JPS5875846A - レ−ザけがき方法 - Google Patents
レ−ザけがき方法Info
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- JPS5875846A JPS5875846A JP57028730A JP2873082A JPS5875846A JP S5875846 A JPS5875846 A JP S5875846A JP 57028730 A JP57028730 A JP 57028730A JP 2873082 A JP2873082 A JP 2873082A JP S5875846 A JPS5875846 A JP S5875846A
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- laser
- scribing
- laser light
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、レーザ光線を利用して半導体ウェハ上にけ
がき線を描く方法に関する。
がき線を描く方法に関する。
周知の如く、半導体ウェハ上には複数のＩＣ％の半導体
素子が基盤の目のように夫々独立して形成されている・
そして、このウェハの各素子間にＸＹ方向のけかき綜を
損い死後抑圧力を加えて分割することにより複数の半導
体素子が製造されている。このけが電線は、その後の分
割作業を容易にする為にクエへの厚さＯＸＡからい程度
の深さｔ必要とし、七〇′ｖＤ削媒体としては、ダイヤ
モ／ドカｙり、電子ビームあるいはレーザ光線等が用い
られている。特に、ナファイアあるいはクリコン等の硬
質材料のウェハをけが〈場合には、Ｖ −ザ光線を利用
し九し−ずけが！装置が最適であるとして脚光を浴びて
いる。
素子が基盤の目のように夫々独立して形成されている・
そして、このウェハの各素子間にＸＹ方向のけかき綜を
損い死後抑圧力を加えて分割することにより複数の半導
体素子が製造されている。このけが電線は、その後の分
割作業を容易にする為にクエへの厚さＯＸＡからい程度
の深さｔ必要とし、七〇′ｖＤ削媒体としては、ダイヤ
モ／ドカｙり、電子ビームあるいはレーザ光線等が用い
られている。特に、ナファイアあるいはクリコン等の硬
質材料のウェハをけが〈場合には、Ｖ −ザ光線を利用
し九し−ずけが！装置が最適であるとして脚光を浴びて
いる。
具体的には、第１図に示すように、レーザ光線１０３ｉ
照射するｖ−４Ｍ１１１１１１Ａ−、レーザ光１１１０
ｉクエハ１２面上に導く集光光学系１３と、ウェハ１２
のほとんど全面に渡って接触して支持する支持台１４と
、レーザ光？ｔ／ＡｌＯとウェハ１２とを相対的に移動
させる装置とからなシ、レーザ光線１０をウェハ１２上
に照射しながら選択された一方を移動させて第２図に示
すようにウェハ１２上ＫＸＹ方向のけがき線１５を形成
する。
照射するｖ−４Ｍ１１１１１１Ａ−、レーザ光１１１０
ｉクエハ１２面上に導く集光光学系１３と、ウェハ１２
のほとんど全面に渡って接触して支持する支持台１４と
、レーザ光？ｔ／ＡｌＯとウェハ１２とを相対的に移動
させる装置とからなシ、レーザ光線１０をウェハ１２上
に照射しながら選択された一方を移動させて第２図に示
すようにウェハ１２上ＫＸＹ方向のけがき線１５を形成
する。
ところが、第３図に示すようにけが嚇線ｊ部分の断面ｔ
−−察すると、平均切ｆＩＡＩＩさ８１に対してΔＳ１
とｄうばらつきが生じていることが判る。このばらりき
は、ウェハ１２が支持台１４にｖ！ｉ接しているため、
けがきの進行に従がってフェノ１２ 、支持台１４の温
度が上昇する熱的影響によるものと考えらＧ１こＯばら
つ龜が大救くなればなるほどけが右縁１５から外れて分
割され、したがって分割作業時の歩出ｔ〕が低下するこ
とになる。
−−察すると、平均切ｆＩＡＩＩさ８１に対してΔＳ１
