JPS58103172A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPS58103172A JPS58103172A JP56202850A JP20285081A JPS58103172A JP S58103172 A JPS58103172 A JP S58103172A JP 56202850 A JP56202850 A JP 56202850A JP 20285081 A JP20285081 A JP 20285081A JP S58103172 A JPS58103172 A JP S58103172A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
- G11C19/285—Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
-
- H01L29/76883—
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明Ｆｉｍ荷転退転送装置するものであル、特にその
高速駆動に関するものである０ 電荷転送装置は、第１図に示すように、半導体基板１の
表面上に酸化１１１２を介して連続して配設され九複数
の電荷転送電極４．５．６に、転送用電圧としてり四ツ
クｙｊ１−１ｍ −ｙ３ｓを加えることによシ、これら
転送電極４．５．６下に形成される電荷転送チャネルを
用いて電荷の転送を行なうものである。転送された電荷
は出力ゲート７を介して電荷検出用拡散層９に転送され
、こζから出力用Ｎ０８ト２ンジスタ１１のゲートに加
えられ、負荷抵抗１２に得られる電圧を出力としてｓｒ
出す。
高速駆動に関するものである０ 電荷転送装置は、第１図に示すように、半導体基板１の
表面上に酸化１１１２を介して連続して配設され九複数
の電荷転送電極４．５．６に、転送用電圧としてり四ツ
クｙｊ１−１ｍ −ｙ３ｓを加えることによシ、これら
転送電極４．５．６下に形成される電荷転送チャネルを
用いて電荷の転送を行なうものである。転送された電荷
は出力ゲート７を介して電荷検出用拡散層９に転送され
、こζから出力用Ｎ０８ト２ンジスタ１１のゲートに加
えられ、負荷抵抗１２に得られる電圧を出力としてｓｒ
出す。
出力動作以外で祉ゲート８に加わるリセットパルスｆｉ
ｌでドレイン拡散領域ｌＯに電荷が送られ消滅する。な
お、以後の説明においては、説明を簡単にするために表
面チャネル形電荷結合装置を用いた揚台について行ない
、基板はＰ型半導体とし、転送されるキャリアは電子と
する〇 第１Ｅに示すような電荷転送装置において、駆動ドライ
バー１６から見たとζろの勢価回路は兎２図のようにな
る。ここで（’ｌ ＠ Ｃ＠ ＊ ｃ、は各々の電荷転
送用電極の基板に対する答量七あ九〇１−２ＣＩ−１，
Ｃｌ−１は各々の電荷転送用電極の電極間容量であｐ％
ＣＬＩ。ＣＬｌ、ＣＬｓは各クロックラインの配線容量
である。
ｌでドレイン拡散領域ｌＯに電荷が送られ消滅する。な
お、以後の説明においては、説明を簡単にするために表
面チャネル形電荷結合装置を用いた揚台について行ない
、基板はＰ型半導体とし、転送されるキャリアは電子と
する〇 第１Ｅに示すような電荷転送装置において、駆動ドライ
バー１６から見たとζろの勢価回路は兎２図のようにな
る。ここで（’ｌ ＠ Ｃ＠ ＊ ｃ、は各々の電荷転
送用電極の基板に対する答量七あ九〇１−２ＣＩ−１，
Ｃｌ−１は各々の電荷転送用電極の電極間容量であｐ％
ＣＬＩ。ＣＬｌ、ＣＬｓは各クロックラインの配線容量
である。
一方、Ｒφ１．Ｒφ寓、Ｒφ魯は転送電極４．５．６の
ゲート酸化層、および各々の転送電極間の絶縁膜の静電
ｌｌｔ壊に対する保匪のために挿入され九ものであるＯ ところが、これら容量ｃ１〜ｃ、 、 Ｃｓ−３，Ｊ：
ｓ−ｓ、ＣＩ、１〜Ｃいと抵抗８φ１．４φ３の存在に
よｐ１以下に述べる理由よ）、電荷転送装置の最高駆動
周波数が制御される。すなわち、いま８４図に示すよう
に、！ＩＤ端子に方形波入力を加えても、実際ρ１ゲー
トに加わる電圧Ｖφ、は第４図のようになってしまう。
ゲート酸化層、および各々の転送電極間の絶縁膜の静電
ｌｌｔ壊に対する保匪のために挿入され九ものであるＯ ところが、これら容量ｃ１〜ｃ、 、 Ｃｓ−３，Ｊ：
ｓ−ｓ、ＣＩ、１〜Ｃいと抵抗８φ１．４φ３の存在に
