JPS58107641A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
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- JPS58107641A JPS58107641A JP20642881A JP20642881A JPS58107641A JP S58107641 A JPS58107641 A JP S58107641A JP 20642881 A JP20642881 A JP 20642881A JP 20642881 A JP20642881 A JP 20642881A JP S58107641 A JPS58107641 A JP S58107641A
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- resin
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/1815—Shape
- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の改良に関し、特にその樹脂封止
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来、電子時計、カメラ、その他の半導体装置における
工０チップの封止方法は、謔１図−第２図（ａ） 、
（ｂ）Ｋ示すように、装置の薄型・小型・工程の簡略化
ｔｉｉかるため、はんだバンプ２を有するＩＣチップ１
（７リツプチツプ）を回路パターン５′ｇ１：有する回
路基板４の所定位置に外部加熱（ヒーターツール等）に
より溶融接合させ、上記ｘＯ＋ツ７’ｌ’ｉ覆うように
樹脂封止していた。その方法Ｆｌ、９２図・（ａ） Ｋ
示すように７エースダウン接合さｎた工Ｏチップ１の側
面よシ機械的・マニュアル的に液状樹脂５を注入し完全
封止させる方法や、第２図・（ｂ）Ｋ示すような回路基
板４０所定位置に貫通孔６を設け、液状樹脂５を回路基
板４の裏側より注入させ封止していた。
工０チップの封止方法は、謔１図−第２図（ａ） 、
（ｂ）Ｋ示すように、装置の薄型・小型・工程の簡略化
ｔｉｉかるため、はんだバンプ２を有するＩＣチップ１
（７リツプチツプ）を回路パターン５′ｇ１：有する回
路基板４の所定位置に外部加熱（ヒーターツール等）に
より溶融接合させ、上記ｘＯ＋ツ７’ｌ’ｉ覆うように
樹脂封止していた。その方法Ｆｌ、９２図・（ａ） Ｋ
示すように７エースダウン接合さｎた工Ｏチップ１の側
面よシ機械的・マニュアル的に液状樹脂５を注入し完全
封止させる方法や、第２図・（ｂ）Ｋ示すような回路基
板４０所定位置に貫通孔６を設け、液状樹脂５を回路基
板４の裏側より注入させ封止していた。
しかし、上記実装では、注入する樹脂量の一定化が噛れ
ず、樹脂流れ・ｍ脂不足等によシ工程不良を伴い、歩留
り低下とともに、大幅な修正時間に費やしていた・又、
貫通孔ｒ通しての樹脂注入においては、樹脂熱硬化時に
発注するアウトガスが抜けきｎず、気泡として残るため
、ｇｉＩｌ性の悪い半導体装置となっていた。
ず、樹脂流れ・ｍ脂不足等によシ工程不良を伴い、歩留
り低下とともに、大幅な修正時間に費やしていた・又、
貫通孔ｒ通しての樹脂注入においては、樹脂熱硬化時に
発注するアウトガスが抜けきｎず、気泡として残るため
、ｇｉＩｌ性の悪い半導体装置となっていた。
本発明は、上記欠点を除去するもので半導体装置の高信
頼かつ、工０チップ封止の簡略化ｋｊｌかり、薄型・小
型化実１ｉｋ目的とする。
頼かつ、工０チップ封止の簡略化ｋｊｌかり、薄型・小
型化実１ｉｋ目的とする。
以下、図面と共に本発明の好適な実施例について詳細に
説明する。
説明する。
第３図（ａ）（呻は本発明に係る樹脂封止方法における
樹脂印刷形成方法で、ｉｌ状倒脂１５＃′ｉチクソトロ
ビックな特性を有した加熱硬化タイプのエポキシ系樹脂
である。この液状樹脂１ｓｔ−はんだバンプ１２に一有
した工０チップ１１の厚みに比例した印刷ｉスフ２０Ｑ
介してＩＣチップ１１の外形より［ｌＬ１〜［１５、■
のすき間Ｄ’Ｊｆもたせて、印刷樹脂成形（ステンシル
法）する。この際、液状樹脂はチクソトロビツク性があ
るため短時間の常温下なら印刷形状を保っている。又、
印刷マスク２００劇質としては、メタルマスクが好まし
い。更にこの状態で第３区・（ｃ）に示すように、はん
だバンプ１２會有するＩＣチップ１１を回路パターン１
２に加熱浴融接合する沈め、ヒーターツール５０ｔ−直
接ＩＣチップ底面５１ＶＣ＠触させる。このヒーターツ
ール３０の温度は、２７０℃〜３００℃の高温下で使用
さｎるため、上紀工Ｃチップ底面５１とヒーターツール
３０の接触時に、回路基板１４・回路パターン１３に熱
が伝導され熱硬化タイプである液状樹脂１５の粘性が低
下し、表面張力作用により高温下のＩＣチップ１１にす
い込まれる。この状態では、ヒーターツール３０の接触
時間が短いため、液状樹脂１５は、はんだバンプ１２で
接合さｆ′した工Ｃチップ１１’ｌｊ完全被覆すること
はできないが、その後工程として、キュア炉を通して第
４図のごとく完全封止することができる。
樹脂印刷形成方法で、ｉｌ状倒脂１５＃′ｉチクソトロ
ビックな特性を有した加熱硬化タイプのエポキシ系樹脂
である。この液状樹脂１ｓｔ−はんだバンプ１２に一有
した工０チップ１１の厚みに比例した印刷ｉスフ２０Ｑ
介してＩＣチップ１１の外形より［ｌＬ１〜［１５、■
のすき間Ｄ’Ｊｆもたせて、印刷樹脂成形（ステンシル
法）する。この際、液状樹脂はチクソトロビツク性があ
るため短時間の常温下なら印刷形状を保っている。又、
印刷マスク２００劇質としては、メタルマスクが好まし
い。更にこの状態で第３区・（ｃ）に示すように、はん
だバンプ１２會有するＩＣチップ１１を回路パターン１
２に加熱浴融接合する沈め、ヒーターツール５０ｔ−直
接ＩＣチップ底面５１ＶＣ＠触させる。このヒーターツ
ール３０の温度は、２７０℃〜３００℃の高温下で使用
さｎるため、上紀工Ｃチップ底面５１とヒーターツール
３０の接触時に、回路基板１４・回路パターン１３に熱
が伝導され熱硬化タイプである液状樹脂１５の粘性が低
下し、表面張力作用により高温下のＩＣチップ１１にす
い込まれる。この状態では、ヒーターツール３０の接触
時間が短いため、液状樹脂１５は、はんだバンプ１２で
接合さｆ′した工Ｃチップ１１’ｌｊ完全被覆すること
はできないが、その後工程として、キュア炉を通して第
４図のごとく完全封止することができる。
以上のように本発明によれば、チクソトロビツク性の液
状樹脂を印刷マスクによって印刷形成するため、マスク
形状・厚みに比例した定量側腹が供給可能となるため、
従来の欠点である１Ｍ脂流れ樹脂不足・気泡等の問題が
解消さｎた。更に１は／Ｖだバンプを有するＩＣチップ
菅加熱溶融接合す ［ると同時に、樹脂封止形状が
決まるため、簡略化実装がはかれると共に、機械化によ
る自動化が容易となり、信頼性が高く薄型・小型な半導
体装置髪供給でき、この実装活用方法は、他の半導体装
置に広く応用できる。
状樹脂を印刷マスクによって印刷形成するため、マスク
形状・厚みに比例した定量側腹が供給可能となるため、
従来の欠点である１Ｍ脂流れ樹脂不足・気泡等の問題が
解消さｎた。更に１は／Ｖだバンプを有するＩＣチップ
菅加熱溶融接合す ［ると同時に、樹脂封止形状が
