JPS58107535A - ネガ型レジスト膜の形成方法 - Google Patents
ネガ型レジスト膜の形成方法Info
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- JPS58107535A JPS58107535A JP20784881A JP20784881A JPS58107535A JP S58107535 A JPS58107535 A JP S58107535A JP 20784881 A JP20784881 A JP 20784881A JP 20784881 A JP20784881 A JP 20784881A JP S58107535 A JPS58107535 A JP S58107535A
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- resist film
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
氷見９１１は電子線、Ｘ＊、イオンビーム、紫外嗣。
遠紫外−等の放射線を用いるリングラフィ技術において
使用され為レジスト膜の形成方法に関すゐ。
使用され為レジスト膜の形成方法に関すゐ。
Ｉ！に詳しく述べれば、放射線を照射した部分のみが！
Ｉｔ、てパターンを形成すゐネガ型レジスト膜をグッズ
マ重合法により形成する方法の改良に関する・ （匂 技術の背景 電子部品の分野において、種々のパターン形成にはフォ
ト・リソグラフィが多用されており、半導体集積回路の
製造においては、現在ではもっばらフォト・リソグラフ
ィが用いられている・蛾近ではより高精度の電子ビーム
霧光も一部では採用され始めている０このためのレジス
ト材料、レジスト形成技術に関する研究が盛んＫなされ
ている。電子部品の製造プロセスに関しても、高精度な
微細パターン形成や種々の簡便さの点からいわゆるドラ
イプロセスが多用され、レジスト形成もドライプロセス
で行なっていこうという提案もあゐ０ （３）従来技術と問題点 従来のレジスト膜の形成方法としては、レジストポリ！
−を有機溶媒等の塗布溶媒に溶解した溶液を用いるスピ
ンコード法がある０この方法の欠点は次の通りであるｏ
（１）上記レジスト・ポリマーの合成は、モノ！−の精
製０重合反応、ポリ！−の回収、精製、乾燥等の複雑で
又長時間を要すゐ操作が必簀で′ｈゐ・し）レジスト・
ポリマーの溶液は保存してｖｈｂ間に塵埃等が混入した
ル、溶解しているポリマーの一部が習性しゲル状唆質に
なあととがあ〕、塗布前に溶液にろ過、遠心分離等の処
理をしてこれらの不純物を除去する必要がめる０（３）
塗布溶媒の除去、塗布時に入った狭のひずみの除去勢の
ために放射線の照射前にプリベークと呼ばれる熱旭理を
する必要があるｏ（４）膜厚が薄くなるとピンホールと
呼ばれる欠陥が増加する０特に膜厚が数千λ以下になる
とピンホールの発生が著しくなる◎ 又一方、プラズマ重合法を応用したネガ型レジストの形
成も試みられているが（特開昭５３−１３４３６６等）
、これらは反応容器の外部からコイル等によ〕、電力を
印加する方式でＴｏり、そのため蓼の形成速度が著しく
遅いという問題があゐＯ又通常行なわれている反応容器
の内部に電極を設置したプラズマ重合法で１に８形成す
ると、重合膜が高度に架橋され溶媒に不溶となるため、
ネガ型レジスト膜を形成することは困−でありたＯ本発
明の目的は、このような従来技術の各穢欠点を除去し、
又能率的でかつ信頼性の高いネガ温レジスト膜の形成方
法を提供することにある。
Ｉｔ、てパターンを形成すゐネガ型レジスト膜をグッズ
マ重合法により形成する方法の改良に関する・ （匂 技術の背景 電子部品の分野において、種々のパターン形成にはフォ
ト・リソグラフィが多用されており、半導体集積回路の
製造においては、現在ではもっばらフォト・リソグラフ
ィが用いられている・蛾近ではより高精度の電子ビーム
霧光も一部では採用され始めている０このためのレジス
ト材料、レジスト形成技術に関する研究が盛んＫなされ
