JPS5856483A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5856483A JPS5856483A JP56155193A JP15519381A JPS5856483A JP S5856483 A JPS5856483 A JP S5856483A JP 56155193 A JP56155193 A JP 56155193A JP 15519381 A JP15519381 A JP 15519381A JP S5856483 A JPS5856483 A JP S5856483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- lead
- optical semiconductor
- reflective surface
- reflecting surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000208202 Linaceae Species 0.000 description 1
- 235000004431 Linum usitatissimum Nutrition 0.000 description 1
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光半導体装置に関する。
従来、光半導体装置1例えばL B D (Light
Emitting Diode )ランプの製造は、例
えば第1図及び第2図に示すようC:行われていた。す
なわち、カソードリード1の先端に設けられた反射面を
有するカップ状の凹部2内に導電性樹脂3によりLID
ペレット4を固着する。次に。
Emitting Diode )ランプの製造は、例
えば第1図及び第2図に示すようC:行われていた。す
なわち、カソードリード1の先端に設けられた反射面を
有するカップ状の凹部2内に導電性樹脂3によりLID
ペレット4を固着する。次に。
このLIDベレット4とアノードリード5の先端のボン
ディング面51との間を、例えばAu(金)の金属細線
6で接続する。しかる後、これらの部分を例えば透明の
エポキシ樹脂7で封止するものである。
ディング面51との間を、例えばAu(金)の金属細線
6で接続する。しかる後、これらの部分を例えば透明の
エポキシ樹脂7で封止するものである。
しかしながら、この方法では従来下記C:示すような欠
点があった。
点があった。
■ 凹部2の反射面はカソードリード1と一体成形のた
め、材質に制約がある。
め、材質に制約がある。
■ 凹部2の反射面を形成する工程において、カソード
リード1のプレスの抜き方向に対し。
リード1のプレスの抜き方向に対し。
直角方向C:成形ポンチを動作させなければならないた
め、プレス速度ζ:制約がある。
め、プレス速度ζ:制約がある。
■ ポンディング性を向上させるための銀めっきは1本
来、ボンディング1[5鳳のみでよいカー良好な反射面
を得るためには、反射面にも銀めっきを要する。
来、ボンディング1[5鳳のみでよいカー良好な反射面
を得るためには、反射面にも銀めっきを要する。
■ リードフレームは複数枚まとめて取扱うことが多い
が、カソードリード1の先端にカップ状の凹部2が形成
されているため取扱い中に弓形C:変形しやすい。
が、カソードリード1の先端にカップ状の凹部2が形成
されているため取扱い中に弓形C:変形しやすい。
また、LIDディスプレイにおいては、第1図(−示し
たカソードリード(リードフレームから成形)、または
印刷配線基板上にパターン形成されたカソードリード上
に、LIDランプの場合と同様にLIDペレットを固着
し、これを金属細線によりアノードリード側に接続する
。
たカソードリード(リードフレームから成形)、または
印刷配線基板上にパターン形成されたカソードリード上
に、LIDランプの場合と同様にLIDペレットを固着
し、これを金属細線によりアノードリード側に接続する
。
サラに、L!ilDベレットの周辺に、白色樹脂により
成形され反射面を有する反射板を取付け。
成形され反射面を有する反射板を取付け。
この反射板上面に光拡散板を取付ける。LIDペレット
から発せられる光は、この反射面により反射し、光拡散
板を介して散乱され所望のディスプレイとなる。
から発せられる光は、この反射面により反射し、光拡散
板を介して散乱され所望のディスプレイとなる。
しかしながら、このディスプレイにおいては次のような
欠点がある。
欠点がある。
■ 白色樹脂が反射面となっており、金属鏡面に比べ1
反射効率が劣る。
反射効率が劣る。
■ 白色樹脂の選定に当っては、高反射率で。
ある糧度の耐熱性を必要とするために制約がある。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので。
その目的は、導電性リードの一方の先端部に反射面を有
する金属製容器を設け、この容器内に光半導体素子を配
設することにより、従来の種々の欠点を解消し得る光半
導体装置を提供することにある。
する金属製容器を設け、この容器内に光半導体素子を配
