JPS5826667B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5826667B2 JPS5826667B2 JP52025603A JP2560377A JPS5826667B2 JP S5826667 B2 JPS5826667 B2 JP S5826667B2 JP 52025603 A JP52025603 A JP 52025603A JP 2560377 A JP2560377 A JP 2560377A JP S5826667 B2 JPS5826667 B2 JP S5826667B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- wiring
- metal frame
- film
- insulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、ワイヤレスボンデングがな
される半導体装置の取扱いを簡便とし、品質が均一でコ
ストの低減の可能なパッケージを提供するものである。
される半導体装置の取扱いを簡便とし、品質が均一でコ
ストの低減の可能なパッケージを提供するものである。
さてミニモツド法は現在標準として１２５μ厚の樹脂フ
ィルムが使用されているが、この方法の問題の一つは、
フィルム材料として高価なポリイミドを使用しており薄
くするほど好ましいわけであるが、製作精度の点から薄
くすることが難しいことである。
ィルムが使用されているが、この方法の問題の一つは、
フィルム材料として高価なポリイミドを使用しており薄
くするほど好ましいわけであるが、製作精度の点から薄
くすることが難しいことである。
また、本出願人は配線密度を向上させるとともに、複数
の素子をフィルム上で相互配線するのに好適な方法を特
願昭５０−９２７７３号にて提案した。
の素子をフィルム上で相互配線するのに好適な方法を特
願昭５０−９２７７３号にて提案した。
この方法は、半導体素子の電極面と耐熱性絶縁樹脂フィ
ルムの一方の主面とが接着され、素子の電極上のフィル
ムに貫通孔を形成し、フィルムの他方の主面から金属配
線を形成すると同時に電極と金属配線を貫通孔を利用し
て相互接続するものである。
ルムの一方の主面とが接着され、素子の電極上のフィル
ムに貫通孔を形成し、フィルムの他方の主面から金属配
線を形成すると同時に電極と金属配線を貫通孔を利用し
て相互接続するものである。
この方法は貫通孔を形成する必要からフィルム自体は５
０〜２０μ程度に必然的に薄いものとなり、配線の形成
の精度、自由度が高まるとともにコストの面でも極めて
有利となる。
０〜２０μ程度に必然的に薄いものとなり、配線の形成
の精度、自由度が高まるとともにコストの面でも極めて
有利となる。
しかるに、ミニモツド法ならびに本出願人の提案した方
法においてもフィルムを薄くしたときに起る共通的な問
題は、薄いフィルムの取扱いの困難性であり、そのため
電気的特性の測定時あるいはプリント基板への実装時に
問題を生ずることである。
法においてもフィルムを薄くしたときに起る共通的な問
題は、薄いフィルムの取扱いの困難性であり、そのため
電気的特性の測定時あるいはプリント基板への実装時に
問題を生ずることである。
本発明はこのような問題に鑑み、樹脂フィルムを薄くし
ても充分その強度が保てるような半導体装置を得るもの
である。
ても充分その強度が保てるような半導体装置を得るもの
である。
以下本発明の一実施例にかかる半導体装置を図面ととも
に説明する。
に説明する。
この実施例は前述の本出願人提案の構造に本発明を適用
したものである。
したものである。
１は半導体素子で一生面に電極端子（図示せず）が形成
されており、この−主面が薄い熱可塑性樹脂（ＦＥＰ）
２を介してたとえばポリイミドよりなる耐熱性樹脂フィ
ルム基板３の一方の面に接着されている。
されており、この−主面が薄い熱可塑性樹脂（ＦＥＰ）
２を介してたとえばポリイミドよりなる耐熱性樹脂フィ
ルム基板３の一方の面に接着されている。
そして、電極端子の対応する位置の基板３の一部に貫通
孔４が形成されており、基板３の他方の面にはたとえば
蒸着金属配線５が形成され、貫通孔４の部分にて金属配
線５と電極端子とが接続される構成となっている。
孔４が形成されており、基板３の他方の面にはたとえば
蒸着金属配線５が形成され、貫通孔４の部分にて金属配
線５と電極端子とが接続される構成となっている。
６は本発明の特徴とするフィルム基板２補強用の金属枠
体よりなる支持体で、第２図に示されているように素子
１より薄く形成されている。
体よりなる支持体で、第２図に示されているように素子
１より薄く形成されている。
この金属枠体６は、素子１の周囲の一方の面にＦＥＰを
介して接着されている。
介して接着されている。
７は保護用の樹脂で金属枠体６と素子１問および素子１
の表面上に形成されている。
の表面上に形成されている。
さて、第１，２図の構造の半導体装置はまず、テーパー
状の貫通孔４の形成された５０〜２０μ程度のポリイミ
ドフィルム１上に上記金属枠体６を、１０μ〜２μ程度
のＦＥＰ２を介して接着し、そして、半導体素子１を約
３０００Ｃの温度で圧着により接着固定する。
状の貫通孔４の形成された５０〜２０μ程度のポリイミ
ドフィルム１上に上記金属枠体６を、１０μ〜２μ程度
のＦＥＰ２を介して接着し、そして、半導体素子１を約
３０００Ｃの温度で圧着により接着固定する。
そして、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属を蒸着、メッキな
