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JPS58209147A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPS58209147A
JPS58209147A JP57091174A JP9117482A JPS58209147A JP S58209147 A JPS58209147 A JP S58209147A JP 57091174 A JP57091174 A JP 57091174A JP 9117482 A JP9117482 A JP 9117482A JP S58209147 A JPS58209147 A JP S58209147A
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JP
Japan
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leads
semiconductor device
resin
present
type semiconductor
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JP57091174A
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English (en)
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Inventor
Mitsuru Yasui
安井　満
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は樹脂封止パッケージ部と、このパッケージ部か
ら突出する複数のリードを備えだ樹脂封止型の半導体装
置の改良に関し、特に信頼性の改善に関するものである
。
〔発明の技術的′ｉＪ１″景〕 従来、樹脂封止型の半導体装置として第１図に示すもの
が知られている。図において同図ＣＡ）は平面図であり
、ＣＢ）はその側面図を示す。
すなわち（１）はｍＤｋ封止封止パッジ−２部り、（２
）はこのパッケージ部から突出するリードである。
パッケージ部（１）により、所定のリード、例えば（２
２）にマクントされた半導体チップ（図示せず）、およ
び、このチップと他のリード（２１）、（２３）とを接
続するワイヤーリード（図示せず）が封止られている。
また（３）はこの樹脂封止型半導体装置を放熱板等（図
示せず）に固定するための固定手段、例えね ば毒じの挿入孔でちる。。
第２図は、かかる従来の半導体装置をプリント基板（４
）及び放熱板（５）に取着した場合の一例を示すもので
ある。すなわち、各リードとプリント基板（４）とは半
田（６）で固定されており、また、放熱板・５）とはね
じ（６）により固定されている。
〔背景技術の問題点〕
さて、従来のかかる構成の半導体装置の場合、パッケー
ジｔ１＋のリード間は平坦で、かつ沿面距離も焉かい。
このため、使用時に湿気が存在すると、リード間（同図
１部）に漏洩電流路が形成されやすく、信頼性上不都合
が生じる。％に半導体装置に供給される電圧が高くなる
と、例えば１００（Ｖ）以上になると、湿気の存在と相
まってリード間の漏洩電流路が容易に形成され、発熱９
発煙が観測されたり、１ 時として、燃焼にまで至１杯永久破壊することがあった
。。
〔発明の目的〕
本発明はかかる背景に鑑みなされたもので、信頼性の高
い有脂、封止型半導体装置を提供することを目的として
いる。
〔発明の概要〕
本発明においては、信頼性を向上させるたのに、リード
間の樹脂封止パッケージ？て切欠部を設け、リード間の
沿面距離を長くし、放熱板等の支持材とリード間に水分
が溜まりにくい構造にしている。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照しながら本発明の実施例にっ第３図は
本発明の一実施例を示す図であり、同図（Ａ）は正面図
、ＣＢ〕はその側面図を示している。
図から明らかなように本発明に糸る。亘脂型半導体装置
に２いてはり−ト責２）間の衝脂封止パッケー７部（１
）ｋ切欠部〔Ｆ〕を設け、リード間の沿面距離を長くし
ている。このため、水分の存在によっても漏洩電流路は
形成されにくい。
第４図は、不発明の他の一実施例を示す図であり、同図
