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JPS59211284A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS59211284A
JPS59211284A JP58086149A JP8614983A JPS59211284A JP S59211284 A JPS59211284 A JP S59211284A JP 58086149 A JP58086149 A JP 58086149A JP 8614983 A JP8614983 A JP 8614983A JP S59211284 A JPS59211284 A JP S59211284A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistance
negative
junction
negative resistance
oscillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58086149A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0550149B2 (ja
Inventor
Tatsuji Masuda
増田　達治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP58086149A priority Critical patent/JPS59211284A/ja
Publication of JPS59211284A publication Critical patent/JPS59211284A/ja
Publication of JPH0550149B2 publication Critical patent/JPH0550149B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関する。
従来の増幅、発振、演算装置の多くは複雑な回路を構成
することか必要であり、又動作周波数もあまり高くなか
った。本発明はこれらのり点に対処するものである。
本発明は、半導体１′・Ｎ接合に逆方向高電猶をかけた
場合に、雪崩現象によって生じたキャリアが高エネルギ
ー状態において印加高電界に垂直な方向に負の有効質量
を有し、キャリアの走行中における印加高電界に垂直な
方向の有効質量の平均イ直が負となる場合、同方向に負
抵抗を生じる現象に基づく半導体装置である。
以下実施例につき図面に従馴て説明する。
第１図はシリコン半導体Ｐ−Ｎ接合の接合面を結晶の（
１００）面に平行な平面接合としＰ型半導体部分に設け
た２個の平行な電極４−５間に負抵抗を有するようにし
である。更に電極６を設は負抵抗をより効果的に起すよ
うにしである。
第２図は、上に述べた実施例による回路例を示し、２個
の等しい祇抗Ｒ＋を端子８−９間に並列に連結すること
にまり印加高電界に垂直な方向に存在する負抵抗及び発
振、双安定状態等の負抵抗による特性を得ている。
第３図は、端子８−９間に存在する負抵抗（−ＲＮ）に
並列に存在する止折抗ＲＰを示し面抵抗による作用は次
に示すようになる。
Ｐ−Ｎ接合における雪崩現象によって生じた電流Ｉが増
加するに従い負抵抗（−ＲＮ）の絶対値ＲＮは減少しミ
正折抗Ｒｐと同じ値（ＲＮ＝Ｒｐ　）になったとき双安
定状態が生じ端子８及び９の電圧は正又は負の値をとる
。なおこの状熊においては、第４図に示すように電極１
２゜１３を設けることによりフリップフロップとしても
作用させることができる。
更に電流■が増加すると、偵抵抗（−ＲＮ）の絶対値Ｒ
Ｎは正抵抗Ｒ，ｐより小さくなＩ）（ＲＮ＜Ｒｐ）発振
可能な状態が生じる。
以上の実施例において、Ｅ＝７８ｖで雪崩現象が開始さ
れる試料について、Ｒ＋、＝ＩＫΩ、Ｒ２＝ａｏｏｎの
ときＥ＝１１．８Ｖ、Ｉ　＝　５．３　ｍ　Ａで双安定
状態が開始され、双安定状態における端子８−９間の電
圧はＥの増加に伴って１．０ｖから１．７Ｖまて、端子
８−９を短絡したときの電流は２．５　ｍ　Ａから４．
４　ｍ　Ａまで増加した。更にＥ＝１８．７Ｖ、Ｉ　＝
　１０．８　＋ｎ　Ａて発振状１ｇが生じ、発振出力約
２０１ｎＷ、効率約１０％、最高発振周波数約２５０Ｍ
Ｉ（Ｚが得られた。
以上に述べたように本発明によると従来より簡単な回路
で負抵抗による双安定、発振等の動作を高周波で行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例の斜視図、第２図は実施例による回路図
、第３図は負抵抗と正抵抗１の関係図、第４図はフリッ
プフロップの実施例である。 １・・・Ｐ型半導体部分、２・Ｎ型半導体部分、３　、
、、　Ｐ　−Ｎ接合境界線、４，５，６，７，１２゜１
３・・電極、８，９，１０，１１，１４．１５端子、Ｅ
　電源、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，ＲＮ、　ＲＰ・抵抗。 ［相］ 出願人　　増　１）遼　治

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体Ｐ、Ｎ接合における雪崩」象を利用した印加逆方
    向高電界に垂直な方向のキャリアの負の有効質量による
    負抵抗を有する半導体装置。
JP58086149A 1983-05-16 1983-05-16 半導体装置 Granted JPS59211284A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58086149A JPS59211284A (ja) 1983-05-16 1983-05-16 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58086149A JPS59211284A (ja) 1983-05-16 1983-05-16 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59211284A true JPS59211284A (ja) 1984-11-30
JPH0550149B2 JPH0550149B2 (ja) 1993-07-28

Family

ID=13878678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58086149A Granted JPS59211284A (ja) 1983-05-16 1983-05-16 半導体装置

Country Status (1)

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JP (1) JPS59211284A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229636A (en) * 1987-09-01 1993-07-20 Tatsuji Masuda Negative effective mass semiconductor device and circuit
WO1999003204A1 (en) * 1997-07-08 1999-01-21 Tatsuji Masuda Sr flip flop

Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4834467A (ja) * 1971-09-07 1973-05-18

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US6239638B1 (en) 1997-07-08 2001-05-29 Tatsuji Masuda SR flip flop

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0550149B2 (ja) 1993-07-28

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