とｄうばらつきが生じていることが判る。このばらりき
は、ウェハ１２が支持台１４にｖ！ｉ接しているため、
けがきの進行に従がってフェノ１２ 、支持台１４の温
度が上昇する熱的影響によるものと考えらＧ１こＯばら
つ龜が大救くなればなるほどけが右縁１５から外れて分
割され、したがって分割作業時の歩出ｔ〕が低下するこ
とになる。
この発明は、切削曜さＯばらつ自の発生を極力押えて、
最終的に分割作業時の歩出ｉυの向上が計れるレープけ
が龜方法を提供するもので６る。
最終的に分割作業時の歩出ｉυの向上が計れるレープけ
が龜方法を提供するもので６る。
すなわち、本発明はけが合線のばらつ龜が支持台の熱的
性質に影響される点、及びウェハ端部に配置され九チッ
プが第２図に斜線で示したように少なくとも一辺を円弧
とするものである点に着目し、ウェハ端部に位置し、−
辺を円弧とするチップすなわち一部を欠損し九半導体素
子が形成され九チップ部を支持装置で支持してウェハを
定位させてけがくようにし九もＯ’ｔ’６る。
性質に影響される点、及びウェハ端部に配置され九チッ
プが第２図に斜線で示したように少なくとも一辺を円弧
とするものである点に着目し、ウェハ端部に位置し、−
辺を円弧とするチップすなわち一部を欠損し九半導体素
子が形成され九チップ部を支持装置で支持してウェハを
定位させてけがくようにし九もＯ’ｔ’６る。
以下、木兄＠Ｏ−実施例を第４図及び縞５図を参照して
ａ＃４する。
ａ＃４する。
第４図、第５Ｉ１１は本発明を実施するに好適な懺Ｔｔ
の一例を示し、ψはレーザ光線で、レーザ発振器４１か
ら照射され、反射ｉう４２及び集光レンズ４３によりウ
ェハＩ上に照射されている。このウェハ４４は、横ｉ１
′ｉ面円形の支持装置部上に定位されている。
の一例を示し、ψはレーザ光線で、レーザ発振器４１か
ら照射され、反射ｉう４２及び集光レンズ４３によりウ
ェハＩ上に照射されている。このウェハ４４は、横ｉ１
′ｉ面円形の支持装置部上に定位されている。
この支持装置４５の上面には、ウェハＵの周端部を支持
する位置に１つの載置部栃が等角度に立設されている。
する位置に１つの載置部栃が等角度に立設されている。
これら載置部郁には支持電量栃の軸と平行に孔４６ｍが
穿設されている。まえ支持装置４５には、一端が支持電
量荀の底部に１４き、他端が上記上面近傍に届く孔４７
が同軸的に穿かれている。
穿設されている。まえ支持装置４５には、一端が支持電
量荀の底部に１４き、他端が上記上面近傍に届く孔４７
が同軸的に穿かれている。
上記孔４７の他端は半価方向に向って四つに分岐し、そ
れらは上記載置部郁Ｏそれぞれの孔４６ｍに連通してい
る。そして、孔４７は図示しな一吸引装置に連通して、
この吸引装置の作動により孔郁鳳はウェハＵに対する吸
引孔となる。
れらは上記載置部郁Ｏそれぞれの孔４６ｍに連通してい
る。そして、孔４７は図示しな一吸引装置に連通して、
この吸引装置の作動により孔郁鳳はウェハＵに対する吸
引孔となる。
壕九、四つの載置部４６０５ち、任意の隣に合う二つの
載置部舗の上部はウェハ楓の位置決めのために、外側の
一部が突出し九段付き状に形成されていて、この段付き
の内壁面はウェハ４４０周端面に沿う円弧になシ、位置
決め用の保持部槌になってｉる。一方、他の二つの載置
部およびこれらの部分の支持装置４５のそれぞれの外側
部には、図中上下方向に向う溝が独立に刻設されていて
、これらの溝には、逆り字状の弾性力を有する抑圧部４
９が、かぎ部を載置部４４０上面に摺接できるようにそ
れぞれ取シ付けられている。なお、かぎ部の先端面はウ
ェハ″４の周端面に尚接されるもので、七の轟接時、ク
エハ材から突出しないように上記か１部の先端部の厚さ
はウェハ楓の厚みと同等以下になって−る。
載置部舗の上部はウェハ楓の位置決めのために、外側の
一部が突出し九段付き状に形成されていて、この段付き
の内壁面はウェハ４４０周端面に沿う円弧になシ、位置