よｐ１以下に述べる理由よ）、電荷転送装置の最高駆動
周波数が制御される。すなわち、いま８４図に示すよう
に、！ＩＤ端子に方形波入力を加えても、実際ρ１ゲー
トに加わる電圧Ｖφ、は第４図のようになってしまう。
この為ゲートに加わる電圧Ｖφ、の波形なまりは、ｆＢ
ｔゲート下のポテンシャル井戸のポテンシャル変化速度
を低下せしめ、１回の電荷転送にかかる時間の増加をひ
き起ζす。この増加は特に、出力部でのスピード低下を
ひき起こす。
ｔゲート下のポテンシャル井戸のポテンシャル変化速度
を低下せしめ、１回の電荷転送にかかる時間の増加をひ
き起ζす。この増加は特に、出力部でのスピード低下を
ひき起こす。
第４図のタイミングチャートに示すように、時刻−にお
いて戸ＲＩ／ｃ“高ルベルを加え、Ｍ２Ｓト〉ンジスタ
Ｔｒｓを６導通１させ、ＭＯ８）ランジスタＴｒｌのソ
ース電位ｖｌｔＢＪ０８）２ンジスタＴｒｓのドレイン
電位ＶＯＤと同電位に設定する。時刻ｔｌ Ｋ Ｉ Ｒ
は”低１ レベルとし、Ｍ０８トランジスタＴｒｔのソ
ースである拡散層９はフローティング状態となる。この
状態後、時刻＊ｔ ｅ ｉ’ａ ＋ ’４と迩むＫつれ
、電極Ｃのゲート下のポテンシャル井戸を浅くしていき
、このポテンシャル井戸に蓄積されていたキャリアを一
定電圧Ｖｏｏが加えられている出力ゲート電極７の下の
チャネルを通し、褌ノ８トランジスタＴｒｉのソース拡
散層９に流入させる。
いて戸ＲＩ／ｃ“高ルベルを加え、Ｍ２Ｓト〉ンジスタ
Ｔｒｓを６導通１させ、ＭＯ８）ランジスタＴｒｌのソ
ース電位ｖｌｔＢＪ０８）２ンジスタＴｒｓのドレイン
電位ＶＯＤと同電位に設定する。時刻ｔｌ Ｋ Ｉ Ｒ
は”低１ レベルとし、Ｍ０８トランジスタＴｒｔのソ
ースである拡散層９はフローティング状態となる。この
状態後、時刻＊ｔ ｅ ｉ’ａ ＋ ’４と迩むＫつれ
、電極Ｃのゲート下のポテンシャル井戸を浅くしていき
、このポテンシャル井戸に蓄積されていたキャリアを一
定電圧Ｖｏｏが加えられている出力ゲート電極７の下の
チャネルを通し、褌ノ８トランジスタＴｒｉのソース拡
散層９に流入させる。
この流入キャリアによるソース拡散層９の電位変化をＭ
０８トランジスタ１１と抵抗１２よ）成るソースフォロ
ワ−回路に加えることにより、出力信号は■ｓｗｔ
端子によｐ取り出される。
０８トランジスタ１１と抵抗１２よ）成るソースフォロ
ワ−回路に加えることにより、出力信号は■ｓｗｔ
端子によｐ取り出される。
このような出力回路動作よりわかるように、ρ１ゲート
電位変化速度の低下は、り、ゲート下のポテンシャル井
戸の変化速度の低下と等価でめ夛、このことは拡散層９
に信号電荷の流入にかかる時間の増加につながる。すな
わち、第４図におけるＴＤＩの増加をひき起こす。いま
５２５Ｒの周期が一定であるとすれば、ＴＤｌの増加に
よｐ％信号電圧保持時間ＨＴ１の減少が起きるＯそのた
め、電荷転送装置の躯動胸波数を上げ、戸、の周期を短
かくした場合、ＴＤｌの期間が完了し終わらないうちに
次ｑへパルスが入ることが起きる。これは信号電荷が拡
散層９に流し終わらないうちに、拡散層９の電位をリセ
ットすることと岡じであシ、正しい信号出力が■・ｍｔ
ｍ子にはでてこない、すなわち、ＴＤｌの増加によｆ
ｉ）ｉＴｌ＝０になった時点が、この電荷転送装置の最
高駆動周波数ということになる。
電位変化速度の低下は、り、ゲート下のポテンシャル井
戸の変化速度の低下と等価でめ夛、このことは拡散層９
に信号電荷の流入にかかる時間の増加につながる。すな
わち、第４図におけるＴＤＩの増加をひき起こす。いま
５２５Ｒの周期が一定であるとすれば、ＴＤｌの増加に
よｐ％信号電圧保持時間ＨＴ１の減少が起きるＯそのた
め、電荷転送装置の躯動胸波数を上げ、戸、の周期を短
かくした場合、ＴＤｌの期間が完了し終わらないうちに
次ｑへパルスが入ることが起きる。これは信号電荷が拡
散層９に流し終わらないうちに、拡散層９の電位をリセ
ットすることと岡じであシ、正しい信号出力が■・ｍｔ
ｍ子にはでてこない、すなわち、ＴＤｌの増加によｆ
ｉ）ｉＴｌ＝０になった時点が、この電荷転送装置の最
高駆動周波数ということになる。
以上の説明よハ最高駆動周波数を上けるには。
出力ゲート直前の電荷転送用電極の電位変化スピードを
上げれはよい、しかし、以前に述べ九ように谷＊ Ｃ＠
〜ＣＢ 、 Ｃｓ−雪〜Ｃｔ−ｓ、ＣＬｔ〜ＣＬｓと
抵抗〜１〜〜．の存在によ）、このスピードは制限され