どの手段により形成し、金属配線５の所定パターンを形
成する。
どの手段により形成し、金属配線５の所定パターンを形
成する。
この配線５の厚みは半導体素子１の電流容量にもよるが
一般的には２〜２０μ程度である。
一般的には２〜２０μ程度である。
そして必要に応じて、樹脂７．プリント基板等への接続
のために配線５の表面の１部にＡｕ、Ｓｎ＋半田メッキ
（図示せず）を施こすことにより第１，２図の装置を作
成することができる。
のために配線５の表面の１部にＡｕ、Ｓｎ＋半田メッキ
（図示せず）を施こすことにより第１，２図の装置を作
成することができる。
金属枠体６は第１図に示す様に少くともフィルム基板３
の周辺全領域に亘る様にする。
の周辺全領域に亘る様にする。
これはフィルム基板３がそらない様にするためと強度に
対する考慮のためである。
対する考慮のためである。
比較的フィルム面積が大きい場合にはそれだけでは不十
分な場合があるので第１図に示す様な半導体素子の周辺
にも及ぶ様な枠体を用いてもよい。
分な場合があるので第１図に示す様な半導体素子の周辺
にも及ぶ様な枠体を用いてもよい。
この様に半導体素子を取囲こむ様に金属枠体６を形成し
た場合にはそれとは別に次の効果を生ずる。
た場合にはそれとは別に次の効果を生ずる。
すなわち半導体素子の表面にフィルム基板３に接着して
いるため外部に対する保護は一応されている構造になっ
ているが環境によっては更に裏面より樹脂７で封止した
い場合にこの枠体６が樹脂の余分な領域へのはみだしに
対するストッパーの役割を果す。
いるため外部に対する保護は一応されている構造になっ
ているが環境によっては更に裏面より樹脂７で封止した
い場合にこの枠体６が樹脂の余分な領域へのはみだしに
対するストッパーの役割を果す。
金属枠体６の厚さは３０μから５００μ程度であり材質
としてはＣｕ、ステンレス、Ｆｅ等である。
としてはＣｕ、ステンレス、Ｆｅ等である。
この材質の選択に際しては配線材料などによっても異る
。
。
すなわち配線材料が例えばＣｕの場合、フォトリソ技術
及びエツチングで配線パターンを形成する場合にはＣｕ
のエツチング液例えばＦｅＣｌ３溶液に耐える様な金属
材質例えばステンレスを用いる事が必要となる。
及びエツチングで配線パターンを形成する場合にはＣｕ
のエツチング液例えばＦｅＣｌ３溶液に耐える様な金属
材質例えばステンレスを用いる事が必要となる。
また半導体素子部のみを除いた巾の大きい金属体形状の
ものを用いずに、第１図に明らかなとおり細いフレーム
よりなる金属枠体を用いると、巾の太きいものでは接着
の際にフィルム基板３と金属枠体間に気泡が入り易く均
一に接着することが難かしいが、第１図の形状では容易
に均一に接着させる事が可能である。
ものを用いずに、第１図に明らかなとおり細いフレーム
よりなる金属枠体を用いると、巾の太きいものでは接着
の際にフィルム基板３と金属枠体間に気泡が入り易く均
一に接着することが難かしいが、第１図の形状では容易
に均一に接着させる事が可能である。
さらにこの形状のもう一つの利点はプリント基板等に本
装置を接着あるいは接続する際に不必要に熱容量を大き
くしないでよいために例えば半田付けで接続する際など
に短時間に接続可能となる。
装置を接着あるいは接続する際に不必要に熱容量を大き
くしないでよいために例えば半田付けで接続する際など
に短時間に接続可能となる。
また、第３図は、第１，２図の構造においてフィルム基
板３上に複数個の半導体素子１がある場合に本発明を適
用したものを示したものであり、この場合も第１，２図
と同様の効果を発揮することができる。
板３上に複数個の半導体素子１がある場合に本発明を適
用したものを示したものであり、この場合も第１，２図
と同様の効果を発揮することができる。
以上の説明は、本出願人の提案した構造に本発明を適用
した例を述べたが、本発明は通常のミニモツド方式のよ
うに半導体素子とフィルム基板上の配線が銅のビームに
より接続されている様な構造の時にも同様に金属枠体６
を設けることにより同様の効果を得ることができる。
した例を述べたが、本発明は通常のミニモツド方式のよ
うに半導体素子とフィルム基板上の配線が銅のビームに
より接続されている様な構造の時にも同様に金属枠体６
を設けることにより同様の効果を得ることができる。
以上のように、本発明は取扱いが困難な薄い樹脂フィル
ム基板と半導体素子よりうすい金属枠体よりなる支持体
とを一体化することにより、フィルム基板をより薄くす
ることを可能とするとともに、その取扱いを容易とし、
特に電気的測定を行う際あるいはプリント板等に取付け
る際に能率が向上しトータルコス＋の低減が可能となり
、ワイヤレスボンディングを用いる半導体装置の作成に
大きく寄与するものである。
ム基板と半導体素子よりうすい金属枠体よりなる支持体
とを一体化することにより、フィルム基板をより薄くす
ることを可能とするとともに、その取扱いを容易とし、
特に電気的測定を行う際あるいはプリント板等に取付け
る際に能率が向上しトータルコス＋の低減が可能となり
、ワイヤレスボンディングを用いる半導体装置の作成に
大きく寄与するものである。
さらに本発明は樹脂コーティングを施した際、樹脂のは
みだしが起らず、品質的に均一なものを得ることができ
、工業的にすぐれた効果を奏する。
みだしが起らず、品質的に均一なものを得ることができ
、工業的にすぐれた効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例にかかる半導体装置の平面図
、第２図は第１図のｎ −ｎ’線断面図、第３図は複数
個の半導体素子を用いた場合の本発明の他の実施例にか
