JPS58197694A - Dimming strobe device - Google Patents
Dimming strobe deviceInfo
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- JPS58197694A JPS58197694A JP8186382A JP8186382A JPS58197694A JP S58197694 A JPS58197694 A JP S58197694A JP 8186382 A JP8186382 A JP 8186382A JP 8186382 A JP8186382 A JP 8186382A JP S58197694 A JPS58197694 A JP S58197694A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタ方式の調光談ストロボ装置の調光
特性の改善を図ったものに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor type light control strobe device with improved light control characteristics.
従来のトランジスタ方式の調光ストロボ装置の一例を第
1図に示す。図において、(700)は高圧電源(10
0) 4こよって充電される閃光エネルギ蓄積用コンデ
ンサ(200)と、閃光放電管(300)と、主トラン
ジスタ(400)のコレクタ・エミッタ端子間とからな
る直列回路により構成される、閃光放電回路である。ま
た(500)は閃光開始信号”8YNOをうけて閃光放
電管(300)にトリガ信号■1を与えるトリガ回路と
、主トランジスタ(400)にベーxiバイアス駆動信
号(500m)、即ちベース順バイアス電流IBを所定
の通電時間ゲは供給するベース順バイアス回路とを兼ね
る駆動回路、(600)は前記通電時間を適当な閃光−
に対応するよう設定する通電時間設定回路であり、これ
らの回路(700)(500)(600)から本調光ス
トロボ装置が構成される。An example of a conventional transistor type dimming flash device is shown in FIG. In the figure, (700) is a high voltage power supply (10
0) A flash discharge circuit consisting of a series circuit consisting of a flash energy storage capacitor (200) charged by 4, a flash discharge tube (300), and a connection between the collector and emitter terminals of the main transistor (400). It is. In addition, (500) is a trigger circuit that receives the flash start signal "8YNO" and gives a trigger signal ■1 to the flash discharge tube (300), and a base xi bias drive signal (500m) to the main transistor (400), that is, a base forward bias current. A drive circuit (600) also serves as a base forward bias circuit that supplies IB for a predetermined energization time;
These circuits (700), (500), and (600) constitute the present dimming strobe device.
次にこの装置の動作を第1図およびその動作波形を示す
第2図に基いて説明する。まず閃光エネルギ蓄積用コン
デンサ(200)は高圧電源(100)によって数百ボ
ルトの^電圧に充電されている。次にカメラなどより閃
光開始信号V8YNOが与えられると駆動回路(500
)は閃光放電管(300)にトリガ信号■1を与えると
ともに、主トランジスタ(400)にベース順バイアス
電流1Bを供給しはじめる。これ1こより閃光放電管(
300)と主トランジスタ(4(イ)のコレクタ・エミ
ッタ間はともに導通し、閃光エネルギ蓄積用コンデンサ
(200)の電力が閃光放電管(300)に与えられ、
閃光を発生する。民光蓋か所定の値に達したことを検出
したとき、通電時間設定回路(600)は閃光停止信号
■3を発生する。これにより駆動回路(500)は主ト
ランジスタ(400)に供給していたベース順バイアス
電流19をしゃ断し、その結果主トランジスタ(400
)がオフ状態になる。このとき、主トランジスタ(40
0)のターンオフ特性により蓄積時間と下降時間の間は
、ベース順バイアス電流lBがしゃ断された後もコレク
タ電流が流れ続番ブるため、閃光放電管(300)の閃
光時間は通電時間設定回路(600)で設定した通電時
間tdより長くなり、閃光蓋が多くなりすきる場合があ
る。この現象は微小閃光量で使用する時に特に著しく、
この領域での調光精度を損なうことが多い。これは前2
gピ生トランジスタ(400)のターンオフ特性、主に
蓄積時間か、主トランジスタ(400)の駆動条件(す
なわちコレクタ電流値に対するベース順バイアス電流値
の割合)が大きくなるほど長くなる傾向をもっているた
め、閃光放電管(300)の放電電流IXeが立上り始
める数十マイクロ秒の間、コレクタ電流が小さい時にタ
ーンオフ時間か長くなるためである。Next, the operation of this device will be explained based on FIG. 1 and FIG. 2 showing its operation waveforms. First, a flash energy storage capacitor (200) is charged to a voltage of several hundred volts by a high voltage power supply (100). Next, when the flash start signal V8YNO is given from a camera etc., the drive circuit (500
) gives a trigger signal 1 to the flash discharge tube (300) and starts supplying a base forward bias current 1B to the main transistor (400). From this one flashlight discharge tube (
300) and the collector-emitter of the main transistor (4(a)) are electrically connected, and the power of the flash energy storage capacitor (200) is applied to the flash discharge tube (300).