決め用の保持部槌になってｉる。一方、他の二つの載置
部およびこれらの部分の支持装置４５のそれぞれの外側
部には、図中上下方向に向う溝が独立に刻設されていて
、これらの溝には、逆り字状の弾性力を有する抑圧部４
９が、かぎ部を載置部４４０上面に摺接できるようにそ
れぞれ取シ付けられている。なお、かぎ部の先端面はウ
ェハ″４の周端面に尚接されるもので、七の轟接時、ク
エハ材から突出しないように上記か１部の先端部の厚さ
はウェハ楓の厚みと同等以下になって−る。
を九、この支持電量藝の外方には、加工屑を確去した少
ある−はウェハ４４を冷却したりする為の図示しない送
風ポンプもしくは吸引ポンプ等のノズル５１−が配置さ
れて−る。このノズル５１は、繭ｍｌ棋置部槌によ多形
成された開口部５２と、載置部４６の上方とに夫々平行
に指向されている。すなわら、れている。
ある−はウェハ４４を冷却したりする為の図示しない送
風ポンプもしくは吸引ポンプ等のノズル５１−が配置さ
れて−る。このノズル５１は、繭ｍｌ棋置部槌によ多形
成された開口部５２と、載置部４６の上方とに夫々平行
に指向されている。すなわら、れている。
なお、ウェハ４４上にＸＹ方向のけがｉｉ締郭を描く場
合、Ｖ−ザ光線菊とウェハ舗とを相対的に移動させる必
要が６９、一般にレーザ光繍菊を偏向させる方法あるい
はウェハＩをＸＹ方向動させる方法が採られている。こ
の点については、従来の方法と何ら変ることがないので
、この発明ではウェハＵすなわち支持装置−が図示しな
い例えばＸＹテーブル上に配置されているものとして説
明する。また、集光レンズ葛は矢印Ａの如くウェハＩと
の距離を可変可能とし、自由に焦点１１ＪＩ可能に構成
されている。
合、Ｖ−ザ光線菊とウェハ舗とを相対的に移動させる必
要が６９、一般にレーザ光繍菊を偏向させる方法あるい
はウェハＩをＸＹ方向動させる方法が採られている。こ
の点については、従来の方法と何ら変ることがないので
、この発明ではウェハＵすなわち支持装置−が図示しな
い例えばＸＹテーブル上に配置されているものとして説
明する。また、集光レンズ葛は矢印Ａの如くウェハＩと
の距離を可変可能とし、自由に焦点１１ＪＩ可能に構成
されている。
次に、このように構成された一実施例の作用を説明する
。
。
まず、押圧ｗ６４９を矢印Ｂ方向に引龜戻しｆＩ−状態
にし、けがこうとするウェハ４を四つの載置部槌上ＩＣ
１ｔ＜、次に、押圧部４９を復元し、フェノＳ４４のニ
ー所Ｏ周端向を保持部槌に当接させウェハ４４ｔ−１つ
Ｏ載置部舗上に定位させる。さらに前記図示せぬ吸引装
置１ｔｔ−作動して孔４７．４６ｍを通して９エバ４４
を載置ｌ５４６上に吸着しより確実に固定させる。
にし、けがこうとするウェハ４を四つの載置部槌上ＩＣ
１ｔ＜、次に、押圧部４９を復元し、フェノＳ４４のニ
ー所Ｏ周端向を保持部槌に当接させウェハ４４ｔ−１つ
Ｏ載置部舗上に定位させる。さらに前記図示せぬ吸引装
置１ｔｔ−作動して孔４７．４６ｍを通して９エバ４４
を載置ｌ５４６上に吸着しより確実に固定させる。
ところで、ウェハ必の端部は、第５図の斜縁に示すよう
に、けがき後一部を欠慣した半導体素子の領域となる。
に、けがき後一部を欠慣した半導体素子の領域となる。
したがりて、載ｌｉｔ部弱はウェハ４の外径に合わせ、
七の周端部ｔ−畝着するように支持装置６上に立設しで
あるので、四箇所の吸着部分は何れも必然的に上記斜線
で示す部分の任意の箇所となり、上記吸着部分を除い九
部分すなわち一欠損部を生じな６部分はほぼ全ての表長
面が外気にさらされ九浮上状態になる。
七の周端部ｔ−畝着するように支持装置６上に立設しで
あるので、四箇所の吸着部分は何れも必然的に上記斜線
で示す部分の任意の箇所となり、上記吸着部分を除い九
部分すなわち一欠損部を生じな６部分はほぼ全ての表長
面が外気にさらされ九浮上状態になる。
そして、集光レンズ櫨を矢印人に沿って移動させ、クエ
