JPS59181615A - Luster type beam drawing device - Google Patents
Luster type beam drawing deviceInfo
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- JPS59181615A JPS59181615A JP5601583A JP5601583A JPS59181615A JP S59181615 A JPS59181615 A JP S59181615A JP 5601583 A JP5601583 A JP 5601583A JP 5601583 A JP5601583 A JP 5601583A JP S59181615 A JPS59181615 A JP S59181615A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体集積回路の製造に用いられるラスター型
ビーム描画装置に係シ、特に描画ノやターンの描画アド
レス(ビーム径9単位以下での寸法制御を高精度に行な
うだめの制御装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a raster beam lithography system used in the manufacture of semiconductor integrated circuits, and particularly relates to a raster type beam lithography system used in the manufacture of semiconductor integrated circuits, and particularly to a raster type beam lithography system used for manufacturing semiconductor integrated circuits. The present invention relates to a control device for highly accurate control.
この種のラスター型ビーム描画装置、たとえば電子ビー
ム描画装置は、第1図に示すようにビームBを一定方向
(X方向)に一定速度で偏向シ、ビームのオン、オフを
行なわせることによって被描画基板1上への描画の可否
を制御し、被描画基板1を上記ビーム偏向方向に直交す
る方向(Y方向)へ一定量移動させる毎に上記描画制御
を繰り返し行なうことによって基板1上に図形パターン
を描くものである。This type of raster beam lithography apparatus, for example, an electron beam lithography apparatus, deflects the beam B in a fixed direction (X direction) at a constant speed and turns the beam on and off, as shown in FIG. By controlling whether or not drawing can be performed on the drawing substrate 1, and repeating the drawing control described above each time the drawing target substrate 1 is moved by a certain amount in the direction (Y direction) perpendicular to the beam deflection direction, a figure can be drawn on the substrate 1. It is a drawing of a pattern.
ところで、描画パターンの描画アドレスの1単位はビー
ム径の大きさに対応しておシ、描画パターンの寸法を描
画アドレス単位以下の範囲で制御する必要が生じること
がある。この場合に、従来は主にビーム電流の大きさを
変化させて描画基板上のビームレノストに照射するビー
ム強度を変化させることによって上記寸・法制御を行な
っていた。Incidentally, one unit of the writing address of the writing pattern corresponds to the size of the beam diameter, and it may be necessary to control the dimensions of the writing pattern within the range of the writing address unit or less. In this case, conventionally, the above dimensions and dimensions have been controlled by mainly changing the magnitude of the beam current and changing the intensity of the beam irradiated onto the beam renost on the drawing substrate.
しかし、上述したようにビーム電流の大きさを変化させ
ると、描画パターン精度と強い関連をもったビーム径、
焦点位置、ビーム回転角、ビーム位置等も同時に変化す
るので、これらのパラメータの再測定および再調整が必
要となる・この場合、電子ビーム鏡筒系の一連の調整、
たとえば電子レンズO調整に通常は1〜2分もの時間を
要する欠点がある。また、調整項目が多いので、総合的
な設定精度が充分得られない欠点がある。However, as mentioned above, when the magnitude of the beam current is changed, the beam diameter, which has a strong relationship with the writing pattern accuracy,
Since the focal position, beam rotation angle, beam position, etc. also change at the same time, it is necessary to remeasure and readjust these parameters. In this case, a series of adjustments of the electron beam column system,
For example, there is a drawback that it usually takes 1 to 2 minutes to adjust the electronic lens O. In addition, since there are many adjustment items, there is a drawback that sufficient overall setting accuracy cannot be obtained.
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、被描画体
に照射するビームの強度の調節を高精度かつ高速に行な
うことが可能なラスター型ビーム描画装置を提供するも
のでめる。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is an object of the present invention to provide a raster type beam drawing apparatus that can adjust the intensity of a beam irradiated onto an object to be drawn with high precision and at high speed.
