JPS58145014A - 電極板及びその製造方法 - Google Patents
電極板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58145014A JPS58145014A JP2610582A JP2610582A JPS58145014A JP S58145014 A JPS58145014 A JP S58145014A JP 2610582 A JP2610582 A JP 2610582A JP 2610582 A JP2610582 A JP 2610582A JP S58145014 A JPS58145014 A JP S58145014A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- transparent conductive
- pattern
- conductive film
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は電極板の製造方法に係り、特に表示パネル、透
明バ洋ルヒータ等に用いられる電極板の製造方法に関す
る。
明バ洋ルヒータ等に用いられる電極板の製造方法に関す
る。
例えば、液晶表示パネルの一例を第１図に示す。
第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
である。
である。
第１因に於いて、１．２はカラス、プラスチック等の透
明絶縁基板、３，４は基板１，２のそれぞれの対向面に
設けられた■ｎ２ （Ｊｓ ＋ ５ｎｏ２及びこれらの
混合膜等の透明導電膜、５は基板１の透明導電膜４上に
形成されるＡｕ、ＡＬ、Ｃｕ等のｆｆ１Ｊ’ｉｎ、３は
外部回路との接続端子、６は基板１゜２の一ボ間隔（例
えば、１０μｍ）の間に封入された液晶でめり、７は封
止剤である。透明４ｉ１：膜３と４との対向部分と、そ
れらの間に位置する液晶と、によって画素が形成される
。
明絶縁基板、３，４は基板１，２のそれぞれの対向面に
設けられた■ｎ２ （Ｊｓ ＋ ５ｎｏ２及びこれらの
混合膜等の透明導電膜、５は基板１の透明導電膜４上に
形成されるＡｕ、ＡＬ、Ｃｕ等のｆｆ１Ｊ’ｉｎ、３は
外部回路との接続端子、６は基板１゜２の一ボ間隔（例
えば、１０μｍ）の間に封入された液晶でめり、７は封
止剤である。透明４ｉ１：膜３と４との対向部分と、そ
れらの間に位置する液晶と、によって画素が形成される
。
第１図（ａ）の基４５Ｌ２の部分Ｂの拡大平面図を第２
図（ａ）に、第２図（ａ）のｃ−ｃ’断面図を第２図（
ｂ）に示す。
図（ａ）に、第２図（ａ）のｃ−ｃ’断面図を第２図（
ｂ）に示す。
透明導電膜４はｔ気抵抗が大きいために、第２図（ａ）
に示すように微細パターンでかつ電極形成距離が負くな
ると、外部回路との嵌続部からはなれた部分の像が暗く
なったシ、点灯しなくなったりするという問題が生じる
。これを解決するために、第２図に示す様に、Ａｕ、Ａ
ｔ、Ｃｕ等の抵抗の低い金属膜５を透明導電膜４上に形
成する。
に示すように微細パターンでかつ電極形成距離が負くな
ると、外部回路との嵌続部からはなれた部分の像が暗く
なったシ、点灯しなくなったりするという問題が生じる
。これを解決するために、第２図に示す様に、Ａｕ、Ａ
ｔ、Ｃｕ等の抵抗の低い金属膜５を透明導電膜４上に形
成する。
透明導電膜４及び金属膜５を形成する従来の方法の一例
を第３図に示す。
を第３図に示す。
まず第３図（ａ）に示すように洗浄されたガラス、プラ
スチックフィルム等の透明絶縁基板２上に透明４電膜で
あるＩｎ、０．４０を蒸着し、続いて金ｊｌｈＷ！でめ
るＡｕ５０を蒸着する。ついで、第３図（ｂ）に示すよ
うに第１のホトレジストパターン８１を形成し、第３図
（Ｃ）に示すように、この第１のホトレジストパターン
８１をマスクにしてＡ、ｕ５０をヨード系の水浴液でエ