、スピード向上の丸めの％ｔ 〜％−の値の低下は、静
電耐圧の減少となって表われ好ましくなく、また容量低
下は信号電荷量の減少となるためこれも好ましくない。
上げれはよい、しかし、以前に述べ九ように谷＊ Ｃ＠
〜ＣＢ 、 Ｃｓ−雪〜Ｃｔ−ｓ、ＣＬｔ〜ＣＬｓと
抵抗〜１〜〜．の存在によ）、このスピードは制限され
、スピード向上の丸めの％ｔ 〜％−の値の低下は、静
電耐圧の減少となって表われ好ましくなく、また容量低
下は信号電荷量の減少となるためこれも好ましくない。
仁のように、従来の電荷転送装置においては、静電耐圧
の向上のための入力保瞳抵抗の増加線最高駆動周波数の
減少をもたらしていた。
の向上のための入力保瞳抵抗の増加線最高駆動周波数の
減少をもたらしていた。
本発明は、仁のような事情に鑑みてなされたｔので、静
電耐圧の低下を起こすことなる電荷転送装置の最高駆動
周波数の増加を提供することを目的とする。
電耐圧の低下を起こすことなる電荷転送装置の最高駆動
周波数の増加を提供することを目的とする。
本発明によれば、半導体基板表面に絶縁膜を介して転送
電極および出力ゲート電電が設けられ、前記半導体基板
の前記出力ゲート直下部に少なくとも隣接して電荷検出
用領域として配置され良前記半導体基板とは逆の導電型
領域とを備えてなる電荷転送装置において、前記出力ゲ
ートの直前の転送電極を、他の転送電極とは別配線とす
ることを物像とする電荷転送装置が得られる。
電極および出力ゲート電電が設けられ、前記半導体基板
の前記出力ゲート直下部に少なくとも隣接して電荷検出
用領域として配置され良前記半導体基板とは逆の導電型
領域とを備えてなる電荷転送装置において、前記出力ゲ
ートの直前の転送電極を、他の転送電極とは別配線とす
ることを物像とする電荷転送装置が得られる。
次に実施例に従い、図面を用いて本発明を説明する。
第６図は、本発明の一実施例を示す模式的に表わした平
面因で、第１図と同じ部分には同じ番号が付されている
。出力電極７直前の転送電極６′の配線を電極６“ と
回部して電圧を加える偽ゲート電極６と別記線とし、入
力保護抵抗Ｒ１ｔＯ，〜１も異なる値とする。ζうする
ことによシ、電極６“の電圧変化速度は他のへ電極に比
べて速くなる。
面因で、第１図と同じ部分には同じ番号が付されている
。出力電極７直前の転送電極６′の配線を電極６“ と
回部して電圧を加える偽ゲート電極６と別記線とし、入
力保護抵抗Ｒ１ｔＯ，〜１も異なる値とする。ζうする
ことによシ、電極６“の電圧変化速度は他のへ電極に比
べて速くなる。
なぜならば、第３図の等価回路よりわかるように為り端
子よ）電極６′に加わる西。のパルスの時定数Ｔ、・は τ” ＝”＊ｓｏ Ｘ （ＣＩ−冨＋Ｃｘ＋ Ｃ１−ｏ
Ｇ＋ＣＬｏ）”（１）であるが、ρ１Ｄ端子より他のゲ
ートに加わる偽ノくルスの時定数τ、は ｒ、＝ＲφｔＸ ’Ｌ （Ｃ１−２＋Ｃｔ＋Ｃｔ−ｓ）
Ｘへ＋ Ｃ１−ｏａ ＋ ＣＬ ｓ ） ・”
”・＜２）と大きなものになってしまう０ここでへは
電荷転送装置の転送段数、具体的数値を上るならば、Ｒ
φ１゜＝＝１１（Ω、Ｒφ、＝１００Ωｅ Ｌ＊ ”
０．５ ｐ” ｅＣｌ−１＝Ｃ１−１＝ｃ１−ＯＧ＝α
０５ｐｋ’ｃＬＯ” １０ ｐ” ＋ ＬＬｓ ” １
０ ｐｌ”τ１６＝ ｌＸ１０”ＸＩＱ、５Ｘ１０””
＝ １０ （ｎｓｅｃ）”ｔ ＝ １００Ｘ６１０．
０５Ｘ１０−″１２二６１ （ｎｓｅｃ）と＃ｔは時定
数として６倍の差がある。また入力保賎としてＩＫΩ以
上のものを用いれば入力保護としての役目をはたすこと
は実験的に明らかにされている・ これらのことよ）、出力電極の直前の転送電極のみを別
記線にすることにより、静電耐圧を低下させることなく
、その出力電極の直前の転送電極の電圧変化速度を上げ
ることができる。このようにしてこの電極の電圧変化速
度を上げることができる良め、以前に記したように信号
電荷が拡散層９に流入する速度が向上し、電荷転送装置
の最高駆動周波数の向上が実現できるに のようにして本発明を実施すれば静電耐圧の低下をひき
起こさずに電荷転送装置の最高駆動周波数の向上が実現
でき、その効果は大であるｏｈ４図には、従来の方式と
本発明の方式を用いた場合の転送電極に加わる波形と出
力波形との差を示している。また、第５図には、第４図
に示すｔ、〜−の時刻でのポテンシャル電位と電荷の流
れを示している。
子よ）電極６′に加わる西。のパルスの時定数Ｔ、・は τ” ＝”＊ｓｏ Ｘ （ＣＩ−冨＋Ｃｘ＋ Ｃ１−ｏ