Generates a flash of light. When it is detected that the civilian light cover has reached a predetermined value, the energization time setting circuit (600) generates a flash stop signal (3). As a result, the drive circuit (500) cuts off the base forward bias current 19 that was being supplied to the main transistor (400), and as a result, the main transistor (400)
) is turned off. At this time, the main transistor (40
Due to the turn-off characteristics of 0), the collector current continues to flow even after the base forward bias current 1B is cut off during the accumulation time and fall time, so the flash time of the flash discharge tube (300) is determined by the energization time setting circuit. The energization time td set in step (600) may be longer than the energization time td, and the number of flash lids may be too large. This phenomenon is especially noticeable when using a small flash amount.
The dimming accuracy in this area is often impaired. This is the previous 2
The turn-off characteristics of the g-transistor (400) tend to become longer as the accumulation time or the driving conditions of the main transistor (400) (i.e., the ratio of the base forward bias current value to the collector current value) increases. This is because the turn-off time becomes long when the collector current is small during the several tens of microseconds when the discharge current IXe of the discharge tube (300) starts to rise.
こののち主トランジスタ(400)が完全にオフすると
、閃光放電管(300)は閃光を停止し、数十ミリ秒程
度のイオン消滅時間を経てインピーダンスが上昇する。Thereafter, when the main transistor (400) is completely turned off, the flash discharge tube (300) stops flashing, and the impedance increases after an ion extinction period of about several tens of milliseconds.
このとき主トランジスタ(400)のコレクタ・エミッ
タ間電圧■cは1s2図telに示したように閃光放電
管(300)とのインピーダンス分割によって決定され
、定常時のインピーダンスが閃光放電管(300)のも
のの方が主トランジスタ(400)のコレクタ・エミッ
タ間のものより大きい場合、波形■のようになり、逆の
場合波形[相]のようになる。At this time, the collector-emitter voltage ■c of the main transistor (400) is determined by impedance division with the flash discharge tube (300) as shown in Figure 1s2, and the impedance at steady state is the same as that of the flash discharge tube (300). If the phase is larger than that between the collector and emitter of the main transistor (400), the waveform will be as shown in ■, and in the opposite case, the waveform will be as shown in [phase].
従来のトランジスタ式調光ストロボ装置は以上のように
構成され動作するので、主トランジスタのターンオフ時
間が長いと閃光tの設芝精度が慾くなり、特に微小光量
動作時に蕗出オーバとなり、写真撮影においては近接撮
影が困難になるという欠点があった。Conventional transistor type dimming strobe devices are configured and operated as described above, so if the turn-off time of the main transistor is long, the accuracy of the flash t will be poor, and especially when operating with a small amount of light, overflow may occur, making it difficult to take photographs. This had the disadvantage that close-up photography was difficult.
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、主トランジスタのベース順バイアス
電流をしゃ断するときに積極的にベース逆バイアス電流
を流す回路を設けることにより、主・トランジスタのタ
ーンオフ時間を短縮でき、微小光II1wJ作時におい
ても閃光時間を精度よく設定できる調光ストロボ装置を
提供することを目的としている。The present invention has been made to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and by providing a circuit that actively flows a base reverse bias current when cutting off the base forward bias current of the main transistor, the main transistor It is an object of the present invention to provide a dimming strobe device that can shorten the turn-off time of a transistor and can accurately set the flash time even when operating a weak light II1wJ.
以下この発明の実施例を図について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第3図、第5図、第7図は本発明による調光式ストロボ
装−の第1.第2、第3の実施例を示すもので、以下こ
れらについて構造を説明する。3, 5, and 7 show the first part of the dimming type strobe device according to the present invention. This shows the second and third embodiments, and the structures of these will be explained below.
