す断面図、第２図は第
１図に示す膜形成装置を用いて成膜した場合の、供給電
圧と成膜速度及びスピン密度との関係を示す線図、第３
図はこの発明に係る膜形成装置の第２の実施例を概略的
に示す断面図、第４図はこの発明に係る膜形成装置の第
３の実施例を概略的に示す断面図、そして第５図はこの
発明に係る膜形成装置の第４の実施例を概略的に示す断
面図である。 １６・・連通装置、２２・・・反応室、２４．２６・・
・対向電極、２８・・・高周波電源、３０・・・ガス導
入管、３２・・・第１のバルブ、３８・・・第１のゴン
ペ、４８・・・成膜室、５０・・・基体、７２・・・排
気ポンプ。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦手続補正書 昭和　年５８・泪−電 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 ］、事件の表示 特願昭５７−１７９３０５号 ２、発明の名称 膜形成方法及び膜形成装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ６、補正の幻象 明細書 （１）　　明細書中鎖６頁第１７行目及び第１８行目に
「種々のラジカル・イオン」とあるを「種々のラジカル
、イオン」と訂正する。 （２）　　同第１３ｎ第２０行目に「みかけ上、真性半
導体」とあるを「Ｐ型半導体」と訂正する。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）原料ガスを分解して活性分子種を住成し、生成さ
    れた活性分子種を反応させて成膜室内に支持されている
    基体上に膜を形成する膜形成方法において、上記成膜室
    内における膜形成に先立って、原料ガスを予め分解して
    活性分子種を生成し、この生成された活性分子種を上記
    成膜室内に導入することを特徴とする膜形成方法。
  2. （２）　　前記原料ガスは、放電によシ分解されること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜形成方法。
  3. （３）　　前記生成された活性分子種は、成膜室への光
    の到達が阻止されつつ、成膜室内に導入されることを特
    徴とする特許請求の範囲第２項記載の膜形成方法。
  4. （４）前記成膜室内において、前記基体は回転運動され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜形成
    方法。
  5. （５）　　前記活性分子種は減圧下において生成されて
    成膜室内に導入されることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の膜形成方法。
  6. （６）　　反応室と、 膜が形成される基体が載置さする成膜室と、反応室と成
    膜室とを互いに連通せしめる連通手段と、 反応室に接続された原料ガス供給手段と、成膜室に接続
    された減圧手段と、 反応室内に設けられ、ここに原料ガス供給手段から供給
    された原料ガスを分解して活性分子種を生成せしめる生
    成手段とを具備し、前記連通手段は、反応室で生成され
    た活性分子種全成膜室にもたらすと共に、分解の際に放
    射された光の成膜室への到達を阻止する事を特徴とする
    膜形成装置。
  7. （７）　　前記反応室は、第１の基台とこの上に載置さ
    れる第１のケーシングとで囲まれる内部空間で規定され
    、前記反応室Ｆｉ第２の基台とこの上に載置される第２
    のケーシングとで囲まれる内部空間で規定されることを
    特徴とする特許請求の範囲第６項記載の膜形成装置。
  8. （８）　　前記連通手段は第１のケーシングと第２のケ
    ーシングとに渡って設けられ、前記反応室と前記成膜室
    とを連通せしめる連通管を備えていることを特徴とする
    特許請求の範囲第７項記載の膜形成装置。
  9. （９）　　前記連通管は第１のケーシングの上端部と第
    ２のケーシングの上端部とに渡って設けられていること
    を特徴とする特許請求の範囲第８項記載の膜形成装置。
  10. （１０）前記連通管は第１のケーシングと第２のケーシ
    ングの相互対向部の略中央部分に渡って設けられている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の膜形成装
    置。
  11. （１１）前記連通管は屈曲されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第１０項記載の膜形成装置。
  12. （１２）　　前記連通管はストレートに形成され、前記
    連通手段はこの連通管内に、光の透過を阻止し、活性分
    子種の通過を許容するバッフル板を具備していることを
    特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の膜形成装置。
  13. （１３）前記連通手段は、＆ｉの基台と、この共通の基
    台上に載置された共通のケーシングとで囲まれる内部空
    間を２分割するように設けられ、分割された一方は成膜
    室として規定され、他方は反応室として規定されること
    を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の膜形成装置。
  14. （１４）前記連通手段は、光の透過を阻止し、活性分子
    種の通過を許容するバッフル板を具備していることを特
    徴とする特許請求の範囲第１３項記載の膜形成装置。
  15. （１５）前記原料ガスは珪素を含むガスであることを特
    徴とする特許請求の範囲第６項ないし第１４項のいずれ
    かに記載の膜形成装置。
  16. （１６）前記生成手段は、反応室内に設けられた一対の
    対向電極と、一方の対向電極に接続された高周波電源と
    を具備し、他方の電極は接地され、対向電極間でグロー
    放電が行なわれることによシ原料ガスが分解されること
    を特徴とする特許請求の範囲第６項ないし第１５項のい
    ずれかに記載の膜形成装置。
  17. （１７）　　前記基体は成膜室内で回転駆動されること
    を特徴とする特許請求の範囲第６項々いし第１６項のい
    ずれかに記載の膜形成装置。
JP57179305A 1982-10-13 1982-10-13 膜形成方法及び膜形成装置 Pending JPS5969142A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57179305A JPS5969142A (ja) 1982-10-13 1982-10-13 膜形成方法及び膜形成装置
DE3336064A DE3336064C2 (de) 1982-10-13 1983-10-04 Vorrichtung zur Erzeugung einer Schicht auf einem Substrat
US06/541,308 US4526805A (en) 1982-10-13 1983-10-12 Film-fabricating method and apparatus for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57179305A JPS5969142A (ja) 1982-10-13 1982-10-13 膜形成方法及び膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5969142A true JPS5969142A (ja) 1984-04-19

