JPS5833246A - ポジ型レジストのパタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積回路を製造するための微細加工用に’Ｉ
Ｃ［Ｌなポジ型レジストのパターン形成方法に関するも
のである。

近年ＬＳＩや磁気バルブ等の大容量化及び高密度化に対
する要求が強く、）々ターンに対して益々これを微細化
するための技術の確立が急務とされて居シ、これに伴っ
て、かかる目的のための新しいリングラフィ技術が次々
と開発され提案されている。

とζろで電子線リソグラフィはサシミクロンのミクロン
形成の中心技術をなすものであ）、既に転写マスクの製
作に実用化されはじめている。

かかる電子線リソグラフィによる転写マスクの製作に用
いるレジスト材料としては、Ｉリグリシジルメタクリレ
ート（ＰＧＭＡ）やグリシジルメタクリレートとエチル
アクリレートの共重合体（ＣＯＰ）等のネガ型レジスト
が一般的である。

しかしこのネガ型レジストは、所謂スカムやブリッジの
発生の恐れが多く特にサブミクロン寸法の加工が困難で
ある問題がある。

一方？ジレジストは、一般に解像性に優れて居シサノミ
クロンの加工を可能ならしめる利点があり、又、カソー
ドを含めた電子ｍ露光装置の改良もなされて居シ、比較
的低感層であるポリメチルメタクリレ−）（ＰＭＭＡ）
等を用いることも可能となっている。

そして現在前記ＰＭＭＡよシ更に高感度のポジ型レジス
トとして、例えば商品名ＦＢＭ（ダイキン工業社）ある
いはＥＢＲ−９（東し社）等が市販されている。

ただ、これらの４ジ型レジストヲ用いて上述の。

転写マスクを作成する場合、現像後のレジストパターン
を用いてクロムをエツチングする必要があるが、上記現
像のみを行ったレジストパターンでは、エツチングが著
しく困難になること、エツチング時間が長時間になるこ
とあるいは該エツチングが一様に進行しないこと等の問
題があった。

この原因は、上述の現像を行っただけのレジストツクタ
ーンでは、レジストの薄層が残っていることに依るもの
であり、このため現在、該現像後に酸素プラズマによる
所謂アッシング作業を加えている。

しかしこの酸素プラズマによるアッシング作条はその工
程が非常に煩雑で製造能率を著し、〈低下させるばか９
でなく、面内の寸法安定性を損−うなどの重大な欠点が
免かれなかった。

そこでこの有利なポジ型しジスト會用いてしかも現像に
よる・臂ターン形成後にクロムのエツチングが好適に行
われ得る如き処理方法の開発が強く望まれていた。

発明者等はかかる事情に鑑み、多数の試験研究を重ねた
結果、上述の電子ＩＩ描画による現像ボッパターンに、
遠紫外線を一括照射し更に現像することにより驚くほど
の効果がもたらされることを見出しこの発明に至ったの
である。

即ちこの発明は、基板上に、電子線の照射で崩壊して一
ジ型となるレジスト組成物による被膜を形成し、電子線
によるパターン掻画を行った稜現像して−レジストツク
ターンを作成し、しかる後に遠紫外線を一括照射し、更
に現像を行うことを特徴とするポジ型レジストの・ｆタ
ーン形成方法である。

この発明が上記の作用効果をもたらす理由は次のように
考えられる。

即ちこの発明で用いるレジスト組成物は電子線により崩
壊する本のであシ、上記電子線照射部の現像にて、該現
像液に電子線照射部は溶解し去ることになる。しかし極
く薄いレジスト層が残存してしまうのが一般的に避けら
れないのであり、これがその後のクロムのエツチングを
阻害するのである。

この発明では、上記現像後のパターンに遠紫外線を一括
照射するものでアシ、これによって前記薄層のレノスト
が崩壊しその後の現像でこれが完全に除去され、以後の
クロムのエツチングが非常に好適に行われるのである。

この発明において用いられるポジ型レジスト材料として
は上述の如く電子線及び遠紫外線によシ崩壊形であり、
具体的には次のようなものが用いられる。

ポリへキサフルオロブチルメタクリレートポリトリフル
オロエチルα−クロロアクリレートＦ ？リメチルメタクリレート ０−ＣＨ。

Ｉリゾプロムプロビルメタクリレート ポリクロログロビルメタクリレート ポリエチルα−フルオロアクリレート Ｈ ポリメチルα−ブロムアクリレート 以下この発明ｔ−Ｘ体的な実施例を示しつつより詳細に
説明する。