ハ舗上Ｏスポット径を選択し、一方前記ノズル５１から
ウェハ必の両面に沿って高速ｍ俸を噴出させる。このよ
うにし九後、Ｖ−ザ発ａｉ器４１を作動させてレーダ光
線荀を照射させながら、前記り罵ハ楓をＸＹ方向に移動
させる。これにより、ウェハＩには、第５図に示す如き
けがき線５３がＸＹ方向に形成６れる。このようにして
形成されたけかき線５３の少なくとも端部を除いた部分
は、従来のように支持電量藝に密接してなく、浮上し良
状態で外気にさらされているので、特に裏面側にけが龜
時の熱がこもることなく、また支持装置の温度上昇も殆
んどなく、シたがって、ウェハａは熱的な影曽を受ける
ことがないのでばらつきの少ない平均し′＃−鑵さとな
９、そ０ｇＩｋの分割工ｌ！における歩１ｉｉｒｔｂは
十分向上する。まえ、ウェハ４４の定位用の保持ｓ４８
及び押圧部Ｏに加えて吸引装置により吸着させるように
し九ので、より確実に固定できる。また、ノズル５１を
設けてクエへ楓の両面に沿りて高速流体を噴出させるよ
うにしたので、クエへ弱はその高速流体で？ｌＫ水平に
支持される状態になり、かつクエへ−の両面は冷却され
て温度上昇がよシ防止されるとともにクエハ祠から飛牧
し良加工屑は、このＲ体にかり集光レンズ４３６るいは
クエへ４４上の半導体素子上に付着することなく除去さ
れる。
ハ舗上Ｏスポット径を選択し、一方前記ノズル５１から
ウェハ必の両面に沿って高速ｍ俸を噴出させる。このよ
うにし九後、Ｖ−ザ発ａｉ器４１を作動させてレーダ光
線荀を照射させながら、前記り罵ハ楓をＸＹ方向に移動
させる。これにより、ウェハＩには、第５図に示す如き
けがき線５３がＸＹ方向に形成６れる。このようにして
形成されたけかき線５３の少なくとも端部を除いた部分
は、従来のように支持電量藝に密接してなく、浮上し良
状態で外気にさらされているので、特に裏面側にけが龜
時の熱がこもることなく、また支持装置の温度上昇も殆
んどなく、シたがって、ウェハａは熱的な影曽を受ける
ことがないのでばらつきの少ない平均し′＃−鑵さとな
９、そ０ｇＩｋの分割工ｌ！における歩１ｉｉｒｔｂは
十分向上する。まえ、ウェハ４４の定位用の保持ｓ４８
及び押圧部Ｏに加えて吸引装置により吸着させるように
し九ので、より確実に固定できる。また、ノズル５１を
設けてクエへ楓の両面に沿りて高速流体を噴出させるよ
うにしたので、クエへ弱はその高速流体で？ｌＫ水平に
支持される状態になり、かつクエへ−の両面は冷却され
て温度上昇がよシ防止されるとともにクエハ祠から飛牧
し良加工屑は、このＲ体にかり集光レンズ４３６るいは
クエへ４４上の半導体素子上に付着することなく除去さ
れる。
次に、他の実施−を第６図及び第７図を参照して説明す
る。なお同一部分には同一符号を付しそゞ１ の−顧なｇｔ＊は省略する。
る。なお同一部分には同一符号を付しそゞ１ の−顧なｇｔ＊は省略する。
ωはウェハ４４Ｏ支持装置で６Ｌ一端部を径小にし次回
柱状の基台６１を有して−る。この基台６１の礒小部分
〇四箇所には、その上面から軸方向に突出し九り字状Ｏ
受板６２が取着°されている。これら受板６２は、夫々
ＳＯ！ｌｃづり隔てられ、上記径小部分に刻設し九凹部
にこの径小部分の外面と同一面になって嵌入されていて
、それらのかぎ状先端部は前記基台６１の上面に平行か
つ互いに内方に向けられている。対向するかぎ状先端部
の端面間の距離はクエハ祠がかぎ状先端部で載置される
ようにそＯ外径寸法よシ小になりている。受板６２Ｃ）
外面側になる上記径小部分ＶＣは、、Ｍｒｒ図に示す如
き１状の可動板１１１３か上下方向に摺動自在に嵌装さ
れてｉる。この可動板Ｓの一端側には前記受板６２に電
合する位置に５字状に突出した四つの挟持部−が形成さ
れてｉ′る。各挟持部６は、前記受板６２と同４１１に
七のか「状先端部を前記基台６１０上面に平行かつ互い
に内方に向けられている。また、仁の挟持部ｏ、ＩＩ択
された対向する２つの挟持部には、大々Ｌ字状Ｏ把持部
