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JPS58196582A - Display element - Google Patents

Display element

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JPS58196582A
JPS58196582A JP57079481A JP7948182A JPS58196582A JP S58196582 A JPS58196582 A JP S58196582A JP 57079481 A JP57079481 A JP 57079481A JP 7948182 A JP7948182 A JP 7948182A JP S58196582 A JPS58196582 A JP S58196582A
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clock
display element
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英男 星
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Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、微細ドツト表示素子の構造及び階調表示法に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a structure of a fine dot display element and a gradation display method.

従来の画像表示素子を第1図に示す。液晶とM OS型
FB’rアレイを組み合わせて構成されている。
A conventional image display element is shown in FIG. It is constructed by combining a liquid crystal and a MOS type FB'r array.

第1図に於いて、単位画素tm成するのは、半導体層に
形成されfcMOe型F1ffiT1.信号蓄積用コン
デンサ2、及び液晶セル3である。この基本的な動作を
説明する。
In FIG. 1, the unit pixel tm is formed in a semiconductor layer and is of fcMOe type F1ffiT1. These are a signal storage capacitor 2 and a liquid crystal cell 3. This basic operation will be explained.

まずMO8IPRTをPチャンネルとし、ゲートライン
x1にゲート信号として負のパルス電圧を印加すると、
IMeTlはオン状態となり、信号ラ−17y iに印
加したー儂信号は、FETtT1t−通してコンデンサ
2に充電される。負のパルスが消滅゛「れば、FET1
はオフ状態となり、コンデンサ2 VC光電された電圧
は、液晶セル及びFETのオノ抵抗を通じて放電されな
がら保持され、液晶に印加されつづける。そして、ゲー
ト信号tx1からx in、 x i+1 ・・・・・
・と線順次に走査し、その位置に対応した画偉信号を信
号ラインy 1 、 y i+1・・・・・・に印加す
ることにより、全体の画像が表示される。
First, when MO8IPRT is made into a P channel and a negative pulse voltage is applied as a gate signal to the gate line x1,
IMeTl is turned on, and the signal applied to the signal 17yi is charged to the capacitor 2 through the FETtT1t. If the negative pulse disappears, FET1
is turned off, and the voltage applied to the capacitor 2 VC is maintained while being discharged through the liquid crystal cell and the on-resistance of the FET, and continues to be applied to the liquid crystal. Then, from the gate signal tx1, x in, x i+1...
The entire image is displayed by sequentially scanning the lines and applying image signals corresponding to the positions to the signal lines y 1 , y i+1 . . . .

このとき対向電極は、ガラス等に全面に付けられた共通
透明電極で、第1図の4が共通電極端子である。そして
、共通電極は常にある1位に保たれている。さて、この
よりな1偉表示装置は、中間調を含む動画を表示する場
合、すなわち、テレビ画像の表示などには蝦適であるが
、静止画の表示などvcけきわめて不適当であった。な
ぜならば、前述したようにコンデンサ2に充電された信
号は、液晶セル3を通じて放電していくので、常に書込
み動作を行なわないとコンデンサの両肩の電圧がどんど
ん下がってしまい、液晶にががる電圧が変化してしまう
。従って、静止画像を表示する場合でも常に書込み動作
を行なう必要があり、常に回路全体を動かしておくため
の電力が必要である。
At this time, the counter electrode is a common transparent electrode attached to the entire surface of glass or the like, and 4 in FIG. 1 is a common electrode terminal. The common electrode is always kept at a certain first position. Although this relatively large-scale display device is suitable for displaying moving images including halftones, ie, for displaying television images, it is extremely unsuitable for displaying still images. This is because, as mentioned above, the signal charged in the capacitor 2 is discharged through the liquid crystal cell 3, so if the write operation is not performed constantly, the voltage on both shoulders of the capacitor will gradually drop, causing the liquid crystal to sag. The voltage changes. Therefore, even when displaying a still image, it is necessary to always perform a write operation, and power is required to keep the entire circuit running.

例えば、200X200画素の画面を毎秒60枚書き込
むためには、最大周波数として約2.5M)IIが必要
となり、かなり大きなtカを消費してしまう。尚、毎秒
60枚の画像を書込むというのは、液晶を交流駆動して
フリッカを生じさせないために必要な最低の値である。
For example, in order to write 60 images per second on a 200×200 pixel screen, approximately 2.5 M) II is required as the maximum frequency, consuming a considerably large amount of t. Note that writing 60 images per second is the minimum value necessary to avoid flickering when driving the liquid crystal with alternating current.

