JPS5817269B2 - チタン又はチタン合金の電着法 - Google Patents
チタン又はチタン合金の電着法Info
- Publication number
- JPS5817269B2 JPS5817269B2 JP51152744A JP15274476A JPS5817269B2 JP S5817269 B2 JPS5817269 B2 JP S5817269B2 JP 51152744 A JP51152744 A JP 51152744A JP 15274476 A JP15274476 A JP 15274476A JP S5817269 B2 JPS5817269 B2 JP S5817269B2
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- JP
- Japan
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- electrolytic bath
- drum
- titanium
- particles
- electrodeposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/66—Electroplating: Baths therefor from melts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン又はチタン合金等の量産に適する電着法
に関する。
に関する。
チタン等の電着法として、先に本出願人は特許第７２６
７５４号、特願昭４９−１０７５００号、特願昭４９−
１３１９６０号及び特願昭５１−６５９２０号等に於て
、溶融塩電解浴を使用し平滑な表面状態を保ちつつ電析
成長せしめ、所望の厚さをもつ緻密な電着物を得る種々
の方法を提案した。
７５４号、特願昭４９−１０７５００号、特願昭４９−
１３１９６０号及び特願昭５１−６５９２０号等に於て
、溶融塩電解浴を使用し平滑な表面状態を保ちつつ電析
成長せしめ、所望の厚さをもつ緻密な電着物を得る種々
の方法を提案した。
特に、特願昭４９−１３１９６０号にあっては、固相粒
子を熔融塩電解浴中に分散、流動化せしめて電着面に有
効に作用せしめ、電着を長時間に亘って安定に継続せし
め、平滑な、緻密な電着物を得る方法を提案した。
子を熔融塩電解浴中に分散、流動化せしめて電着面に有
効に作用せしめ、電着を長時間に亘って安定に継続せし
め、平滑な、緻密な電着物を得る方法を提案した。
この場合の固相粒子は、外部より酸化シリコン（Ｓ ｉ
０２ ）、金属粒子又はカーボン（Ｃ）等の如きものよ
りなる粉末状粒子を投入するか、熔融塩電解浴中より電
解温度に於て組成塩粒子を晶析せしめ得るかの２通りの
方法がある。
０２ ）、金属粒子又はカーボン（Ｃ）等の如きものよ
りなる粉末状粒子を投入するか、熔融塩電解浴中より電
解温度に於て組成塩粒子を晶析せしめ得るかの２通りの
方法がある。
しかし乍ら、固相粒子を外部より投入した場合は固相粒
子は不純物が混入したり、酸化することがあり、電着物
の品質の点或は電解浴の長期に亘る保守の点等にしばし
ば不都合を生じる欠点がある。
子は不純物が混入したり、酸化することがあり、電着物
の品質の点或は電解浴の長期に亘る保守の点等にしばし
ば不都合を生じる欠点がある。
又、同相粒子として熔融塩電解浴中で得た晶析塩粒子を
用いる場合は上述の欠点はないが、晶析塩粒子を熔融塩
電解浴中で安定に且つ継続的に得るのに難があり、特に
量産化する場合には格別の配慮が必要となる。
用いる場合は上述の欠点はないが、晶析塩粒子を熔融塩
電解浴中で安定に且つ継続的に得るのに難があり、特に
量産化する場合には格別の配慮が必要となる。
本発明は、上述の点に鑑み熔融塩電解浴中に２いて安定
且つ継続的に効率よく固相粒子即ち晶析塩粒子を得るよ
うになし、以って平滑にして緻密な高品位の電着物を量
産化できるようにしたチタン又はチタン合金の電着法を
提供するものである。
且つ継続的に効率よく固相粒子即ち晶析塩粒子を得るよ
うになし、以って平滑にして緻密な高品位の電着物を量
産化できるようにしたチタン又はチタン合金の電着法を
提供するものである。
本発明は、いわゆる溶融塩電着法に於て、その熔融塩電
解浴中に冷却ドラムとかき落し手段（ドラム）を同心的
に配し少くとも一力を回転し得るようにしてなる回転ド
ラム式の晶析塩粒子の連続生成装置を配置し、その冷却
ドラム表面に析出する晶析塩粒子をかき落し手段との相
対的回転移動によって電解浴中に２いてかき落し、その
かき落されてなる晶析塩粒子を電解浴中に分散・流動化
せしめるようになすものである。
解浴中に冷却ドラムとかき落し手段（ドラム）を同心的
に配し少くとも一力を回転し得るようにしてなる回転ド
ラム式の晶析塩粒子の連続生成装置を配置し、その冷却
ドラム表面に析出する晶析塩粒子をかき落し手段との相
対的回転移動によって電解浴中に２いてかき落し、その
