JPS5948822A - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、垂直磁気記録媒：ｊ（に−ひいてイ吏用する
磁気記録媒体に関するもぐ）である。

〔従来技術〕

垂直磁気記録方式は、磁気テープ、−気ディスク等の磁
気記録媒体の走行方向とｎ；ｆｆｆブｊ１右１、すなわ
ち、磁気記録媒体の厚さ方向に（ｉｌＩ／（ヒ容易１１
１１をもった磁気記録用磁性媒体層１国１性Ｅ、　（ｉ
ｌｌ　（ヒ月憚）カニ表１笛に設けられた磁気記録媒体
を（走用し、この佑’ｉ気ｉ己録媒体の厚さ方向に強い
イ１°鼓イヒ多Ｙイ■を／−１じる垂１負（１（蔓気記
録用磁気ヘッドを用い、イｉＢ、気言己録媒（本をｊ型
、さ方向に磁化し、この方向に磁（生“１４８１合のイ
１奴イヒを残留さ−ぎるよりにしプこもの−である。こ
σ）、Ｌうに、（１強気記録媒体の厚さ方向に残留（Ｊ
ｉ（ヒ分イ■７５二あるＪ二、自己減磁界の発生が少な
く、損失σつ少ない、冑５’ｌ！ｉ度記録が可能になる
（例えは、４守Ｉｊｉ’１ｌｌＢ　５２　１３４７０６
号参照）。

以上のような垂直磁気記録方式に１小月４　ｉ　ｔシる
」（直磁気記録媒体としては、上面側に媒体面垂直方向
に磁化容易軸を有する磁性体層を設け、下面側に一層の
高透磁率磁性体層を設けた高透磁率磁性体層が一層構造
の記録媒体が高特性を有−ノーることが知られている（
例えば、特開昭５２−７８４０３号参照）。

しかしながら、上述した垂直磁化膜下の高透磁率磁性体
層が一層構造の記録媒体を用いて記録再生実験を行なう
と、スパイク状雑「が観測される。

このスパーｒり状剋１叶は垂直磁化膜のみからなる単層
構造の記録媒体を用いて記録再生実験を行なう際にＱ」
、観測されないものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記スパイク状射１音の少ない、高パ
時性の垂ｉｒｊ　６Ｔｉ気８Ｃ録媒体ｆＵｆｐ供するこ
とである。

〔発明の概要〕

ところで、スパイク状雑音は、垂直磁化膜のない、高透
磁率磁性体層のみからなる媒体にひいても上記のような
垂直磁化膜と高透磁率磁性体層との２層構造からなる媒
体と全く同様なものが観測される。すなわら、スパイク
状雑音は、高透磁率磁性体層とその上に設けられた垂直
磁化膜とのａは 万作用により生じるものでなく、尚透磁率磁性体へ 層のみから生じるものであることが本発明者らの実験の
結果から明らかとなった。

また、スパイク状雑音は、媒体中で一様に発生するもの
でＥ’：　’ｉ：　＜　、帛に発生する場所と発生しな
い場所がある。スパイク状雑音が発、生する場所と発生
しない場所の相違を調べたところ、スパイク状雑音が発
生すイ）場所では磁壁が３く発生１，７ており、スパイ
ク状雑音が発生しない場所では磁壁が々いことがわかっ
ｔ二。

以上のこ、ノーから、スパイク状雑音の発生を抑制する
ブ１めには、高透磁率磁性体層中の磁壁の発生を抑制す
ればよいことがわかつな。

さきに、本発明者ら（・よ、強磁性下イ牛・Ｊ磁性体の
界面で生じるカップリング現黛を利用すること、すなわ
ら、高透磁率Ｗ性体層上の所望の方向に磁界を印加しつ
つ反強磁性体膜を設けることにより磁壁の発生を抑制で
きることを２らきらかにした（特許出願中で、公知では
ない）。

上記発明は高透磁率磁性体層中の磁壁の発生を抑制する
には大変有効ではあるが、垂直磁化膜と高透磁率磁性体
層の中間に反強磁性体膜を設けるために、該反強磁性体
膜が存在しない場合にくらべて記録に必要な電流が太き
くＳ／Ｎも低くなる。