さらに、コンデンサへの充電のため信号ラインに電流を
流す必要があり、このための消費電力の増大もさけられ
ないという欠点があった。
Furthermore, it is necessary to flow current through the signal line to charge the capacitor, which has the disadvantage of increasing power consumption.

そこで本発明は、静止画fat表示するのに適した、消
費電力が少ない表示素子を供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a display element with low power consumption that is suitable for displaying still images in fat format.

以下、図面とともに本発明の説明をしていく。The present invention will be explained below with reference to the drawings.

第2図に、本発明の褒示素子管示す、一つの表示ドット
を構成するのは、半導体層に形成されたスイッチングト
ランジスタ5,6、メモリー7、信号選択回路8、液晶
セル9である。そして、液晶全交流駆動するための)ロ
ック源1oを具備している。ここで、スイッチングトラ
ンジスタ56ijMO8)ランジスタで構成される。ま
た、メモリセルフはノリツブフロップで構成され、高い
電圧レベルの信号を11”、低い電圧レベルの信   
1号を@0#とすると @ I IIの信号が入力され
るとω力がa1′(または@0′)にセットされ、次に
10”の信号が入力されるまで、ずっと前の状態を保持
し、′0”の信号が入力されると出力が@0″′(また
は111)にセットされ、その状態が保持される。さら
に、メモリセルフは、入力が1mのとき出力が@1′に
セットされる正入力抱子7aと、入力が@Omのとき出
力が111にセットされる負入力端子7bの二つの入力
端子を具備している。さらに、信号選択回路80入力[
はクロック源10の信号が入力され、メ術り一セル7の
出力を制御信号として、入力偏倚と同相の信号及び逆相
の信号を選択的に出力するというものであり、信号選択
回路8の出力は表示ドツト電極9aと接続される。そし
て、スイッチングトランジスタ5,6のソースは、それ
ぞれ極性が逆の信号線y1および11に接続され、ドレ
インはそわぞれメモリセルフの正入力端子7aおよび負
入力端子7bに接続される。いま、クロック源10の出
力を共通電極端子11に接続し、メモリセルフの出力が
@ I IIのとき信号選択回路80入力と出力が逆相
となり、メモリセルフの出力が@0”のとき信号選択回
路80入力と出力が同相となる場合を例にとって、動作
管説明する。まず、ゲートラインx1に、ゲート信号と
して負のパルス會印加すると、スイッチングトランジス
タ(以下8・Trと略す)5.6はオン状態となり、信
S@Tr5.61通してメモリセルフの正人力燗子7a
と負入力端子7bに入力され、メモリセルフの出力はt
tii儂情報に応じて@11または101にセットされ
る。ゲート信号が消波すれば、8・Tr5.6はオフ状
態となり、メモリセルは次に新たな1悸情報が入力され
るまで、ずっと@1”または@Omのttiiim情報
を保持しつづける。従って、全てのII!1i1cは新
たな情報が書込まれるまでは、どんなVζ長い期間であ
っても、現在保持している画[情@を保持しつづける。
In FIG. 2, one display dot is shown in the display element tube of the present invention. The switching transistors 5 and 6 formed in the semiconductor layer, the memory 7, the signal selection circuit 8, and the liquid crystal cell 9 constitute one display dot. The device is also equipped with a lock source 1o (for driving the liquid crystal with full alternating current). Here, the switching transistor 56ijMO8) is composed of a transistor. In addition, the memory self is composed of Noritsubu flops, and the high voltage level signal is 11", and the low voltage level signal is
If No. 1 is @0#, @I When the II signal is input, the ω force is set to a1' (or @0'), and the previous state is maintained until the next 10" signal is input. When a signal of '0' is input, the output is set to @0'' (or 111) and that state is maintained.Furthermore, when the input is 1m, the output of the memory self is @1' It has two input terminals: a positive input terminal 7a which is set to 111 when the input is @Om, and a negative input terminal 7b whose output is set to 111 when the input is @Om.Furthermore, the signal selection circuit 80 input [
The signal from the clock source 10 is input, and the output from the cell 7 is used as a control signal to selectively output a signal in phase with the input bias and a signal in opposite phase. The output is connected to the display dot electrode 9a. The sources of switching transistors 5 and 6 are connected to signal lines y1 and 11 having opposite polarities, respectively, and the drains are connected to positive input terminal 7a and negative input terminal 7b of the memory self, respectively. Now, the output of the clock source 10 is connected to the common electrode terminal 11, and when the output of the memory self is @I II, the input and output of the signal selection circuit 80 are in opposite phase, and when the output of the memory self is @0'', the signal is selected. The operation will be explained by taking as an example the case where the input and output of the circuit 80 are in phase. First, when a negative pulse is applied as a gate signal to the gate line x1, the switching transistor (hereinafter abbreviated as 8/Tr) 5.6 It becomes on state, and the memory self's Seijin Chikanshi 7a passes through the signal S@Tr5.61.
is input to the negative input terminal 7b, and the output of the memory self is t
It is set to @11 or 101 depending on the tii information. When the gate signal dissipates, Tr 5.6 turns off, and the memory cell continues to hold the ttiiim information of @1" or @Om until the next new 1 pulse information is input. Therefore, , all II!1i1c continue to hold the currently held image until new information is written, no matter how long Vζ is.

