JPS59131493A - 光学記録媒体の製造方法 - Google Patents
光学記録媒体の製造方法Info
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- JPS59131493A JPS59131493A JP58232328A JP23232883A JPS59131493A JP S59131493 A JPS59131493 A JP S59131493A JP 58232328 A JP58232328 A JP 58232328A JP 23232883 A JP23232883 A JP 23232883A JP S59131493 A JPS59131493 A JP S59131493A
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- Japan
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- naphthoquinone dye
- naphthoquinone
- dye
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- recording medium
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G—PHYSICS
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体の製造方法に関し、さらに詳しくは半
導体レーザの発振波長の光エネルギーによ、！７物質状
態の変化全利用して記録を行う光学記録媒体の製造方法
に関する。
きる光学記録媒体の製造方法に関し、さらに詳しくは半
導体レーザの発振波長の光エネルギーによ、！７物質状
態の変化全利用して記録を行う光学記録媒体の製造方法
に関する。
従来、この種の光学記録媒体としてＴｅ合金。
Ｔｅ酸化物、バブル形成媒体及び有機色素等が用いられ
ていた。
ていた。
Ｔｅ合金は、Ｔｅ−と半導体、例えばＡｓ、Ｓｅ等の固
溶合金として用いられている。この媒体は、比較的書き
込み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半
導体レーザにも適合するが、化学的に不安定であシ、空
気中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
溶合金として用いられている。この媒体は、比較的書き
込み感度が高く、又記録再生の光学系を小型にし得る半
導体レーザにも適合するが、化学的に不安定であシ、空
気中放置で容易に劣化することと、構成材料（Ｔｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ等）が毒性を示すという問題点がある。
Ｔｅ酸化物は、Ｔｅ合金よ多安定であるが、その光学特
性９例えば吸収率９反射率が酸化状態に敏感に依存する
。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳しく
制御しなければならないという欠点を有する。
性９例えば吸収率９反射率が酸化状態に敏感に依存する
。そのため、この媒体は媒体形成時に酸化状態を厳しく
制御しなければならないという欠点を有する。
バブル形成媒体は、反射層、透過層、吸収層から成る層
構造であシ、繰シ返し反射干渉によシ光の吸収率を高め
高感度化を図っている。したがって、この媒体は現在数
も高感度な媒体の一つでおるが、多層構造のため成膜回
数が多いことと、繰り返し反射干渉が各層の厚さに大き
く依存するため、成膜時の膜厚制御を厳しく行なわなけ
ればならないという欠点がある。
構造であシ、繰シ返し反射干渉によシ光の吸収率を高め
高感度化を図っている。したがって、この媒体は現在数
も高感度な媒体の一つでおるが、多層構造のため成膜回
数が多いことと、繰り返し反射干渉が各層の厚さに大き
く依存するため、成膜時の膜厚制御を厳しく行なわなけ
ればならないという欠点がある。
一方、有機色素媒体は棟々の形態で開発されている。そ
れらを大別すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に溶
剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体はた
とえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されているよ
うに、高分子樹脂である月（リビニールアセテートに色
素としてポリエステルイ゛エローを溶剤で相溶し、回転
塗布法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波
長領域（４００〜５００ｎｍ ） に吸収を示すが、半
導体レーザの波長域（〜８００ｎｍ）ではほとんど吸収
が無く、半導体レーザを使用する記録装置の媒体として
は使用することができない。又、一般に相溶型の媒体は
、媒体形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂を使用す
る場合は、樹脂を溶解しない溶剤を選択しなければなら
ないという制約がある。一方、色素単体型の媒体として
は、たとえばスクアリリウム色素を蒸着法で形成する媒
体が特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この
色素は半導体レーザの発振波長である近赤外波長領域に