即ち、本発明のラスター型ビーム描画装置は、ビームを
一定方向に一定幅だけ偏向させるビーム偏向走査を繰シ
返し行なう偏向手段と、被描画体に対するビームの照射
を図形データに応じてオン・オフ制御するブランキング
手段と、ビーム強度データに応じて前記偏向手段による
ビーム偏向走査の速度を制御すると共に前記ブランキン
グ手段に対するビームのオン−オフ制御信号の転送レー
トを制御するビーム強度制御手段とを具備することを特
徴とするものである。That is, the raster type beam drawing apparatus of the present invention includes a deflection means that repeatedly performs beam deflection scanning to deflect the beam by a certain width in a certain direction, and a deflection means that repeatedly performs beam deflection scanning to deflect the beam by a certain width in a certain direction, and turns on and off irradiation of the beam to the object to be drawn according to graphic data. and a beam intensity control means that controls the speed of beam deflection scanning by the deflection means according to beam intensity data and controls the transfer rate of a beam on/off control signal to the blanking means. It is characterized by comprising:
したがって、電子鏡筒系の調整は一切不要であり、電子
的な制御によりデータ転送レートおよびビーム偏向速度
を制御するだけで高速かつ高精度にビーム強度を調整す
ることができる。Therefore, there is no need to adjust the electron lens barrel system at all, and the beam intensity can be adjusted at high speed and with high precision simply by electronically controlling the data transfer rate and beam deflection speed.
以下、図面を参照して本発明の一実施例を適用したラス
タ一方式の電子ビーム描画装置について詳細に説明する
。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A raster-type electron beam drawing apparatus to which an embodiment of the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings.
第2図において、電子ビーム描画装置本体20は被描画
体10を固定するためのXYステージ11を有している
。XY駆動モータ12は、上記XYステージ11を横方
向(X方向〕および縦方向(Y方向)に駆動するための
ものである。前記XYステージ11の上方には、被描画
体10の表面に対向するように電子銃13が設けられて
いる。この電子銃13と前記XYステージ11との間に
は、電子銃13から放出された電子を集束するコンデン
サレンズ14と、電子ビームの被描画体10への照射(
オン)および照射解除(オフ)を制御するブランキング
電極15と、電子ビームの走査を行なわせる偏向電極1
6とが順次設けられている。In FIG. 2, an electron beam drawing apparatus main body 20 has an XY stage 11 for fixing the object 10 to be drawn. The XY drive motor 12 is for driving the XY stage 11 in the horizontal direction (X direction) and the vertical direction (Y direction). An electron gun 13 is provided between the electron gun 13 and the XY stage 11, and a condenser lens 14 that focuses the electrons emitted from the electron gun 13, and a condenser lens 14 that focuses the electrons emitted from the electron gun 13, and Irradiation to (
a blanking electrode 15 that controls irradiation (on) and irradiation release (off), and a deflection electrode 1 that scans the electron beam.
6 are provided in sequence.
一方、21は描画装置制御データ発生器であって、図形
データおよびビーム強度データを発生する。22はコン
ピュータシステムであって、上記制御データ発生器21
のほか後述する各種回路に接続され、これらとの間でデ
ータ、制御信号の授受を行なうと共に必要なデータ処理
を行なう。描画用ドツトパターンメモリ23は、前記制
御データ発生器21から発生した図形データに対応する
描画用ドツトパターンデータがコンピュータシステム2
2から入力し、これを一時記憶しておく。ブランキング
回路24は、同期回路25からの同期信号に同期してブ
ランキング制御動作を開始し、前記ドラ)Aターンメモ
リ23からドツトパターンデータ入力に応じて前記ブラ
ンキング電極15をオン、オフ制御する。クロック調整
回路26は、前記制御データ発生器21から発生したビ
ーム強度データに基いてコンピュータシステム22から
与えられるデータ転送レートデータに応じてクロック出
力周波数を調整して前記ブランキング回路24によるブ
ランキングレートを制御する。偏向回路27は、同期回
路25からの同期信号に同期して偏向動作を開始し、前
記ビーム強度データに基いてコンピュータシステム22
から与えられるビーム偏向速度データに応じて偏向電圧
の波形の傾斜を制御し、この偏向電圧を前記偏向電極1
6に供給する。XYステージ駆動制御回路28は、ビー
ム強度データに基いてコンピュータシステム22から力
えられるデータに応じて前記xyステージ11の移動速
度゛を制御すると共に後述する位置測定回路29から出
力する測定データに基いてコンビーータシステム22か
ら与えられるデータに応じて前記XYステージ11の位
置を制御するように、前記XY駆動モータ12を駆動制
御するだめのものである。レーザインターフェロメータ
30は、前記XYステージ1ノの位置変化をレーザ光に
よシ検知するためのものである。位置測定回路29は、
上記レーザインターフェロメータ30の検知出力に基い
てXYステージ11の位置データを測定する。なお、前
記偏向回路27は、上記位置測定回路29の測定データ
に基いてコンピュータシステム22から与えられるバイ
アスデータに応じて偏向電圧を補正する。これは、■ス
テージ11による被描画体10の位置決めの精度が充分
得られない場合に、被描画体10に対する描画位置をビ
ーム走査側で補正するだめのものである。On the other hand, 21 is a drawing device control data generator, which generates graphic data and beam intensity data. 22 is a computer system, and the control data generator 21
In addition, it is connected to various circuits to be described later, and exchanges data and control signals with these circuits, as well as performs necessary data processing. The drawing dot pattern memory 23 stores the drawing dot pattern data corresponding to the graphic data generated from the control data generator 21 in the computer system 2.