そして、メモリセルの出力が111の素子ドツトは、信
号選択回路8の入力と出力が逆相になるので、クロック
源の波形つまり、共通電極電位と%信号選択回路の出力
つまり表示ドツト、電極の波形は、電源電圧會Vとする
と、それぞれ第3図ムの12a、12bK示すように逆
相のクロックとなシ、液晶9には±Vの交流電圧13a
が印加され、選択ドツトとなる。
For the element dot whose memory cell output is 111, the input and output of the signal selection circuit 8 are in opposite phase, so the waveform of the clock source, that is, the common electrode potential, and the output of the % signal selection circuit, that is, the display dot, the electrode. Assuming that the power supply voltage is V, the waveforms are reverse phase clocks as shown in 12a and 12bK in Figure 3, respectively, and the liquid crystal 9 has an AC voltage 13a of ±V.
is applied and becomes a selected dot.

一方、メモリセルの出力が@j)sの麦示ドットハ同様
に、第3図Bの12a、12cのように同相のクロック
となるので、液晶9には1Sbのごとく全く電圧が印加
されず、非選択ドツトとなる。
On the other hand, since the output of the memory cell is the same phase clock as 12a and 12c in FIG. 3B, no voltage is applied to the liquid crystal 9 as in 1Sb. It becomes a non-selected dot.

従って、静止1儂を非常に少ない電力で表示することが
可能となる。なぜならば、静止1儂の場合、信号ライン
7 ’ + 7 ’ t 7 ” + y t++  
・・・・・・とゲートラインx1.xL÷1・・・・・
・の駆動回路を全て停止して、クロック源10のみ動か
しておけば曳いからであり、通常クロック源10の周波
数ij 50 Hsa程度であるので、例えば200X
200画素の場合、静止画表示時の消費電力は、従来の
表示素子の1万分の1程度になる。’を次、コンデンサ
Kg1号を充電するという方式でなく、基本的に電流管
流さずfメモリセルの出・力を制御するので、信号ライ
ン駆動回路の能力を小さく設計することが可能となる。
Therefore, it is possible to display a stationary image using very little power. Because, in the case of stationary one, the signal line 7' + 7't7'' + yt++
...and gate line x1. xL÷1・・・・・・
・If all the drive circuits are stopped and only the clock source 10 is operated, the frequency of the clock source 10 is usually about ij 50 Hsa, so for example, 200X
In the case of 200 pixels, the power consumption when displaying a still image is about 1/10,000 of that of a conventional display element. ', then the capacitor Kg1 is charged, but basically the output of the f memory cell is controlled without flowing the current tube, so it is possible to design the signal line drive circuit to have a small capacity.

