JPS59145558A - 半導体整流装置用積層スタツク - Google Patents
半導体整流装置用積層スタツクInfo
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- JPS59145558A JPS59145558A JP58018799A JP1879983A JPS59145558A JP S59145558 A JPS59145558 A JP S59145558A JP 58018799 A JP58018799 A JP 58018799A JP 1879983 A JP1879983 A JP 1879983A JP S59145558 A JPS59145558 A JP S59145558A
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- JP
- Japan
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- press plate
- pressure
- bolt
- spring guide
- insulating
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/117—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体整流装置に用いる平型半導体素子の積層
スタックの構造に関するものである。
スタックの構造に関するものである。
第1図および第2図は、従来から半導体整流装置に用い
られている平型半導体素子の積層スタックの構造を示す
正面図および側面図でるる。
られている平型半導体素子の積層スタックの構造を示す
正面図および側面図でるる。
これらの図において、複数の平型半導体素子1ばその両
端に配置された冷却フィン2を介して積層されると共に
、積層端部の一方の冷却フィン2は絶縁スペーサ3Aお
よびバネガイド4を介して下押え板9との間に配置され
たバネ5により押圧され、他方の冷却フィン2は絶丁雇
スペーサ3Bおよびスチールボール6を介して上押え板
8の中心部分に配置された加圧ボルト7によって押圧さ
れ、上押え板8および下押え板9は絶縁ボルト1oによ
って適正な間隔を保ち連結固定されている。また、下押
え板9にはL字形の金具12が固定されると共に、バネ
ガイド4には下押え板9の中心部分を貫通するロッド1
1が固定されており、加圧ボルト7を回転させてスチー
ルボール6を介して絶縁スペーサ3Bを押圧すると平型
半導体素子1および冷却フィン2はバネ5の反力によっ
て圧接され、この時の圧接力はロッド11の先端と金具
12との間隙13を測ることによって検知できるように
構成されている。
端に配置された冷却フィン2を介して積層されると共に
、積層端部の一方の冷却フィン2は絶縁スペーサ3Aお
よびバネガイド4を介して下押え板9との間に配置され
たバネ5により押圧され、他方の冷却フィン2は絶丁雇
スペーサ3Bおよびスチールボール6を介して上押え板
8の中心部分に配置された加圧ボルト7によって押圧さ
れ、上押え板8および下押え板9は絶縁ボルト1oによ
って適正な間隔を保ち連結固定されている。また、下押
え板9にはL字形の金具12が固定されると共に、バネ
ガイド4には下押え板9の中心部分を貫通するロッド1
1が固定されており、加圧ボルト7を回転させてスチー
ルボール6を介して絶縁スペーサ3Bを押圧すると平型
半導体素子1および冷却フィン2はバネ5の反力によっ
て圧接され、この時の圧接力はロッド11の先端と金具
12との間隙13を測ることによって検知できるように
構成されている。
従って、このような構成の積層スタックにおいて(・ま
、ロッド11の先端と金具12との間隙13を管理する
ことにまり、平型半導体素子1の適正な圧接力を管理す
ることができる。例えば、素子1の劣化等によりこれを
交換する場合は、バネ5の反力がなくなるまで加圧ボル
トを弛めることにより素子1の交換ができる状態となり
、交換後は間隙13が規定値に達するまで加圧ボルト7
を締付けることによυ、特別な圧力計等を用いずに素子
交換前の圧接状態と同じにすることができる。
、ロッド11の先端と金具12との間隙13を管理する
ことにまり、平型半導体素子1の適正な圧接力を管理す
ることができる。例えば、素子1の劣化等によりこれを
交換する場合は、バネ5の反力がなくなるまで加圧ボル
トを弛めることにより素子1の交換ができる状態となり
、交換後は間隙13が規定値に達するまで加圧ボルト7
を締付けることによυ、特別な圧力計等を用いずに素子
交換前の圧接状態と同じにすることができる。
しかしながら、このような構造において(は加圧ボルト
7および金具12、ロッド11が押え板8゜9より外側
に突出しているため、このような積層スタックを多数使
用する大容着半導体整流装置では装置全体の寸法が犬き
くなシネ経済になってしまうという欠点があった。
7および金具12、ロッド11が押え板8゜9より外側
に突出しているため、このような積層スタックを多数使
用する大容着半導体整流装置では装置全体の寸法が犬き
くなシネ経済になってしまうという欠点があった。
本発明の目的は、半導体整流装置全体の形状を小形化し
得る遺ノ耐スタックを提供することにある。
得る遺ノ耐スタックを提供することにある。
本発明は加圧ボルトおよび隙間測定部を押え板の内側に
自装置するようにしたものである。
自装置するようにしたものである。
第3図〜第5図は本発明の一実施例を示す図であって、
第3図は積層スタックの正面図、第4図はその側面図、
第5図はバネガイドの平面図をそれぞれ示している。
第3図は積層スタックの正面図、第4図はその側面図、
第5図はバネガイドの平面図をそれぞれ示している。
第3図および第4図において、平型半導体素子1、冷却
フィン2、絶縁スペーサ3A、3Bは、従来と同様に上
押え板8と下押え板9との間に絶縁ボルト10によって
一直線上に積層され、絶縁スペーサ3A、3Bはバネガ
イド4およびスチールボール6を介して加圧ボルト7と
バネ5とによって押圧されている。
フィン2、絶縁スペーサ3A、3Bは、従来と同様に上
押え板8と下押え板9との間に絶縁ボルト10によって
一直線上に積層され、絶縁スペーサ3A、3Bはバネガ
イド4およびスチールボール6を介して加圧ボルト7と
バネ5とによって押圧されている。
しかし、ここでの加圧ボルト7はその頭部が上押え板8
の内側になるように紋押え板8に螺合され、かつその頭
部には円錐状の切込みが設けられてスチールボール6を
絶縁スペーサ3Bとの間で確実に挾持するように構成さ
れている。
の内側になるように紋押え板8に螺合され、かつその頭
部には円錐状の切込みが設けられてスチールボール6を
絶縁スペーサ3Bとの間で確実に挾持するように構成さ
れている。
一方、バネガイド4には第3図および第5図で示すよう
にその中心部分を軸方向に貫通ずる貫通孔14が設けら
れ、下押え板9に固定されかつ載板9の内側に突出した
ロッド11をこの貫通孔14に貫通させ、バネガイド4
の中心部分に形成された凹部15においてロッド11の
先端と絶縁スペーサ3Aとの間隙13を測定できるよう
に構成されている。