Enter from 2 and store this temporarily. The blanking circuit 24 starts a blanking control operation in synchronization with a synchronization signal from a synchronization circuit 25, and controls the blanking electrode 15 to be turned on or off in accordance with dot pattern data input from the driver A turn memory 23. do. The clock adjustment circuit 26 adjusts the clock output frequency according to the data transfer rate data given from the computer system 22 based on the beam intensity data generated from the control data generator 21 to adjust the blanking rate by the blanking circuit 24. control. The deflection circuit 27 starts the deflection operation in synchronization with the synchronization signal from the synchronization circuit 25, and starts the deflection operation in synchronization with the computer system 22 based on the beam intensity data.
The slope of the waveform of the deflection voltage is controlled according to the beam deflection speed data given from the deflection electrode 1.
Supply to 6. The XY stage drive control circuit 28 controls the moving speed of the xy stage 11 according to data inputted from the computer system 22 based on beam intensity data, and also controls the moving speed of the xy stage 11 based on measurement data outputted from a position measurement circuit 29, which will be described later. The XY drive motor 12 is used to drive and control the XY drive motor 12 so as to control the position of the XY stage 11 in accordance with data given from the combiner system 22. The laser interferometer 30 is for detecting changes in the position of the XY stage 1 using laser light. The position measurement circuit 29 is
Position data of the XY stage 11 is measured based on the detection output of the laser interferometer 30. Note that the deflection circuit 27 corrects the deflection voltage according to bias data given from the computer system 22 based on the measurement data of the position measurement circuit 29. This is to correct the drawing position with respect to the object to be drawn 10 on the beam scanning side when (1) the positioning accuracy of the object to be drawn 10 by the stage 11 cannot be obtained sufficiently.
次に、上記電子ビーム描画装置の動作を説明する前に、
先ずビーム強度の調節原理について述べておく。一般に
8.ビームの強度(D)、電流(I)、プランキングレ
ー) (R)、偏向速度(S)、偏向幅(5)の関係は
次式で示される。Next, before explaining the operation of the above electron beam lithography system,
First, the principle of adjusting beam intensity will be described. Generally 8. The relationship among beam intensity (D), current (I), Plankingley (R), deflection speed (S), and deflection width (5) is expressed by the following equation.
WOCR−8・・・・・・(2)
ビーム強度りを変えるために、従来はビーム電流(I)
を変えていだが、本発明装置ではビーム電流(I)を変
えるのではなく、ビーム偏向幅(5)は一定に保つよう
にビーム偏向速度(S)を変えると共にこれに同期して
ブランキングレート(R;ビームをオン、オフ制御する
信号の転送レート)を変えている。WOCR-8・・・・・・(2) In order to change the beam intensity, conventionally the beam current (I)
However, in the device of the present invention, instead of changing the beam current (I), the beam deflection speed (S) is changed so as to keep the beam deflection width (5) constant, and the blanking rate (S) is changed in synchronization with this. R: the transfer rate of the signal that controls the beam on and off) is changed.
