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JPS58206143A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS58206143A
JPS58206143A JP57088008A JP8800882A JPS58206143A JP S58206143 A JPS58206143 A JP S58206143A JP 57088008 A JP57088008 A JP 57088008A JP 8800882 A JP8800882 A JP 8800882A JP S58206143 A JPS58206143 A JP S58206143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
lead wire
semiconductor element
semiconductor
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57088008A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Sano
義昭 佐野
Haruki Nakazawa
中沢　春樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57088008A priority Critical patent/JPS58206143A/ja
Publication of JPS58206143A publication Critical patent/JPS58206143A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は半導体装置、特に、半導体素子を樹脂封止し、
放熱フィン及び複叡本のリードＳｔ−樹脂面より無量又
は突出して成る半導体装置に係る。
（２）従来技術と問題点 放熱フィンを有する半導体装置、例えばトランジスター
をｍ脂封止して調造する場合の従来例を第１図及び第２
図を参照して説明する。第１図はそうした半導体装置の
内部の配置を概念的に示すための平面的断面図、第２図
はその直角断面図である、半導体装置ＩＯにおいて、半
導体素子例えばトランジスター１１を載置した放熱フィ
ン１２は封止樹脂１３の下側外部へ熱量するとともに、
リード線１４のうφ１本１４ｍと接続している。
他のリード線１４ｂ、１４ｃは細称１５によってトラン
ジスター１１の別の電極に接続されている。
参照数字１６で示したものは半導体装置ｘｏｉｓ板等の
外部に取り付けるための穴でめる。
こうした従来例において、放熱フィン１２をトランジス
ター１１及びリード線１３ａと接続するのは、トランジ
スター１１と直接接触することによって放電フィンへの
熱伝運ヲ良くし、放熱効坐を高めるためと、リード線１
３と放熱フィン１２とを一体にすることによってモール
ディングの工程’ｆｒＭ単にするためである。しかし、
こうした半導体装置１０を這気襄品に取り付ける場合、
像線ブツシュ、絶縁シートを用いる必要があり、組立工
程が繁雑である。また、単一の封止鋼ｈａの中に複数の
電子部品を基或しようとすると、その複数の電子部品の
それぞれを電気的に分温する必、トタかあるので、放熱
フィンｔ−電子部品と直接接触させる前述の構成は許さ
れない。
そこで、放熱フィンを半導体素子から電気的に絶）碌す
るために、第３図及び第４図を参照すると、半導体素子
３１と放熱フィン３２の間に、上面をメタライズしたセ
ラミック等の絶縁層３７′ｆ：挿入した構造の半導体装
置が提案されている（特公昭５６＝２４３７６号公報）
。この場合、半導体素子３１の下面からは前記のメタラ
イズ膜を介してリード線３５でリード線３４ａに接続さ
れていること、リード線３５”ａが放熱フィン３２と分
離されていることを除いて、その他は従来例と同様であ
る。
しかし、この構造の半導体装置では、セラミック等の絶
縁層の厚さをあまり薄くできない（０，５〔瓢〕程度ま
で）ので熱伝導が悪い。また、セラミック等の絶縁層を
用いるので高価であり、組立工程が増加する。さらに、
半導体装置の構造が複雑である。
（３）発明の目的 従って、本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、半導体
素子の各電極と放熱フィンとｔ−電気的に絶縁し、かつ
放熱効果が高く、製造が容易で、安価な半導体装置を提
供することを目的とするっ（４）　　発明の構成 そして、不発明は、上記の目的勿達成するために、半導
体素子が載置さｎたリード蛛、！半導体素子の電極が接
続されたリード線及び放熱体の各々が封止用樹脂によっ
て絶縁されてなること全特徴とする半導体装置を提供す
る。
即ち、封止樹脂として通常用いているエポキシ及び放熱
フィンを分蝿することによって、分流目的を達成するこ
とができるとともに、安価で、製造容易な半導体装置を
得ることができ・る１、尚、こうした半導体装置は、代
表的にぽ、配線を済ませた半導体素子及びリード線の集
合体と、放熱フィンとを治具で型にセットし、トランス
ファー成形機で成形して製造するが、半導体素子又は、
載置する形でそれを受けてリード線に接続する部分（受
は部）と、放熱フィンとの間隔を所望の１−にするため
に、そｎらの部品のいずれか一方に間ｉ１！ｉヲコント
ロールするための絶縁物を付着してからそ１らｆｒ、　
、１ｉｌｌみ付けることが好フしい。
その間＋４は、一般的には、絶縁物の厚みが増す好まし
い。
この＋＝＋隔をコントロールするだめの絶縁物に、絶禄
体特性のものであれば何でもよく、例えば封止樹脂と同
じ樹脂であることができる。、また、その付漬方云は、
墜蒲、印−５１３の他、ベレツトを溶融するなどによる