さらに、共通電極側にもクロックを印加する方式である
ので、電源電圧をVとすると、士Vつまりピークからピ
ークまで2vの交流波形管、液晶に印加することができ
、液晶にかかる電圧に比して、電源電圧を従来型の半分
にすることができるので、消費電力は電源電圧を低くし
た効果だけで4分のljなる。tた、信号は全て111
゜01のデジタル信号であるから、周辺駆動回路とth
l儂情報処理回路を全て0MO8で構成することVCよ
り、システム全体としても大幅な消費電力の低減f−は
かることができる。さて、いままで説明した表示ドツト
は @1#%g#の二階調表示であり、中間調を表示で
、きない。そこで、第4図に示すように前記表示ドツト
を複数個組み合わせて、一つの画素を形成する。つまシ
画素14が行列状#F−ならんでおり、画素14は、前
記表示ドツトと同構造の表示ドツト15a、15b、1
5c。
Furthermore, since the clock is also applied to the common electrode side, if the power supply voltage is V, it is possible to apply 2V, that is, 2V from peak to peak, to the AC waveform tube and liquid crystal, which is comparable to the voltage applied to the liquid crystal. As a result, the power supply voltage can be reduced to half that of the conventional type, and the power consumption is reduced to 4 lj just by the effect of lowering the power supply voltage. All signals are 111
Since it is a digital signal of ゜01, the peripheral drive circuit and th
By configuring all the information processing circuits with 0MO8 VC, it is possible to significantly reduce the power consumption of the entire system. Now, the display dot explained so far is a two-tone display of @1#%g#, and cannot display halftones. Therefore, as shown in FIG. 4, a plurality of display dots are combined to form one pixel. The pixels 14 are arranged in a matrix #F-, and the pixels 14 are arranged in display dots 15a, 15b, 1 having the same structure as the display dots described above.
5c.

15(lの4個で構成されている。!!示ドツ)1!i
t)。
15 (consists of 4 pieces of l!! shown) 1! i
t).

1、。、1,6゜mart、□カワ。24、ヶい、オ 
  1ドツ)15aのそれぞれ2倍、4倍、8倍の太き
さ金持ち、公比2の等比数列の関係にある。また第1図
に示したように、゛必ずしも表示要素の順番は、面積の
小さいものから1Mに並んでいる必!!はない。そして
この4個の表示ドツトの組み合わせにより階調を表示す
るのである。すなわち、4個の表示ドツトの選択、非選
択を組み合わせることにより、16階調の表示が可能と
なるのである。
1. , 1,6°mart, □kawa. 24, big, o
1 dot) They are twice, four times, and eight times thicker than 15a, respectively, and have a geometric progression relationship with a common ratio of 2. Also, as shown in Figure 1, the display elements must be arranged in the order of 1M from smallest to largest! ! There isn't. Gradation is displayed by a combination of these four display dots. That is, by combining the selection and non-selection of the four display dots, it is possible to display 16 gradations.

また、表示ドツトの数はいくつでも良く、表示ドツトの
面積比がzXの系列を持ち、表示ドツト数1、(nとす
れば、z!1の階調表示が可能となるのは当然である。
Further, the number of display dots may be any number, and if the area ratio of display dots has a series of zX, and the number of display dots is 1 (n), it is natural that z!1 gradation display is possible. .

但し、x、ntjOを含む自然数である。第5図は、他
の表示ドツト組み合わせ例であり、表示ドツト14a、
16b、14c、16dの面積比はやはり1:2:4:
8となり、第4図の例と同様に16階調の表示が可能と
なる。
However, it is a natural number including x and ntjO. FIG. 5 shows another example of display dot combinations, in which display dots 14a,
The area ratio of 16b, 14c, and 16d is still 1:2:4:
8, making it possible to display 16 gradations as in the example shown in FIG.

このように、第2図に示す表示ドツトを、第4図や第5
図のように複数個組み合わせて一つの画素とすることに
より、中間調表示と大幅な消費電力低減を、同時に達成
するゝことが可能となる。また、同一画素数の場合、従
来型に比して表示ドツトの数が4倍になるが、1儂信号
は、flI号ライうy1とB@TrS、ま7?:Fi1
丁と8・Tr6の二つの経路を通ってメモリセルフに入
力されるので、信締経路の冗長度が2倍になるのて、表
示素子としての歩留りが下がることはない。
In this way, the display dots shown in Fig. 2 can be changed from those shown in Figs.
By combining a plurality of them into one pixel as shown in the figure, it is possible to simultaneously achieve halftone display and a significant reduction in power consumption. In addition, in the case of the same number of pixels, the number of display dots is four times that of the conventional type, but the single signal is flI, y1, B@TrS, or 7? :Fi1
Since the signal is input to the memory cell through two paths, Tr 8 and Tr 6, the redundancy of the verification path is doubled, so the yield as a display element does not decrease.

