JPS58101419A - 原子層エピタキシヤル装置 - Google Patents
原子層エピタキシヤル装置Info
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- JPS58101419A JPS58101419A JP19979881A JP19979881A JPS58101419A JP S58101419 A JPS58101419 A JP S58101419A JP 19979881 A JP19979881 A JP 19979881A JP 19979881 A JP19979881 A JP 19979881A JP S58101419 A JPS58101419 A JP S58101419A
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- layer epitaxial
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は原子層エピタキシャル装置Ｋ関する。
最近、基板表面へのガス分子の吸着現象を利用して１原
子層づつ原子層を積み重ねる原子層エビ！＋シ’ｒル法
が、丁、Ｂｍｓｔｏｌ ａｔ、ａｊ。
子層づつ原子層を積み重ねる原子層エビ！＋シ’ｒル法
が、丁、Ｂｍｓｔｏｌ ａｔ、ａｊ。
１ムｔｏｘｉｃ Ｌａｙｅｒ ｌｊｊａｇｙ、、、
”、１９８０ 日ＩＤ Ｘ爲ｔａ舊ａｔイｏｎａｌ
Ｂｙｍｐｏａｉ＊ｍ、Ｄｉｇｍｍｔ ｏｆ Ｔｇａ
Ａｓイｃａｌ Ｐａｐｇｒａ、ｐ、ｐ、１０Ｂ−１０
９、ムｐｒ、１９８０−等に示されえ。
”、１９８０ 日ＩＤ Ｘ爲ｔａ舊ａｔイｏｎａｌ
Ｂｙｍｐｏａｉ＊ｍ、Ｄｉｇｍｍｔ ｏｆ Ｔｇａ
Ａｓイｃａｌ Ｐａｐｇｒａ、ｐ、ｐ、１０Ｂ−１０
９、ムｐｒ、１９８０−等に示されえ。
しかし、上記原子層エピタキシャル法では２種類以上の
原子を一原子層内に均一に分布した状態で形成する事は
不可能である。
原子を一原子層内に均一に分布した状態で形成する事は
不可能である。
そこで、本発明は上記従来技術の欠点のない、２種類以
上の原子をも一原子層内に形成できる新しい原子層エピ
タキシャル装置を提供することを目的とする。
上の原子をも一原子層内に形成できる新しい原子層エピ
タキシャル装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する丸めの本発明の基本的構成は、原子
層エピタキシャル装置において、少すくと本イオン源と
、該イオン源から５００ボルト以下の低電圧で加速し、
基板表面に前記イオンを軟着陸させる部位を具備するこ
とを特徴とする。
層エピタキシャル装置において、少すくと本イオン源と
、該イオン源から５００ボルト以下の低電圧で加速し、
基板表面に前記イオンを軟着陸させる部位を具備するこ
とを特徴とする。
以下、実施例に沿うて本発明を具体的に詳述する。
第１図は本発明による原子層エピタキシャル装置の基本
構成を模式的に示し友ものである。ｌはイオン源であり
、２はイオン化すべ龜種を供給す為導入口、３は高周波
電源に連らなり九発振極橡であ〕、イオン種をガス、プ
ラズマ６によ）発生させる為に用いる。４社プラズマ電
位を定める電極であり、５の低電圧加速電極との関に１
メルトから５００ボルト以下の電位をよせ、プラズマ６
から低電圧でイオンを引出す丸めに用いる。７は試料基
板である。これらの処理は真空内で行なわれる。
構成を模式的に示し友ものである。ｌはイオン源であり
、２はイオン化すべ龜種を供給す為導入口、３は高周波
電源に連らなり九発振極橡であ〕、イオン種をガス、プ
ラズマ６によ）発生させる為に用いる。４社プラズマ電
位を定める電極であり、５の低電圧加速電極との関に１
メルトから５００ボルト以下の電位をよせ、プラズマ６
から低電圧でイオンを引出す丸めに用いる。７は試料基
板である。これらの処理は真空内で行なわれる。
上記第１図の基本構成の原子層エピタキシャル装置を応
用することＫよシ、第２図に示すとと１原子層エビタ中
シャル処履が可能となる。第２図μｍは１種のイオンな
基穢表面１１に原子層エピタキシャルを施し九場合のエ
ピタキシャル原子層ｏ装置を模式的に示しえもので、１
価の正電荷をもつ九イオン種１２は、イオン種が低電圧
加速によるため、基板１１に打込まれる事なく、表面に
等間隔で配列すゐ、イオン種が等間隔で配列する原因は
、イオン種が勢価で構成され、各々が同価のクーロン力
で反発するためである。いま、質量分析部をイオン＠ｔ
Ｖ移送部に取シ付叶、２価のイオン種のみに基板表面に
軟着陸させると、第２図（３）に示す如く、イオン種２
２は基８２１上に第２図（ＡｊＫ示すイオン間隔の２倍
の間隔で勢間隔に並ぶこととなる。更に、いま、２価の
８（＋１イオン３２を基板３１上に形成し、電子線を照
射して、８イイオンを１＠（ＤＢｔ”ｌｆＣ変換後、１
価のシルオン３３を軟着陸させるととＫより、第２ｖＡ
（ａｌｌ示すごとく、ａ（とＰＯイオンが交互に等間隔
に並んだ原子層が形成される。基板への原子の固定祉基
板を３００℃強度に加熱して行なわれる。
用することＫよシ、第２図に示すとと１原子層エビタ中
シャル処履が可能となる。第２図μｍは１種のイオンな
基穢表面１１に原子層エピタキシャルを施し九場合のエ
ピタキシャル原子層ｏ装置を模式的に示しえもので、１
価の正電荷をもつ九イオン種１２は、イオン種が低電圧
加速によるため、基板１１に打込まれる事なく、表面に
等間隔で配列すゐ、イオン種が等間隔で配列する原因は