Ｇ＋ＣＬｏ）”（１）であるが、ρ１Ｄ端子より他のゲ
ートに加わる偽ノくルスの時定数τ、は ｒ、＝ＲφｔＸ ’Ｌ （Ｃ１−２＋Ｃｔ＋Ｃｔ−ｓ）
Ｘへ＋ Ｃ１−ｏａ ＋ ＣＬ ｓ ） ・”
”・＜２）と大きなものになってしまう０ここでへは
電荷転送装置の転送段数、具体的数値を上るならば、Ｒ
φ１゜＝＝１１（Ω、Ｒφ、＝１００Ωｅ Ｌ＊ ”
０．５ ｐ” ｅＣｌ−１＝Ｃ１−１＝ｃ１−ＯＧ＝α
０５ｐｋ’ｃＬＯ” １０ ｐ” ＋ ＬＬｓ ” １
０ ｐｌ”τ１６＝ ｌＸ１０”ＸＩＱ、５Ｘ１０””
＝ １０ （ｎｓｅｃ）”ｔ ＝ １００Ｘ６１０．
０５Ｘ１０−″１２二６１ （ｎｓｅｃ）と＃ｔは時定
数として６倍の差がある。また入力保賎としてＩＫΩ以
上のものを用いれば入力保護としての役目をはたすこと
は実験的に明らかにされている・ これらのことよ）、出力電極の直前の転送電極のみを別
記線にすることにより、静電耐圧を低下させることなく
、その出力電極の直前の転送電極の電圧変化速度を上げ
ることができる。このようにしてこの電極の電圧変化速
度を上げることができる良め、以前に記したように信号
電荷が拡散層９に流入する速度が向上し、電荷転送装置
の最高駆動周波数の向上が実現できるに のようにして本発明を実施すれば静電耐圧の低下をひき
起こさずに電荷転送装置の最高駆動周波数の向上が実現
でき、その効果は大であるｏｈ４図には、従来の方式と
本発明の方式を用いた場合の転送電極に加わる波形と出
力波形との差を示している。また、第５図には、第４図
に示すｔ、〜−の時刻でのポテンシャル電位と電荷の流
れを示している。
以上の説明は表面チャネルＣＯＤについて行なったが、
装置の一部あるいは全ての部分が押込チャネルであるよ
うなＣＣＤ、更にはＨＢＤＫも適用しうろことはいうま
でもない。を喪中導体基板もｐ型に限らず、導電型の極
性を逆にし、電位の正負を逆にすれば７Ｌ型型半体基板
でもよい。
装置の一部あるいは全ての部分が押込チャネルであるよ
うなＣＣＤ、更にはＨＢＤＫも適用しうろことはいうま
でもない。を喪中導体基板もｐ型に限らず、導電型の極
性を逆にし、電位の正負を逆にすれば７Ｌ型型半体基板
でもよい。
第１図は従来の電荷転送装置の一例を示す模式的に表わ
した断面図、第２図は第１！！Ｑの電荷転送装置の駆動
ドライバーから見たところの等価回路、第３図は本発明
の一実施例における駆動ドライバーから見たところの等
価回路、第４図は電荷転送装置の動作を説明するための
タインングチャート、第５図祉第４図のそれぞれの時刻
でのポテンシャル関係と電荷の流入を示す模式図で、同
図（ａ）は従来方式の場合、同図（−は本発明の一実施
例による方式の場合、第６図は本発明の一実施例を示す
模式的に表わし丸断面図である。 ｌ・・・・・・Ｐ型中導体基板、２・・・・・・ゲート
絶縁膜、３・・・・・・電極間絶縁膜、 ４．５．６’
、６“・・・・・・転送電極、７・・・・・・出力ゲー
ト電極、８・・・・・・ｈＡ＜）Ｓ ）ランジスタのゲ
ート電極、９・・・・・・Ｎ型電荷検出用拡散層、１０
・・・・・・Ｍ０８トランジスタのドレイン、１１・・
・・・・出力用Ｍ０８トランジスタ、−１２・・・・・
・抵抗。 阜 ２ 図 Ｏ６ 竿２３ 凹 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５６年 特許 願第２０！８
５０号２、発明の名称 電荷転送装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル日本電気株式会社内 （６６９１） 弁理士 内 原 晋電話東京（０
３）４５６−３１１１（大代表）（連絡先 日本電気株
式会社特許部） 明細書の「発明の詳細な説明」Ｏ欄および図面＆ 補正
の内容 イ、明細書第７頁８行目（２）式のｒｒｓ ＝Ｒφｓ
ｘ（（Ｃｓ−ｓ＋ｃｌ ＋Ｃｌ−１）ＸＮ＋Ｃｌ４Ｇ＋
ＣＬｌ）をｒｆｓ”Ｂ−ｘ（（Ｃ１４＋ＣＩ＋Ｃｌ−１
）ＸＮ＋ＣＬ１ ）Ｋ訂正する。 町 明細書画γ買１３行目のｒＣＬＩ＝１０ＰＦＪ。 後Ｋｒ 、Ｎ−１０００Ｊｔ’ｍ加ｔ！。 ハ、明細書第８頁２行目の「τ重Ｗ１００Ｘ６１α０５
×１０−”：６１（ｎｓｅｃ） Ｊをｒｒｔ＝１ｏｏｘ
ｓｔα００×１０ ” （ｎ５ｅｃ ） Ｊに訂正する
。 へ 図面１１６図を別紙のように訂正する。 ２ 添付書類の１鍮 （訂正）第６図 １通
した断面図、第２図は第１！！Ｑの電荷転送装置の駆動
