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JPS59147000A - β型窒化けい素ウイスカ−の製造方法 - Google Patents

β型窒化けい素ウイスカ−の製造方法

Info

Publication number
JPS59147000A
JPS59147000A JP58016257A JP1625783A JPS59147000A JP S59147000 A JPS59147000 A JP S59147000A JP 58016257 A JP58016257 A JP 58016257A JP 1625783 A JP1625783 A JP 1625783A JP S59147000 A JPS59147000 A JP S59147000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
silicon nitride
whiskers
reaction
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58016257A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6348840B2 (ja
Inventor
Hajime Saito
肇 斎藤
Tetsuro Urakawa
浦川 哲朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP58016257A priority Critical patent/JPS59147000A/ja
Publication of JPS59147000A publication Critical patent/JPS59147000A/ja
Publication of JPS6348840B2 publication Critical patent/JPS6348840B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005Growth of whiskers or needles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/38Nitrides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、β型窒化けい素ウィスカーの製造方法に係り
、特に1250〜1450°Cというような1比較的低
温で、繊維長の長いよく発達したβ型窒化けい素ウィス
カーが容易に得られるβ型窒化けい素ウィスカーの製造
方法に関するものである。
一般に、β型窒化けい素ウィスカーは、窒化けい素のも
つ優れた一高温強度と耐熱衝撃性とにより鵠・・複合材
料用繊維強化材としてその応用が大いに期待されている
本発明に関連する従来技術としては次のようなものがあ
るけれども、以下説明するごとく本発明とは全く異なる
ものであり、これらから容易に類推しうるものではない
。本発明はβ型窒化けい素ウィスカーを得′るもので工
業的′に有利なすぐれた方法である。
■特公昭5l−1232Or窒化けい素の製造方法」シ
リカとカーボンの混合物にフッ化物を添加。
する点や、その組成などは本発明と似ているが、フッ化
物添加の方法が異なり、シリカ:カーボン:氷晶石のモ
ル比については全く記載されておらず、また、ウィスカ
ーの結晶型についても何ら言及していない。
■特公昭50−21160 「繊維状窒化けい素結晶の
製造方法」 窒化けい素のSi源としてけい素を使用している点が本
発明と全く異なる。
■特公昭5O−448(l 「窒化けい素繊維の製造法
」これは窒化反応の際の触媒として用いる金属添加物を
用いるものであり、本発明とは全く異なるものである。
また生成ウィスカーの結晶型については全く言及してい
ない。
■特公昭49−27755 r窒化けい素ウィスカーの
製造法」 これはN2雰囲気中にat主成分添加するものであり、
本発明と全く異なる。また生成ウィスカーの結晶型につ
いては全く言及していない。
つまり、簡単にいえば、従来の窒化けい素ウィスカーの
製造方法としては次のものが知られている。すなわち、 1)金属けい素粉末の直接窒化法、 2)ハロゲン化けい素とアンモニアとを接触反応1゛さ
せる方法、 8)シリカ還元法にフッ化物や塩素成分を添加してN、
ガスを反応させる方法、 などがあるが、前記1) 、 lの方法では何れも粉末
状で繊維長の短いウィスカーしか得られない。又、前記
の8)の方法では、繊維長のやや長し)ウィスカーは得
られるが、その構造は、1300〜1400°Cの比較
的低い処理温度ではα型が主要組成であった。
かくして従来技術における問題点として、5i8N。
ウィスカーを、5i8N、粉末に混合し、5i8N、焼
結体の補強材として使用した場合、Si、N、の相転移
カ問題となる。Si、N、には、六方晶系に属するα型
、β型の2つの結晶相が存在し、両者の結晶格子の大き
さは、α型がa。==’y、’ye人、co=5.a2