ている。電子部品の製造プロセスに関しても、高精度な
微細パターン形成や種々の簡便さの点からいわゆるドラ
イプロセスが多用され、レジスト形成もドライプロセス
で行なっていこうという提案もあゐ０ （３）従来技術と問題点 従来のレジスト膜の形成方法としては、レジストポリ！
−を有機溶媒等の塗布溶媒に溶解した溶液を用いるスピ
ンコード法がある０この方法の欠点は次の通りであるｏ
（１）上記レジスト・ポリマーの合成は、モノ！−の精
製０重合反応、ポリ！−の回収、精製、乾燥等の複雑で
又長時間を要すゐ操作が必簀で′ｈゐ・し）レジスト・
ポリマーの溶液は保存してｖｈｂ間に塵埃等が混入した
ル、溶解しているポリマーの一部が習性しゲル状唆質に
なあととがあ〕、塗布前に溶液にろ過、遠心分離等の処
理をしてこれらの不純物を除去する必要がめる０（３）
塗布溶媒の除去、塗布時に入った狭のひずみの除去勢の
ために放射線の照射前にプリベークと呼ばれる熱旭理を
する必要があるｏ（４）膜厚が薄くなるとピンホールと
呼ばれる欠陥が増加する０特に膜厚が数千λ以下になる
とピンホールの発生が著しくなる◎ 又一方、プラズマ重合法を応用したネガ型レジストの形
成も試みられているが（特開昭５３−１３４３６６等）
、これらは反応容器の外部からコイル等によ〕、電力を
印加する方式でＴｏり、そのため蓼の形成速度が著しく
遅いという問題があゐＯ又通常行なわれている反応容器
の内部に電極を設置したプラズマ重合法で１に８形成す
ると、重合膜が高度に架橋され溶媒に不溶となるため、
ネガ型レジスト膜を形成することは困−でありたＯ本発
明の目的は、このような従来技術の各穢欠点を除去し、
又能率的でかつ信頼性の高いネガ温レジスト膜の形成方
法を提供することにある。
（５） 発明の構成
上記の目的は、本発明によればプラズマ重合法によシレ
ジスト膜を形成する方法において、反応容器内に相対す
る平行平板型電極の接地側電極上ＫＩ＆板を設蓋し、平
行平板型電極に印加する画−波電力をおよそＩ Ｗ／Ｃ
１１以下の所定小電力として現像液に可溶な重合膜を基
板上に形成することを特徴とするネガ型レジスト膜の形
成方法とすることによｐ達成される。
ジスト膜を形成する方法において、反応容器内に相対す
る平行平板型電極の接地側電極上ＫＩ＆板を設蓋し、平
行平板型電極に印加する画−波電力をおよそＩ Ｗ／Ｃ
１１以下の所定小電力として現像液に可溶な重合膜を基
板上に形成することを特徴とするネガ型レジスト膜の形
成方法とすることによｐ達成される。
本発明者はプラズマ重合法につき鋭意検討を行なうた結
果、プラズマ重合法により形成したｌ［Ｏ溶解性が印加
する高周波の電力、モノ！−の圧力流量に大きく依存す
ることを見出し、その現象を利用した−のである６つま
り、反応容器内に相対向する平行平板型電極を備いた反
応装置を用いてプラズマ重合法により重合膜を形成する
際、接地側電極上に基板を設着し、形成される重合膜が
現像液に可溶と１にゐような、印加電力が約ＩＷ／ｍ以
下と小さくかつモノ！−圧が数Ｔｏｒｒ以下で、又モノ
！−流量が比較的大きい重合条件でプラズマ重合を行な
わせるものである・ ４＄Ｋ、印加電力に関しては特異な性質があり、印加電
力が低い場合であっても、高分子−の形成速度は、高電
力印加時に比して岡等もしくは倍以上となることがあシ
、シか一ネガ渥レジストとして現像液に可溶な性質の重
合膜が得られる。
果、プラズマ重合法により形成したｌ［Ｏ溶解性が印加
する高周波の電力、モノ！−の圧力流量に大きく依存す
ることを見出し、その現象を利用した−のである６つま
り、反応容器内に相対向する平行平板型電極を備いた反
応装置を用いてプラズマ重合法により重合膜を形成する
際、接地側電極上に基板を設着し、形成される重合膜が
現像液に可溶と１にゐような、印加電力が約ＩＷ／ｍ以
下と小さくかつモノ！−圧が数Ｔｏｒｒ以下で、又モノ
！−流量が比較的大きい重合条件でプラズマ重合を行な
わせるものである・ ４＄Ｋ、印加電力に関しては特異な性質があり、印加電
