JPS5912814Y2 - surface acoustic wave device - Google Patents
surface acoustic wave deviceInfo
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- JPS5912814Y2 JPS5912814Y2 JP2933578U JP2933578U JPS5912814Y2 JP S5912814 Y2 JPS5912814 Y2 JP S5912814Y2 JP 2933578 U JP2933578 U JP 2933578U JP 2933578 U JP2933578 U JP 2933578U JP S5912814 Y2 JPS5912814 Y2 JP S5912814Y2
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- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- glass substrate
- electrode
- wave device
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、弾性表面波素子の電極形状に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to an electrode shape of a surface acoustic wave element.
弾性表面波素子は、圧電性を利用して電気信号と弾性表
面波の相互変換を行なうものである。Surface acoustic wave elements mutually convert electrical signals and surface acoustic waves using piezoelectricity.
その周波数特性、遅延時間特性を利用して、フィルタ、
遅延線等に利用される。Using its frequency characteristics and delay time characteristics, filters,
Used for delay lines, etc.
圧電材料としては、PZTなどの圧電セラミック、ニオ
ブ酸リチウムなどの単結晶、酸化亜鉛などの圧電薄膜が
あるが、特性、価格の面から圧電薄膜が優れている。Piezoelectric materials include piezoelectric ceramics such as PZT, single crystals such as lithium niobate, and piezoelectric thin films such as zinc oxide, but piezoelectric thin films are superior in terms of characteristics and cost.
この圧電薄膜を弾性表面波素子に用いる場合には、通常
、絶縁性の基板としてガラスが用いられる。When this piezoelectric thin film is used in a surface acoustic wave device, glass is usually used as an insulating substrate.
このガラス基板上に交叉櫛形電極による入出力電極を設
け、この電極を設けたガラス基板上に圧電薄膜を形成す
る。Input/output electrodes using crossed comb electrodes are provided on this glass substrate, and a piezoelectric thin film is formed on the glass substrate provided with these electrodes.
圧電薄膜としては酸化亜鉛が用いられ、これはスパッタ
リング法によって亜鉛をスパッタし、酸素と化合させて
基板に付着される方法によって製造される。Zinc oxide is used as the piezoelectric thin film, and is manufactured by sputtering zinc, combining it with oxygen, and depositing it on the substrate.
弾性表面波素子として十分な利得を得るためには、膜厚
を十分厚くして圧電性を良くしなければならない。In order to obtain sufficient gain as a surface acoustic wave element, the film must be sufficiently thick to improve piezoelectricity.
しかし、膜厚を厚くするとガラス基板が割れる現象が起
るという問題が生じる。However, when the film thickness is increased, a problem arises in that the glass substrate may break.
このガラス基板が割れる現象は薄膜による応力が原因と
なるものと考えられる。This phenomenon of glass substrate cracking is thought to be caused by stress caused by the thin film.
膜厚が薄いときにはガラスが割れることはないが、膜厚
を厚くして行くと薄膜の結晶構造の歪みが大きくなり、
この歪みによって応力も蓄積されて一定の値以上になっ
たときにガラスが割れるものと考えられる。When the film thickness is thin, the glass does not break, but as the film thickness increases, the distortion of the crystal structure of the thin film increases.
It is thought that stress is accumulated due to this distortion, and when the stress exceeds a certain value, the glass breaks.
上記のガラスの割れる現象を観察してみると、以下の点
が明らかになった。When we observed the phenomenon of glass breaking mentioned above, the following points became clear.
第1図は通常用いられる弾性表面波素子の斜視図で、ガ
ラス基板11上に電極を形成したものである。FIG. 1 is a perspective view of a commonly used surface acoustic wave device, in which electrodes are formed on a glass substrate 11.
電極は交叉櫛形電極12と各電極を外部と接続するため
のパッド13及びこれを接続する導電路14から戒って
いる。The electrodes are connected to a cross-comb electrode 12, a pad 13 for connecting each electrode to the outside, and a conductive path 14 connecting the pads.
この導電路14は交叉櫛形電極12の電極指の両側に入
出力電極のものがそれぞれ二本の直線上に位置した形に
なっており、しかもガラス基板11の端面と平行になっ
ている。The conductive path 14 has input and output electrodes on both sides of the electrode fingers of the intersecting comb-shaped electrode 12 located on two straight lines, and is parallel to the end surface of the glass substrate 11.
弾性表面波素子を製造する場合には、一枚のガラス基板
に多数の電極パターンを配列し、これを切断して一個の
素子を製造する。When manufacturing a surface acoustic wave device, a large number of electrode patterns are arranged on a single glass substrate, and this is cut to manufacture a single device.
このガラス基板を分割するときに、導電路14に沿った
線でガラスが割れることが多かった。When dividing this glass substrate, the glass was often broken along the lines along the conductive paths 14.
これは、この線が、ガラス表面と電極に用いる金属表面
との不連続面の線となり、応力が局部的に集中し、その
線で最も大きくなるためであると考えられる。This is thought to be because this line is a discontinuous line between the glass surface and the metal surface used for the electrode, and stress is locally concentrated and becomes the largest at that line.
