JPS58137247A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58137247A JPS58137247A JP57018741A JP1874182A JPS58137247A JP S58137247 A JPS58137247 A JP S58137247A JP 57018741 A JP57018741 A JP 57018741A JP 1874182 A JP1874182 A JP 1874182A JP S58137247 A JPS58137247 A JP S58137247A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ａ）発明の利用分野
本発明は、固体撮像素子を用いたテレビカメラに関し、
特に被数個の固体撮像素子を用いたカラーテレビカメラ
用に好適な固体撮像装置に関する。
特に被数個の固体撮像素子を用いたカラーテレビカメラ
用に好適な固体撮像装置に関する。
伐）゛従来技術
（支）体操像装置の方式は■ＭＯＳ （Ｍｅｔａｌ Ｏ
ｘｉｄｅ５ｅｍｉｃａｎｄｕｃｔｏｒ ）形■ＣＴ Ｄ
（Ｃｈａｒｇｅ ＴｒａｎｓｔｅｒＤｅｖｉｃｅ ）
形■ＣＩ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ
１）ｅｖｉｃｅ）形の３つに大別でき、それぞれ撮像装
置が必要とする光電変換機能、走査愼能に特色がある。
ｘｉｄｅ５ｅｍｉｃａｎｄｕｃｔｏｒ ）形■ＣＴ Ｄ
（Ｃｈａｒｇｅ ＴｒａｎｓｔｅｒＤｅｖｉｃｅ ）
形■ＣＩ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ
１）ｅｖｉｃｅ）形の３つに大別でき、それぞれ撮像装
置が必要とする光電変換機能、走査愼能に特色がある。
これらを用いたテレビカメラの水平解像力を同上させる
手段として画素ずらし法がめる。以下この方法について
ＭＯＳ形の固体撮像装置を用いた３板民カラーカメラを
例に説明する。
手段として画素ずらし法がめる。以下この方法について
ＭＯＳ形の固体撮像装置を用いた３板民カラーカメラを
例に説明する。
第１図（Ｊｉ）は、固体撮像素子を３個用いる３板式カ
ラーカメラの概要を示す図である。レンズ１４を通った
光は一３色分解用のダイクロイックプリズム１５などに
より赤光（Ｒ）緑光（Ｇ）青光（Ｂ）成分に分解され、
それぞれＲ，Ｇ、Ｂ用同体撮偉素子１２，１１．１３に
結偉し、光１１！変換されるものである。従来の固体撮
像装置にνいては撮像素子１１，１２，１３の各画素の
光学的位置関係は正確に重なる様に位置合せがなされて
おり、信号も各画素の光学的位置が正確に重なる様に時
系列的に取り出していた。画素ずらし法とは上記のよう
になっていた撮像素子の光学的位１１を第１図Φ）のよ
うにすることである。すなわち、実線で示す撮像素子１
１は点線で示す撮像素子１２，１３に比べて画素ピッチ
ＰＩＩの１／またけ光学的位置間ｉｋ水平方向にずらす
。さらに信号もこれに合わせ＃！２図に示すごとくｌ／
２画素分だけ時間的にずらして取シ出す。２１，２２．
２３はそれぞれ撮ｇＩ素子１１，１２．１３からの画像
信号である。このように時間的にずらすためには°水平
走査パルスをＧ用撮ｒ＊＊子１１に対し、Ｒ用およびＢ
用撮像素子１２．１３では１８０＠遅延させればよい。
ラーカメラの概要を示す図である。レンズ１４を通った
光は一３色分解用のダイクロイックプリズム１５などに
より赤光（Ｒ）緑光（Ｇ）青光（Ｂ）成分に分解され、
それぞれＲ，Ｇ、Ｂ用同体撮偉素子１２，１１．１３に
結偉し、光１１！変換されるものである。従来の固体撮
像装置にνいては撮像素子１１，１２，１３の各画素の
光学的位置関係は正確に重なる様に位置合せがなされて
おり、信号も各画素の光学的位置が正確に重なる様に時
系列的に取り出していた。画素ずらし法とは上記のよう
になっていた撮像素子の光学的位１１を第１図Φ）のよ
うにすることである。すなわち、実線で示す撮像素子１
１は点線で示す撮像素子１２，１３に比べて画素ピッチ
ＰＩＩの１／またけ光学的位置間ｉｋ水平方向にずらす
。さらに信号もこれに合わせ＃！２図に示すごとくｌ／
２画素分だけ時間的にずらして取シ出す。２１，２２．
２３はそれぞれ撮ｇＩ素子１１，１２．１３からの画像