かき落されてなる晶析塩粒子を電解浴中に分散・流動化
せしめるようになすものである。
これによれば、晶析塩粒子を効率よく生成し、そのまま
電解浴中に分散・流動化せしめることができるので、平
滑で緻密な高品位の電着物を量産的に得ることができる
。
電解浴中に分散・流動化せしめることができるので、平
滑で緻密な高品位の電着物を量産的に得ることができる
。
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第１図は本発明に用いられる電着装置の全体を示すもの
で＞ １は溶融塩電解浴２を収容した槽を示し、３はそ
の蓋を示す。
で＞ １は溶融塩電解浴２を収容した槽を示し、３はそ
の蓋を示す。
溶融塩電解浴２としては、例えばチタン金属の電着の場
合にはＴｉＣｌ２゜Ｔ ｉＣＪ’３．ＢａＣｌ２ 、Ｍ
ｇＣｌ２． ＣａＣｌ２ 、ＮａＣ１１及びＫＣｌ等の
組成物を含有して成る浴を用い得る。
合にはＴｉＣｌ２゜Ｔ ｉＣＪ’３．ＢａＣｌ２ 、Ｍ
ｇＣｌ２． ＣａＣｌ２ 、ＮａＣ１１及びＫＣｌ等の
組成物を含有して成る浴を用い得る。
槽１内には、電解浴２を例えば５００℃以下、好ましく
は４８０〜４４０℃の電解温度に保持し陰極４が配置さ
れる低温部５と、電解浴２の組成物を熔融し得る温度の
例えは５００℃以上、好ましくは５２０〜５６０°Ｃに
、電解浴２の機能を回復させる高温部６とを設ける。
は４８０〜４４０℃の電解温度に保持し陰極４が配置さ
れる低温部５と、電解浴２の組成物を熔融し得る温度の
例えは５００℃以上、好ましくは５２０〜５６０°Ｃに
、電解浴２の機能を回復させる高温部６とを設ける。
そして適当な攪拌手段を設けて之によって矢印で示すよ
うに電解浴２に低温部５さ、高温部６とに於て夫々閉ル
ープを形成する環流を生じさせると同時に、低温部５と
高温部６との間を全体的に循環する流れも生ずるように
なす。
うに電解浴２に低温部５さ、高温部６とに於て夫々閉ル
ープを形成する環流を生じさせると同時に、低温部５と
高温部６との間を全体的に循環する流れも生ずるように
なす。
そして、低温部５内の電解浴の全体的な流れに関しての
例えば下流側に陰極４を配置する。
例えば下流側に陰極４を配置する。
この陰極４は例えばモータ７を介して回転させるか、或
は更に才差運動させるなど移動するようになす。
は更に才差運動させるなど移動するようになす。
又、陰極４に対向して陽極８を配置。する。
図示の例では陽極８を囲んで隔膜９を配し、之により電
解時中に生ずる陽極反応生成物のために電解浴組成か変
化することがないようにした場合である。
解時中に生ずる陽極反応生成物のために電解浴組成か変
化することがないようにした場合である。
高温部６は、例えば槽１内の一側部に深槽部を設けて、
その落ち込んだ部分を高温部６とし、その上方及び之き
隣り合う浅槽部５となし、この浅槽部に対応する低温部
分に陰極４を配するようになす。
その落ち込んだ部分を高温部６とし、その上方及び之き
隣り合う浅槽部５となし、この浅槽部に対応する低温部
分に陰極４を配するようになす。
なお、浅槽部の底面１３は高温部６に向って落ち込む傾
斜面となすを可とする。
斜面となすを可とする。
低温部５及び高温部の各温度は、図示しないが、内熱。
式ヒータ、或は槽１の外側より加熱する外熱式ヒータに
よって夫々所要の温度を有するように電解浴２に上述し
た環流を形成させる２個以上の例えばプロペラスクリュ
ウ、へりカルスクリュウの如き攪拌機構１０〜１２を配
置する。
よって夫々所要の温度を有するように電解浴２に上述し
た環流を形成させる２個以上の例えばプロペラスクリュ
ウ、へりカルスクリュウの如き攪拌機構１０〜１２を配
置する。
１４，１５及び１６は夫々攪拌機構１０．１１及び１２
を駆動するためのモータである。
を駆動するためのモータである。
電解浴２は不活性ガス（アルゴン等）により気密に保た
れるもので、１７及び１８は夫々不活性ガスの送入口及
び排出口である。
れるもので、１７及び１８は夫々不活性ガスの送入口及
び排出口である。
そして、本発明に於ては、電解浴２中に固相粒子となる
晶析塩粒子を生成し且つ分散せしめる回転ドラム式の晶
析塩粒子生成装置１９を配置する。
晶析塩粒子を生成し且つ分散せしめる回転ドラム式の晶
析塩粒子生成装置１９を配置する。
この装置１９は、例えば空気の導入によって冷却される
冷却ドラム２０と、之と対向して配したかき落し手段２
１とより成り、冷却ドラム２０の表面に付着した晶析塩
粒子を、電解浴中に３いてドラム２０とかき落し手段２
１との相対的な回転移動によってかき落し、分散せしめ
るように構成するもので、その詳細は例えば第２図に示
す如き構成を採り得る。
冷却ドラム２０と、之と対向して配したかき落し手段２
１とより成り、冷却ドラム２０の表面に付着した晶析塩
粒子を、電解浴中に３いてドラム２０とかき落し手段２
１との相対的な回転移動によってかき落し、分散せしめ
るように構成するもので、その詳細は例えば第２図に示
す如き構成を採り得る。
即ち、第２図に示すように円筒状をなし、電解浴２中に
