JPS5816549A - 半導体装置の容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の容器（以下パッケージと呼ぶ）の
表面に関するものである。

パッケージは半導体装置（以下半導体チップ）上に形成
された電極を外部に取り出す外部端子（以下リードと呼
ぶ）とリード間を電気的に絶縁する材料によって構成さ
れ、チップを外部環境から遮断している。

パッケージ材料としては通常金属、セラ虐ツク。

ガラス、あるいはプラスチック樹脂が用いられる。

金属パッケージの場合、リード間はガラスにより絶縁さ
れている。

セラ之ツタ、ガラス、プラスチック樹脂の場合、リード
を除くパッケージ外側表面は絶縁材料で構成されている
。これら材料を選ぶ重要な要素は、リード間の電気的絶
縁性である。一方パッケージは、パッケージの外部環境
、即ち空気あるいはパッケージを収容する容器（以下ケ
ースと呼ぶ）との接触、摩擦等により、パッケージ表面
に静電気を誘起する。パッケージ材料が高絶縁性であれ
ばあるほど、静電荷は斂電消失し離＜、高電圧になる。

半導体装置において、とりわけＭＯ８半導体装置では素
子が極めて薄い絶縁層で形成されており、前記静電気に
より発生する高電圧は素子を破壊させる原因となる。通
常この故障を避けるため、チ、プ上では静電保護回路が
設けられると同時に、装置を収納するケースの材料も導
電性材料が選ばれる。例えばＭＯ８半導体装置の場合、
静電破壊耐圧は２００〜３００ｖである。

パッケージ材料のうち、セラミックの抵抗は１０１４ｇ
・儲以上の固有抵抗をもち、エポキシ樹脂、シリコン樹
脂では１０〜１０　Ω・国である。

パッケージ材料は絶縁性を向上させるため、あるいはチ
ップを不純物から保護するため、抵抗値は大きくなる傾
向にある。特に固有抵抗が１０１１を越すと、半導体装
置の取扱かいに際して、空気との摩擦あるいはケース、
あるいはその他の装置との摩擦により容易に数千Ｖの静
電気を発生する。

パッケージと摩擦する相手が金属の場合は絶縁体の場合
より低電圧に保てるものの、３００〜１０００Ｖの電圧
になる。

本発明はこの欠陥を除ぞくため、パッケージ表面のリー
ドの周辺を除いた領域に導電性処理を施こすことによっ
てパッケージ表面に誘起する静電荷をおさえようとする
ものである。

パッケージ表面を導電性処理することによって空気との
摩擦あるいはケースあるいは他の装置とのＪ１１線によ
って発生する静電荷はパッケージ表面の放電経路を経て
容易にリークし、チャージアップしない。

導電性処理の方法としては、例えば金属を蒸着すること
が出来る。他の方法として界面活性剤水溶液を塗布し、
その後乾燥することにより１表面に親木基を付着せしめ
ることも出来る。他′の方法として金属微球子を混入し
たゴム、樹脂をｍ着することも出来る。他の方法として
金属性接着テープを接着することも出来る。

導電性処理を施こす領域はリード周囲を除いたパッケー
ジ表面領域の一部分あるいは全部分に行なう。

第１図、第２図に導電性処理を施こす領域の一例を示す
。

半導体装置をソケットあるいは配線基板に実装する前に
導電性処理を落とすことも出来る。例えば金属を蒸着し
た場合は塩酸等の酸で洗い落としたり界面活性剤処理の
場合は水洗し表面に付着していた親水基を洗い落とす。

ゴム、ｌ／Ｍ脂等を塗布した場合は有機溶剤等で洗い落
とす。半導体装置が実装状態ではパッケージ表面の導電
性処理を落とし、絶縁状態に戻す方が一般的には望まし
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体装置の容器（表側）
の斜視図。 １１樹脂 １２　リード １３　導電性処理を施した領域 第２図は本発明の他の実施例の半導体装置の容器（裏側
）の斜視図。 ２１樹脂 ２２　リード ２３　導電性処理を施した領域。 第　１　図 第Ｚ区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置の容器の外部端子の周囲を除いた表面領域に
   、導電性処理を施こした半導体装置の客器。