実施例１ ガラス基板上にクロムｉ６０■蒸着してなるクロムブラ
ンク基板上に、前記のポリへキサフルオロブチルメタク
リレートをスピンコーティング法によシ０．５μｍ厚に
塗布した。１６０℃で３０分ノリペ°−りを行った後電
子線によシバターンを描画した。

この場合の電子線の加速電圧は２０ＫＶ、　Ｄｏｓｅ量
は２×ｌＯ″″１６”／ａｄとした。

パターン描画後、ＭＩＢＫ：　ＩＰＡ＝ｌ　：　１００
　　Ｍ液で現像し、音素プロアによ如乾燥した後、更に
２００Ｗ重水素ランプを用い６０秒遠紫外細照射全行な
い、前記と同じ現像液にて再び現像した。

そして１００℃にて３０分間ポストベークを行ない、次
に硝酸第２セリウムアンモニウム系エッチャントによシ
フロム層のエツチングを行った。

このエツチングは４０秒で完了し、更に２０秒オーバエ
ツチングを行ったところ鮮明な０．８μｍのラインアン
ドスペースのエッチングノ臂ターンが得られた。

比較のために上記遠紫外線照射及びその後の現像を省き
他は同様に行ったが、この場合エツチング時間１２０秒
にしてエツチング不能の部分があり、結果的にエツチン
グむらが目立っていた。

実施例２ 実施例１に用い、た基板上に、ポリトリフルオロエチル
α−クロロアクリレートｉ０．５層塗布した。

１３０℃、３０分のプリベークを行°つた稜、５ｘ６０ １０　　／、　　Ｄｏｓｅ量で電子線描画を行ない、Ｍ
ＩＢＫ：　ＩＰＡ＝７　二３　現像液にて現像した。

実施例１の如く音素プロアにて乾燥後、同様にして６０
秒間遠紫外線の一括照射を行ない前記現像液にて再現像
した。

１００℃、３０分間４ストベークを行った後、実ｍｔｌ
ｊｌと同様にクロムのエツチングを行ったところ、エツ
チング時間６０秒にて０．８μｍの鮮明なエツチングノ
？ターンが好適に得られた。

比較のために上記遠紫外線照射及びその後の現像金省き
他は同様に行ったが、この場合エツチング時間５分間に
してエツチング不能の部分があり、エツチングむらが著
しかった。

手続補正書 昭和５６年１０月７日 特許庁長官島田春樹　殿 １、事件の表示 昭和５６年特許　　願第１３１５７９　　　号２、発明
の名称 ポジ灘レジストのノ母ターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　特許出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付　　昭和　　年　　月　　日（自発
的）６、補正の対象 明細書の全文 ７、補正の内容 別紙の通りタイプ浄書した明細書の 全文を提出する。− 手続補正書 昭和５６年１Ｃ゛月１（Ｆｌｌ 特許庁長官島田春樹　殿 １、事件の表示 昭和６６年　特　許　願第　１３１５７９号２、発明の
名称 ／ｙｍしＶストの／臂ターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特　許　出願人（０２Ｇ）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付　　昭和　　年　　月　　１−１（
自発的）６、補正の対象 発明の詳細な説明 ７、補正の内容 （１）明細書７頁の、 ［ポリジブロムプロビルメタクリレート」 「ポリジブロムプロビルメタクリレート（２）四８頁実
施例１の第１行ｒ　６０　ｍｍ　Ｊとあるのを、ｒ６０
ｎｍＪと訂正する。

（３）同８頁下から４行ｒ２Ｘ１０　　Ｊとあるのをｒ
２ｘｔｏ　　Ｊと訂正する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、電子線の照射で崩壊して４ジ型となる
   レジスト組成物による被Ｍｔ−形成し、電子線によるノ
   ４ターン描ｉｉｉを行った４１現像してレジスト／譬タ
   ーン【作成し、しかる＊に遠紫外線を一括照射し、更に
   現像を行うととｔ−特徴とする４ジ型レジストのΔター
   ン形成方法。
2. （２）前記（２）項のレジスト組成物として次式、（式
   中ＸはＣＨａ　ｅ　Ｃ１＃　ＢｒあるいはＦ、又Ｒは炭
   素原子１〜４個のアルキル基、又は該アルキル基の１個
   以上の水素がＦ　−Ｃ”　＊　Ｂｒで置換されたハロダ
   ン化アルキル基會示す。） を用いることｔ−特徴とする前（，１１項記載のポジ型
   レジストのパターン形成方法。