本発明は上記したこのような欠点を解消するためのもの
であり、スパイク雑音をなくシ、記録に必要な電流が少
なく、Ｓ／Ｎの高い高特性の垂直磁気記録媒体を得るた
めのものである。

本発明は、高透磁率磁性体層上の反強磁性体膜上にさら
に高透磁率膜を設け、該反強磁性体膜上の高透磁率膜上
に垂直磁化膜を設けるものであり、高透磁率膜上に直接
垂直磁化膜を設けることによシ、記録電流の減少を可能
にし、Ｓ／Ｎの大きなスパイク状Ｉｆ（音のない高特性
の垂直磁気記録媒体ｆ：得るものである。

なお、高特性の垂直磁気記録膜を得るためには反強磁性
体膜を作製する際に所望の方向に磁界を　　　１１印加
する必要があるが、スパイク信１音をなくシ、　　　　
・より高特性の垂直磁気記録媒体を得るためには、下層
の高透磁率膜を作製する際にも所望の方向に磁界を印加
することが望ましく、さらに、上層の高透磁率膜を作製
する際にも所望の方向に磁界を印加することがよシ望ま
しい。

高透磁率膜の機能を充分に発揮させるためには、上記し
た所望の印加磁界方向は記録の際のトラック幅方向であ
ることが望ましい。後述するように、印加磁界方向が記
録の際のトラック幅坊向と−゛致する場合のＳ／Ｎは、
印加磁界方向がビット長方向と一致する場合のＳ／Ｈに
くらべて５ｄＢ大きく、記録電流ば２０％少ない。

なお、垂直磁化膜として従来用いられているＣｏ−Ｃｒ
合金−や、Ｃｏ−Ｃｒに第３元素を添加した合金あるい
（ｌ−ｉＣｏ−几Ｕ合金等金用いる場５合には、反強磁
性体膜上の高透磁率１１便は饋位的に非情質な磁性合金
であることが望ましい。この理由は、上記したＣｏ−Ｃ
ｒ系合金膜の手向磁気異方ヰはｂ　ｃ　ｐ結晶ｃ　＋１
１＋の膜面垂直方向への配向度と密暗に関連しており、
優位的に非晶質な金属である薄膜上のＣｏ−Ｃｒ系自金
膜ｂ　ｃ　ｐ結晶Ｃ軸の膜面垂直方向への配向度の方が
、結晶質、例えば、Ｎ１−ｐｅ合金膜上のＣｏ−Ｃｒ合
金膜ｈ　ｃ　ｐ結晶ｃ　ｌ＋ｌ＋の膜面垂直方向よシも
良い（昭和５６年度電子曲信学会半導体・材料部門全国
大会予稿集ｐ５０８）ことによるものである。

最上層の垂直磁化膜のｊワさが薄すき゛る」μ合には、
記録再生の際の出力が小さく、逆に垂直磁化膜の厚さが
厚すぎる場合には高透磁率膜の効果が弱くなるため記録
に必要な電流が大きくなりＳ／Ｎも小さくなる。この点
から、垂直磁化ｊ摸の厚さは、望ましくは０．０３μＩ
ｎ以上、０．３μｍｎ以下であり、さらに望ましくは０
．１μＩｎ以上０．２μｍｎ以下である。

しかしながら、垂ＩＩｔ磁化膜として、Ｃｏ−Ｃｒ合金
膜や、Ｃｏ−Ｃｒ合金に第３元素を添加した薄膜あるい
はＣｏ−几Ｕ膜等を用いる場合には、これらＣＯ−Ｃｒ
合金系薄膜の膜厚がＯ５３μＩＴ］以下の場合にＶｉＩ
＋ｃｐ結晶Ｃ軸の結晶垂軸方向への配向度が膜厚０．３
μｔｎ以上の薄膜の１１Ｃｐ結晶Ｃ１ｌ１１＋の膜面垂
直方向への配向度にくらべて劣り、したがって垂直磁気
特性の劣った膜となる（第１８回東北大学電気通信研究
所主催垂直磁気記録シンポジウム論文集、ｐ１６９）。