第3図において、(801)は主トランジスタ(400
)からベース逆電流を流出せしめるベース逆バイアス回
路(900)を構成するオフ用トランジスタであり、該
オフ用トランジスタ(801)のコレクタは上記主トラ
ンジスタ(400)のベース端子に、オフ用トランジス
タ(801)のエミッタはダイオード(802)を介し
て主トランジスタ(400)のエミッタ端子に接続され
、オフ用トランジスタ(801)のベース端子は駆動回
路(500)からのベース逆バイアス駆動信号(500
b)により主トランジスタ(400)のベース端子と相
補的に駆動されるよう構成されている。In FIG. 3, (801) is the main transistor (400
) is an OFF transistor constituting a base reverse bias circuit (900) that causes a base reverse current to flow out from the OFF transistor (801), and the collector of the OFF transistor (801) is connected to the base terminal of the main transistor (400). ) is connected to the emitter terminal of the main transistor (400) via a diode (802), and the base terminal of the off transistor (801) is connected to the base reverse bias drive signal (500) from the drive circuit (500).
b) is configured to be driven complementary to the base terminal of the main transistor (400).
ダイオード(802)は本発明の効果を増すために挿入
されたもので、基本的には無くてもよい。The diode (802) is inserted to increase the effect of the present invention, and basically may be omitted.
次に第5図では、オフ用トランジスタ(801)として
P戦P形トランジスタを使用し、そのベース・エミッタ
間にダイオード(804)を接続し、主トランジスタ(
400)のベース順バイアス電流IBにより前記ダイオ
ード(804)が順電圧降下を発生している時、オフ用
トランジスタ(801)のベース・エミッタ間を逆バイ
アスするよう構成している。またオフ用トランジスタ(
801)のコレクタ・ベース間には抵抗器(803)が
接続され、上記オフ用トランジスタ(801) 、ダイ
オード(804)および抵抗器(803)によりベース
逆バイアス回路(900)を構成している。なおダイオ
ード(802)は第3図の場合と同様に基本的に無くて
もよい。Next, in FIG. 5, a P type transistor is used as the off transistor (801), a diode (804) is connected between its base and emitter, and the main transistor (
When the diode (804) is generating a forward voltage drop due to the base forward bias current IB of the transistor (400), the base and emitter of the off transistor (801) are reverse biased. Also, the off transistor (
A resistor (803) is connected between the collector and base of the transistor (801), and the off transistor (801), the diode (804), and the resistor (803) constitute a base reverse bias circuit (900). Note that the diode (802) may basically be omitted as in the case of FIG.
次に第7図では、オフ用トランジスタ(801)のコレ
クタ・エミッタ間と主トランジスタ(400)のベース
・エミッタ間にベース逆バイアス用電源(805)が挿
入された構成となっている。また主トランジ2 タ(4
00)のベース・エミッタ間には抵抗(806)が接続
され、上記オフ用トランジスタ(801)、逆バイアス
用電流(805)および抵抗(806)によりベース逆
バイアス回路(900)を構成している。なおこの逆バ
イアス用電源(805)は充電されたコンデンサによっ
て代用することも可能である。Next, in FIG. 7, a base reverse bias power source (805) is inserted between the collector and emitter of the off transistor (801) and between the base and emitter of the main transistor (400). In addition, the main transistor 2
A resistor (806) is connected between the base and emitter of 00), and a base reverse bias circuit (900) is constituted by the off transistor (801), reverse bias current (805), and resistor (806). . Note that this reverse bias power source (805) can also be replaced by a charged capacitor.
以下第3図、第5図、′s7図の実施例の動作について
その動作波形図である第4図、第6図、第8図を参照し
ながら説明をすすめる。The operations of the embodiments shown in FIGS. 3, 5, and 's7 will be explained below with reference to FIGS. 4, 6, and 8, which are operational waveform diagrams.
駆動回路(500)が閃光開始信号V8YNOを受ける
と、該駆動回路(500)はベース順バイアス電流lB
を出力して主トランジスタ(400)かベース順バイア
スされ、駆動回路(500)からのトリガ■lを受けて
閃光放電管(300)が閃光を発し、所定の閃光量とな
った時点で通電時間設定回路(600) @”閃光停止
信号■3を発生し、駆動回路(500)が主トランジス
タ(400)に供給していたベース順バイアス電流IB
をしゃ断するまでの動作は、第3図、第5図、第7図の
いずれの実施例の場合も従来のものと同様である。When the drive circuit (500) receives the flash start signal V8YNO, the drive circuit (500) generates a base forward bias current lB.
is output, the main transistor (400) is forward biased, the flash discharge tube (300) emits a flash in response to a trigger from the drive circuit (500), and when a predetermined amount of flash is reached, the energization time is stopped. The setting circuit (600) generates the flash stop signal ■3 and the base forward bias current IB that the drive circuit (500) supplies to the main transistor (400).
