[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS5856483A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPS5856483A
JPS5856483A JP56155193A JP15519381A JPS5856483A JP S5856483 A JPS5856483 A JP S5856483A JP 56155193 A JP56155193 A JP 56155193A JP 15519381 A JP15519381 A JP 15519381A JP S5856483 A JPS5856483 A JP S5856483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
lead
optical semiconductor
reflective surface
reflecting surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56155193A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinjiro Kojima
小島 伸次郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56155193A priority Critical patent/JPS5856483A/ja
Publication of JPS5856483A publication Critical patent/JPS5856483A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は光半導体装置に関する。
従来、光半導体装置1例えばL B D (Light
Emitting Diode )ランプの製造は、例
えば第1図及び第2図に示すようC:行われていた。す
なわち、カソードリード1の先端に設けられた反射面を
有するカップ状の凹部2内に導電性樹脂3によりLID
ペレット4を固着する。次に。
このLIDベレット4とアノードリード5の先端のボン
ディング面51との間を、例えばAu(金)の金属細線
6で接続する。しかる後、これらの部分を例えば透明の
エポキシ樹脂7で封止するものである。
しかしながら、この方法では従来下記C:示すような欠
点があった。
■ 凹部2の反射面はカソードリード1と一体成形のた
め、材質に制約がある。
■ 凹部2の反射面を形成する工程において、カソード
リード1のプレスの抜き方向に対し。
直角方向C:成形ポンチを動作させなければならないた
め、プレス速度ζ:制約がある。
■ ポンディング性を向上させるための銀めっきは1本
来、ボンディング1[5鳳のみでよいカー良好な反射面
を得るためには、反射面にも銀めっきを要する。
■ リードフレームは複数枚まとめて取扱うことが多い
が、カソードリード1の先端にカップ状の凹部2が形成
されているため取扱い中に弓形C:変形しやすい。
また、LIDディスプレイにおいては、第1図(−示し
たカソードリード(リードフレームから成形)、または
印刷配線基板上にパターン形成されたカソードリード上
に、LIDランプの場合と同様にLIDペレットを固着
し、これを金属細線によりアノードリード側に接続する
サラに、L!ilDベレットの周辺に、白色樹脂により
成形され反射面を有する反射板を取付け。
この反射板上面に光拡散板を取付ける。LIDペレット
から発せられる光は、この反射面により反射し、光拡散
板を介して散乱され所望のディスプレイとなる。
しかしながら、このディスプレイにおいては次のような
欠点がある。
■ 白色樹脂が反射面となっており、金属鏡面に比べ1
反射効率が劣る。
■ 白色樹脂の選定に当っては、高反射率で。
ある糧度の耐熱性を必要とするために制約がある。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので。
その目的は、導電性リードの一方の先端部に反射面を有
する金属製容器を設け、この容器内に光半導体素子を配
設することにより、従来の種々の欠点を解消し得る光半
導体装置を提供することにある。
以下1図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第3図2二示すLIDランプにおいて。
カソードリードIIの先端にはカップ状に成形され1反
射面を有する金属製の容器12が1例えば!4図C:示
すように導電性樹脂(例えば。
銀粉が混入されたエポキシ樹Flaxsにより固着され
ている。この容@XXは例えば厚さ04)S〜Of、の
アルミ箔(二より形成される。なお。
カソードリード11の容器12との固着は、容器12の
材質によりスポット溶接等を用いてもよい。容器12の
反射面内C二は、LEDペレット14のカソード側が同
様に導電性樹脂I5により固着され、このLIDペレッ