Family

ID=16063500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57179305A Pending JPS5969142A (ja) 1982-10-13 1982-10-13 膜形成方法及び膜形成装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4526805A (ja)
JP (1) JPS5969142A (ja)
DE (1) DE3336064C2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235521A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Hitachi Ltd 表面処理装置
CN112226732A (zh) * 2020-10-16 2021-01-15 廖斌 一种薄膜沉积设备

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
FR2566808B1 (fr) * 1984-06-27 1986-09-19 Mircea Andrei Procede et reacteur de croissance epitaxiale en phase vapeur
JPS6123760A (ja) * 1984-07-09 1986-02-01 Canon Inc 電子写真感光体の製造方法
JPS6179755A (ja) * 1984-09-28 1986-04-23 Nisshin Steel Co Ltd 溶融めつき真空蒸着めつき兼用の連続めつき装置
US4759947A (en) * 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
US5476694A (en) * 1984-10-24 1995-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposited film by separately introducing an active species and a silicon compound into a film-forming chamber
US4726963A (en) * 1985-02-19 1988-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4784874A (en) * 1985-02-20 1988-11-15 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5244698A (en) * 1985-02-21 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4818563A (en) * 1985-02-21 1989-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JPS61223756A (ja) * 1985-03-28 1986-10-04 Canon Inc 複写装置
US4853251A (en) * 1985-02-22 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film including carbon as a constituent element
US4801468A (en) * 1985-02-25 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JP2537175B2 (ja) * 1985-03-27 1996-09-25 キヤノン株式会社 機能性堆積膜の製造装置
US4729341A (en) * 1985-09-18 1988-03-08 Energy Conversion Devices, Inc. Method and apparatus for making electrophotographic devices
JPS6291494A (ja) * 1985-10-16 1987-04-25 Res Dev Corp Of Japan 化合物半導体単結晶成長方法及び装置
JPH0647727B2 (ja) * 1985-12-24 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US5294285A (en) * 1986-02-07 1994-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Process for the production of functional crystalline film
US4974543A (en) * 1986-02-28 1990-12-04 Xerox Corporation Apparatus for amorphous silicon film
US4792460A (en) * 1986-07-15 1988-12-20 Electric Power Research Institute, Inc. Method for production of polysilanes and polygermanes, and deposition of hydrogenated amorphous silicon, alloys thereof, or hydrogenated amorphous germanium
US4904621A (en) * 1987-07-16 1990-02-27 Texas Instruments Incorporated Remote plasma generation process using a two-stage showerhead
US4870030A (en) * 1987-09-24 1989-09-26 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer
US5169478A (en) * 1987-10-08 1992-12-08 Friendtech Laboratory, Ltd. Apparatus for manufacturing semiconductor devices
US4804431A (en) * 1987-11-03 1989-02-14 Aaron Ribner Microwave plasma etching machine and method of etching
US5283087A (en) * 1988-02-05 1994-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
DE3926023A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3918256A1 (de) * 1989-06-05 1990-12-06 Standard Elektrik Lorenz Ag Vorrichtung zur abscheidung von dielektrischen schichten
US5565247A (en) * 1991-08-30 1996-10-15 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a functional deposited film
US5352487A (en) * 1992-08-31 1994-10-04 Gte Products Corporation Process for the formation of SiO2 films
US5420437A (en) * 1994-01-11 1995-05-30 Siess; Harold E. Method and apparatus for generation and implantation of ions
JPH0878693A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6706572B1 (en) 1994-08-31 2004-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film transistor using a high pressure oxidation step
JP3339200B2 (ja) * 1994-09-28 2002-10-28 ソニー株式会社 プラズマ発生装置、プラズマ加工方法および薄膜トランジスタの製造方法
TW327236B (en) * 1996-03-12 1998-02-21 Varian Associates Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield
US5861190A (en) * 1996-03-25 1999-01-19 Hewlett-Packard Co. Arrangement for growing a thin dielectric layer on a semiconductor wafer at low temperatures
US6318381B1 (en) * 1999-07-13 2001-11-20 Micron Technology, Inc. Methods of cleaning vaporization surfaces
CA2393531C (en) * 1999-12-29 2011-02-15 Microcoating Technologies, Inc. Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom
US20060236931A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Tilted Plasma Doping
US20110177233A1 (en) * 2008-01-18 2011-07-21 Nxp, B.V. Apparatus for providing material on a deposition surface
US8465802B2 (en) * 2008-07-17 2013-06-18 Gang Li Chemical vapor deposition reactor and method
KR20140127879A (ko) * 2012-02-16 2014-11-04 다우 코닝 코포레이션 메탈로이드-함유 물질을 형성시키기 위한 침착 시스템 및 이를 사용한 이의 형성 방법
CN106255775A (zh) * 2014-01-28 2016-12-21 Hzo股份有限公司 含构造成阻止热解管和相邻元件之间传热的导管的材料处理系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3297465A (en) * 1963-12-31 1967-01-10 Ibm Method for producing organic plasma and for depositing polymer films
US4161418A (en) * 1975-06-27 1979-07-17 Futaba Denshi Kogyo K. K. Ionized-cluster-beam deposition process for fabricating p-n junction semiconductor layers
DE2631881C2 (de) * 1975-07-18 1982-11-25 Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
US4268711A (en) * 1979-04-26 1981-05-19 Optical Coating Laboratory, Inc. Method and apparatus for forming films from vapors using a contained plasma source
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
JPS5740586A (en) * 1980-08-22 1982-03-06 Toshiba Corp Treatment of fluorescent substance and its device
JPS57149465A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Canon Inc Formation of accumulated film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235521A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Hitachi Ltd 表面処理装置
JPH0682642B2 (ja) * 1985-08-09 1994-10-19 株式会社日立製作所 表面処理装置
CN112226732A (zh) * 2020-10-16 2021-01-15 廖斌 一种薄膜沉积设备