ＣＡＩは平面図、同図（、Ｂ）は側面図を示す。
図から明らかなように、本実施例においては、パッケー
ジ（１）のリード突出部の背面側の一部にさっに切欠部
ＣＧ）を設けることにより、倒えば放熱板等に固定さｎ
た場合に、一層、水分がリード間に溜りにくくなるよう
にしている。
第５図は、さらに本発明の一実施例全示すもので、リー
ド（２，）の突出するパッケージ（１）部を他のリード
のパッケージ部より突出させた構造Ｖこなっており、そ
の結果リード（２１）、（２２）間に切欠部ＣＦ）が形
成される。かかる構造に２いてはリード（２，）。
（２２）間が最も水分の影響に強い構造となっている。
。 第６図は本発明の他の一実施例を示す図であり、同図ｔ
ｌＡ）は平面図、〔Ｂ）はその側面図を示す。
本実施例においては、リード（２２）の突出するパッケ
ージ部を池のリードの突出部よりへこませた構造にする
ことにより、リード（２１）、　（２ｔ　）間、及びＣ
２２）、（２ｇ）間に各々切欠部シＦ〕を形成している
。
このためリード（２１）と（２，）間、および（２２）
と（２３）間の沿面距離が長くなってｈ　ｖ、水分に対
しても信頼性の高い構造になっている。
第７図は、さらに不発明の一実施例を示す図であり、同
図〔λ〕はその平面図、（Ｂ〕は側面図を示す。この実
施例に２いては、リード（２１）、　（２２）間、およ
び（２２）　、　（２３）間のパッケージ部（１）に各
々、切欠部ｉＩＦ〕ｉ設け、リード間の沿面距離を長く
している。
さて、次に示す表１乃至表３は従来構造の樹脂封止型半
導体装置と、本発明に係る叫脂封止型半導体装置の信頼
性試験のテストデータ及び、試験に用いた装置の各部の
寸法をまとめたものである。
（表　１） （表　２） （表　　３　） 表１はリード間の信頼性試験のデータを示すもので、半
導体装置を前述の第２図に示す如く配喧し、近接する２
本のリード間例えば（２１）＋（２ｔ）に１５００（Ｖ
）の直流電圧を印刀口して加湿器（図示せず）の排気口
に近接して配置し、リード間の漏洩電流が５　ｍＡ以上
になるまでの時ｉＡを−Ｊｌｉ、定したものである。こ
の試験に使がした／Ｍ垂封止りの従来及び本発明に係る
半導体装置の形状は、各々第８図、及び第９図のように
なっており、同図〔λ〕は平面図、ＣＢ）は倶」面図、
〔Ｃ〕は正面図である。また、その各部の寸法は表２の
如くである１、 また表３は、印カロする電圧として１１００（Ｖ）のピ
ーク値をもつ６３５μｓ周期の／くルヌ′醒圧にしたも
ので、リード間が短絡状態になる筐での時間を同じく加
湿状態で測定したものである。
これら試験結果から明らかなように、本発明に係る半導
体装置においては、直流電圧の印加に対しては３倍から
６倍、パルス電圧の印加に対し−（は１．４倍から２＠
近い信頼性の改善が図られることを示している。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る半導体装置においては
、リード間に存在するバソグージ部に切欠部を設け、リ
ード間の沿面距岨を長くすることにより半導体装置の信
頼性金人輻に改誓することができる。特に、加湿器等湿
気の多い装［←　乏るいは、そ７Ｌらの近くで使用てれ
る牛号俸装置に適用されるものである。Ｊ また、本発明の説明におＶ・て、３本のリードを有する
半導体装置について説明したが、これらに限定されるこ
となく、広く半導体装置に適用きれることは言うまでも
ない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の樹脂封止型子４体装置の一ザ＋＋　１示
す図、第２区はその実装した状態の一例を示す図、第３
図乃至第１図は本発明に係る４１１１止型半導体装置の
一実施例を示す図、第８図及び第９図は信＠囲試験に用
いた、従来及び本発明ｉ＋ｃ係る樹脂封止型半纏１不装
置を説明するための図−ごめる１・・・・・衝脂對止・
くノケージ部 ２・・・・・リード Ｆ、Ｇ・・・・・リード間の切欠部 ７３１７　　代理人　弁理士　耳１．近憲佑（他１名） 箪１図 ［Ａ］　　　　　　　　［！５］ 第２１２１ ［４］　　　　　　　　　［Ｂ］ 下３図 ＥＡ　］　　　　　　　［Ｂ　］ 輩４［２Ｉ ［ｘ　］　　　　　　　［Ｂ］ 下１図 ［４］　　　　　　　　［Ｂ］ 箪６［２Ｉ ［Ａ］［Ｂ］ Ｉｔ　　　１２　　　　Ｚ３ 茅７［２１ ［Ａ］［Ｂ］ ｉ−〒朴 第９図 ［，４］　　　　　　　　　　［Ｂ］ ［Ｃ］ 向