ツチングしてＡｕのパターン５１を形成する。ついでＡ
ｕのパターン５１をマスクにして第３図（ｄ）のように
Ｉｎ２Ｏ，４０を塩化第２鉄水浴液、王水系水溶液で工
、ツチングして、所望のパターンのＩｒ１２０，４を形
成する。
スチックフィルム等の透明絶縁基板２上に透明４電膜で
あるＩｎ、０．４０を蒸着し、続いて金ｊｌｈＷ！でめ
るＡｕ５０を蒸着する。ついで、第３図（ｂ）に示すよ
うに第１のホトレジストパターン８１を形成し、第３図
（Ｃ）に示すように、この第１のホトレジストパターン
８１をマスクにしてＡ、ｕ５０をヨード系の水浴液でエ
ツチングしてＡｕのパターン５１を形成する。ついでＡ
ｕのパターン５１をマスクにして第３図（ｄ）のように
Ｉｎ２Ｏ，４０を塩化第２鉄水浴液、王水系水溶液で工
、ツチングして、所望のパターンのＩｒ１２０，４を形
成する。
七の後ホトレジストを通常の手法で除去後、第３図（ｅ
）のように、Ａｕのパターン５１の１ 部に第２のホト
レジストパターン８２を形感する。そのバター／全マス
クにしてＡｕｆｃけをヨ□−ド糸のエツチング液でエツ
チングすると、第３図（皇）にボすように、Ｉｎ、０，
４上にのみＡ ｕ ５の４１１回路が形成され′ｆＣ基
板２が作成できる。
）のように、Ａｕのパターン５１の１ 部に第２のホト
レジストパターン８２を形感する。そのバター／全マス
クにしてＡｕｆｃけをヨ□−ド糸のエツチング液でエツ
チングすると、第３図（皇）にボすように、Ｉｎ、０，
４上にのみＡ ｕ ５の４１１回路が形成され′ｆＣ基
板２が作成できる。
従来では金ｘｉとしてＡ Ｌ 、 Ａ ｕ 、 Ａ ｇ
＋ ｃｕ＋Ｎｉ、Ｃｒが単層膜として用いられている
。
＋ ｃｕ＋Ｎｉ、Ｃｒが単層膜として用いられている
。
しかし、これらの単層膜はいずれも欠点かりることがわ
かった。
かった。
まず、Ａｔの単層ＩＭは、エツチング時のパターンｆｆ
ｌ＆、半田付性もよく、かつ透明専１［ｊＭ（Ｉｎ、Ｕ
ｓ 、５ｎ０２ ）との密層性もよい。しかし、Ａｔ
をエツチングする際に発生する氷菓により、透明導電膜
が還元され、ピンホールを生ずる。δらに、Ａｔの単層
膜を形成した後、透明導′亀膜の一部の酸素がＡｔにく
われ、Ａｔパターンに小くれが発生することが認められ
、好ましくない。
ｌ＆、半田付性もよく、かつ透明専１［ｊＭ（Ｉｎ、Ｕ
ｓ 、５ｎ０２ ）との密層性もよい。しかし、Ａｔ
をエツチングする際に発生する氷菓により、透明導電膜
が還元され、ピンホールを生ずる。δらに、Ａｔの単層
膜を形成した後、透明導′亀膜の一部の酸素がＡｔにく
われ、Ａｔパターンに小くれが発生することが認められ
、好ましくない。
さらに、ＡＵ、Ａｌ及びＣｕの単１−膜は、透明４電膜
との化学反応はないが、基板および透明導電膜との密着
性が悪く、はく離することがわかった。さらに、Ａ ｕ
”ｔｇ関しては、接続端子において、半田にＡｕがくわ
れ、接続不可能となる。
との化学反応はないが、基板および透明導電膜との密着
性が悪く、はく離することがわかった。さらに、Ａ ｕ
”ｔｇ関しては、接続端子において、半田にＡｕがくわ
れ、接続不可能となる。
さらに、ＮＩの単層膜に関してはエツチング時のパター
ン棺度もよく、かつ半田付性も比較的良好であるが、基
板との密層性が不十分で、かつ接続端子の牛田付俊の強
度が不十分でるるため、待時Ｃまく離する現象が認めら
れた。
ン棺度もよく、かつ半田付性も比較的良好であるが、基
板との密層性が不十分で、かつ接続端子の牛田付俊の強
度が不十分でるるため、待時Ｃまく離する現象が認めら
れた。
また、Ｃｒの単層膜に関しては、その他の金属に比較し
て、抵抗が太きいという問題があるが、基板および透明
４篤膜との密着性は非富によいことがわかった。しかし
、半田のぬれ注が悪く、半田による接続ができないこと
が明らかになった。
て、抵抗が太きいという問題があるが、基板および透明