これを改善する方法としては、真空中あるいは不活性ガ
ス中あるいは還元性ガス中の熱処理がある。ただし、熱
処理錦度が低すぎる場合には、熱処理の効果がなく、ま
た、熱処理温度が高すぎる場合には、−Ｃｏ−Ｃｒ系合
金薄膜のｆＦ直磁気特性はかえって劣化してしまう。

第１図は神々の膜厚のＣｏ−Ｃｒ薄膜の熱処理温度と、
該薄膜ｈｃｐ結晶Ｃ軸の配向Ｔｌｃ′、（ＩＴ　Ｃｐ結
晶（０００２）面のＸ線回折線ロッキング曲線半値幅Δ
θ５．の変化率で示す）の関係を示す。第１図において
はΔθ、０が小さい方が垂直磁気特性の良い媒体である
。各曲線には膜厚を示しである。

第１図より、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の垂直磁気特性を最大にす
る熱処理Ｙ黒度は該薄膜の膜厚によって異なりＣｏ−Ｃ
ｒ薄膜の膜厚が０．０３ｔｔｍＪ？しトロ３μｍ以下の
場合には、熱処理高度１ｆよ３５０Ｃ以−ト５５０Ｃ以
下であり、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の膜厚が０．１μｍ以上、０
．２μｍ以下の場合には、熱処理温度は、４００ｔ？以
上５ｏｏｒ＝以下であると判断される。

反強磁性体膜−ヒの高透磁率層表して優位的に非晶質な
金属薄膜を用いる場合には、該高透磁率膜の結晶化温度
が熱処理温度よりも高い必要がある。

該結晶化温度が熱処理温度よりも低い場合には、熱処理
の際に元来優位的に非晶質な全極が結晶化し、透磁率の
低下が生じる。

上層督よび下層の高透磁率膜のキュリ一点が熱処理温度
より低く、シかも反強磁性体膜のネール点が熱処理温度
よりも低い場合には、熱処理後高透磁率膜は単磁区構造
にならず記録再生を行なうとスパイク状雑音が多く観測
される。

この問題を解決するには、熱処理時に所望の方向に磁界
を印加すること、あるいは上層あるいは下層の高透磁率
膜のキュリ一点が熱処理温度より高く、シかも反強磁性
体膜のネール点が熱処理温度よりも高いことが必要であ
る。

以下、本発明の実施例により詳しく説明する。

〔発明の実施例〕

実施例１ 厚さ５關、外径１０ｃｒｎ、内径２Ｌ′：ｍの環状ガラ
ス基板上にスパッタ法によりＮｉｇ。Ｆ２０合金を厚さ
１．０μｍ被着し、ついで同じくスノくツタ法によりＦ
　ｅ　Ｂｒ）　Ｍ　ｎ　５ｏ　合金を厚さ０．２μｍ被
着し、さらにスパッタ法によりＣｏ６゜Ｍ　Ｏｌｌ、ｓ
　Ｚｒ　＋ｏ、ｓ合金を厚さ１．０μｍ被着し、その上
にさらにＣＯ８゜Ｃｒ、。合金薄膜を厚さ０．２μｍ被
着し、垂直磁気記録媒体とした。

Ｎ’８０Ｆｅ！。合金薄膜、Ｆｅ、。Ｍｎ５゜合金薄膜
ならびにＣ０８０Ｍ　Ｏｌｌ、６　Ｚ　ｒ　１ｏ、５合
金薄膜を作製する際には環状ガラス基板に接してその外
側訃よび内側に、それぞれ環状および円板状永久磁石を
配置せしめ、薄膜作製中は常に中心部に向かｆ）（ある
いは中心部から発する）放射状の磁界を印加するように
した。印加磁界の強さは基板の平均半径位置で約１００
ｅ程度とした。