ト14のアノード側とアノードリード16の先端のボン
ディング面I6!1との間は例えば人Uの金属細線17
(−より接続されている。”そして、これらの部分が例
えば透明のエポキシ樹脂I8により封止されている。
このLBDランプC:おいては、容器12はカソードリ
ード11と別構造であるため、反射面(容器12)には
カソードリード11の材質に制約されることなく1反射
効率の高いアルミ箔を使用できる。また、リードフレー
ムそのものは従来のような凹部が不要であるため、平ら
なものとなる0従って、抜き加工を行うだけでよく、プ
レス速度は従来の2〜3倍となり、また、取扱い中に変
形する心配も極めて少ない。さらに、カソードリード1
1とアノードリード16の各先端面の差が従来(:比べ
、容器12の分だけ大きくなるため、銀めっきを本来必
要なボンディング面161にのみ施すことが容易である
従って、fsの電着量は従来の3分の!程度に減少する
なセ、上記実施例に右いては、カソードリード11と容
器12.容器12とLIDペレット14をそれぞれ別@
C二導電性樹脂13.151’ニーより固着するように
したが、第5図のように容器12の底部I:孔19を設
ければLgDペレット14の容器12を同時に導電性樹
脂20により固着できる。
第6図はLIDディスプレイシ:ついてこの発明を実施
したものである。同図において、21は印刷配線基板上
C;パターン形成されたカソードリード、22は同じく
アノードリードである。
カソードリード2ノの先端部には第3図に示した容器1
2が固着され、この容器12の底部に帥記と同様に導電
性樹脂(図示せず)(:よりLIDベレット14のカソ
ード側が固着されている。このLBDペレット14のア
ノード側とアノードリード22の先端部は金属細線17
により接続されている。これら容器Jffi、LIDペ
レット14を含むカソードリード21及びアノードリー
ド22の先端部の周囲には、樹脂成形され上下面に開口
を有する外囲器23が取付けられている。この外囲器2
3の上面開口部には光拡散板24が粘着剤により貼付け
られている。
このLBDディスプレイにおいては、従来の白色樹脂反
射板に代り、容@12により反射効率のよい金属反射面
すなわちアルミ鏡筒を設置できる。また、従来のように
反射板を樹脂で成形した場合には、製造工場上パリ等が
発生しやすいため、LIIDペレットと反射面の最下端
部との間隔を小さくすることができなかったが、部の幅
を容易にlトさくできる。従って反射面をLiaDベレ
ット14に近づけることができ1反射効率は従来に比べ
10〜20%向上する。クロック用ディスプレイ等の文
字サイズの大きいものでは、従来の白色樹脂反射板と併
用すればさらに効果は大きい。また、逆に文字サイズの
小さいものでは、外囲器として比較的反射率の低い樹脂
を用いた外囲器23と、従来のような白色樹脂反射板の
いずれを用いてもよく、このため樹卵材料の選定条件が
緩和される。このようにこのLBbディスプレイにおい
ては、外囲器は従来ζニルべ、形状、材料面で設計上の
自由度が多くなる。なお、Lm!Dランプと同様1.容
器12の底部に孔を設けるとLBDベレット14と同時
に容s12を固着できる。
また、第6図C二示した外囲器23C:第3図に示した
カソードリード11及びアノードリード16を組込む構
造のディスプレイにおいては。
外囲器23内にリードフレームと共C:容器12を組込
み、外囲器23上面にシール用テープを接着剤により貼
付け、光拡散吻質の混入した樹脂で封止する。封止後、
シール用テープを剥がすと、第6図の光拡散板−24を
貼付けた構造のものと同様の効果が得られるディスプレ
イとなる。
尚、上記実施例に2いては、容器12をアルミ箔により
形成するようにしたが、その他の反射効率の良好な金属
C:より形成してもよいことは勿論である。
以上のようにこの発明によれば、導電性リードの一方の
先端部C:反射百を有する金属製容器を設け、この容器
内に光半導体素子を配設するようにしたので、LIDラ
ンプ及びLBDディスプレイ儂:おけるそれぞれの欠点
を解消できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のLifDランプの構成を示す斜視図、第
2図は上記LIDランプの要部断面図。 第3図はこの発明の一実施例に係るLIDランプの斜視
図、第4図は上記LIDランプの要部断面図、第5図は
この発明の他の実施例に係る要部断面図、第6図はさら
に他の実施例(:係る透視的斜視図である。 11・・・カソードリード、12−・・容器、14・・
・LBDベレット%13.15−・ψ導電性樹脂。 16・・・アノードリード、17−・・金属細線、  
1Bエポキシ樹謄。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)対向して配置された一対の導電性リードと、反射
    面を有し、前記導電性リードの一方の先端部に設けられ
    た金属製容器と、この金属製容器の反射面内;;配設さ
    れ、一方の電極が前記導電性リードの一方CI! #!