ドライバーから見たところの等価回路、第３図は本発明
の一実施例における駆動ドライバーから見たところの等
価回路、第４図は電荷転送装置の動作を説明するための
タインングチャート、第５図祉第４図のそれぞれの時刻
でのポテンシャル関係と電荷の流入を示す模式図で、同
図（ａ）は従来方式の場合、同図（−は本発明の一実施
例による方式の場合、第６図は本発明の一実施例を示す
模式的に表わし丸断面図である。 ｌ・・・・・・Ｐ型中導体基板、２・・・・・・ゲート
絶縁膜、３・・・・・・電極間絶縁膜、 ４．５．６’
、６“・・・・・・転送電極、７・・・・・・出力ゲー
ト電極、８・・・・・・ｈＡ＜）Ｓ ）ランジスタのゲ
ート電極、９・・・・・・Ｎ型電荷検出用拡散層、１０
・・・・・・Ｍ０８トランジスタのドレイン、１１・・
・・・・出力用Ｍ０８トランジスタ、−１２・・・・・
・抵抗。 阜 ２ 図 Ｏ６ 竿２３ 凹 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５６年 特許 願第２０！８
５０号２、発明の名称 電荷転送装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル日本電気株式会社内 （６６９１） 弁理士 内 原 晋電話東京（０
３）４５６−３１１１（大代表）（連絡先 日本電気株
式会社特許部） 明細書の「発明の詳細な説明」Ｏ欄および図面＆ 補正
の内容 イ、明細書第７頁８行目（２）式のｒｒｓ ＝Ｒφｓ
ｘ（（Ｃｓ−ｓ＋ｃｌ ＋Ｃｌ−１）ＸＮ＋Ｃｌ４Ｇ＋
ＣＬｌ）をｒｆｓ”Ｂ−ｘ（（Ｃ１４＋ＣＩ＋Ｃｌ−１
）ＸＮ＋ＣＬ１ ）Ｋ訂正する。 町 明細書画γ買１３行目のｒＣＬＩ＝１０ＰＦＪ。 後Ｋｒ 、Ｎ−１０００Ｊｔ’ｍ加ｔ！。 ハ、明細書第８頁２行目の「τ重Ｗ１００Ｘ６１α０５
×１０−”：６１（ｎｓｅｃ） Ｊをｒｒｔ＝１ｏｏｘ
ｓｔα００×１０ ” （ｎ５ｅｃ ） Ｊに訂正する
。 へ 図面１１６図を別紙のように訂正する。 ２ 添付書類の１鍮 （訂正）第６図 １通
Claims (1)
- 半導体基板表面上に絶縁層を介して転送電極および出力
ゲート電極が設けられ、前記牛導体ｉｋ板の前記出力ダ
ート直下部に少なくとも隣接して電荷検出用領域どして
配置された前記半導体基板とは逆の導電型領域とを備え
てなる電荷転送装置において、前記出力ゲート直前の転
送電極を他の転送電極とは別配線とすることを特徴とす
る電荷転送装置〇
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202850A JPS58103172A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 電荷転送装置 |
| US06/450,177 US4554675A (en) | 1981-12-16 | 1982-12-16 | Charge transfer device operative at high speed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202850A JPS58103172A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 電荷転送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103172A true JPS58103172A (ja) | 1983-06-20 |
| JPH0322055B2 JPH0322055B2 (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16464222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56202850A Granted JPS58103172A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 電荷転送装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4554675A (ja) |