こうして作製した垂直磁気記録、媒体に、第２図に示す
垂直磁気ヘッドを用いて記録を行ない、ギヤツプ長０．
３μｍ１巻数２０ターンのフェライトヘッドを用いて記
録再生を行なったところ、スノくイク雑音は全く観測さ
れなかった。また、記録密度１００　ｋ、ＦＲＰ　Ｉに
しける最大出力の９０％の出力を与える記録電流Ｉ００
は１００ｍＡであり、記録密度１００　ｋＦＲＰＩ、記
録周波数５ＭＨ１，帯域幅１０Ｍ［ｌとした場合の８／
Ｎは４０ｄＢであつ７七〇 本実施例にむいては、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜を作製する際は、
上記環状および円板状永久磁石を取り除いたが、該環状
および円板状永久磁石を取りつけたまま、Ｃｏ−Ｃｒ薄
膜を作製した場合の媒体に本実施例と同じ記録ヘッドお
よび再生ヘッドを用いて記録ならびに再生を行なったと
ころ、１．。

は１００ｍＡと変らなかったが、記録密度１００ｋＦＲ
ＰＩ、記録周波数５　Ｎ　Ｉ−Ｉ　Ｚ　、帯域幅１０′
ＭＨｚとした場合の８／Ｎは３９　ｄＢであった。

また、本実施例においては、Ｎ　”Ｎｏ　Ｆ　ｅＨ１合
金薄膜を作製した後、最終工程のＣｏ＠６Ｃｒ２゜薄膜
を作製するまですべて同一真空槽内で薄膜作製を行ない
、その間に試料を該真空槽外に出すことはなかったが、
実験あるいは装置の都合上、途中で試料を真空槽外に取
り出す必俊がある場合には、試料を取り出した後、改め
て真空槽内に試料をセットし、その後充分に真空リド気
を行なった後、試料表面を軽く巴ツチングして試料表面
を清浄化することが望ましい。

実施例２ 実施例１に訃いではＮｉ、ＩｏＦｅ２ｏ合金％Ｆｅ！ｌ
。

〜１ｎｓｏ合金ならびにＣｏ８０　Ｍ　０９．！Ｉ　Ｚ
Ｉ’　１０．５合金を作製する際にすべて基板に環状な
らびに円板状永久磁石を取りつシナた状態でスパッタを
行なったが、本実施例においては、まずａ）Ｆｉ”ｅ、
。Ｍｎ、。合金を作製する際のみ環状ならびに円板状永
久磁石を基板に取りつけた場合訃よびｂ）ｐ’ｅ、。Ｍ
ｎ、。合金ならびに”ＡＯＦｅ２ｏ　合金薄膜を作製す
る際に環状ならびに円板状永久磁石を、取りセＪけた場
合の結果である。ａ）の場合には、記録肉牛のトラック
−胸中１％の領域でスパイク雑音が発生し５、ｂ）の場
合には、記録再生のトラック−胸中０１％の領域でスパ
イク雑音が発生した。

本実施例および実施例１より、反強磁性体膜の作製の場
合のみに所望の方向に磁界を印加するよりも、反強磁性
体膜ならびに下層の高透磁率膜を作表する際に所望の方
向に磁界を印加する方がより望−ましく、最下層の高透
磁率膜、反強磁性体膜ならびに上層の腎、透磁率脹のす
べてを作製する際に所望の方向に磁介を印加することが
さらに望ましいことがわかる。

実施例３ 実施例１のＮｉ８ｏＦｅ２６合金、Ｆｅｌ１０Ｍｎ！ｔ
ｏ　　合金ならびにＣＯ，ｌ。Ｍ　Ｏａ、ｓ　Ｚ　ｒｌ
ｏ、５合金を作製する際に用いた環状および円板状永久
磁石の代りに、ヘルムホルツコイルを用いて一方向に向
く磁界を印加した。

こうして得た垂直磁気記録媒体に実施例１の垂直記録ヘ
ッドおよびＭｎＺｎ　　フェライトヘラトラ用いて、そ
れぞれ、記録および再生を行なったところ、記録に要す
る電流値および８／Ｎは記録媒体の場所、いいかえれば
印加された磁界の方向によシ異なるごとがわかった。