浸漬される部分の側壁に例えば複数の透孔乃至開口２２
を有して成るかき落し手段２１を設け、電解浴中に３い
て晶析塩粒子を付着する部分がかき落し手段２１の円筒
内面と所定の間隔を保って配置するようになし且玲却ド
ラム２０と、かき落し手段２１とは互に相対的に回転移
動するようになす。
浸漬される部分の側壁に例えば複数の透孔乃至開口２２
を有して成るかき落し手段２１を設け、電解浴中に３い
て晶析塩粒子を付着する部分がかき落し手段２１の円筒
内面と所定の間隔を保って配置するようになし且玲却ド
ラム２０と、かき落し手段２１とは互に相対的に回転移
動するようになす。
図示の例では、かき落し手段２１を固定とし、冷却ドラ
ム２０側をモータ（図示せず）よりベルト２４及びプー
リー２３を介して回転せしめるようにしている。
ム２０側をモータ（図示せず）よりベルト２４及びプー
リー２３を介して回転せしめるようにしている。
２５は冷却ドラム２０及びかき落し手段２１間に介挿し
たベアリング、２６はオイルシールである。
たベアリング、２６はオイルシールである。
そして、冷却ドラム２０内には空気を導入する導入管２
７を配する。
７を配する。
空気は導入口２７ａより導入管２７を通ってドラム２０
内に導入し、導入管２７及びドラム２０間の間隙を経て
排出口２７ｂより外部に排出する。
内に導入し、導入管２７及びドラム２０間の間隙を経て
排出口２７ｂより外部に排出する。
かかる構成の装置１９は、例えば低温部５内の電解浴２
の全体的な流れに関しての上流側に配置する（第１図）
。
の全体的な流れに関しての上流側に配置する（第１図）
。
この状態に２いて、電解浴２は常時かき落し手段２１の
透孔２２を通って冷却ドラム２０の表面に接触する。
透孔２２を通って冷却ドラム２０の表面に接触する。
な８、装置１９と陰極４との間には透孔が穿設された或
は穿設されない例えばついたて状のセパレーク２８を配
置し得る。
は穿設されない例えばついたて状のセパレーク２８を配
置し得る。
な２又、上側では冷却ドラム２０を回転させかき落し手
段２１を固定したが、逆に冷却ドラム２０を固定として
かき落し手段２１を回転させるようにしても良く、或は
双方を例えば逆方向に回転するようにしてもよい。
段２１を固定したが、逆に冷却ドラム２０を固定として
かき落し手段２１を回転させるようにしても良く、或は
双方を例えば逆方向に回転するようにしてもよい。
かかる装置１９において、ドラム２０内に導入管２７を
通して外部より空気を導入すると、電解浴２に接するド
ラム表面が冷却され、この部分に晶析が起り、すなわち
晶析塩粒子が付着する。
通して外部より空気を導入すると、電解浴２に接するド
ラム表面が冷却され、この部分に晶析が起り、すなわち
晶析塩粒子が付着する。
この付着した晶析塩粒子は一足の大きさに成長しドラム
２０の回転によってその外側のかき落し手段２１をして
連続的にかき落され、そのかき落された晶析塩粒子が透
孔乃至開口部２２を通して電解浴２中に分散され流動化
される。
２０の回転によってその外側のかき落し手段２１をして
連続的にかき落され、そのかき落された晶析塩粒子が透
孔乃至開口部２２を通して電解浴２中に分散され流動化
される。
この晶析塩粒子の生成、分散はドラム２０の回転によっ
て連続的に行なわれ、かくて分散し、流動化された晶析
塩粒子は陰極４の電着面に作用し、電着物を平らな状態
を保ちつつ電着成長させる。
て連続的に行なわれ、かくて分散し、流動化された晶析
塩粒子は陰極４の電着面に作用し、電着物を平らな状態
を保ちつつ電着成長させる。
そして、この装置１９によれは、ドラム２０の冷却を空
気の導入によって行っているので、その導入する空気の
量、空気の温度を制御することで容易に電解浴２の晶析
温度を制御することができる。
気の導入によって行っているので、その導入する空気の
量、空気の温度を制御することで容易に電解浴２の晶析
温度を制御することができる。
又、導入する空気の量及び温度を制御すると共に、ドラ
ム２０とかき落し手段２１との相対的な回転速度を制御
することによって晶析塩粒子の電解浴２中への分散量の
制御が容易となり、且つ上記回転速度の制御でかき落さ
れる晶析塩粒子の粒子サイズを制御することができる。
ム２０とかき落し手段２１との相対的な回転速度を制御
することによって晶析塩粒子の電解浴２中への分散量の
制御が容易となり、且つ上記回転速度の制御でかき落さ
れる晶析塩粒子の粒子サイズを制御することができる。
又、ドラム２０の表面の晶析塩の成長状態によってドラ
ム２０を回転するモータに負荷がかかる。
ム２０を回転するモータに負荷がかかる。
従ってこのモータのトルクを検知することによって晶析
塩の成長状態を判別できる。
塩の成長状態を判別できる。
尚、熔融塩電解浴中でその組成塩の晶析を効率よく行う
ためには、従来の水溶液から晶析させる様な装置では、
その温度コントロールが困難であり、且つ継続して得る
ことが困難である。
ためには、従来の水溶液から晶析させる様な装置では、
