JPS5891059A - Composite ceramic sintered body and manufacture - Google Patents
Composite ceramic sintered body and manufactureInfo
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- JPS5891059A JPS5891059A JP56187761A JP18776181A JPS5891059A JP S5891059 A JPS5891059 A JP S5891059A JP 56187761 A JP56187761 A JP 56187761A JP 18776181 A JP18776181 A JP 18776181A JP S5891059 A JPS5891059 A JP S5891059A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、複合セラミックス焼結体及びその製造方法に
関し、更に詳しくは、緻密で放熱性が良好であり、高熱
伝導性且つ高電気絶縁性を有する複合セラミックス焼結
体及びその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a composite ceramic sintered body and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a composite ceramic sintered body that is dense, has good heat dissipation, has high thermal conductivity, and high electrical insulation. The present invention relates to a ceramic sintered body and a method for manufacturing the same.
発明の技術的背景とその問題点
従来、炭化ケイ素は、耐熱性、耐食性及び耐摩耗性等の
性質が優れていること、並びに良好な電気伝導性や半導
性、高熱伝導性を有するということが広く知られている
。それらの特性を利用して、炭化ケイ素は種々の材料に
使用されており、且つ、新しい用途が期待されている。Technical background of the invention and its problems Conventionally, silicon carbide has been known to have excellent properties such as heat resistance, corrosion resistance, and wear resistance, as well as good electrical conductivity, semiconductivity, and high thermal conductivity. is widely known. Utilizing these properties, silicon carbide is used in various materials, and new applications are expected.
一方、エレクトロニクス産業の急激な発展に伴ない、電
子回路等の集積化・小型化が進み、特に、絶縁性を有す
る回路基板等には、放熱性が良好で高熱伝導性を有する
材料の必要性が増大しており、その開発が強く希求され
ている。又、かかる良好な放熱性を有する材料は、エレ
クトロニクス産業のみならず、熱機関、産業機械等の冷
却を必要とする分野においても、その出現が期待されて
いる。On the other hand, with the rapid development of the electronics industry, the integration and miniaturization of electronic circuits, etc. have progressed, and there is a need for materials with good heat dissipation and high thermal conductivity, especially for insulating circuit boards, etc. is increasing, and its development is strongly desired. Furthermore, materials having such good heat dissipation properties are expected to appear not only in the electronics industry but also in fields that require cooling of heat engines, industrial machines, and the like.
現在、回路基板材料として広く使用されているものとし
ては、アルミナ(hlt Os )があるが、このアル
ミナは、熱伝導率が低く、放熱性の面で問題点を有して
いる。従って、回路基板の放熱性を向上させるためには
、アルミナに他の材料を混合するか、或いは他の材料を
用いねばならない。このような、より放熱性の良好な物
質は、化学結合様式等によりある程度限定されるために
、例えば、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ケイ
素、ベリリヤ及び窒化アルミニウム等に限られる。これ
らの中で、炭化ケイ素は、高純度単結晶状態では電気抵
抗値がかなり高い値を有する材料が得られるか、一般に
使用される材料としては電気抵抗値が低く、回路基板等
に使用するには問題がある。Currently, alumina (HLT Os) is widely used as a material for circuit boards, but this alumina has low thermal conductivity and has problems in terms of heat dissipation. Therefore, in order to improve the heat dissipation of the circuit board, it is necessary to mix other materials with alumina or use other materials. Such materials with better heat dissipation properties are limited to some extent by chemical bonding patterns and the like, and are therefore limited to, for example, diamond, cubic boron nitride, silicon carbide, beryllium, aluminum nitride, and the like. Among these, silicon carbide can be used as a material with a fairly high electrical resistance value in a high-purity single crystal state, or as a commonly used material, it has a low electrical resistance value and is not suitable for use in circuit boards etc. is problematic.
従って、このような炭化ケイ素は、発熱体等の用途に見
られるように、現在は、導電材料或いは半導体材料とし
て位置付けられている。Therefore, such silicon carbide is currently positioned as a conductive material or a semiconductor material, as seen in applications such as heating elements.
