JPS59228716A - 気相成長法 - Google Patents
気相成長法Info
- Publication number
- JPS59228716A JPS59228716A JP58104589A JP10458983A JPS59228716A JP S59228716 A JPS59228716 A JP S59228716A JP 58104589 A JP58104589 A JP 58104589A JP 10458983 A JP10458983 A JP 10458983A JP S59228716 A JPS59228716 A JP S59228716A
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- Japan
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- substrate
- plasma reaction
- reaction chamber
- gas
- opening
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は気相成長法に関する。
（ロ）従来技術
従来の単結晶半導体に較べ、製造エネルギ、製造方法等
で優れたアモルファス半導体が新素材として脚光を浴び
ている。
で優れたアモルファス半導体が新素材として脚光を浴び
ている。
第１図は此の種アモルファス半導体を備えた光起電力装
置を示し、（ｉｌはガラス・耐熱樹脂等の透光性絶縁基
板、（２）は酸化スズ（Ｓｎｕｇ）、酸化インジウム・
スズ（ＩｎｚＯ５−８ｎｕ２）等の透明電極、（３）は
シリコン化合物雰囲気中でのプラズマ反応により形成さ
れたアモルファスシリコン（ａ−８１）系のアモルファ
ス半導体膜、（４）は該半導体膜（３）とオーミヴク接
触するアルミニウム等の裏面電極で、上記透明電極（２
）乃至裏面電極（４）は絶縁基板（１）の−主面に順次
積層被着せしめられている。上記アモルファス半導体膜
（３）は、光照射により電子及び正孔対な発生するａｏ
ｏｏｕ〜１１ｍと肉厚な真性（１型）層（６１）と該真
性層（６１）を挾んで対向する１００久〜５００大と肉
薄なＰ型層（３ｐ）及びＮ型層（６ｎ）と、かう成るＰ
ＩＮ接合を形成し、斯るＰ工Ｎ接合が作る接合電界によ
り電子及び正孔は透明電極（２）並びに裏面電極（４）
に夫々集電され光起電力が発生する。
置を示し、（ｉｌはガラス・耐熱樹脂等の透光性絶縁基
板、（２）は酸化スズ（Ｓｎｕｇ）、酸化インジウム・
スズ（ＩｎｚＯ５−８ｎｕ２）等の透明電極、（３）は
シリコン化合物雰囲気中でのプラズマ反応により形成さ
れたアモルファスシリコン（ａ−８１）系のアモルファ
ス半導体膜、（４）は該半導体膜（３）とオーミヴク接
触するアルミニウム等の裏面電極で、上記透明電極（２
）乃至裏面電極（４）は絶縁基板（１）の−主面に順次
積層被着せしめられている。上記アモルファス半導体膜
（３）は、光照射により電子及び正孔対な発生するａｏ
ｏｏｕ〜１１ｍと肉厚な真性（１型）層（６１）と該真
性層（６１）を挾んで対向する１００久〜５００大と肉
薄なＰ型層（３ｐ）及びＮ型層（６ｎ）と、かう成るＰ
ＩＮ接合を形成し、斯るＰ工Ｎ接合が作る接合電界によ
り電子及び正孔は透明電極（２）並びに裏面電極（４）
に夫々集電され光起電力が発生する。
この様に光起電力を発生するアモルファス半導体層の電
気的特性は、主として肉厚な真性層（６１）の膜質に左
右されるために、斯る真性層（３１）を如何に良質に形
成させるかが製造上要求される。