信号である。このように時間的にずらすためには°水平
走査パルスをＧ用撮ｒ＊＊子１１に対し、Ｒ用およびＢ
用撮像素子１２．１３では１８０＠遅延させればよい。
また、撮像素子１１，１２．１３を同一の水平走査パル
スで駆動し、Ｒ用およびＢ用撮像素子の出力信号を遅延
回路を通して１／２画素分遅延させてもよい。
スで駆動し、Ｒ用およびＢ用撮像素子の出力信号を遅延
回路を通して１／２画素分遅延させてもよい。
水平のＭ偉力を決定する輝度信号に、このようにして得
られるＲ、 Ｇ、 Ｂ信号を用いるとＧ用撮像素子１１
の信号をＲ用およびＢ用操ｇｌ！素子１２゜１３の信号
が補間する形となり、水平解像力は個々の撮イ象素子の
能力の２倍にすることができる。
られるＲ、 Ｇ、 Ｂ信号を用いるとＧ用撮像素子１１
の信号をＲ用およびＢ用操ｇｌ！素子１２゜１３の信号
が補間する形となり、水平解像力は個々の撮イ象素子の
能力の２倍にすることができる。
換言すれば水平方向の画素数を２倍にしたのと等価な輝
度信号になる。
度信号になる。
一方、上記に述べた画素ずらし法の他に以下に述べるよ
うな一体撮像素子の画素配置の９爽によって水平解像、
力を向上させる手段が提案されてい、゛、。
うな一体撮像素子の画素配置の９爽によって水平解像、
力を向上させる手段が提案されてい、゛、。
る。第３図（ａ）はこれを説明するための図である。
各々斜線で示した部分は撮像素子内部の画素を表わして
いる。画素の位置関係は、水平方向に寄数行と偶数行が
互いに１／２画素だけずれている。
いる。画素の位置関係は、水平方向に寄数行と偶数行が
互いに１／２画素だけずれている。
ここで説明を簡単にするため信号読み出し方法を２ライ
ン同時読み出し方式とし、ｌライン目の画素３１と２ラ
イン目の画素３２の信号を読み出す場合に注目して説明
する。
ン同時読み出し方式とし、ｌライン目の画素３１と２ラ
イン目の画素３２の信号を読み出す場合に注目して説明
する。
いま、画厘シフトレジスタ４０によシ１２イン目と２ラ
イン目のアナログスイッチ４１．４２が同時にオン状態
になシ、また水平シフトレジスタ３０により１列目のア
ナログスイッチ３３．３４がオン状ＭＫなったものとす
る。この状態では、画素３１と３２に蓄積された信号電
荷が読み出されることになる。ところが、この２つの信
号電荷の光学的位置関係は相対的に１／Ｚｉｍ素分だけ
ずれているにもかかわらず、時間的に信号電荷が同時に
読み出される。そこで、増幅器３５と３６で各々を増幅
した後、増幅器３６の出力信号を運−回路３７によ）ｌ
／２画素に相当する分だけ遅延させて加算回路３８によ
シ出力信号３５と加え合わせる。このような信号処理を
次々に行なうことによって、すでに述べた画素ずらし法
と同様の原理で水平ラインの１行目の画素を２行目の画
素が補間することになり、水平解像力を向上することが
できる。
イン目のアナログスイッチ４１．４２が同時にオン状態
になシ、また水平シフトレジスタ３０により１列目のア
ナログスイッチ３３．３４がオン状ＭＫなったものとす
る。この状態では、画素３１と３２に蓄積された信号電
荷が読み出されることになる。ところが、この２つの信
号電荷の光学的位置関係は相対的に１／Ｚｉｍ素分だけ
ずれているにもかかわらず、時間的に信号電荷が同時に
読み出される。そこで、増幅器３５と３６で各々を増幅
した後、増幅器３６の出力信号を運−回路３７によ）ｌ
／２画素に相当する分だけ遅延させて加算回路３８によ
シ出力信号３５と加え合わせる。このような信号処理を
次々に行なうことによって、すでに述べた画素ずらし法
と同様の原理で水平ラインの１行目の画素を２行目の画
素が補間することになり、水平解像力を向上することが
できる。
なお、第３図（ａ）では水平シフトレジスタ３０１シ得
られる同一の出力信号でアナログスイッチ３：１，３４
を同時にオン状態にするので、時間位置変換のための信
号処理に遅延回路が会費となるが、第３図咎）に示した
ように水平シフトレジスタ３０′を第３図（荀の２倍の
段数にして、２倍の周波数の水平走査パルスで駆動すれ
ばアナログスイッチ３３’ 、３４’は独立にオン状態
になるので、遅延Ｉｇ１Ｍを必豊としない信号処理を行
なえる。
られる同一の出力信号でアナログスイッチ３：１，３４
を同時にオン状態にするので、時間位置変換のための信