人、β型がa。=7.61人、0o=2.91人であり
、C軸方向の結晶格子の大きさが異なる。β型が高温相
であり、約1400〜1600℃でα型からβ型への相
転移が生ずるとされている。Si、N、焼結体の原料に
は、高純度の焼結性の良いα型5i8N、粉末が良く、
焼結中にα型からβ型への相転移が起こり、高強度化に
つながっていると考えられている。このようなα型51
8N、粉末中に、α型の多いSi、N。
ウィスカーを混合し焼結した場合、焼結時にウィスカー
゛自体も相転移を起こし、マトリックスとの間に歪を生
じ強度低下を招くことが報告されている。このような5
i8N、ウィスカーの相転移の影響は、518N4以外
の焼結体の補強に際しても同様であると考えられ、β型
を主成分とする5i8N、ウィスカーの製造方法を開発
することが急務となっていた。
本発明は上記の点に鑑み、本発明者等が鋭意研究の結果
達成させたものであり、例えば、1250〜1450°
Cのような比較的低温で、繊維長の長いよく発達したβ
型Si8N4ウィスカーの製造を目的としたものである
すなわち本発明のβ型窒化けい素ウィスカーの製造方法
は、シリカとカーボンと氷晶石とのモル比が1:(2〜
10 ) ’ (’/12〜1/4)である混合物を、
NH,をN2に対しモル比でス以下添加した(N、十N
K、)の混合雰囲気中の比較的低温で温度1250〜1
450°Cに加熱反応させることを特徴とする。
シリカ還元法によりN、ガスを用いた窒化けい素5i8
N、ウィスカーの生成反応は次の2式で示される。
Sin、(固体)+C(固体)→5in(気体) + 
Co (気体用・・(1)s sio (気体)+2N
2(気体)+aco(気体)→5i8N4(固1体)+
8C○、(気体) ・・・・・・・・・・・・・・・(
2)本発明者らはシリカとカーボンとを氷晶石の存在下
に窒素雰囲気中に微量のNH8を添加して反応させるこ
とによってβ型5i8N、ウィスカーを比較的低温で製
造しうることを見出した。
上記(1)式の反応は5in2とCとの固体間反応であ
るためその反応速度は遅いが5in2とCの反応に於い
て氷晶石を存在させると、このフラックスの作用により
S 102はけい酢塩融体となり、液体と固体のCとの
反応となり次式(3)の反応になる。
5io2(液体)+C(固体)→SiO(気体) + 
co (気体)・・・(3)この反応は従来の固体間反
応よりその反応速度が著しく促進されSiOの生成が促
進される。
一方、反応雰囲気中にNH8を添加するとNI(8の熱
分解により生成するH2ガスの強力な還元作用で上記(
3)式で生成した気体のSiOは次式(4)の如く反応
する。
5in(気体)十H2(気体)→Si(気体) + H
20(気体)・・・(4)かくして生成したSi(気体
)はN2と反応して次式、の反応によってβ型S iB
 N4結晶核を生成する。
8Si(気体)+2N2(気体)→s ia N 4 
(固体)・・・・川・・(5)一旦生成したβ−8i8
N、結晶核の成長は(2)の反応によるα型生成条件下
においてもβ型となることは一般的結晶成長論に合致す
るものである。
したがってβ型ウィスカーは、(4) l (5) +
 (2)の反応により進行するものである。こ\で問題
となるのはSi単結晶を加熱して蒸気也しN2ガスと反
応させたときはα型を生成するがこの場合何故に(5)
の反応によりβ型となるがという点である。このことは
SiOが加熱下に還元されてえられたSi蒸気はSi単
結晶を加熱してえられたSi蒸気とは物性が異なること
によるものである。このことは他の例として溶融体から
単結晶を合成する場合に、Fe■を原料とした融体がら
はFe■を含む単結晶かえられないにもかかわらずFe
  を原料として高温でFe  に還元した融体がらは
Fe■を含む単結晶かえられ、それは両Fe  の物性
が異なることで説明されているが、これと類似の現象に
より説明できる。それは活性度とイオン半径の差異が原
因であ、・・、す、この場合は結晶歪を少なくするため
coの値のよ小手さいβ型を生成するものである。さら
にこの場合(2)の反応も条件如何によっては単独にお
こりα型を同時に生成することもある。
本発明において、シリカとカーボンの混合比は、モル比
でSiO2:Cが1:2〜l:10であり、さらに好ま
しくはSiO2:C−1=4付近である。カーボンのモ
ル比が上記範囲より少ないと、(1)式の反応が進行し
難くなり、逆に上記範囲より多くなると、未反応で残渣
となるカーボン量が増加し、効率が悪くなり好ましくな
い。
次にシリカと氷晶石との混合比は、氷晶石自体と、窒素
雰囲気中に添加するNH8との相乗効果が著しいため、
−概には決定できないが、モル比でSin□: Na3
AlF6が1 : H2〜1 : 1/4程度が好まし
く、混合雰囲気(N’2+ NH8)におけるN2: 
NH8がモル比で24=1の時には、SiO2: Na
8A7F6が1=1/10 ” 1 : 1/、、がよ
り好ましい。氷晶石の量が上記範囲より多くなると、反
応時に生成するけい酸塩融体の量が多くなり過ぎ、N2
やSiOガスの移・動が妨げられ、(4) + (5)