、イオン種が勢価で構成され、各々が同価のクーロン力
で反発するためである。いま、質量分析部をイオン＠ｔ
Ｖ移送部に取シ付叶、２価のイオン種のみに基板表面に
軟着陸させると、第２図（３）に示す如く、イオン種２
２は基８２１上に第２図（ＡｊＫ示すイオン間隔の２倍
の間隔で勢間隔に並ぶこととなる。更に、いま、２価の
８（＋１イオン３２を基板３１上に形成し、電子線を照
射して、８イイオンを１＠（ＤＢｔ”ｌｆＣ変換後、１
価のシルオン３３を軟着陸させるととＫより、第２ｖＡ
（ａｌｌ示すごとく、ａ（とＰＯイオンが交互に等間隔
に並んだ原子層が形成される。基板への原子の固定祉基
板を３００℃強度に加熱して行なわれる。
以上の如く、本発明によれば等間隔に並んだ原子層をエ
ピタキシャル成長できると共に、２種以上の原子を同一
原子層内に均一に配列し九原子層エピタキクヤル成長が
可能となる効果がある。
ピタキシャル成長できると共に、２種以上の原子を同一
原子層内に均一に配列し九原子層エピタキクヤル成長が
可能となる効果がある。
さらに、本発情によれば、例えば正イオンのｚｇ＆十と
陰イオンのＢ等とを交互に基板上に軟着陸させることに
よｐｚ％Ｂ勢の化合物を一化金物層として横方崗１１ｃ
Ｚ％８等の化合物として、あるいは縦方向ｙｃｚ％Ｂ等
の化合物として原子層エピタキシャル層を形成すること
もできる。
陰イオンのＢ等とを交互に基板上に軟着陸させることに
よｐｚ％Ｂ勢の化合物を一化金物層として横方崗１１ｃ
Ｚ％８等の化合物として、あるいは縦方向ｙｃｚ％Ｂ等
の化合物として原子層エピタキシャル層を形成すること
もできる。
第ｉｍｌは本発明の原子層エピタキシャル装置の基本構
成を示す模式図、第２図は本発明による原子層エピタキ
シャル処理の原子層の成員法を模式％式％ ｌ・・イオン源容器 、２・・導入口 ３・ｅ高周波電
極 ４，５・・加速電極 ６・・プラズマ７ 、１１
、２１ 、３］・・試料基＠ １２，２２，３２，３
３＠・イオン種。 以 上 出願人 株式会社−訪精工★ 代通人 弁理士最 上 務 一； −−−： １ １ ： 二二二ト／７ 第１図 第２３
成を示す模式図、第２図は本発明による原子層エピタキ
シャル処理の原子層の成員法を模式％式％ ｌ・・イオン源容器 、２・・導入口 ３・ｅ高周波電
極 ４，５・・加速電極 ６・・プラズマ７ 、１１
、２１ 、３］・・試料基＠ １２，２２，３２，３
３＠・イオン種。 以 上 出願人 株式会社−訪精工★ 代通人 弁理士最 上 務 一； −−−： １ １ ： 二二二ト／７ 第１図 第２３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌｌ 少なくともイオン源と、骸イオン源からイオ
ンを５００ボルト以下の低電圧で加速し、基板表ｉ１Ｋ
ｍ記イオンを軟着陸させる部位を具備することを特徴と
する原子層エピタキシャル装−０（２１２つ以上のイオ
ン源を具備する特許請求の範囲第１項記載の原子層エピ
タキシャル装置。 １３１ イオン源から２種以上の原子イオンを発生す
るイオン源を具備する特許請求の範囲第１項記載の原子
層エピタキシャル装置。 ■ イオン源から２種以上の電荷量を有する原子イオン
を発生するイオン源機構を具備する特許請求の＠１第１
項記載の原子層エピタキシャル装置。 １５１ イオン源と低電圧加速電子照射機構を具備す
る電子層エピタキシャル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19979881A JPS58101419A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 原子層エピタキシヤル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19979881A JPS58101419A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 原子層エピタキシヤル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101419A true JPS58101419A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16413792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19979881A Pending JPS58101419A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 原子層エピタキシヤル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474847B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 다성분계 박막 및 그 형성 방법 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19979881A patent/JPS58101419A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474847B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 다성분계 박막 및 그 형성 방법 |
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