設することにより、従来の種々の欠点を解消し得る光半
導体装置を提供することにある。
以下1図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第3図2二示すLIDランプにおいて。
カソードリードIIの先端にはカップ状に成形され1反
射面を有する金属製の容器12が1例えば!4図C:示
すように導電性樹脂(例えば。
射面を有する金属製の容器12が1例えば!4図C:示
すように導電性樹脂(例えば。
銀粉が混入されたエポキシ樹Flaxsにより固着され
ている。この容@XXは例えば厚さ04)S〜Of、の
アルミ箔(二より形成される。なお。
ている。この容@XXは例えば厚さ04)S〜Of、の
アルミ箔(二より形成される。なお。
カソードリード11の容器12との固着は、容器12の
材質によりスポット溶接等を用いてもよい。容器12の
反射面内C二は、LEDペレット14のカソード側が同
様に導電性樹脂I5により固着され、このLIDペレッ
ト14のアノード側とアノードリード16の先端のボン
ディング面I6!1との間は例えば人Uの金属細線17
(−より接続されている。”そして、これらの部分が例
えば透明のエポキシ樹脂I8により封止されている。
材質によりスポット溶接等を用いてもよい。容器12の
反射面内C二は、LEDペレット14のカソード側が同
様に導電性樹脂I5により固着され、このLIDペレッ
ト14のアノード側とアノードリード16の先端のボン
ディング面I6!1との間は例えば人Uの金属細線17
(−より接続されている。”そして、これらの部分が例
えば透明のエポキシ樹脂I8により封止されている。
このLBDランプC:おいては、容器12はカソードリ
ード11と別構造であるため、反射面(容器12)には
カソードリード11の材質に制約されることなく1反射
効率の高いアルミ箔を使用できる。また、リードフレー
ムそのものは従来のような凹部が不要であるため、平ら
なものとなる0従って、抜き加工を行うだけでよく、プ
レス速度は従来の2〜3倍となり、また、取扱い中に変
形する心配も極めて少ない。さらに、カソードリード1
1とアノードリード16の各先端面の差が従来(:比べ
、容器12の分だけ大きくなるため、銀めっきを本来必
要なボンディング面161にのみ施すことが容易である
。
ード11と別構造であるため、反射面(容器12)には
カソードリード11の材質に制約されることなく1反射
効率の高いアルミ箔を使用できる。また、リードフレー
ムそのものは従来のような凹部が不要であるため、平ら
なものとなる0従って、抜き加工を行うだけでよく、プ
レス速度は従来の2〜3倍となり、また、取扱い中に変
形する心配も極めて少ない。さらに、カソードリード1
1とアノードリード16の各先端面の差が従来(:比べ
、容器12の分だけ大きくなるため、銀めっきを本来必
要なボンディング面161にのみ施すことが容易である
。
従って、fsの電着量は従来の3分の!程度に減少する
。
。
なセ、上記実施例に右いては、カソードリード11と容
器12.容器12とLIDペレット14をそれぞれ別@
C二導電性樹脂13.151’ニーより固着するように
したが、第5図のように容器12の底部I:孔19を設
ければLgDペレット14の容器12を同時に導電性樹
脂20により固着できる。
器12.容器12とLIDペレット14をそれぞれ別@
C二導電性樹脂13.151’ニーより固着するように
したが、第5図のように容器12の底部I:孔19を設
ければLgDペレット14の容器12を同時に導電性樹
脂20により固着できる。
第6図はLIDディスプレイシ:ついてこの発明を実施
したものである。同図において、21は印刷配線基板上
C;パターン形成されたカソードリード、22は同じく
アノードリードである。
したものである。同図において、21は印刷配線基板上
C;パターン形成されたカソードリード、22は同じく
アノードリードである。
カソードリード2ノの先端部には第3図に示した容器1
2が固着され、この容器12の底部に帥記と同様に導電
性樹脂(図示せず)(:よりLIDベレット14のカソ
ード側が固着されている。このLBDペレット14のア
ノード側とアノードリード22の先端部は金属細線17
により接続されている。これら容器Jffi、LIDペ
レット14を含むカソードリード21及びアノードリー
ド22の先端部の周囲には、樹脂成形され上下面に開口
を有する外囲器23が取付けられている。この外囲器2
3の上面開口部には光拡散板24が粘着剤により貼付け
られている。
2が固着され、この容器12の底部に帥記と同様に導電
性樹脂(図示せず)(:よりLIDベレット14のカソ
ード側が固着されている。このLBDペレット14のア
ノード側とアノードリード22の先端部は金属細線17
により接続されている。これら容器Jffi、LIDペ
レット14を含むカソードリード21及びアノードリー
ド22の先端部の周囲には、樹脂成形され上下面に開口
を有する外囲器23が取付けられている。この外囲器2
3の上面開口部には光拡散板24が粘着剤により貼付け
られている。