号処理に遅延回路が会費となるが、第３図咎）に示した
ように水平シフトレジスタ３０′を第３図（荀の２倍の
段数にして、２倍の周波数の水平走査パルスで駆動すれ
ばアナログスイッチ３３’ 、３４’は独立にオン状態
になるので、遅延Ｉｇ１Ｍを必豊としない信号処理を行
なえる。
（３）発明の目的
本発明は上記の従来技術よシ奄、さらに高解偉力を得る
ためのカラー固体撮像装置を提供することを目的とする
。
ためのカラー固体撮像装置を提供することを目的とする
。
０） 笑施例
以下、本発明を笑施例を参照して詳細に説明する。
本発明の一実施例を第４図（ａｉ）、 ｌ））、 （Ｃ
）を用いて説明する。第４゛図（ａ）は第３図Ｃ）の撮
像素子すなわち２次元状に配列され、かつ水平方向の奇
数行と隅数行の位置関係が相対的に１／２画素だけずれ
ている撮像素子ｔ−３個使用した３板カラーカメラでの
画素の配置を示しておシ、Ｇ用撮偉素子５１はＲ用およ
びＢ用撮像素子５２．５３に対し、光学的な位置関係を
水平方向へ水平方向のＩｍ素ピッｆ Ｐ ｔａ （Ｄ
ｌ ／ ４だけずらしたものである。このとき各撮ｇＩ
Ｉ素子から得られる画像信号は第４図（ロ）に示すごと
＜、Ｒ用およびＢ用撮儂素子から出力する信号６２．６
３はＧ用撮像素子から出力する信号６１よシも１／４画
素分だけ時間位置をずらして散り出す、ここで６１．６
２．６３はそれぞれ撮像素子５１，５２．５８からの画
像信号であり、撮像素子からの信号読み出し方法ｔ−２
２イン同時で行なっている。このように光学的位置と時
間位置とｔ一致させるためには、水平シフトレジスタを
駆動するパルスｆ：Ｇ用撮儂素子５１に対し、Ｒ用およ
びＢ用撮像素子５２．５３で９０°だけ遅延させればよ
い、あるいは第４図（Ｃ） Ｋ示す遅延回路を用いた回
路構成によっても可能である。３個の撮像素子５１，５
２，５３ｆ：同時に駆動して得られた信号ＧＩ−Ｇｍ
、 Ｒ１，Ｒ雪ａ Ｂｌ ＊ Ｂ。
）を用いて説明する。第４゛図（ａ）は第３図Ｃ）の撮
像素子すなわち２次元状に配列され、かつ水平方向の奇
数行と隅数行の位置関係が相対的に１／２画素だけずれ
ている撮像素子ｔ−３個使用した３板カラーカメラでの
画素の配置を示しておシ、Ｇ用撮偉素子５１はＲ用およ
びＢ用撮像素子５２．５３に対し、光学的な位置関係を
水平方向へ水平方向のＩｍ素ピッｆ Ｐ ｔａ （Ｄ
ｌ ／ ４だけずらしたものである。このとき各撮ｇＩ
Ｉ素子から得られる画像信号は第４図（ロ）に示すごと
＜、Ｒ用およびＢ用撮儂素子から出力する信号６２．６
３はＧ用撮像素子から出力する信号６１よシも１／４画
素分だけ時間位置をずらして散り出す、ここで６１．６
２．６３はそれぞれ撮像素子５１，５２．５８からの画
像信号であり、撮像素子からの信号読み出し方法ｔ−２
２イン同時で行なっている。このように光学的位置と時
間位置とｔ一致させるためには、水平シフトレジスタを
駆動するパルスｆ：Ｇ用撮儂素子５１に対し、Ｒ用およ
びＢ用撮像素子５２．５３で９０°だけ遅延させればよ
い、あるいは第４図（Ｃ） Ｋ示す遅延回路を用いた回
路構成によっても可能である。３個の撮像素子５１，５
２，５３ｆ：同時に駆動して得られた信号ＧＩ−Ｇｍ
、 Ｒ１，Ｒ雪ａ Ｂｌ ＊ Ｂ。
をそれぞれ増幅器５４．’５５，５６．５７，５８゜５
９で増幅した後、遅延回路６４，６５．６６によシＧ鵞
＠ Ｒ１ｍ Ｂｍの信号を１／２ｉ！ｉ素だけ遅延させ
る。その後、各々Ｇ１． Ｒｔ 、 Ｂｔの信号とを加
算回路６７．６８．６９により加え合わせＧ、Ｒ，Ｈの
信号を得る。さらに、遅延回路８１゜８２によりＲおよ
びＢの信号を１／４ｍ１１素分だけ遅延させＲ，Ｇ、Ｂ
信号の光学的位置と時間位置とを一致させることができ
る。このように光学的位置と時間位置とが全く一致した
信号Ｒ，Ｇ、 Ｂをそれぞれ定まった比率で加え合わせ
て輝度信号成分Ｙ（Ｙ＝、０．３Ｂ＋０．５９Ｇ＋０．
１１Ｂ）を作る。この輝度信号成分はカフ−固体撮像装
置の解儂力を決定するものであり、本実施例第４図（ａ
）においては、Ｇ用撮像素子５１をＢ用およびＢ用撮偉
素子５２．５３が補間する形になるので、水平解儂力は
個々の撮像素子の能力の２倍にすることができる。
９で増幅した後、遅延回路６４，６５．６６によシＧ鵞
＠ Ｒ１ｍ Ｂｍの信号を１／２ｉ！ｉ素だけ遅延させ
る。その後、各々Ｇ１． Ｒｔ 、 Ｂｔの信号とを加