力が低い場合であっても、高分子−の形成速度は、高電
力印加時に比して岡等もしくは倍以上となることがあシ
、シか一ネガ渥レジストとして現像液に可溶な性質の重
合膜が得られる。
プラズマ重合によるレジスト膜は、ピンホール密度を著
しく小さくで訃ｉ我々の比較実験では膜厚０．２μｍに
おいては、プラズマ重合法で形成した膜のピンホール密
度は従来のスピンコード法で形成した蓼の７／１０ Ｇ
であり、又膜厚１ｊ＋ｍ％’Ｃおいてはプラズマ重合法
で形成した膜のピンホールのピンホール密度はスピンコ
ード法で形成した膜と比較すると、 ４１に：ＩＩ厚が
薄いときにその有利性は顕著である◎尚、プラズマ重合
法で形成した膜には、七の形成機構からピンホールがな
−とｔいわれてｉるが、実際１社基板上に付着していた
馬埃等や、重合条件によりピンホールは発生する◎更に
、プラズマ重合によゐレジストにおいて特徴的な性質は
、基板の凹凸に対してほぼ同一１［厚で付着す６点であ
り、従来のスピン；−トによるし がシスト膜が、基板の凹凸にかかわらず常に表面がほと
んど平坦となることとは対称的である◎レジストの感ｆ
Ｆｉレジスト膜厚に関係し、レジスト膜厚が部分的に変
化して−るレジストに対してラインパターンの露光をな
す際、所望の通力のラインパターンと異なって、幅が部
分的に変化したパターイとなる欠点がある。
しく小さくで訃ｉ我々の比較実験では膜厚０．２μｍに
おいては、プラズマ重合法で形成した膜のピンホール密
度は従来のスピンコード法で形成した蓼の７／１０ Ｇ
であり、又膜厚１ｊ＋ｍ％’Ｃおいてはプラズマ重合法
で形成した膜のピンホールのピンホール密度はスピンコ
ード法で形成した膜と比較すると、 ４１に：ＩＩ厚が
薄いときにその有利性は顕著である◎尚、プラズマ重合
法で形成した膜には、七の形成機構からピンホールがな
−とｔいわれてｉるが、実際１社基板上に付着していた
馬埃等や、重合条件によりピンホールは発生する◎更に
、プラズマ重合によゐレジストにおいて特徴的な性質は
、基板の凹凸に対してほぼ同一１［厚で付着す６点であ
り、従来のスピン；−トによるし がシスト膜が、基板の凹凸にかかわらず常に表面がほと
んど平坦となることとは対称的である◎レジストの感ｆ
Ｆｉレジスト膜厚に関係し、レジスト膜厚が部分的に変
化して−るレジストに対してラインパターンの露光をな
す際、所望の通力のラインパターンと異なって、幅が部
分的に変化したパターイとなる欠点がある。
一方、レジストをマスクとする反応性イオン・エツチン
グ等のドライエツチングにおいてはレジスト膜は、基板
と直角な方向からエツチングされ膜厚が減少していくの
で、段差の急な基板に対してスピンコードによりレジス
トを形成するときは、骸段差部でレジストが極めて薄く
なり、エッチング過−で基板側がエツチングされる不鷹
の事故が発生し得るが、プラズマ重合にてレジストを形
成す為ときは、段差部分においても平坦部分上とほぼ同
じ膜厚でレジストが生威し、上記Ｏ下履の事故は発生し
ない・ （６）発明の実施例 実施例１ う 図ＩＫ示すよえな反応Ｉｌｌ内にシリコン基板２を投雪
し、反応容・１内を２Ｘ１０−”Ｔｏｒｒｔで排気した
・なか、基［２を支持する基台は接地側電極を兼ねてお
）冷却水を通し冷却すゐａｌＩＱが６０ｗｍ（）ＪＰＩ
Ｉｌ電極３には整合回路４を介して、高周波電源Ｓを接
続してあｔ） 、Ｉ Ｂ、＋Ｓ ６ ＭＨｚの高周波電
力を印加する様になつて込る０尚、電極の間隙は３ｓ■
としである・反応容Ｂｉ内にはモノマーガスを噴出する
噴出口を備えた導入管６が配電してあ〕、七ツマ−７を
収容する七ツマ−・ンース８はパルプ９を介して接続さ
れていゐ０モノマーの種類によっては、パルプ１０を介
して、キャリヤガスを導入して、峰ツマ−・ガスを供給
すゐＯ上記の様に、容器１内を排気した後は、中ヤリャ
ガスを導入しないでパルプ９を調整して、七ツマーガス
としてスチレンを所定圧力となるまで導入し、１３４６
ＭＨｘの高周波電力を印加し九〇このときのスチレンの
流量は８０ｍｊ／ｍｉｎである・プラズマ重合スチレン