４篤膜との密着性は非富によいことがわかった。しかし
、半田のぬれ注が悪く、半田による接続ができないこと
が明らかになった。
さらに、透明導電膜であるＩｎ２Ｏ，４０のエツチング
液塩化第２鉄水溶液、王水系水溶液は、Ｉｎ、０ｎ４０
のアンダーカットが大キく、ハターン＃１度が悪くなる
、という欠点かめる。
液塩化第２鉄水溶液、王水系水溶液は、Ｉｎ、０ｎ４０
のアンダーカットが大キく、ハターン＃１度が悪くなる
、という欠点かめる。
本発明の目的とするところは、抵抗が小さく、ホトエツ
チングが容易で、精贋良くパターニングでき、２！Ｉ！
８仮及び透明導電膜との密着性がよく、かつ半田付性が
よく、化学的に安定性が商い金属膜を有する電極板の製
造方法を提供することにある。
チングが容易で、精贋良くパターニングでき、２！Ｉ！
８仮及び透明導電膜との密着性がよく、かつ半田付性が
よく、化学的に安定性が商い金属膜を有する電極板の製
造方法を提供することにある。
上記目的を達成する本発明の特徴とするところは、透明
絶縁基板の一方の主表面を透明導電膜で覆う第１の工程
と、上記透明導１を膜をＣｒ、或いはＣｒ甘せ、或いは
Ｔｉからなる第１層と、該第１Ｎ上に設けられ、かつＮ
１、或いはＡｕ、或いはＣｕから成る第２層とから形成
される金属膜で覆う第２の工程と、上記金Ｍ膜と上記透
明導電膜と金弟１のパターン形状のマスクでエツチング
する第３の工程と、上記金属膜を第２のパターン形状の
マスクでエツチングする第４の工程とを具備することに
ある。
絶縁基板の一方の主表面を透明導電膜で覆う第１の工程
と、上記透明導１を膜をＣｒ、或いはＣｒ甘せ、或いは
Ｔｉからなる第１層と、該第１Ｎ上に設けられ、かつＮ
１、或いはＡｕ、或いはＣｕから成る第２層とから形成
される金属膜で覆う第２の工程と、上記金Ｍ膜と上記透
明導電膜と金弟１のパターン形状のマスクでエツチング
する第３の工程と、上記金属膜を第２のパターン形状の
マスクでエツチングする第４の工程とを具備することに
ある。
本発明の一実施例を第４図により眺明する。
洗浄されたガラス、プラスチックフィルム等の透明絶縁
基板２上に透明導電膜であるＩｎ、０゜４０（厚さ４０
０〜５００Ａ）を蒸着し、続いてＣｒ膜１１０．Ｎｉ膜
１２０を真空蒸着及びスパッタリング法によシ槓層する
。この工程は、なるべく同一真壁蒸着装置内で連続して
行なった方が好筐しい。（第４図（ａ）） 次に、第２図（ａ）に示す透明導電膜のパターン５の形
状の第１のホトレジストパターン９１ を形成する。（
第４図（ｂ）） ＆ｐ、１のホトレジストパターン９１ｆｆｉマスクとし
てＮ１膜１２０全〔エツチングＱ；）ＩＮ（Ｊ３：Ｎ２
０□＝１０：１（容量比）、エツチング速度；２２ｎｍ
／ｓｅｃ （２５Ｃ））、’Ｅたは〔エツチング液；
ＣＨ３Ｃ０ＯＨ： ＨＮＯ，： Ｈ，ＰＯ４： Ｎ２８
０４＝５：３：１：１（容量比）、エツチング速度；８
ｎｒｎ／５ｅｃ（２５Ｃ）Ｊの条件でケミカルエツチン
グ全行なう。これらのエツチング液はアンダーカットが
少ない。
基板２上に透明導電膜であるＩｎ、０゜４０（厚さ４０
０〜５００Ａ）を蒸着し、続いてＣｒ膜１１０．Ｎｉ膜
１２０を真空蒸着及びスパッタリング法によシ槓層する
。この工程は、なるべく同一真壁蒸着装置内で連続して
行なった方が好筐しい。（第４図（ａ）） 次に、第２図（ａ）に示す透明導電膜のパターン５の形
状の第１のホトレジストパターン９１ を形成する。（
第４図（ｂ）） ＆ｐ、１のホトレジストパターン９１ｆｆｉマスクとし
てＮ１膜１２０全〔エツチングＱ；）ＩＮ（Ｊ３：Ｎ２
０□＝１０：１（容量比）、エツチング速度；２２ｎｍ
／ｓｅｃ （２５Ｃ））、’Ｅたは〔エツチング液；
ＣＨ３Ｃ０ＯＨ： ＨＮＯ，： Ｈ，ＰＯ４： Ｎ２８
０４＝５：３：１：１（容量比）、エツチング速度；８
ｎｒｎ／５ｅｃ（２５Ｃ）Ｊの条件でケミカルエツチン