算回路６７．６８．６９により加え合わせＧ、Ｒ，Ｈの
信号を得る。さらに、遅延回路８１゜８２によりＲおよ
びＢの信号を１／４ｍ１１素分だけ遅延させＲ，Ｇ、Ｂ
信号の光学的位置と時間位置とを一致させることができ
る。このように光学的位置と時間位置とが全く一致した
信号Ｒ，Ｇ、 Ｂをそれぞれ定まった比率で加え合わせ
て輝度信号成分Ｙ（Ｙ＝、０．３Ｂ＋０．５９Ｇ＋０．
１１Ｂ）を作る。この輝度信号成分はカフ−固体撮像装
置の解儂力を決定するものであり、本実施例第４図（ａ
）においては、Ｇ用撮像素子５１をＢ用およびＢ用撮偉
素子５２．５３が補間する形になるので、水平解儂力は
個々の撮像素子の能力の２倍にすることができる。
第５図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）を用いて本発明の他
の実施例を説明する。第５図（ａ）は第３図（ａ）の撮
像素子すなわち２次元状に配列され、かつ水平方向の奇
数行と偶数行の位置関係が相対的に１／２画素だけずれ
ている撮像素子３個使用した時の画素の配置を示してお
シ、Ｇ用撮像素ビア１をＲ用およびＢ用撮像素子７２．
７３に比べて垂直方向へ１ラインだけ光学的位置をずら
したものである。さて、このような画素配置になってい
る力２−固体撮偉装置の信号読み出し方式は２ライン同
時方式で行ない、それぞれの撮像素子？１，７２．７３
を同時に駆動する。すなわち第５図（ａ）ではＧ用撮儂
素子７１においてＧ、のラインとＧ、のラインを同時に
走査し、同様にＲ用およびＢ用撮像素子７２゜７３では
Ｍ、のライ゛ンとＭ！のラインを同時に走査する。とこ
ろが、撮像素子自体の画素の光学的位置が水平方向の奇
数行と偶数行で１／２画素ずれているにもかかわらず、
２ライン同時読み出しを行なうと撮像素子からの信号は
同じ時間位置く出力される。そこで、第５図世）に示す
ように各々の撮像素子から出力された信号を増＠話９１
゜９２．９３，９４，９５．９６で増幅した後、遅延回
路７４，７５，７６によ）光学的位置と時間位置とを一
致させてから加算回路７７．７８゜７９で加え合わせＧ
、Ｒ，Ｂ信号を得る。このようにして得た信号を時間位
置で表わし友ものが第５図（Ｃ）である。この図からも
明らかなように、Ｇ用撮儂素子７１の水平方向の奇数行
と偶数行で１／２ｄｊずれた部分ｔ−Ｒ用およびＢ用撮
像素子７２．７３が補間することになシ、水平層偉力を
個々の撮像素子の能力よりも向上させることができる。
の実施例を説明する。第５図（ａ）は第３図（ａ）の撮
像素子すなわち２次元状に配列され、かつ水平方向の奇
数行と偶数行の位置関係が相対的に１／２画素だけずれ
ている撮像素子３個使用した時の画素の配置を示してお
シ、Ｇ用撮像素ビア１をＲ用およびＢ用撮像素子７２．
７３に比べて垂直方向へ１ラインだけ光学的位置をずら
したものである。さて、このような画素配置になってい
る力２−固体撮偉装置の信号読み出し方式は２ライン同
時方式で行ない、それぞれの撮像素子？１，７２．７３
を同時に駆動する。すなわち第５図（ａ）ではＧ用撮儂
素子７１においてＧ、のラインとＧ、のラインを同時に
走査し、同様にＲ用およびＢ用撮像素子７２゜７３では
Ｍ、のライ゛ンとＭ！のラインを同時に走査する。とこ
ろが、撮像素子自体の画素の光学的位置が水平方向の奇
数行と偶数行で１／２画素ずれているにもかかわらず、
２ライン同時読み出しを行なうと撮像素子からの信号は
同じ時間位置く出力される。そこで、第５図世）に示す
ように各々の撮像素子から出力された信号を増＠話９１
゜９２．９３，９４，９５．９６で増幅した後、遅延回
路７４，７５，７６によ）光学的位置と時間位置とを一
致させてから加算回路７７．７８゜７９で加え合わせＧ
、Ｒ，Ｂ信号を得る。このようにして得た信号を時間位
置で表わし友ものが第５図（Ｃ）である。この図からも
明らかなように、Ｇ用撮儂素子７１の水平方向の奇数行
と偶数行で１／２ｄｊずれた部分ｔ−Ｒ用およびＢ用撮
像素子７２．７３が補間することになシ、水平層偉力を
個々の撮像素子の能力よりも向上させることができる。
（６）まとめ
以上説明したごとく本発明によれば、２次元状に配列さ
れ、かつ水平方向の奇数行と偶数行の光学的位置関係が
相対的に１／２画票ずれた固体撮像素子を複数個使用し
たとき、最適量の画素ずらしを行なうことによって水平
解像度を同上させ、よシ高解像力の撮像装置が実現でき