式の反応が進行し難くなり、・残渣中GこSiOが生成
し好ましくない。逆に、上記範囲より少なくなると、(
3)式の反応が遅くなり、残渣中に未反応のS io 
2が生成し好ましくない。
NH8の混合比は、N2に対しモル比で14以下が好ま
しく、さら(こ好ましくは1/12以下である。混合比
が]/15を越えると、雰囲気中のN9分圧を下げ過ぎ
、残渣中に多量のSiOが生成し易くなるので好ましく
ない。又、N2ガス単独の場合にはα型5i8N、ウィ
スカーが生成−し易くなりβ型5i8N、ウィスカーが
得られない。
上述の如く、適量のNH8と氷晶石の存在は本発明にお
いて不可欠の要件である。・ 反応湿度は1250〜1450℃で、1250℃より下
では反応が進行しにくくなり極端に収率を1・悪くする
。一方1450°Cを越えると窒化けい素が生成せず、
炭化けい素を生成する。好ましくは1300〜1400
℃である。
以下さらに本発明を実施例につき比較例と対比して説明
する。
それぞれ、試料原料5として、100 meshを通過
する無水けい酸(シリカ)、活性炭(カーボン)及び氷
晶石の粉末を次表にてモル比で示すように、乾式混合す
る。この混合した試料原料5を、それぞれ19をカーボ
ン製の試料容器4に第1図に示すように充填し、ムライ
ト製の保護管8内に入れ、これをさらにムライトチュー
ブを炉芯管2に用いた電気炉1内に装入する。モル比で
N、:NH8が次表に示すような混合雰囲気6を炉芯管
2内に図中矢印で示すように流入せしめながら、この(
N十NH8)雰囲気中で、温度1350℃で24時間加
熱反応させた。一方、排出ガス7として図。
中矢印で示すように排出させ、この場合の前記流入混合
雰囲気ガス6の流量は50 Cc//minであり、炉
芯管2内部は略々常圧で反応させた。その結果保護管3
内面に生成した窒化けい素ウィスカーをX線回折により
判断し、α相とβ相の含有率(重量%)を次表にそれぞ
れ併記した。
表から明らかなようにζ比較例1及び比較例5は、試料
原料5中の氷晶石が本発明方法の範囲外であり、α型窒
化けい素ウィスカーの含有率が大きかったり、β′−サ
イアロン(Si6−Z”ZOZN8−Z ’1≦2≦4
)や、SiCが生成し良好ではない。
比較例2〜比較例4は、混合雰囲気ガス6のN2+NH
3のモル比が本発明方法の範囲外であり、α型窒化けい
一素ウイスカーの含有率が大きかったり、β′−サイア
ロンやSiOが生成し良好ではない。
本発明方法の実施例1〜実施例5では、何れもβ型窒化
けい素ウィスカーの含有率が80%以上であり、これら
のウィスカーは径が0.2〜1.5μ、長さが平均5 
mm程度の純粋で良く成長したβ型窒化けい素ウィスカ
ーが得られた。すなわち、これら実施例において本発明
の顕著な効果が認められた。
以上詳述した如く、本発明によれば、比較的低温で繊維
長の長い柔軟なよく発達したβ型窒化けい素ウィスカー
を容易に製造し得る方法を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例にて用いた装置を示す断面略
図である。 l・・・電気炉      2・・・炉芯管3・・・保
護管      4・・・試料容器5・・・試料原料 
    6・・・流入混合雰・囲気(N2+NH8)7
・・・排出ガス 特ン出−願人    東芝セラミックス株式会社第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 シリカとカーボンと氷晶石とからなる混合ル比が、
    l:(2〜lo):(しi〜1/4)である混合物を、
    NE(8をN2に対しモル比で14以下添加した(N2
    +NH8) の混合雰囲気中で温度1250〜1450
    °Cに加熱反応させることを 、特徴とするβ型窒化け
    い累ウィスカーの製造方法。
JP58016257A 1983-02-04 1983-02-04 β型窒化けい素ウイスカ−の製造方法 Granted JPS59147000A (ja)

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JP58016257A JPS59147000A (ja) 1983-02-04 1983-02-04 β型窒化けい素ウイスカ−の製造方法

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JPS6348840B2 JPS6348840B2 (ja) 1988-09-30

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62256798A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Toshiba Ceramics Co Ltd 繊維状窒化珪素の製造方法
JPS63130734A (ja) * 1986-11-19 1988-06-02 Ube Ind Ltd β型窒化珪素ウイスカ−強化金属複合材料
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