その温度コントロールが困難であり、且つ継続して得る
ことが困難である。
しかし、本発明の装置１９によれは空気の導入口２７ａ
の温度、排出口２７ｂの温度及び回転ドラムの回転数の
みをコントロールすることにより容易に目的を達成でき
る。
の温度、排出口２７ｂの温度及び回転ドラムの回転数の
みをコントロールすることにより容易に目的を達成でき
る。
上述せる如く、本発明によれば熔融塩電解浴中に２いて
安定且つ継続的に効率よく晶析塩粒子を得、之を分散せ
しめ得るものであるから、平滑にして緻密な高品位の電
着物の量産化が可能となり、チタン金属又はチタン合金
の電着製練に適用して好適ならしめるものである。
安定且つ継続的に効率よく晶析塩粒子を得、之を分散せ
しめ得るものであるから、平滑にして緻密な高品位の電
着物の量産化が可能となり、チタン金属又はチタン合金
の電着製練に適用して好適ならしめるものである。
第１図は本発明に使用される電着装置の一例を示す断面
図、第２図はその晶析塩粒子生成装置の具体側番示す断
面図である。 １は槽、２は溶融塩電解浴、４は陰極、８は陽極、９は
隔膜、１９は晶析塩粒子生成装置、２０は冷却ドラム、
２１はかき落し手段である。
図、第２図はその晶析塩粒子生成装置の具体側番示す断
面図である。 １は槽、２は溶融塩電解浴、４は陰極、８は陽極、９は
隔膜、１９は晶析塩粒子生成装置、２０は冷却ドラム、
２１はかき落し手段である。
Claims (1)
- １ 熔融塩電解浴中に同心的に配された少くとも一刀を
回転し得る二重ドラムを設け、該二重ドラムの内側のド
ラムを冷却ドラムとし、該冷却ドラムに付着する晶析塩
粒子を外側のドラムとの相対的な回転移動によって前記
熔融塩電解浴中に分散せしめるようにした事を特徴とす
るチタン又はチタン合金の電着法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51152744A JPS5817269B2 (ja) | 1976-12-17 | 1976-12-17 | チタン又はチタン合金の電着法 |
| US05/860,884 US4115213A (en) | 1976-12-17 | 1977-12-15 | Electrodeposition process & apparatus |
| GB52496/77A GB1582590A (en) | 1976-12-17 | 1977-12-16 | Electrodeposition |
| AU31691/77A AU519065B2 (en) | 1976-12-17 | 1977-12-19 | Electrodeposition from fused electrolyte baths |
| FR7738331A FR2374435A1 (fr) | 1976-12-17 | 1977-12-19 | Preparation de titane ou d'alliage de titane par electrolyse de sels fondus |
| CA293,382A CA1104519A (en) | 1976-12-17 | 1977-12-19 | Electrodeposition process |
| DE19772756619 DE2756619A1 (de) | 1976-12-17 | 1977-12-19 | Verfahren und vorrichtung zur galvanischen oder elektrophoretischen abscheidung eines metallniederschlags auf einer oberflaeche |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51152744A JPS5817269B2 (ja) | 1976-12-17 | 1976-12-17 | チタン又はチタン合金の電着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5376133A JPS5376133A (en) | 1978-07-06 |
| JPS5817269B2 true JPS5817269B2 (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15547200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51152744A Expired JPS5817269B2 (ja) | 1976-12-17 | 1976-12-17 | チタン又はチタン合金の電着法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4115213A (ja) |
| JP (1) | JPS5817269B2 (ja) |
| AU (1) | AU519065B2 (ja) |