ｇｏ溶ｓ性 表１にプラズマ重合スチレン膜の重合条件と膜の溶解性
を示す。表１に示すようにモノヤー圧０．１５Ｔｏｒｒ
においては印加電力０．０６Ｗ／ｄで形成した膜社シク
ロヘキサンに可溶であり、印加電力を増加させゐと不溶
になることがわかる・又、毫ツマー圧０．３Ｔｏｒｒに
おいても印加電力が増加すると、膜の溶解性が低下する
傾向を示す。
グ等のドライエツチングにおいてはレジスト膜は、基板
と直角な方向からエツチングされ膜厚が減少していくの
で、段差の急な基板に対してスピンコードによりレジス
トを形成するときは、骸段差部でレジストが極めて薄く
なり、エッチング過−で基板側がエツチングされる不鷹
の事故が発生し得るが、プラズマ重合にてレジストを形
成す為ときは、段差部分においても平坦部分上とほぼ同
じ膜厚でレジストが生威し、上記Ｏ下履の事故は発生し
ない・ （６）発明の実施例 実施例１ う 図ＩＫ示すよえな反応Ｉｌｌ内にシリコン基板２を投雪
し、反応容・１内を２Ｘ１０−”Ｔｏｒｒｔで排気した
・なか、基［２を支持する基台は接地側電極を兼ねてお
）冷却水を通し冷却すゐａｌＩＱが６０ｗｍ（）ＪＰＩ
Ｉｌ電極３には整合回路４を介して、高周波電源Ｓを接
続してあｔ） 、Ｉ Ｂ、＋Ｓ ６ ＭＨｚの高周波電
力を印加する様になつて込る０尚、電極の間隙は３ｓ■
としである・反応容Ｂｉ内にはモノマーガスを噴出する
噴出口を備えた導入管６が配電してあ〕、七ツマ−７を
収容する七ツマ−・ンース８はパルプ９を介して接続さ
れていゐ０モノマーの種類によっては、パルプ１０を介
して、キャリヤガスを導入して、峰ツマ−・ガスを供給
すゐＯ上記の様に、容器１内を排気した後は、中ヤリャ
ガスを導入しないでパルプ９を調整して、七ツマーガス
としてスチレンを所定圧力となるまで導入し、１３４６
ＭＨｘの高周波電力を印加し九〇このときのスチレンの
流量は８０ｍｊ／ｍｉｎである・プラズマ重合スチレン
ｇｏ溶ｓ性 表１にプラズマ重合スチレン膜の重合条件と膜の溶解性
を示す。表１に示すようにモノヤー圧０．１５Ｔｏｒｒ
においては印加電力０．０６Ｗ／ｄで形成した膜社シク
ロヘキサンに可溶であり、印加電力を増加させゐと不溶
になることがわかる・又、毫ツマー圧０．３Ｔｏｒｒに
おいても印加電力が増加すると、膜の溶解性が低下する
傾向を示す。
＠ｔ ｙツズマ重會ステレｙ＠０重舎条件と膜ＯＩＩ
解性プラズマ重合スチレン膜の電子層露光特性ネガ型レ
ジストでは、重合膜が所定現僚液に溶解す為必要がある
・上記のシクロヘキサンに可溶なプラズマ重合スチレン
ＩＩＫ電子線を露光した◎結果を表２に示す・図中Ｄｇ
ｕとは規格化残存膜厚０．５ Ｋおける電子線露光量で
あり、感度を表わす・又、図２Ｋｔ１４ツマー圧Ｑ、
３ Ｔｏｒｒ ａ印加電力０、８ Ｗ／ｃｌｆで形成し
た膜の感度曲線を示す・図２の横軸には電子線露光量（
Ｃ／ｄ）をとってあり、縦軸には規格化残存ｌｌｌ［厚
をとっである０なシ、加速電圧は１！ＯＫＶ、初期膜厚
１μｍで現儂はシクロヘキサン（２０℃）２０秒行なワ
た結果である・この膜の感度は８ｘｌＯ−’ｏｒ値Ｆｉ
３ノｏ’であ為・！Ｉ２よシ、シクロヘキサンに可溶愈
重合膜は全てネガ曹を形成できることがわかる・又表２
よりｅツマ−圧０．３Ｔｏｒｒ一定の時を比較すゐと印
加電力０．８ Ｗ／ｃ１１で形成した膜が印加電力０．
２Ｗ／ｃＩ＆で形唆した膜より感度が約２倍高いことが
わが為・このＭ因としでは、印加電力が高い条件で形成
したＩ［は璧ツマー分子に与えられるエネルギーが多く
、活性糧の密ｋが高いため重合反応が進行し分子量が高
くなっていることが考えられる〇本実施例のグッズマ重
合スチレンレジストでは、幅１．Ｂμｍのネガ截レジス
トパターンが形成できる。
解性プラズマ重合スチレン膜の電子層露光特性ネガ型レ
ジストでは、重合膜が所定現僚液に溶解す為必要がある
・上記のシクロヘキサンに可溶なプラズマ重合スチレン
ＩＩＫ電子線を露光した◎結果を表２に示す・図中Ｄｇ
ｕとは規格化残存膜厚０．５ Ｋおける電子線露光量で
あり、感度を表わす・又、図２Ｋｔ１４ツマー圧Ｑ、