気的特性は、主として肉厚な真性層（６１）の膜質に左
右されるために、斯る真性層（３１）を如何に良質に形
成させるかが製造上要求される。
特開昭５６−１１４３８７号公報に開示された上記真性
層（６１）、Ｐ型層（６ｐ）及びＮ型層（６ｎ）の夫々
を異なったプラズマ反応室により形成する技法は、Ｐ型
層（３ｐ）、真性層（３ｉ）及びＮ型層（６ｎ）を順次
同一プラズマ反応室により形成する技法：二比して真性
層（３°１）の形成時に前工程に於ける残留不純物によ
る影響を防止し得、良質な真性層（３１）を形成するこ
とができる。
層（６１）、Ｐ型層（６ｐ）及びＮ型層（６ｎ）の夫々
を異なったプラズマ反応室により形成する技法は、Ｐ型
層（３ｐ）、真性層（３ｉ）及びＮ型層（６ｎ）を順次
同一プラズマ反応室により形成する技法：二比して真性
層（３°１）の形成時に前工程に於ける残留不純物によ
る影響を防止し得、良質な真性層（３１）を形成するこ
とができる。
第２図は上記Ｐ型層（５ｐ）、真性層（６１）及びＮ型
層（６ｎ）の夫々を異なりた反応室により形成する反応
装置の縦断面を示し、（１０ａ）〜（１０ｃ）は上記Ｐ
型層（Ｓｐ）、真性層（３１）及びＮ型層（３ｎ）を夫
々異なった反応ガス雰囲気中でのプラズマ反応により形
成する第１〜第６のプラズマ反応室、αυα２は第１及
び第６のプラズマ反応室（Ｉ Ｑａ）（Ｉ Ｑｃ）の前
後に設けられた入口及び出口予備室、（１涯供よ該両予
備室圓（１２を外部に対し開閉する入口及び出口扉、（
１５ａ）〜（１５ｃｌ）は上記入口予備室１１）〜出口
予備室（１２）に至る絶縁基板（１）の移動経路に於け
る各室の開口部を開閉自在に機械的に閉塞し分離する分
離扉、（１６ａ）（１６ｂ）・・・は各プラズマ反応室
（Ｉ Ｄａ）〜（１０ｃ）ｌ二対向配置されプラズマを
生起せしめる対向電極、（１ηは該対向電極（１６ａ
） （１６ｂ ） ・・・に例えば１３．５６ＭＨｚの
高周波電圧を付与する高周波電源、ａａｏｔＨαは各プ
ラズマ反応室（１０ａ）〜（１０ｃ）に供給されるシラ
ン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（
ＰＩ（５）等の反応ガスを収容するガスボンベ、（２１
ａ）（２１ｂ）（２１ｃ）は上記反応ガスを供給するガ
ス供給管、（２２ａ）（２２ｂ）（２２０）は該供給管
（２１ａ）（２１ｂ）（２１ｃ）に配挿された開閉自在
な供給バルブ、（２３ａ ） 〜（２３ｅ ）は各室（
１１）（１０ａ ） 〜（１０Ｃ）α２を排気する排気
管、（２４ａ ） 〜（２４ｅ）は該排気管（２５ａ）
〜（２５ｅ）（二配挿された排気バルブである。
層（６ｎ）の夫々を異なりた反応室により形成する反応
装置の縦断面を示し、（１０ａ）〜（１０ｃ）は上記Ｐ
型層（Ｓｐ）、真性層（３１）及びＮ型層（３ｎ）を夫
々異なった反応ガス雰囲気中でのプラズマ反応により形
成する第１〜第６のプラズマ反応室、αυα２は第１及
び第６のプラズマ反応室（Ｉ Ｑａ）（Ｉ Ｑｃ）の前
後に設けられた入口及び出口予備室、（１涯供よ該両予
備室圓（１２を外部に対し開閉する入口及び出口扉、（
１５ａ）〜（１５ｃｌ）は上記入口予備室１１）〜出口
予備室（１２）に至る絶縁基板（１）の移動経路に於け
る各室の開口部を開閉自在に機械的に閉塞し分離する分
離扉、（１６ａ）（１６ｂ）・・・は各プラズマ反応室
（Ｉ Ｄａ）〜（１０ｃ）ｌ二対向配置されプラズマを
生起せしめる対向電極、（１ηは該対向電極（１６ａ
） （１６ｂ ） ・・・に例えば１３．５６ＭＨｚの
高周波電圧を付与する高周波電源、ａａｏｔＨαは各プ
ラズマ反応室（１０ａ）〜（１０ｃ）に供給されるシラ