印加磁界方向がトラック幅方向と一致する場合には、記
録密度１００ｋＦＲＰＩの場合の■。。は１００ｍＡで
あり、記録室１１００ｋＦＲＰＩ、記録周波数５　Ｍ　
Ｉ−Ｉ　Ｚ　、帯域幅１０ＭＨ２（７）４合のＳ／Ｎは
４０ｄＢであり、実施例１の場合と同じであったが、印
加磁界方向が記録ビットの方向と一致する場合には工。

。は１２０ｍＡ％Ｓ／Ｎは３５　ｄＢであった。

印加磁界方向が上記２方向以外の場合には、記録密度１
００ｋＦＲＰＩＩ７）場合（７）Ｉ、。は１００ｍＡ以
上１２０ｍＡ以下であり、記録密度ＬｏｏｋＦＲ，ＰＩ
、記録周波数５ＭＨ２，帯域幅１０ＭＨ２の場合のＳ／
Ｎは３５ｄＢ以上、４（ｌｄＪ３以下であった。

以上のように、印加磁界方向がトラック幅方向と一致し
た場合に最高特性の垂！１．　ｈｐ−１気記録媒体が得
られることがわかった。

実施例４ 厚さ５喘、外径１０ｃｒｎ、内径２ｍの環状ガラス基板
上にスパッタ法によりｃ　ｏｇｏ　Ｍ　Ｏ（１，ＩＩ　
ｚ　ｒ　ｔｏ、ｓ合金を厚さ１．０μｍ被着し、その上
にスパッタ法によりｐｅ６Ｊｉｎｉｏ　合金を厚さ０．
２　ｐ　ｍ被着し、さらにスパッタ法によりＣＯ８Ｃ０
８Ｇ、５Ｚｒｌ。、６合金を厚さ１．０μｍ被着した後
、その上にＣＣ６゜Ｃｒ２゜合金薄膜を厚さ０．２μｍ
被着して垂直磁気記録媒体を得た。

該垂直磁気記録媒体を真空中、５００ｔｌ’で、２時間
熱処理して第１回の試料とした。

該試料に、第２図に示す垂直磁気ヘッドを用いて記録全
行ない、ギャップ長０．３μｍ１巻数２０ターンのフェ
ライトヘッドを用いて記録再生を行なったところ、とこ
ろどころでスパイク状雑音が観測された。

つぎに、熱処理の際に、実施例１と同じ環状ならびに円
（汐状永久磁石を試料に取りつけ熱処理中に、放射状の
磁界が印加されるようにした。こうして得た試料を前述
の記録ヘッド訃よびフェライトヘッドを用いて記録なら
びに再生を行なったところ、スパイク状雑音は観測され
ず、記録密度１００ｋＦＲＰＩｌｌｒ悌ける最大出力の
９０％を力える記録゛電流１１１０は１００ｍＡであり
、記録密度１００　ｋ　ＦＲＰ　Ｉ、記録周波数５　Ｍ
　ＨＺ　、帯域幅１０ＭＩＩＺとした場合のＳ　／　Ｎ
は４５　ｄＢであった。

本実施例と実施例１との比較より、適切な熱処理を行な
うことにより、記録再生の際の記録電流には変化がない
がＳ　／　Ｎは大幅に向上できることがわかった。

実施例５ 実施例４の反強磁性体膜Ｆｅ、。−Ｍ　ｎ　、、ｏの代
りに、スパッタ法によりネール点が７７０Ｕである■Ｓ
膜を０．２μｍ彼着したものを試料した。

本試料を真空中５００Ｃで２時間熱処理した後実施例１
の拵的磁気ヘッドを用いて記録を行ない、同じ〈実施例
１のフェライトヘッドを用いて再生を行なったところ窒
バイタ状雑音は全く観測されず、記録密度１００ｋＦＲ
ＰＩにＧｌｙる最大出力の９０％の出力を与える記録電
流■。。は１００ｍＡであり、記録密度１’００ｋＦ’
ＲＩ）Ｉ、記録周波数５ＭＨ２，帯域幅１０ＭＨ２とし
た場合のＳ／Ｎは４５　ｄＢであり、実施例４と同じ値
を得た。