第3図は、前記コンビーータシステム22によるビーム
描画制御動作のフローチャートを示している。即ち、第
1ステツプSlでは、位置測定回路29からの位置デー
タに基いてXYステージ11を次の駆動開始位置に設定
するようにXYステージ駆動制御データを作成して出力
する。第2ステツプS2では、制御データ発生器2ノか
ら図形データを読み取って描画用ドツトパターンデータ
に変換してドツトパターンメモリ23に格納する。第3
ステツプS3では、制御データ発生器21からビット強
度データを読み込んでそのデータに応じたビーム偏向速
度が得られるように偏向制御データを作成して出力する
。そして、同期回路25からの同期信号によシ偏向回路
27およびブランキング回路24の動作を開始すると、
前記ビット強度データに基いてデータ転送レートデータ
を作成してクロック調整回路26に送る。こiKよシ、
ブランキング回路24のブランキングレートが制御され
、被描画体10上のビームの偏向幅は偏向速度に拘らず
一定となシ、ビーム強度は前記ビット強度データに応じ
たものが得られる。このようにしてX方向の1回分のビ
ーム走査が終了すると、第4ステツプS4でXYステー
ジ1ノをY方向へ一定量移動させる。そして、Y方向の
描画が完了するまで前記第1〜第4ステツプ81〜S4
の制御を繰シ返す。なお、第4ステツプS4では、デー
タ転送レートに応じてXYステージ1ノのY方向移動速
度を制御するようにXYステージ駆動制御データ出力を
設定する。このようにしてY方向走査が終了すると、こ
れまでのxy走査面の隣りで再び新たな図形データに基
いてビーム描画を行なう。なお、前記図形データから描
画ドツトパターンデータへの変換は、コンビーータシス
テムに限らず専用の変換回路を用いてもよい。まだ、前
記第1ステツfSlと第2ステツプS2との順序は入れ
換えてもよい。また、図形データの全部に対する描画ド
ツトツクターンデータへの変換を行っておけば、X方向
の2回目以降のビーム走査に際して上記データ変換を省
略できる。また、XYステージ11のY方向移動速度を
最低のデータ転送レート時の値に固定しておくことも可
能であ少、このようにすれはステージ系をデータ転送レ
ートに合わせて駆動制御する必要rよなくなるが、描画
速度は遅くなる。FIG. 3 shows a flowchart of the beam drawing control operation by the conbeater system 22. That is, in the first step Sl, XY stage drive control data is created and outputted so as to set the XY stage 11 at the next drive start position based on the position data from the position measurement circuit 29. In the second step S2, graphic data is read from the control data generator 2, converted into drawing dot pattern data, and stored in the dot pattern memory 23. Third
In step S3, bit intensity data is read from the control data generator 21, and deflection control data is created and output so that a beam deflection speed corresponding to the data can be obtained. Then, when the deflection circuit 27 and the blanking circuit 24 start operating according to the synchronization signal from the synchronization circuit 25,
Data transfer rate data is created based on the bit strength data and sent to the clock adjustment circuit 26. KoiKyoshi,
The blanking rate of the blanking circuit 24 is controlled, the deflection width of the beam on the object 10 to be drawn remains constant regardless of the deflection speed, and the beam intensity is obtained in accordance with the bit intensity data. When one beam scan in the X direction is completed in this way, the XY stage 1 is moved by a certain amount in the Y direction in a fourth step S4. Then, the first to fourth steps 81 to S4 are performed until the drawing in the Y direction is completed.
The control is repeated. In the fourth step S4, the XY stage drive control data output is set to control the moving speed of the XY stage 1 in the Y direction according to the data transfer rate. When the Y-direction scanning is completed in this manner, beam writing is again performed on the adjacent xy scanning plane based on new graphic data. Note that the conversion from the graphic data to the drawn dot pattern data is not limited to the converter system, and a dedicated conversion circuit may be used. However, the order of the first step fSl and the second step S2 may be reversed. Furthermore, if all of the graphic data is converted into drawing dot and turn data, the above data conversion can be omitted during the second and subsequent beam scans in the X direction. It is also possible to fix the moving speed of the XY stage 11 in the Y direction to the value at the lowest data transfer rate. However, the drawing speed will be slower.
上述したような電子ビーム描画装置によれば、描画ハタ
ーンの描画アドレス単位以下での寸法制御に際して被描
画体上に照射するビームの強度を調節するために、電子
鏡筒系は一切動かさず、ビーム偏向幅が一定となるよう
にデータ転送レートおよびビーム偏向速度をビーム強度
に応じて制御している。しだがって、ビーム強度の調整
は、瞬時(高速9かつ高精度に行なうことができる。According to the above-described electron beam drawing apparatus, in order to adjust the intensity of the beam irradiated onto the object to be drawn when controlling the dimensions of the drawing pattern in units of drawing addresses, the electron beam barrel system does not move at all, and the beam The data transfer rate and beam deflection speed are controlled according to the beam intensity so that the deflection width is constant. Therefore, the beam intensity can be adjusted instantaneously (at high speed 9 and with high precision).