こともできるが、所望の厚さを容易に実現できる点で印
刷法が好ましい。
また、封とする半導体素子は必ずしも単一の部品である
必要はなく、複数であってもよい。
（５）発明の実施例 以下、本発明の実施例について説明する。
第５図及び第６図は不発明の実施・グ」全なす半導体装
置を説明するための平面的断面図及び縦４ｆ面図である
。図中の参照数子の下一桁の数字が第１図及び第２図と
同じもの？ｉ−」じ部品を示している、一体の末端部か
らのびている一メッキ鋼僑各１７−ド線５４ａ、５４ｂ
、５４ｃのうちの１つ５４ａの端部は半導体素子５１を
塔載するための受は部５ｇをなしている。この受は部５
８に半導体系子５１を塔載してから細＃ｊ５５の配＃ｌ
を行なった後、この集合体及び錫メツキ銅製放熱フィン
５２をその間隔が０．５鱈になるように治工具を用いて
固定し、トランスファー成形機のモールディング型にセ
ットした　それから顆粒状のエポキシ樹脂金用いて型温
度１７５　［℃）、圧カフ０〔匂、／−〕でトランスフ
ァー成形した。そして、リード謝金プレスで成形加工し
、半導体装ｔ５０’ａ−ｎた。
次に、第８図を参照して、不発明のもう一つの実施例に
ついて説明する。この実施γりは上記の実施例と基本的
に同じであるが、放熱フィン５２に予め絶縁＊５９ｂ（
５９ａ）ｋ付着しておくことによって放熱フィンと受は
部５８との間ｌ！４ｔｍ定した点が異なる。絶縁物は間
隔を説示する高さが一定であればよく、その形状は問題
でなｌＡ（例えば第７図及び第８図参照）。
放熱フィン５２に印刷用型板金截せて、その上から液状
のエポキシ１１脂５９ｂｋローラで印刷し、約１５０　
Ｃ’Ｃ］で熱硬化させた。硬化体の厚さは約１００〜１
５０〔μｍ〕とした。この厚さは耐電圧Ｚ、Ｓ［Ｖ：］
以上を確保しつつできるだけ薄くして熱伝導を良くする
ように決定した。
その後で放熱フィン５２等を治工具でモールドにセット
する場合、リードフレーム集合体５４゜５８を放熱フィ
ン５２の方へいくらか押しつけ、フレームの憚注力で前
記の熱硬化ｌｌｅ轍物に密着するようにした。以降、前
の実施例と同様にして半導体装置を製造した。
こうして↓遺した半導体装置の放熱は、従来のセラミッ
ク等による絶縁層を持つ構造のものよシかなり改良され
ていた。
尚、封止樹脂は従来技術に幹けると同様のものを使用す
ることができるが、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン
梱艙、ジアリールフタレー）１１ｊ］盲などでめる。耐
熱的に、よ、一般的に、Ｌ　５０　［”Ｃ）程度の温度
に耐える必要があろう。
Ｘ６１　　発明の効果 以上の説明から明らかなようＶこ、本発明に依り、半導
体素子と放熱フィンと音電プ的に絶縁した半導体装置で
あって、耐電圧が十分で娶りながら放熱効果を保持し、
製造が容易であり、かつ安価な半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術における半導体装置の説明の平面的断
面図、 第２図ｖｉ第１図と同じ装置の縦断面図、第３図は従来
技術におけるもう一つの半導体装置の説明用の平面的断
面図、 第４図は第３図と同じ装置の縦断面図、第５図は本発明
の実施例の半導体装置の説明用の平面的断面図、 第６図は第５図と同じ装置の縦断面図、第７図は本発明
の実施例をなすもう一つの半導体装置の縦断面図、 第８図は不発明Ｖ実、癩ｖ１］をなす更にもう一つの半
導体装置の縦断面図で多る。 １１．３１．５１・・・電子部品（半導体素子等）、１
２．３２．５２・・・放熱フィン、１３，３３゜５３・
・封止＃脂、１４　（ａ　＊　ｂ　、ｃ　）　、３２　
（ａ　＊ｂ　　ｅ　ｃ　）　　、５２　（ａ　＊　　ｂ
　　＊　ｃ　　）　　・・リード−１１５゜３５．５５
・・・細線、１６・・・取付用穴、３７・−・絶縁ｊ巧
（セラミック等）、５９・・・杷−物（間隔コントロー
ル、ｆ目）Ｑ 特許出羞人 富士通株式会社 午￥許出願代４人 弁理士　青　木　　　　朗 弁理士　西　舘　和　之 弁理士　内　１）幸　男 弁理士　　山　　口　　昭　　之

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体素子が載置されたり−ドー、該半導体素子の
    電極が接続された’Ｊ−１’ｍ及び放熱体の各々が封止
    用樹脂によって絶縁されてなることをｒ￥ｆａとする半
    導体装置。
JP57088008A 1982-05-26 1982-05-26 半導体装置 Pending JPS58206143A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57088008A JPS58206143A (ja) 1982-05-26 1982-05-26 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP57088008A JPS58206143A (ja) 1982-05-26 1982-05-26 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58206143A true JPS58206143A (ja) 1983-12-01

Family

ID=13930782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57088008A Pending JPS58206143A (ja) 1982-05-26 1982-05-26 半導体装置

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JP (1) JPS58206143A (ja)

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