第6図に、本発明の表示素子の具体例を示す。FIG. 6 shows a specific example of the display element of the present invention.

つまり、メモリセル用の7リツプフロツプとしてインバ
ータ17.18を用いて、インバータ17゜18の人・
出力亀子を互いに接続し、インバータ17の入力をメモ
リセルの正入力として8・Tr5と接続し、インバータ
18の入力をメモリセルの負入力としてB’hTr6と
接続し、さらにインバータ18の出力をメモリセルの出
力とする。そして、信号選択回路として排他的論理和(
以下、EORと略す)19゛を用い、藺述のインバータ
18の出力、つまりメ篭りセルの出力をICOR回路1
9の一方の入力とし、クロック源1oの出力をKO’R
回路19の他方の入力にするとともに、共通電極亀子1
1にも接続する。さらにBOR回路19の出力を表示ド
ツト電極9aと接続する。
In other words, inverters 17 and 18 are used as 7-lip flops for memory cells, and inverters 17 and 18 are
The output terminals are connected to each other, the input of the inverter 17 is connected to 8.Tr5 as the positive input of the memory cell, the input of the inverter 18 is connected to B'hTr6 as the negative input of the memory cell, and the output of the inverter 18 is connected to the memory cell. Let it be the output of the cell. Then, as a signal selection circuit, exclusive OR (
(Hereinafter abbreviated as EOR)
9 and the output of clock source 1o as KO'R.
In addition to the other input of the circuit 19, the common electrode Kameko 1
Also connect to 1. Furthermore, the output of the BOR circuit 19 is connected to the display dot electrode 9a.

このような構Fi1.VCすることにより、メモリセル
の出力が111にセットされた場合は、液晶に±Vの交
流電圧がかかシ、メモリセルの出力が101にセットさ
れた場合は液晶に全く電圧がかがらず、第2図で説明し
たのと全く同じ動作をさせることができる。ここで、イ
ンバータ17.18Vi消費電力を低減するということ
からCMOBインバータを用いるのが望ましい。
Such a structure Fi1. By using VC, when the memory cell output is set to 111, an AC voltage of ±V is applied to the liquid crystal, and when the memory cell output is set to 101, no voltage is applied to the liquid crystal. , it is possible to perform exactly the same operation as explained in FIG. Here, it is desirable to use a CMOB inverter because it reduces the power consumption of the inverter 17.18Vi.

第7図に、本発明の表示素子のさらに他の実施例を示す
。信号選択回路として、二つのトランスミッションゲー
ト(以下TGと略す)20 、21を用いたものである
。インバータ17.18によるメモリセルの#R成は、
第6図の例と同じであるが、メモリセルの出力、つまり
インバータ18の出力をTG21Jのnチャンネル側ゲ
ート及びTG21のPチャンネル側ゲー)K接続し、イ
ンバータ18の入力端子′jkT02GのPチャンネル
貴ゲート及びTG21のnチャYネ1ル側ゲー)K接続
する。そして、TG20.21の出力を互いに接続して
、表示ドツト電極9aと接続し、TG210入力端子は
全嵌示ドツト共通に、共通電極と接続して、クロック源
10と接続する。さらにTG20の入力端子は、全衰示
ドツト共通にして、インバータ22を介してクロック源
10と接続する。
FIG. 7 shows still another embodiment of the display element of the present invention. Two transmission gates (hereinafter abbreviated as TG) 20 and 21 are used as the signal selection circuit. The #R configuration of the memory cell by inverters 17 and 18 is as follows:
This is the same as the example in FIG. 6, but the output of the memory cell, that is, the output of the inverter 18, is connected to the n-channel side gate of TG21J and the P-channel side gate of TG21, and the input terminal of the inverter 18 is connected to the P-channel side of the inverter 18. Noble gate and n channel Y channel side gate of TG21) K connection. The outputs of the TGs 20 and 21 are connected to each other and connected to the display dot electrode 9a, and the input terminal of the TG 210 is connected to a common electrode for all the fitted dots, and is connected to the clock source 10. Further, the input terminal of the TG 20 is connected to the clock source 10 via an inverter 22, with the total attenuation dot in common.