３ Ｔｏｒｒ ａ印加電力０、８ Ｗ／ｃｌｆで形成し
た膜の感度曲線を示す・図２の横軸には電子線露光量（
Ｃ／ｄ）をとってあり、縦軸には規格化残存ｌｌｌ［厚
をとっである０なシ、加速電圧は１！ＯＫＶ、初期膜厚
１μｍで現儂はシクロヘキサン（２０℃）２０秒行なワ
た結果である・この膜の感度は８ｘｌＯ−’ｏｒ値Ｆｉ
３ノｏ’であ為・！Ｉ２よシ、シクロヘキサンに可溶愈
重合膜は全てネガ曹を形成できることがわかる・又表２
よりｅツマ−圧０．３Ｔｏｒｒ一定の時を比較すゐと印
加電力０．８ Ｗ／ｃ１１で形成した膜が印加電力０．
２Ｗ／ｃＩ＆で形唆した膜より感度が約２倍高いことが
わが為・このＭ因としでは、印加電力が高い条件で形成
したＩ［は璧ツマー分子に与えられるエネルギーが多く
、活性糧の密ｋが高いため重合反応が進行し分子量が高
くなっていることが考えられる〇本実施例のグッズマ重
合スチレンレジストでは、幅１．Ｂμｍのネガ截レジス
トパターンが形成できる。
表１ プラズマ重合漠テレンｌｅａ電子＝ｍ光臀性実施
例２ 実施例１と同様にしてシリコン基板を投首し、反応容器
内を排気した後モノマーとしてα−クロロアクリａ ＝
）リルを０．４５Ｔｏｒｒとなるように導入し、高周
波電力を印加した。この時のα−クロロアクリロニトリ
ルの流量は７０ｍｊ／ｍとし、印加電力は０．１５Ｗ／
ｍとした・放電を２．５分間行なったところ、０，８μ
ｍの膜厚の重合膜が得られた。実施例１と同様にして照
射量を２．５Ｘ１０”””０７ｍとして電子線を照射し
、現儂液にＮ、Ｎ−ジメチルホルムア之ドを用いて液１
１２０’Ｃで２０秒間現像したところ、幅２μｍのネガ
型レジストパターンを形成できた。
例２ 実施例１と同様にしてシリコン基板を投首し、反応容器
内を排気した後モノマーとしてα−クロロアクリａ ＝
）リルを０．４５Ｔｏｒｒとなるように導入し、高周
波電力を印加した。この時のα−クロロアクリロニトリ
ルの流量は７０ｍｊ／ｍとし、印加電力は０．１５Ｗ／
ｍとした・放電を２．５分間行なったところ、０，８μ
ｍの膜厚の重合膜が得られた。実施例１と同様にして照
射量を２．５Ｘ１０”””０７ｍとして電子線を照射し
、現儂液にＮ、Ｎ−ジメチルホルムア之ドを用いて液１
１２０’Ｃで２０秒間現像したところ、幅２μｍのネガ
型レジストパターンを形成できた。
実施例３
実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し反応容器内
を排気し九稜、モノマーとしてアクリル酸メチルをｏ、
ａ’ｒｏｒｒとなゐように導入し高周波を印加した。こ
の時のアクリル酸メチルの流量Ｆｉ３０ｍ Ｉ ７ｍ
ｌ ｎ ＊印加電力ｒｉＯ，２Ｗ／ｃｄとシタ。放電を
３０分間行な啼たところ０．９βｍの膜厚の重合膜が得
られ九〇一実施例１と同様にして電子線を照射しくｊｌ
ｌ射量： Ｉ Ｘ １ Ｇ−’ Ｃ’／ｃｄ）、現１１
液に酢１１４ ソア電ルを用いて液温２０℃で３０秒間
現像したところ、幅２．．５μｍのネガ型レジストパタ
ーンを形成できたー 実施例４ 実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し、反応容器
内を排気した後、モノマーとしてモノクールベンゼンを
０．３Ｔｏｒｒとなるように導入し、高周波を印加し九
〇この時のモノクールベンゼンの流量は８０ｍｊ／ｍ１
ｎｅ印加電力は０．５ Ｗ／（３１とし九〇放電を２分
間行なったところｔ、ＳａｍｏａＫ厚の重合膜が得られ
た・実施例１と同様にして電子線を照射しく照射量：
ｌＸｌ０−”Ｃ／Ｉｆ）Ｉｔ像液に酢酸ｎ−プロピルを
用いて、液温２０”Ｃで２０秒間現像したところ幅２μ
ｍのネガ型レジストパターンを形成でき九〇 実施例５ 実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し、反応容器
内を排気した後、モノ！−としてアリルベンゼンを０．
２Ｔｏｒｒとなるように導入し高周波を印加した口この
時のアリルベンゼンの流量ＦｉＳＯｍ ｌ ／ ｍ １