ざr、明の目的
本発明は、かかる状況においてなされたものであり、そ
の目的は、緻密で放熱性が良好で凌・す、高熱伝導性且
つ高電気絶縁性を有する複合セラミックス焼結体及びそ
の製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention was made in such a situation, and its purpose is to provide a composite ceramic sintered body that is dense, has good heat dissipation properties, has high thermal conductivity, and has high electrical insulation properties. The object of the present invention is to provide a manufacturing method thereof.
発明の概要
本発明者らは、セラミックス焼結体の主成分として、炭
化ケイ素を使用することにより、本発明を完成するに到
った。Summary of the Invention The present inventors have completed the present invention by using silicon carbide as the main component of a ceramic sintered body.
即ち、本発明の複合セラミックス焼結体は、酸化カルシ
ウム、酸化ストロンチウム及び酸化バリウムから成る群
より選ばれた1種もしくは2種以上の金属酸化物0.0
1〜3重皿%、及び残部が炭化ケイ素の表面を窒化アル
ミニウムで被覆した複合体から成ることを特徴とするも
のである。That is, the composite ceramic sintered body of the present invention contains one or more metal oxides selected from the group consisting of calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide.
It is characterized in that 1 to 3% of the plate is made of aluminum nitride, and the remainder is made of a composite material in which the surface of silicon carbide is coated with aluminum nitride.
以下において、本発明を更に詳しく説明する。In the following, the invention will be explained in more detail.
本発明の複合セラミックス焼結体は、図面に示したよう
な、炭化ケイ素(1)の表面を窒化アルミニウム(2)
で被覆した複合体を、酸化カルシウム、酸化ストロンチ
ウム、酸化バリウム及び前記金属酸化物前駆体等を焼結
助剤として結合されて成るものである。The composite ceramic sintered body of the present invention has a silicon carbide (1) surface covered with aluminum nitride (2) as shown in the drawing.
A composite coated with oxide is bonded with calcium oxide, strontium oxide, barium oxide, the metal oxide precursor, etc. as a sintering aid.
かかる焼結体において、その金属酸化物量が0.01重
量%未満であると、焼結助剤としての効果が不足するた
め緻密化が固辞であり、一方、3重置%を超えると、焼
結助剤としてはその置が過剰であり、焼結時の液相発生
量も多くなるためむしろ過焼結[&す、且つ、熱伝導に
関してはその量が多い程不利となる。In such a sintered body, if the amount of metal oxide is less than 0.01% by weight, the effect as a sintering aid is insufficient, so densification is a must. As a sintering agent, its amount is excessive, and the amount of liquid phase generated during sintering increases, so the larger the amount, the more disadvantageous it is in terms of oversintering and heat conduction.
本発明の複合セラミックス焼結体は、更に、炭素を窒化
アルミニウム量に対し10重量%以下の思で含有するも
のであってもよい。かかる炭素は、窒化アルミニウムが
酸化され易いために、焼結体中に存在する酸素を除去す
ることを目的として添加されるものである。The composite ceramic sintered body of the present invention may further contain carbon in an amount of 10% by weight or less based on the amount of aluminum nitride. Such carbon is added for the purpose of removing oxygen present in the sintered body since aluminum nitride is easily oxidized.
又、本発明の複合セラミックス焼結体は、更に、窒化ア
ルミニウムを、金属酸化物量に対し100重量%以下の
量で含有するものであってもよい。Further, the composite ceramic sintered body of the present invention may further contain aluminum nitride in an amount of 100% by weight or less based on the amount of metal oxide.
窒化アルミニウムは、焼結体をより緻密にする効果を有
しているために、その添加により、より焼結積度の高い
焼結体が得られる。Aluminum nitride has the effect of making the sintered body more dense, so by adding aluminum nitride, a sintered body with a higher sintered density can be obtained.