このような構成により、メモリセルの出力が11”のと
きは、TG20がオン状態、TG21がオフ状態になる
ため、液晶セルには第3図Aのごとく土Vの交流電圧が
印加され、同様にメモリセルの出力が@0”のときは、
液晶セルには電圧が印加されない。
With this configuration, when the output of the memory cell is 11", TG20 is in the on state and TG21 is in the off state, so that an AC voltage of 0 V is applied to the liquid crystal cell as shown in FIG. 3A, and the same occurs. When the output of the memory cell is @0”,
No voltage is applied to the liquid crystal cell.

第8因に、本発明の表示素子のさらに他の実施例會示す
。8・TrとしてTG25.24を用いたものである。
The eighth factor shows still another embodiment of the display element of the present invention. TG25.24 was used as the 8.Tr.

8@TrとしてTGを用いることにより、電源電圧を低
くしても11”と@ g #の侶°号を確実に通すので
、電源電圧を低くしても信号経路の冗長度を2倍にする
ことが出来る。
By using TG as 8@Tr, even if the power supply voltage is lowered, the 11" and @g# signs will pass through reliably, so the redundancy of the signal path is doubled even if the power supply voltage is lowered. I can do it.

第6図、第7図、第8図の例では、信号選択回路として
、KOR回、路ま7’jII′i’r()2個を用いて
いるが、要するにメモリセルの出力が11mのトキ1と
@″01のとき、表示ドツト電極に印加される交i波形
の位相全反転させることが出来れば良いのであり、AN
D回路の組み合わせ、0Rpjl路の組み合わせv4に
よっても、全く同様の動作をさせることができるのはも
ちろんであシ、これらも本発明の範111に入る。また
、8・Tr及び信号ラインを2系列設けているが、8・
TrD不良や信号ライン断線がほとんどなくなるように
、半導体部分を作り込むことが出来るようになれば、8
aTr。
In the examples shown in FIGS. 6, 7, and 8, two KOR circuits and two circuits 7'jII'i'r() are used as signal selection circuits, but in short, the output of the memory cell is 11m. At the time of 1 and 01, it is only necessary to completely invert the phase of the alternating i waveform applied to the display dot electrode, and AN
Of course, the same operation can be achieved by the combination of D circuits and the combination v4 of 0Rpjl paths, and these also fall within the scope of the present invention. In addition, two lines of 8-Tr and signal lines are provided, but 8-Tr and two signal lines are provided.
If it were possible to fabricate semiconductor parts so that TrD defects and signal line disconnections are almost eliminated, 8.
aTr.

信号ラインはそれぞれ一つづつで良い。One signal line each is sufficient.

以上のような本発明の表示素子を用いることにより、消
費電力の非常に少ない表示素子會得ることができる。つ
まり、静止画表示時には30Hz″8度のクロック源管
除いて、周辺(ロ)路を全て停止させることと、回路構
成を全てデジタル回路にすること、さらに共通電極にも
クロック管印加することで、電源電圧を下げることで大
幅な消費電力の低減が達成できるのである。また、静止
+1lII、動ljIを問わず交流駆動が可能となるの
で、寿命、信頼性の点でも優れた表示素子が得られる。
By using the display element of the present invention as described above, a display element with extremely low power consumption can be obtained. In other words, when displaying a still image, all peripheral circuits are stopped except for the 30Hz 8 degree clock source tube, the circuit configuration is entirely digital, and the clock tube is applied to the common electrode as well. By lowering the power supply voltage, a significant reduction in power consumption can be achieved.Also, since AC drive is possible regardless of whether it is static +1lII or dynamic ljI, display elements with excellent longevity and reliability can be obtained. It will be done.