比較的大きな吸収があるが、記録感度はＴｅ合金よシも
悪い。
れらを大別すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に溶
剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体はた
とえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されているよ
うに、高分子樹脂である月（リビニールアセテートに色
素としてポリエステルイ゛エローを溶剤で相溶し、回転
塗布法で基板上に形成される。この媒体は、比較的短波
長領域（４００〜５００ｎｍ ） に吸収を示すが、半
導体レーザの波長域（〜８００ｎｍ）ではほとんど吸収
が無く、半導体レーザを使用する記録装置の媒体として
は使用することができない。又、一般に相溶型の媒体は
、媒体形成法が溶媒塗布に限られ、基板に樹脂を使用す
る場合は、樹脂を溶解しない溶剤を選択しなければなら
ないという制約がある。一方、色素単体型の媒体として
は、たとえばスクアリリウム色素を蒸着法で形成する媒
体が特開昭５６−４６２２１号に開示されている。この
色素は半導体レーザの発振波長である近赤外波長領域に
比較的大きな吸収があるが、記録感度はＴｅ合金よシも
悪い。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、半導
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
記録媒体の製造方法を提供することである。
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
記録媒体の製造方法を提供することである。
すなわち本発明は、
（式中ＲはＯＩ（、ＮＩＥ（、、ＮＨＸ 又はＮＸ、
を表わし、（Ｒ’）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは
置換数を表わす。（ここでＸはアルキル基を表わす。）
）で表わされるナフトキノン色素を蒸発させて、基板の
片側又は両側に前記す７トキノン色素を主成分とする記
録層を形成することを特徴とする。
を表わし、（Ｒ’）ｎはアルコキシル基を表わし、ｎは
置換数を表わす。（ここでＸはアルキル基を表わす。）
）で表わされるナフトキノン色素を蒸発させて、基板の
片側又は両側に前記す７トキノン色素を主成分とする記
録層を形成することを特徴とする。
上記の一般式で衣わされるす７トキノン色素は、２．３
−ジシアノ−１，４−ナフトキノンと総称され、５．８
位の助色団の種類によって吸収ピーク波長が可視領域か
ら近赤外領域に変化する。上記例示した助色団はどれも
近赤外領域に吸収ピーク波長があるが、上記一般式中の
ＲとしてＮＨ，を付加した化合物が半導体レーザの発振
波長と最も良く適合し、さらに（Ｒ’）ｎをアルコキシ
ル基としたものが他の妬条件に対して最も好ましいもの
でで表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−〔
（４−メトキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキ
ノンをアセトン溶剤中で測定した場合、この色素のスペ
クトルの吸収極大波長λｍａＸは７７０ｎｍであシ、半
導体レーザの発振波長と良く適合することが判る。前記
ナフトキノン色素化合物は、比較的高温、高湿の壌境粂
件でも安定であり、Ｔｅ合金のような空気中酸化による
劣化は示さない。このことは、保護膜無しで長期間の使
用に耐ることを意味する。又この化合物は、一般の有機
色素と同様に低い熱伝導率を有しており、その値は金属
の−〜−である。したがって、レーザ１０ １００ 光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくな９、元照射部
の媒体温度を効率良く高めることができる。
−ジシアノ−１，４−ナフトキノンと総称され、５．８
位の助色団の種類によって吸収ピーク波長が可視領域か
ら近赤外領域に変化する。上記例示した助色団はどれも
近赤外領域に吸収ピーク波長があるが、上記一般式中の
ＲとしてＮＨ，を付加した化合物が半導体レーザの発振
波長と最も良く適合し、さらに（Ｒ’）ｎをアルコキシ
ル基としたものが他の妬条件に対して最も好ましいもの
でで表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−〔
（４−メトキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキ
ノンをアセトン溶剤中で測定した場合、この色素のスペ
クトルの吸収極大波長λｍａＸは７７０ｎｍであシ、半
導体レーザの発振波長と良く適合することが判る。前記
ナフトキノン色素化合物は、比較的高温、高湿の壌境粂
件でも安定であり、Ｔｅ合金のような空気中酸化による
劣化は示さない。このことは、保護膜無しで長期間の使
用に耐ることを意味する。又この化合物は、一般の有機
色素と同様に低い熱伝導率を有しており、その値は金属
の−〜−である。したがって、レーザ１０ １００ 光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくな９、元照射部
の媒体温度を効率良く高めることができる。
記録媒体は、上記ナフトキノン色素を蒸着によシ基板の
片面又は両面に付着して形成される。前記のＲがＮＨ，