The operation up to the point of shutting off is the same as the conventional one in any of the embodiments shown in FIGS. 3, 5, and 7.
さて、このベース順バイアス電流IBLや断時に、主ト
ランジスタ(400)のベース・エミッタ間を、駆動回
路(sob)からのベース逆バイアス駆動信号(500
b)によってオフ用トランジスタ(801)をオンし、
そのコレクタ・エミッタ間を短絡することによって短絡
すると、′主トランジスタ(400)のベース層内に蓄
積されでいた蓄積電荷がベース端子より流出し、ベース
逆電流IBoffが流れる。これは!$3図、第5図の
ように、特に第7図のベース逆バイアス用電源(805
)を使用しなくても可能であり、第7図のようにベース
逆バイアス用電源(805)を使用した場合にはその効
果が大きくなる。Now, when this base forward bias current IBL is disconnected, the base reverse bias drive signal (500
b) turns on the off transistor (801),
When the collector and emitter are short-circuited, the accumulated charge that has not been accumulated in the base layer of the main transistor (400) flows out from the base terminal, and a base reverse current IBoff flows. this is! As shown in Figure 3 and Figure 5, especially the base reverse bias power supply (805) in Figure 7.
), and the effect becomes greater when a base reverse bias power supply (805) is used as shown in FIG.
このベース逆電流IBof日こより、主トランジスタ(
400)のベース層内の過剰キャリヤが急速に減少する
ため、主トランジスタ(400)のターンオフ時間、特
に蓄積時間が短縮されて生トランジスタ(400)のコ
レクタ電流の減少はベース電流IBLや断後速やかに行
なわれる。従って、閃光放電管(300)の閃光も速や
かに停止して閃光量の不要な増加を防ぐことができる。From this base reverse current IBof, the main transistor (
Since the excess carriers in the base layer of the main transistor (400) are rapidly reduced, the turn-off time of the main transistor (400), especially the storage time, is shortened, and the collector current of the raw transistor (400) is reduced quickly after the base current IBL or turn-off. It will be held in Therefore, the flash of the flash discharge tube (300) can also be quickly stopped, thereby preventing an unnecessary increase in the amount of flash.
特に閃光放電管(300)の放電電流Ixeがまだ立上
り始めで、小さい、数十マイクロ秒の間の効果が大きく
、ターンオフ時間を従来のものの1/2以下lこするこ
とができるため、閃光量を従来のものの1/4以下まで
絞ることができるようになった。In particular, the effect is large when the discharge current Ix of the flash discharge tube (300) is still starting to rise and is small, for several tens of microseconds, and the turn-off time can be reduced to less than 1/2 of the conventional one, so the amount of flash can now be reduced to less than 1/4 of the conventional one.
ここでダイオード(802)は主トランジスタ(400
)のコレクタ電流がまだしゃ断しきれない間、そのエミ
ッタ電位を上昇させ、オフ用トランジスタ(801)に
対し電源として作用するため、ベース逆バイアス電流I
Boffを増加して主トランジスタ(400)のターン
オフ時間を更に短縮できる効果かある。Here, the diode (802) is the main transistor (400
) while the collector current is not yet cut off, the emitter potential is increased and acts as a power supply for the off transistor (801), so the base reverse bias current I
This has the effect of further shortening the turn-off time of the main transistor (400) by increasing Boff.
また、第7図に示したベース逆バイアス用電源(805
)の使用は同様の効果を期待することができる他、ダイ
オード(802)による電圧降下を利用しないため、閃
光放電回路(ワ00)内の電力損失を減少し、閃光量の
減少を防止できる効果がある。In addition, the base reverse bias power supply (805
) can be expected to have the same effect, and since the voltage drop caused by the diode (802) is not used, the power loss in the flash discharge circuit (W00) can be reduced, and a reduction in the amount of flash can be prevented. There is.
この場合も主トランジスタ(400)がオフした後の動
作は従来のものと同様である。In this case as well, the operation after the main transistor (400) is turned off is similar to the conventional one.