ン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（
ＰＩ（５）等の反応ガスを収容するガスボンベ、（２１
ａ）（２１ｂ）（２１ｃ）は上記反応ガスを供給するガ
ス供給管、（２２ａ）（２２ｂ）（２２０）は該供給管
（２１ａ）（２１ｂ）（２１ｃ）に配挿された開閉自在
な供給バルブ、（２３ａ ） 〜（２３ｅ ）は各室（
１１）（１０ａ ） 〜（１０Ｃ）α２を排気する排気
管、（２４ａ ） 〜（２４ｅ）は該排気管（２５ａ）
〜（２５ｅ）（二配挿された排気バルブである。
然し乍ら、斯る公開公報に開示された技法によると、良
質な真性層（６１）を形成することができる反面、第２
図（＝示す如く絶縁基板（１）は第１・第２・第６のプ
ラズマ反応室（Ｉ Ｄａ） （ｉ ｏｂ）（１０ｃ）間
を移動するため（二、各反応室（１Ｄａ）（１０ｂ）（
Ｉ Ｄａ）間を分離する機械的閉塞手段である分離扉（
１５ｂ）（１５ｃ）を開放しなければならず、従って斯
る移動過程（二於いて第２プラズマ反応室（１０ｂ）内
（＝第１・第６のプラズマ反応室（Ｉ Ｄａ）（１０ｃ
）内のＰ型、Ｎ型決定不純物が侵入する危惧を有してい
た。
質な真性層（６１）を形成することができる反面、第２
図（＝示す如く絶縁基板（１）は第１・第２・第６のプ
ラズマ反応室（Ｉ Ｄａ） （ｉ ｏｂ）（１０ｃ）間
を移動するため（二、各反応室（１Ｄａ）（１０ｂ）（
Ｉ Ｄａ）間を分離する機械的閉塞手段である分離扉（
１５ｂ）（１５ｃ）を開放しなければならず、従って斯
る移動過程（二於いて第２プラズマ反応室（１０ｂ）内
（＝第１・第６のプラズマ反応室（Ｉ Ｄａ）（１０ｃ
）内のＰ型、Ｎ型決定不純物が侵入する危惧を有してい
た。
（／→ 発明の目的
本発明は斯る点に鑞みて為されたものであって、その目
的は異なる反応ガス雰囲気で満された複数の反応空間に
於ける異種ガスの相互拡散を防止すること（−ある。
的は異なる反応ガス雰囲気で満された複数の反応空間に
於ける異種ガスの相互拡散を防止すること（−ある。
に）発明の構成
本発明気相成長法は、基板が移動する異なる反応ガス雰
囲気で満された複数の反応室間の開口部を、開閉自在な
機械的閉塞手段（二より気密的（＝閉塞すると共に、上
記基板の移動（＝際し開放された上記開口部をガスカー
テン（＝よって閉塞する構成にある。 − （ホ）実施例 第６図並び（二第４図は本発明を説明するための状態別
横断面図であって、真性層（６ｐ）を被着せしめる第２
プラズマ反応室（ｉｏｂ）及びその前後に設けられた第
１・第３プラズマ反応室（１Ｄａ）（１０ｃ）の一部を
示している。この実施例（二於いては第１〜第乙のプラ
ズマ反応室（１０ａ）−〜（１０ｃ）に４枚の第１〜第
４基１ｆｊｊ、 （１ａ）〜（１ｄ）が第６図の如く配
置され、夫々の位置で該基板（１ａ）〜（Ｉｄ）上セＮ
型層（５ｎ）、真性層（３１）及びＰ型ｔｄ （ｓ ｐ
）が被着せしめられる。斯る状態、即ち各反応室（１
０ａ）〜（１０ｂ）内に第１〜第４基板（１ａ ） 〜
（１ｄ）が位置している時の第１プラズマ反応蚕（１０
ａ）と第２プラズマ反応室（ｉｏｂ）との間の開口部（
２５ａｂ）及び第２プラズマ反応室（１ｏｂ）と第６プ
ラズマ反応’Ｍ （１０ｃ ）との間の開口部（２５ｂ
ｃ）の夫々は機械的閉塞手段である分離扉（１５ｂ）（
１５ｃ）によって気密的に閉塞されている。
囲気で満された複数の反応室間の開口部を、開閉自在な
機械的閉塞手段（二より気密的（＝閉塞すると共に、上
記基板の移動（＝際し開放された上記開口部をガスカー
テン（＝よって閉塞する構成にある。 − （ホ）実施例 第６図並び（二第４図は本発明を説明するための状態別