ｎ ＋印加電力ｔｉ ０．１’Ｗ／Ｃ１Ｆとした◎放
電を１５分間行なったところ１．３μｍの膜厚の重合膜
が得られた◎実施例１と同様にして電子線を照射しく照
射量： ６ Ｘ １０−’ Ｃ／（ｄ ） ％現像液に
シクロヘキサンを用いて液温２０℃で２０秒間現像した
ところ、幅２μｍのネガ型レジストパターンを形成でき
九〇 実施例６ 実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し、反応容器
内を排気した後、モノマーとしてトリエチルシランを０
．９Ｔｏｒｒとなるように導入し、高周波を印加した◎
この時のトリエチルシランのａ量は４０ｍｊ／ｍ１ｎｅ
印加電力は０．３Ｗ／ｄとした０放電を４０分間行なっ
たところ０．９μｍの膜厚の重合膜が得られ九〇実施例
１と同様にして電子−を照射しく照射量： ５Ｘ１０−
’Ｃ／ｃ１１）、現像液にシクロヘキサンを用いて液温
２０℃で２０秒間現像したところ、幅２．５Ｊｍのネガ
型レジストパターンを形成できた・ 上記の実施例ではネガ型レジストの現像において、簡便
さの点から通常の現像液による現像を行なったが、これ
は周知のドライ現像にて実施することも可能である。
を排気し九稜、モノマーとしてアクリル酸メチルをｏ、
ａ’ｒｏｒｒとなゐように導入し高周波を印加した。こ
の時のアクリル酸メチルの流量Ｆｉ３０ｍ Ｉ ７ｍ
ｌ ｎ ＊印加電力ｒｉＯ，２Ｗ／ｃｄとシタ。放電を
３０分間行な啼たところ０．９βｍの膜厚の重合膜が得
られ九〇一実施例１と同様にして電子線を照射しくｊｌ
ｌ射量： Ｉ Ｘ １ Ｇ−’ Ｃ’／ｃｄ）、現１１
液に酢１１４ ソア電ルを用いて液温２０℃で３０秒間
現像したところ、幅２．．５μｍのネガ型レジストパタ
ーンを形成できたー 実施例４ 実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し、反応容器
内を排気した後、モノマーとしてモノクールベンゼンを
０．３Ｔｏｒｒとなるように導入し、高周波を印加し九
〇この時のモノクールベンゼンの流量は８０ｍｊ／ｍ１
ｎｅ印加電力は０．５ Ｗ／（３１とし九〇放電を２分
間行なったところｔ、ＳａｍｏａＫ厚の重合膜が得られ
た・実施例１と同様にして電子線を照射しく照射量：
ｌＸｌ０−”Ｃ／Ｉｆ）Ｉｔ像液に酢酸ｎ−プロピルを
用いて、液温２０”Ｃで２０秒間現像したところ幅２μ
ｍのネガ型レジストパターンを形成でき九〇 実施例５ 実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し、反応容器
内を排気した後、モノ！−としてアリルベンゼンを０．
２Ｔｏｒｒとなるように導入し高周波を印加した口この
時のアリルベンゼンの流量ＦｉＳＯｍ ｌ ／ ｍ １
ｎ ＋印加電力ｔｉ ０．１’Ｗ／Ｃ１Ｆとした◎放
電を１５分間行なったところ１．３μｍの膜厚の重合膜
が得られた◎実施例１と同様にして電子線を照射しく照
射量： ６ Ｘ １０−’ Ｃ／（ｄ ） ％現像液に
シクロヘキサンを用いて液温２０℃で２０秒間現像した
ところ、幅２μｍのネガ型レジストパターンを形成でき
九〇 実施例６ 実施例１と同様にしてシリコン基板を設置し、反応容器
内を排気した後、モノマーとしてトリエチルシランを０
．９Ｔｏｒｒとなるように導入し、高周波を印加した◎
この時のトリエチルシランのａ量は４０ｍｊ／ｍ１ｎｅ
印加電力は０．３Ｗ／ｄとした０放電を４０分間行なっ
たところ０．９μｍの膜厚の重合膜が得られ九〇実施例
１と同様にして電子−を照射しく照射量： ５Ｘ１０−
’Ｃ／ｃ１１）、現像液にシクロヘキサンを用いて液温
２０℃で２０秒間現像したところ、幅２．５Ｊｍのネガ
型レジストパターンを形成できた・ 上記の実施例ではネガ型レジストの現像において、簡便
さの点から通常の現像液による現像を行なったが、これ
は周知のドライ現像にて実施することも可能である。
（η 発明の効果
本発明においては、平行平板の反応装置を用−てプラズ
マ重合を行なう屯ので、外部コイルから高周波電力を印