なお、第5図の回路では主トランジスタ(400)がベ
ース順バイアスされている時、ダイオード(804)に
発生した順電圧降下がオフ用pnp t−ランジスタ(
801)のベース・エミッタ間を逆バイアスし、オフ用
トランジスタ(801)をオフ状態に保ち、主トランジ
スタ(400)のベース順バイアス電流lBが取り除か
れたとき、オフ用トランジスタ(801)は抵抗(80
3)4はりベース順バイアスされ、オン状態となって主
トランジスタ(400)のベース逆バイアス電流IBo
ffを流す。In addition, in the circuit of FIG. 5, when the main transistor (400) is base-forward biased, the forward voltage drop generated in the diode (804) is transferred to the OFF pnp T-transistor (
When the base and emitter of the main transistor (801) are reverse biased to keep the off transistor (801) in the off state, and the base forward bias current lB of the main transistor (400) is removed, the off transistor (801) becomes the resistor (801). 80
3) The base of the 4 beam is forward biased and turns on, causing the base reverse bias current IBo of the main transistor (400)
Play ff.
この回路では、駆動回路(500)のトランジスタ駆動
出力か1つの信号、即ちベース順バイアス駆動信号(5
00λ)のみでよいため、回路が簡単になる他、ベース
逆バイアス電流回路(900)の駆動電源を別に設ける
必要がないなどの利点がある。なお、ダイオード(80
4)は適当な抵抗値の抵抗器で代用することもできる。In this circuit, the transistor drive output of the drive circuit (500) is used as one signal, namely the base forward bias drive signal (500).
00λ), which not only simplifies the circuit but also eliminates the need to separately provide a drive power source for the base reverse bias current circuit (900). In addition, the diode (80
4) can be replaced with a resistor of an appropriate resistance value.
なお、本発明において主トランジスタはnpn形シング
ルトランジスタとして説明したが、ダーリントン慣続さ
れたトランジスタであってもよく、またPnP形トラン
ジスタの場合でも同様に構成できる。In the present invention, the main transistor has been described as an npn type single transistor, but it may be a Darlington type transistor or a PnP type transistor.
以上のように本発明によれば、主トランジスタのベース
順バイアス電流をしゃ断するときに積極的にベース逆バ
イアス電流を流す回路を設けたので、主トランジスタの
ターンオフ特性を改善でき、より調光精度がよく、かつ
微小光量まで調光できる装置を提供することができ、写
真撮影においては超近接撮影が可能になるなど応用上の
効果が期待できる。As described above, according to the present invention, since a circuit is provided that actively flows the base reverse bias current when cutting off the base forward bias current of the main transistor, the turn-off characteristics of the main transistor can be improved and the dimming accuracy can be improved. It is possible to provide a device that has good brightness and can control light down to minute amounts of light, and can be expected to have practical effects such as enabling extremely close-up photography in photography.
g741図は従来のトランジスタ式調光ストロボ装置の
一例を示す回路図、第3図、第5凶、第7図は本発明に
よる調光式ストロボ装置の第1、第2、第3の実施例を
示す回路図、第2図、第4図、第6図、第8図は夫々第
1図、第3図、第5図、第7図の回路の動作波形を示す
図である。
(700)は閃光放電回路、(200)は閃光エネルギ
蓄積用コンデンサ、(300)は閃光放電管、(400
)は主トランジスタ、(801)はオフ用トランジスタ
(ベース逆バイアス回路)、(500)は駆動回路(ト
リガ回路、ベース順バくアス回路) 、 (600)は
通電時間設定回路、(802) 、 (804)はダイ
オード、(SOa)は抵抗器、(805)はベース述バ
イアス用電ミ際である。
なお図中、同一符号は同−又は相当gls分を示す。
代 理 人 葛 野 信 −第1図
第2図
第3図
第4図
第5図
第6図
手続補正書(自発)
特許庁長官殿
1、事件の表示 特願昭57−81863 号
2 づこ明の名称 調光ストシボ装置、37山11
、をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称(601) 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部
4、代理人
住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
5、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の掴
6、補正の内容
明細書をつぎのとおり訂正する。Figure g741 is a circuit diagram showing an example of a conventional transistor type dimming strobe device, and Figures 3, 5, and 7 are first, second, and third embodiments of the dimming type strobe device according to the present invention. 2, FIG. 4, FIG. 6, and FIG. 8 are diagrams showing operating waveforms of the circuits of FIG. 1, FIG. 3, FIG. 5, and FIG. 7, respectively. (700) is a flash discharge circuit, (200) is a flash energy storage capacitor, (300) is a flash discharge tube, (400)
) is the main transistor, (801) is the off transistor (base reverse bias circuit), (500) is the drive circuit (trigger circuit, base forward bias circuit), (600) is the energization time setting circuit, (802), (804) is a diode, (SOa) is a resistor, and (805) is a base bias current terminal. In the figure, the same reference numerals indicate the same or equivalent gls. Agent Makoto Kuzuno - Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Procedural amendment (voluntary) Mr. Commissioner of the Japan Patent Office 1, Indication of the case Patent application No. 1981-81863 No. 2 Akira Zuko Name of dimming stolibo device, 37 mountains 11
Patent applicant address 2-2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Name (601) Mitsubishi Electric Corporation Representative Hitoshi Katayama 4, Agent address Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 2-2-3 No. 5, Detailed explanation of the invention in the specification subject to amendment 6, The description of contents of the amendment is amended as follows.