その線が、ガラス基板の切断線と一致するため、ガラス
基板の分割時に加わる力とが相乗してガラス基板が割れ
るものである。Since this line coincides with the cutting line of the glass substrate, the force applied when dividing the glass substrate is combined with the force to cause the glass substrate to break.
また、スパッタリング沖にガラス基板が破壊する原因と
もなる。Moreover, it may cause the glass substrate to be destroyed during sputtering.
本考案は、前記のようなガラス基板の割れを防止するこ
とを目的とし、応力が特定の部分に集中することを防止
することによってこの目的を達成するものである。The purpose of the present invention is to prevent the glass substrate from cracking as described above, and achieves this purpose by preventing stress from concentrating on a specific portion.
本考案は電極のパターンを変えることによって上記の目
的を達するものである。The present invention achieves the above objectives by changing the pattern of the electrodes.
以下、第2図の実施例に従って説明する。The following description will be made according to the embodiment shown in FIG.
ガラス基板21上に交叉櫛形電極22と、各電極を外部
と接続するためのパッド23が設けられているのは前記
と同様である。As described above, intersecting comb-shaped electrodes 22 and pads 23 for connecting each electrode to the outside are provided on the glass substrate 21.
交叉櫛形電極22とパッド23を接続する導電路24を
設けるが、これらが−直線上に位置しないよう、弾性表
面波の伝播方向と異なる方向に伸びるように設けられる
。A conductive path 24 connecting the interdigitated electrode 22 and the pad 23 is provided, but it is provided so as to extend in a direction different from the propagation direction of the surface acoustic wave so that the conductive path 24 is not located on a straight line.
換言すれば、交叉櫛形電極22と外部回路を接続する導
電路24が、交叉櫛形電極22の電極指の端部を連結し
ている共通電極25に対しである角度をもった方向に伸
び、ガラス基板21の端縁近くに設けたパッド23に接
続されている。In other words, the conductive path 24 connecting the crossed comb electrode 22 and the external circuit extends in a direction at an angle to the common electrode 25 connecting the ends of the electrode fingers of the crossed comb electrode 22. It is connected to a pad 23 provided near the edge of the substrate 21.
導電路24は、ガラス基板21の端面とも平行でなくな
る。The conductive path 24 is also no longer parallel to the end surface of the glass substrate 21.
このような電極配置は、電極をフォトエツチングで形成
するときのマスクを変更するのみで容易に構成できる。Such an electrode arrangement can be easily constructed by simply changing the mask used when forming the electrodes by photoetching.
本考案によれば、ガラス基板を分割するときに加わる力
の方向と応力が大きくなる線が一致せず、ガラス基板の
割れを減少させることができる。According to the present invention, the direction of the force applied when dividing the glass substrate does not coincide with the line where the stress increases, so that cracking of the glass substrate can be reduced.
また、ガラス基板の応力が分散されることになり、外部
から力が加わったときにも、ガラスが割れることが少な
くなる。Moreover, the stress on the glass substrate is dispersed, and the glass is less likely to break even when force is applied from the outside.
それによって、弾性表面波素子の製造上の歩留りも向上
し、信頼性の高い弾性表面波素子を得ることができる。Thereby, the manufacturing yield of the surface acoustic wave device is improved, and a highly reliable surface acoustic wave device can be obtained.
第1図は従来の弾性表面波素子の斜視図、第2図は本考
案の実施例の斜視図を示す。
11、21・・・・・・ガラス基板、12.22・・・
・・・交叉櫛形電極、13.23・・・・・・パッド、
14.24・・・・・・導電路、25・・・・・・共通
電極。FIG. 1 is a perspective view of a conventional surface acoustic wave element, and FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of the present invention. 11, 21...Glass substrate, 12.22...
...Cross comb electrode, 13.23...Pad,
14.24... Conductive path, 25... Common electrode.
Claims (1)
成して成る弾性表面波素子において、該交叉櫛形電極と
外部回路とを接続する導電路が、弾性表面波の伝播方向
及び弾性表面波の伝播方向に直角な方向と異なる方向に
伸びたことを特徴とする弾性表面波素子。In a surface acoustic wave element formed by forming a piezoelectric thin film on the surface of a glass substrate provided with interdigitated electrodes, a conductive path connecting the interdigitated electrodes and an external circuit is arranged in the direction of propagation of the surface acoustic wave and the direction of propagation of the surface acoustic wave. A surface acoustic wave element characterized by extending in a direction different from the direction perpendicular to the propagation direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2933578U JPS5912814Y2 (en) | 1978-03-08 | 1978-03-08 | surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2933578U JPS5912814Y2 (en) | 1978-03-08 | 1978-03-08 | surface acoustic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54133741U JPS54133741U (en) | 1979-09-17 |
JPS5912814Y2 true JPS5912814Y2 (en) | 1984-04-17 |
Family
ID=28876948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2933578U Expired JPS5912814Y2 (en) | 1978-03-08 | 1978-03-08 | surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5912814Y2 (en) |
-
1978
- 1978-03-08 JP JP2933578U patent/JPS5912814Y2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54133741U (en) | 1979-09-17 |
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