以上のように、高透磁率膜のキュリ一点しよび反強磁性
体膜のネール点が熱処理温度より高い場合には、熱処理
中に所望の方向に外部磁界を印加する必要はない。

なお、熱処理中の外部磁界は、より正確には、熱処理後
の降温過程で行なうものであるが、実施例４の場合のよ
うに、環状ならびに円板状永久磁石を試料に取りつける
場合には、実験の都合上降温過程のみではなく熱処理前
より該永久磁石を取りつける必要があった。

実施例５め熱処理温度以上のネール点を有する反強磁性
体としては、ｖＳ薄勝の外にｘ　Ｐ　ｒ　ｐ　ｅ　０３
　＊ＢｉＦｅＯ３，Ｃａ２Ｆｅ、０．　　等の化合物モ
有効ｆ６るが、α−Ｆｅ２０３　のような弱強磁性を示
す物質も有効である。

また、実施例１，２，３．４のＦ’ｅｆｉＯＭｎ４ｏ合
金の代りに、ＣｏＦ３　＊　ＦｅＦ３等の化合物も突効
である。

〔発明の効果〕

以上のように、基体上に高透磁率膜、反強磁性体膜、高
透ｈ″柊率膜、卸直磁化膜を１−次噴み重ねて設けた構
造の垂直磁気記録媒体はスパイク状雑音の発生が極めて
少なく、記録に要する市１流も低く、且つＳ／Ｎが高い
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、陣々の瞭島り）Ｃｏ−’Ｃｒ薄膜の熱処理温
度（雰囲気：Ａ空、熱処理時間＝２時間）と垂直磁気時
性（ｈ　ｃ　ｐ　＆ｉ晶（０００２Ｊ面ロッキング曲線
の学値岬、の変化率て示した）の関係を；ｒ、−１クラ
フであり、第２図ｆｒｔ　、本発明の実施例１Ｃ惨いて
用いた記録用垂直磁気記録ヘッドの断面図も・よ） Ｌｌ′ −