で、アルコキシル基がＯＣＨ，、ＱＣ，Ｈ，。
片面又は両面に付着して形成される。前記のＲがＮＨ，
で、アルコキシル基がＯＣＨ，、ＱＣ，Ｈ，。
ＱＣ，Ｈ，の場合は約２２０〜２４０℃程度で蒸着が可
能となシ、ＱＣ４Ｈ，は約２００〜２２０℃程度で蒸着
が可能となる。またこれらのナフトキノン色素は約３０
０℃前後で分解するため、蒸着温度は該分解温度よシ低
く、前記蒸着が可能となる温度よシ数十度高い温度まで
可能である。基鈑材料としては種々のものが使用できる
が一般には、ガラス、 ＡＩ 。
能となシ、ＱＣ４Ｈ，は約２００〜２２０℃程度で蒸着
が可能となる。またこれらのナフトキノン色素は約３０
０℃前後で分解するため、蒸着温度は該分解温度よシ低
く、前記蒸着が可能となる温度よシ数十度高い温度まで
可能である。基鈑材料としては種々のものが使用できる
が一般には、ガラス、 ＡＩ 。
合成樹脂が望ましい。合成樹脂としてはポリメチルメタ
クリル（ＰＭＭＡ）、ポリビニールクロライド（ｐｖｃ
）、ポリサルホン、ポリカーボネート等がある。基板形
状は円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
クリル（ＰＭＭＡ）、ポリビニールクロライド（ｐｖｃ
）、ポリサルホン、ポリカーボネート等がある。基板形
状は円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
基板上に形成されたナフトキノン色素膜に半導体レーザ
光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素膜が除
去されて孔が形成される。この孔形成の機構は明確では
ないが、蒸発（昇華）をともなう融′Ｊｖ！凝集に因る
と考えられる。形成される孔の大きさは、レーザ光の収
光径、レーザパワー。
光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素膜が除
去されて孔が形成される。この孔形成の機構は明確では
ないが、蒸発（昇華）をともなう融′Ｊｖ！凝集に因る
と考えられる。形成される孔の大きさは、レーザ光の収
光径、レーザパワー。
照射時間に依存するが、大体０２〜３ｐｍであることが
望ましい。このような孔形成に必要なレーザエネルギー
は小さなものであシ、したがって、短時間で孔形成が可
能である。具体的には、波長８３０ｎｍのＡ Ｉ Ｇ
ａＡ ｓ半導体レーザ光をビーム径１．４μｍに収光し
た場合、色素膜面上でのパワーは２〜ｌＱｍＷ、照射時
間は５０〜３００ ｎ ｓｅｅの範囲で孔を形成するこ
とができる。当然のことながら、上記パワー、あるいは
照射時間の上限値以上の条件でも孔全形成することがで
きるが、上記条件は望ましい使用条件である。情報の記
録は、２進情報を孔の有無に対応させることによシなさ
れる。
望ましい。このような孔形成に必要なレーザエネルギー
は小さなものであシ、したがって、短時間で孔形成が可
能である。具体的には、波長８３０ｎｍのＡ Ｉ Ｇ
ａＡ ｓ半導体レーザ光をビーム径１．４μｍに収光し
た場合、色素膜面上でのパワーは２〜ｌＱｍＷ、照射時
間は５０〜３００ ｎ ｓｅｅの範囲で孔を形成するこ
とができる。当然のことながら、上記パワー、あるいは
照射時間の上限値以上の条件でも孔全形成することがで
きるが、上記条件は望ましい使用条件である。情報の記
録は、２進情報を孔の有無に対応させることによシなさ
れる。
通常円板状媒体を等速回転させて、記録情報に合わせて
孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場合におい
て色素膜の膜厚は０．０１〜０．５μｍで、好適には０
０２〜０．２μｍである。
孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場合におい
て色素膜の膜厚は０．０１〜０．５μｍで、好適には０
０２〜０．２μｍである。
このように記録された情報（孔）の読み出しは、媒体か
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することにより
なされる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することにより
なされる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
これは、反射光検出の方が光学系が簡単になるためであ
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の−〜−であ
ｌＯ る。
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の−〜−であ
ｌＯ る。
記録・再生時の光の入射方向として、媒体面側・ と
基板面側の２通シがある。本例の如き単層媒体では両方
向の配置とも使用可能である。基板面側入射では、媒体
面上に付着した麿埃に影響されることなく記録・再生が
可能であシ、よシ望ましい形態である。なお、媒体が形
成されている面の反対側の基板面上に付着した厘埃及び
その面のキズ等の欠陥は、基板厚さが１ｍｍ以上であれ
ば、その面でのビーム径が充分大きいので記録・再生に
悪影響を与えない。
基板面側の２通シがある。本例の如き単層媒体では両方
向の配置とも使用可能である。基板面側入射では、媒体
面上に付着した麿埃に影響されることなく記録・再生が
可能であシ、よシ望ましい形態である。なお、媒体が形
成されている面の反対側の基板面上に付着した厘埃及び