グ全行なう。これらのエツチング液はアンダーカットが
少ない。
次にＣｒ膜１１０を〔エツチング液；２５先Ｃｅ （Ｎ
Ｕ３） ” ２ＮＨ４ＮＯ３浴液、エツチング速ｉ；
６．５ｎｎ］／５ｅｅ（２５１１；Ｊ ）の条件でケミ
カルエツチングを行なう。（第４図（ｂ））このエツチ
ング浴液はアンダーカットが小きく、かつＮｉ１２０と
Ｉｎ２Ｏ３換４０との選択エツチング性も好適である。
Ｕ３） ” ２ＮＨ４ＮＯ３浴液、エツチング速ｉ；
６．５ｎｎ］／５ｅｅ（２５１１；Ｊ ）の条件でケミ
カルエツチングを行なう。（第４図（ｂ））このエツチ
ング浴液はアンダーカットが小きく、かつＮｉ１２０と
Ｉｎ２Ｏ３換４０との選択エツチング性も好適である。
次に、Ｉｎ、Ｏ，族４０金（エッチ／グ液；４７ＮＨＢ
ｒ溶液、エツチング速ｉ ； ４２ ｎ ｍ／５ｅｃ
（３５ｃ）：）またはしエツチング欣；５７嶌）ＩＩ浴
溶液エツチング速ＩＡｔ；６０ｎｍ／５ｅｃ（３５Ｃ）
）の条件でケミカルエツチングを行ない、第２図（ａ）
に示す透明導電膜のパターン形状のＩｎ２Ｏ，４を形成
する。（第４図（Ｃ））これらのエツチング液は、アン
ダーカットが少なく、かつＮｉ１２０．Ｃｒ１１０との
選択エツチング性も好適であるが、ＨＢｒ浴液の方が安
価であるので、コスト低減になる。
ｒ溶液、エツチング速ｉ ； ４２ ｎ ｍ／５ｅｃ
（３５ｃ）：）またはしエツチング欣；５７嶌）ＩＩ浴
溶液エツチング速ＩＡｔ；６０ｎｍ／５ｅｃ（３５Ｃ）
）の条件でケミカルエツチングを行ない、第２図（ａ）
に示す透明導電膜のパターン形状のＩｎ２Ｏ，４を形成
する。（第４図（Ｃ））これらのエツチング液は、アン
ダーカットが少なく、かつＮｉ１２０．Ｃｒ１１０との
選択エツチング性も好適であるが、ＨＢｒ浴液の方が安
価であるので、コスト低減になる。
次ニキンレン系のホトレジスト除去液等で第１のホトレ
ジストパターン９１を剥離する。
ジストパターン９１を剥離する。
次に、第２図（ａ）に示す金属膜のパターン５形状の第
２のホトレジストパターン９２をＮ １ｍｔ２゜上に形
成する。（第４図（ｄ）） 第２のホトレジストパターン９２をマスクとして、前述
の同様の条件で、Ｎｉ膜１２０とＣｒ＃１１０盆ケミカ
ルエツチングし、第２図（ａ）に示す金属膜のパターン
５の形状のＮｉ１２とＣｒ１ｌと音形成する。（第４図
（ｅ）） 次にキシレン系ホトレジスト除去液等で第２のホトレジ
ストパターン９２を剥離して、第２図（ａ）（ｂ）に示
すような所望のパターンが形成される。
２のホトレジストパターン９２をＮ １ｍｔ２゜上に形
成する。（第４図（ｄ）） 第２のホトレジストパターン９２をマスクとして、前述
の同様の条件で、Ｎｉ膜１２０とＣｒ＃１１０盆ケミカ
ルエツチングし、第２図（ａ）に示す金属膜のパターン
５の形状のＮｉ１２とＣｒ１ｌと音形成する。（第４図
（ｅ）） 次にキシレン系ホトレジスト除去液等で第２のホトレジ
ストパターン９２を剥離して、第２図（ａ）（ｂ）に示
すような所望のパターンが形成される。
（第４図（ｆ））
本実施例によって侍られたＣｒ −Ｎ ｉ二層膜では、
基板２および１ｎ２０３４との密着性は下層がＣｒ１ｌ
であることから良好で、かつ、接続端子部での半田付性
は上層がＮｉ１２であることから良いことを確認した。
基板２および１ｎ２０３４との密着性は下層がＣｒ１ｌ
であることから良好で、かつ、接続端子部での半田付性
は上層がＮｉ１２であることから良いことを確認した。
また、Ｃｒ−Ｎ１二１−膜において、Ｃｒ１ｌは密層性
をとる役目であることからＣｒ換厚は２５０Å以上あれ
ばよいことがわかった。２５０Å以下の場合、Ｃｒ１１
が面内で島状になシ、つながらないことから基板２およ
び１ｎ２Ｑ３４の密層性がとれないことがわかった。し
かし Ｃｒ膜厚は電気抵抗の点で必要以上に厚くする必
要がなく、２５０〜１（１００人の範囲が最適である。
をとる役目であることからＣｒ換厚は２５０Å以上あれ