加する方式に比し高い膜生成速度を実現でき、又平行平
板では従来法では溶剤に吋溶な高分子膜の生成が離しい
ものでありたが、供給するモノマー圧力と流量を制御し
た上で、高岡型レジスト膜を形成すゐことができゐ◎こ
のように、能率的でかつ信頼性の＾いネガ製レジスト膜
が形成できるので、半導体素子等リングラフィ技術を用
いて製造する製品の歩留９．信軸性、生産性の向上！＄
を図れる効果がある・尚、本発明に用いることのできる
壱）ｉ−重合条件等は実施例記載のものに限定されるこ
となく、上記目的に対応し、適宜選択奥施し得る４ので
ある・
マ重合を行なう屯ので、外部コイルから高周波電力を印
加する方式に比し高い膜生成速度を実現でき、又平行平
板では従来法では溶剤に吋溶な高分子膜の生成が離しい
ものでありたが、供給するモノマー圧力と流量を制御し
た上で、高岡型レジスト膜を形成すゐことができゐ◎こ
のように、能率的でかつ信頼性の＾いネガ製レジスト膜
が形成できるので、半導体素子等リングラフィ技術を用
いて製造する製品の歩留９．信軸性、生産性の向上！＄
を図れる効果がある・尚、本発明に用いることのできる
壱）ｉ−重合条件等は実施例記載のものに限定されるこ
となく、上記目的に対応し、適宜選択奥施し得る４ので
ある・
Claims (1)
- グッズマ重合法によりレジスト膜を形成する方法におい
て、反応容器内に相対する平行平板型電極の接地側電極
上に基板を設置し、平行平板型電極に印加する高周波電
力を、およそＩＷ／ｍ以下の小電力として現侭液に可溶
な重合膜を基板上に形成することを特徴とするネガ型レ
ジスト膜の形成方法◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20784881A JPS58107535A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | ネガ型レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20784881A JPS58107535A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | ネガ型レジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107535A true JPS58107535A (ja) | 1983-06-27 |
Family
ID=16546522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20784881A Pending JPS58107535A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | ネガ型レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426853A (en) * | 1986-12-16 | 1989-01-30 | Konishiroku Photo Ind | Silver halide color photographic sensitive material containing novel cyan coupler |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP20784881A patent/JPS58107535A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426853A (en) * | 1986-12-16 | 1989-01-30 | Konishiroku Photo Ind | Silver halide color photographic sensitive material containing novel cyan coupler |
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