その面のキズ等の欠陥は、基板厚さが１ｍｍ以上であれ
ば、その面でのビーム径が充分大きいので記録・再生に
悪影響を与えない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の精度を空気軸受などを使用して高めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となシ、又
高価となるので実用的ではない。よシ望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折さ、れる。ビーム中心が
溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なシ、
これを検出して、ビームを溝の中心に入射させるように
サーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、０．
６〜１．２μｍ、その深さは使用する記録再生波長の−
〜−の範囲に設定さ４ れる。したがって記録層は鍔付基板面上に形成される。
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の精度を空気軸受などを使用して高めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となシ、又
高価となるので実用的ではない。よシ望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折さ、れる。ビーム中心が
溝からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なシ、
これを検出して、ビームを溝の中心に入射させるように
サーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、０．
６〜１．２μｍ、その深さは使用する記録再生波長の−
〜−の範囲に設定さ４ れる。したがって記録層は鍔付基板面上に形成される。
２．３−ジシアノ−１，４ナフトキノン色素の薄膜は通
常の抵抗加熱蒸着法によシ形成することができる。室温
に保持された基板上に薄膜を形成すると、その結晶性は
無定形、即ち非晶質となる。
常の抵抗加熱蒸着法によシ形成することができる。室温
に保持された基板上に薄膜を形成すると、その結晶性は
無定形、即ち非晶質となる。
非晶質膜からの反射光には、多結晶膜で見られる粒界ノ
イズが含ま姓ないので非晶質膜を使用した時の再生のジ
Ｎは良好である。
イズが含ま姓ないので非晶質膜を使用した時の再生のジ
Ｎは良好である。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は実際に蒸着で基板上に作成した５−アミノ−２
，３−ジシアノ−８−（（４−メトキシ）フェニルアミ
ノ）−１，４−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スペクト
ルを示したものである。これより、Ａ Ｉ Ｇ ａＡ
ｓ半導体レーザの発振波長である〜８００ｎｍ 付近に
吸収極太があＱ、本色累が半導体レーザを使用する光学
記録媒体として好適であることがＮ認された。なお、本
蒸着膜の複素屈折率は波長８３０ ｎｍで２．４−１０
．７ である。
，３−ジシアノ−８−（（４−メトキシ）フェニルアミ
ノ）−１，４−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スペクト
ルを示したものである。これより、Ａ Ｉ Ｇ ａＡ
ｓ半導体レーザの発振波長である〜８００ｎｍ 付近に
吸収極太があＱ、本色累が半導体レーザを使用する光学
記録媒体として好適であることがＮ認された。なお、本
蒸着膜の複素屈折率は波長８３０ ｎｍで２．４−１０
．７ である。
次に１．２ ｍｍ厚の円板状のＰＩＶＩＭＡ基根上に、
５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（（４−メトキシ
）フェニルアミノ）−１，４−す７トキノン色素を抵抗
加熱法で蒸着し、膜厚９３５Ａの膜を得た。抵抗加熱ボ
ート材はＭｏであシ、蒸着時の真空度は１．５Ｘ１０”
Ｔｏｒｒ以下とした。基板は室温自然放置とし、蒸着
による基板温度上昇はほとんど認められなかった。ボー
ト温度を徐々に上げて行くと２３３℃で色素が融解し、
この温度に固定して蒸着した。蒸着速度は５Ａ／ｓｅｃ
である。
５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−（（４−メトキシ
）フェニルアミノ）−１，４−す７トキノン色素を抵抗
加熱法で蒸着し、膜厚９３５Ａの膜を得た。抵抗加熱ボ
ート材はＭｏであシ、蒸着時の真空度は１．５Ｘ１０”
Ｔｏｒｒ以下とした。基板は室温自然放置とし、蒸着
による基板温度上昇はほとんど認められなかった。ボー
ト温度を徐々に上げて行くと２３３℃で色素が融解し、
この温度に固定して蒸着した。蒸着速度は５Ａ／ｓｅｃ
である。
なお、本色累の分解温度は２９５℃であシ、蒸着温度よ
り十分高い。
り十分高い。
第２図は、このようにして形成された媒体１を示してい
る。ＰＭＭＡ基板１０上に色素膜２０が形成されている
。この媒体１に矢印３０の方向から波長８３０ ｎｍの
半導体レーザ光を光学系（図示せず）で集光して照射し
た。この場合、レーザ光は媒体面上のパワーで２〜ｌＱ
ｍＷ、照射時間５０〜３００ｎｓｅｃ、 媒体移動線
速度１３ ｍ／ ｓｅｅの条件で行なった。この記録波