６５が取着されておシ、それｃ２゜か「状先端部は、挟
持部Ｕとは逆の外方に向けられて−る。ｉ５らに、この
可動板Ｂの他端には、外方に向って突出し九つば部間が
形成されている。
柱状の基台６１を有して−る。この基台６１の礒小部分
〇四箇所には、その上面から軸方向に突出し九り字状Ｏ
受板６２が取着°されている。これら受板６２は、夫々
ＳＯ！ｌｃづり隔てられ、上記径小部分に刻設し九凹部
にこの径小部分の外面と同一面になって嵌入されていて
、それらのかぎ状先端部は前記基台６１の上面に平行か
つ互いに内方に向けられている。対向するかぎ状先端部
の端面間の距離はクエハ祠がかぎ状先端部で載置される
ようにそＯ外径寸法よシ小になりている。受板６２Ｃ）
外面側になる上記径小部分ＶＣは、、Ｍｒｒ図に示す如
き１状の可動板１１１３か上下方向に摺動自在に嵌装さ
れてｉる。この可動板Ｓの一端側には前記受板６２に電
合する位置に５字状に突出した四つの挟持部−が形成さ
れてｉ′る。各挟持部６は、前記受板６２と同４１１に
七のか「状先端部を前記基台６１０上面に平行かつ互い
に内方に向けられている。また、仁の挟持部ｏ、ＩＩ択
された対向する２つの挟持部には、大々Ｌ字状Ｏ把持部
６５が取着されておシ、それｃ２゜か「状先端部は、挟
持部Ｕとは逆の外方に向けられて−る。ｉ５らに、この
可動板Ｂの他端には、外方に向って突出し九つば部間が
形成されている。
また、とＯ可動板６３の外周方向には、前記基台６１ｏ
極大部分の外径と同一〇外径を有するとともにその可動
板６３を内包する筒状の外枠釘が前記基台６１に取着さ
れて配置されている。この外枠６７の内側中途部には、
前記可動Ｉ［６３方向に突出した環状のつば部６８ｔ−
有して−る。このつば部問は、可＠＠ｅｓｏつば部問と
対向し、これらの間にばね６９が配置されてｉる。ζＯ
ばねυは、常時可動板６３を第ｓｇ中点−で示した如く
下側に押圧する為の−ので、この状態で前記挾持部６の
かぎ状先端部はｍ記受板６２０かぎ状先端部との間隔を
少なくと４クエハ４４ＣＪ厚さ以下となるように選定さ
れている。
極大部分の外径と同一〇外径を有するとともにその可動
板６３を内包する筒状の外枠釘が前記基台６１に取着さ
れて配置されている。この外枠６７の内側中途部には、
前記可動Ｉ［６３方向に突出した環状のつば部６８ｔ−
有して−る。このつば部問は、可＠＠ｅｓｏつば部問と
対向し、これらの間にばね６９が配置されてｉる。ζＯ
ばねυは、常時可動板６３を第ｓｇ中点−で示した如く
下側に押圧する為の−ので、この状態で前記挾持部６の
かぎ状先端部はｍ記受板６２０かぎ状先端部との間隔を
少なくと４クエハ４４ＣＪ厚さ以下となるように選定さ
れている。
まえ、この外枠６７Ｏ上端に＃ｉ、前記クエりｌの両ｍ
Ｋｍむ開口部７１が対向して形成されてｉる。
Ｋｍむ開口部７１が対向して形成されてｉる。
関口部７１は、好ましくは前記可動板６３の挟持部６０
部分を避けて形成する。ｔた、開口部７１の一方儒には
ノズル５１がその開口部γｌに対向して配置されている
。また、７２は、集光レンズ１等を内装する筒状の筐体
で、そＯ側部には、例えばガス吹きつけ用の受はロア３
が設けられている。
部分を避けて形成する。ｔた、開口部７１の一方儒には
ノズル５１がその開口部γｌに対向して配置されている
。また、７２は、集光レンズ１等を内装する筒状の筐体
で、そＯ側部には、例えばガス吹きつけ用の受はロア３
が設けられている。
次に、このように構成し、前記把持部６を持ち、可動板
臼をばれ６９に抗して上方に持ち上けて、ウェハ舗を前
記受板６２上に配置し九後、挾持部Ｕｔ復元させる。こ
れによシクエハＵは、その端部に位置するチップ部を挾
持部６と受板６２との間に挾持されて固定される。なお
、このクエへａの位置決めは１例えば各受板Ｂ上にスベ
ーナを設けるととによ〕実施できる。また、挾持部６と
受板６２との間でウェハ４を固定させるように構成し九