次に、本発明の複合セラミックス焼結体の製造方法につ
いて説明する。かかる製造方法は、酸化カルシウム粉末
、酸化ストロンチウム粉末、酸化バリウム粉末及び前記
金属酸化物前駆体粉末から成る群より選ばれた1種もし
くは2種以上の粉末を、余端酸化物として0.01〜3
重量%、及び残部が炭化ブイ素の表面を窒化アルミニウ
ムで被覆した複合体粉末から成る混合粉末を、成形し、
非酸化性雰囲気中で焼結することを特徴とするものであ
る。Next, a method for manufacturing a composite ceramic sintered body of the present invention will be explained. In this production method, one or more powders selected from the group consisting of calcium oxide powder, strontium oxide powder, barium oxide powder, and the metal oxide precursor powder are used as residual oxides of 0.01 to 3
% by weight, and the balance consists of a composite powder in which the surface of buoylene carbide is coated with aluminum nitride, and the mixed powder is molded,
It is characterized by being sintered in a non-oxidizing atmosphere.
本発明の製造方法において使用される、炭化ケイ素の表
面を窒化アルミニウムで被覆した複合体粉末は、炭化ケ
イ素に対して窒化アルミニウムを3〜120重量%の量
で使用して成るものが好ましい。炭化ケイ素表面に形成
する窒化アルミニウム層の厚さは、製造する焼結体の目
的とする耐圧度に依存し、適宜選択することが好ましい
。かかる複合体の粒子径は、より緻密な焼結体を得るた
めに5μ以下であることが好ましく、更に好ましくは2
μ以下のものである。又、使用する炭化ケイ素の結晶型
は、α相型、β相型のいずれであってもよい。かかる複
合体粉末は、例えば、気相反応法等により製造すること
ができる。The composite powder in which the surface of silicon carbide is coated with aluminum nitride used in the production method of the present invention is preferably one in which aluminum nitride is used in an amount of 3 to 120% by weight based on silicon carbide. The thickness of the aluminum nitride layer formed on the silicon carbide surface depends on the desired pressure resistance of the sintered body to be manufactured, and is preferably selected as appropriate. The particle size of such a composite is preferably 5μ or less, more preferably 2μ or less in order to obtain a denser sintered body.
μ or less. Further, the crystal type of silicon carbide used may be either an α-phase type or a β-phase type. Such a composite powder can be produced, for example, by a gas phase reaction method.
又、本発明の製造方法において使用される金属酸化物粉
末は、焼結助剤としての機能を有するものである。これ
らの中で、金属酸化物前駆体物質は、焼成によって酸化
カルシウム、酸化ストロンチウム又は酸化バリウムに変
換する物質を指し、これらとしては、例えば、カルシウ
ム、ストロンチウム又はバリウムの炭酸塩、硝酸塩、酢
酸塩等が挙げられる。かかる物質の粒径け、微細なもの
程好ましいが、例えば1μ以下のもの、更に好ましくけ
0.5μ以下のものである。Further, the metal oxide powder used in the manufacturing method of the present invention has a function as a sintering aid. Among these, metal oxide precursor substances refer to substances that are converted into calcium oxide, strontium oxide, or barium oxide by calcination, such as carbonates, nitrates, acetates, etc. of calcium, strontium, or barium. can be mentioned. The finer the particle size of such a substance, the more preferable it is, for example, 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less.
本発明の製造方法は、上記のものから成る混合粉末に、
更に、炭素粉末又は炭素前駆体粉末を、炭素として窒化
アルミニウム量に対し、10重量%以下の量で添加した
ものを使用してもよい。炭素前駆体粉末は、焼結によっ
て炭素に変換する物質を指し、これらとしては、例えば
、各種樹脂系物質等が使用される。又、更に、窒化アル
ミニウム粉末を、金属酸化物量に対し100重量%以下
の坦で添加したものを使用してもよい。The manufacturing method of the present invention includes a mixed powder consisting of the above-mentioned materials,
Furthermore, carbon powder or carbon precursor powder may be added in an amount of 10% by weight or less based on the amount of aluminum nitride as carbon. The carbon precursor powder refers to a substance that is converted into carbon by sintering, and examples of these include various resin-based substances. Further, aluminum nitride powder may be added in an amount of 100% by weight or less based on the amount of metal oxide.