長での記録感度は約４０ｍＪ／ｄであった。この記録に
よシ、色素膜２０中に約１μｍ前後の径の孔４０が形成
された。このような記録は、基板１０を介して、即ち矢
印５０の方向から光音入射しても同様に可能であった。
る。ＰＭＭＡ基板１０上に色素膜２０が形成されている
。この媒体１に矢印３０の方向から波長８３０ ｎｍの
半導体レーザ光を光学系（図示せず）で集光して照射し
た。この場合、レーザ光は媒体面上のパワーで２〜ｌＱ
ｍＷ、照射時間５０〜３００ｎｓｅｃ、 媒体移動線
速度１３ ｍ／ ｓｅｅの条件で行なった。この記録波
長での記録感度は約４０ｍＪ／ｄであった。この記録に
よシ、色素膜２０中に約１μｍ前後の径の孔４０が形成
された。このような記録は、基板１０を介して、即ち矢
印５０の方向から光音入射しても同様に可能であった。
上記実施例から明らかなように、不発明によシ得られる
光学記録媒体は、高感度であシかつ化学的に安定で長期
保存に耐え、加えて媒体形成が容易であるという優れた
利点を有していることが判る。なお、本実施例ではアル
コキシル基（Ｒ’ ）ｎ 、！：してメトキシル基ＣＨ
，Ｏ−を用いる例を示したがこの他にエトキシル基Ｃ１
Ｈ，Ｏ−、グロボキシル基Ｃ，Ｈ２Ｏ−等の炭素の多い
ものでも実施例とほぼ同様の製造条件で作製でき、等し
い有効性が得られる。
光学記録媒体は、高感度であシかつ化学的に安定で長期
保存に耐え、加えて媒体形成が容易であるという優れた
利点を有していることが判る。なお、本実施例ではアル
コキシル基（Ｒ’ ）ｎ 、！：してメトキシル基ＣＨ
，Ｏ−を用いる例を示したがこの他にエトキシル基Ｃ１
Ｈ，Ｏ−、グロボキシル基Ｃ，Ｈ２Ｏ−等の炭素の多い
ものでも実施例とほぼ同様の製造条件で作製でき、等し
い有効性が得られる。
第１図は５−アミノ−２，３ジシアノ−８−〔（４−メ
トキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナストキノ／色累
蒸層欣の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は、本
発明による光学記録媒体の断面図であり図中１０は基板
、２０は色素膜、３０．５０は光の入射方向、４０は孔
を示す。 代理人ブト理上 ＩＪｇ Ｊｆ ：’、會ン、
−’ｉ−／ 昂 １ ｌ 披 長 （ｎｍ）
トキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナストキノ／色累
蒸層欣の吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図は、本
発明による光学記録媒体の断面図であり図中１０は基板
、２０は色素膜、３０．５０は光の入射方向、４０は孔
を示す。 代理人ブト理上 ＩＪｇ Ｊｆ ：’、會ン、
−’ｉ−／ 昂 １ ｌ 披 長 （ｎｍ）
Claims (1)
- （式中ＲはＯＨ，ＮＨ，、ＮＨＸ又はＮＸ、を表わし、
（Ｒ’）ｎ はアルコキシル基を表わし、ｎは置換数
を表わす（ここでＸはアルキル基を表わす。））で表わ
されるナフトキノン色素全蒸発させて、基板の片側又は
両側に前記ナフトキノン色素を主成分とする記録層を形
成することを特徴とする光学記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232328A JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232328A JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157475A Division JPS5948187A (ja) | 1982-06-25 | 1982-09-10 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59131493A true JPS59131493A (ja) | 1984-07-28 |
| JPH0251392B2 JPH0251392B2 (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=16937470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232328A Granted JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044497A1 (fr) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement optique et son procede de fabrication |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232328A patent/JPS59131493A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044497A1 (fr) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement optique et son procede de fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251392B2 (ja) | 1990-11-07 |
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