横断面図であって、真性層（６ｐ）を被着せしめる第２
プラズマ反応室（ｉｏｂ）及びその前後に設けられた第
１・第３プラズマ反応室（１Ｄａ）（１０ｃ）の一部を
示している。この実施例（二於いては第１〜第乙のプラ
ズマ反応室（１０ａ）−〜（１０ｃ）に４枚の第１〜第
４基１ｆｊｊ、 （１ａ）〜（１ｄ）が第６図の如く配
置され、夫々の位置で該基板（１ａ）〜（Ｉｄ）上セＮ
型層（５ｎ）、真性層（３１）及びＰ型ｔｄ （ｓ ｐ
）が被着せしめられる。斯る状態、即ち各反応室（１
０ａ）〜（１０ｂ）内に第１〜第４基板（１ａ ） 〜
（１ｄ）が位置している時の第１プラズマ反応蚕（１０
ａ）と第２プラズマ反応室（ｉｏｂ）との間の開口部（
２５ａｂ）及び第２プラズマ反応室（１ｏｂ）と第６プ
ラズマ反応’Ｍ （１０ｃ ）との間の開口部（２５ｂ
ｃ）の夫々は機械的閉塞手段である分離扉（１５ｂ）（
１５ｃ）によって気密的に閉塞されている。
第２プラズマ反応室（１０ｂ）は２枚の基板（１ｂ）
（１ｃ）を同時に処理せしめるべくその反応室（１０ｂ
）の長さが他のもの（二較べ長く設計されており、しか
もプラズマ反応は基板（１ｂ）（１ｃ）が対向％ｆ、１
１５ （１６ａ ） （１６ｂ ）間の移動過程中に行
なわれる。即ち、斯る実施例にあっては、対面室Ｍ（１
６ａ）（１６ｂ）は３枚の基板長を有し、第３図の中央
（＝位置する第２基板（１ｂ）上には現在第６基板（１
Ｃ）が存在する位置から第４図一点鎖点の位置にまで連
続的（＝低速移動する過程に於いて真性層（６１）が形
成せしめられる。
（１ｃ）を同時に処理せしめるべくその反応室（１０ｂ
）の長さが他のもの（二較べ長く設計されており、しか
もプラズマ反応は基板（１ｂ）（１ｃ）が対向％ｆ、１
１５ （１６ａ ） （１６ｂ ）間の移動過程中に行
なわれる。即ち、斯る実施例にあっては、対面室Ｍ（１
６ａ）（１６ｂ）は３枚の基板長を有し、第３図の中央
（＝位置する第２基板（１ｂ）上には現在第６基板（１
Ｃ）が存在する位置から第４図一点鎖点の位置にまで連
続的（＝低速移動する過程に於いて真性層（６１）が形
成せしめられる。
真性層（６１）予成後、第２基板（１ｂ）はＮ型層（３
ｎ）を積層せしめるべく既に第１基板（１ａ）が排出せ
しめられた第３プラズマ反応室（１０ｏ）内（＝移動す
る。この第２基板（１ｂ）の移動に際して第２プラズマ
反応室（１０ｂ）と第６プラズマ反応室（１０ｃ）との
間の開口部（２５ｂｃ）を気密的に閉塞していた分離扉
（１５ｃ）が開かれると共に、斯る分離扉（１５ｃ）の
開放に先立って開口部（、２５ｂ ｃ ）に、該開口部
（２５ｂｃ）の一方の側壁（二股けられ多数のガス噴出
ノズル（２６１田・・・から他方の側壁のガス吸収ノズ
ル（２７）（２７）・・・に向って流れるガスにより矢
印で示す如くガスカーテン翰が形成される。ガスカーテ
ン（ハ）に使用されるガスはプラズマ反応に悪影響を及
ぼさない共通の反応ガスであるンラン（ＳｉＨ４）、キ
ャリアガスである水素（Ｈ２）若しくはアルゴン（Ａｒ
）等であり、特に反応時上記噴出ノズル０６１ （２
ｆＰ・・・を反応ガスの供給ノズルとして利用する場合
共通の反応ガスが好適である。
ｎ）を積層せしめるべく既に第１基板（１ａ）が排出せ
しめられた第３プラズマ反応室（１０ｏ）内（＝移動す
る。この第２基板（１ｂ）の移動に際して第２プラズマ
反応室（１０ｂ）と第６プラズマ反応室（１０ｃ）との
間の開口部（２５ｂｃ）を気密的に閉塞していた分離扉
（１５ｃ）が開かれると共に、斯る分離扉（１５ｃ）の
開放に先立って開口部（、２５ｂ ｃ ）に、該開口部