このLBDディスプレイにおいては、従来の白色樹脂反
射板に代り、容@12により反射効率のよい金属反射面
すなわちアルミ鏡筒を設置できる。また、従来のように
反射板を樹脂で成形した場合には、製造工場上パリ等が
発生しやすいため、LIIDペレットと反射面の最下端
部との間隔を小さくすることができなかったが、部の幅
を容易にlトさくできる。従って反射面をLiaDベレ
ット14に近づけることができ1反射効率は従来に比べ
10〜20%向上する。クロック用ディスプレイ等の文
字サイズの大きいものでは、従来の白色樹脂反射板と併
用すればさらに効果は大きい。また、逆に文字サイズの
小さいものでは、外囲器として比較的反射率の低い樹脂
を用いた外囲器23と、従来のような白色樹脂反射板の
いずれを用いてもよく、このため樹卵材料の選定条件が
緩和される。このようにこのLBbディスプレイにおい
ては、外囲器は従来ζニルべ、形状、材料面で設計上の
自由度が多くなる。なお、Lm!Dランプと同様1.容
器12の底部に孔を設けるとLBDベレット14と同時
に容s12を固着できる。
射板に代り、容@12により反射効率のよい金属反射面
すなわちアルミ鏡筒を設置できる。また、従来のように
反射板を樹脂で成形した場合には、製造工場上パリ等が
発生しやすいため、LIIDペレットと反射面の最下端
部との間隔を小さくすることができなかったが、部の幅
を容易にlトさくできる。従って反射面をLiaDベレ
ット14に近づけることができ1反射効率は従来に比べ
10〜20%向上する。クロック用ディスプレイ等の文
字サイズの大きいものでは、従来の白色樹脂反射板と併
用すればさらに効果は大きい。また、逆に文字サイズの
小さいものでは、外囲器として比較的反射率の低い樹脂
を用いた外囲器23と、従来のような白色樹脂反射板の
いずれを用いてもよく、このため樹卵材料の選定条件が
緩和される。このようにこのLBbディスプレイにおい
ては、外囲器は従来ζニルべ、形状、材料面で設計上の
自由度が多くなる。なお、Lm!Dランプと同様1.容
器12の底部に孔を設けるとLBDベレット14と同時
に容s12を固着できる。
また、第6図C二示した外囲器23C:第3図に示した
カソードリード11及びアノードリード16を組込む構
造のディスプレイにおいては。
カソードリード11及びアノードリード16を組込む構
造のディスプレイにおいては。
外囲器23内にリードフレームと共C:容器12を組込
み、外囲器23上面にシール用テープを接着剤により貼
付け、光拡散吻質の混入した樹脂で封止する。封止後、
シール用テープを剥がすと、第6図の光拡散板−24を
貼付けた構造のものと同様の効果が得られるディスプレ
イとなる。
み、外囲器23上面にシール用テープを接着剤により貼
付け、光拡散吻質の混入した樹脂で封止する。封止後、
シール用テープを剥がすと、第6図の光拡散板−24を
貼付けた構造のものと同様の効果が得られるディスプレ
イとなる。
尚、上記実施例に2いては、容器12をアルミ箔により
形成するようにしたが、その他の反射効率の良好な金属
C:より形成してもよいことは勿論である。
形成するようにしたが、その他の反射効率の良好な金属
C:より形成してもよいことは勿論である。
以上のようにこの発明によれば、導電性リードの一方の
先端部C:反射百を有する金属製容器を設け、この容器
内に光半導体素子を配設するようにしたので、LIDラ
ンプ及びLBDディスプレイ儂:おけるそれぞれの欠点
を解消できる。
先端部C:反射百を有する金属製容器を設け、この容器
内に光半導体素子を配設するようにしたので、LIDラ
ンプ及びLBDディスプレイ儂:おけるそれぞれの欠点
を解消できる。
第1図は従来のLifDランプの構成を示す斜視図、第
2図は上記LIDランプの要部断面図。 第3図はこの発明の一実施例に係るLIDランプの斜視
図、第4図は上記LIDランプの要部断面図、第5図は
この発明の他の実施例に係る要部断面図、第6図はさら
に他の実施例(:係る透視的斜視図である。 11・・・カソードリード、12−・・容器、14・・
・LBDベレット%13.15−・ψ導電性樹脂。 16・・・アノードリード、17−・・金属細線、
1Bエポキシ樹謄。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図
2図は上記LIDランプの要部断面図。 第3図はこの発明の一実施例に係るLIDランプの斜視
図、第4図は上記LIDランプの要部断面図、第5図は
この発明の他の実施例に係る要部断面図、第6図はさら
に他の実施例(:係る透視的斜視図である。 11・・・カソードリード、12−・・容器、14・・
・LBDベレット%13.15−・ψ導電性樹脂。 16・・・アノードリード、17−・・金属細線、
1Bエポキシ樹謄。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)対向して配置された一対の導電性リードと、反射
面を有し、前記導電性リードの一方の先端部に設けられ
た金属製容器と、この金属製容器の反射面内;;配設さ
れ、一方の電極が前記導電性リードの一方CI! #!