る。
れ、かつ水平方向の奇数行と偶数行の光学的位置関係が
相対的に１／２画票ずれた固体撮像素子を複数個使用し
たとき、最適量の画素ずらしを行なうことによって水平
解像度を同上させ、よシ高解像力の撮像装置が実現でき
る。
第１図（ａ）および（ｂ）は画素ずらし法を説明するた
めの図、第２図は画素ずらし法によって読み出される信
号の光学的位置関係を時間的に示した図、第３図（ａ）
、 （ｂ）は奇数行と偶数行で１／２画素ずれた撮像素
子を用いた信号処理方法を説明するための図、＃Ｉ４図
（ａ）、Φ）、 （Ｃ）は本発明の第１の実施例を説明
した図、第５図（ａ）、Φ）ｓ （Ｃ）は本発明の第２
の実施例を説明した図である。 １１〜１３・・・撮像素子、１４・・・レンズ、１５・
・・ダイクロイックプリズム、２１〜２３・・・画像信
号、３０・・・水平シフトレジスタ、３１．３２・・・
画素、３３．３４・・・アナログスイッチ、３５．３６
・・・増巾器、４１．４２・・・アナログスイッチ、５
１〜５３・・・撮像素子、５４〜５９・・・増巾器、６
１〜６３・・・画像信号、６４〜６６・・・遅延回路、
６７〜′￥Ｊ１図 （久） ３ ＜ｂ） ’ｆｉＺ 図 ￥Ｊ ３ 図 （リ ジ ￥Ｊ ３ 図 Ｃｂ） 口 ′ＪＰ５ 国 （幻 り１ １５ｓ 目（す
めの図、第２図は画素ずらし法によって読み出される信
号の光学的位置関係を時間的に示した図、第３図（ａ）
、 （ｂ）は奇数行と偶数行で１／２画素ずれた撮像素
子を用いた信号処理方法を説明するための図、＃Ｉ４図
（ａ）、Φ）、 （Ｃ）は本発明の第１の実施例を説明
した図、第５図（ａ）、Φ）ｓ （Ｃ）は本発明の第２
の実施例を説明した図である。 １１〜１３・・・撮像素子、１４・・・レンズ、１５・
・・ダイクロイックプリズム、２１〜２３・・・画像信
号、３０・・・水平シフトレジスタ、３１．３２・・・
画素、３３．３４・・・アナログスイッチ、３５．３６
・・・増巾器、４１．４２・・・アナログスイッチ、５
１〜５３・・・撮像素子、５４〜５９・・・増巾器、６
１〜６３・・・画像信号、６４〜６６・・・遅延回路、
６７〜′￥Ｊ１図 （久） ３ ＜ｂ） ’ｆｉＺ 図 ￥Ｊ ３ 図 （リ ジ ￥Ｊ ３ 図 Ｃｂ） 口 ′ＪＰ５ 国 （幻 り１ １５ｓ 目（す
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 光電変換を行なう画素が２次元のマトリクス状に
配列され、かつ水平方向の奇数行目と偶数行目での上記
光電変換を行なう画素の位置関係が互いに上記光＊変＊
を行なう画素の水平方向の繰り返し距離の１／２だけず
れた（６）体操像装置ｍを複数個用いて構成するカラー
同体操像装置において、繭配一体操像装置の１つの光学
的位ｆｔｆ：他の固体撮像装置に対して、水平方向へ上
記変電ｆ換を行なう画素の水平方向の繰り返し距離の１
７４ だけずらして１置することを特徴とする一体撮像
装置。 ２ 光電変換を行なう画素が２次元のマトリクス状に配
列され、かつ水平方向の奇数行目と偶数行目での上記光
電変換を行なう画素の位置関係が互いに上記光電変換を
行なう画素の水平方向の繰り返し距離の１／２だけずれ
た一体撮像装置をＩｉＩ数個用いて構成するカラー固体
撮像装置において、前起固体操像装置の１つの光学的位
ｔｔを他の一体撮像装置に対して、垂直方向へ上記光′
１変換を行なう画素の１ラインの間隔に寺しい距離ずら
して配置することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018741A JPS58137247A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018741A JPS58137247A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137247A true JPS58137247A (ja) | 1983-08-15 |
| JPH05915B2 JPH05915B2 (ja) | 1993-01-07 |
Family