（２５ｂｃ）の一方の側壁（二股けられ多数のガス噴出
ノズル（２６１田・・・から他方の側壁のガス吸収ノズ
ル（２７）（２７）・・・に向って流れるガスにより矢
印で示す如くガスカーテン翰が形成される。ガスカーテ
ン（ハ）に使用されるガスはプラズマ反応に悪影響を及
ぼさない共通の反応ガスであるンラン（ＳｉＨ４）、キ
ャリアガスである水素（Ｈ２）若しくはアルゴン（Ａｒ
）等であり、特に反応時上記噴出ノズル０６１ （２
ｆＰ・・・を反応ガスの供給ノズルとして利用する場合
共通の反応ガスが好適である。
この様に開口部（２５ｂｃ、）にガスカーテン（至）が
形成されると、第２基板（１ｂ）を第６プラズマ反応室
（ＩＤｃ）に移動させんがために分離扉（１５０）を開
放しても該開口部（２５ｂｃ）は第２基板（１ｂ）の移
動を阻害することなく異種ガスの相互拡散を防止すべく
実質的な閉塞状態を継続する。
形成されると、第２基板（１ｂ）を第６プラズマ反応室
（ＩＤｃ）に移動させんがために分離扉（１５０）を開
放しても該開口部（２５ｂｃ）は第２基板（１ｂ）の移
動を阻害することなく異種ガスの相互拡散を防止すべく
実質的な閉塞状態を継続する。
一方、第３基板（１ｃ）を真性層（３１）を形成すべき
プラズマ反応状態の下で移動しており、１枚の基板長分
だけ第２プラズマ反応室（１０ｂ）の中央に位置してい
る。従って、第１プラズマ反応室（Ｉ Ｄａ）でＰ型層
（３ｐ）が形成された第４基板（１ｄ）は該第１プラズ
マ反応室（１０ａ）と＄２プラズマ反応室（１０ｂ）間
の開口部（２５，ａ ｂ ）を通過して第２プラズマ反
応室（１ｏｂ）内（二移動する。斯る移動過程にあって
も先と同様分離扉（１５’ｏ ）の開放（二先立って開
口部（２５ａｂ）（二カスカーテン弼が形成され異種ガ
スの相互拡散が防止′せしめられている。特に第１プラ
ズマ反応室（１０ａ）から第２プラズマ反応室（１０ｂ
）ｉｎ第４基板（１ｄ）が移動する際、該基板（１ｄ）
表面に僅かにＰ型決定不純物が付着し、第２プラズマ反
応室（１０ｂ）に該不純物を持ち込むことがあるが、第
４図（二示す如くガスカーテン（２８）を基板面に平行
に形成することにより、斯るガスカーテン（２砂を形成
するガスの流れ（−よって上記不純物を除去する所謂ク
リーニング作用が得られる。
プラズマ反応状態の下で移動しており、１枚の基板長分
だけ第２プラズマ反応室（１０ｂ）の中央に位置してい
る。従って、第１プラズマ反応室（Ｉ Ｄａ）でＰ型層
（３ｐ）が形成された第４基板（１ｄ）は該第１プラズ
マ反応室（１０ａ）と＄２プラズマ反応室（１０ｂ）間
の開口部（２５，ａ ｂ ）を通過して第２プラズマ反
応室（１ｏｂ）内（二移動する。斯る移動過程にあって
も先と同様分離扉（１５’ｏ ）の開放（二先立って開
口部（２５ａｂ）（二カスカーテン弼が形成され異種ガ
スの相互拡散が防止′せしめられている。特に第１プラ
ズマ反応室（１０ａ）から第２プラズマ反応室（１０ｂ
）ｉｎ第４基板（１ｄ）が移動する際、該基板（１ｄ）
表面に僅かにＰ型決定不純物が付着し、第２プラズマ反
応室（１０ｂ）に該不純物を持ち込むことがあるが、第
４図（二示す如くガスカーテン（２８）を基板面に平行
に形成することにより、斯るガスカーテン（２砂を形成
するガスの流れ（−よって上記不純物を除去する所謂ク
リーニング作用が得られる。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、基板が移動する
異なった反応ガス雰囲気で満された複数の反応室間の開
口部を開閉自在な機械的閉塞手段（二より気密的に閉塞
すると共に、基板の移動（−際し開放された上記開口部