ので、４１１にウェハＵの固定用の吸着装置を設ける必
要はな−。
臼をばれ６９に抗して上方に持ち上けて、ウェハ舗を前
記受板６２上に配置し九後、挾持部Ｕｔ復元させる。こ
れによシクエハＵは、その端部に位置するチップ部を挾
持部６と受板６２との間に挾持されて固定される。なお
、このクエへａの位置決めは１例えば各受板Ｂ上にスベ
ーナを設けるととによ〕実施できる。また、挾持部６と
受板６２との間でウェハ４を固定させるように構成し九
ので、４１１にウェハＵの固定用の吸着装置を設ける必
要はな−。
本発明は、ζＯようにウェハの端部に位置し、一部を欠
損し九亭導体素子が形成され九チップ部を支持してウェ
ハを浮上状態で定位させて、その表裏両Ｗｉに沿って高
速の流伴を盾時次き付けるようにし九〇で、支持装置の
熱的性質の影響を受けることが少なく、かつ照射位置も
安定し、したがってばらクーＯ少ないけが素線を形成す
ることがで纏、その後の分割工程における歩留ま夛を向
上することができた。
損し九亭導体素子が形成され九チップ部を支持してウェ
ハを浮上状態で定位させて、その表裏両Ｗｉに沿って高
速の流伴を盾時次き付けるようにし九〇で、支持装置の
熱的性質の影響を受けることが少なく、かつ照射位置も
安定し、したがってばらクーＯ少ないけが素線を形成す
ることがで纏、その後の分割工程における歩留ま夛を向
上することができた。
第１図は従来のレーザけが龜方法を示す説明図、第２図
はウェハのけがき繍を示す上面図、＃Ｉ３図は従来の７
ｊ法によるけが電線部分の断面図、第４図及び第５図は
本発明〇一実施例を説明する為のもので、第４１１ｉｉ
１は全体構成図、第２１２はクエへ支持部分を上面から
見九園、第６図及び第７図は他の実施例を説明する為Ｏ
もので、第６図は全体構成−１第１−は第６図〇一部分
を取出して示す斜視図である。 菊・・・レー蓼党線 ｌ・・・集光レンズＩ・
・・９ エバ ４５，６Ｇ・・・支持電量槌
・・・嘘置部 砺・・・・・・・保持部４９・・
・押圧部 ８２，７１・・・開口部詔・・・けが
電線、 ６２・・・・・・・受 板鎚・・・可
動板 代鳳人 弁理士 則ｔｆｉ（石 （ほか１名）１１図 第２図 第３図 ／丁 第４図
はウェハのけがき繍を示す上面図、＃Ｉ３図は従来の７
ｊ法によるけが電線部分の断面図、第４図及び第５図は
本発明〇一実施例を説明する為のもので、第４１１ｉｉ
１は全体構成図、第２１２はクエへ支持部分を上面から
見九園、第６図及び第７図は他の実施例を説明する為Ｏ
もので、第６図は全体構成−１第１−は第６図〇一部分
を取出して示す斜視図である。 菊・・・レー蓼党線 ｌ・・・集光レンズＩ・
・・９ エバ ４５，６Ｇ・・・支持電量槌
・・・嘘置部 砺・・・・・・・保持部４９・・
・押圧部 ８２，７１・・・開口部詔・・・けが
電線、 ６２・・・・・・・受 板鎚・・・可
動板 代鳳人 弁理士 則ｔｆｉ（石 （ほか１名）１１図 第２図 第３図 ／丁 第４図
Claims (1)
- レーザ光線と複数の半導体素子がそれぞれ独立して形成
されたウェハとを相対的に移動させて各素子ごとに矩形
のチップ状に分割するためのけかき線を形成するレーザ
けがき方法において、上記ウェハは一部を欠損した半導
体素子が形成される周端部を支持されかつその支持され
た部分を除く表面および裏面の全面に沿って強制的に冷
却用気体をけが亀甲常時吹き付けられてけがかれること