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１７樹脂封止パツケ一ジ部と、前記パッケージ部から
    突出する複数のリードを具えた硲脂封止型半導体装置に
    おいて、前記リード間の前記パッケージ部に切欠部を形
    成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 部を形成したことをＢ＃倣とする幇肝請求の範囲第１項
    記載の樹脂封止型半導体装置。
JP57091174A 1982-05-31 1982-05-31 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS58209147A (ja)

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JP57091174A JPS58209147A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 樹脂封止型半導体装置
EP83303116A EP0098051B1 (en) 1982-05-31 1983-05-31 A plastics-encapsulated circuit element
DE8383303116T DE3381186D1 (de) 1982-05-31 1983-05-31 Ein schaltungselement in kunststoffverkapselung.
US06/814,171 US4617585A (en) 1982-05-31 1985-12-24 Plastic enclosing device

Applications Claiming Priority (1)

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JPH0227815B2 JPH0227815B2 (ja) 1990-06-20

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59115653U (ja) * 1983-01-25 1984-08-04 サンケン電気株式会社 絶縁物封止半導体装置
JPS62282451A (ja) * 1986-05-30 1987-12-08 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形半導体装置
JP2009135444A (ja) * 2007-10-15 2009-06-18 Power Integrations Inc パワー半導体デバイスのためのパッケージ

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4890154A (en) * 1988-03-02 1989-12-26 Lsi Logic Corporation Semiconductor package profile
US5258649A (en) * 1989-05-20 1993-11-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus using semiconductor device
JPH0322556A (ja) * 1989-06-20 1991-01-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の接続端子の構造
JPH03108744A (ja) * 1989-09-22 1991-05-08 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0787160B2 (ja) * 1990-06-08 1995-09-20 株式会社村田製作所 電子部品
US5166570A (en) * 1990-06-08 1992-11-24 Murata Manufacturing Co. Ltd. Electronic component
US5095360A (en) * 1990-10-10 1992-03-10 Kyocera America, Inc. Ceramic chip-resistant chamfered integrated circuit package
IT1249388B (it) * 1991-04-26 1995-02-23 Cons Ric Microelettronica Dispositivo a semiconduttore incapsulato in resina e completamente isolato per alte tensioni
US5204287A (en) * 1991-06-28 1993-04-20 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit device having improved post for surface-mount package
IT1255190B (it) * 1992-06-30 1995-10-20 Giuseppe Marchisi Dispositivo di interfaccia di comando per un motore elettrico
US5521427A (en) * 1992-12-18 1996-05-28 Lsi Logic Corporation Printed wiring board mounted semiconductor device having leadframe with alignment feature
US5305344A (en) * 1993-04-29 1994-04-19 Opto Power Corporation Laser diode array
JP3305941B2 (ja) * 1996-01-22 2002-07-24 株式会社村田製作所 電子部品
US5898211A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode package with heat sink
US5977630A (en) * 1997-08-15 1999-11-02 International Rectifier Corp. Plural semiconductor die housed in common package with split heat sink
US5913108A (en) 1998-04-30 1999-06-15 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6476481B2 (en) 1998-05-05 2002-11-05 International Rectifier Corporation High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline
US6636538B1 (en) 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
JP2002171086A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Pioneer Electronic Corp 部 品
US6700913B2 (en) 2001-05-29 2004-03-02 Northrop Grumman Corporation Low cost high integrity diode laser array
DE10142472A1 (de) * 2001-08-31 2002-10-31 Infineon Technologies Ag Elektronisches Hochleistung- und Leistungsbauteil mit Ausgangskontaktstiften
US7170919B2 (en) 2003-06-23 2007-01-30 Northrop Grumman Corporation Diode-pumped solid-state laser gain module
US7495848B2 (en) * 2003-07-24 2009-02-24 Northrop Grumman Corporation Cast laser optical bench
US7305016B2 (en) * 2005-03-10 2007-12-04 Northrop Grumman Corporation Laser diode package with an internal fluid cooling channel
US7656915B2 (en) * 2006-07-26 2010-02-02 Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction
US20080056314A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Northrop Grumman Corporation High-power laser-diode package system
US7724791B2 (en) * 2008-01-18 2010-05-25 Northrop Grumman Systems Corporation Method of manufacturing laser diode packages and arrays
US8345720B2 (en) 2009-07-28 2013-01-01 Northrop Grumman Systems Corp. Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance
US8207455B2 (en) 2009-07-31 2012-06-26 Power Integrations, Inc. Power semiconductor package with bottom surface protrusions
US9590388B2 (en) 2011-01-11 2017-03-07 Northrop Grumman Systems Corp. Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system
US8937976B2 (en) 2012-08-15 2015-01-20 Northrop Grumman Systems Corp. Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier
DE102012222679A1 (de) * 2012-12-10 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schaltmoduls und eines zugehörigen Gittermoduls sowie ein zugehöriges Gittermodul und korrespondierende elektronische Baugruppe
US20140210061A1 (en) * 2013-01-28 2014-07-31 Infineon Technologies Austria Ag Chip arrangement and chip package
DE102015109073B4 (de) * 2015-06-09 2023-08-10 Infineon Technologies Ag Elektronische Vorrichtungen mit erhöhten Kriechstrecken