なお、上記装置によれば、同一の被描画体上への描画を
部分的にビーム強度を変えて行なうことも容易にカシ、
この部分的なビーム強Uの変更を高頻度で行なうことも
可能となり、1回のX方向走査毎にビーム強度を変える
ことも可能となる。In addition, according to the above-mentioned apparatus, it is easy to perform drawing on the same object by partially changing the beam intensity.
It becomes possible to frequently change this partial beam intensity U, and it also becomes possible to change the beam intensity for each X-direction scan.
また、本発明は電子ビーム描画装置に限らず、電子ビー
ム以外のイオンビームとかレーザー光ビームなどを用い
る描画装置にも適用可能である。Furthermore, the present invention is not limited to electron beam lithography apparatuses, but is also applicable to lithography apparatuses that use ion beams, laser beams, etc. other than electron beams.
上述したように本発明のラスター型ビーム描画装置によ
れば、描画パターンの描画アドレス単位以下の寸法制御
に際して仮描画体に照射するビームの強度の調節を高精
度かつ高速に行なうことが可能となシ、半導体集積回路
の製造に用いてその生産性を向上させることができる。As described above, according to the raster type beam drawing apparatus of the present invention, it is possible to adjust the intensity of the beam irradiated to the temporary drawing body with high precision and at high speed when controlling the dimensions of the drawing pattern below the drawing address unit. Furthermore, it can be used to improve the productivity of semiconductor integrated circuits.
第1図はラスター型ビーム描りIm装置における被描画
体へのビーム描画の様子を説明するために示す図、第2
図は本発明に係るラスター型ビーム描画装置の一実施例
を示す構成睨明図、第3図は第2図におけるコンピュー
タシステムによる制御手順の一例を示すフローチャート
である。
10・・・被描画体、1ノ・・・XYステージ、12・
・・XY駆動モーメ、15・・・ブランキングti、1
6・・・偏向電極、20・・・電子ビーム描画装置本体
、2.?・・・コンピュータシステム、23・・・描画
用ドラトノやターンメモリ、24・・・ブランキング回
路、26・・・クロック調整回路、27・・・偏向回路
。Fig. 1 is a diagram shown to explain the state of beam drawing on an object to be drawn in the raster type beam drawing Im device;
The figure is a perspective view of the configuration of an embodiment of the raster type beam drawing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a flowchart showing an example of the control procedure by the computer system in FIG. 2. 10... object to be drawn, 1no... XY stage, 12.
...XY drive motor, 15...Blanking ti, 1
6... Deflection electrode, 20... Electron beam lithography apparatus main body, 2. ? . . . Computer system, 23 . . . Drawing drawer and turn memory, 24 .
Claims (1)
査を繰)返し行なう偏向手段と、被描画体に対するビー
ムの照射を図形データに応じてオン・オフ制御するブラ
ンキング手iと、ビーム強度データに応じて前記偏向手
段によるビーム偏向走査の速度を制御すると共に前記ブ
ランキング手段に対するビームのオン・オフ制御信号の
転送レートを制御するビーム強度制御手段とを具備する
ことを特徴とするラスター型ビーム描画装置。A deflection means that repeatedly performs beam deflection scanning to deflect the beam by a certain width in a certain direction, a blanking hand i that controls on/off irradiation of the beam to the object to be drawn according to graphic data, and a blanking means that controls the beam intensity data. A raster type beam drawing characterized by comprising a beam intensity control means for controlling the speed of beam deflection scanning by the deflection means and controlling the transfer rate of a beam on/off control signal to the blanking means. Device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5601583A JPS59181615A (en) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | Luster type beam drawing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5601583A JPS59181615A (en) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | Luster type beam drawing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59181615A true JPS59181615A (en) | 1984-10-16 |
Family
ID=13015228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5601583A Pending JPS59181615A (en) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | Luster type beam drawing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59181615A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622590A (en) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 東芝機械株式会社 | Laser drawing apparatus |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5601583A patent/JPS59181615A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622590A (en) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 東芝機械株式会社 | Laser drawing apparatus |
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