ばよいことがわかった。２５０Å以下の場合、Ｃｒ１１
が面内で島状になシ、つながらないことから基板２およ
び１ｎ２Ｑ３４の密層性がとれないことがわかった。し
かし Ｃｒ膜厚は電気抵抗の点で必要以上に厚くする必
要がなく、２５０〜１（１００人の範囲が最適である。
また、Ｎｉ１２は、電気抵抗を小さくする役目を持って
おり、１０００人程度６れば、０６８Ω／ ｓ ｑの抵
抗値があるため、金ｐＡ膜の幅が１０μ程度の微細パタ
ーンになったとしても十分であることを確認している。
おり、１０００人程度６れば、０６８Ω／ ｓ ｑの抵
抗値があるため、金ｐＡ膜の幅が１０μ程度の微細パタ
ーンになったとしても十分であることを確認している。
同、本実施例に於いては、透明導電膜として（９）
Ｉｎ２０．’を例にとって説明したが、これ以外にも５
ｎ０２でも良い。
ｎ０２でも良い。
また、金属膜としては、Ｃｒ−Ｎ１膜に限定する必要は
なく、電気抵抗が小さく、ホトエツチングが容易で、鞘
“朋良くバターニングでき、基板及び透明導電膜との密
層性が良く、かつ半田付性がよく、化学的に安定性が高
いことを満足する金属、Ｃｒ −Ｃｕ 、 Ｃｒ −
Ａ ｕ 、 Ｎ Ｉ Ｃｒ −Ｃｕ 、 ＮＩＣ−
Ａｕ、 ’ｌ’１−Ｎｉ、 Ｔｉ−Ｃｕ、 Ｔｉ −Ａ
ｕ等にも本発明は適用できうる。なお、Ｃｒ−Ａｕ。
なく、電気抵抗が小さく、ホトエツチングが容易で、鞘
“朋良くバターニングでき、基板及び透明導電膜との密
層性が良く、かつ半田付性がよく、化学的に安定性が高
いことを満足する金属、Ｃｒ −Ｃｕ 、 Ｃｒ −
Ａ ｕ 、 Ｎ Ｉ Ｃｒ −Ｃｕ 、 ＮＩＣ−
Ａｕ、 ’ｌ’１−Ｎｉ、 Ｔｉ−Ｃｕ、 Ｔｉ −Ａ
ｕ等にも本発明は適用できうる。なお、Ｃｒ−Ａｕ。
Ｎ１Ｃｒ−ｋｕ及びＴ１−Ａｕの場合は、Ａｕの膜厚は
厚くして、半田くわ扛を防止する必要がある。
厚くして、半田くわ扛を防止する必要がある。
壕だ、接続端子部の接続面が、ＡＵ、Ｎｉ、等の半田付
性が悪いもの及び半田付ｉ後の強度が不十分であるもの
は、接続向に半田のぬれ性が良いＣｕ等の金属をめっき
、蒸宥、スパッタ法等によって設けるか、接続方法を半
田打法以外の方法、例えば４電エシストマ法を用いる等
の対策を施しても良い。
性が悪いもの及び半田付ｉ後の強度が不十分であるもの
は、接続向に半田のぬれ性が良いＣｕ等の金属をめっき
、蒸宥、スパッタ法等によって設けるか、接続方法を半
田打法以外の方法、例えば４電エシストマ法を用いる等
の対策を施しても良い。
（１０）
以上述べたように、本発明によれは、抵抗が小さく、ホ
トエツチングが容易で、精度良くパターニングでき、基
板及び透明導電膜との密層性がよく、かつ半田付性がよ
く、化学的に安定性が高い金属膜を有する電極板の製造
方法を得ることができる。
トエツチングが容易で、精度良くパターニングでき、基
板及び透明導電膜との密層性がよく、かつ半田付性がよ
く、化学的に安定性が高い金属膜を有する電極板の製造
方法を得ることができる。
第１図は、電極基板の一例である液晶表示パネルの一例
金示す図、第２図は第１図の部分Ｂの拡大図、第３図は
従来例による電極基板の製造工程を示す図、第４図は本
発明による電極基板の製造工程の一実施例を示す図であ
る。 ２・・・基板、４．４０・・・■ｎ２０３．１１，１１
Ｏ・・・ＣｒＸ １２，１２０−・・Ｎｉ、９１＝−第
１のホトレジストパターン、９２・・・第２のホトレジ
ストパタ（１１） 第 ／ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
金示す図、第２図は第１図の部分Ｂの拡大図、第３図は
従来例による電極基板の製造工程を示す図、第４図は本
発明による電極基板の製造工程の一実施例を示す図であ
る。 ２・・・基板、４．４０・・・■ｎ２０３．１１，１１
Ｏ・・・ＣｒＸ １２，１２０−・・Ｎｉ、９１＝−第