| CA (1) | CA1104519A (ja) |
| DE (1) | DE2756619A1 (ja) |
| FR (1) | FR2374435A1 (ja) |
| GB (1) | GB1582590A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4521281A (en) * | 1983-10-03 | 1985-06-04 | Olin Corporation | Process and apparatus for continuously producing multivalent metals |
| US4517253A (en) * | 1984-01-23 | 1985-05-14 | Rose Robert M | Cryoelectrodeposition |
| US6033622A (en) * | 1998-09-21 | 2000-03-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for making metal matrix composites |
| EP1680530A4 (en) * | 2003-09-16 | 2007-06-13 | Global Ionix Inc | ELECTROLYTIC CELL INTENDED TO REMOVE A MATERIAL FROM A SOLUTION |
| EP3546621A4 (en) * | 2016-11-22 | 2020-08-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | TITANIUM PLATE SOLUTION MANUFACTURING METHOD AND TITANIUM PLATED PRODUCT MANUFACTURING METHOD |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5157605A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-20 | Sony Corp |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537600B2 (ja) * | 1974-09-30 | 1980-09-29 | ||
| US4016052A (en) * | 1975-11-17 | 1977-04-05 | Sony Corporation | Electrodeposition process |
-
1976
- 1976-12-17 JP JP51152744A patent/JPS5817269B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-12-15 US US05/860,884 patent/US4115213A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-16 GB GB52496/77A patent/GB1582590A/en not_active Expired
- 1977-12-19 AU AU31691/77A patent/AU519065B2/en not_active Expired
- 1977-12-19 CA CA293,382A patent/CA1104519A/en not_active Expired
- 1977-12-19 FR FR7738331A patent/FR2374435A1/fr active Granted
- 1977-12-19 DE DE19772756619 patent/DE2756619A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5157605A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-20 | Sony Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU3169177A (en) | 1979-06-28 |
| FR2374435B1 (ja) | 1984-10-19 |
| GB1582590A (en) | 1981-01-14 |
| FR2374435A1 (fr) | 1978-07-13 |
| CA1104519A (en) | 1981-07-07 |
| US4115213A (en) | 1978-09-19 |
| DE2756619A1 (de) | 1978-07-20 |
| JPS5376133A (en) | 1978-07-06 |
| AU519065B2 (en) | 1981-11-05 |
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