ID=11980080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57018741A Granted JPS58137247A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961096A (en) * | 1987-07-02 | 1990-10-02 | Rikagaku Kenkyusho | Semiconductor image position sensitive device with primary and intermediate electrodes |
| US8253818B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Pixel shift type imaging device |
| US8537256B2 (en) | 2009-10-07 | 2013-09-17 | Panasonic Corporation | Image pickup device and solid-state image pickup element |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52135212A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Sony Corp | Image pickup device |
| JPS52137924A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-17 | Sony Corp | Colour solid photographing device |
| JPS5640546A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Sekisui Jushi Kk | Special metallic painted body and its painting method |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP57018741A patent/JPS58137247A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52135212A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Sony Corp | Image pickup device |
| JPS52137924A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-17 | Sony Corp | Colour solid photographing device |
| JPS5640546A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Sekisui Jushi Kk | Special metallic painted body and its painting method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961096A (en) * | 1987-07-02 | 1990-10-02 | Rikagaku Kenkyusho | Semiconductor image position sensitive device with primary and intermediate electrodes |
| US8253818B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Pixel shift type imaging device |
| US8537256B2 (en) | 2009-10-07 | 2013-09-17 | Panasonic Corporation | Image pickup device and solid-state image pickup element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05915B2 (ja) | 1993-01-07 |
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