１のホトレジストパターン、９２・・・第２のホトレジ
ストパタ（１１） 第 ／ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- １、透明絶縁基板の一方の主表面を透明導電膜で覆う第
１の工程と、上記透明導電膜をＣｒ、 Ｃｒ合金、或い
はＴＩからなる第１層と、該第１層上に設けられ、かつ
Ｎｉ、Ａｕ、或いはＣｕから成る第２層とから形成され
る金属膜で覆う第２の工程と、上記金属膜と上記透明４
′＃Ｌ膜とを第１のパターン形状のマスクでエツチング
する第３の工程と、上記金属膜を第２のパターン形状の
マスクでエツチングする第４の工程とを具備すること’
ｔ％徴とする電極板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2610582A JPS58145014A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 電極板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2610582A JPS58145014A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 電極板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145014A true JPS58145014A (ja) | 1983-08-29 |
| JPH0239044B2 JPH0239044B2 (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12184309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2610582A Granted JPS58145014A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 電極板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927409A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-13 | カシオ計算機株式会社 | 電極の形成方法 |
| JPS62231224A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル及びその製造法 |
| JP2000075807A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 表示装置用電極基板およびその製造方法 |
| JP2005293937A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Harima Chem Inc | 導電性ｉｔｏ膜上、あるいは導電性ｉｔｏ膜の下地基板とするガラス基板表面上への金属薄膜層の形成方法、および該方法による導電性ｉｔｏ膜上、あるいは導電性ｉｔｏ膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49125845A (ja) * | 1973-04-06 | 1974-12-02 |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2610582A patent/JPS58145014A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239044B2 (ja) | 1990-09-04 |
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