上記組成から成る粉末を、通常の処理方法によって混合
し、次いで成形処理を行なう。成形に際しては、例えば
、パラフィン等のバインダを添加して加工性を向上させ
た後、成形処理を施してもよい。尚、バインダを使用し
た場合には、脱脂した後、焼結を行なう。かかる成形法
としては、例えば、テープ成形法、射出成形法、金型成
形法等を使用することができ、これらの成形法により、
上記混合粉末を所定の形状の成形体とする。The powder having the above composition is mixed by conventional processing methods and then subjected to a molding process. At the time of molding, for example, a binder such as paraffin may be added to improve workability, and then the molding treatment may be performed. In addition, when a binder is used, sintering is performed after degreasing. As such a molding method, for example, a tape molding method, an injection molding method, a mold molding method, etc. can be used, and by these molding methods,
The mixed powder is formed into a molded body having a predetermined shape.
この成形体を、非酸化性雰囲気中で焼結を行なう。非酸
化性雰囲気としては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス
、フォーミングガス等が挙げられる。This molded body is sintered in a non-oxidizing atmosphere. Examples of the non-oxidizing atmosphere include nitrogen gas, argon gas, and forming gas.
焼結温度は、1700〜1900℃であることが好まし
い。焼結時において、金属酸化物量
温度範囲で、相反発により窒化アルミニウムと低融点化
合物を生成し、その結果、成形体の粘性を借下させ、液
相焼結によって緻密で高絶縁性且つ高熱伝導性を有する
焼結体が得られる。The sintering temperature is preferably 1700 to 1900°C. During sintering, aluminum nitride and a low melting point compound are generated by reciprocal reaction within the metal oxide amount temperature range, and as a result, the viscosity of the compact is reduced, and liquid phase sintering creates a dense, highly insulating, and highly thermally conductive compound. A sintered body having properties is obtained.
焼結方法として、他に、H,IP (高温静水圧ブレス
)法やホットプレス法も採用することができるが、経済
性等を考慮して適宜使用することか好ましい。Other sintering methods that can be used include the H,IP (high temperature isostatic pressing) method and the hot press method, but it is preferable to use them as appropriate in consideration of economical efficiency and the like.
以下、実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
実施例1
粒径1.2μの窒化アルミニウム被覆炭化ケイ素粉末(
炭化ケイ素二窒化アルミニウムー1 : (1,4(重
量比))98重相部及び炭酸カルシウム粉末2重量部か
ら成る粉末を1ooII用意し、これをボールミルで2
4時間混合した。次いで、この混合物に、バインダとし
てパラフィンを8g加え、金型成形法により500kg
/7の圧力を加えて、37X37X10m+五の成形体
を作成した。この成形体を、窒素気流中で700°Cま
で加熱して脱脂した後、窒素雰囲気中において、180
0℃で2時間焼結処理を行なった。Example 1 Aluminum nitride coated silicon carbide powder with a particle size of 1.2μ (
Silicon carbide aluminum dinitride - 1: (1,4 (weight ratio)) 10II powder consisting of 98 heavy phase parts and 2 parts by weight of calcium carbonate powder was prepared, and this was milled in a ball mill to 2 parts by weight.
Mixed for 4 hours. Next, 8g of paraffin was added as a binder to this mixture, and 500kg was molded using a molding method.
A pressure of /7 was applied to create a molded body measuring 37 x 37 x 10 m+5. After degreasing this molded body by heating it to 700°C in a nitrogen stream, it was heated to 180°C in a nitrogen atmosphere.
Sintering treatment was performed at 0°C for 2 hours.
このようにt7てイ4Iられた焼結体の電気抵抗値を測
定したところ 1011Ωαであることがわかり、又、
放熱性の尺度となる熱伝導度を測定したところ、0.3
2 kr、m / Cm ・℃・secである?c ト
カi il?l サtt′fc。When the electrical resistance value of the sintered body was measured at t7, it was found to be 1011Ωα, and
When we measured the thermal conductivity, which is a measure of heat dissipation, it was 0.3.
2 kr, m/Cm・℃・sec? c Tokai il? l satt'fc.