かる平面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・熱可塑性樹
脂、３・・・・・・耐熱性樹脂フィルム基板、４・・・
・・・貫通孔、５・・・・・・金属配線、６・・・・・
・金属枠体、７・・・・・・樹脂。
、第２図は第１図のｎ −ｎ’線断面図、第３図は複数
個の半導体素子を用いた場合の本発明の他の実施例にか
かる平面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・熱可塑性樹
脂、３・・・・・・耐熱性樹脂フィルム基板、４・・・
・・・貫通孔、５・・・・・・金属配線、６・・・・・
・金属枠体、７・・・・・・樹脂。
Claims (1)
- １ 絶縁樹脂フィルム基板の一生面上に選択的に外部引
出し用配線が形成され、上記半導体素子が絶縁性樹脂フ
ィルムの他主面上に接着され、上記半導体素子上の上記
絶縁性樹脂フィルムの一部に貫通孔が形成され、半導体
素子の電極端子と外部引出し用配線が上記貫通孔を介し
て接続され、上記素子の周辺部の一部において上記フィ
ルムの他主面上にその厚みが前記素子の厚みより薄い金
属枠体よりなる支持体を形成してなることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52025603A JPS5826667B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-03-08 | 半導体装置 |
| US05/882,152 US4246595A (en) | 1977-03-08 | 1978-02-28 | Electronics circuit device and method of making the same |
| GB8586/78A GB1588377A (en) | 1977-03-08 | 1978-03-03 | Electronic circuit devices and methods of making the same |
| CA298,234A CA1108305A (en) | 1977-03-08 | 1978-03-06 | Electronic circuit device and method of making the same |
| DE2810054A DE2810054C2 (de) | 1977-03-08 | 1978-03-08 | Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US06/168,418 US4356374A (en) | 1977-03-08 | 1980-07-10 | Electronics circuit device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52025603A JPS5826667B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-03-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53110370A JPS53110370A (en) | 1978-09-27 |
| JPS5826667B2 true JPS5826667B2 (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=12170474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52025603A Expired JPS5826667B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-03-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826667B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145354A (en) * | 1980-11-21 | 1982-09-08 | Gao Ges Automation Org | Carrier element for ic module |
| JP4563166B2 (ja) | 2004-12-17 | 2010-10-13 | 日本テトラパック株式会社 | 充填機及び充填監視方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS519587A (en) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Sharp Kk | Handotaisochino seizoho |
-
1977
- 1977-03-08 JP JP52025603A patent/JPS5826667B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS519587A (en) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Sharp Kk | Handotaisochino seizoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53110370A (en) | 1978-09-27 |
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