された光半導体素子と、この光半導体素子の他方の電極
と前記導電性リードの他方とを接続する金属細線とを^
備したことを特徴とする光半導体装置。 - (2)#起生導体素子及び−記金属製容器を含む前記導
電性リードの先端周辺部を樹脂により封止した特許請求
の範囲第1項□記載の光半導体装置。 - (3) 前記光半導体素子及び前記金属製容器を含む
前記導電性リードの先端周辺部を、一方向に開口を有す
る外囲器内に前記反射面を前記開口面に向けて配設し、
かつ前記開口面に光拡散板を取付けた社特許請求の範囲
第1項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56155193A JPS5856483A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56155193A JPS5856483A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5856483A true JPS5856483A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15600517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56155193A Pending JPS5856483A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5856483A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6465882A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Rohm Co Ltd | Light emitting equipment |
EP0374121A2 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-20 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
US5763901A (en) * | 1992-12-17 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
WO2002091478A3 (de) * | 2001-05-07 | 2003-02-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement |
US6677614B1 (en) | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US6808950B2 (en) | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7281860B2 (en) | 2003-06-06 | 2007-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical transmitter |
JP2009141317A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Omron Corp | 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法 |
JP2011526740A (ja) * | 2008-07-01 | 2011-10-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ledに関する近接コリメータ |
EP2485285A3 (de) * | 2000-04-26 | 2015-09-16 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155193A patent/JPS5856483A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6465882A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Rohm Co Ltd | Light emitting equipment |
EP0374121A2 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-20 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
EP0374121A3 (de) * | 1988-12-16 | 1991-01-16 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
US6808950B2 (en) | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US6677614B1 (en) | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7094619B2 (en) | 1992-12-17 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a light emitting device |
US5763901A (en) * | 1992-12-17 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7288795B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7297984B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
US7315046B2 (en) | 1992-12-17 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
EP2485285A3 (de) * | 2000-04-26 | 2015-09-16 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
EP1277242B1 (de) * | 2000-04-26 | 2018-08-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement und verfahren zur dessen herstellung |
WO2002091478A3 (de) * | 2001-05-07 | 2003-02-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement |
US7281860B2 (en) | 2003-06-06 | 2007-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical transmitter |
JP4525804B2 (ja) * | 2007-11-16 | 2010-08-18 | オムロン株式会社 | 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサ |
JP2009141317A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Omron Corp | 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法 |
JP2011526740A (ja) * | 2008-07-01 | 2011-10-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ledに関する近接コリメータ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1953825B1 (en) | Power surface mount light emitting die package | |
US7976186B2 (en) | Power surface mount light emitting die package | |
US7070304B2 (en) | Light emitting diode | |
US7042021B2 (en) | Light emitting diode with reflection cup | |
JP2000183407A (ja) | 光半導体装置 | |
JPH1187780A (ja) | 発光装置 | |
JP2002335020A (ja) | 発光装置 | |
JPS5856483A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2001185762A (ja) | 裏面実装チップ型発光装置 | |
US20160293802A1 (en) | Led packages and manufacturing method thereof | |
JPH10242526A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JPH08204239A (ja) | 樹脂封止型発光装置 | |
JPH0832118A (ja) | 発光ダイオード | |
JP3187482B2 (ja) | パッケージ型半導体レーザ装置 | |
JP2006222271A (ja) | 発光素子実装用基板 | |
JPH10308535A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JPH09135040A (ja) | 発光ダイオード | |
CN214753749U (zh) | 一种led支架及封装结构 | |
JPH11346006A (ja) | 半導体装置 | |
JP3455191B2 (ja) | 半導体素子及び発光ダイオードランプ | |
JPH04162783A (ja) | 発光素子 | |
JPS59119774A (ja) | 光結合半導体装置 | |
JPS63200551A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH01266771A (ja) | 発光ダイオードランプ | |
JPS5866372A (ja) | 発光ダイオ−ド |