実施例2〜5
実施例1において、金蜆酸化物もしくはその前駆体物質
ケ他の物省に変えるか、或いは、更に、窒化アルミニウ
ムを添加した他は、すべて同様の操作で、表に示した組
成の4柚類の複合セラミックス焼結体を、それぞれ表に
同時に示した条例で焼結処理な施して得た。Examples 2 to 5 The same operations as those shown in the table were carried out in Example 1, except that the metal oxide or its precursor was replaced with another material, or aluminum nitride was added. Composite ceramic sintered bodies having the compositions of four yuzu types were each subjected to sintering treatment according to the regulations shown in the table.
得られた焼結体について、それぞれ焼結密度、熱伝導度
及び電気抵抗値を測定した。結果を表に同時に示した。The sintered density, thermal conductivity, and electrical resistance values of the obtained sintered bodies were measured. The results are also shown in the table.
上記実施例の中で、実施例2の焼結体について、更に、
1750℃、2000気圧のもとて2時間HIP処理を
施したところ、焼結密度が3.26 g / cc
まで上昇することが確認された。Among the above examples, regarding the sintered body of Example 2, further:
When subjected to HIP treatment at 1750°C and 2000 atm for 2 hours, the sintered density was 3.26 g / cc.
It was confirmed that it rose to
発明の効果
以上の実施例から明らかなように、本発明の製造方法に
より得られる複合セラミックス焼結体は、高い焼結密度
を有する緻密なものであり、熱伝導性及び電気絶縁性に
優れたものであることが撞詔された。Effects of the Invention As is clear from the above examples, the composite ceramic sintered body obtained by the manufacturing method of the present invention is dense with a high sintered density, and has excellent thermal conductivity and electrical insulation. It was ruled out that it was a thing.
図面は、本発明の複合セラミックス焼結体の製造に使用
する炭化ケイ素(SiC)及び窒化アルミニウム(AA
N )から成る複合体の棚1念図である。
(1) −S iC1(2’l −AIN 。The drawings show silicon carbide (SiC) and aluminum nitride (AA) used in the production of the composite ceramic sintered body of the present invention.
This is a conceptual diagram of a complex consisting of N. (1) -S iC1(2'l -AIN.
Claims (1)
ウムから成る群より選ばれた1種もしくは2種以上の金
属酸化物0.01〜3重量%、及び残部が炭化ケイ素の
表面を窒化アルミニウムで被覆した複合体から成ること
を特徴とする複合セラミックス焼結体。 2 複合体が、炭化ケイ素に対して窒化アルミニウムを
3〜120重量%使用して成るものである特許請求の範
囲第1項記載の複合セラミックス焼結体。 3、更に、炭素を、窒化アルミニウム量に対し10重量
%以下の量で含有する特許請求の範囲第1項又は第2項
記載の複合セラミックス焼結体。 4、更に、窒化アルミニウムを、金属酸化物量に対し1
00重量%以下の量で含有する特許請求の範囲第1項乃
至第3項のいずれかに記載の複合セラミックス焼結体。 5、 酸化カルシウム粉末、酸化ストロンチウム粉末、
酸化バリウム粉末及び前記金机酸化物前駆体粉末から成
る群より選ばれた1種もしくは2種以上の粉末を、金属
酸化物として(1,01〜3重餡%、及び残部が炭化ケ
イ素の表面を窒化アルミニウムで被覆した複合体粉末か
ら成る混合粉末を、成形し、非酸化性π囲気中で焼結す
ることを特徴とする複合セラミックス焼結体の製造方法
。 6 複合体粉末として、炭化ケイ素に対して窒化アルミ
ニウムを3〜120重量%の量で被覆したものを使用す
る特許請求の範囲第5項記載の複合セラミックス焼結体
の製造方法。 7 混合粉末に、更に、炭素粉末又は炭素n11駆体粉
末を、炭素として窒化アルミニウム量に対し10重鼠%
以下の毎で添加した特許請求の範囲第5項又は第6項記
載の複合セラミックス焼結体の製造方法。 8、混合粉末に、更に、窒化アルミニウム粉末を、金属
酸化物kに対し100重社%以下の量で添加した特許請
求の範囲第5項乃至第7項のいずれかに記載の複合セラ
ミックス焼結体の製造方法。 9、 焼結が1700〜1900℃の温度で行なわれる
特許請求の範囲第5項乃至第8項のいずれかに記載の複
合セラミックス焼結体の製造方法。[Claims] 1. 0.01 to 3% by weight of one or more metal oxides selected from the group consisting of calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide, and the remainder nitriding the surface of silicon carbide. A composite ceramic sintered body characterized by being made of a composite coated with aluminum. 2. The composite ceramic sintered body according to claim 1, wherein the composite body contains 3 to 120% by weight of aluminum nitride based on silicon carbide. 3. The composite ceramic sintered body according to claim 1 or 2, further containing carbon in an amount of 10% by weight or less based on the amount of aluminum nitride. 4. Furthermore, add aluminum nitride to 1% of the amount of metal oxide.