    された光半導体素子と、この光半導体素子の他方の電極
    と前記導電性リードの他方とを接続する金属細線とを^
    備したことを特徴とする光半導体装置。
  2. (2)#起生導体素子及び−記金属製容器を含む前記導
    電性リードの先端周辺部を樹脂により封止した特許請求
    の範囲第1項□記載の光半導体装置。
  3. (3)  前記光半導体素子及び前記金属製容器を含む
    前記導電性リードの先端周辺部を、一方向に開口を有す
    る外囲器内に前記反射面を前記開口面に向けて配設し、
    かつ前記開口面に光拡散板を取付けた社特許請求の範囲
    第1項記載の光半導体装置。
JP56155193A 1981-09-30 1981-09-30 光半導体装置 Pending JPS5856483A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56155193A JPS5856483A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56155193A JPS5856483A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5856483A true JPS5856483A (ja) 1983-04-04

Family

ID=15600517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56155193A Pending JPS5856483A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5856483A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465882A (en) * 1987-09-04 1989-03-13 Rohm Co Ltd Light emitting equipment
EP0374121A2 (de) * 1988-12-16 1990-06-20 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
US5763901A (en) * 1992-12-17 1998-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
WO2002091478A3 (de) * 2001-05-07 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement
US6677614B1 (en) 1992-12-17 2004-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US6808950B2 (en) 1992-12-17 2004-10-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7281860B2 (en) 2003-06-06 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Optical transmitter
JP2009141317A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Omron Corp 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法
JP2011526740A (ja) * 2008-07-01 2011-10-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ledに関する近接コリメータ
EP2485285A3 (de) * 2000-04-26 2015-09-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465882A (en) * 1987-09-04 1989-03-13 Rohm Co Ltd Light emitting equipment
EP0374121A2 (de) * 1988-12-16 1990-06-20 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
EP0374121A3 (de) * 1988-12-16 1991-01-16 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
US6808950B2 (en) 1992-12-17 2004-10-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US6677614B1 (en) 1992-12-17 2004-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7094619B2 (en) 1992-12-17 2006-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of fabricating a light emitting device
US5763901A (en) * 1992-12-17 1998-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7288795B2 (en) 1992-12-17 2007-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7297984B2 (en) 1992-12-17 2007-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
US7315046B2 (en) 1992-12-17 2008-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device
EP2485285A3 (de) * 2000-04-26 2015-09-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1277242B1 (de) * 2000-04-26 2018-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement und verfahren zur dessen herstellung
WO2002091478A3 (de) * 2001-05-07 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement und optoelektronisches bauelement
US7281860B2 (en) 2003-06-06 2007-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Optical transmitter
JP4525804B2 (ja) * 2007-11-16 2010-08-18 オムロン株式会社 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサ
JP2009141317A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Omron Corp 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサならびに光半導体パッケージの製造方法
JP2011526740A (ja) * 2008-07-01 2011-10-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ledに関する近接コリメータ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1953825B1 (en) Power surface mount light emitting die package
US7976186B2 (en) Power surface mount light emitting die package
US7070304B2 (en) Light emitting diode
US7042021B2 (en) Light emitting diode with reflection cup
JP2000183407A (ja) 光半導体装置
JPH1187780A (ja) 発光装置
JP2002335020A (ja) 発光装置
JPS5856483A (ja) 光半導体装置
JP2001185762A (ja) 裏面実装チップ型発光装置
US20160293802A1 (en) Led packages and manufacturing method thereof
JPH10242526A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JPH08204239A (ja) 樹脂封止型発光装置
JPH0832118A (ja) 発光ダイオード
JP3187482B2 (ja) パッケージ型半導体レーザ装置
JP2006222271A (ja) 発光素子実装用基板
JPH10308535A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JPH09135040A (ja) 発光ダイオード
CN214753749U (zh) 一种led支架及封装结构
JPH11346006A (ja) 半導体装置
JP3455191B2 (ja) 半導体素子及び発光ダイオードランプ
JPH04162783A (ja) 発光素子
JPS59119774A (ja) 光結合半導体装置
JPS63200551A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH01266771A (ja) 発光ダイオードランプ
JPS5866372A (ja) 発光ダイオ−ド