| JP (1) | JPS58103172A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257573A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS63316577A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
| US5189499A (en) * | 1990-02-21 | 1993-02-23 | Sony Corporation | Charge-coupled device and process of fabrication thereof |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6358968A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷結合素子 |
| JP2727584B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| FR2645323B1 (fr) * | 1989-03-28 | 1992-11-27 | Thomson Composants Militaires | Registres de lecture du type a transfert de charges a grande dynamique de sortie |
| JP2509740B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1996-06-26 | 株式会社東芝 | 電荷転送装置 |
| JP3259573B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2002-02-25 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置及びその駆動方法 |
| JP3747845B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2006-02-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| US20030103155A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Eastman Kodak Company | Image sensor clock driver having efficient energy consumption |
Family Cites Families (6)
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| DE2743245A1 (de) * | 1977-09-26 | 1979-04-05 | Siemens Ag | Ladungsgekoppeltes bauelement |
| US4178519A (en) * | 1978-08-16 | 1979-12-11 | General Electric Company | Input circuit for charge transfer apparatus |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56202850A patent/JPS58103172A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-16 US US06/450,177 patent/US4554675A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5189499A (en) * | 1990-02-21 | 1993-02-23 | Sony Corporation | Charge-coupled device and process of fabrication thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4554675A (en) | 1985-11-19 |
| JPH0322055B2 (ja) | 1991-03-26 |
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