Also Published As

Publication number Publication date
US4526805A (en) 1985-07-02
DE3336064C2 (de) 1986-02-13
DE3336064A1 (de) 1984-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5969142A (ja) 膜形成方法及び膜形成装置
US6755151B2 (en) Hot-filament chemical vapor deposition chamber and process with multiple gas inlets
EP0359264B1 (en) Hydrogenated amorphous materials and thin films thereof
JPH04275424A (ja) 半導体ウエハ処理装置
US4760008A (en) Electrophotographic photosensitive members and methods for manufacturing the same using microwave radiation in magnetic field
KR920008122B1 (ko) 박막 형성 장치
US7960252B2 (en) Method for forming a semiconductor film including a film forming gas and decomposing gas while emitting a laser sheet
JPH0676664B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成装置
US20100012032A1 (en) Apparatus for high-rate chemical vapor deposition
US5582648A (en) Apparatus for preparing a functional deposited film by microwave plasma chemical vapor deposition
US4937095A (en) Method for forming a film
JP3145536B2 (ja) 触媒ｃｖｄ装置
US5338580A (en) Method of preparation of functional deposited film by microwave plasma chemical vapor deposition
US4908292A (en) Method of making an electrophotographic inorganic photosensitive element using ultraviolet radiation
CN1027549C (zh) 利用磁场的微波增强型cvd系统和方法
JPH0633246A (ja) 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
JP2608456B2 (ja) 薄膜形成装置
JP3426788B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS60128612A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP3546095B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP2554867B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜形成装置
JPH0546093B2 (ja)
JPH0686664B2 (ja) グロ−放電法による堆積膜形成装置
JPS59217614A (ja) アモルフアスシリコン成膜装置
JPS63163859A (ja) 電子写真感光体の製造方法