7らに、液晶にかかる電圧は中間的なものでカく、オン
状mにするための電圧と、零のいずれかであるので、コ
ントラストの視覚依存性が良く、応答時間が速く、液晶
の透過率の電圧に対する非線形性も全く問題がなくなる
。従って、中間lIを持つ微細ドツトによる美しい表示
と、低消費電力化・長痔命・高倍Mを同時に達成するこ
とができ、本発明の工業的価値は大きい。
7.Furthermore, the voltage applied to the liquid crystal is intermediate and can be either the voltage for turning it on or zero, so the visual dependence of the contrast is good, the response time is fast, and the liquid crystal Nonlinearity of transmittance with respect to voltage is also completely eliminated. Therefore, it is possible to simultaneously achieve a beautiful display using fine dots with intermediate II, low power consumption, long hemorrhoid life, and high magnification, and the present invention has great industrial value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の表示素子を示す回路図、第2図は本発明
の表示素子を示す回路図、第5図(A)・(B)は、本
発明の表示素子に於ける液晶駆動電圧を示す説明図、第
4図@第5図は、本発明の表示素子のli!I累と表示
ドツトを示す平面図、第6図は本発明の実権例を示す回
路図、第7図は本発明の他の実#i1!例を示す回路図
、第6図は本発明のさらに他の実権例を示す回路図であ
る。 5.6°°・スイッチングトランジスタ7・・・・・・
メモリーセル 8・・・・・・信号選択回路 ?・・・・・・液晶セル 9a・・・・・・表示ドツト電極 10・・・・・・クロック源 11・・・・・・共通電極電子 12a、12b、12c・・・・・・クロック波形13
a、13b  ・・・・・・液晶駆動電圧波形14・・
・・・・画 素 15a  15b  15c  15d16a、16b
、16c、14d  ・・・−・・t&M’<ドツト1
7.18・・・・・・インバータ 19・・・・・・排他的論理和 20.21,23.24 ・・・・・・トランスミッシ
ョンゲート22・・・・・・インバータ 以   上 出願人 株式会社 第二精工台 第1図 ¥)2[21 第3図(△)       第3(ffl(B)第4図
         第5図
Fig. 1 is a circuit diagram showing a conventional display element, Fig. 2 is a circuit diagram showing a display element of the present invention, and Figs. 5 (A) and (B) show liquid crystal driving voltages in the display element of the present invention. FIG. 4 @ FIG. 5 is an explanatory diagram showing the li! of the display element of the present invention. FIG. 6 is a circuit diagram showing an actual example of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing an example of an embodiment of the present invention #i1! FIG. 6 is a circuit diagram showing still another practical example of the present invention. 5.6°°・Switching transistor 7...
Memory cell 8...Signal selection circuit? ...Liquid crystal cell 9a...Display dot electrode 10...Clock source 11...Common electrode electrons 12a, 12b, 12c...Clock waveform 13
a, 13b...Liquid crystal drive voltage waveform 14...
...Pixel 15a 15b 15c 15d16a, 16b
, 16c, 14d ...--t&M'<dot 1
7.18...Inverter 19...Exclusive OR 20.21, 23.24...Transmission gate 22...Inverter and above Applicant Corporation Daini Seikodai Fig. 1 ¥) 2 [21 Fig. 3 (△) Fig. 3 (ffl (B) Fig. 4 Fig. 5

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  ガラス等の透明絶縁基板上に形成された半導
体層、または半導体基碓上に、行列状rc−画素形成さ
れ、前記自軍−ヒに液晶を介して設置された透光性基板
上の透明電極管対向電極とした表示素子に於いて、前記
画素の一つは、それぞれ面積の異なる複数の表示ドツト
により構成され、繭重表示ドツトの一つに対して、少な
くとも1ビツトの論理的記憶回路と、前記記憶1路の出
力に応じて、グロック1及びクロック1と逆相のクロッ
ク2のいずれかを選択するための信号選択回路會前記半
導体層に形成したことt−特徴とする表示素子。
(1) On a semiconductor layer formed on a transparent insulating substrate such as glass, or on a semiconductor substrate, matrix-like RC-pixels are formed, and on a transparent substrate installed on the self-defense unit through a liquid crystal. In a display element using a transparent electrode tube as a counter electrode, one of the pixels is constituted by a plurality of display dots each having a different area, and at least one bit of logical memory is stored for one of the overlapping display dots. A display element characterized in that: a circuit, and a signal selection circuit for selecting either a clock 1 or a clock 2 having a phase opposite to that of the clock 1 according to the output of the first memory path are formed in the semiconductor layer. .
(2)  前記透明電極には、前記り■ツク1またはク
ロック2のいずれかの信号が印加されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の表示素子。
(2) The display element according to claim 1, wherein either the clock 1 or the clock 2 signal is applied to the transparent electrode.
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