を特徴とするレーザけがき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028730A JPS5875846A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | レ−ザけがき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028730A JPS5875846A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | レ−ザけがき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875846A true JPS5875846A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=12256544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57028730A Pending JPS5875846A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | レ−ザけがき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875846A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127743A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-08 | Toshiba Corp | レ−ザ−スクライブ方法 |
| US5306370A (en) * | 1992-11-02 | 1994-04-26 | Xerox Corporation | Method of reducing chipping and contamination of reservoirs and channels in thermal ink printheads during dicing by vacuum impregnation with protective filler material |
| DE10107149A1 (de) * | 2001-02-15 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterchips |
| WO2003028949A3 (en) * | 2001-10-01 | 2004-04-01 | Xsil Technology Ltd | Method of machining substrates |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP57028730A patent/JPS5875846A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127743A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-08 | Toshiba Corp | レ−ザ−スクライブ方法 |
| US5306370A (en) * | 1992-11-02 | 1994-04-26 | Xerox Corporation | Method of reducing chipping and contamination of reservoirs and channels in thermal ink printheads during dicing by vacuum impregnation with protective filler material |
| DE10107149A1 (de) * | 2001-02-15 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterchips |
| WO2003028949A3 (en) * | 2001-10-01 | 2004-04-01 | Xsil Technology Ltd | Method of machining substrates |
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