The composite ceramic sintered body according to any one of claims 1 to 3, containing the composite ceramic sintered body in an amount of 00% by weight or less. 5. Calcium oxide powder, strontium oxide powder,
One or more powders selected from the group consisting of barium oxide powder and the metal oxide precursor powder are used as a metal oxide (1,01 to 3%, and the remainder is on the surface of silicon carbide. A method for producing a composite ceramic sintered body, characterized in that a mixed powder consisting of a composite powder coated with aluminum nitride is molded and sintered in a non-oxidizing π atmosphere.6 As the composite powder, silicon carbide is used. 7. The method for producing a composite ceramic sintered body according to claim 5, which uses aluminum nitride coated in an amount of 3 to 120% by weight. 7. The mixed powder is further coated with carbon powder or carbon n11. The precursor powder is 10% carbon based on the amount of aluminum nitride.
A method for producing a composite ceramic sintered body according to claim 5 or 6, wherein the following are added. 8. Composite ceramic sintering according to any one of claims 5 to 7, wherein aluminum nitride powder is further added to the mixed powder in an amount of 100% or less based on the metal oxide k. How the body is manufactured. 9. The method for producing a composite ceramic sintered body according to any one of claims 5 to 8, wherein the sintering is performed at a temperature of 1700 to 1900°C.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56187761A JPS5891059A (en) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | Composite ceramic sintered body and manufacture |
US06/443,955 US4539298A (en) | 1981-11-25 | 1982-11-23 | Highly heat-conductive ceramic material |
CA000416243A CA1193618A (en) | 1981-11-25 | 1982-11-24 | Highly heat-conductive ceramic material |
DE8282110909T DE3273238D1 (en) | 1981-11-25 | 1982-11-25 | Highly heat-conductive ceramic material |
EP82110909A EP0080213B1 (en) | 1981-11-25 | 1982-11-25 | Highly heat-conductive ceramic material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56187761A JPS5891059A (en) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | Composite ceramic sintered body and manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5891059A true JPS5891059A (en) | 1983-05-30 |
Family
ID=16211735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56187761A Pending JPS5891059A (en) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | Composite ceramic sintered body and manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5891059A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4572844A (en) * | 1983-04-30 | 1986-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for preparing coated powder |
JPS6236066A (en) * | 1985-08-08 | 1987-02-17 | イビデン株式会社 | Silicon carbide base sintered body and manufacture |
US4796077A (en) * | 1986-08-13 | 1989-01-03 | Hitachi, Ltd. | Electrical insulating, sintered aluminum nitride body having a high thermal conductivity and process for preparing the same |
CN113121252A (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | 海南大学 | Preparation method of high-thermal-conductivity SiC-AlN composite ceramic |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56187761A patent/JPS5891059A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4572844A (en) * | 1983-04-30 | 1986-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for preparing coated powder |
JPS6236066A (en) * | 1985-08-08 | 1987-02-17 | イビデン株式会社 | Silicon carbide base sintered body and manufacture |
US4796077A (en) * | 1986-08-13 | 1989-01-03 | Hitachi, Ltd. | Electrical insulating, sintered aluminum nitride body having a high thermal conductivity and process for preparing the same |
CN113121252A (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | 海南大学 | Preparation method of high-thermal-conductivity SiC-AlN composite ceramic |
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