にその中心部分を軸方向に貫通ずる貫通孔14が設けら
れ、下押え板9に固定されかつ載板9の内側に突出した
ロッド11をこの貫通孔14に貫通させ、バネガイド4
の中心部分に形成された凹部15においてロッド11の
先端と絶縁スペーサ3Aとの間隙13を測定できるよう
に構成されている。
従って、このような構造においては加圧ボルト7を回転
させることによって素子1および冷却フィン2をバネ5
の反力によって適切な圧接力で圧接させることができる
。そして、その圧接力は下押え板9の内側に突出したロ
ッド11の先端と絶縁スペーサ3Aとの間隙13を測定
することによって検知でき、また圧接力は上押え板8の
内側にある加圧ボルト7の頭部を回転させることによっ
て調整できる。すなわち、従来と同様の機能を得ること
ができる。しかし、ここでは加圧ボルト7およびバネ5
のたわみ量測定部に相当する1…隙測測定を上押え板8
と下押え板9の内側に配置したため、長軸方向の最大寸
法を小さくすることができる。
させることによって素子1および冷却フィン2をバネ5
の反力によって適切な圧接力で圧接させることができる
。そして、その圧接力は下押え板9の内側に突出したロ
ッド11の先端と絶縁スペーサ3Aとの間隙13を測定
することによって検知でき、また圧接力は上押え板8の
内側にある加圧ボルト7の頭部を回転させることによっ
て調整できる。すなわち、従来と同様の機能を得ること
ができる。しかし、ここでは加圧ボルト7およびバネ5
のたわみ量測定部に相当する1…隙測測定を上押え板8
と下押え板9の内側に配置したため、長軸方向の最大寸
法を小さくすることができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、積層ス
タックの長軸方向の最大寸法を小さくすることができ、
半導体整流装置における取付は占有空間は小さくて済み
、装置全体の形状を小形化することができる。また、長
袖方向の最大寸法はバネの圧接力にばらつきがあっても
上押え板と下押え板との距離によって定まるため、取付
は位置の設計に際してバネの圧接力のばらつきを考慮し
なくて済み、設計時の取扱いが便利になるなどの効果が
ある。
タックの長軸方向の最大寸法を小さくすることができ、
半導体整流装置における取付は占有空間は小さくて済み
、装置全体の形状を小形化することができる。また、長
袖方向の最大寸法はバネの圧接力にばらつきがあっても
上押え板と下押え板との距離によって定まるため、取付
は位置の設計に際してバネの圧接力のばらつきを考慮し
なくて済み、設計時の取扱いが便利になるなどの効果が
ある。
第1図および第2図は従来における積層スタックの構造
を示す正面図および側面図、第3図および第4図は本発
明による積層スタックの一実施例を示す正面図および側
面図、第5図はバネガイドの構造を示す平面図である。 1・・・平型半導体素子、2・・・冷却フィン、3A。
を示す正面図および側面図、第3図および第4図は本発
明による積層スタックの一実施例を示す正面図および側
面図、第5図はバネガイドの構造を示す平面図である。 1・・・平型半導体素子、2・・・冷却フィン、3A。
Claims (1)
- 工、平型半導体素子と冷却フィンを介して積層し、この
積層体を所定間隔で対向配置された2つの押え板の間に
加圧ボルトおよび圧接バネを用いて圧接し、その圧接力
を前記圧接バネのたわみ量によって測定するt1111
定部を備えた半導体整流装置用積層スタックにおいて、
前記加圧ボルトの頭部および前記測定部を前記2つの押
え板の内側に配設したことを特徴とする半導体整流装置
用積層スタック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58018799A JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58018799A JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59145558A true JPS59145558A (ja) | 1984-08-21 |
JPH0320902B2 JPH0320902B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=11981632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58018799A Granted JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59145558A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512931A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Hitachi Ltd | Seiryusochi |
JPS56108265U (ja) * | 1980-01-21 | 1981-08-22 | ||
JPS5712748U (ja) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | ||
JPS596851U (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 平形半導体装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1488664A (en) * | 1973-11-24 | 1977-10-12 | British Industrial Plastics | Liquid storage installations |
GB1513631A (en) * | 1976-02-17 | 1978-06-07 | Gallardo Antonio Sa | Piperidine derivatives |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58018799A patent/JPS59145558A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512931A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Hitachi Ltd | Seiryusochi |
JPS56108265U (ja) * | 1980-01-21 | 1981-08-22 | ||
JPS5712748U (ja) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | ||
JPS596851U (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 平形半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0320902B2 (ja) | 1991-03-20 |
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