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■、基体上に設けた高透磁率薄膜上に反強磁性体膜を設
   Ｏす、該反強磁性体膜上に篩透磁率１を設け、さらに、
   上層の該高透磁率膜上に垂直磁化膜を設けたことを特徴
   とする垂直磁気記録媒体。 ２、　　’ｔ’ｒ４’ｒ請求の範囲第１項記載の垂直磁
   気記録媒体Ｋｔ、−いて、前記反強磁性体膜上の前記高
   透磁率膜が優位的に非晶質な金属からなることを特徴と
   する垂直磁気記録媒体。 ３、特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の垂直磁
   気記録媒体において、前記垂ｉｆｆ磁化膜の膜厚を０．
   ０３μＩｎ以上、０．３μＩｎ以下とすることを特徴と
   する垂面磁気記録媒体。 ４、特許請求の範囲第３項記載の垂１げ磁気記録媒体に
   おいて、前記垂直磁化膜の膜厚ｆ：０．１　Ｂ　ｍ以上
   ０．２μｍ以下とすることを特徴とする垂直磁気記録媒
   体。 ５、特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかの項に
   記載の垂直磁気記録媒体に忰いて、前記反強磁性体膜上
   の高透磁率膜が優位的に非晶質な金属からなる薄膜であ
   ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ６、特許請求の範囲第１項乃中相５項のいずれかの項に
   記載の垂直磁気記録媒体にしいで、上層むよび下層の前
   記高透磁率膜のキュリ一点が熱処理温度以上であり且つ
   前記反強磁性体ｎ像のイ、−ル点も前記熱処理温度以上
   であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ７、基体上に設けた高透（ＩＲ率Ｎ膜土に反強磁性体膜
   を設け、該反強磁性体ｎ像に高透４ｊＢ率膜を設け、上
   層の高速ＩＧ、＋率膜上に垂直磁化膜を設り、かつ少な
   くとも反強磁性体膜を設＆−ｆる際に所望の方向に磁界
   を印加することを、、ＰＨ５徴とする１１１直磁気記録
   媒体の製造方法。 ８、特許請求の範囲第７項記載の華１自磁気記録媒体の
   製造方法に訃いて、前記基体上の高透磁率膜を作製する
   際ならび該高透磁率膜」二〇反強磁性体膜を作製する際
   に所望の方向に磁界を印加することを重機とする垂ｉｍ
   、　（９気記録媒体の製造方法。 ９、を特許請求の範囲第７項記載の垂直磁気記録媒体の
   製造方法に督いて、前記基体上の高透磁率膜を作製する
   際訃よび該高透磁率膜上の反強磁性体膜を作製する際な
   らびに該反強磁性体膜上の高透磁率膜を作製する際に所
   望の方向に磁界を印加することを特徴とする垂直磁気記
   録媒体の製造方法。 １０．１時ＦＨｉ’？求のり１１囲第７項、第８項もし
   くは第９項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法に′しい
   て、前記所望の磁界印加方向を記載の際のトラック幅方
   向とすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法
   。 １１、特許請求の範囲第７項乃至第１０頌のいずれかの
   項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記
   反強磁性体膜上の前記高透磁率膜が優位的に非晶質な金
   属からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
   法。 １２、要語特許請求の範囲第７項乃）９第１１項のいず
   れかの項に記載の垂直磁気記録媒＜４．の製造方法にお
   いて、前記垂直磁化膜の膜厚を０．０３　ｔＬ１ｎ以上
   、０．３μＩｌｌ以下とすることをｔｒ＃　’ｉｂとす
   る垂直磁気記録媒体の製造方法。 １３、特許請求の範囲第１２項記載の他ｉＮ砒気記録媒
   体の製造方法において、該垂＋ｋ　７＋’Ｊ：＆気記録
   媒体を、３５０ｔＺ’以上５５０Ｃ以下の温度で、道ろ
   ぢ′中あるいは不活性ガス中で＋ろいく佳謹元（’Ｊ−
   ガス中で熱処理することを特徴とする昂ｉ［磁気記録Ｕ
   体の製造方法。 １４、特許請求の範囲第１２．頃記載の和直陳気記録媒
   体の製造方法においで、＋１’、ｌ　Ｍｊ：伸泊磁化ｊ
   １位の膜厚を０．１μｍｎ以上、０２μｍりじトとし、
   該垂１白磁化膜作製後、４００Ｃ以上、５００１Ｚ以下
   の湿度で、舅債中あるハは不活性ガス中あるいｅ」。 還元性ガス中で熱処刑（−ｊることを〕特徴とする事ｉ
   白磁気記録媒体の製造方法。 １５、特許請求の範囲第１３項もしく（ｒよ第１４項記
   載の垂直磁気記録媒体の製造方法にむいて、前記熱処理
   を行なう際に、前記所望の方向に磁界を印加することを
   ％徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 １６、特許請求の範囲第１５項記載の垂直磁気記録媒体
   の製造方法に督いて、前記所望の方向を記録の際のトラ
   ック幅方向とすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の
   製造方法。 １７、特許請求の範囲第１３項乃至第１６項のいずれか
   の項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前
   記反強磁性体膜上の前記高透磁率膜が優位的に非晶質な
   金属からなる薄膜であり、しかも該高透磁率膜の結晶化
   温度が前記熱処理温度以上であることを特徴とする垂直
   磁気記録媒体の製造方法。 １８、特許請求の範囲第１３項乃至第１７項のいずれか
   の項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、上
   層セよび下層の前記高透磁率膜のキュリ一点が前記熱処
   理温度以上であり且つ前記反強磁性体膜のネール点も前
   記熱処理温度以上である反強磁性体膜を用いることを特
   徴とする垂直磁気記録媒体の製造力θミ。