をガスカーテンによって閉塞せしめたので、基板の移動
に際しても反応室間は実質的な閉塞状態となｌ）、両反
応室間に充ノ眞されている異種ガスの拡散を防止し得、
良質な膜を形成することができる。
異なった反応ガス雰囲気で満された複数の反応室間の開
口部を開閉自在な機械的閉塞手段（二より気密的に閉塞
すると共に、基板の移動（−際し開放された上記開口部
をガスカーテンによって閉塞せしめたので、基板の移動
に際しても反応室間は実質的な閉塞状態となｌ）、両反
応室間に充ノ眞されている異種ガスの拡散を防止し得、
良質な膜を形成することができる。
第１図は典型的な光起電力装置を示す縦断面図、第２図
は従来方法を説明するための従来装置の縦断面図、第３
図及び第４図は本発明方法を説明するだめの反応装置内
を状態別に示す横断面図、である。 （ＩＤ １ ａ ）〜（１ｄ ）−・・基板、 （１
０ａ）−（，１０ｃ ）・・・第１・〜第６のプラズマ
反応室、（１５ａ ） □〜（１５ｄ ） −・−分離
扉、 （２５ａｂ）（２５１）Ｑ）・・・開口部、 （
２８）・・・ガスカーテン。
は従来方法を説明するための従来装置の縦断面図、第３
図及び第４図は本発明方法を説明するだめの反応装置内
を状態別に示す横断面図、である。 （ＩＤ １ ａ ）〜（１ｄ ）−・・基板、 （１
０ａ）−（，１０ｃ ）・・・第１・〜第６のプラズマ
反応室、（１５ａ ） □〜（１５ｄ ） −・−分離
扉、 （２５ａｂ）（２５１）Ｑ）・・・開口部、 （
２８）・・・ガスカーテン。
Claims (1)
- （１）異なった反応ガス雰囲気で満された複数の反応室
間を移動する基板に膜を被着せしめる気相成長法であっ
て、上記基板が移動する上記反応室間の開口部を開閉自
在な機械的閉塞手段により気密的に閉塞すると共に、上
記基板の移動に際し開放された上記開口部をガスカーテ
ンによって閉塞することを特徴とした気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58104589A JPS59228716A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58104589A JPS59228716A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228716A true JPS59228716A (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=14384618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58104589A Pending JPS59228716A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228716A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296710A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質シリコン系半導体の製法 |
| JPS62166352A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1983
- 1983-06-10 JP JP58104589A patent/JPS59228716A/ja active Pending
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