Claims (5)
トランジスタのコレクタ・エミッタ間とが閉回路をなす
よう全て直列にfeMされてなる閃光放電回路と、閃光
開始信号を受信して前記閃光放電管にトリガ信号を与え
るトリガ回路と%前記閃光開始信号を受信して前記主ト
ランジスタに所定の閃装置に対応する時間幅のベース順
電流を供給するベース順バイアス回路と、前記ベース順
電流のしゃ断後前記主トランジスタからベース逆電流を
流出せしめるベース逆バイアス回路とを備えたことを特
徴とす、る調光ストロボ装置。(1) A flash discharge circuit in which a flash energy single product capacitor, a flash discharger, and the collector-emitter of the main transistor are all connected in series to form a closed circuit; a trigger circuit that provides a trigger signal to the discharge tube; a base forward bias circuit that receives the flash start signal and supplies the main transistor with a base forward current having a time width corresponding to a predetermined flash device; A dimming strobe device comprising: a base reverse bias circuit that causes a base reverse current to flow out from the main transistor after being cut off.
びエミッタがそれぞれ前記主トランジスタのベースおよ
びエミッタに接続されベース逆バイアス駆動信号により
オンされるオフ用トランジスタであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の調光ストロボ装置。(2) The base reverse bias circuit is an off transistor whose collector and emitter are connected to the base and emitter of the main transistor, respectively, and which is turned on by a base reverse bias drive signal. The dimming strobe device according to item 1.
アス回路の出力と前記主トランジスタのベースとの曲に
順方向に挿入されたダイオードと、該ダイオードの陽極
端子および陰極端子にそれぞJのベースおよびエミッタ
か接続されたオフ用トランジスタと、該オフ用トランジ
スタのベースとコレクタとの間に接続された抵抗器とか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の調
光ストロボ装置。(3) The base reverse bias circuit includes a diode inserted in the forward direction between the output of the base forward bias circuit and the base of the main transistor, and a base of J at the anode terminal and cathode terminal of the diode, respectively. 2. The dimming strobe device according to claim 1, further comprising: an off transistor whose emitter is connected; and a resistor connected between the base and collector of the off transistor.
トランジスタのエミッタに接続された電源と、エミッタ
か前記電源の負側端子に接続されコレクタかMiJ記主
トランジスタのベースに接続されベース逆バイアス駆動
信号によりオンされるオフ用トランジスタとからなるこ
とを特徴とする特許請求の1間第1項記載の調光ストロ
ボ装置。(4) The base reverse bias circuit has a power supply whose positive terminal is connected to the emitter of the main transistor, and a base reverse bias circuit whose positive terminal is connected to the emitter of the main transistor and whose emitter is connected to the negative terminal of the power supply and whose collector is connected to the base of the MiJ main transistor. The dimming strobe device according to claim 1, further comprising an off transistor that is turned on by a bias drive signal.
と閃光エネルギ蓄積用コンデンサの負側端子向にダイオ
ードを有するものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の調光ストロボ
装置。(5) Any one of claims 1 to 4, wherein the flash discharge circuit has a diode toward the emitter of the main transistor and the negative terminal of the flash energy storage capacitor. The dimming strobe device described in .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8186382A JPS58197694A (en) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | Dimming strobe device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8186382A JPS58197694A (en) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | Dimming strobe device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58197694A true JPS58197694A (en) | 1983-11-17 |
Family
ID=13758311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8186382A Pending JPS58197694A (en) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | Dimming strobe device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58197694A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5075714A (en) * | 1988-12-09 | 1991-12-24 | Nikon Corporation | Electronic flash apparatus |
-
1982
- 1982-05-13 JP JP8186382A patent/JPS58197694A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5075714A (en) * | 1988-12-09 | 1991-12-24 | Nikon Corporation | Electronic flash apparatus |
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