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5160449A (ja) * 1974-11-25 1976-05-26 Hitachi Ltd Denshibuhin

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3236936A (en) * 1962-07-30 1966-02-22 Corneil Dubilier Electric Corp Miniature electrical component with protected terminal-wire connections
DE1439460A1 (de) * 1964-10-19 1968-12-12 Siemens Ag Elektrisches Bauelement,insbesondere Halbleiterbauelement,mit einer aus isolierendemStoff bestehenden Huelle
US3574815A (en) * 1966-07-13 1971-04-13 Motorola Inc Method of fabricating a plastic encapsulated semiconductor assembly
US3581387A (en) * 1967-11-29 1971-06-01 Gen Motors Corp Method of making strip mounted semiconductor device
US3606673A (en) * 1968-08-15 1971-09-21 Texas Instruments Inc Plastic encapsulated semiconductor devices
JPS6034264B2 (ja) * 1975-06-24 1985-08-07 株式会社日立製作所 ダイオ−ド
JPS5266376A (en) * 1975-11-29 1977-06-01 Hitachi Ltd Device and manufacture of resin body type semiconductor
JPS5655065A (en) * 1979-10-12 1981-05-15 Toshiba Corp Semiconductor lead frame
JPS57147260A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Matsushita Electronics Corp Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor
US4510519A (en) * 1982-03-26 1985-04-09 Motorola, Inc. Electrically isolated semiconductor power device
JPS58169948A (ja) * 1982-03-30 1983-10-06 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPS58173849A (ja) * 1982-04-05 1983-10-12 Toshiba Corp 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5160449A (ja) * 1974-11-25 1976-05-26 Hitachi Ltd Denshibuhin

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59115653U (ja) * 1983-01-25 1984-08-04 サンケン電気株式会社 絶縁物封止半導体装置
JPS6322678Y2 (ja) * 1983-01-25 1988-06-22
JPS62282451A (ja) * 1986-05-30 1987-12-08 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形半導体装置
JP2009135444A (ja) * 2007-10-15 2009-06-18 Power Integrations Inc パワー半導体デバイスのためのパッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
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EP0098051B1 (en) 1990-01-31

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