決まるため、簡略化実装がはかれると共に、機械化によ
る自動化が容易となり、信頼性が高く薄型・小型な半導
体装置髪供給でき、この実装活用方法は、他の半導体装
置に広く応用できる。
体装置の桐脂封止実装例の断面図。 ′第３図（ａ
）・（ｂ）・（Ｃ）・第４図は、そ１ぞｎ本発明に係る
半導体装置の樹脂封止実施例でその工程順と完成はｎた
半導体装置の断面図である。 １１１１・・・ＩＣチップ ２・１２・・・はんだバンプ ５・１３・・・回路パターン ４・１４・・・回路基板 １５・・・チクソトロビツク性ＩｆＩ４ｙＮ２０・・・
印刷マスク ５０・・・ヒーターツール 以 上 第１図 第２図（ｄ） 第２図（ｂ）
）・（ｂ）・（Ｃ）・第４図は、そ１ぞｎ本発明に係る
半導体装置の樹脂封止実施例でその工程順と完成はｎた
半導体装置の断面図である。 １１１１・・・ＩＣチップ ２・１２・・・はんだバンプ ５・１３・・・回路パターン ４・１４・・・回路基板 １５・・・チクソトロビツク性ＩｆＩ４ｙＮ２０・・・
印刷マスク ５０・・・ヒーターツール 以 上 第１図 第２図（ｄ） 第２図（ｂ）
Claims (1)
- 回路パターン會有する回路基板と、バンプを有するＩＣ
チップｔＪ：記、回路基板にフェースダウン接合し、こ
のＩＣチップ會回合ように液状ＩＩ）１１で封止される
半導体装ｆＩＩにおいて、前記回路パターンの所定位置
にバンプを有する工０チップｔ−接合する前に、チクン
トロビック性を有した液状樹脂を印刷マスクを用いて、
前記工０チップを囲む１うに印刷形成し、前記バンプを
有するＩＯチップｒ加熱接合すると共に封止することｔ
−特命とする半導体装１の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20642881A JPS58107641A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20642881A JPS58107641A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107641A true JPS58107641A (ja) | 1983-06-27 |
Family
ID=16523210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20642881A Pending JPS58107641A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107641A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262430A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61159752A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体樹脂パツケ−ジ |
| JPS63202927A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極の接続方法 |
| JPS63241955A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Hitachi Ltd | 樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法 |
| EP0340492A2 (en) * | 1988-05-02 | 1989-11-08 | International Business Machines Corporation | Conformal sealing and interplanar encapsulation of electronic device structures |
| JPH0341146A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製法 |
| JPH03108734A (ja) * | 1989-03-14 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6054171A (en) * | 1996-09-20 | 2000-04-25 | Nec Corporation | Method for forming protruding electrode |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP20642881A patent/JPS58107641A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262430A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH027180B2 (ja) * | 1984-06-08 | 1990-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS61159752A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体樹脂パツケ−ジ |
| JPS63202927A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極の接続方法 |
| JPS63241955A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Hitachi Ltd | 樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法 |
| EP0340492A2 (en) * | 1988-05-02 | 1989-11-08 | International Business Machines Corporation | Conformal sealing and interplanar encapsulation of electronic device structures |
| EP0340492A3 (en) * | 1988-05-02 | 1990-07-04 | International Business Machines Corporation | Conformal sealing and interplanar encapsulation of electronic device structures |
| JPH03108734A (ja) * | 1989-03-14 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0341146A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製法 |
| US6054171A (en) * | 1996-09-20 | 2000-04-25 | Nec Corporation | Method for forming protruding electrode |
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